JPH11343568A - Production of brightened product and sputtering device - Google Patents
Production of brightened product and sputtering deviceInfo
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- JPH11343568A JPH11343568A JP15029698A JP15029698A JPH11343568A JP H11343568 A JPH11343568 A JP H11343568A JP 15029698 A JP15029698 A JP 15029698A JP 15029698 A JP15029698 A JP 15029698A JP H11343568 A JPH11343568 A JP H11343568A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光輝化製品の製造
方法及びスパッタリング装置に係り、詳しくは、基材の
複数の面に形成された金属薄膜層が、金属光沢を備えて
なる光輝化製品の製造方法、及び金属薄膜層を形成する
際に用いられるスパッタリング装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a luminous product and a sputtering apparatus, and more particularly to a luminous product in which a metal thin film layer formed on a plurality of surfaces of a substrate has a metallic luster. And a sputtering apparatus used when forming a metal thin film layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、図１０に示すように、例えば、光
輝化製品１０１は、ポリウレタンよりなる基材１０２
と、その基材１０２上に塗布形成されたベースコート層
１０３と、そのベースコート層１０３上に形成された金
属薄膜層１０４と、さらにその上に塗布形成されたトッ
プコート層１０５とからなっている。なお、前記ベース
コート層１０３は、金属薄膜層１０４を形成する際に、
主として被薄膜形成表面を鏡面状に形成するために設け
られるものであって、トップコート層１０５は、金属薄
膜層１０４等を保護するために設けられるものである。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 10, for example, a glitter product 101 is made of a base material 102 made of polyurethane.
And a base coat layer 103 formed on the base material 102, a metal thin film layer 104 formed on the base coat layer 103, and a top coat layer 105 formed thereon. The base coat layer 103 is used when forming the metal thin film layer 104.
The top coat layer 105 is provided mainly for forming the thin film formation surface into a mirror-like surface, and the top coat layer 105 is provided for protecting the metal thin film layer 104 and the like.
【０００３】そして、上記のように構成されてなる光輝
化製品１０１を製造するには、まず、基材１０２上に塗
料を塗布してベースコート層１０３を形成する。続い
て、後述するスパッタリング装置を用いてベースコート
層１０３上に金属薄膜層１０４を形成した後、金属薄膜
層１０４上に塗料を塗布してトップコート層１０５を形
成する。このようにして、上述した光輝化製品１０１が
得られる。[0003] In order to manufacture the glittering product 101 having the above-described structure, first, a coating material is applied on a base material 102 to form a base coat layer 103. Subsequently, after a metal thin film layer 104 is formed on the base coat layer 103 using a sputtering device described later, a paint is applied on the metal thin film layer 104 to form a top coat layer 105. In this way, the above-mentioned glitter product 101 is obtained.
【０００４】ここで、前記金属薄膜層１０４を形成する
際に用いられる従来のスパッタリング装置においては、
図１１に示すように、真空槽（図示略）の上部には、ガ
ス導入管２０８が配設されており、そのガス導入管２０
８のガス導入口２０９から真空槽内へプロセスガス（例
えばアルゴンガス）が導入される。Here, in a conventional sputtering apparatus used for forming the metal thin film layer 104,
As shown in FIG. 11, a gas introduction pipe 208 is provided above a vacuum chamber (not shown).
Process gas (eg, argon gas) is introduced into the vacuum chamber from the gas inlet 209 of No. 8.
【０００５】そして、スパッタリング装置の電極間に電
圧を印加すると、グロー放電が発生し、真空槽内へ導入
されたプロセスガスがプラズマ状態となる。このとき、
プラズマ中の正イオン（例えばＡｒ+ ）が金属材料から
なるターゲット２０３表面に衝突して、ターゲット２０
３表面からターゲット原子がはじき飛ばされ、そのター
ゲット原子がベースコート層１０３上に付着する。この
ようにしてスパッタリングされた結果、ベースコート層
１０３上には前記金属薄膜層１０４が形成されることと
なる。[0005] When a voltage is applied between the electrodes of the sputtering apparatus, a glow discharge is generated, and the process gas introduced into the vacuum chamber is turned into a plasma state. At this time,
Positive ions (for example, Ar + ) in the plasma collide with the surface of the target 203 made of a metal material, and
The target atoms are repelled from the three surfaces, and the target atoms adhere to the base coat layer 103. As a result of the sputtering, the metal thin film layer 104 is formed on the base coat layer 103.
【０００６】また、真空槽内のプロセスガス等は、真空
槽の底部に配設された排気管からポンプで排気される。[0006] Process gas and the like in the vacuum chamber are exhausted by a pump from an exhaust pipe provided at the bottom of the vacuum chamber.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１１に示
すように、図中に二点鎖線で示したターゲット２０３に
対して近接部１０２ａ及び離隔部１０２ｂを有して複数
の面を備えてなる基材１０２が配置され、ガス導入口２
０９からプロセスガスが導入された場合、図中に散点模
様で模式的に示したプロセスガスの濃度分布は、基材１
０２の形状等に関係なく形成される。By the way, as shown in FIG. 11, a target 203 shown by a two-dot chain line in FIG. 11 is provided with a plurality of surfaces having a proximity portion 102a and a separation portion 102b. The substrate 102 is disposed, and the gas inlet 2
When the process gas is introduced from step 09, the concentration distribution of the process gas schematically shown by a dotted pattern
No. 02, regardless of the shape.
【０００８】しかしながら、上述したようなプロセスガ
スの濃度分布の状態では、図１２（ａ），（ｂ）に示す
ように、ベースコート層１０３全体に金属薄膜層１０４
をスパッタリングにより形成したとしても、同金属薄膜
層１０４の厚さは、微視的に見た場合に全体的に略均一
となっていない。特に、近接部１０２ａ及び離隔部１０
２ｂに相当する面の金属薄膜層１０４の厚さは、両者間
で極端に差異が生じる。なお、ここで、複数の面とは、
複数の平面だけではなく、曲面も含むものとする。すな
わち、曲面は、無数の面が連続したものである。[0008] However, in the state of the process gas concentration distribution as described above, as shown in FIGS.
Is formed by sputtering, the thickness of the metal thin film layer 104 is not substantially uniform as a whole when viewed microscopically. In particular, the proximity portion 102a and the separation portion 10
The thickness of the metal thin film layer 104 on the surface corresponding to 2b is extremely different between the two. In addition, here, a plurality of surfaces are:
It includes not only a plurality of planes but also a curved surface. That is, the curved surface is formed by countless surfaces continuous.
