JPH11340678A - 電磁波シールド用積層体 - Google Patents
電磁波シールド用積層体Info
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- JPH11340678A JPH11340678A JP10141361A JP14136198A JPH11340678A JP H11340678 A JPH11340678 A JP H11340678A JP 10141361 A JP10141361 A JP 10141361A JP 14136198 A JP14136198 A JP 14136198A JP H11340678 A JPH11340678 A JP H11340678A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明性に優れ、電磁波、赤外線および近赤外
線を遮蔽するとともに、外部からの電磁波が電子機器な
どへ進入するのを遮断しノイズを減少させる効果に優れ
た電磁波シールド用積層体を提供する。 【解決手段】 透明な熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）の少
なくとも片面に、金属および誘電体よりなる層（Ｂ）を
設けた積層体であって、層（Ｂ）の表面抵抗が５Ω／□
以下、積層体の可視光透過率（Ｔvis）が６０％以上、
可視光から近赤外光にかけての透過率（Ｔvis＋Ｔnir）
に対する可視光選択透過率特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔni
r)）が８０％以上、かつ電界波シールド効果（ＳＥ）が
１０〜１０００ＭＨｚの周波数帯（ｆ）において下記式
（１）を満足することを特徴とする電磁波シールド用積
層体。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１）
線を遮蔽するとともに、外部からの電磁波が電子機器な
どへ進入するのを遮断しノイズを減少させる効果に優れ
た電磁波シールド用積層体を提供する。 【解決手段】 透明な熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）の少
なくとも片面に、金属および誘電体よりなる層（Ｂ）を
設けた積層体であって、層（Ｂ）の表面抵抗が５Ω／□
以下、積層体の可視光透過率（Ｔvis）が６０％以上、
可視光から近赤外光にかけての透過率（Ｔvis＋Ｔnir）
に対する可視光選択透過率特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔni
r)）が８０％以上、かつ電界波シールド効果（ＳＥ）が
１０〜１０００ＭＨｚの周波数帯（ｆ）において下記式
（１）を満足することを特徴とする電磁波シールド用積
層体。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波シールド用
積層体に関するものであり、さらに詳しくは電子機器な
どの表示装置や透明開口部における液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の
表示画面より放出される電界波、赤外線および近赤外線
を遮蔽するとともに、外部からの電界波が電子機器など
へ進入するのを遮断しノイズを減少させる効果に優れた
電磁波シールド用積層体に関する。
積層体に関するものであり、さらに詳しくは電子機器な
どの表示装置や透明開口部における液晶ディスプレイ
（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の
表示画面より放出される電界波、赤外線および近赤外線
を遮蔽するとともに、外部からの電界波が電子機器など
へ進入するのを遮断しノイズを減少させる効果に優れた
電磁波シールド用積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在使用されているさまざまな電子機器
からは微弱ではあるが電磁波の発生が起こっている。ま
た逆に外部電磁波の進入で電子機器に悪影響をおよぼし
誤作動や動作不良を起こす可能性があることから電磁波
シールドの必要性が重要視されてきている。従来の電子
機器の電磁波シールド材としては、銅，鉄のような導電
性の高い金属板あるいは金属箔を使用し、機器のケース
内側を覆ったり、電磁波発生源の周囲をかこみ電磁波シ
ールドを行っていた。しかしながら近年のコンピュータ
ーの小型化高性能化が著しくなると同時に、このような
電子機器にはほとんどの場合透明な表示窓や液晶表示窓
などが取り付けられるようになってきた。そのため、外
部からの電磁波が、シールドされていない透明部分から
入り込み、コンピューターの誤作動を引き起こす原因と
なる場合がある。
からは微弱ではあるが電磁波の発生が起こっている。ま
た逆に外部電磁波の進入で電子機器に悪影響をおよぼし
誤作動や動作不良を起こす可能性があることから電磁波
シールドの必要性が重要視されてきている。従来の電子
機器の電磁波シールド材としては、銅，鉄のような導電
