JPH11354032A - プラズマディスプレイパネル製造装置 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル製造装置Info
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- JPH11354032A JPH11354032A JP15954498A JP15954498A JPH11354032A JP H11354032 A JPH11354032 A JP H11354032A JP 15954498 A JP15954498 A JP 15954498A JP 15954498 A JP15954498 A JP 15954498A JP H11354032 A JPH11354032 A JP H11354032A
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- Japan
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- lamp house
- display panel
- plasma display
- heat
- working head
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＤＰ組立体の周縁部における表裏の基板の
封着と組立体内部の排気及び放電ガス封入を行うＰＤＰ
製造装置においてチップ管に作業ヘッドを取付ける作業
を省略する。 【解決手段】 ＰＤＰ組立体１を収容する真空加熱炉５
に、ベローズ３によって気密に昇降可能にランプハウス
２５を設け、ランプハウス２５に作業ヘッド１５を支持
させ、作業ヘッド１５には上面が気密な耐熱ガラス窓１
９で下面に開口１８を持つ中継室１６と冷却水套２１と
開口１８を囲む環状パッキング１７とを設け、中継室１
６を真空排気系及び放電ガス供給源に接続し、ランプハ
ウス２５にはその下面を気密に塞ぐ耐熱ガラス窓２７と
熱線放射源２８とその熱線を中継室１６内のチップ管４
の先端に集中する反射鏡２９を設けた。
封着と組立体内部の排気及び放電ガス封入を行うＰＤＰ
製造装置においてチップ管に作業ヘッドを取付ける作業
を省略する。 【解決手段】 ＰＤＰ組立体１を収容する真空加熱炉５
に、ベローズ３によって気密に昇降可能にランプハウス
２５を設け、ランプハウス２５に作業ヘッド１５を支持
させ、作業ヘッド１５には上面が気密な耐熱ガラス窓１
９で下面に開口１８を持つ中継室１６と冷却水套２１と
開口１８を囲む環状パッキング１７とを設け、中継室１
６を真空排気系及び放電ガス供給源に接続し、ランプハ
ウス２５にはその下面を気密に塞ぐ耐熱ガラス窓２７と
熱線放射源２８とその熱線を中継室１６内のチップ管４
の先端に集中する反射鏡２９を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル（以下ＰＤＰと略称する。）の製造装置、詳し
く述べればＰＤＰ組立体の周縁部の封着、内部の真空排
気、ガス導入及び封止の各工程を連続して実施する装置
に関するものである。
イパネル（以下ＰＤＰと略称する。）の製造装置、詳し
く述べればＰＤＰ組立体の周縁部の封着、内部の真空排
気、ガス導入及び封止の各工程を連続して実施する装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは、前面基板と背面基板とをその
周縁部で封着し、背面基板の適所に設けたチップ管を経
由して内部を真空排気し、同チップ管を経由して内部に
放電ガスを導入した後にチップ管を溶融封止して製造す
る。これらの工程を実施するために、従来は例えば図５
及び図６に示すような装置を使用していた。
周縁部で封着し、背面基板の適所に設けたチップ管を経
由して内部を真空排気し、同チップ管を経由して内部に
放電ガスを導入した後にチップ管を溶融封止して製造す
る。これらの工程を実施するために、従来は例えば図５
及び図６に示すような装置を使用していた。
【０００３】図５において、６０はＰＤＰは組立体で、
表面基板６１と背面基板６２とを双方の周縁部間にフリ
ット接着材６３を挟んで重ね、クリップ６４によってそ
の状態を保持している。背面基板６２の適所には小孔６
５が穿孔され、ここにフランジ６６を有するチップ管６
７がフリット接着材６８を挟んで置かれ、クリップ６９
によって保持されている。
表面基板６１と背面基板６２とを双方の周縁部間にフリ
ット接着材６３を挟んで重ね、クリップ６４によってそ
の状態を保持している。背面基板６２の適所には小孔６
５が穿孔され、ここにフランジ６６を有するチップ管６
７がフリット接着材６８を挟んで置かれ、クリップ６９
によって保持されている。
【０００４】作業に先立ってチップ管６７に作業ヘッド
７０を手作業によって取付ける。作業ヘッド７０は、短
円筒形の本体７１と、その内腔７２に収容される環状パ
ッキング７３及びピストン状部材７４と、本体７１の上