【０００９】より詳しく説明すると、金属薄膜層１０４
において、Ａ，Ｂ，Ｄ及びＥ点の厚さはＣ点の厚さより
も薄くなっており、近接部に１０２ａに相当する部分の
厚さは、略均一となり、離隔部１０２ｂに相当する部分
の厚さは、近接部１０２ａに相当する部分の厚さよりも
極端に薄くなっている。このように、金属薄膜層１０４
の厚さに極端な差異が生じる部分では、金属薄膜層１０
４の発する金属光沢にも極端なばらつきが生じる。More specifically, the metal thin film layer 104
In this case, the thickness at the points A, B, D and E is smaller than the thickness at the point C, and the thickness of the portion corresponding to 102a in the proximity portion is substantially uniform, and the thickness of the portion corresponding to the separation portion 102b is The thickness is extremely thinner than the thickness of a portion corresponding to the proximity portion 102a. Thus, the metal thin film layer 104
In areas where there is an extreme difference in the thickness of the metal thin film layer 10
Extreme variation also occurs in the metallic luster emitted from No. 4.
【００１０】なお従来、上述したスパッタリングに関す
る技術として、例えば特開平５−２０２４６８号公報
や、特開平７−１９７２４９号公報に記載されたものが
知られている。これらの技術は、半導体ウエハ上に金属
薄膜を形成する製造方法及び製造装置に関するものであ
る。[0010] Conventionally, as a technique relating to the above-mentioned sputtering, for example, those described in JP-A-5-202468 and JP-A-7-197249 are known. These techniques relate to a manufacturing method and a manufacturing apparatus for forming a metal thin film on a semiconductor wafer.
【００１１】前者の技術は、真空槽内にプロセスガスを
隅なく分散させるために、複数のガス導入口を設けただ
けのものである。後者の技術は、単一面しか有しない半
導体ウエハ上の金属薄膜の厚さを調整するために、ガス
導入口から供給されるガスの混合比を調整したり、バル
ブの開閉量の大小によりガス供給量を調節するものであ
る。従って、両者の技術を用いても、複数の面を有する
基材における金属薄膜の厚さの極端なばらつきは変わら
ない。In the former technique, only a plurality of gas inlets are provided in order to disperse the process gas in the vacuum chamber without any corners. The latter technology adjusts the mixing ratio of the gas supplied from the gas inlet to adjust the thickness of the metal thin film on the semiconductor wafer having only a single surface, or controls the gas supply by adjusting the opening and closing amount of the valve. The amount is adjusted. Therefore, even if both techniques are used, the extreme variation in the thickness of the metal thin film in the substrate having a plurality of surfaces does not change.
【００１２】本発明はこのような実情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、複数の面を有してなる基材上
に金属薄膜層の形成された光輝化製品において、金属薄
膜層の厚さの均一化を向上させて、その金属光沢のばら
つきを抑制することのできる光輝化製品の製造方法及び
スパッタリング装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a brightened product in which a metal thin film layer is formed on a substrate having a plurality of surfaces. It is an object of the present invention to provide a method for producing a luminous product and a sputtering apparatus, which can improve the uniformity of the thickness of the varnish and suppress the variation in the metallic luster.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、複数の面を有し
てなる基材上に、スパッタリング装置を用いて金属薄膜
層を形成する光輝化製品の製造方法であって、前記各面
に形成される前記金属薄膜層の厚さを略均一とするため
に、プロセスガスの濃度分布を変化させることをその要
旨とする。According to the first aspect of the present invention, a metal thin film layer is formed on a substrate having a plurality of surfaces by using a sputtering apparatus. A method of manufacturing a luminous product, the gist of which is to change the concentration distribution of a process gas in order to make the thickness of the metal thin film layer formed on each surface substantially uniform.
【００１４】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１に記載の光輝化製品の製造方法において、前記プロセ
スガスの濃度分布は、前記基材を前記スパッタリング装
置のターゲットに対向させたときに、該ターゲットに斜
めに向き合う面あるいは離隔する面が、正対する面ある
いは近接する面よりも濃密となるようにしたものである
ことをその要旨とする。According to a second aspect of the present invention, in the method for producing a luminous product according to the first aspect, the concentration distribution of the process gas is determined when the substrate is opposed to a target of the sputtering apparatus. The gist of the present invention is that a surface obliquely facing or away from the target is made denser than a surface facing or close to the target.
【００１５】さらに、請求項３に記載の発明では、請求
項１又は請求項２に記載の光輝化製品の製造方法におい
て、前記プロセスガスの濃度分布は、前記スパッタリン
グ装置内に開口するプロセスガスのガス導入口の多寡に
より得られたものであることをその要旨とする。Further, according to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a luminous product according to the first or second aspect, the concentration distribution of the process gas may be such that the concentration of the process gas opening into the sputtering apparatus is increased. The gist is that it is obtained by the number of gas inlets.
【００１６】併せて、請求項４に記載の発明では、請求
項１又は請求項２に記載の光輝化製品の製造方法におい
て、前記プロセスガスの濃度分布は、前記スパッタリン
グ装置内に開口する複数のガス導入口の開口面積を変え
ることにより得られたものであることをその要旨とす
る。According to a fourth aspect of the present invention, in the method for producing a luminous product according to the first or second aspect, the concentration distribution of the process gas is controlled by a plurality of process gas openings in the sputtering apparatus. The gist is that the gas inlet is obtained by changing the opening area of the gas inlet.
【００１７】加えて、請求項５に記載の発明において
は、真空槽と、該真空槽内に配設されるターゲット及び
アノードと、前記ターゲットに対向するように基材を所
定位置にて支持する支持手段と、前記真空槽内へプロセ
スガスを導入するガス導入口を有してなるガス導入路と
を備えてなるスパッタリング装置であって、前記基材の
複数の面上に形成される金属薄膜層の厚さを略均一とす
るために、プロセスガスの濃度分布を設定するようにし
た濃度分布設定手段を設けたことをその要旨とする。In addition, in the invention according to claim 5, the vacuum chamber, the target and the anode provided in the vacuum chamber, and the base material are supported at a predetermined position so as to face the target. What is claimed is: 1. A sputtering apparatus comprising: a support means; and a gas introduction path having a gas introduction port for introducing a process gas into the vacuum chamber, wherein the metal thin film is formed on a plurality of surfaces of the substrate. The gist of the invention is to provide a concentration distribution setting means for setting the concentration distribution of the process gas in order to make the thickness of the layer substantially uniform.
【００１８】また、請求項６に記載の発明によれば、請
求項５に記載のスパッタリング装置において、前記濃度
分布設定手段は、前記基材を前記ターゲットに対向させ
たときに、該ターゲットに斜めに向き合う面あるいは離
隔する面が、正対する面あるいは近接する面よりも濃密
となるようにしたものであることをその要旨とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the sputtering apparatus according to the fifth aspect, when the base material is opposed to the target, the concentration distribution setting means may be inclined to the target. The gist of the present invention is that the surface facing or separating from the surface is denser than the facing surface or the adjacent surface.
