JPH11346011A - 酸化物超電導体及びその表面処理方法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその表面処理方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化物超電導体の表面に化学処理を施すこと
によって安定化した表面を形成する。 【解決手段】 酸化物超電導体であるＹＢＣＯの表面１
０を研磨加工して平坦に形成すると、加工により損傷を
受けた劣化層が残留する。この劣化層を含む表面に超電
導化のための熱処理を施すと劣化層が溶融し、粒子６０
となり、表面粗度を劣化させる。そこで、熱処理の前に
表面を濃度が０．０１％の塩化水素メタノール液中に１
０秒間浸漬することにより、劣化層が除去され、安定化
された表面を得ることができる。
によって安定化した表面を形成する。 【解決手段】 酸化物超電導体であるＹＢＣＯの表面１
０を研磨加工して平坦に形成すると、加工により損傷を
受けた劣化層が残留する。この劣化層を含む表面に超電
導化のための熱処理を施すと劣化層が溶融し、粒子６０
となり、表面粗度を劣化させる。そこで、熱処理の前に
表面を濃度が０．０１％の塩化水素メタノール液中に１
０秒間浸漬することにより、劣化層が除去され、安定化
された表面を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物超電導体の
表面に対して研磨やイオンミリング等の機械加工を施し
たときに発生する大気中で不安定な表面の劣化層を除去
して、その後の薄膜の積層などの加熱過程に対して安定
化された表面を有する酸化物超電導体とその安定化処理
方法に関するものである。
表面に対して研磨やイオンミリング等の機械加工を施し
たときに発生する大気中で不安定な表面の劣化層を除去
して、その後の薄膜の積層などの加熱過程に対して安定
化された表面を有する酸化物超電導体とその安定化処理
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】組成化学式Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素
あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される酸
化物超電導体の表面は、研磨等の機械的手法で原子スケ
ールでの平坦性が得られている。しかし、酸化物超電導
体が良好な超電導性を示すには、研磨後さらに酸素雰囲
気中で熱処理を施して充分な酸素を浸透させる必要があ
る。このとき研磨表面には微少な粒が多数析出して表面
の平坦性を著しく劣化するという問題があった。また、
熱処理後に研磨をする場合には、研磨しろとして消失す
る部分も含めてより深くまで酸素を浸透（拡散）させる
必要があり、長時間の熱処理をしなければならなかっ
た。また、組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、
Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるいはそれらの合金、δは酸
素欠損量）で表される酸化物非超電導体は酸化物超電導
体と積層して超電導素子等の要素として重要であるが、
積層のプロセスにおいて熱処理を施す必要があり、前記
物質と同様に、表面に微少粒子が析出する、という問題
があった。前記のように表面に析出した粒子があると表
面の組成を特定することができないので、表面の化学的
な特性を再現性よく制御することができない不都合があ
った。
で、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素
あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される酸
化物超電導体の表面は、研磨等の機械的手法で原子スケ
ールでの平坦性が得られている。しかし、酸化物超電導
体が良好な超電導性を示すには、研磨後さらに酸素雰囲
気中で熱処理を施して充分な酸素を浸透させる必要があ
る。このとき研磨表面には微少な粒が多数析出して表面
の平坦性を著しく劣化するという問題があった。また、
熱処理後に研磨をする場合には、研磨しろとして消失す
る部分も含めてより深くまで酸素を浸透（拡散）させる
必要があり、長時間の熱処理をしなければならなかっ
た。また、組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、
Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるいはそれらの合金、δは酸
素欠損量）で表される酸化物非超電導体は酸化物超電導
体と積層して超電導素子等の要素として重要であるが、
積層のプロセスにおいて熱処理を施す必要があり、前記
物質と同様に、表面に微少粒子が析出する、という問題
があった。前記のように表面に析出した粒子があると表
面の組成を特定することができないので、表面の化学的
な特性を再現性よく制御することができない不都合があ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、原子サイズ
のレベルで観察して平坦に仕上がっている酸化物超電導
体の表面に熱処理の過程において析出する粒の原因を取
り除いて、表面の劣化を伴わない酸化物超電導体および
その表面処理方法を提供するものである。また、酸化物
超電導体の表面を原子サイズで平坦にし、かつ、（００