部に被着される螺蓋７５の４部材よりなる。本体７１の
内部には内腔７２を囲む冷却水套７６が存在し、これか
ら給水管７７及び排水管７８が外界へ伸延しており、内
腔７２の底部の中心にはチップ管６７が通過できる小孔
７９が穿孔され、本体７１の外周面の上部には螺蓋７５
に螺合する螺条８０が設けられている。ピストン状部材
７４の上面中心からは、同部材７４の下面中心に開口す
る給排気管８１が伸延する。螺蓋７５は上面中心に給排
気管８１が通過する孔８２を有し、螺蓋７５は本体７１
の螺条８０に螺合することによってピストン状部材７４
を押下し、これにより環状パッキング７３を圧迫してこ
れをチップ管６７に気密に密着させている。
７０を手作業によって取付ける。作業ヘッド７０は、短
円筒形の本体７１と、その内腔７２に収容される環状パ
ッキング７３及びピストン状部材７４と、本体７１の上
部に被着される螺蓋７５の４部材よりなる。本体７１の
内部には内腔７２を囲む冷却水套７６が存在し、これか
ら給水管７７及び排水管７８が外界へ伸延しており、内
腔７２の底部の中心にはチップ管６７が通過できる小孔
７９が穿孔され、本体７１の外周面の上部には螺蓋７５
に螺合する螺条８０が設けられている。ピストン状部材
７４の上面中心からは、同部材７４の下面中心に開口す
る給排気管８１が伸延する。螺蓋７５は上面中心に給排
気管８１が通過する孔８２を有し、螺蓋７５は本体７１
の螺条８０に螺合することによってピストン状部材７４
を押下し、これにより環状パッキング７３を圧迫してこ
れをチップ管６７に気密に密着させている。
【０００５】図５に示されているようにチップ管６７に
作業ヘッド７０を取付けたならば、図６に示すようにＰ
ＤＰ組立体６０、６０・・・・を加熱炉８３に収容し、
それぞれの給排気管８１、８１・・・・を可撓管及び開
閉弁８４、８４・・・・を経由して総給排気管８５に結
合し、更に総給排気管８５を開閉弁８６を介して真空排
気系８７に接続すると共に、開閉弁８８を介して放電ガ
ス供給源に接続する。なお、図示されていないが、各作
業ヘッド７０の給水管７７及び排水管７８もそれぞれ可
撓管を経由して適当な炉外の冷却水管路に接続する。
作業ヘッド７０を取付けたならば、図６に示すようにＰ
ＤＰ組立体６０、６０・・・・を加熱炉８３に収容し、
それぞれの給排気管８１、８１・・・・を可撓管及び開
閉弁８４、８４・・・・を経由して総給排気管８５に結
合し、更に総給排気管８５を開閉弁８６を介して真空排
気系８７に接続すると共に、開閉弁８８を介して放電ガ
ス供給源に接続する。なお、図示されていないが、各作
業ヘッド７０の給水管７７及び排水管７８もそれぞれ可
撓管を経由して適当な炉外の冷却水管路に接続する。
【０００６】加熱炉８３内には電気ヒーター８９及び送
風機９０が設けられており、熱風を循環させてＰＤＰ組
立体６０、６０・・・・を加熱し、フリット接着材６３
及び６８を融解させて表面基板６１と背面基板６２との
間を封着し、かつチップ管６７を背面基板６２に融着さ
せる。この間、環状パッキング７３は水套７６内の冷却
水によって冷却され、熱から保護される。次に炉内温度
を適度に下降させて真空排気系を８７を運転し、ＰＤＰ
組立体６０、６０・・・・の内部を十分排気してから放
電ガスを導入し、加熱炉８３を開き、バーナーを用いて
チップ管６７、６７・・・・を手作業で溶断し、封止を
行う。
風機９０が設けられており、熱風を循環させてＰＤＰ組
立体６０、６０・・・・を加熱し、フリット接着材６３
及び６８を融解させて表面基板６１と背面基板６２との
間を封着し、かつチップ管６７を背面基板６２に融着さ
せる。この間、環状パッキング７３は水套７６内の冷却
水によって冷却され、熱から保護される。次に炉内温度
を適度に下降させて真空排気系を８７を運転し、ＰＤＰ
組立体６０、６０・・・・の内部を十分排気してから放
電ガスを導入し、加熱炉８３を開き、バーナーを用いて
チップ管６７、６７・・・・を手作業で溶断し、封止を
行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の作業では、チッ
プ管６７が例えば直径が５〜７ｍｍ、長さが８０〜１０
０ｍｍと長大であるため、クリップ６９を用いないと所
定位置に自立させておくことができず、これに対する作
業ヘッド７０の装着は、チップ管６７が移動したり倒れ
たりしないよう熟練した手作業を必要とするため自動化
が困難であり、封止を終えたＰＤＰ組立体に残ったチッ
プ管が長すぎるため、再度手作業によってこれを短く溶
断し直す必要があった。
プ管６７が例えば直径が５〜７ｍｍ、長さが８０〜１０
０ｍｍと長大であるため、クリップ６９を用いないと所
定位置に自立させておくことができず、これに対する作
業ヘッド７０の装着は、チップ管６７が移動したり倒れ
たりしないよう熟練した手作業を必要とするため自動化
が困難であり、封止を終えたＰＤＰ組立体に残ったチッ
プ管が長すぎるため、再度手作業によってこれを短く溶
断し直す必要があった。
【０００８】また、作業ヘッド７０には、冷却水の供給