【００１９】さらに、請求項７に記載の発明によれば、
請求項５又は請求項６に記載のスパッタリング装置にお
いて、前記濃度分布設定手段は、前記真空槽内に開口す
るプロセスガスのガス導入口の多寡により得られたもの
であることをその要旨とする。Further, according to the invention described in claim 7,
In the sputtering apparatus according to claim 5 or 6, the gist is that the concentration distribution setting means is obtained by the number of gas inlets of the process gas opened in the vacuum chamber.
【００２０】併せて、請求項８に記載の発明によれば、
請求項５又は請求項６に記載のスパッタリング装置にお
いて、前記濃度分布設定手段は、前記真空槽内に開口す
る複数のガス導入口の開口面積を変えることにより得ら
れたものであることをその要旨とする。In addition, according to the invention described in claim 8,
7. The sputtering apparatus according to claim 5, wherein the concentration distribution setting means is obtained by changing an opening area of a plurality of gas introduction ports opened in the vacuum chamber. And
【００２１】（作用）上記請求項１に記載の発明によれ
ば、複数の面を有してなる基材上に、スパッタリング装
置を用いて金属薄膜層が形成される。この場合、前記基
材の各面に形成される前記金属薄膜層の厚さを略均一と
するために、プロセスガスの濃度分布を変化させるよう
にしている。そのため、複数の面を有してなる基材上に
は、金属薄膜層の厚さが略均一となるように形成される
こととなる。従って、金属薄膜層の厚さに極端な差異は
生じず、その金属薄膜層の発する金属光沢にもばらつき
は生じにくい。(Operation) According to the first aspect of the present invention, a metal thin film layer is formed on a substrate having a plurality of surfaces by using a sputtering apparatus. In this case, in order to make the thickness of the metal thin film layer formed on each surface of the base material substantially uniform, the concentration distribution of the process gas is changed. Therefore, on a substrate having a plurality of surfaces, the metal thin film layer is formed so as to have a substantially uniform thickness. Therefore, no extreme difference occurs in the thickness of the metal thin film layer, and the metallic gloss generated by the metal thin film layer hardly varies.
【００２２】また、上記請求項２から請求項４のいずれ
かに記載の発明によっても、複数の面を有してなる基材
上に形成される金属薄膜層の厚さを略均一とするため
に、プロセスガスの濃度分布を変化させるようにしてい
るため、請求項１に記載の発明の作用が確実に奏され
る。According to the present invention, the thickness of the metal thin film layer formed on the substrate having a plurality of surfaces can be made substantially uniform. In addition, since the concentration distribution of the process gas is changed, the effect of the invention described in claim 1 is reliably achieved.
【００２３】さらに、上記請求項５に記載の発明によれ
ば、スパッタリング装置の真空槽内へガス導入路のガス
導入口からプロセスガスが導入される。そして、スパッ
タリング装置の電極間に電圧を印加すると、グロー放電
が発生し、真空槽内へ導入されたプロセスガスがプラズ
マ状態となる。このとき、プラズマ中の正イオンがター
ゲット表面に衝突して、ターゲット表面からターゲット
原子がはじき飛ばされ、そのターゲット原子が基材上に
付着する。このようにして、複数の面を有してなる基材
上には、金属薄膜層が形成される。Further, according to the fifth aspect of the present invention, the process gas is introduced into the vacuum chamber of the sputtering apparatus from the gas inlet of the gas introduction path. Then, when a voltage is applied between the electrodes of the sputtering apparatus, a glow discharge occurs, and the process gas introduced into the vacuum chamber becomes a plasma state. At this time, positive ions in the plasma collide with the target surface, and target atoms are repelled from the target surface, and the target atoms adhere to the base material. Thus, a metal thin film layer is formed on a substrate having a plurality of surfaces.
【００２４】ここで、前記スパッタリング装置には、前
記基材の複数の面上に形成される前記金属薄膜層の厚さ
を略均一とするために、プロセスガスの濃度分布を設定
するようにした濃度分布設定手段が設けられているた
め、前記基材の各面上には、金属薄膜層の厚さが略均一
となるように形成される。従って、上述した場合と同様
に、金属薄膜層の発する金属光沢にもばらつきは生じに
くい。Here, in the sputtering apparatus, the concentration distribution of the process gas is set in order to make the thickness of the metal thin film layer formed on a plurality of surfaces of the substrate substantially uniform. Since the concentration distribution setting means is provided, the metal thin film layer is formed on each surface of the base material so as to have a substantially uniform thickness. Therefore, as in the case described above, the metallic gloss generated by the metal thin film layer hardly varies.
【００２５】併せて、上記請求項６から請求項８のいず
れかに記載の発明によっても、濃度分布設定手段によ
り、請求項５に記載の発明の作用が確実に奏される。In addition, according to any one of the sixth to eighth aspects of the present invention, the operation of the fifth aspect of the invention is reliably achieved by the concentration distribution setting means.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
の形態について、図面に従って説明する。図１，図２に
示すように、光輝化製品としてのラジエータグリル１１
は、基材１２と、その基材１２上に塗布形成されたベー
スコート層１３と、そのベースコート層１３上に形成さ
れた金属薄膜層１４と、さらにその上に塗布形成された
トップコート層１５とからなっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, a radiator grill 11 as a glitter product
A base coat layer 13 formed on the base material 12, a metal thin film layer 14 formed on the base coat layer 13, and a top coat layer 15 formed thereon. Consists of
【００２７】基材１２は、平坦部１２ａと、その両側に
一体形成された湾曲部１２ｂとから構成されている。ま
た、平坦部１２ａは図中左右方向に略真っ直ぐ延びるよ
うに形成されており、両湾曲部１２ｂは若干湾曲するよ
うに形成されている。さらに、基材１２は、ゴム成分
（例えばエチレン−プロピレン系）及び水酸基（ＯＨ
基）を有するジエン系ポリマー成分の混入されたポリプ
ロピレン（例えば三菱化学株式会社製 商品名：ＦＧ５
−１）により、公知の射出成形法により形成されてい
る。なお、基材１２表面には付着性成分として水酸基等
が存在している。The substrate 12 is composed of a flat portion 12a and curved portions 12b integrally formed on both sides thereof. The flat portion 12a is formed so as to extend substantially straight in the left-right direction in the figure, and both curved portions 12b are formed to be slightly curved. Further, the base material 12 includes a rubber component (for example, ethylene-propylene) and a hydroxyl group (OH
(For example, FG5 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) mixed with a diene polymer component having a
According to -1), it is formed by a known injection molding method. In addition, a hydroxyl group or the like exists as an adhesive component on the surface of the base material 12.
