JPH1140523A - Substrate cutting device and substrate cutting method - Google Patents

Substrate cutting device and substrate cutting method

Info

Publication number
JPH1140523A
JPH1140523A JP19597597A JP19597597A JPH1140523A JP H1140523 A JPH1140523 A JP H1140523A JP 19597597 A JP19597597 A JP 19597597A JP 19597597 A JP19597597 A JP 19597597A JP H1140523 A JPH1140523 A JP H1140523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cutting
laser beam
jig
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19597597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshie Noguchi
淑恵 野口
Kenji Imamura
兼次 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP19597597A priority Critical patent/JPH1140523A/en
Publication of JPH1140523A publication Critical patent/JPH1140523A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cutting device and a substrate cutting method, which can prevent generation of resin scrap and thermal damage due to delaminataion and cutting between mold resin and a substrate in a semiconductor packing, and can perform discrete dicing for a compact package such as a CSP from a substrate without lowering producibility. SOLUTION: In a division/alignment mechanism part 10 of a substrate 7 having a plurality of packages 8 which contract due to influence of heat treatment in a preceding process, etc., and whose pitch is not constant, a break is formed in an arbitrary position between the packages 8 for correcting a position of the package 8. After a plurality of packages 8 are positioned simultaneously, an area near a peripheral pole of the package 8 is cut by using laser beam 2 and a plurality of packages 8 are continuously subjected to discrete dicing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば一枚の基
板上に形成された複数個のIC、特にCSP(Chip Sca
ie Package)等の小型パッケージを切り離す際に使用さ
れる基板切断装置および切断方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, a plurality of ICs formed on a single substrate, particularly, a CSP (Chip Sca).
More specifically, the present invention relates to a substrate cutting apparatus and a cutting method used for separating a small package such as an IE Package).

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、カメラ一体型VTRや携帯電話等
の携帯機器の普及が進んでおり、これらの機器の小型化
の要求に対応するためは、LSIパッケージの小型、薄
型化が必要であり、そのため、LSIのベアチップとほ
ぼ同じ大きさまでパッケージを小型化したCSP(Chip
Scaie Package)が、LSIメーカー各社で開発が進め
られている。特に、ポリイミドやガラスエポキシ等のテ
ープ基板に、チップをワイヤボンドで接続、モールド、
半田ボール付けした後に、テープ基板を切り離して個片
化する製造方法は、従来のアセンブリ技術を活用すると
共に小型パッケージを実現できることを特徴として、最
も量産化が進められている。従来、基板から個々のパッ
ケージを切り離し個片化する方法としては、ローラカッ
ター法、金型による打ち抜き法、シェアリング法、上下
平刃による押し切り法等がある。
2. Description of the Related Art In recent years, portable devices such as a camera-integrated VTR and a portable telephone have become widespread. In order to meet the demand for downsizing these devices, it is necessary to reduce the size and thickness of LSI packages. Therefore, a CSP (Chip) in which a package is downsized to almost the same size as a bare chip of an LSI.
Scaie Package) is being developed by LSI manufacturers. Especially, connect the chip to the tape substrate such as polyimide or glass epoxy by wire bond, mold,
The manufacturing method of separating the tape substrate into individual pieces after attaching the solder balls is characterized by utilizing the conventional assembly technology and realizing a small package, and is being mass-produced most. 2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of separating and separating individual packages from a substrate, there are a roller cutter method, a punching method using a die, a sharing method, a push cutting method using upper and lower flat blades, and the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、一枚の
基板から個々のパッケージを切り離す方法としては、従
来いくつかの方法が提案されているが、いずれも基板に
接触して切断する方法であり、切り離した個片において
モールド樹脂と基板が剥離するデラミネーションを防止
するには、パッケージ端から離れた位置で切断する必要
があり、パッケージの外形を十分に小型化することがで
きない。さらに、切断により樹脂クズが発生するなどの
問題があった。また、短時間に多数個の小型パッケージ
を形成するためには、複数個のパッケージが形成された
基板を高精度で個片化処理することが必要であるが、前
工程での熱処理の影響等による基板の収縮が生じること
により、パッケージ間のピッチが一定にならないため、
高精度に個片化処理するためには、パッケージ毎に位置
を認識した後に個片化処理することが必要となり、生産
性を低下させる問題があった。また、レーザービームを
用いた個片化処理では、熱エネルギーによる加工となる
ため、パッケージに熱的ダメージを与えたり、加工に伴
い発生するカーボン等の発塵物が付着することによりパ
ッケージを汚染するなどの問題があった。
As described above, as a method of separating an individual package from a single substrate, several methods have conventionally been proposed. However, in order to prevent delamination in which the mold resin and the substrate are separated from each other in the separated pieces, it is necessary to cut the package at a position away from the end of the package, and the outer shape of the package cannot be sufficiently reduced in size. Further, there is a problem that resin scraps are generated by cutting. In addition, in order to form a large number of small packages in a short time, it is necessary to singulate a substrate on which a plurality of packages are formed with high precision. Because the pitch between the packages is not constant due to the shrinkage of the substrate due to
In order to perform the singulation processing with high accuracy, it is necessary to perform the singulation processing after recognizing the position of each package, and there has been a problem that the productivity is reduced. In addition, in the singulation process using a laser beam, since processing is performed by thermal energy, the package is contaminated by causing thermal damage to the package or attaching dusts such as carbon generated during the processing. There was such a problem.

【0004】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、モールド樹脂と基板間のデラミ
ネーションや切断による樹脂クズの発生および熱的ダメ
ージを防止できると共に、生産性を低下させずにCPS
等の小型パッケージを基板から個片化処理できる基板切
断装置を提供することを目的とする。さらにこの装置に
適した基板切断方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and can prevent the occurrence of resin debris and thermal damage due to delamination or cutting between a mold resin and a substrate, as well as lowering productivity. CPS without letting
It is an object of the present invention to provide a substrate cutting apparatus capable of processing a small package such as a single package from a substrate. It is another object of the present invention to provide a substrate cutting method suitable for this apparatus.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明に係わる基板切
断装置は、複数個の部品が形成された基板の各部品間に
切れ目を形成後あるいは各部品毎に分割後、部品の位置
を補正し整列させる整列機構部と、整列された複数個の
部品を有する基板の搬送手段と、整列された複数個の部
品を有する基板にレーザビームを照射するレーザ加工部
とを備えたものである。また、基板には、各部品に対応
して基板の短手方向両側に穴部が形成されているもので
ある。また、整列機構部は、基板切断用治具と、基板に
形成された穴部に対応するピンが所定位置に設けられた
整列治具を備えているものである。また、基板切断用治
具は、接触式の切断治具である。また、整列治具に設け
られたピンは、端部が尖端状に形成されたテーパ形状で
ある。また、レーザ加工部は、水平移動が可能なステー
ジと、ステージ上に設置され、整列された複数個の部品
を有する基板を保持する保持治具と、保持治具に保持さ
れた基板上にレーザビームを出射するレーザ発振器と、
レーザビームの照射部に吹き付けるガスを噴出させるノ
ズルを備えているものである。また、保持治具には、整
列治具に設けられたピンと対応する位置に突起部が設け
られているものである。また、基板には、一方の面に金
属配線が形成され、他方の面に半田ボールが設けられて
おり、金属配線が形成された面側からレーザビームは照
射され、半田ボールが設けられた面側から基板は保持治
具に吸引保持されるよう構成されているものである。ま
た、保持治具の半田ボールとの接触面には、半田ボール
に対応した凹部が設けられているものである。さらに、
保持治具の半田ボールとの接触面は、基板の構成材料と
同じ材料により構成されているものである。また、保持
治具は、基板を通過したレーザビームと干渉しないよう
レーザビームの進行方向に従いテーパ形状に切り欠かれ
ているものである。また、保持治具の周辺部に、吸引排
気孔を有し、レーザビーム照射により生じた発塵物を強
制的に排出する機構を備えたものである。また、レーザ
ビームの照射部に吹き付けるガスを噴出させるノズル
は、レーザビームと同軸でガスを噴出させるものであ
る。また、レーザ加工部は、レーザビームの照射により
切断される部品の周辺部に吹き付けるガスを噴出させる
ノズルを複数個備えたものである。また、レーザ加工部
は、レーザ発振器から出射するレーザビームを複数本に
分割し基板に照射する光学系を備えたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A substrate cutting apparatus according to the present invention corrects the position of a component after forming a cut between each component of a substrate on which a plurality of components are formed or after dividing each component. The apparatus includes an alignment mechanism for aligning, a transporting means for a substrate having a plurality of aligned components, and a laser processing unit for applying a laser beam to the substrate having a plurality of aligned components. The board has holes formed on both sides in the short direction of the board corresponding to each component. The alignment mechanism includes a substrate cutting jig and an alignment jig provided with pins corresponding to holes formed in the substrate at predetermined positions. The substrate cutting jig is a contact-type cutting jig. The pin provided on the alignment jig has a tapered shape with a sharp end. The laser processing unit includes a stage that can be moved horizontally, a holding jig that is set on the stage and holds a substrate having a plurality of aligned components, and a laser on the substrate held by the holding jig. A laser oscillator for emitting a beam,
The apparatus is provided with a nozzle for ejecting a gas to be blown to a laser beam irradiation unit. Further, the holding jig is provided with a projection at a position corresponding to the pin provided on the alignment jig. Further, the substrate has metal wiring formed on one surface and solder balls provided on the other surface, and the surface on which the metal wiring is formed is irradiated with a laser beam from the surface on which the metal wiring is formed. The substrate is configured to be sucked and held by the holding jig from the side. Further, a concave portion corresponding to the solder ball is provided on a contact surface of the holding jig with the solder ball. further,
The contact surface of the holding jig with the solder ball is made of the same material as that of the substrate. Further, the holding jig is cut out in a tapered shape according to the traveling direction of the laser beam so as not to interfere with the laser beam passing through the substrate. In addition, a suction exhaust hole is provided in a peripheral portion of the holding jig, and a mechanism for forcibly discharging dust generated by laser beam irradiation is provided. Further, the nozzle for ejecting the gas to be sprayed to the laser beam irradiation section ejects the gas coaxially with the laser beam. The laser processing unit includes a plurality of nozzles for ejecting a gas to be blown to a peripheral portion of a part to be cut by irradiation with a laser beam. The laser processing unit includes an optical system that divides a laser beam emitted from a laser oscillator into a plurality of laser beams and irradiates the laser beam onto a substrate.

