JPH11346023A - Short-pulse light source - Google Patents

Short-pulse light source

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JPH11346023A
JPH11346023A JP15131998A JP15131998A JPH11346023A JP H11346023 A JPH11346023 A JP H11346023A JP 15131998 A JP15131998 A JP 15131998A JP 15131998 A JP15131998 A JP 15131998A JP H11346023 A JPH11346023 A JP H11346023A
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JP
Japan
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optical
waveguide
light source
pulse
short
Prior art date
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Application number
JP15131998A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Tsuda
裕之 津田
Hirokazu Takenouchi
弘和 竹ノ内
Takashi Kurokawa
隆志 黒川
Masaki Kamitoku
正樹 神徳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a short-pulse light source of a structure, wherein the pulse width of an optical pulse train can be set, a phase in each mode is independently controlled to enable a pulse form to design and the optical pulse train in the limit of a transformation can be obtained. SOLUTION: A short-pulse light source is constituted of at least first and second slab waveguides 102 and 104, an array waveguide diffraction grating 100 constituted of a plurality of waveguides linking together these slab waveguides, an optical modulation part 105 and an optical amplification part 106, which are provided on one end of the diffraction grating 100, first and second mirrors 109 and 108 provided in such a way as to hold the diffraction grating 100 between them, a plurality of connection waveguides 107 connecting the waveguide 104 with the mirror 108, a modulation part drive circuit to drive the modulation part 105 and an optical amplification part excitation circuit for forming an inverted population in the amplification part 106.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アレイ導波路回折
格子を用いた、短光パルス列を発生する短パルス光源に
関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a short pulse light source that generates a short light pulse train using an arrayed waveguide diffraction grating.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の技術の短光パルス光源の一例を、
図5に示す。図中、201は光変調器であり、202は
その駆動回路、203は光増幅媒質であり、204はそ
の励起回路、そして、205はミラーであり、これら要
素がモードロック型レーザ(短光パルス光源)を構成し
ている。この短光パルス光源では、2個のミラー205
より構成される光共振器の共振モード間隔にほぼ等しい
周波数(あるいはそのほぼ整数倍の周波数)のクロック
により、光変調器201を駆動すると、クロック周波数
(あるいは整数倍の周波数)の光短パルス列を発生でき
る。
2. Description of the Related Art An example of a short light pulse light source of the prior art is as follows.
As shown in FIG. In the figure, reference numeral 201 denotes an optical modulator, 202 denotes a driving circuit thereof, 203 denotes an optical amplifying medium, 204 denotes an excitation circuit thereof, and 205 denotes a mirror. These elements are a mode-locked laser (short optical pulse). Light source). In this short light pulse light source, two mirrors 205
When the optical modulator 201 is driven by a clock having a frequency substantially equal to the resonance mode interval of the optical resonator (or an integer multiple thereof), an optical short pulse train having a clock frequency (or an integer multiple of the clock frequency) is generated. Can occur.

【0003】しかしながら、この従来の技術には、以下
のような問題点があった。
[0003] However, this conventional technique has the following problems.

【0004】(1) 発振モード包絡線スペクトルが温
度等の動作条件によって大きく変動し、そのため、中心
波長およびパルス幅を設定することが困難である。
(1) The oscillation mode envelope spectrum fluctuates greatly depending on operating conditions such as temperature, so that it is difficult to set the center wavelength and pulse width.

【0005】(2) 各モード毎の位相を独立に制御す
ることができないため、パルス形状の設計が困難であ
る。
(2) Since the phase of each mode cannot be controlled independently, it is difficult to design a pulse shape.

【0006】(3) 非常に多数のモードが励起される
が、長共振器の半導体媒質の分散および非線形効果でモ
ード間の相関が不十分となり、そのため、トランスフォ
ームリミットのパルス列を発生することが困難である。
(3) Although a very large number of modes are excited, the correlation between the modes becomes insufficient due to the dispersion and nonlinear effects of the semiconductor medium of the long resonator, so that a pulse train of the transform limit may be generated. Have difficulty.