【００２８】また、ベースコート層１３は、ウレタン塗
料を主成分としており、１１０℃で９０分間焼付けられ
ることにより構成され、その膜厚が「約２５μｍ」とな
っている。但し、本実施の形態において、ベースコート
層１３を形成する塗料は、１分子中に水酸基を３個以上
１０個以下備えたポリエステルポリオールと、そのポリ
エステルポリオールの分子数と同じ分子数のイソシアネ
ートとを含有している。従って、ポリエステルポリオー
ルとイソシアネートとが反応して、ウレタン結合を形成
したとしても、塗料中には水酸基が残存し、極性が生じ
ることとなる。The base coat layer 13 contains a urethane paint as a main component, is baked at 110 ° C. for 90 minutes, and has a thickness of “about 25 μm”. However, in the present embodiment, the paint forming the base coat layer 13 contains a polyester polyol having 3 to 10 hydroxyl groups in one molecule and an isocyanate having the same number of molecules as the polyester polyol. doing. Therefore, even if the polyester polyol reacts with the isocyanate to form a urethane bond, a hydroxyl group remains in the paint and polarity is generated.
【００２９】ここで、ベースコート層１３を形成する塗
料成分としては、アルキド樹脂又はアクリル樹脂等の硬
質塗料成分や、ポリエステル又はポリエーテル等の軟質
塗料成分を使用してもよい。なお、これらの硬質塗料成
分及び軟質塗料成分を、それぞれ単独で使用してもよい
し、それらを併用してもよい。Here, as a paint component for forming the base coat layer 13, a hard paint component such as an alkyd resin or an acrylic resin, or a soft paint component such as polyester or polyether may be used. In addition, these hard paint components and soft paint components may be used alone or in combination.
【００３０】本実施の形態では、前記ベースコート層１
３は、そのガラス転移点が−１０℃であり、比較的柔ら
かいものとなっている。そして、前記ベースコート層１
３には、さらにメルカプト基を有するシランカップリン
グ剤（例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
等）が１. ５重量％配合されている。なお、メルカプト
基を有するシランカップリング剤としては、特にγ−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシランを使用するのが望
ましい。In the present embodiment, the base coat layer 1
Sample No. 3 has a glass transition point of -10 ° C and is relatively soft. And the base coat layer 1
No. 3 further contains 1.5% by weight of a silane coupling agent having a mercapto group (for example, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, etc.). As a silane coupling agent having a mercapto group, it is particularly desirable to use γ-mercaptopropyltrimethoxysilane.
【００３１】さらに、トップコート層１５は、ウレタン
系の塗料（例えば、藤倉化成株式会社製 商品名：ＴＧ
−Ｔ−２２８７）を主成分としたものが塗布され、７０
℃で７０分間焼付けられることにより構成され、その膜
厚が「約２５μｍ」となっている。併せて、金属薄膜層
１４は、金属材料のクロム（例えば高純度化学株式会社
製 純度９９．９９％）により、その膜厚が「約４００
Å」程度に形成されている。Further, the top coat layer 15 is formed of a urethane-based paint (for example, TG, manufactured by Fujikura Kasei Co., Ltd.).
-T-2287) as the main component,
The film is baked at 70 ° C. for 70 minutes, and its film thickness is “about 25 μm”. In addition, the metal thin film layer 14 is made of chromium (for example, purity 99.99%, manufactured by Kojundo Chemical Co., Ltd.) with a thickness of about 400
Å ”.
【００３２】本実施の形態において、前記金属薄膜層１
４は、巨視的には、金属膜として視認されうるものであ
るが、微視的には、微細な金属粒を敷き詰めたような連
続的な（隣りあう金属粒が接触している）組織構造を有
している。より詳しく説明すると、金属薄膜層１４は、
ベースコート層１３上に多数の金属粒が敷き詰められる
ことにより構成され、金属粒同士の境界部分は、いわゆ
る結晶粒界１６となっている。In this embodiment, the metal thin film layer 1
4 is a macroscopically visible structure that can be visually recognized as a metal film, but microscopically, a continuous (adjacent metal particle is in contact) tissue structure in which fine metal particles are spread. have. More specifically, the metal thin film layer 14
A large number of metal grains are spread over the base coat layer 13, and a boundary between the metal grains is a so-called crystal grain boundary 16.
【００３３】次に、スパッタリング装置を図面に従って
説明する。図３，図４に示すように、スパッタリング装
置２１は、有蓋円筒状の真空槽２２と、該真空槽２２内
の中心部に配設されるターゲット２３と、該ターゲット
２３を囲むようにして配設されたアノード２４等とを有
している。ターゲット２３は、金属材料のクロムから円
柱状に形成されており、カソード（図示略）に電気的に
接続されている。アノード２４は、その下部に形成され
た環状部２４ａと、その環状部２４ａ上に所定間隔をお
いて形成された４本の棒状部２４ｂとを備えている。な
お、図３においては、真空槽２２の下部を開放して描い
てあるが、実際には閉塞されている。Next, the sputtering apparatus will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the sputtering apparatus 21 is provided with a covered cylindrical vacuum chamber 22, a target 23 provided in the center of the vacuum chamber 22, and a target 23. Anode 24 and the like. The target 23 is formed in a column shape from chromium as a metal material, and is electrically connected to a cathode (not shown). The anode 24 includes an annular portion 24a formed at a lower portion thereof, and four rod portions 24b formed at predetermined intervals on the annular portion 24a. In FIG. 3, the lower part of the vacuum chamber 22 is drawn open, but is actually closed.
【００３４】また、真空槽２２内には台車２５が回転可
能に配設されており、その台車２５には支持手段として
の支持柱２６が軸２７で回転可能に支持されている。そ
して、その支持柱２６には、ベースコート層１３の形成
された前記基材１２が所定位置にて支持されるようにな
っており、それらは支持柱２６とともに回転される。な
お、ベースコート層１３上に前記金属薄膜層１４を形成
する際に、台車２５はターゲット２３を中心に、支持柱
２６は自身の軸線を中心に、それぞれ所定速度で回転す
る。A carriage 25 is rotatably disposed in the vacuum chamber 22, and a support column 26 as a support means is rotatably supported on the carriage 25 by a shaft 27. The support column 26 supports the base material 12 on which the base coat layer 13 is formed at a predetermined position, and these are rotated together with the support column 26. When the metal thin film layer 14 is formed on the base coat layer 13, the carriage 25 rotates at a predetermined speed around the target 23, and the support pillar 26 rotates around its own axis at a predetermined speed.