性の高い金属板あるいは金属箔を使用し、機器のケース
内側を覆ったり、電磁波発生源の周囲をかこみ電磁波シ
ールドを行っていた。しかしながら近年のコンピュータ
ーの小型化高性能化が著しくなると同時に、このような
電子機器にはほとんどの場合透明な表示窓や液晶表示窓
などが取り付けられるようになってきた。そのため、外
部からの電磁波が、シールドされていない透明部分から
入り込み、コンピューターの誤作動を引き起こす原因と
なる場合がある。
【０００３】また、最近ではＬＣＤ（液晶ディスプレ
イ）やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）のような
表示装置が増えつつあり、特にＰＤＰ表示画面はプラズ
マ発生時に電磁波が放出されることもあり、周囲の電子
機器への影響や視聴している人への悪影響も否めない問
題がある。
イ）やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）のような
表示装置が増えつつあり、特にＰＤＰ表示画面はプラズ
マ発生時に電磁波が放出されることもあり、周囲の電子
機器への影響や視聴している人への悪影響も否めない問
題がある。
【０００４】透明部分を電磁波シールドするためには、
従来用いられている厚い金属板では透明性を損なうため
使用できず、透明な電磁波シールド材が必要となる。
従来用いられている厚い金属板では透明性を損なうため
使用できず、透明な電磁波シールド材が必要となる。
【０００５】そこで、透明な電磁波シールド材としてポ
リエステル繊維に導電性の金属を被覆し格子状に織り込
んだメッシュ構造を持つシールド材が提案されている
が、このようなメッシュは、光透過率が低く視認性も悪
く十分満足のゆくものではなかった。
リエステル繊維に導電性の金属を被覆し格子状に織り込
んだメッシュ構造を持つシールド材が提案されている
が、このようなメッシュは、光透過率が低く視認性も悪
く十分満足のゆくものではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、透明
な開口部あるいは可視透過率が重要視される部分に適用
する電磁波シールド用積層体に関するもので、従来使用
されている繊維材料に変わる高透過率、高電磁波シール
ド性を併せ持つ電磁波シールド用積層体を提供すること
にある。
な開口部あるいは可視透過率が重要視される部分に適用
する電磁波シールド用積層体に関するもので、従来使用
されている繊維材料に変わる高透過率、高電磁波シール
ド性を併せ持つ電磁波シールド用積層体を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明な熱可塑
性樹脂フィルム（Ａ）の少なくとも片面に、金属および
誘電体よりなる層（Ｂ）を設けた積層体であって、層
（Ｂ）の表面抵抗が５Ω／□以下、積層体の可視光透過
率（Ｔvis）が６０％以上、可視光から近赤外光にかけ
ての透過率（Ｔvis＋Ｔnir）に対する可視光選択透過率
特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔnir)）が８０％以上、かつ電
界波シールド効果（ＳＥ）が１０〜１０００ＭＨｚの周
波数帯（ｆ）において下記式（１）を満足することを特
徴とする電磁波シールド用積層体である。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１）
性樹脂フィルム（Ａ）の少なくとも片面に、金属および
誘電体よりなる層（Ｂ）を設けた積層体であって、層
（Ｂ）の表面抵抗が５Ω／□以下、積層体の可視光透過
率（Ｔvis）が６０％以上、可視光から近赤外光にかけ
ての透過率（Ｔvis＋Ｔnir）に対する可視光選択透過率
特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔnir)）が８０％以上、かつ電
界波シールド効果（ＳＥ）が１０〜１０００ＭＨｚの周
波数帯（ｆ）において下記式（１）を満足することを特
徴とする電磁波シールド用積層体である。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１）
【０００８】本発明に用いられる熱可塑性樹脂フィルム
（Ａ）としては、透明であって、可撓性を有し、スパッ
タ法や真空蒸着法等により金属や誘電体の蒸着層を形成
し得る耐熱性を備えたフィルムが好ましい。かかる熱可
塑性樹脂フィルム（Ａ）を構成するポリマーとしては、
ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレー
トに代表されるポリエステル、脂肪族ポリアミド、芳香
族ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカ
ーボネート等が例示される。これらの中、ポリエステル
が好ましい。また、これらの中、耐熱性、機械的強度に
優れる二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが
特に好ましい。
（Ａ）としては、透明であって、可撓性を有し、スパッ
タ法や真空蒸着法等により金属や誘電体の蒸着層を形成