１）に沿った単位胞の長さ１．２ｎｍ（１２オグストロ
ーム）をステップの高さとする結晶面のステップで覆わ
れた表面をもち、最表面原子を特定した酸化物超電導体
を提供するものである。
のレベルで観察して平坦に仕上がっている酸化物超電導
体の表面に熱処理の過程において析出する粒の原因を取
り除いて、表面の劣化を伴わない酸化物超電導体および
その表面処理方法を提供するものである。また、酸化物
超電導体の表面を原子サイズで平坦にし、かつ、（００
１）に沿った単位胞の長さ１．２ｎｍ（１２オグストロ
ーム）をステップの高さとする結晶面のステップで覆わ
れた表面をもち、最表面原子を特定した酸化物超電導体
を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、組成化学式Ｍ
´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，
Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素あるいはそれらの合金、δは
酸素欠損量）で表される酸化物超電導体であって、化学
的処理を施すことによって熱処理に対して安定化された
析出粒子を伴わない表面を備えるものである。そして、
（００１）面を表面にもち、その最表面がＣｕ原子とＯ
原子からなるものである。さらに、最表面の次の原子面
がＭ´からなるものである。また、組成化学式Ｍ＊Ｂａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるい
はそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される酸化物非
超電導体であって、化学的処理を施すことによって熱処
理に対して安定化された析出粒子を伴わない表面を備え
るものである。そして、（００１）面を表面にもち、そ
の最表面がＣｕ原子とＯ原子からなるものである。さら
に、最表面の次の原子面がＭ＊からなるものである。
´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，
Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素あるいはそれらの合金、δは
酸素欠損量）で表される酸化物超電導体であって、化学
的処理を施すことによって熱処理に対して安定化された
析出粒子を伴わない表面を備えるものである。そして、
（００１）面を表面にもち、その最表面がＣｕ原子とＯ
原子からなるものである。さらに、最表面の次の原子面
がＭ´からなるものである。また、組成化学式Ｍ＊Ｂａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるい
はそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される酸化物非
超電導体であって、化学的処理を施すことによって熱処
理に対して安定化された析出粒子を伴わない表面を備え
るものである。そして、（００１）面を表面にもち、そ
の最表面がＣｕ原子とＯ原子からなるものである。さら
に、最表面の次の原子面がＭ＊からなるものである。
【０００５】さらに、本発明の処理方法は、組成化学式
Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ´はＹ，およびＮ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素あるいはそれらの合金、
δは酸素欠損量）で表される酸化物超電導体又は組成化
学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃ
の元素あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表さ
れる酸化物非超電導体の表面を安定化するための化学的
処理方法であって、表面を濃度が０．０１％の塩化水素
メタノール液中に１０秒間浸漬するものである。
Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ´はＹ，およびＮ
ｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素あるいはそれらの合金、
δは酸素欠損量）で表される酸化物超電導体又は組成化
学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃ
の元素あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表さ
れる酸化物非超電導体の表面を安定化するための化学的
処理方法であって、表面を濃度が０．０１％の塩化水素
メタノール液中に１０秒間浸漬するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１の（Ａ）は、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-δ（δは酸素欠損量）を代表例とする、いわゆる１２
３構造の酸化物超電導体（以下、単にＹＢＣＯと称す
る）の単層構造を示す説明図である。酸化物超電導体１
の表面１０は、例えば研磨加工Ｇｒを施して平坦度を確
保することができる。また、図１の（Ｂ）は、ＹＢＣＯ
の層１の上面に、絶縁体３を積層し、さらにＰｒＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは酸素欠損量）を代表例とする、いわ