【0007】従来の技術短光パルス光源の他の例を、図
6に示す。図中、206は光増幅媒質、207は前記光
増幅媒質206の一端に設けられた高反射ミラー、20
8は同じく光増幅媒質206の他端に設けられた低反射
コーティング、209はレンズ、210は光導波路、2
11はスラブ導波路、212はアレイ導波路、213は
光導波路、214は高反射ミラーである。また、215
は前記光増幅媒質206の励起回路であり、216は、
前記光導波路210、スラブ導波路211、アレイ導波
路212、光導波路213から構成されているアレイ導
波路回折格子を示す。
Another example of the prior art short light pulse light source is shown in FIG. In the figure, 206 is an optical amplification medium, 207 is a high reflection mirror provided at one end of the optical amplification medium 206, 20
8, a low-reflection coating provided on the other end of the optical amplification medium 206; 209, a lens; 210, an optical waveguide;
11 is a slab waveguide, 212 is an array waveguide, 213 is an optical waveguide, and 214 is a high reflection mirror. 215
Is an excitation circuit of the optical amplification medium 206, and 216 is
An array waveguide diffraction grating including the optical waveguide 210, the slab waveguide 211, the array waveguide 212, and the optical waveguide 213 is shown.

【0008】この従来の技術の他の短光パルス光源で
は、光増幅媒質206を定常的に励起することにより、
多波長の光を同時に発振することができる。しかしなが
ら、この従来の短光パルス光源では、光増幅媒質206
に半導体レーザを用いたとしても、高々数GHzでしか
変調できず、モードロックして高繰り返しの短パルス列
を発生することができない。また、この短光パルス光源
では、各モード毎の強度、位相を設定し、制御すること
は、考慮されていない。
In another short pulse light source of this prior art, the optical amplification medium 206 is constantly excited to thereby
Multi-wavelength light can be oscillated simultaneously. However, in this conventional short light pulse light source, the light amplification medium 206
Even if a semiconductor laser is used, modulation can be performed only at a few GHz at most, and a mode-locked short pulse train cannot be generated. In this short light pulse light source, setting and controlling the intensity and phase for each mode is not considered.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の事情に鑑みてなされたもので、本発明の第1の課題
は、光パルス列のパルス幅を設定できる短光パルス光源
を提供することにある。また、本発明の第2の課題は、
各モードの位相を独立に制御してパルス形状を設計でき
る短光パルス光源を提供することにある。さらに、本発
明の第3の課題は、トランスフォームリミットの光パル
ス列を得ることのできる短光パルス光源を提供すること
にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and a first object of the present invention is to provide a short light pulse light source capable of setting a pulse width of an optical pulse train. It is in. The second object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a short light pulse light source capable of designing a pulse shape by independently controlling the phase of each mode. Further, a third object of the present invention is to provide a short light pulse light source capable of obtaining an optical pulse train of a transform limit.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の請求項1の短パルス光源は、第1および第
2のスラブ導波路と、前記スラブ導波路間を結ぶ複数の
導波路から構成されるアレイ導波路回折格子と、前記ア
レイ導波路回折格子の一端に設けられる光変調部および
光増幅部と、前記アレイ導波路回折格子を挟むように設
けられている第1および第2のミラーと、前記第2のス
ラブ導波路と前記第2のミラーを接続する複数の接続導
波路と、前記光変調部を駆動する変調部駆動回路と、前
記光増幅部に反転分布を形成する光増幅部励起回路と、
を具備することを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, a short-pulse light source according to the present invention comprises a first and a second slab waveguide and a plurality of waveguides connecting the slab waveguide. An arrayed waveguide diffraction grating composed of a waveguide, a light modulator and an optical amplifier provided at one end of the arrayed waveguide diffraction grating, and first and second optical waveguides provided to sandwich the arrayed waveguide diffraction grating. A second mirror, a plurality of connecting waveguides connecting the second slab waveguide and the second mirror, a modulator driving circuit for driving the optical modulator, and a population inversion in the optical amplifier. An optical amplification unit excitation circuit,
It is characterized by having.

【0011】また、本発明の請求項2の短パルス光源
は、前記請求項1の短パルス光源において、前記複数の
接続導波路間の位相差が、第1と第2のミラーとにより
構成される共振器の分散を補償するように設定されてい
ることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the short pulse light source according to the first aspect, wherein a phase difference between the plurality of connection waveguides is constituted by first and second mirrors. It is set to compensate for the dispersion of the resonator.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態例を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】本発明にかかる短パルス光源の一実施形態
例の構成図を図1に示す。図中、101はInP基板、
102は第1のスラブ導波路、103はアレイ導波路、
104は第2のスラブ導波路であり、これら第一のスラ
ブ導波路102,アレイ導波路103,第2スラブ導波
路は、アレイ導波路回折格子100を構成している。ま
た、105は光変調部、106は光増幅部、107は接
続導波路アレイ、108は接続導波路アレイ107の終
端に設けられたミラー(高反射膜)であり、109は前
記光変調部105の先端部に設けられたミラー(高反射
膜)である。
FIG. 1 shows a configuration diagram of an embodiment of a short pulse light source according to the present invention. In the figure, 101 is an InP substrate,
102 is a first slab waveguide, 103 is an array waveguide,
Reference numeral 104 denotes a second slab waveguide. The first slab waveguide 102, the array waveguide 103, and the second slab waveguide constitute an array waveguide diffraction grating 100. Reference numeral 105 denotes an optical modulator, reference numeral 106 denotes an optical amplifier, reference numeral 107 denotes a connection waveguide array, reference numeral 108 denotes a mirror (high reflection film) provided at the end of the connection waveguide array 107, and reference numeral 109 denotes the optical modulation unit 105. Is a mirror (highly reflective film) provided at the front end of the mirror.