排出用やＰＤＰ組立体内部の排気及び放電ガス導入用の
可撓管が接続されているため、それらから受ける応力に
よってチップ管６７が倒れたり破損したりし易く、水冷
されている作業ヘッド７０がヒーターからの輻射熱を遮
断するためＰＤＰ組立体６０の温度分布が不均一になり
易く、殊にフリット接着材６８を溶融してチップ管６７
を背面基板６２に接合するのに不利であった。本発明
は、これらの問題点を一挙に解決しようとするものであ
る。
排出用やＰＤＰ組立体内部の排気及び放電ガス導入用の
可撓管が接続されているため、それらから受ける応力に
よってチップ管６７が倒れたり破損したりし易く、水冷
されている作業ヘッド７０がヒーターからの輻射熱を遮
断するためＰＤＰ組立体６０の温度分布が不均一になり
易く、殊にフリット接着材６８を溶融してチップ管６７
を背面基板６２に接合するのに不利であった。本発明
は、これらの問題点を一挙に解決しようとするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明においては、内部
に加熱ヒーターを有し真空排気系に接続されている真空
加熱炉を使用する。この加熱炉内にはランプハウスが昇
降可能に設けられ、このランプハウスの下端には作業ヘ
ッドが支持されている。チップ管を背面基板上に植立し
たＰＤＰ組立体は、チップ管が作業ヘッドの真下に来る
状態で真空加熱炉内に置かれる。
に加熱ヒーターを有し真空排気系に接続されている真空
加熱炉を使用する。この加熱炉内にはランプハウスが昇
降可能に設けられ、このランプハウスの下端には作業ヘ
ッドが支持されている。チップ管を背面基板上に植立し
たＰＤＰ組立体は、チップ管が作業ヘッドの真下に来る
状態で真空加熱炉内に置かれる。
【００１０】作業ヘッドの内部には中継室があり、この
中継室の上部は作業ヘッドの上面に気密に設けた耐熱ガ
ラス窓で閉ざされ、その下部は作業ヘッドの下面に開口
する。この開口を囲んで作業ヘッドの下面に環状パッキ
ングが支持され、このパッキングを熱から保護するため
に作業ヘッドの内部に冷却水套が存在する。中継室の内
部は、真空排気系と放電ガス供給源とに接続されてい
る。ランプハウス内には熱線の放射源とその熱線を上記
耐熱ガラス窓を通して上記中継室内に集中する反射鏡と
が存在する。
中継室の上部は作業ヘッドの上面に気密に設けた耐熱ガ
ラス窓で閉ざされ、その下部は作業ヘッドの下面に開口
する。この開口を囲んで作業ヘッドの下面に環状パッキ
ングが支持され、このパッキングを熱から保護するため
に作業ヘッドの内部に冷却水套が存在する。中継室の内
部は、真空排気系と放電ガス供給源とに接続されてい
る。ランプハウス内には熱線の放射源とその熱線を上記
耐熱ガラス窓を通して上記中継室内に集中する反射鏡と
が存在する。
【００１１】上述の装置において、作業ヘッドをランプ
ハウスと共に上昇位置に置き、チップ管が背面基板上に
植立されているＰＤＰ組立体を真空加熱炉に入れ、大気
圧下で加熱ヒーターを作動させてＰＤＰ組立体を加熱し
て周縁部の封着とチップ管の背面基板への接合とを行
う。これが終わったら、炉内温度を所定の温度まで引下
げ、その温度に安定したところでＰＤＰ組立体内部の吸
蔵ガスを十分排出させる。
ハウスと共に上昇位置に置き、チップ管が背面基板上に
植立されているＰＤＰ組立体を真空加熱炉に入れ、大気
圧下で加熱ヒーターを作動させてＰＤＰ組立体を加熱し
て周縁部の封着とチップ管の背面基板への接合とを行
う。これが終わったら、炉内温度を所定の温度まで引下
げ、その温度に安定したところでＰＤＰ組立体内部の吸
蔵ガスを十分排出させる。
【００１２】炉内温度を更に引下げ、ＰＤＰ組立体の温
度が上記環状パッキングを損なわない程度まで降下した
ら、上記ランプハウスと共に上記作業ヘッドを下降させ
る。すると、チップ管は上記中継室内に入り、環状パッ
キングはチップ管を囲んで背面基板面に密着し、中継室
は気密状態になる。そこで中継室内を真空排気すると共
に真空加熱炉内に外気を導入すれば、圧力差によって作
業ヘッドは背面基板に強く押当てられ、中継室の気密性
は更に向上する。また、このように真空加熱炉内を大気
圧に戻すことによって、次工程でＰＤＰ組立体内へ放電
ガスを導入した際に、その内圧によってＰＤＰ組立体が
膨張して破損するのを回避することができる。
度が上記環状パッキングを損なわない程度まで降下した
ら、上記ランプハウスと共に上記作業ヘッドを下降させ
る。すると、チップ管は上記中継室内に入り、環状パッ
キングはチップ管を囲んで背面基板面に密着し、中継室
は気密状態になる。そこで中継室内を真空排気すると共
に真空加熱炉内に外気を導入すれば、圧力差によって作
業ヘッドは背面基板に強く押当てられ、中継室の気密性
は更に向上する。また、このように真空加熱炉内を大気
圧に戻すことによって、次工程でＰＤＰ組立体内へ放電
ガスを導入した際に、その内圧によってＰＤＰ組立体が
膨張して破損するのを回避することができる。
【００１３】ＰＤＰ組立体の温度が室温近くまで降下し
たら、中継室内の真空排気を停めて放電ガスを導入し、