ゆる１２３構造の酸化物非超電導体（以下、単にＰＢＣ
Ｏと称する）の薄膜層２を積層し、ランプ部１０を形成
し、ジョセフソン結合を作製するイオンミリング加工Ｉ
ｍ工程を示している。
7-δ（δは酸素欠損量）を代表例とする、いわゆる１２
３構造の酸化物超電導体（以下、単にＹＢＣＯと称す
る）の単層構造を示す説明図である。酸化物超電導体１
の表面１０は、例えば研磨加工Ｇｒを施して平坦度を確
保することができる。また、図１の（Ｂ）は、ＹＢＣＯ
の層１の上面に、絶縁体３を積層し、さらにＰｒＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは酸素欠損量）を代表例とする、いわ
ゆる１２３構造の酸化物非超電導体（以下、単にＰＢＣ
Ｏと称する）の薄膜層２を積層し、ランプ部１０を形成
し、ジョセフソン結合を作製するイオンミリング加工Ｉ
ｍ工程を示している。
【０００７】図２は、研磨加工を施したＹＢＣＯの表面
を原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した画像を模式的に
示す図面である。境界３０で区画される各領域４０は、
ＹＢＣＯの結晶面からなるステップ構造のテラス部分で
ある。
を原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で観察した画像を模式的に
示す図面である。境界３０で区画される各領域４０は、
ＹＢＣＯの結晶面からなるステップ構造のテラス部分で
ある。
【０００８】図３は、図２で観察したＹＢＣＯの表面の
粗度をラインＬ1とラインＬ2に沿って測定したラインプ
ロファイルの結果である。ラインＬ1に沿った表面粗度
に比べてラインＬ2に沿った表面粗度の値の変化が大き
い結果が得られている。
粗度をラインＬ1とラインＬ2に沿って測定したラインプ
ロファイルの結果である。ラインＬ1に沿った表面粗度
に比べてラインＬ2に沿った表面粗度の値の変化が大き
い結果が得られている。
【０００９】図４は、表面粗度が変化する原因を推測す
る説明図である。図４（Ａ）は、ラインＬ1に沿った結
晶表面の断面構造を模式化したものであって、原子サイ
ズレベルで隣接する結晶面４０が損傷（ダメージ）を受
けない状態で出現しているものと考えられる。図４
（Ｂ）は、ラインＬ2に沿った結晶表面の断面構造を模
式化したものであって、結晶面４０上に研磨加工によっ
て損傷（ダメージ）が原因で発生したと思われる劣化層
４２が出現しているものと考えられる。この劣化層４２
は、正常な結晶面４０上に堆積し、熱処理の過程で溶
融、固化して粒子となる。
る説明図である。図４（Ａ）は、ラインＬ1に沿った結
晶表面の断面構造を模式化したものであって、原子サイ
ズレベルで隣接する結晶面４０が損傷（ダメージ）を受
けない状態で出現しているものと考えられる。図４
（Ｂ）は、ラインＬ2に沿った結晶表面の断面構造を模
式化したものであって、結晶面４０上に研磨加工によっ
て損傷（ダメージ）が原因で発生したと思われる劣化層
４２が出現しているものと考えられる。この劣化層４２
は、正常な結晶面４０上に堆積し、熱処理の過程で溶
融、固化して粒子となる。
【００１０】図５は、図２で示した劣化層を含むＹＢＣ
Ｏの表面を、超電導化に必要な酸素分圧３Ｔｏｒｒ、温
度７００℃で３０分間熱処理した後の表面の原子力間顕
微鏡画像の模式図である。表面に粒子６０が存在するこ
とが確認された。この粒子６０は、劣化層４２を構成す
る析出物が熱処理により溶融、固化して粒子化されたも
のと考えられる。
Ｏの表面を、超電導化に必要な酸素分圧３Ｔｏｒｒ、温
度７００℃で３０分間熱処理した後の表面の原子力間顕
微鏡画像の模式図である。表面に粒子６０が存在するこ
とが確認された。この粒子６０は、劣化層４２を構成す
る析出物が熱処理により溶融、固化して粒子化されたも
のと考えられる。
【００１１】図６は、図５で示す表面をラインＬ3とラ
インＬ4に沿って表面粗度を測定した結果をラインプロ
ファイルとして示す。規則正しいステップ構造を示すラ
インＬ3に沿った表面粗度に比べて、ラインＬ4に沿った
表面粗度は、粒子６０の存在によって、明らかに劣化し
ている。この粒子６０の存在は、酸化物超電導体上に薄
膜に成膜して積層構造を作製する際に、界面の平坦化を
損なう原因となる。
インＬ4に沿って表面粗度を測定した結果をラインプロ
ファイルとして示す。規則正しいステップ構造を示すラ
インＬ3に沿った表面粗度に比べて、ラインＬ4に沿った
表面粗度は、粒子６０の存在によって、明らかに劣化し
ている。この粒子６０の存在は、酸化物超電導体上に薄
膜に成膜して積層構造を作製する際に、界面の平坦化を
損なう原因となる。
【００１２】そこで、本発明は化学的処理を施すことに
よって、劣化層を取り除き熱処理に対して安定化された
表面を有する酸化物超電導体及びその化学的処理方法を
提供するものである。本発明に使用される酸化物超電導
体の表面の化学的処理は、研磨加工が施された表面を、
濃度が０．０１％の塩化水素メタノール液中に１０秒間
浸漬する処理を施すものである。この化学的処理を施さ
れた表面は、劣化層が除去され安定化される。この表面
に対して熱処理を施しても、粒子の発生等が防止され
る。
よって、劣化層を取り除き熱処理に対して安定化された
表面を有する酸化物超電導体及びその化学的処理方法を
提供するものである。本発明に使用される酸化物超電導
体の表面の化学的処理は、研磨加工が施された表面を、
濃度が０．０１％の塩化水素メタノール液中に１０秒間