【0006】さらにこの発明の基板切断方法は、複数個
の部品が形成された基板の部品間に切れ目を形成する工
程あるいは各部品毎に分割する工程と、部品の位置を補
正し整列させる工程と、整列された複数個の部品を有す
る基板を同時に水平移動が可能なステージ上の保持治具
に移動させる工程と、保持治具に保持された基板にガス
を吹き付けると共にレーザビームを照射し部品を個片化
処理する工程を含むものである。また、部品の位置補正
は、部品間に切れ目を形成後、整列治具の所定位置に設
けられたピンに、部品の両側に設けられた穴部を嵌合さ
せることにより行うものである。または、部品の位置補
正は、部品間を分割後、所定位置にピンを有する整列治
具を上昇させ、部品の両側に設けられた穴部にピンを挿
入することにより行うものである。または、部品の位置
補正は、整列治具の所定位置に設けられた端部が尖端状
に形成されたテーパ形状のピンの先端を、部品の両側に
設けられた穴部に挿入した状態で部品間を分割し、テー
パ形状のピンに沿って分割された基板を滑り落とすこと
により行うものである。また、レーザ発振器から出射す
るレーザビームを複数本に分割し基板に照射する光学系
により、基板へのレーザビームの照射を複数回行うこと
により部品を個片化処理するものである。
Further, the method of cutting a board according to the present invention includes a step of forming a cut between components of a board on which a plurality of components are formed or a step of dividing each component, and a process of correcting and aligning the positions of the components. Moving the substrate having a plurality of aligned components to a holding jig on a stage capable of horizontal movement at the same time; and blowing a gas onto the substrate held by the holding jig and irradiating the component with a laser beam. It includes a step of singulation. In addition, the position of the component is corrected by forming a cut between the components and fitting holes provided on both sides of the component to pins provided at predetermined positions of the alignment jig. Alternatively, the position of the component is corrected by dividing the components, raising the alignment jig having pins at predetermined positions, and inserting the pins into holes provided on both sides of the component. Alternatively, the position of the component is corrected by inserting the tip of a tapered pin having a pointed end provided at a predetermined position of the alignment jig into a hole provided on both sides of the component. This is performed by dividing the substrate and sliding down the divided substrate along the tapered pins. In addition, the laser beam emitted from the laser oscillator is divided into a plurality of beams, and the substrate is irradiated with the laser beam a plurality of times by an optical system that irradiates the substrate with the laser beam, so that the components are singulated.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.以下、この発明の一実施の形態である基
板切断装置を図について説明する。図1は本発明の実施
の形態1による基板切断装置の構成を示す概略図であ
る。図において、1はレーザ発振器、2はレーザ発振器
1から出射されたレーザビーム、3はレーザ発振器1か
ら出射されたレーザビーム2を反射させて進行方向を変
える反射ミラー、4は集光レンズ、5は可動ステージ、
6は可動ステージ5上の保持機構部、7は複数個の部品
であるパッケージ8が形成された基板、9は基板7をパ
ッケージ8単位に分割した分割基板、10は基板7をパ
ッケージ8単位に分割すると共に、この分割基板9上の
パッケージ8の位置を補正してパッケージ8が所定の位
置に配置されるよう分割基板9を整列させる分割・整列
機構部、11はガスを噴出させるノズルである。図2は
分割・整列機構部10を示す平面図である。図におい
て、12は分割・整列機構部10の基板7を保持する保
持部、13は例えばローラカッター等の接触式の切断治
具、14は切断治具13により基板7に形成された切れ
目、15は各パッケージ8に対応させて基板7に設けら
れた穴部、16aは所定の位置に複数のピン17aを有
する整列治具で、ピン17aは基板7に設けられた穴部
15の径より小さい径を有する。
Embodiment 1 FIG. Hereinafter, a substrate cutting apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, 1 is a laser oscillator, 2 is a laser beam emitted from the laser oscillator 1, 3 is a reflection mirror that reflects the laser beam 2 emitted from the laser oscillator 1 to change the traveling direction, 4 is a condenser lens, Is a movable stage,
Reference numeral 6 denotes a holding mechanism on the movable stage 5, reference numeral 7 denotes a substrate on which a package 8, which is a plurality of components, is formed, reference numeral 9 denotes a divided substrate obtained by dividing the substrate 7 into units of packages 8, and reference numeral 10 denotes substrate 7 by units of packages 8. A dividing / aligning mechanism for dividing the package 8 on the divided substrate 9 and aligning the divided substrate 9 so that the package 8 is arranged at a predetermined position, and a nozzle 11 for ejecting gas. . FIG. 2 is a plan view showing the division / alignment mechanism unit 10. In the drawing, reference numeral 12 denotes a holding unit for holding the substrate 7 of the dividing / aligning mechanism unit 10, 13 denotes a contact-type cutting jig such as a roller cutter, 14 denotes a cut formed on the substrate 7 by the cutting jig 13, 15 Is a hole provided in the substrate 7 corresponding to each package 8, 16a is an alignment jig having a plurality of pins 17a at predetermined positions, and the pin 17a is smaller than the diameter of the hole 15 provided in the substrate 7. Have a diameter.

【0008】複数個のパッケージ8を有する基板7に
は、前工程での熱処理の影響等により収縮が生じ、パッ
ケージ8間のピッチが一定にはならない。そのため、パ
ッケージ8を高精度に個片化処理するためには、まず、
パッケージ8の位置を補正し、整列させることが必要で
ある。なお、前工程での熱処理の影響等による基板7の
収縮は、通常基板の長手方向に大きく、短手方向には無
視できるほど小さい。そのため、各パッケージ8に対応
させて設ける穴部15を、基板7の短手方向かつパッケ
ージ8の両側の所定位置に一個ずつ形成することによ
り、対をなすパッケージ8と穴部15の位置関係が、基
板7の収縮に係わらず常に一定となる。
The substrate 7 having a plurality of packages 8 contracts due to the influence of the heat treatment in the previous process, and the pitch between the packages 8 is not constant. Therefore, in order to singulate the package 8 with high precision, first,
It is necessary to correct and align the position of the package 8. In addition, the shrinkage of the substrate 7 due to the influence of the heat treatment in the previous process is generally large in the longitudinal direction of the substrate and small enough to be ignored in the short direction. Therefore, by forming the holes 15 provided corresponding to the respective packages 8 at predetermined positions on the both sides of the package 8 in the short direction of the substrate 7, the positional relationship between the paired package 8 and the hole 15 is improved. , Regardless of the contraction of the substrate 7.