ランプハウス内の熱線放射源を点灯すると、その熱線は
反射鏡により中継室内にあるチップ管の先端部分に集中
され、瞬時にこれを数１００℃に加熱して溶融封止す
る。
たら、中継室内の真空排気を停めて放電ガスを導入し、
ランプハウス内の熱線放射源を点灯すると、その熱線は
反射鏡により中継室内にあるチップ管の先端部分に集中
され、瞬時にこれを数１００℃に加熱して溶融封止す
る。
【００１４】このように、作業ヘッドを全くチップ管に
接触させずにＰＤＰ組立内部の排気と放電ガス導入と封
止とを行うことができるので、チップ管を小径で極めて
短くすることができ、これによりＰＤＰ組立体内部の排
気抵抗を減らすことができ、封止されたチップ管を短く
再溶断する工程も不要になる。そして、チップ管の封止
後に作業ヘッド内にチップ管の不要部分が残らないの
で、これを排除する工程も省略することができる。
接触させずにＰＤＰ組立内部の排気と放電ガス導入と封
止とを行うことができるので、チップ管を小径で極めて
短くすることができ、これによりＰＤＰ組立体内部の排
気抵抗を減らすことができ、封止されたチップ管を短く
再溶断する工程も不要になる。そして、チップ管の封止
後に作業ヘッド内にチップ管の不要部分が残らないの
で、これを排除する工程も省略することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】作業ヘッドの内部には水套を設け
て冷却水を循環させることが望ましく、これにより背面
基板との間のパッキングや耐熱ガラス窓を気密に維持し
ているパッキングの温度上昇を抑制することができる。
その結果、ＰＤＰ組立体の温度がかなり高温の間にチッ
プ管に作業ヘッドを結合して、不活性ガスによる内部の
洗浄や、より完全な真空排気を行うことができる。
て冷却水を循環させることが望ましく、これにより背面
基板との間のパッキングや耐熱ガラス窓を気密に維持し
ているパッキングの温度上昇を抑制することができる。
その結果、ＰＤＰ組立体の温度がかなり高温の間にチッ
プ管に作業ヘッドを結合して、不活性ガスによる内部の
洗浄や、より完全な真空排気を行うことができる。
【００１６】ランプハウスは、その前面を気密な耐熱ガ
ラス窓で閉鎖することが望ましく、これによりランプハ
ウスを加熱炉の真空空間の外に置くことができるので、
熱線放射源の電源回路の真空放電を防ぐことができる。
また、このようにランプハウスを真空空間の外に置くた
めには、ランプハウスの周囲にベローズを設け、その上
端を加熱炉の炉壁に気密に結合すると共に、その下端を
ランプハウスの下端の耐熱ガラス窓の周囲に気密に結合
するのが有利である。
ラス窓で閉鎖することが望ましく、これによりランプハ
ウスを加熱炉の真空空間の外に置くことができるので、
熱線放射源の電源回路の真空放電を防ぐことができる。
また、このようにランプハウスを真空空間の外に置くた
めには、ランプハウスの周囲にベローズを設け、その上
端を加熱炉の炉壁に気密に結合すると共に、その下端を
ランプハウスの下端の耐熱ガラス窓の周囲に気密に結合
するのが有利である。
【００１７】更に、ＰＤＰ組立体の周縁部の封着やチッ
プ管と背面基板の接合のために加熱炉内でＰＤＰ組立体
を高温に加熱する際は、上昇位置にある作業ヘッドとチ
ップ管とに挟まれた空間に可動ヒーターを進出させて、
チップ管付近の温度上昇を助けることが望ましい。この
可動ヒーターは、作業ヘッドを下降させる際にはその障
害にならない位置に退避できるように構成する。また、
可動ヒーターの上面、即ちチップ管とは反対側には冷却
水套を設けておき、この可動ヒーターが前進位置にある
ときに作業ヘッドを加熱しないように構成することが望
ましい。
プ管と背面基板の接合のために加熱炉内でＰＤＰ組立体
を高温に加熱する際は、上昇位置にある作業ヘッドとチ
ップ管とに挟まれた空間に可動ヒーターを進出させて、
チップ管付近の温度上昇を助けることが望ましい。この
可動ヒーターは、作業ヘッドを下降させる際にはその障
害にならない位置に退避できるように構成する。また、
可動ヒーターの上面、即ちチップ管とは反対側には冷却
水套を設けておき、この可動ヒーターが前進位置にある
ときに作業ヘッドを加熱しないように構成することが望
ましい。
【００１８】
【実施例】図１において、１はＰＤＰ組立体で、２はそ
の前面基板、３はその背面基板である。背面基板３に
は、図４に示すように適所に小孔５６が穿孔され、その
背面（図における上面）の小孔５６の周囲に座ぐり５７
が施され、ここに低融点ガラス製のチップ管４が植立さ
れている。チップ管４の寸法は、例えば外径２〜３ｍ
ｍ、長さ１５〜２５ｍｍの短小なものである。５８はチ
ップ管４を囲んで背面基板３上に置いたフリット接着材
環である。
の前面基板、３はその背面基板である。背面基板３に
は、図４に示すように適所に小孔５６が穿孔され、その
背面（図における上面）の小孔５６の周囲に座ぐり５７
が施され、ここに低融点ガラス製のチップ管４が植立さ
れている。チップ管４の寸法は、例えば外径２〜３ｍ