【００３５】さらに、真空槽２２の上部から下部に向か
うように、同真空槽２２の内壁面に沿った部分には、ガ
ス導入路としてのガス導入管２８が配設されており、そ
のガス導入管２８のガス導入口２９から真空槽２２内へ
プロセスガス（例えばアルゴンガス）が導入されるよう
になっている。また、真空槽２２内のプロセスガス等
は、真空槽２２の底部に配設された排気管３０からポン
プ３１で排気されるように設定されている。Further, a gas introduction pipe 28 as a gas introduction passage is provided at a portion along the inner wall surface of the vacuum tank 22 so as to extend from the upper part to the lower part of the vacuum tank 22. A process gas (for example, argon gas) is introduced from the gas inlet 29 of the tube 28 into the vacuum chamber 22. The process gas and the like in the vacuum chamber 22 are set to be exhausted by a pump 31 from an exhaust pipe 30 provided at the bottom of the vacuum chamber 22.
【００３６】本実施の形態にあっては、真空槽２２内へ
導入されるプロセスガスの濃度分布、すなわち図５に散
点模様で模式的に示した分布となるように調整すべく、
次のような濃度分布設定手段を採用している。In the present embodiment, in order to adjust the concentration distribution of the process gas introduced into the vacuum chamber 22, that is, the distribution schematically shown by the dotted pattern in FIG.
The following density distribution setting means is employed.
【００３７】図３，図５に示すように、ガス導入管２８
に設けられたガス導入口２９の数を、平坦部１２ａに対
応する部分よりも湾曲部１２ｂに対応する部分を多くし
たものである。より詳しく説明すると、濃度分布設定手
段は、前記基材１２の平坦部１２ａ及び湾曲部１２ｂの
上、つまりベースコート層１３表面に形成される前記金
属薄膜層１４の厚さを略均一とするためのものであり、
前記真空槽２２内へ導入されるプロセスガスの濃度分布
を、平坦部１２ａに対応する部分よりも湾曲部１２ｂに
対応する部分を濃密としたものである。As shown in FIGS. 3 and 5, the gas introduction pipe 28
The number of the gas inlets 29 provided in the first portion is larger in a portion corresponding to the curved portion 12b than in a portion corresponding to the flat portion 12a. More specifically, the concentration distribution setting means serves to make the thickness of the metal thin film layer 14 formed on the flat portion 12a and the curved portion 12b of the base material 12, that is, on the surface of the base coat layer 13, substantially uniform. Things,
The concentration distribution of the process gas introduced into the vacuum chamber 22 is such that the portion corresponding to the curved portion 12b is denser than the portion corresponding to the flat portion 12a.
【００３８】さて、公知の射出成形法により形成された
ラジエータグリル１１の基材１２の表面をイソプロピル
アルコール等により脱脂洗浄し、風乾させる。次に、ベ
ースコート層用の塗料を塗布し、１１０℃の高温下で９
０分間焼付ける。この焼付により、図３〜図５に示すよ
うに、基材１２上には膜厚「約２５μｍ」のベースコー
ト層１３が形成される。The surface of the base material 12 of the radiator grill 11 formed by a known injection molding method is degreased and washed with isopropyl alcohol or the like, and air-dried. Next, a paint for a base coat layer is applied, and the paint is applied at a high temperature of 110 ° C.
Bake for 0 minutes. By this baking, as shown in FIGS. 3 to 5, a base coat layer 13 having a thickness of “about 25 μm” is formed on the base material 12.
【００３９】続いて、スパッタリング装置２１に前記ベ
ースコート層１３が形成された基材１２をセットし、初
期真空度「６．０×１０-3Ｐａ」、製膜真空度（Ａｒガ
ス圧）「１．０×１０-1Ｐａ」、或いは「５．０×１０
-2Ｐａ」の条件下で、クロムを用いてスパッタリングを
行う。なお、このときの電圧は「５５０Ｖ」、電流は
「８０Ａ」である。すると、図６（ａ）に示すように、
ベースコート層１３上には、上述した結晶粒界１６を有
する金属薄膜層１４が形成される。Subsequently, the base material 12 on which the base coat layer 13 was formed was set in the sputtering apparatus 21, and the initial vacuum degree was “6.0 × 10 −3 Pa” and the film forming vacuum degree (Ar gas pressure) was “1”. 0.0 × 10 −1 Pa ”or“ 5.0 × 10 −1 Pa ”
Under the condition of “ −2 Pa”, sputtering is performed using chromium. At this time, the voltage is “550 V” and the current is “80 A”. Then, as shown in FIG.
On the base coat layer 13, the metal thin film layer 14 having the crystal grain boundaries 16 described above is formed.
【００４０】ここで、スパッタリング装置２１を用いて
金属薄膜層１４を形成する工程について、更に詳述す
る。まず、図３，図４に示すように、スパッタリング装
置２１の真空槽２２内を初期真空度となるようにポンプ
３１で排気し、その後、製膜真空度となるようにガス導
入口２９から真空槽２２内へアルゴンガスを導入する。
このとき、図５に示すように、前記真空槽２２内へ導入
されるプロセスガスの濃度分布、すなわち図中に散点模
様で示した部分は、ターゲット２３に近接して正対した
平坦部１２ａに対応する部分よりも、ターゲット２３か
ら離隔し、ターゲット２３に対して斜めに向き合う湾曲
部１２ｂに対応した部分が濃密な状態となっている。Here, the step of forming the metal thin film layer 14 using the sputtering apparatus 21 will be described in more detail. First, as shown in FIGS. 3 and 4, the inside of the vacuum chamber 22 of the sputtering apparatus 21 is evacuated by the pump 31 so as to have an initial vacuum degree, and then the vacuum is introduced from the gas inlet 29 so as to have a film forming vacuum degree. Argon gas is introduced into the tank 22.
At this time, as shown in FIG. 5, the concentration distribution of the process gas introduced into the vacuum chamber 22, that is, the portion indicated by the dotted pattern in the drawing is a flat portion 12 a The portion corresponding to the curved portion 12b that is farther from the target 23 and that faces the target 23 at an angle is denser than the portion corresponding to.
【００４１】そして、前記スパッタリング装置２１の電
極間に電圧を印加すると、グロー放電が発生し、前記真
空槽２２内へ導入されたアルゴンガスがプラズマ状態と
なる。このとき、プラズマ中のアルゴンイオン（Ａ
ｒ+ ）がターゲット２３の表面に衝突して、ターゲット
２３の表面からクロム原子がはじき飛ばされ、そのクロ
ム原子がベースコート層１３上に付着する。When a voltage is applied between the electrodes of the sputtering apparatus 21, a glow discharge is generated, and the argon gas introduced into the vacuum chamber 22 becomes a plasma state. At this time, argon ions (A
r + ) collides with the surface of the target 23, and chromium atoms are repelled from the surface of the target 23, and the chromium atoms adhere to the base coat layer 13.