【0009】次に、本実施の形態の基板切断装置による
基板切断について説明する。まず図2に示すように、前
工程での熱処理の影響等により収縮し、ピッチが一定で
ない複数個のパッケージ8を有する基板7を、分割・整
列機構部10の保持部12に配置し、切断治具13によ
りパッケージ8間の任意の位置を、短手方向の両側から
交互に対向する辺側へその辺の端部から所定の長さを残
した部分まで切断し、保持部12に保持された基板7上
の各パッケージ8の間に切れ目14を形成する。次に切
れ目14が形成された基板7を、ロボット等(図示せ
ず)により真空吸着して、ピン17aを有する整列治具
16aに搬送し、ピン17aに基板7に設けられた穴部
15を嵌合させることにより、分割基板9を整列させ
る。このとき、基板7には切れ目14が形成されてお
り、長手方向にのびることができるため、所定位置に設
けられたピン17aにパッケージ8の両側に設けられた
穴部15を嵌合させることができ、熱処理の影響等によ
る基板7の長手方向の収縮を補正して、各パッケージ8
を所定の位置に精度よく配置することができる。次に分
割・整列機構部10の整列治具16aのピン17aによ
り位置決めされた分割基板9を、そのままの状態で全数
を同時にロボット等(図示せず)により真空吸着して、
可動ステージ5上の保持機構部6に配置する。なお、分
割基板9は、保持機構部6では、分割・整列機構部10
の整列治具16aに設けられていたピン17aと対応す
る位置に突起部を有する保持治具(図示せず)に保持さ
れ、位置ずれを防止される。また、保持治具に設けられ
た突起部の径はパッケージ8の両側に設けられた穴部1
5の径より小さい。
Next, cutting of a substrate by the substrate cutting apparatus of the present embodiment will be described. First, as shown in FIG. 2, a substrate 7 having a plurality of packages 8 which contract due to the influence of a heat treatment in a previous process and have a non-uniform pitch is arranged on a holding unit 12 of a division / alignment mechanism unit 10 and cut. An arbitrary position between the packages 8 is cut by the jig 13 from both ends in the short direction to sides opposite to each other alternately to a portion leaving a predetermined length from an end of the side, and is held by the holding unit 12. Cuts 14 are formed between the packages 8 on the substrate 7 thus formed. Next, the substrate 7 on which the cuts 14 are formed is vacuum-sucked by a robot or the like (not shown) and transported to an alignment jig 16a having pins 17a, and the holes 17 provided in the substrate 7 are inserted into the pins 17a. By fitting, the divided substrates 9 are aligned. At this time, since the cuts 14 are formed in the substrate 7 and can extend in the longitudinal direction, the holes 15 provided on both sides of the package 8 can be fitted into the pins 17a provided at predetermined positions. Each package 8 is corrected by correcting the shrinkage of the substrate 7 in the longitudinal direction due to the influence of heat treatment or the like.
Can be accurately arranged at predetermined positions. Next, all the divided substrates 9 positioned by the pins 17a of the alignment jig 16a of the division / alignment mechanism unit 10 are simultaneously vacuum-adsorbed by a robot or the like (not shown) in the same state.
It is arranged on the holding mechanism 6 on the movable stage 5. Note that the divided substrate 9 is divided by the holding mechanism 6 into the dividing / aligning mechanism 10.
Is held by a holding jig (not shown) having a protruding portion at a position corresponding to the pin 17a provided on the alignment jig 16a, thereby preventing displacement. The diameter of the projection provided on the holding jig is the same as that of the hole 1 provided on both sides of the package 8.
5 smaller than the diameter.

【0010】次に、レーザ発振器1から出射され、集光
レンズ4により集光されたレーザビーム2を、移動ステ
ージ5上の保持機構部6に高精度に位置決めされ保持さ
れた分割基板9に照射した状態で、可動ステージ5を予
めプログラミングされた情報に従い移動させることによ
り、分割基板9をパッケージ8の周辺極近傍で切断し、
複数個のパッケージ8を連続して個片化処理する。ま
た、レーザビーム2照射による分割基板9切断時には、
ノズル11から切断加工部にガス(アシストガス)を吹
き付けて、切断加工部で生じる燃焼溶融物を除去するこ
とにより、切断の高速化を図っている。なお、レーザビ
ーム2の照射、ノズル11からのガスの吹き付けおよび
可動ステージ5の移動は、予め入力された情報に従い一
つの制御系により制御される(制御系は図示せず)。ま
た、パッケージ8を個片化するための熱源となるレーザ
発振器1としては、近年小型パッケージとして多用され
ているCPS(Chip Scaie Package)では、その基板材
料としてポリイミド樹脂やガラス基材エポキシ樹脂等の
樹脂テープが用いられ、その表面にはCu等による金属
配線が形成されており、この金属配線が形成された樹脂
テープを切断加工する必要があるため、樹脂および金属
に対する吸収率が高いYAGの高調波(波長:λ=0.
532、0. 266μm等)や、大出力パワーが取り出
せ、樹脂に対する吸収率が高い炭酸ガス(CO2 )レー
ザ(波長:λ=10. 6μm)が適している。なお、図
2では、図を簡略化するために基板7に設けられたパッ
ケージ8の数を三個としたが、これに限定されるもので
はない。また、分割・位置整列機構部10の切断治具1
3は、刃物や金型でもよい。
Next, the laser beam 2 emitted from the laser oscillator 1 and condensed by the condensing lens 4 is applied to the divided substrate 9 positioned and held with high precision by the holding mechanism 6 on the moving stage 5. In this state, the movable substrate 5 is moved in accordance with preprogrammed information, so that the divided substrate 9 is cut in the vicinity of the periphery of the package 8,
A plurality of packages 8 are continuously singulated. When cutting the divided substrate 9 by irradiating the laser beam 2,
By blowing a gas (assist gas) from the nozzle 11 to the cutting portion to remove the combustion melt generated in the cutting portion, the cutting speed is increased. The irradiation of the laser beam 2, the blowing of gas from the nozzle 11, and the movement of the movable stage 5 are controlled by one control system according to information input in advance (the control system is not shown). In addition, as the laser oscillator 1 serving as a heat source for dividing the package 8 into pieces, a CPS (Chip Scaie Package), which has been frequently used as a small package in recent years, has a substrate material such as a polyimide resin or a glass base epoxy resin. A resin tape is used, and a metal wiring made of Cu or the like is formed on the surface thereof. It is necessary to cut the resin tape on which the metal wiring is formed. Wave (wavelength: λ = 0.
532, 0.266 μm, etc.), and a carbon dioxide gas (CO 2 ) laser (wavelength: λ = 10.6 μm) which can take out a large output power and has a high absorptivity to resin. In FIG. 2, the number of packages 8 provided on the substrate 7 is three for simplification of the drawing, but the number is not limited to three. Further, the cutting jig 1 of the division / position alignment mechanism unit 10
3 may be a knife or a mold.

【0011】この発明によれば、前工程での熱処理の影
響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパッケ
ージ8を有する基板7を、分割・位置整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置に切れ目14を形
成してパッケージ8の位置を補正し、複数個のパッケー
ジ8を同時に位置決めした後に、レーザビーム2を用い
てパッケージ8の周辺極近傍を切断加工し、複数個のパ
ッケージ8を連続して個片化処理する。このため、分割
・整列機構部10における基板7の切断では、隣接する
パッケージ8の間隔は十分にあるため、基板7を接触方
式で切断することによっても、パッケージ8のモールド
樹脂と基板が剥離するデラミネーションや樹脂くずの発
生によるパッケージ8への悪影響等の問題は生じない。
さらに、複数個のパッケージ8が同時かつ高精度に位置
決めされているため、複数個のパッケージ8を連続して
個片化処理でき、高精度かつ短時間でパッケージ8の個
片化処理を行うことができる。
According to the present invention, the substrate 7 having a plurality of packages 8 which contract due to the influence of the heat treatment in the previous process and have a non-constant pitch can be divided between the packages 8 by the dividing / position alignment mechanism 10. The position of the package 8 is corrected by forming a cut 14 at the position of the package 8, and the plurality of packages 8 are simultaneously positioned. Is continuously singulated. For this reason, in the cutting of the substrate 7 in the division / alignment mechanism unit 10, there is a sufficient space between the adjacent packages 8, and therefore, even if the substrate 7 is cut by the contact method, the mold resin of the package 8 and the substrate are separated. There is no problem such as an adverse effect on the package 8 due to delamination or generation of resin chips.
Further, since the plurality of packages 8 are positioned simultaneously and with high precision, the plurality of packages 8 can be continuously divided into individual pieces, and the individual pieces of the packages 8 can be processed with high precision and in a short time. Can be.

【0012】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2を示す基板切断装置の分割・整列機構部の斜視図で
ある。図において、18は切断治具13の受け部、16
bは保持部12に保持された基板7の下方に各パッケー
ジ8に対応して各別に移動可能なように設けられた位置
整列治具で、分割・整列機構部10のすべての整列治具
16bの位置は高精度に位置決めされている。17bは
整列治具16bの所定の位置に設けられたピンで、パッ
ケージ8の両側に設けられた穴部15の径より小さい径
を有する。なお、その他の構成は実施の形態1と同様で
あるので説明を省略する。
Embodiment 2 FIG. FIG. 3 is a perspective view of a dividing / aligning mechanism of a substrate cutting apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 18 denotes a receiving portion of the cutting jig 13;
Reference numeral b denotes a position alignment jig provided below the substrate 7 held by the holding unit 12 so as to be individually movable in correspondence with each package 8, and all the alignment jigs 16b of the division / alignment mechanism unit 10 Is positioned with high precision. 17b is a pin provided at a predetermined position of the alignment jig 16b, and has a diameter smaller than the diameter of the hole 15 provided on both sides of the package 8. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted.