浸漬する処理を施すものである。この化学的処理を施さ
れた表面は、劣化層が除去され安定化される。この表面
に対して熱処理を施しても、粒子の発生等が防止され
る。
【００１３】図７及び図８は、同一の条件で研磨加工を
施したＹＢＣＯの表面を、そのままの状態で熱処理した
ものと、本発明の化学的処理を施したものとを比較する
原子力間顕微鏡画像を模式的に示す図面である。図７
は、未処理の表面を示し、熱処理によって表面に粒子６
０が発生している。
施したＹＢＣＯの表面を、そのままの状態で熱処理した
ものと、本発明の化学的処理を施したものとを比較する
原子力間顕微鏡画像を模式的に示す図面である。図７
は、未処理の表面を示し、熱処理によって表面に粒子６
０が発生している。
【００１４】図８は、本発明の化学的処理を施した表面
の熱処理後の表面を示すものである。化学的処理によっ
て、粒子の発生原因が除去され、安定化された表面が得
られることが実験により確認された。
の熱処理後の表面を示すものである。化学的処理によっ
て、粒子の発生原因が除去され、安定化された表面が得
られることが実験により確認された。
【００１５】図９は、Ｃｕ２ｐの表面原子の光電子分光
スペクトルを示すもので、カーブＣ1は未処理、カーブ
Ｃ2は本発明の化学処理、カーブＣ3は熱処理を施したも
のを示す。この図から、表面原子の電子構造も化学処
理、特に熱処理によって著しく改善されることが確認さ
れた。この表面の安定化処理は、図１の（Ｂ）で説明し
たジョセフソン結合を作製するランプ部の表面処理にも
当然に提供することが可能である。
スペクトルを示すもので、カーブＣ1は未処理、カーブ
Ｃ2は本発明の化学処理、カーブＣ3は熱処理を施したも
のを示す。この図から、表面原子の電子構造も化学処
理、特に熱処理によって著しく改善されることが確認さ
れた。この表面の安定化処理は、図１の（Ｂ）で説明し
たジョセフソン結合を作製するランプ部の表面処理にも
当然に提供することが可能である。
【００１６】図１０は本発明の化学処理を施したＹＢＣ
Ｏの（００１）表面を原子間力顕微鏡で観察した画像と
ラインプロファイルである。表面全体が１．２ｎｍ（１
２オグストローム）をステップの高さとする結晶面のス
テップで覆われていることを示す。
Ｏの（００１）表面を原子間力顕微鏡で観察した画像と
ラインプロファイルである。表面全体が１．２ｎｍ（１
２オグストローム）をステップの高さとする結晶面のス
テップで覆われていることを示す。
【００１７】図１１はＭ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δおよびＭ＊
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δの単位胞を示す。ここではＣｕを最表
面とした単位胞を示しているが、ＢａやＭ´（Ｍ＊）が
最表面にある場合も同様に１．２ｎｍの単位胞となる。
いずれの元素が最表面にあっても、単位胞（１．２ｎ
ｍ）のステップで覆われているかぎり、表面には同一の
元素が現れる。
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δの単位胞を示す。ここではＣｕを最表
面とした単位胞を示しているが、ＢａやＭ´（Ｍ＊）が
最表面にある場合も同様に１．２ｎｍの単位胞となる。
いずれの元素が最表面にあっても、単位胞（１．２ｎ
ｍ）のステップで覆われているかぎり、表面には同一の
元素が現れる。
【００１８】図１２は以前、我々が測定した全反射角ｘ
線分光スペクトルの結果である（J.Appl.Phys.74,438(1
993)）。Ｂａからの特性ｘ線だけが鋭いピークを示すこ
とから、ＹＢＣＯ薄膜の成膜が完了した時点ではＢａ元
素が最表面に存在することを示している。したがって、
ＹＢＣＯ薄膜の構造を模式的に示すと図１３のようにな
る。実験はＭ´がＹの場合であるが、すべてのＭ´Ｂａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δおよびＭ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δで同様の薄膜
成長がおこることは、Ｍ´やＭ＊が化学的に似た性質を
持つことから容易に類推できる。
線分光スペクトルの結果である（J.Appl.Phys.74,438(1
993)）。Ｂａからの特性ｘ線だけが鋭いピークを示すこ
とから、ＹＢＣＯ薄膜の成膜が完了した時点ではＢａ元
素が最表面に存在することを示している。したがって、
ＹＢＣＯ薄膜の構造を模式的に示すと図１３のようにな
る。実験はＭ´がＹの場合であるが、すべてのＭ´Ｂａ
2Ｃｕ3Ｏ7-δおよびＭ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δで同様の薄膜
成長がおこることは、Ｍ´やＭ＊が化学的に似た性質を
持つことから容易に類推できる。
【００１９】図１３の構造の薄膜に本発明の化学処理を
施すと、化学反応性が非常に強いＢａを含む原子層が溶
解して、ＣｕとＯとからなる層で反応の進行が弱まる。
化学処理後の表面には常に単位胞のステップが観察され
ることから、前記のＣｕを含む層はＹに隣接するＣｕと
Ｏとからなる原子層と考えられる。
施すと、化学反応性が非常に強いＢａを含む原子層が溶
解して、ＣｕとＯとからなる層で反応の進行が弱まる。
化学処理後の表面には常に単位胞のステップが観察され
ることから、前記のＣｕを含む層はＹに隣接するＣｕと