ｍ、長さ１５〜２５ｍｍの短小なものである。５８はチ
ップ管４を囲んで背面基板３上に置いたフリット接着材
環である。
【００１９】ＰＤＰ組立体１は、図２に示すように真空
加熱炉５に収容される。加熱炉５はその内壁に沿って電
気ヒーター６、７、８、９が配置され、かつ後述する可
動電気ヒーター１０が存在する。加熱炉５内は、開閉弁
１１を経由して真空排気系１２により排気され、かつリ
ーク弁１３を経由して外界に通じている。図１に示すよ
うに、ＰＤＰ組立体１に植立したチップ管４に対面して
作業ヘッド１５が配置されている。
加熱炉５に収容される。加熱炉５はその内壁に沿って電
気ヒーター６、７、８、９が配置され、かつ後述する可
動電気ヒーター１０が存在する。加熱炉５内は、開閉弁
１１を経由して真空排気系１２により排気され、かつリ
ーク弁１３を経由して外界に通じている。図１に示すよ
うに、ＰＤＰ組立体１に植立したチップ管４に対面して
作業ヘッド１５が配置されている。
【００２０】作業ヘッド１５は、図１に示すように内部
に中継室１６を有し、この中継室１６の下方にはパッキ
ング１７によって囲まれた開口１８が存在し、作業室１
６の上面には耐熱ガラス窓１９が気密に設けられてい
る。中継室１６の内部は給排気管２０より可撓管（図示
せず）を経由して図２に示す給排気管路４２に接続さ
れ、中継室１６を囲んで設けられた水套２１は流入管２
２及び流出管２３（図示せず）より可撓管（図示せず）
を経由して図２に示す冷却水供給管路４３及び排水管路
４４に接続されている。この作業ヘッド１５は、これを
緩く貫通するロッド２４、２４によってランプハウス２
５の下端に吊下げられ、かつロッド２４、２４の周囲に
緩く巻かれている発条２６、２６によって軽く下方へ押
下げられている。
に中継室１６を有し、この中継室１６の下方にはパッキ
ング１７によって囲まれた開口１８が存在し、作業室１
６の上面には耐熱ガラス窓１９が気密に設けられてい
る。中継室１６の内部は給排気管２０より可撓管（図示
せず）を経由して図２に示す給排気管路４２に接続さ
れ、中継室１６を囲んで設けられた水套２１は流入管２
２及び流出管２３（図示せず）より可撓管（図示せず）
を経由して図２に示す冷却水供給管路４３及び排水管路
４４に接続されている。この作業ヘッド１５は、これを
緩く貫通するロッド２４、２４によってランプハウス２
５の下端に吊下げられ、かつロッド２４、２４の周囲に
緩く巻かれている発条２６、２６によって軽く下方へ押
下げられている。
【００２１】ランプハウス２４の下端面には、作業ヘッ
ド１５に対面して耐熱ガラス窓２７が設けられており、
ランプハウス２５内にはハロゲンランプなどの熱線源２
８及び反射鏡２９が設けられている。反射鏡２９は、熱
線源２８と中継室１６内とに焦点を有する回転楕円面を
なしている。
ド１５に対面して耐熱ガラス窓２７が設けられており、
ランプハウス２５内にはハロゲンランプなどの熱線源２
８及び反射鏡２９が設けられている。反射鏡２９は、熱
線源２８と中継室１６内とに焦点を有する回転楕円面を
なしている。
【００２２】ランプハウス２５の下部からは、ランプハ
ウス２５を囲むベローズ３０が上方へ伸延している。真
空加熱炉５の天井からは上方に支持筒３１が伸延し、そ
の上端に設けた支持座３２にベローズ３０の上端が結合
されている。真空加熱炉５の気密は、支持筒３１とベロ
ーズ３０とランプハウス２５の下端の耐熱ガラス窓２７
とによって維持され、ランプハウス２５の内部はこの気
密の外に置かれている。
ウス２５を囲むベローズ３０が上方へ伸延している。真
空加熱炉５の天井からは上方に支持筒３１が伸延し、そ
の上端に設けた支持座３２にベローズ３０の上端が結合
されている。真空加熱炉５の気密は、支持筒３１とベロ
ーズ３０とランプハウス２５の下端の耐熱ガラス窓２７
とによって維持され、ランプハウス２５の内部はこの気
密の外に置かれている。
【００２３】支持座３２には支柱３３が植立され、ラン
プハウス２５の天井部材３４は支柱３３に移動可能に嵌
められた誘導筒３５に結合されている。支柱３３の上端
に設けた支持腕３６には、小歯車３７を有する電動機３
８と、大歯車３９とが支持されており、小歯車３７と大
歯車３９とは歯付きベルト４０によって結合されてい
る。そしてランプハウス天井部材３４の中央に回転可能
に結合された螺桿４１が大歯車３９の中心孔に螺合して
いる。なお、作業ヘッド１５の給排気管２０、冷却水流
入管２２及び流出管２３へ向かう管路４２、４３、４４
は、ランプハウス２５の内部を経由しその天井部材３４
を貫通して外界へ導出されている。
プハウス２５の天井部材３４は支柱３３に移動可能に嵌
められた誘導筒３５に結合されている。支柱３３の上端
に設けた支持腕３６には、小歯車３７を有する電動機３
８と、大歯車３９とが支持されており、小歯車３７と大
歯車３９とは歯付きベルト４０によって結合されてい
る。そしてランプハウス天井部材３４の中央に回転可能
に結合された螺桿４１が大歯車３９の中心孔に螺合して
いる。なお、作業ヘッド１５の給排気管２０、冷却水流