【００４２】この場合、プロセスガスの濃度分布が濃密
な部分に対応するターゲット２３の表面、すなわち湾曲
部１２ｂに対応する部分のターゲット２３表面からは多
数のクロム原子がはじき飛ばされ、プロセスガスの濃度
分布が希薄な部分に対応するターゲット２３の表面、す
なわち平坦部１２ａに対応する部分のターゲット２３表
面からは少数のクロム原子がはじき飛ばされることとな
る。従って、ベースコート層１３上において、ターゲッ
ト２３から離隔した位置にある両湾曲部１２ｂに相当す
る部分でも、クロム原子は従来の場合より付着しやすく
なっている。In this case, a large number of chromium atoms are repelled from the surface of the target 23 corresponding to the portion where the concentration distribution of the process gas is dense, ie, the surface of the target 23 corresponding to the curved portion 12b. A small number of chromium atoms are repelled from the surface of the target 23 corresponding to the portion where the chromium is weak, that is, the surface of the target 23 corresponding to the flat portion 12a. Therefore, the chromium atoms are more likely to adhere to the portions corresponding to the two curved portions 12b at positions separated from the target 23 on the base coat layer 13 than in the conventional case.
【００４３】このようにしてスパッタリングされた結
果、図６（ａ），（ｂ）に示すように、金属薄膜層１４
の厚さは、微視的に見た場合でも、全体的に略均一とな
っている。より詳しく説明すると、金属薄膜層１４にお
いて、Ａ，Ｂ，Ｄ及びＥ点の湾曲部１２ｂに相当する部
分の厚さは、Ｃ点の平坦部１２ａに相当する部分の厚さ
よりも若干薄くなっているが、両者間の厚さの差異はほ
とんどない。As a result of the sputtering as described above, as shown in FIGS.
Has a substantially uniform thickness as a whole even when viewed microscopically. More specifically, in the metal thin film layer 14, the thickness of the portion corresponding to the curved portion 12b at the points A, B, D, and E is slightly smaller than the thickness of the portion corresponding to the flat portion 12a at the point C. However, there is almost no difference in thickness between the two.
【００４４】その後、金属薄膜層１４の上からトップコ
ート層用の塗料を塗布し、７０℃の高温下で７０分間焼
付ける。この焼付により、図１，図２に示すように、金
属薄膜層１４上には膜厚「約２５μｍ」のトップコート
層１５が形成される。そして、焼付完了後、一日室温で
放置することにより、上述したラジエータグリル１１が
得られる。Thereafter, a paint for a top coat layer is applied from above the metal thin film layer 14 and baked at a high temperature of 70 ° C. for 70 minutes. By this baking, as shown in FIGS. 1 and 2, a top coat layer 15 having a thickness of “about 25 μm” is formed on the metal thin film layer 14. Then, after the completion of baking, the radiator grill 11 described above is obtained by being left at room temperature for one day.
【００４５】以上詳述した本実施の形態によれば、下記
に示す効果が得られるようになる。 （１）本実施の形態では、プロセスガスの濃度分布を調
整したことにより、平坦部１２ａ及び湾曲部１２ｂを有
してなる基材１２上のベースコート層１３に形成された
金属薄膜層１４の厚さは、微視的に見た場合でも略均一
となっている。このため、従来の場合と比較して、金属
薄膜層１４の厚さの均一化を向上させることができ、ひ
いては金属薄膜層１４の発する金属光沢のばらつきを抑
制することができるようになる。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained. (1) In the present embodiment, the thickness of the metal thin film layer 14 formed on the base coat layer 13 on the base material 12 having the flat portion 12a and the curved portion 12b by adjusting the concentration distribution of the process gas. The degree is substantially uniform even when viewed microscopically. For this reason, compared with the conventional case, the uniformity of the thickness of the metal thin film layer 14 can be improved, and the variation in the metallic luster generated by the metal thin film layer 14 can be suppressed.
【００４６】（２）本実施の形態のベースコート層１３
においては、そのガラス転移点が−１０℃であること
と、メルカプト基を有するシランカップリング剤が１.
５重量％配合されていることと、水酸基の残存により極
性が生じることとを有している。このため、金属薄膜層
１４を構成する結晶粒（金属粒）が、ベースコート層１
３に対し比較的容易に突き刺さり、食い込むこととな
る。そのため、ベースコート層１３に対する金属薄膜層
１４の接合力が比較的高いものとなる。(2) Base coat layer 13 of the present embodiment
Has a glass transition point of -10 ° C. and a silane coupling agent having a mercapto group of 1.
It has a content of 5% by weight and a polarity is generated due to the remaining hydroxyl groups. For this reason, the crystal grains (metal grains) constituting the metal thin film layer 14 are
3 relatively easily penetrates and bites. Therefore, the bonding strength of the metal thin film layer 14 to the base coat layer 13 becomes relatively high.
【００４７】（３）本実施の形態では、金属薄膜層１４
を上述したスパッタリング装置２１を用いて製造するこ
ととした。このため、ベースコート層１３に突き刺さる
結晶粒の運動エネルギーが比較的大きくなり、ベースコ
ート層１３に対する密着性の向上を図ることができる。(3) In the present embodiment, the metal thin film layer 14
Is manufactured using the sputtering apparatus 21 described above. For this reason, the kinetic energy of the crystal grains piercing the base coat layer 13 becomes relatively large, and the adhesion to the base coat layer 13 can be improved.
【００４８】ここで、ベースコート層１３上に形成され
た金属薄膜層１４共々、それらをスーパーＵＶテスター
を用いて耐候性試験に供し、その後、ゴバン目試験によ
って評価した。その結果、スーパーＵＶ処理サイクル数
４０回でも、ベースコート層１３及び金属薄膜層１４間
では層間剥離が生じなかった。Here, the metal thin film layer 14 and the metal thin film layer 14 formed on the base coat layer 13 were subjected to a weather resistance test using a super UV tester, and then evaluated by a Goban test. As a result, no delamination occurred between the base coat layer 13 and the metal thin film layer 14 even when the number of super UV treatment cycles was 40.