【0013】次に、本実施の形態の基板切断装置の分割
・整列機構部10による基板7の分割および分割基板9
の位置補正について説明する。まず図3−(イ)に示す
ように、前工程での熱処理の影響等により収縮し、ピッ
チが一定でない複数個のパッケージ8を有する基板7
を、分割・整列機構部10の保持部12に配置し、切断
治具13によりパッケージ8間の任意の位置を切断す
る。次に図3−(ロ)に示すように、切断治具13によ
り分割された分割基板9は、上昇してきた整列治具16
bの所定の位置に設けられたピン17bが、分割基板9
のパッケージ8の両側に設けられた穴部15に挿入され
ることにより、分割基板9の位置が補正され、パッケー
ジ8は整列治具16b上で高精度に位置決めされる。そ
の後、分割・整列機構部10の保持部12に保持された
基板7上の全てのパッケージ8を順次分割し、整列治具
16bのピン17bにより位置決めする。次に分割・整
列機構部10の整列治具16bのピン17bにより位置
決めされた分割基板9を、そのままの状態で全数を同時
にロボット等(図示せず)により真空吸着して、可動ス
テージ5上の保持機構部6に配置する。その後、実施の
形態1と同様の方法によりパッケージ8を個片化処理す
る。
Next, division of the substrate 7 by the division / alignment mechanism 10 of the substrate cutting apparatus of the present embodiment and division of the substrate 9
Will be described. First, as shown in FIG. 3A, the substrate 7 having a plurality of packages 8 that contract due to the influence of the heat treatment in the previous process and have an irregular pitch.
Is arranged on the holding section 12 of the division / alignment mechanism section 10, and an arbitrary position between the packages 8 is cut by the cutting jig 13. Next, as shown in FIG. 3 (b), the divided substrate 9 divided by the cutting jig 13 is
b is provided at a predetermined position on the divided substrate 9.
Is inserted into the holes 15 provided on both sides of the package 8, the position of the divided substrate 9 is corrected, and the package 8 is positioned with high precision on the alignment jig 16b. Thereafter, all the packages 8 on the substrate 7 held by the holding unit 12 of the division / alignment mechanism unit 10 are sequentially divided and positioned by the pins 17b of the alignment jig 16b. Next, all the divided substrates 9 positioned by the pins 17b of the alignment jig 16b of the division / alignment mechanism section 10 are simultaneously vacuum-adsorbed by a robot or the like (not shown) in the same state, and are placed on the movable stage 5. It is arranged on the holding mechanism 6. After that, the package 8 is singulated by the same method as in the first embodiment.

【0014】本実施の形態によれば、前工程での熱処理
の影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパ
ッケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置で切断後、整列治
具16bに設けられたピン17bをパッケージ8の両端
に設けられた穴部15に挿入することによりパッケージ
8の位置を補正し、位置決めされた複数個のパッケージ
8を、レーザビーム2によりパッケージ8を個片化処理
する可動ステージ5上の保持機構部6に、同時かつ高精
度に位置決めして配置することができるため、実施の形
態1と同様の効果を得ることができる。
According to the present embodiment, the substrate 7 having a plurality of packages 8 which are shrunk due to the heat treatment in the previous process and have a non-uniform pitch is divided by the dividing / aligning mechanism 10 between the packages 8. After cutting at an arbitrary position, the position of the package 8 is corrected by inserting the pins 17b provided on the alignment jig 16b into the holes 15 provided at both ends of the package 8, and the plurality of positioned packages 8 are inserted. Can be simultaneously and highly accurately positioned and arranged on the holding mechanism 6 on the movable stage 5 that singulates the package 8 with the laser beam 2, so that the same effect as in the first embodiment is obtained. be able to.

【0015】実施の形態3.図4はこの発明の実施の形
態3を示す基板切断装置の分割・整列機構部の斜視図で
ある。また、図5は分割・整列機構部の整列治具を示す
斜視図である。図において、16cは所定の位置にテー
パ形状のピン17cを有する整列治具で、ピン17cの
先端が保持部12に保持された基板7に設けられた穴部
15に入る位置精度で基板7の下方に高精度に位置決め
され配置されている。なお、その他の構成は実施の形態
1と同様であるので説明を省略する。
Embodiment 3 FIG. 4 is a perspective view of a dividing / aligning mechanism of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 5 is a perspective view showing an alignment jig of the division / alignment mechanism. In the drawing, reference numeral 16c denotes an alignment jig having a tapered pin 17c at a predetermined position. The alignment jig of the substrate 7 is accurately positioned so that the tip of the pin 17c enters the hole 15 provided in the substrate 7 held by the holding unit 12. It is positioned and positioned below with high precision. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted.

【0016】次に、本実施の形態の基板切断装置の分割
・整列機構部10による基板7の分割および分割基板9
の位置補正について説明する。まず前工程での熱処理の
影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパッ
ケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10の整
列治具16cに設けられたピン17cの先端がパッケー
ジの両側に設けられた穴部15に入るよう保持部12に
配置し、切断治具13によりパッケージ8間の任意の位
置を切断する。切断治具13により分割された分割基板
9は、テーパ形状を有するピン17cに沿って滑り落
ち、分割基板9上のパッケージ8は位置整列治具16c
上で高精度に位置決めされる。その後、分割・整列機構
部10の保持部12に保持された基板7上の全てのパッ
ケージ8を順次分割し、整列治具16cのピン17cに
より位置決めする。次に分割・整列機構部10の整列治
具16cのピン17cにより位置決めされた分割基板9
を、そのままの状態で全数を同時にロボット等(図示せ
ず)により真空吸着して、可動ステージ5上の保持機構
部6に配置する。その後、実施の形態1と同様の方法に
よりパッケージ8を個片化処理する。
Next, division of the substrate 7 by the division / alignment mechanism 10 of the substrate cutting apparatus of the present embodiment and division of the substrate 9
Will be described. First, the substrate 7 having a plurality of packages 8 which are shrunk due to the heat treatment in the previous process and have a non-uniform pitch is separated from the package 7 by a tip of a pin 17c provided on an aligning jig 16c of the dividing / aligning mechanism unit 10. Arranged in the holding portion 12 so as to enter the holes 15 provided on both sides, and an arbitrary position between the packages 8 is cut by the cutting jig 13. The divided substrate 9 divided by the cutting jig 13 slides down along the pins 17c having a tapered shape, and the package 8 on the divided substrate 9 is moved to the position alignment jig 16c.
Is positioned with high precision. Thereafter, all the packages 8 on the substrate 7 held by the holding unit 12 of the division / alignment mechanism unit 10 are sequentially split and positioned by the pins 17c of the alignment jig 16c. Next, the divided substrate 9 positioned by the pins 17c of the alignment jig 16c of the division / alignment mechanism unit 10
Are vacuum-adsorbed simultaneously by a robot or the like (not shown) in the same state, and are arranged in the holding mechanism 6 on the movable stage 5. After that, the package 8 is singulated by the same method as in the first embodiment.

【0017】本実施の形態によれば、前工程での熱処理
の影響等により収縮し、ピッチが一定でない複数個のパ
ッケージ8を有する基板7を、分割・整列機構部10に
おいて、パッケージ8間の任意の位置で切断後、分割基
板9を先端がパッケージ8の両側に設けられた穴部15
に挿入されている整列治具16cのテーパ形状のピン1
7cに沿って滑り落とすことによりパッケージ8の位置
を補正し、位置決めされた複数個のパッケージ8を、レ
ーザビーム2によりパッケージ8を個片化処理する可動
ステージ5上の保持機構部6に、同時かつ高精度に位置
決めして配置することができるため、実施の形態1と同
様の効果を得ることができる。
According to the present embodiment, the substrate 7 having a plurality of packages 8 which are shrunk due to the influence of heat treatment in the previous step and have a non-uniform pitch is divided by the division / alignment mechanism 10 between the packages 8. After cutting at an arbitrary position, the divided substrate 9 is cut into the holes 15 provided at both ends of the package 8.
Pin 1 of the alignment jig 16c inserted into the
The position of the package 8 is corrected by sliding the package 8 down along 7c, and the plurality of positioned packages 8 are simultaneously transferred to the holding mechanism 6 on the movable stage 5 that separates the packages 8 by the laser beam 2. In addition, since the positioning can be performed with high accuracy, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0018】実施の形態4.図6はこの発明の実施の形
態4を示す基板切断装置のレーザ加工部における分割基
板の保持機構部の断面図である。図において、6bは保
持機構部6の分割基板9を保持する保持治具、20は分
割基板9に形成されている金属配線、21は分割基板9
の基板材料である樹脂基板、22は分割基板9の裏面側
(パッケージ8および金属配線20形成面の反対側)に
設けられている半田ボール、23は分割基板9を真空吸
着するために保持治具6bに設けられた配管である。な
お、その他の構成は実施の形態1、2および3のいずれ
かと同様であるので説明を省略する。
Embodiment 4 FIG. 6 is a cross-sectional view of a mechanism for holding a divided substrate in a laser processing unit of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. In the drawing, reference numeral 6b denotes a holding jig for holding the divided substrate 9 of the holding mechanism 6, reference numeral 20 denotes a metal wiring formed on the divided substrate 9, and reference numeral 21 denotes the divided substrate 9.
The resin substrate 22 is a solder ball provided on the back side of the divided substrate 9 (the side opposite to the surface on which the package 8 and the metal wiring 20 are formed), and 23 is a holding jig for vacuum-sucking the divided substrate 9. It is a pipe provided in the tool 6b. Note that the other configuration is the same as any one of the first, second, and third embodiments, and a description thereof will not be repeated.