【0014】図2,3および4に、図1のII-II'線,II
I-III'線およびIV-IV'線に沿った断面図を示す。これら
の図において、110はAuZnNi電極層、111は
+−1. 5Q−InGaAsPコンタクト層、112
はp−InPクラッド層、113はi−InPエッチス
トップ層、114は0. 9Q−InGaAsP/1.Q
−InGaAsP−5wellの歪み量子井戸層、11
5はn−InPクラッド層、116はAuGeNi電極
層、117は0. 9Q−InGaAsP/1.3Q−I
nGaAsP−2wellの歪み量子井戸層、118は
1. 3Q−InGaAsP層である。また、図1の光変
調部105には、図2に示すように、変調部駆動回路1
19が接続され、光増幅部106には、図3に示すよう
に、反転分布を形成する光増幅部励起回路120が接続
されている。
FIGS. 2, 3 and 4 show the line II-II 'of FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along lines I-III ′ and IV-IV ′. In these figures, 110 is an AuZnNi electrode layer, 111 is a p + -1.5Q-InGaAsP contact layer, 112
Is a p-InP cladding layer, 113 is an i-InP etch stop layer, 114 is 0.9Q-InGaAsP / 1.Q
-InGaAsP-5 well strained quantum well layer, 11
5 is an n-InP cladding layer, 116 is an AuGeNi electrode layer, 117 is 0.9Q-InGaAsP / 1.3Q-I
An nGaAsP-2 well strained quantum well layer 118 is a 1.3Q-InGaAsP layer. Further, as shown in FIG. 2, the optical modulator 105 of FIG.
19 is connected to the optical amplification unit 106, and as shown in FIG. 3, an optical amplification unit excitation circuit 120 that forms a population inversion is connected.

【0015】前記アレイ導波路回折格子(フィルタ)1
00は公知の素子であり、例えば”Wavelength Multipl
exer Based on SiO2-Ta2O5 Arrayed-Waveguide Gratin
g, ”J. of Lightwave Technology, vol. 2, No.6, p.
p.989-995(1994) に詳しく解説されている。
The arrayed waveguide diffraction grating (filter) 1
00 is a known element, for example, "Wavelength Multipl
exer Based on SiO 2 -Ta 2 O 5 Arrayed-Waveguide Gratin
g, ”J. of Lightwave Technology, vol. 2, No. 6, p.
See p.989-995 (1994).

【0016】前記構成の短パルス光源において、第1の
スラブ導波路102に入射された光は、この第1のスラ
ブ導波路102を伝搬する間に空間的に広がり、アレイ
導波路103の各導波路に等位相で入射して分配され
る。アレイ導波路103の各導波路は、隣接導波路間が
ΔLの導波路長差を持っている。このため、アレイ導波
路103から第2のスラブ導波路104に出射された光
は、この第2のスラブ導波路104のもう一方の端面の
焦点面内で、位相条件を満たす特定の位置に、結像す
る。位相条件は光の周波数に依存して変化するので、第
2のスラブ導波路104は分光器として機能し、周波数
に応じて異なる位置に結像する。第2のスラブ導波路1
04により分光された光は、接続導波路アレイ107に
入射され、ミラー108で反射される。接続導波路アレ
イ107に入射する光は、接続導波路アレイ107の各
々の導波路の位置によって、異なる周波数を選択し、導
波路長に依存して位相が変化して、ミラー108により
反射される。
In the short-pulse light source having the above-described structure, light incident on the first slab waveguide 102 spreads spatially while propagating through the first slab waveguide 102, so that each light of the array The light enters the wave path at the same phase and is distributed. Each waveguide of the arrayed waveguide 103 has a waveguide length difference of ΔL between adjacent waveguides. Therefore, the light emitted from the array waveguide 103 to the second slab waveguide 104 is located at a specific position satisfying the phase condition within the focal plane at the other end face of the second slab waveguide 104. Form an image. Since the phase condition changes depending on the frequency of light, the second slab waveguide 104 functions as a spectroscope, and forms images at different positions according to the frequency. Second slab waveguide 1
The light split by 04 enters the connection waveguide array 107 and is reflected by the mirror 108. The light incident on the connection waveguide array 107 selects a different frequency depending on the position of each waveguide in the connection waveguide array 107, changes its phase depending on the waveguide length, and is reflected by the mirror 108. .