【００４９】（４）本実施の形態では、金属薄膜層１４
は、耐食性を有する金属材料のクロムにより構成されて
いるため、腐食が起こりにくい。特に、金属薄膜層１４
は、結晶粒界１６を有しているので、隣接しあう結晶粒
間の導電性が遮断されやすく、仮に一部で腐食が起こっ
たとしても、当該腐食の伝搬を抑制することができるよ
うになる。(4) In the present embodiment, the metal thin film layer 14
Is composed of chromium, which is a metal material having corrosion resistance, so that corrosion hardly occurs. In particular, the metal thin film layer 14
Has a crystal grain boundary 16 so that conductivity between adjacent crystal grains is easily interrupted, so that even if corrosion occurs in a part, propagation of the corrosion can be suppressed. Become.
【００５０】尚、前記実施の形態は、上記に限定される
ものではなく、次のように変更して具体化することもで
きる。 ・ プロセスガスの濃度分布を設定するようにした濃度
分布設定手段は、特に前記実施の形態に限定されるもの
ではない。要は、基材１２の平坦部１２ａ及び湾曲部１
２ｂの上に形成される金属薄膜層１４の厚さを、略均一
とすることが可能な濃度分布設定手段であればよい。The above embodiment is not limited to the above, but can be modified and embodied as follows. The concentration distribution setting means for setting the concentration distribution of the process gas is not particularly limited to the above embodiment. In short, the flat portion 12a and the curved portion 1 of the base material 12
Any concentration distribution setting means can be used as long as the thickness of the metal thin film layer 14 formed on 2b can be made substantially uniform.
【００５１】例えば、図７，図８に示すように、濃度分
布設定手段としては、ガス導入管４１，５１におけるガ
ス導入口４２，４３，５２，５３の開口面積を、前記平
坦部に対応する部分よりも前記湾曲部に対応する部分を
大きくしたものであってもよい。また、図９に示すよう
に、濃度分布設定手段としては、３本のガス導入管６
１，６３，６５のガス導入口６２，６４，６６から真空
槽２２内へガスを導入するようにしてもよい。図７〜図
９に示される態様でも、前記実施の形態と同様の効果を
奏することができる。For example, as shown in FIGS. 7 and 8, as the concentration distribution setting means, the opening areas of the gas introduction ports 42, 43, 52, 53 in the gas introduction pipes 41, 51 correspond to the flat portions. A portion corresponding to the curved portion may be larger than a portion. As shown in FIG. 9, three gas introduction pipes 6 are used as the concentration distribution setting means.
Gas may be introduced into the vacuum chamber 22 from the gas introduction ports 62, 64, 66 of 1, 63, 65. The same effects as those of the above-described embodiment can be obtained in the modes shown in FIGS.
【００５２】・ 前記実施の形態では、金属薄膜層１４
をクロムにより構成する場合に具体化したが、その外に
も耐食性を有する金属素材であれば、例えばニッケル、
チタン、タンタル、アルミニウム又はそれらの合金等、
種々の金属材料によって金属薄膜層を形成するようにし
てもよい。In the above embodiment, the metal thin film layer 14
Although it is embodied in the case of being composed of chromium, besides that, if it is a metal material having corrosion resistance, for example, nickel,
Titanium, tantalum, aluminum or their alloys, etc.
The metal thin film layer may be formed of various metal materials.
【００５３】・ 前記実施の形態では、プロセスガスと
してアルゴンガスを採用したが、アルゴンガスに限定さ
れるものではなく、例えば、ネオン、キセノン等の不活
性ガスを採用してもよい。In the above embodiment, the argon gas is used as the process gas. However, the process gas is not limited to the argon gas. For example, an inert gas such as neon or xenon may be used.
【００５４】・ 前記実施の形態では、光輝化製品を自
動車用のラジエータグリル１１に具体化するようにした
が、その外の製品、例えば自動車用エンブレム、サイド
モール等の外装品や、種々の内装品に具体化してもよ
く、特にラジエータグリル１１に限定されるものではな
い。In the above-described embodiment, the glitter product is embodied in the radiator grill 11 for an automobile. However, other products, such as exterior products such as an automobile emblem and a side molding, and various interiors It may be embodied in a product, and is not particularly limited to the radiator grill 11.
【００５５】・ 前記実施の形態のラジエータグリル１
１において、ベースコート層１３及びトップコート層１
５のうち、少なくとも一方を省略するような構成として
も差し支えない。The radiator grill 1 of the above embodiment
1, the base coat layer 13 and the top coat layer 1
The configuration may be such that at least one of the five is omitted.
【００５６】・ 前記実施の形態では、基材１２として
ポリプロピレンを主成分とする材質を用いたが、例えば
ポリウレタン等を用いてもよく、基材１２の材質は特に
限定されるものではない。In the above-described embodiment, the material mainly composed of polypropylene is used as the base material 12, but for example, polyurethane or the like may be used, and the material of the base material 12 is not particularly limited.
【００５７】・ 前記実施の形態では、基材１２等の色
調は特に指定しなかったが、基材１２等を別途着色して
もよい。 ・ 基材１２として、ターゲット２３に対して斜めに向
かい合う面がなく、単に近接する面と離隔する面とが形
成されたもの、例えば階段状をなすものを使用する。In the above embodiment, the color tone of the base material 12 and the like is not specified, but the base material 12 and the like may be separately colored. As the base material 12, one having no surface obliquely facing the target 23 and simply having a surface close to and separated from the target 23, for example, a step-like one is used.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光輝化製
品の製造方法及びスパッタリング装置によれば、複数の
面を有してなる基材上に金属薄膜層の形成された光輝化
製品において、金属薄膜層の厚さの均一化を向上させ
て、その金属光沢のばらつきを抑制することができると
いう優れた効果を奏する。As described above in detail, according to the method for manufacturing a glitter product and the sputtering apparatus of the present invention, a glitter product having a metal thin film layer formed on a substrate having a plurality of surfaces. In this case, there is an excellent effect that the uniformity of the thickness of the metal thin film layer can be improved and the variation in the metallic luster can be suppressed.
【図１】一実施の形態のラジエータグリルを模式的に示
す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a radiator grill of one embodiment.
【図２】同実施の形態におけるラジエータグリルの一部
を示す拡大断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a part of the radiator grill in the embodiment.
【図３】同実施の形態のスパッタリング装置を模式的に
示す正断面図。FIG. 3 is a front sectional view schematically showing the sputtering apparatus of the embodiment.
【図４】同実施の形態のスパッタリング装置を模式的に
示す平断面図。FIG. 4 is a plan sectional view schematically showing the sputtering apparatus of the embodiment.
【図５】同実施の形態のプロセスガスの濃度分布の状態
を示す模式図。FIG. 5 is a schematic diagram showing a state of a process gas concentration distribution according to the embodiment.