【0019】分割・整列機構部10において高精度に位
置決めされたパッケージ8を有する分割基板9は、レー
ザビーム2の照射により個片化処理される可動ステージ
5上の保持治具6bに、金属配線20が形成されている
面を上向きに配置、真空吸着され、また半田ボール22
を損傷しないよう分割基板9の裏面側中央部のみで保持
されている。この状態で上方からレーザビーム2を照射
し、分割基板9をパッケージ8の周辺極近傍で切断して
パッケージ8を個片化処理する。分割基板9切断時の切
断の深さ方向の現象をミクロ的に観察すると、レーザビ
ーム2による切断エネルギーを樹脂基板21より多く必
要とする金属配線20を切断した後に樹脂基板21が切
断され、樹脂基板21を切断した後に金属配線20を切
断する場合より少ない照射エネルギーで分割基板9から
パッケージ8を個片化処理できる。
The divided substrate 9 having the package 8 positioned with high precision in the division / alignment mechanism section 10 is provided with a metal wiring on a holding jig 6b on the movable stage 5, which is singulated by irradiation with the laser beam 2. The surface on which the substrate 20 is formed is arranged upward, vacuum-adsorbed, and
Is held only at the central portion on the rear surface side of the divided substrate 9 so as not to damage the substrate. In this state, the laser beam 2 is irradiated from above, and the divided substrate 9 is cut in the vicinity of the periphery of the package 8 to singulate the package 8. When the phenomenon in the depth direction of the cutting at the time of cutting the divided substrate 9 is microscopically observed, the resin substrate 21 is cut after cutting the metal wiring 20 that requires more cutting energy by the laser beam 2 than the resin substrate 21. The package 8 can be singulated from the divided substrate 9 with less irradiation energy than when the metal wiring 20 is cut after the substrate 21 is cut.

【0020】本実施の形態によれば、分割基板9を半田
ボール22が設けられている面側を吸引保持すると共
に、金属配線20が形成されている側からレーザビーム
2を照射し切断することにより、より少ない照射エレル
ギーでパッケージ8を個片化できるため、パッケージ8
への熱的ダメージを低減させることができる。
According to the present embodiment, the divided substrate 9 is cut by irradiating the laser beam 2 from the side on which the metal wiring 20 is formed while holding the surface on which the solder balls 22 are provided by suction. With this, the package 8 can be divided into individual pieces with less irradiation energy.
Thermal damage to the substrate can be reduced.

【0021】実施の形態5.実施の形態4では、分割基
板9は、半田ボール22を損傷しないよう分割基板9の
裏面側中央部のみで保持治具6bに保持されていたが、
図7に示すように、保持治具6cの分割基板9に設けら
れた半田ボール22との接触面に、半田ボール22に対
応した凹部24を設けておくことにより、分割基板9と
保持治具6cとの接触面を半田ボール22の形成位置に
制限されないので、パッケージ8に設けられる半田ボー
ル22の数や形成領域に依存することなく、かつ半田ボ
ール22を損傷せずに、分割基板9と保持治具6cとの
接触面を確保でき、半田ボール22側から分割基板9を
保持治具6cに保持することができるので、実施の形態
4と同様の効果が得られる。なお、図7に示した凹部2
4の個数および形成領域は、これに限定されるものでは
ない。
Embodiment 5 In the fourth embodiment, the divided board 9 is held by the holding jig 6b only at the central portion on the back side of the divided board 9 so as not to damage the solder balls 22.
As shown in FIG. 7, by providing a concave portion 24 corresponding to the solder ball 22 on a contact surface of the holding jig 6c with the solder ball 22 provided on the divided substrate 9, the divided substrate 9 and the holding jig are provided. Since the contact surface with the solder ball 22 is not limited to the position where the solder ball 22 is formed, the divided substrate 9 can be connected without depending on the number and the formation area of the solder ball 22 provided on the package 8 and without damaging the solder ball 22. Since the contact surface with the holding jig 6c can be secured and the divided substrate 9 can be held by the holding jig 6c from the solder ball 22 side, the same effect as in the fourth embodiment can be obtained. The recess 2 shown in FIG.
The number of 4 and the formation region are not limited thereto.

【0022】実施の形態6.実施の形態4では、分割基
板9は、半田ボール22を損傷しないよう分割基板9の
裏面側中央部のみで保持治具6bに保持されていたが、
図8に示すように、保持治具6dの分割基板9に設けら
れた半田ボール22との接触面に、分割基板9の基板材
料である樹脂基板21と同材質の部材25を設けること
により、分割基板9と保持治具6dとの接触面を半田ボ
ール22の形成位置に制限されないので、半田ボール2
2が全面に形成されている場合でも、半田ボール22を
損傷せずに、半田ボール22側から分割基板9を保持治
具6dに保持することができ、実施の形態4と同様の効
果が得られる。なお、部材25に半田ボール22に対応
した凹部24を設けてもよい。
Embodiment 6 FIG. In the fourth embodiment, the divided board 9 is held by the holding jig 6b only at the central portion on the back side of the divided board 9 so as not to damage the solder balls 22.
As shown in FIG. 8, by providing a member 25 of the same material as the resin substrate 21 which is the substrate material of the divided substrate 9 on the contact surface of the holding jig 6 d with the solder ball 22 provided on the divided substrate 9, Since the contact surface between the divided substrate 9 and the holding jig 6d is not limited to the position where the solder ball 22 is formed, the solder ball 2
Even when 2 is formed on the entire surface, the divided substrate 9 can be held by the holding jig 6d from the solder ball 22 side without damaging the solder ball 22, and the same effect as in the fourth embodiment can be obtained. Can be Note that the member 25 may be provided with a concave portion 24 corresponding to the solder ball 22.

【0023】実施の形態7.図9はこの発明の実施の形
態7を示す基板切断装置のレーザ加工部の保持機構部の
断面図である。図において、6eはレーザビーム2照射
時に、分割基板9を切断し貫通したレーザビーム26と
干渉しないよう下部方向に切り欠いている保持治具であ
る。なお、その他の構成は実施の形態1、2および3の
いずれかと同様であるので説明を省略する。
Embodiment 7 FIG. 9 is a sectional view of a holding mechanism of a laser processing section of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 7 of the present invention. In the figure, reference numeral 6e denotes a holding jig which is cut out in the lower direction so as not to interfere with the laser beam 26 penetrating the divided substrate 9 when the laser beam 2 is irradiated. Note that the other configuration is the same as any one of the first, second, and third embodiments, and a description thereof will not be repeated.

【0024】レーザビーム2による分割基板9の切断工
程において、集光レンズ4により集光されたレーザビー
ム2は、分割基板9を切断し貫通すると、光が進行する
に従いそのビーム径を拡げていく。拡がったレーザビー
ム26にあたらないよう下部方向に切り欠いた保持治具
6eを用いることにより、レーザビーム26があたるこ
とによる保持治具6eの温度上昇を防止できる。なお、
分割基板9に設けられた半田ボール22と保持治具6e
との接触部分の構造は、実施の形態4、5および6に示
した保持治具6b、6cおよび6dのいずれの構造でも
よい。
In the step of cutting the divided substrate 9 by the laser beam 2, the laser beam 2 condensed by the condensing lens 4 cuts through the divided substrate 9 and, when the light advances, its beam diameter increases as the light progresses. . By using the holding jig 6e that is cut out downward so as not to hit the expanded laser beam 26, it is possible to prevent the temperature of the holding jig 6e from rising due to the laser beam 26 hitting. In addition,
Solder ball 22 provided on divided substrate 9 and holding jig 6e
The structure of the contact portion with the holding jig may be any of the holding jigs 6b, 6c and 6d shown in the fourth, fifth and sixth embodiments.

【0025】本実施の形態によれば、分割基板9を切断
し貫通したレーザビーム26にあたらないよう保持治具
6eを下部方向に切り欠くことにより、保持治具6eの
温度上昇を防止でき、保持治具6eと接するパッケージ
8の熱的ダメージを低減させることができる。また、保
持治具6eの温度上昇によるパッケージ8の熱的ダメー
ジ低減を目的に設けられる冷却機構を省略することがで
きる。
According to the present embodiment, the holding jig 6e is cut downward so as not to hit the laser beam 26 that has cut and pierced the divided substrate 9, thereby preventing the temperature of the holding jig 6e from rising. Thermal damage of the package 8 in contact with the holding jig 6e can be reduced. Further, a cooling mechanism provided for the purpose of reducing thermal damage to the package 8 due to a rise in the temperature of the holding jig 6e can be omitted.

【0026】実施の形態8.図10はこの発明の実施の
形態8を示す基板切断装置のレーザ加工部の保持機構部
の断面図である。図において、27は保持治具6eの周
囲を囲むように設置された枠で、真空引きのための貫通
孔28を有している。なお、その他の構成は実施の形態
1、2および3のいずれかと同様であるので説明を省略
する。また、保持治具6eは、実施の形態4、5および
6に示した保持治具6b、6cおよび6dのいずれかの
構造でもよい。
Embodiment 8 FIG. FIG. 10 is a sectional view of a holding mechanism of a laser processing unit of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 8 of the present invention. In the figure, reference numeral 27 denotes a frame installed so as to surround the periphery of the holding jig 6e, and has a through hole 28 for evacuation. Note that the other configuration is the same as any one of the first, second, and third embodiments, and a description thereof will not be repeated. Further, holding jig 6e may have any structure of holding jigs 6b, 6c and 6d shown in the fourth, fifth and sixth embodiments.

【0027】レーザビーム2による分割基板9の切断工
程において、レーザビーム2により金属配線20や樹脂
基板21を切断する際には、カーボン等の発塵物が生じ
る。保持治具6eの周囲を囲むように枠27を設置する
と共に、枠27に形成された貫通孔28を介して真空引
きを行い、これらの発塵物を切断加工している領域から
排出する。
In the step of cutting the divided substrate 9 by the laser beam 2, when cutting the metal wiring 20 or the resin substrate 21 by the laser beam 2, dust such as carbon is generated. The frame 27 is placed so as to surround the periphery of the holding jig 6e, and a vacuum is drawn through a through hole 28 formed in the frame 27, and these dusts are discharged from the area where the cutting process is performed.