入管２２及び流出管２３へ向かう管路４２、４３、４４
は、ランプハウス２５の内部を経由しその天井部材３４
を貫通して外界へ導出されている。
【００２４】可動電気ヒーター１０は、図３に示すよう
に上面に冷却水套４５を有し、真空加熱炉５の天井を気
密に貫通している回転軸４６に一端が支持されている。
回転軸４６の外界部分に設けたクランク４７は、エアシ
リンダ４８のピストンロッド４９に連結されている。可
動電気ヒーター１０に加熱電力を供給する導線５０及び
水套４５に連通する冷却水の給水管５１及び排出管５２
は、回転軸４６の中心を気密に通過して外界へ導出され
ている。
に上面に冷却水套４５を有し、真空加熱炉５の天井を気
密に貫通している回転軸４６に一端が支持されている。
回転軸４６の外界部分に設けたクランク４７は、エアシ
リンダ４８のピストンロッド４９に連結されている。可
動電気ヒーター１０に加熱電力を供給する導線５０及び
水套４５に連通する冷却水の給水管５１及び排出管５２
は、回転軸４６の中心を気密に通過して外界へ導出され
ている。
【００２５】ＰＤＰの製造に際しては、先ず表面基板２
と背面基板３の周縁間にフリット接着材を挟んでクリッ
プで留め、かつ図４で示すように背面基板３上に小孔４
１に一致させてチップ管４を載置して、図２に示す加熱
炉５内に入れる。このとき、作業ヘッド１５及びランプ
ハウス２５は上方に引上げられており、代わりに可動電
気ヒーター１０をチップ管４の上方に位置させる。
と背面基板３の周縁間にフリット接着材を挟んでクリッ
プで留め、かつ図４で示すように背面基板３上に小孔４
１に一致させてチップ管４を載置して、図２に示す加熱
炉５内に入れる。このとき、作業ヘッド１５及びランプ
ハウス２５は上方に引上げられており、代わりに可動電
気ヒーター１０をチップ管４の上方に位置させる。
【００２６】炉内を大気圧に保ったまま各ヒーター６〜
１０に通電して炉内を約４５０℃に加熱すると、フリッ
ト接着材が溶融して表面基板２と背面基板３とは周縁部
間で封着される。またチップ管４も可動電気ヒーター１
０により効果的に加熱されるので、フリット接着材５８
の溶融により背面基板３に接合される。このとき、可動
電気ヒーター１０の上面は冷却水套４５によって冷却さ
れているので、その上方に位置する作業ヘッド１５が加
熱されてパッキング１７等に悪影響が及ぶのを防ぐこと
ができる。
１０に通電して炉内を約４５０℃に加熱すると、フリッ
ト接着材が溶融して表面基板２と背面基板３とは周縁部
間で封着される。またチップ管４も可動電気ヒーター１
０により効果的に加熱されるので、フリット接着材５８
の溶融により背面基板３に接合される。このとき、可動
電気ヒーター１０の上面は冷却水套４５によって冷却さ
れているので、その上方に位置する作業ヘッド１５が加
熱されてパッキング１７等に悪影響が及ぶのを防ぐこと
ができる。
【００２７】基板間の封着及びチップ管４の溶着が確認
できたら炉内温度を３５０℃程度に引下げ、弁１１を開
き真空排気系１２を動作させて、基板間の空間内の吸蔵
ガスを十分排出させる。これを終わると、炉内温度を更
に降下させ、２００〜２５０℃程度になったとき、エア
シリンダ４８を差動させて可動電気ヒーター１０をチッ
プ管４の上方位置から退去させ、代わって電動機３８を
駆動してランプハウス２５を下降させる。すると、作業
ヘッド１５の開口１８を通って中継室１６内にチップ管
４が入り、作業ヘッド下端面のパッキング１７は発条２
５、２５によりチップ管４を囲んで背面基板３に適正な
押圧力により確実に押し当てられる。
できたら炉内温度を３５０℃程度に引下げ、弁１１を開
き真空排気系１２を動作させて、基板間の空間内の吸蔵
ガスを十分排出させる。これを終わると、炉内温度を更
に降下させ、２００〜２５０℃程度になったとき、エア
シリンダ４８を差動させて可動電気ヒーター１０をチッ
プ管４の上方位置から退去させ、代わって電動機３８を
駆動してランプハウス２５を下降させる。すると、作業
ヘッド１５の開口１８を通って中継室１６内にチップ管
４が入り、作業ヘッド下端面のパッキング１７は発条２
５、２５によりチップ管４を囲んで背面基板３に適正な
押圧力により確実に押し当てられる。
【００２８】ここでリーク弁１３を開いて炉内に外気を
導入すると、炉内と中継室１６内の気圧差により作業ヘ
ッド１５は背面基板３に強く押当てられ、完全な気密状
態になる。開閉弁５３を開き、ＰＤＰ組立体１の内部の
排気を更に続行しながら炉内温度を更に降下させ、約５
０℃前後に到達したら開閉弁５３を閉じてＰＤＰ組立体
１内の排気を停止し、代わって開閉弁５４を開いてＰＤ
Ｐ組立体１内に放電ガスを所定圧力まで導入する。
導入すると、炉内と中継室１６内の気圧差により作業ヘ
ッド１５は背面基板３に強く押当てられ、完全な気密状
態になる。開閉弁５３を開き、ＰＤＰ組立体１の内部の
排気を更に続行しながら炉内温度を更に降下させ、約５
０℃前後に到達したら開閉弁５３を閉じてＰＤＰ組立体
１内の排気を停止し、代わって開閉弁５４を開いてＰＤ
Ｐ組立体１内に放電ガスを所定圧力まで導入する。