Ｏとからなる原子層と考えられる。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上のように、酸化物超電導体
の単結晶の表面を研磨加工により平坦化する際に結晶面
上に残留する劣化層や、積層型超電導素子を作製するた
めに、イオンミリング加工によって作製されるランプ部
の表面上に残留する劣化層を、化学的処理を施すことに
より除去して安定化された表面を形成するので、その後
の超電導化のための熱処理や成膜処理によっても、表面
に粒子等が発生することを防止することができる。した
がって、良好な超電導特性と結晶性を有する材料を得る
ことができる。この材料は超電導性基板材および超電導
グランドプレーンとして、それぞれ積層型超電導素子や
超電導素子の集積化の実現を可能にするものである。さ
らに、最表面原子を特定した酸化物超電導体を提供する
ことで、積層型超電導素子や超電導素子の集積化の再現
性の向上に大きく寄与するものである。
の単結晶の表面を研磨加工により平坦化する際に結晶面
上に残留する劣化層や、積層型超電導素子を作製するた
めに、イオンミリング加工によって作製されるランプ部
の表面上に残留する劣化層を、化学的処理を施すことに
より除去して安定化された表面を形成するので、その後
の超電導化のための熱処理や成膜処理によっても、表面
に粒子等が発生することを防止することができる。した
がって、良好な超電導特性と結晶性を有する材料を得る
ことができる。この材料は超電導性基板材および超電導
グランドプレーンとして、それぞれ積層型超電導素子や
超電導素子の集積化の実現を可能にするものである。さ
らに、最表面原子を特定した酸化物超電導体を提供する
ことで、積層型超電導素子や超電導素子の集積化の再現
性の向上に大きく寄与するものである。
【図１】酸化物超電導体の単層構造及び積層構造を示す
説明図。
説明図。
【図２】単層の表面の原子力間顕微鏡画像の模式図。
【図３】図３のラインＬ1，Ｌ2に沿った表面粗度のグラ
フ。
フ。
【図４】表面粗度が変化する原因を推測する説明図。
【図５】熱処理した後の表面の原子力間顕微鏡画像の模
式図。
式図。
【図６】図５のラインＬ3，Ｌ4に沿った表面粗度を測定
した結果を示すグラフ。
した結果を示すグラフ。
【図７】未処理の表面の模式図。
【図８】処理済の表面の模式図。
【図９】未処理、化学処理済、熱処理後の各Ｃｕ２ｐ光
電子分光スペクトル図。
電子分光スペクトル図。
【図１０】本発明の化学処理を施したＹＢＣＯの（００
１）表面を原子間力顕微鏡で観察した画像とラインプロ
ファイル。
１）表面を原子間力顕微鏡で観察した画像とラインプロ
ファイル。
【図１１】Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δおよびＭ＊Ｂａ2Ｃｕ3
Ｏ7-δの単位胞を示す図。
Ｏ7-δの単位胞を示す図。
【図１２】全反射角ｘ線分光スペクトルの結果を示す
図。
図。
【図１３】本発明による薄膜構造を示す説明図。
１ ＹＢＣＯ層 ２ ＰＢＣＯ層 １０ ＹＢＣＯ層の表面 ２０ ランプ部 ４０ 結晶面 ４２ 劣化層 ６０ 粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森下 忠隆 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 組成化学式Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素
あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される酸
化物超電導体であって、 化学的処理を施すことによって表面を安定化した後、熱
処理により超電導化した酸化物超電導体。 - 【請求項２】 組成化学式Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素
あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される
（００１）面を表面にもつ酸化物超電導体であって、 化学的処理を施すことによって表面を安定化した後、そ
の最表面がＣｕ原子とＯ原子からなる酸化物超電導体。 - 【請求項３】 組成化学式Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ´はＹ，およびＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素
あるいはそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される
（００１）面を表面にもつ酸化物超電導体であって、 化学的処理を施すことによって表面を安定化した後、そ
の最表面がＣｕ原子とＯ原子からなり、次の原子面がＭ
´からなる酸化物超電導体。 - 【請求項４】 組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるいはそれらの合金、δ
は酸素欠損量）で表される酸化物非超電導体であって、 化学的処理を施すことによって熱処理に対して安定化さ
れた表面を備える酸化物非超電導体。 - 【請求項５】 組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるいはそれらの合金、δ
は酸素欠損量）で表される（００１）面を表面にもつ酸
化物非超電導体であって、 化学的処理を施すことによって表面を安定化した後、そ
の最表面がＣｕ原子とＯ原子からなる酸化物非超電導