【0028】本実施の形態によれば、レーザ加工時に分
割基板9を保持する保持治具6eの周囲を囲むように枠
27を設置すると共に、枠27に形成された貫通孔28
を介して分割基板9切断時に生じる発塵物を排出するこ
とにより、発塵物がパッケージ8に付着し、パッケージ
8を汚染するのを防止することができる。
According to the present embodiment, the frame 27 is provided so as to surround the holding jig 6e for holding the divided substrate 9 during the laser processing, and the through hole 28 formed in the frame 27 is provided.
By discharging the dust generated when cutting the divided substrate 9 through the, the dust can be prevented from adhering to the package 8 and contaminating the package 8.

【0029】実施の形態9.図11はこの発明の実施の
形態9を示す基板切断装置のレーザ加工部の断面図であ
る。図において、29はレーザビーム2と同軸でレーザ
ビーム2による分割基板9の切断加工部にアシストガス
30を吹き付けるノズル、31はレーザビーム2による
分割基板9の切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向
にガス32を吹き付けるノズルである。なお、その他の
構成は実施の形態8と同様であるので説明を省略する。
Embodiment 9 FIG. 11 is a sectional view of a laser processing part of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 9 of the present invention. In the drawing, reference numeral 29 denotes a nozzle which is coaxial with the laser beam 2 and blows an assist gas 30 to the cut portion of the divided substrate 9 by the laser beam 2, and 31 denotes an end of the package 8 near the cut portion of the divided substrate 9 by the laser beam 2. The nozzle blows the gas 32 in the direction. The other configuration is the same as that of the eighth embodiment, and the description is omitted.

【0030】レーザビーム2による分割基板9の切断工
程において、分割基板9の切断加工部に、ノズル29か
ら切断加工の高速化に寄与するアシストガス30を吹き
付ける。アシストガス30は、異方性がないよう切断面
に対して垂直に吹き付ける必要があり、また、レーザビ
ーム2による切断加工部に吹き付ける必要があるため、
レーザビーム2と同軸にアシストガス30を噴出できる
ようノズル29は構成されている。また、ノズル31
は、パッケージ8の周囲に対応して複数個設置され、切
断加工が行われる部分に対応するノズル31からのみ、
切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向へガス32を
噴出させ、切断加工による発塵物のパッケージ8への付
着を防止する。さらに、ノズル31から噴出するガス3
2により吹き飛ばされた発塵物を、保持治具6eの周囲
を囲むように設置された枠27に形成された真空引きさ
れる貫通孔28を介して排出する。
In the step of cutting the divided substrate 9 by the laser beam 2, an assist gas 30 that contributes to a high-speed cutting process is blown from a nozzle 29 to the cut portion of the divided substrate 9. Since the assist gas 30 needs to be blown perpendicular to the cut surface so as not to have anisotropy, and needs to be blown to the cutting portion by the laser beam 2,
The nozzle 29 is configured so that the assist gas 30 can be ejected coaxially with the laser beam 2. In addition, the nozzle 31
Are installed corresponding to the periphery of the package 8 and only from the nozzle 31 corresponding to the portion where the cutting process is performed.
The gas 32 is blown out toward the end of the package 8 in the vicinity of the cutting portion to prevent the dust from adhering to the package 8 due to the cutting process. Further, the gas 3 ejected from the nozzle 31
The dust particles blown out by 2 are discharged through a through-hole 28 formed in a frame 27 provided to surround the periphery of the holding jig 6e.

【0031】本実施の形態によれば、レーザ加工時に、
ノズル29からアシストガス30をレーザビーム2と同
軸に噴出することにより、切断加工部で生じる燃焼溶融
物を除去して切断の高速化を図ることができる。また、
切断加工部近傍でパッケージ8の端部方向へガス32を
噴出させるノズル31を、パッケージ8の周囲に対応し
て複数個設置することにより、切断加工による発塵物の
パッケージ8への付着を防止する。さらに、ノズル31
から噴出するガス32により吹き飛ばされた発塵物を、
保持治具6eの周囲を囲むように設置された枠27に形
成された貫通孔28を介して排出することにより、発塵
物のパッケージ8への付着防止に一層効果がある。
According to this embodiment, at the time of laser processing,
By ejecting the assist gas 30 from the nozzle 29 coaxially with the laser beam 2, it is possible to remove the combustion melt generated in the cutting portion and to increase the cutting speed. Also,
A plurality of nozzles 31 for ejecting the gas 32 toward the end of the package 8 in the vicinity of the cutting portion are provided in correspondence with the periphery of the package 8 to prevent dust from adhering to the package 8 due to the cutting process. I do. Further, the nozzle 31
The dust particles blown off by the gas 32 ejected from the
By discharging the dust through a through hole 28 formed in a frame 27 provided so as to surround the holding jig 6e, the dust is more effectively prevented from adhering to the package 8.

【0032】実施の形態10.図12はこの発明の実施
の形態10を示す基板切断装置のレーザ加工部の断面図
である。図において、3aはレーザ発振器1から出射さ
れたレーザビーム2を50%反射させ、かつ残りの50
%を透過させる部分反射ミラー、3bは部分反射ミラー
3aからの透過光を反射させる全反射ミラー、4aは部
分反射ミラー3aにより反射されたレーザビーム2aを
切断加工部に集光させる集光レンズ、4bは全反射ミラ
ー3bにより反射されたレーザビーム2bを切断加工部
に集光させる集光レンズで、反射ミラー3a、3bおよ
び集光レンズ4a、4bは固定されており、所定の位置
に集光されたレーザビーム2a、2bを照射する。、9
a、9bはパッケージ8a、8bが形成された分割基
板、33はダミー基板である。なお、その他の構成は上
記実施の形態のいずれかと同様であるので説明を省略す
る。
Embodiment 10 FIG. FIG. 12 is a sectional view of a laser processing portion of a substrate cutting apparatus according to Embodiment 10 of the present invention. In the figure, 3a reflects the laser beam 2 emitted from the laser oscillator 1 by 50% and the remaining 50%.
%, A total reflection mirror for reflecting the transmitted light from the partial reflection mirror 3a, a condensing lens for condensing the laser beam 2a reflected by the partial reflection mirror 3a on the cutting portion, Reference numeral 4b denotes a condenser lens for condensing the laser beam 2b reflected by the total reflection mirror 3b on the cutting portion, and the reflection mirrors 3a, 3b and the condenser lenses 4a, 4b are fixed and condensed at predetermined positions. The irradiated laser beams 2a and 2b are irradiated. , 9
Reference numerals a and 9b denote divided substrates on which the packages 8a and 8b are formed, and reference numeral 33 denotes a dummy substrate. The other configuration is the same as that of any of the above embodiments, and the description is omitted.

【0033】レーザビーム2a、2bによる分割基板9
a、9bの切断工程において、まず部分反射ミラー3a
により反射され、集光レンズ4aにより集光されたレー
ザビーム2aがダミー基板33に照射されているとき、
全反射ミラー3bにより反射され、集光レンズ4bによ
り集光されたレーザビーム2bはダミー基板33の隣に
配置された分割基板9aに照射され、分割基板9a、9
bを搭載した可動ステージ5を移動させることにより、
パッケージ8aの周囲にレーザビーム2bを照射する。
次に分割基板9を搭載した可動ステージ5を移動させ、
部分反射ミラー3aにより反射され、集光レンズ4aに
より集光されたレーザビーム2aを分割基板9aに照射
すると共に、全反射ミラー3bにより反射され、集光レ
ンズ4bにより集光されたレーザビーム2bは分割基板
9aの隣に配置された分割基板9bに照射され、分割基
板9a、9bを搭載した可動ステージ5を移動させるこ
とにより、パッケージ8aおよびパッケージ8bの周囲
にレーザビーム2aおよび2bを照射する。分割基板9
aはレーザビーム2aおよび2bの二回の照射により切
断され、パッケージ8aは個片化される。可動ステージ
5を移動させ、切断加工処理を繰り返し、レーザビーム
2aおよび2bの二回の照射により、順次パッケージ8
は個片化処理される。
Divided substrate 9 by laser beams 2a, 2b
a and 9b, first, the partial reflection mirror 3a
When the laser beam 2a reflected by the laser beam and condensed by the condenser lens 4a is irradiated on the dummy substrate 33,
The laser beam 2b reflected by the total reflection mirror 3b and condensed by the condenser lens 4b is applied to a divided substrate 9a arranged next to the dummy substrate 33, and the divided substrates 9a, 9
By moving the movable stage 5 on which b is mounted,
A laser beam 2b is irradiated around the package 8a.
Next, the movable stage 5 on which the divided substrate 9 is mounted is moved,
The divided substrate 9a is irradiated with the laser beam 2a reflected by the partial reflection mirror 3a and collected by the condenser lens 4a, and the laser beam 2b reflected by the total reflection mirror 3b and collected by the condenser lens 4b is The laser beams 2a and 2b are irradiated around the packages 8a and 8b by moving the movable stage 5 on which the divided substrates 9a and 9b are mounted, and irradiating the divided substrates 9b arranged next to the divided substrate 9a. Divided board 9
a is cut by two irradiations of the laser beams 2a and 2b, and the package 8a is singulated. The movable stage 5 is moved, the cutting process is repeated, and the package 8 is successively irradiated with the laser beams 2a and 2b twice.
Is singulated.