【0017】本発明では、アレイ導波路回折格子100
に光増幅部106とミラー108および109とが取り
付けられているので、光増幅部106での利得が十分に
大きい場合、ミラー109とミラー108との間で形成
される共振器で、レーザ発振する。また、ミラー109
とミラー108の等価光学距離をLeff とすると、光変
調部駆動回路119で発生させた、次式の関係を満たす
周波数fの正弦波で、光変調部105を駆動して、十分
に深い変調をかけると、発振縦モード間に結合が生じ
て、モードロック発振をする。
In the present invention, the arrayed waveguide diffraction grating 100
Since the optical amplifying unit 106 and the mirrors 108 and 109 are attached to the optical amplifier, when the gain in the optical amplifying unit 106 is sufficiently large, laser oscillation occurs in a resonator formed between the mirror 109 and the mirror 108. . Also, the mirror 109
Assuming that the equivalent optical distance between the optical modulator 105 and the mirror 108 is L eff , the optical modulator 105 is driven by a sine wave having a frequency f that satisfies the following relationship, which is generated by the optical modulator driver 119, and a sufficiently deep modulation is performed. Is applied, coupling occurs between the oscillation longitudinal modes, and mode-lock oscillation occurs.

【0018】[0018]

【数1】 f=k・c/(2・Leff )=(dx/df)/Δx 式中、kは整数、cは光速である。F = k · c / (2 · L eff ) = (dx / df) / Δx where k is an integer and c is the speed of light.

【0019】この場合、各縦モードの位相関係が一定に
保たれ、周波数fの繰り返しの短パルス列が生成され
る。従来のモードロックレーザでは、各モードの周波数
を設定することが困難であった。しかしながら、本発明
によれば、各モードの周波数が、Leff によって、すな
わちアレイ導波路回折格子(フィルタ)100に設けら
れたミラー位置によって、決められるので、各モードの
周波数を詳細に設定できる。
In this case, the phase relationship of each longitudinal mode is kept constant, and a short pulse train having a repetition of the frequency f is generated. In a conventional mode-locked laser, it was difficult to set the frequency of each mode. However, according to the present invention, since the frequency of each mode is determined by L eff , that is, by the position of the mirror provided on the arrayed waveguide grating (filter) 100, the frequency of each mode can be set in detail.

【0020】従来のモードクロックレーザでは、パルス
幅を設定することが困難であった。しかしながら、本発
明によれば、接続導波路アレイ107の本数を制御し、
発振スペクトル幅(モード本数)を設定することによ
り、パルス幅を設定することができる。これは、スペク
トル周波数幅とパルス幅の積がある一定値以下になるこ
とから、理解される。
In the conventional mode clock laser, it was difficult to set the pulse width. However, according to the present invention, the number of connection waveguide arrays 107 is controlled,
The pulse width can be set by setting the oscillation spectrum width (the number of modes). This can be understood from the fact that the product of the spectrum frequency width and the pulse width is equal to or less than a certain value.

【0021】また、本発明の短パルス光源において、導
波路に散乱損失を生じるような形状、例えば、0.1〜
0.5ミクロン程度の凹凸を導波路の側壁に設けたり、
部分的に導波路幅を狭窄することによって、各々の導波
路の損失を制御することが可能である。これによって、
スペクトル強度を設定することが可能であり、その結
果、パルス形状を設定することが可能である。特に、ト
ランスフォームリミットの場合、スペクトル強度とパル
ス形状とは、1:1に対応するので、完全なパルス形状
の設定が可能となる。
Further, in the short pulse light source of the present invention, a shape that causes scattering loss in the waveguide, for example, 0.1 to
Providing irregularities of about 0.5 micron on the side wall of the waveguide,
By partially narrowing the waveguide width, it is possible to control the loss of each waveguide. by this,
It is possible to set the spectral intensity and consequently to set the pulse shape. In particular, in the case of the transform limit, since the spectrum intensity and the pulse shape correspond to 1: 1, a complete pulse shape can be set.