【００２９】そこで熱線源２８を点灯すると、その熱線
が反射鏡２９によってチップ管４の先端部分に集中さ
れ、これを数１００℃に加熱し、瞬時にチップ管端を溶
封する。最後に弁５４を閉じて放電ガスの供給を停め、
弁５５を開いて作業ヘッド１５内を大気圧に戻した後、
電動機３８を運転してランプハウス２５及び作業ヘッド
１５を上昇させ、炉５を開いて完成したＰＤＰ組立体１
を外界へ取出す。
が反射鏡２９によってチップ管４の先端部分に集中さ
れ、これを数１００℃に加熱し、瞬時にチップ管端を溶
封する。最後に弁５４を閉じて放電ガスの供給を停め、
弁５５を開いて作業ヘッド１５内を大気圧に戻した後、
電動機３８を運転してランプハウス２５及び作業ヘッド
１５を上昇させ、炉５を開いて完成したＰＤＰ組立体１
を外界へ取出す。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明によって明らかなように本発
明によるときはＰＤＰ組立体のチップ管に排気及び放電
ガス導入用の作業ヘッドを取付ける工程、チップ管を封
止する工程、及び封止を終わった後に作業ヘッドからチ
ップ管の残存部分を排除する工程などが一切不要にな
る。その結果、工程数が減少して生産性が向上すると共
に作業中のチップ管に基因する事故が殆ど無くなって製
品の歩留まりが向上し、かつ全工程の自動化や流れ作業
化に貢献することができる。
明によるときはＰＤＰ組立体のチップ管に排気及び放電
ガス導入用の作業ヘッドを取付ける工程、チップ管を封
止する工程、及び封止を終わった後に作業ヘッドからチ
ップ管の残存部分を排除する工程などが一切不要にな
る。その結果、工程数が減少して生産性が向上すると共
に作業中のチップ管に基因する事故が殆ど無くなって製
品の歩留まりが向上し、かつ全工程の自動化や流れ作業
化に貢献することができる。
【図１】本発明の実施例の作業ヘッド及びランプハウス
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図２】上記実施例の全体の構成図である。
【図３】上記実施例における可動電気ヒーターの縦断面
図である。
図である。
【図４】上記実施例におけるチップ管の取付状態を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図５】従来のＰＤＰ組立体におけるチップ管の取付状
態及びチップ管への作業ヘッドの取付状態を示す縦断面
図である。
態及びチップ管への作業ヘッドの取付状態を示す縦断面
図である。
【図６】従来のＰＤＰ製造装置の全体の構成図である。
１ ＰＤＰ組立体 ３ 背面基板 ４ チップ管 ５ 真空加熱炉 ６〜９ 電気ヒーター １０ 可動電気ヒーター １２ 真空排気系 １５ 作業ヘッド １６ 中継室 １７ 環状パッキング １８ 開口 １９ 耐熱ガラス窓 ２０ 給排気管 ２１ 冷却水套 ２４ ロッド ２５ ランプハウス ２６ 発条 ２７ 耐熱ガラス窓 ２８ 熱線放射源 ２９ 反射鏡 ３０ ベローズ ３３ 支柱 ３８ 電動機 ４１ 螺桿 ４２ 給排気管路 ４５ 冷却水套 ４６ 回転軸 ４７ クランク ４８ エアシリンダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 17/18 Ｈ０１Ｊ 17/18 Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０１Ｚ
Claims (6)
- 【請求項１】 その背面基板にチップ管が植立されてい
るプラズマディスプレイパネル組立体を収容できるよう
構成され内部に加熱用ヒーターを有し真空排気系に接続
されている真空加熱炉と、この加熱炉の内部に上記背面
基板に対しこれと直交する方向の運動によって進退可能
に支持されているランプハウスと、このランプハウスの
上記背面基板に対面する面に支持されている作業ヘッド
とよりなり、この作業ヘッドは内部に真空排気系及び放
電ガス供給源に接続されている中継室を有し、上記ラン
プハウス側の面に上記中継室を気密に閉塞する耐熱ガラ
ス窓を有し、その反対側の面に上記チップ管を上記中継
室内に導入できる開口及びこの開口を囲んで上記背面基
板に気密に接触できる環状パッキングを有し、上記ラン
プハウスは内部に熱線放射源及びその熱線を上記耐熱ガ
ラス窓を通して上記中継室内部に集中させる反射鏡を有
することを特徴とするプラズマディスプレイパネル製造
装置。 - 【請求項２】 上記作業ヘッドの内部には上記環状パッ
キング冷却用の冷却水套が設けられていることを特徴と
する請求項１記載のプラズマディスプレイパネル製造装
置。 - 【請求項３】 上記ランプハウスは上記作業ヘッドに対
面する面が耐熱ガラス窓によって構成され、その内部が
上記加熱炉の内部空間から気密に遮断されていることを
特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル
製造装置。 - 【請求項４】 上記ランプハウスを囲んでベローズが設