【0034】本実施の形態では、二回のレーザビーム2
の照射により分割基板9が切断され、パッケージ8が個
片化される場合を示したが、二回に限定されるものでは
ない。レーザ加工部の保持機構部6に保持された分割基
板9をすべて個片化処理するのに必要なレーザビーム2
の走査回数nは、 n=k+(m−1) k:保持機構部6に保持されたパッケージ8の数 m:分割基板9を切断加工するのに必要な照射回数 となる。
In this embodiment, two laser beams 2
Is shown, the divided substrate 9 is cut, and the package 8 is singulated. However, the number is not limited to two. The laser beam 2 necessary to singulate all the divided substrates 9 held by the holding mechanism 6 of the laser processing unit
The number of scans n is: n = k + (m−1) k: the number of packages 8 held by the holding mechanism 6 m: the number of irradiations necessary to cut the divided substrate 9

【0035】本実施の形態によれば、分割基板9切断
し、パッケージ8を個片化するために必要なエネルギー
を複数回に分けて照射するため、パッケージ8への熱的
ダメージを低減させることができる。
According to the present embodiment, the energy required for cutting the divided substrate 9 and dividing the package 8 into a plurality of pieces is applied a plurality of times, so that thermal damage to the package 8 can be reduced. Can be.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、前工
程での熱処理の影響等により収縮し、ピッチが一定でな
い複数個のパッケージを有する基板のパッケージのピッ
チを補正し、複数個のパッケージを同時に位置決めした
後に、レーザビームを用いてパッケージの周辺極近傍を
切断加工してパッケージを個片化処理するため、パッケ
ージのモールド樹脂と基板が剥離するデラミネーション
や樹脂くずの発生を防止できると共に、CSP等の小型
パッケージを、高精度かつ短時間で個片化処理すること
ができる。また、請求項8、9、10、11、13およ
び15によれば、パッケージへの熱的ダメージを低減さ
せることができる。さらに、請求項12、14および2
0によれば、パッケージへの発塵物等の付着を防止する
ことができる。
As described above, according to the present invention, the pitch of the package of a substrate having a plurality of packages having a non-constant pitch is contracted due to the influence of the heat treatment in the previous step and the like. After positioning the package at the same time, laser beam is used to cut the vicinity of the periphery of the package and cut the package into individual pieces, which prevents delamination and resin debris that separates the mold resin from the substrate. In addition, a small package such as a CSP can be singulated with high accuracy and in a short time. According to claims 8, 9, 10, 11, 13 and 15, thermal damage to a package can be reduced. Claims 12, 14 and 2
According to 0, adhesion of dust and the like to the package can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による基板切断装置
を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a substrate cutting device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態1による分割・整列機
構部を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a division / alignment mechanism according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態2による分割・整列機
構部を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a division / alignment mechanism according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態3による分割・整列機
構部を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a division / alignment mechanism according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の実施の形態3による分割・整列機
構部を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a division / alignment mechanism according to a third embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施の形態4による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a substrate holding mechanism of a substrate cutting apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の実施の形態5による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a substrate holding mechanism of a substrate cutting apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図8】 この発明の実施の形態6による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a substrate holding mechanism of a substrate cutting apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図9】 この発明の実施の形態7による基板切断装置
の基板保持機構部を示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing a substrate holding mechanism of a substrate cutting apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

【図10】 この発明の実施の形態8による基板切断装
置の基板保持機構部を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing a substrate holding mechanism of a substrate cutting apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

【図11】 この発明の実施の形態9による基板切断装
置のレーザ加工部を示す断面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a laser processing part of a substrate cutting device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図12】 この発明の実施の形態10による基板切断
装置のレーザ加工部を示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view showing a laser processing unit of a substrate cutting device according to a tenth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ発振器、2、2a、2b レーザビーム、3
反射ミラー、3a 部分反射ミラー、3b 全反射ミ
ラー、4、4a、4b 集光レンズ、5 可動ステー
ジ、6 保持機構部、7 基板、8 パッケージ、9
分割基板、10 分割・整列機構部、11 ノズル、1
2 保持部、13 切断治具、14 切れ目、15 穴
部、16a、16b、16c、16d、16e 整列治
具、17a、17b、17c ピン、18 受け部、2
0 金属配線、21 樹脂基板、22 半田ボール、2
3 配管、24 凹部、25 部材、26 レーザビー
ム、27 枠、28 貫通孔、29 ノズル、30 ア
シストガス、31 ノズル、32 ガス、33 ダミー
基板。
1 laser oscillator, 2, 2a, 2b laser beam, 3
Reflection mirror, 3a Partial reflection mirror, 3b Total reflection mirror, 4, 4a, 4b Condensing lens, 5 movable stage, 6 holding mechanism, 7 substrate, 8 package, 9
Divided substrate, 10 division / alignment mechanism, 11 nozzles, 1
2 Holder, 13 Cutting jig, 14 Cut, 15 hole, 16a, 16b, 16c, 16d, 16e Alignment jig, 17a, 17b, 17c Pin, 18 Receiving part, 2
0 metal wiring, 21 resin substrate, 22 solder ball, 2
3 piping, 24 concave portions, 25 members, 26 laser beams, 27 frames, 28 through holes, 29 nozzles, 30 assist gases, 31 nozzles, 32 gases, 33 dummy substrates.