【0022】また、半導体導波路は一般に強い分散特性
を持つ。しかしながら、本発明の短パルス光源では、接
続導波路アレイ107の各導波路の長さを調節すること
により共振器内の分散を補償し、パルス先頭値を高めて
モード間結合を深め、パルスのトランスフォームリミッ
ト化を可能としている。さらに、接続導波路アレイ10
7の導波路長を、設定する位相差を変えずに、1/2波
長の整数倍単位で増減させることができるので、ミラー
108までの長さの調整が可能となる。
In addition, semiconductor waveguides generally have strong dispersion characteristics. However, in the short pulse light source of the present invention, the dispersion in the resonator is compensated by adjusting the length of each waveguide of the connection waveguide array 107, the leading value of the pulse is increased, the mode coupling is deepened, and the pulse Transform limit is possible. Further, the connection waveguide array 10
Since the waveguide length of No. 7 can be increased or decreased by an integral multiple of 1/2 wavelength without changing the set phase difference, the length up to the mirror 108 can be adjusted.

【0023】このように安定化されるとともに、パルス
幅を設定された短パルス光源は、特に超高速の伝送装置
に有用である。その理由を以下に述べる。
A short-pulse light source that is stabilized and has a pulse width set as described above is particularly useful for an ultra-high-speed transmission device. The reason is described below.

【0024】(1) 超短パルスを光源に用いる高速の
伝送装置では、伝送路中の分散のために波形が劣化する
のが避けられないので、分散補償装置が不可欠である
が、光源の波長変動があると、分散補償装置が十分に動
作しない。また、一般に分散補償装置は波長依存性が強
いので、光源の波長を分散補償装置に合わせて設計しな
ければならない。この理由から、波長安定化された波長
設定可能な短パルス光源は、有用である。
(1) In a high-speed transmission device using an ultrashort pulse as a light source, a waveform is inevitably deteriorated due to dispersion in a transmission line. Therefore, a dispersion compensator is indispensable. If there is a fluctuation, the dispersion compensator does not operate sufficiently. In addition, since a dispersion compensator generally has a strong wavelength dependence, the wavelength of the light source must be designed in accordance with the dispersion compensator. For this reason, a wavelength-stabilized short-pulse light source whose wavelength is stabilized is useful.

【0025】(2) 高速の伝送を困難にしている原因
は、光ファイバ中の非線形効果による波形歪みである。
システム設計は予めこの波形歪みを計算に入れて行われ
るが、非線形効果の大きさはパルス波高で決定される。
入射パルスの平均強度はAGC(自動利得制御回路)等
で制御可能なので、パルス幅を設定できれば、パルス波
高を定めることができる。パルス波高を設定できない
と、システムマージンを過大に設定する必要があり、高
速の伝送装置の設計が困難となる。この理由から、パル
ス幅を設定可能な短パルス光源は、有用である。
(2) The cause of difficulty in high-speed transmission is waveform distortion due to nonlinear effects in an optical fiber.
The system is designed in advance by taking this waveform distortion into account, and the magnitude of the nonlinear effect is determined by the pulse height.
Since the average intensity of the incident pulse can be controlled by an AGC (automatic gain control circuit) or the like, if the pulse width can be set, the pulse height can be determined. If the pulse height cannot be set, it is necessary to set the system margin excessively, and it becomes difficult to design a high-speed transmission device. For this reason, a short pulse light source whose pulse width can be set is useful.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の短パルス
光源は、所望の光波形(パルス幅)の短光パルス列を発
生することが可能である。例えば、光パルス列の中心波
長とパルス幅が設定が可能となる。また、各モードの位
相を独立に制御して、パルス形状の設計が可能となる。
また、トランスフォームリミットに近い光パルス列を得
ることができる。さらに、小型にモジュール化できるた
め、取扱いも容易となるとともに、他の装置への組み込
みも可能となるなどの利点がある。したがって、本発明
の短パルス光源は、高速の光信号処理装置、伝送装置等
に使用することができる。
As described above, the short pulse light source of the present invention can generate a short light pulse train having a desired light waveform (pulse width). For example, the center wavelength and pulse width of an optical pulse train can be set. Further, it is possible to independently control the phase of each mode to design a pulse shape.
Further, an optical pulse train close to the transform limit can be obtained. Further, since the module can be made small and modular, there is an advantage that handling is easy and that it can be incorporated into other devices. Therefore, the short pulse light source of the present invention can be used for a high-speed optical signal processing device, a transmission device, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる短パルス光源の一実施例の構成
図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of one embodiment of a short pulse light source according to the present invention.