けられ、このベローズの一端は上記加熱炉の壁に設けた
窓の周縁に気密に結合され、他端は上記ランプハウスの
耐熱ガラス窓の周縁に気密に結合されていることを特徴
とする請求項３記載のプラズマディスプレイパネル製造
装置。 - 【請求項５】 上記加熱炉内には、上記作業ヘッドが上
記ランプハウスと共に上記背面基板から遠ざかった位置
にあるときに上記作業ヘッドと上記背面基板とに挟まれ
る進出位置と、上記ヘッドが上記背面基板に当接する際
にその妨げにならない後退位置との間で進退可能に可動
ヒーターが設けられていることを特徴とする請求項１記
載のプラズマディスプレイパネル製造装置。 - 【請求項６】 上記可動ヒーターは上記背面基板とは反
対側の面を冷却する冷却水套を有することを特徴とする
請求項１記載のプラズマディスプレイパネル製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15954498A JP2933610B1 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | プラズマディスプレイパネル製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15954498A JP2933610B1 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | プラズマディスプレイパネル製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2933610B1 JP2933610B1 (ja) | 1999-08-16 |
| JPH11354032A true JPH11354032A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15696082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15954498A Expired - Fee Related JP2933610B1 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | プラズマディスプレイパネル製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933610B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319572A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理室、プラズマディスプレイ装置の製造装置及びプラズマディスプレイ装置の製造方法 |
| JP2010205741A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-16 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイ装置の製造装置 |
| US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP15954498A patent/JP2933610B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319572A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理室、プラズマディスプレイ装置の製造装置及びプラズマディスプレイ装置の製造方法 |
| US7992318B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
| US8186077B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-05-29 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, heating method, and computer readable storage medium |
| JP2010205741A (ja) * | 2010-05-17 | 2010-09-16 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイ装置の製造装置 |
| JP4629800B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2011-02-09 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイ装置の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2933610B1 (ja) | 1999-08-16 |
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