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数個の部品が形成された基板の各部品
間に切れ目を形成後あるいは各部品毎に分割後、各部品
の位置を補正し整列させる整列機構部と、 上記整列された複数個の部品を有する基板の搬送手段
と、 上記整列された複数個の部品を有する基板にレーザビー
ムを照射するレーザ加工部とを備えたことを特徴とする
基板の切断装置。
An alignment mechanism for correcting and aligning the position of each component after forming a cut between each component of the substrate on which a plurality of components are formed or dividing each component; and What is claimed is: 1. A substrate cutting apparatus, comprising: a substrate conveying means having a plurality of components; and a laser processing unit for irradiating a laser beam to the substrate having a plurality of aligned components.
【請求項2】 基板には、各部品に対応して上記基板の
短手方向両側に穴部が形成されていることを特徴とする
請求項1記載の基板の切断装置。
2. The substrate cutting apparatus according to claim 1, wherein holes are formed on both sides of the substrate in the lateral direction of the substrate corresponding to each component.
【請求項3】 整列機構部は、基板切断用治具と、基板
に形成された穴部に対応するピンが所定位置に設けられ
た整列治具を具備していることを特徴とする請求項2記
載の基板の切断装置。
3. An alignment mechanism comprising: a substrate cutting jig; and an alignment jig provided with pins corresponding to holes formed in the substrate at predetermined positions. 3. The apparatus for cutting a substrate according to 2.
【請求項4】 基板切断用治具は、接触式の切断治具で
あることを特徴とする請求項3記載の基板の切断装置。
4. The substrate cutting apparatus according to claim 3, wherein the substrate cutting jig is a contact type cutting jig.
【請求項5】 整列治具に設けられたピンは、端部が尖
端状に形成されたテーパ形状であることを特徴とする請
求項3または請求項4記載の基板の切断装置。
5. The substrate cutting device according to claim 3, wherein the pin provided on the alignment jig has a tapered shape with a sharp end.
【請求項6】 レーザ加工部は、水平移動が可能なステ
ージと、上記ステージ上に設置され、上記整列された複
数個の部品を有する基板を保持する保持治具と、上記保
持治具に保持された上記基板上にレーザビームを出射す
るレーザ発振器と、上記レーザビームの照射部に吹き付
けるガスを噴出させるノズルを備えていることを特徴と
する請求項1〜5のいずれか一項記載の基板の切断装
置。
6. A laser processing unit, comprising: a stage capable of horizontal movement; a holding jig installed on the stage and holding a substrate having the plurality of aligned components; and a holding jig held by the holding jig. The substrate according to any one of claims 1 to 5, further comprising a laser oscillator that emits a laser beam onto the substrate, and a nozzle that ejects a gas that is blown to an irradiation unit of the laser beam. Cutting equipment.
【請求項7】 保持治具には、整列治具に設けられたピ
ンと対応する位置に突起部が設けられていることを特徴
とする請求項6記載の基板の切断装置。
7. The substrate cutting apparatus according to claim 6, wherein the holding jig is provided with a projection at a position corresponding to a pin provided on the alignment jig.
【請求項8】 基板には、一方の面に金属配線が形成さ
れ、他方の面に半田ボールが設けられており、上記金属
配線が形成された面側からレーザビームは照射され、上
記半田ボールが設けられた面側から上記基板は保持治具
に吸引保持されるよう構成されていることを特徴とする
請求項6または請求項7記載の基板の切断装置。
8. The substrate has a metal wiring formed on one surface and a solder ball provided on the other surface, and is irradiated with a laser beam from the surface on which the metal wiring is formed. The substrate cutting apparatus according to claim 6, wherein the substrate is configured to be suction-held by a holding jig from the side where the surface is provided.
【請求項9】 保持治具の半田ボールとの接触面には、
上記半田ボールに対応した凹部が設けられていることを
特徴とする請求項8記載の基板の切断装置。
9. The contact surface of the holding jig with the solder ball includes:
The substrate cutting device according to claim 8, wherein a concave portion corresponding to the solder ball is provided.
【請求項10】 保持治具の半田ボールとの接触面は、
上記基板の構成材料と同じ材料により構成されることを
特徴とする請求項8または請求項9記載の基板の切断装
置。
10. A contact surface of a holding jig with a solder ball,
10. The apparatus for cutting a substrate according to claim 8, wherein the substrate is made of the same material as the constituent material of the substrate.
【請求項11】 保持治具は、上記基板を通過したレー
ザビームと干渉しないよう上記レーザビームの進行方向
に従いテーパ形状に切り欠かれていることを特徴とする
請求項6〜10のいずれか一項記載の基板の切断装置。
11. The holding jig according to claim 6, wherein the holding jig is cut out in a tapered shape in accordance with a traveling direction of the laser beam so as not to interfere with the laser beam passing through the substrate. 3. The substrate cutting device according to claim 1.
【請求項12】 レーザ加工部は、保持治具の周辺部に
吸引排気孔を有し、レーザビーム照射により生じた発塵
物を強制的に排出する機構を備えたことを特徴とする請
求項6〜11のいずれか一項記載の基板の切断装置。
12. The laser processing part has a suction and exhaust hole in the periphery of the holding jig and a mechanism for forcibly discharging dust generated by laser beam irradiation. The apparatus for cutting a substrate according to any one of claims 6 to 11.
【請求項13】 レーザビームの照射部に吹き付けるガ
スを噴出させるノズルは、上記レーザビームと同軸で上
記ガスを噴出させることを特徴とする請求項6〜12の
いずれか一項記載の基板の切断装置。
13. The substrate cutting apparatus according to claim 6, wherein the nozzle for ejecting the gas to be applied to the laser beam irradiation unit ejects the gas coaxially with the laser beam. apparatus.
【請求項14】 レーザ加工部は、レーザビームの照射
により切断される部品の周辺部に吹き付けるガスを噴出
させるノズルを複数個備えたことを特徴とする請求項6
〜13のいずれか一項記載の基板の切断装置。
14. The laser processing unit according to claim 6, wherein a plurality of nozzles for jetting a gas to be blown to a peripheral portion of a part to be cut by laser beam irradiation are provided.
14. The apparatus for cutting a substrate according to any one of claims 13 to 13.
【請求項15】 レーザ加工部は、レーザ発振器から出
射するレーザビームを複数本に分割し基板に照射する光
学系を備えたことを特徴とする請求項6〜14のいずれ
か一項記載の基板の切断装置。
15. The substrate according to claim 6, wherein the laser processing unit includes an optical system that divides a laser beam emitted from a laser oscillator into a plurality of laser beams and irradiates the laser beam onto the substrate. Cutting equipment.
【請求項16】 複数個の部品が形成された基板の各部
品間に切れ目を形成する工程あるいは各部品毎に分割す
る工程と、 上記部品の位置を補正し整列させる工程と、 上記整列された複数個の部品を有する基板を同時に水平
移動が可能なステージ上の保持治具に移動する工程と、 上記保持治具に保持された上記基板にガスを吹き付ける
と共にレーザビームを照射し上記部品を個片化処理する
工程を含むことを特徴とする基板の切断方法。
16. A step of forming a cut between each component of the substrate on which a plurality of components are formed or a process of dividing each component, a process of correcting and aligning the positions of the components, Moving a substrate having a plurality of parts to a holding jig on a stage capable of moving horizontally at the same time; and blowing a gas onto the substrate held by the holding jig and irradiating a laser beam to separate the parts. A method for cutting a substrate, comprising a step of performing a fragmentation process.
【請求項17】 部品の位置補正は、上記部品間に切れ
目を形成後、整列治具の所定位置に設けられたピンに、
上記部品の両側に設けられた穴部を嵌合させることによ
り行うことを特徴とする請求項16記載の基板の切断方
法。
17. The position of a component is corrected by forming a cut between the components and then setting a pin provided at a predetermined position of an alignment jig.
17. The method according to claim 16, wherein the cutting is performed by fitting holes provided on both sides of the component.
【請求項18】 部品の位置補正は、上記部品間を分割
後、所定位置にピンを有する整列治具を上昇させ、上記
部品の両側に設けられた穴部に上記ピンを挿入すること
により行うことを特徴とする請求項16記載の基板の切
断方法。
18. The position of a component is corrected by dividing a space between the components, raising an alignment jig having pins at predetermined positions, and inserting the pins into holes provided on both sides of the component. 17. The method for cutting a substrate according to claim 16, wherein:
【請求項19】 部品の位置補正は、整列治具の所定位
置に設けられた端部が尖端状に形成されたテーパ形状の
ピンの先端を、上記部品の両側に設けられた穴部に挿入
した状態で上記部品間を分割し、上記テーパ形状のピン
に沿って分割された上記基板を滑り落とすことにより行
うことを特徴とする請求項16記載の基板の切断方法。
19. The position of the component is corrected by inserting the tip of a tapered pin having a pointed end provided at a predetermined position of the alignment jig into holes provided on both sides of the component. 17. The method for cutting a board according to claim 16, wherein the cutting is performed by dividing the parts in the separated state and sliding down the divided board along the tapered pins.
【請求項20】 レーザ発振器から出射するレーザビー
ムを複数本に分割し基板に照射する光学系により、上記
基板へのレーザビームの照射を複数回行うことにより部
品を個片化処理することを特徴とする請求項16〜19
のいずれか一項記載の基板の切断方法。
20. An optical system which divides a laser beam emitted from a laser oscillator into a plurality of laser beams and irradiates the substrate with the laser beam, and irradiates the substrate with the laser beam a plurality of times to singulate the parts. Claims 16 to 19
The method for cutting a substrate according to any one of the preceding claims.
JP19597597A 1997-07-22 1997-07-22 Substrate cutting device and substrate cutting method Pending JPH1140523A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19597597A JPH1140523A (en) 1997-07-22 1997-07-22 Substrate cutting device and substrate cutting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19597597A JPH1140523A (en) 1997-07-22 1997-07-22 Substrate cutting device and substrate cutting method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1140523A true JPH1140523A (en) 1999-02-12

Family

ID=16350127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19597597A Pending JPH1140523A (en) 1997-07-22 1997-07-22 Substrate cutting device and substrate cutting method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1140523A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297881A (en) * 1998-04-10 1999-10-29 Sayaka:Kk Cutting method of package
WO2001057922A1 (en) * 2000-02-04 2001-08-09 Advanced Systems Automation Ltd. Method and apparatus for singulation of electronic devices
JP2005333122A (en) * 2004-04-20 2005-12-02 Showa Denko Kk Manufacturing method of compound semiconductor light emitting element wafer
JP2006517730A (en) * 2003-01-22 2006-07-27 フィーコ ビー.ブイ. Carrier, holder, laser cutting device, and method for separating semiconductor product using laser beam
JP2009514185A (en) * 2003-07-03 2009-04-02 エグシル テクノロジー リミテッド Die bonding

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297881A (en) * 1998-04-10 1999-10-29 Sayaka:Kk Cutting method of package
WO2001057922A1 (en) * 2000-02-04 2001-08-09 Advanced Systems Automation Ltd. Method and apparatus for singulation of electronic devices
SG90093A1 (en) * 2000-02-04 2002-07-23 Advanced Systems Automation Method and apparatus for singulation of electronic devices
JP2006517730A (en) * 2003-01-22 2006-07-27 フィーコ ビー.ブイ. Carrier, holder, laser cutting device, and method for separating semiconductor product using laser beam
JP2009514185A (en) * 2003-07-03 2009-04-02 エグシル テクノロジー リミテッド Die bonding
US7989320B2 (en) 2003-07-03 2011-08-02 Electro Scientific Industries, Inc. Die bonding
JP2005333122A (en) * 2004-04-20 2005-12-02 Showa Denko Kk Manufacturing method of compound semiconductor light emitting element wafer
JP4683989B2 (en) * 2004-04-20 2011-05-18 昭和電工株式会社 Compound semiconductor light emitting device wafer manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1341638B1 (en) Laser machining of semiconductor materials
KR102354665B1 (en) Wafer producing method
US7858902B2 (en) Wafer dividing method and laser beam processing machine
US7446022B2 (en) Wafer laser processing method
US7642174B2 (en) Laser beam machining method for wafer
US7179723B2 (en) Wafer processing method
US7265033B2 (en) Laser beam processing method for a semiconductor wafer
US7507639B2 (en) Wafer dividing method
US20060035411A1 (en) Laser processing method
US7579260B2 (en) Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer
US7549560B2 (en) Wafer dividing method
US20070141810A1 (en) Wafer dividing method
US7803696B2 (en) Wafer dividing method
US8016973B2 (en) Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method
US20060045511A1 (en) Wafer dividing method
US7888239B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
US20050155954A1 (en) Semiconductor wafer processing method
US20050070075A1 (en) Laser beam processing method and laser beam machine
US20060148211A1 (en) Wafer dividing method
US20060009008A1 (en) Method for the laser processing of a wafer
US20050101108A1 (en) Semiconductor wafer dividing method
KR102399929B1 (en) Die bonder
US7396780B2 (en) Method for laser processing of wafer
KR20160088808A (en) Wafer processing method
KR102400826B1 (en) Cutting method and system for polymer resin mold compound-based substrate