体。 - 【請求項６】 組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるいはそれらの合金、δ
は酸素欠損量）で表される（００１）面を表面にもつ酸
化物非超電導体であって、 化学的処理を施すことによって表面を安定化した後、そ
の最表面がＣｕ原子とＯ原子からなり、次の原子面がＭ
＊からなる酸化物非超電導体。 - 【請求項７】 組成化学式Ｍ´Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここ
で、Ｍ´はＹ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ等の希土類元素あるい
はそれらの合金、δは酸素欠損量）で表される酸化物超
電導体又は組成化学式Ｍ＊Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（ここで、
Ｍ＊はＰｒ，Ｓｃの元素あるいはそれらの合金、δは酸
素欠損量）で表される酸化物非超電導体の表面を安定化
するための化学的処理方法であって、 表面を濃度が０．０１％の塩化水素メタノール液中に１
０秒間浸漬する表面処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214283A JPH11346011A (ja) | 1998-03-30 | 1998-07-29 | 酸化物超電導体及びその表面処理方法 |
| EP99105153A EP0949692A3 (en) | 1998-03-30 | 1999-03-29 | Oxide superconductor and method of treating the surface thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-83476 | 1998-03-30 | ||
| JP8347698 | 1998-03-30 | ||
| JP10214283A JPH11346011A (ja) | 1998-03-30 | 1998-07-29 | 酸化物超電導体及びその表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11346011A true JPH11346011A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=26424499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10214283A Pending JPH11346011A (ja) | 1998-03-30 | 1998-07-29 | 酸化物超電導体及びその表面処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0949692A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11346011A (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6474989A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Takeda Chemical Industries Ltd | Dna to code human lysozyme |
| US5059581A (en) * | 1990-06-28 | 1991-10-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Passivation of high temperature superconductors |
| JP2818701B2 (ja) * | 1991-04-30 | 1998-10-30 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物高温超電導体の表面処理方法 |
| DE4117489A1 (de) * | 1991-05-28 | 1992-12-03 | Siemens Ag | Chemische politur einer oberflaeche eines kupfer enthaltenden keramischen supraleiters |
| JP3245506B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2002-01-15 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | ＬｎＢａ２ Ｃｕ３ Ｏ７−ｘ 単結晶基板の表面処理方法 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP10214283A patent/JPH11346011A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-29 EP EP99105153A patent/EP0949692A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0949692A3 (en) | 2004-03-31 |
| EP0949692A2 (en) | 1999-10-13 |
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