【図2】図1のII-II'線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG.

【図3】図1のIII-III'線に沿う断面図であるFIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG.

【図4】図1のIV-IV'線に沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV ′ of FIG. 1;

【図5】従来の短パルス光源の一例であるモードロック
型レーザのブロック構成図である。
FIG. 5 is a block diagram of a mode-locked laser which is an example of a conventional short pulse light source.

【図6】従来の短パルス光源の他の例である、多数の波
長の光を同時に発信する多波長光源の構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a multi-wavelength light source, which is another example of a conventional short pulse light source, that simultaneously emits light of many wavelengths.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 アレイ導波路回折格子 101 InP基板 102 スラブ導波路 103 アレイ導波路 104 スラブ導波路 105 光変調部 106 光増幅部 107 接続導波路アレイ 108 ミラー(高反射膜) 109 ミラー(高反射膜) 110 AuZnNi電極層 111 p+ −1.5Q−InGaAsPコンタクト層 112 p−InPクラッド層 113 i−InPエッチストップ層 114 0. 9Q−InGaAsP/1. 1Q−InG
aAsP−5wellの歪み量子井戸層 115 n−InPクラッド層 116 AuGeNi電極層 117 0. 9Q−InGaAsP/1. 3Q−InG
aAsP−2wellの歪み量子井戸層 118 1. 3Q−InGaAsP層 119 光変調部駆動回路 120 光増幅部励起回路
REFERENCE SIGNS LIST 100 Array waveguide diffraction grating 101 InP substrate 102 Slab waveguide 103 Array waveguide 104 Slab waveguide 105 Optical modulator 106 Optical amplifier 107 Connecting waveguide array 108 Mirror (high reflection film) 109 Mirror (high reflection film) 110 AuZnNi Electrode layer 111 p + -1.5Q-InGaAsP contact layer 112 p-InP cladding layer 113 i-InP etch stop layer 114 0.9Q-InGaAsP / 1.1Q-InG
aAsP-5 well strained quantum well layer 115 n-InP cladding layer 116 AuGeNi electrode layer 117 0.9Q-InGaAsP / 1.3Q-InG
aAsP-2 well strained quantum well layer 118 1.3 Q-InGaAsP layer 119 optical modulation section drive circuit 120 optical amplification section excitation circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神徳 正樹 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masaki Shintoku Nippon Telegraph and Telephone Corporation 3-19-2, Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1および第2のスラブ導波路と、前記
スラブ導波路間を結ぶ複数の導波路から構成されるアレ
イ導波路回折格子と、 前記アレイ導波路回折格子の一端に設けられる光変調部
および光増幅部と、 前記アレイ導波路回折格子を挟むように設けられている
第1および第2のミラーと、 前記第2のスラブ導波路と前記第2のミラーを接続する
複数の接続導波路と、 前記光変調部を駆動する変調部駆動回路と、 前記光増幅部に反転分布を形成する光増幅部励起回路
と、を具備することを特徴とする短パルス光源。
1. An arrayed waveguide diffraction grating comprising first and second slab waveguides, a plurality of waveguides connecting the slab waveguides, and light provided at one end of the arrayed waveguide diffraction grating A modulator and an optical amplifier; first and second mirrors provided so as to sandwich the arrayed waveguide diffraction grating; and a plurality of connections for connecting the second slab waveguide and the second mirror. A short pulse light source comprising: a waveguide; a modulator driving circuit that drives the optical modulator; and an optical amplifier excitation circuit that forms a population inversion in the optical amplifier.
【請求項2】 前記複数の接続導波路間の位相差が、第
1と第2のミラーとにより構成される共振器の分散を補
償するように設定されていることを特徴とする請求項1
に記載の短パルス光源。
2. The apparatus according to claim 1, wherein a phase difference between the plurality of connection waveguides is set so as to compensate for dispersion of a resonator constituted by first and second mirrors.
2. The short pulse light source according to 1.
JP15131998A 1998-06-01 1998-06-01 Short-pulse light source Pending JPH11346023A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002047217A1 (en) * 2000-12-08 2002-06-13 Photonixnet Kabushiki Kaisha Wavelength multiplexing light source and wavelength multiplexing device
JP2015185765A (en) * 2014-03-25 2015-10-22 学校法人慶應義塾 External resonator laser

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