【図６】同実施の形態の金属薄膜層の厚さを説明する断
面図及びグラフ。FIG. 6 is a cross-sectional view and a graph illustrating the thickness of the metal thin film layer of the embodiment.
【図７】別の実施の形態におけるガス導入口の状態を示
す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state of a gas inlet according to another embodiment.
【図８】別の実施の形態におけるガス導入口の状態を示
す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a state of a gas inlet according to another embodiment.
【図９】別の実施の形態におけるガス導入口の状態を示
す断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a state of a gas inlet according to another embodiment.
【図１０】従来の光輝化製品の構造を模式的に示す断面
図。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a conventional glitter product.
【図１１】従来技術のプロセスガスの濃度分布の状態を
示す模式図。FIG. 11 is a schematic diagram showing a state of a concentration distribution of a process gas according to a conventional technique.
【図１２】従来技術の金属薄膜層の厚さを説明する断面
図及びグラフ。FIG. 12 is a cross-sectional view and a graph illustrating the thickness of a conventional metal thin film layer.
１１…ラジエータグリル、１２…基材、１２ａ…平坦
部、１２ｂ…湾曲部、１４…金属薄膜層、２１…スパッ
タリング装置、２２…真空槽、２３…ターゲット、２４
…アノード、２６…支持柱、２８…ガス導入管、２９…
ガス導入口、４１…ガス導入管、４２，４２…ガス導入
口、５１…ガス導入管、５２，５３…ガス導入口、６
１，６３，６５…ガス導入管、６２，６４，６６…ガス
導入口。DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Radiator grille, 12 ... Substrate, 12a ... Flat part, 12b ... Curved part, 14 ... Metal thin film layer, 21 ... Sputtering apparatus, 22 ... Vacuum tank, 23 ... Target, 24
... Anode, 26 ... Support column, 28 ... Gas introduction pipe, 29 ...
Gas inlet, 41 ... Gas inlet pipe, 42, 42 ... Gas inlet, 51 ... Gas inlet pipe, 52,53 ... Gas inlet, 6
1, 63, 65 ... gas introduction pipe, 62, 64, 66 ... gas inlet.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西本 園子 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車 株式会社内 (72)発明者 長谷川 恭孝 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成 株式会社内 (72)発明者 荻巣 康彦 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑１ 番地 豊田合成 株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Sonoko Nishimoto 1 Toyota Town, Toyota City, Aichi Prefecture Inside Toyota Motor Corporation (72) Inventor Yasutaka Hasegawa 1 Kasugamachi, Oshirochi, Nishi-Kasugai-gun, Aichi Prefecture Toyoda Gosei Co., Ltd. In-house (72) Inventor Yasuhiko Ogisu 1 Ochiai Nagahata, Kasuga-cho, Nishikasugai-gun, Aichi Prefecture Toyoda Gosei Co., Ltd.
Claims (8)
タリング装置を用いて金属薄膜層を形成する光輝化製品
の製造方法であって、 前記各面に形成される前記金属薄膜層の厚さを略均一と
するために、プロセスガスの濃度分布を変化させること
を特徴とする光輝化製品の製造方法。1. A method for producing a luminous product, wherein a metal thin film layer is formed on a substrate having a plurality of surfaces by using a sputtering device, wherein the metal thin film layer formed on each of the surfaces is provided. A method for producing a luminous product, wherein the concentration distribution of a process gas is changed so as to make the thickness of the product substantially uniform.
材を前記スパッタリング装置のターゲットに対向させた
ときに、該ターゲットに斜めに向き合う面あるいは離隔
する面が、正対する面あるいは近接する面よりも濃密と
なるようにしたものであることを特徴とする請求項１に
記載の光輝化製品の製造方法。2. The concentration distribution of the process gas is such that when the substrate is opposed to a target of the sputtering apparatus, a surface obliquely facing or distant from the target is closer to a surface facing or closer to the target. The method for producing a glitter product according to claim 1, wherein the product is also made dense.
パッタリング装置内に開口するプロセスガスのガス導入
口の多寡により得られたものであることを特徴とする請
求項１又は請求項２に記載の光輝化製品の製造方法。3. The process gas according to claim 1, wherein the concentration distribution of the process gas is obtained based on the number of gas inlets of the process gas opened in the sputtering apparatus. Manufacturing method of glitter products.
パッタリング装置内に開口する複数のガス導入口の開口
面積を変えることにより得られたものであることを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載の光輝化製品の製造
方法。4. The process gas concentration distribution according to claim 1, wherein the process gas concentration distribution is obtained by changing an opening area of a plurality of gas introduction ports opened in the sputtering apparatus. 3. The method for producing a glitter product according to claim 1.
持する支持手段と、 前記真空槽内へプロセスガスを導入するガス導入口を有
してなるガス導入路とを備えてなるスパッタリング装置
であって、 前記基材の複数の面上に形成される金属薄膜層の厚さを
略均一とするために、プロセスガスの濃度分布を設定す
るようにした濃度分布設定手段を設けたことを特徴とす
るスパッタリング装置。5. A vacuum chamber, a target and an anode disposed in the vacuum chamber, support means for supporting a substrate at a predetermined position so as to face the target, and a process gas into the vacuum chamber. And a gas introduction path having a gas introduction port for introducing a gas introduction port, in order to make the thickness of the metal thin film layer formed on a plurality of surfaces of the base material substantially uniform And a concentration distribution setting means for setting a concentration distribution of the process gas.
ターゲットに対向させたときに、該ターゲットに斜めに
向き合う面あるいは離隔する面が、正対する面あるいは
近接する面よりも濃密となるようにしたものであること
を特徴とする請求項５に記載のスパッタリング装置。6. The concentration distribution setting means, wherein when the substrate is opposed to the target, a surface obliquely facing or distant from the target is denser than a surface facing directly or a surface close to the target. The sputtering apparatus according to claim 5, wherein the sputtering apparatus is configured as described above.
開口するプロセスガスのガス導入口の多寡により得られ
たものであることを特徴とする請求項５又は請求項６に
記載のスパッタリング装置。7. A sputtering apparatus according to claim 5, wherein said concentration distribution setting means is obtained by the number of gas inlets of a process gas opened in said vacuum chamber. apparatus.
開口する複数のガス導入口の開口面積を変えることによ
り得られたものであることを特徴とする請求項５又は請
求項６に記載のスパッタリング装置。8. The apparatus according to claim 5, wherein said concentration distribution setting means is obtained by changing an opening area of a plurality of gas introduction ports opened in said vacuum chamber. The sputtering apparatus as described in the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15029698A JP3881108B2 (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Method for producing brightening product and sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15029698A JP3881108B2 (en) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | Method for producing brightening product and sputtering apparatus |
Publications (2)
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