し得る耐熱性を備えたフィルムが好ましい。かかる熱可
塑性樹脂フィルム（Ａ）を構成するポリマーとしては、
ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレー
トに代表されるポリエステル、脂肪族ポリアミド、芳香
族ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカ
ーボネート等が例示される。これらの中、ポリエステル
が好ましい。また、これらの中、耐熱性、機械的強度に
優れる二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが
特に好ましい。
【０００９】かかる熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）は、従
来から知られている方法で製造することができる。例え
ば、二軸延伸ポリエステルフィルムは、ポリエステルを
乾燥後、Ｔｍ〜（Ｔｍ＋７０）℃の温度（但し、Ｔｍ：
ポリエステルの融点）で押出機にて溶融し、ダイ（例え
ばＴ−ダイ、Ｉ−ダイ等）から回転冷却ドラム上に押出
し、４０〜９０℃で急冷して未延伸フィルムを製造し、
ついで該未延伸フィルムを（Ｔｇ−１０）〜（Ｔｇ＋７
０）℃の温度（Ｔｇ：ポリエステルのガラス転移温度）
で縦方向に２．５〜８．０倍の倍率で延伸し、横方向
２．５〜８．０倍の倍率で延伸し、必要に応じて１８０
〜２５０℃の温度で１〜６０秒間熱固定することにより
製造できる。フィルムの厚みは５〜２５０μｍの範囲が
好ましい。
来から知られている方法で製造することができる。例え
ば、二軸延伸ポリエステルフィルムは、ポリエステルを
乾燥後、Ｔｍ〜（Ｔｍ＋７０）℃の温度（但し、Ｔｍ：
ポリエステルの融点）で押出機にて溶融し、ダイ（例え
ばＴ−ダイ、Ｉ−ダイ等）から回転冷却ドラム上に押出
し、４０〜９０℃で急冷して未延伸フィルムを製造し、
ついで該未延伸フィルムを（Ｔｇ−１０）〜（Ｔｇ＋７
０）℃の温度（Ｔｇ：ポリエステルのガラス転移温度）
で縦方向に２．５〜８．０倍の倍率で延伸し、横方向
２．５〜８．０倍の倍率で延伸し、必要に応じて１８０
〜２５０℃の温度で１〜６０秒間熱固定することにより
製造できる。フィルムの厚みは５〜２５０μｍの範囲が
好ましい。
【００１０】熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）中には、フィ
ルムのヘーズ値および表面粗さに悪影響を及ぼさない範
囲内で、ハンドリング性確保のため微細粒子を配合して
も良い。該微細粒子としては例えば炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグ
ネシウム、酸化ケイ素、ケイ酸ソーダ、水酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、酸化
チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、カーボンブラッ
ク、二硫化モリブデン、カオリン等の無機粒子、アクリ
ル系架橋重合体、スチレン系架橋重合体、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フェノール樹
脂、ナイロン樹脂、ポリエチレンワックス等の有機微粒
子等をあげることができる。
ルムのヘーズ値および表面粗さに悪影響を及ぼさない範
囲内で、ハンドリング性確保のため微細粒子を配合して
も良い。該微細粒子としては例えば炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化マグ
ネシウム、酸化ケイ素、ケイ酸ソーダ、水酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、硫酸バリウム、酸化
チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、カーボンブラッ
ク、二硫化モリブデン、カオリン等の無機粒子、アクリ
ル系架橋重合体、スチレン系架橋重合体、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フェノール樹
脂、ナイロン樹脂、ポリエチレンワックス等の有機微粒
子等をあげることができる。
【００１１】熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）のヘーズ値
は、透明基材または窓用として使うため、低い方が好ま
しく、ヘーズ値が高くなると視認性が落ち透明体として
は好ましくない。かかるヘーズ値は、好ましくは２％以
下、さらに好ましくは１％以下である。
は、透明基材または窓用として使うため、低い方が好ま
しく、ヘーズ値が高くなると視認性が落ち透明体として
は好ましくない。かかるヘーズ値は、好ましくは２％以
下、さらに好ましくは１％以下である。
【００１２】また本発明においては、熱可塑性樹脂フィ
ルム（Ａ）の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１５μｍ以下で
あることが好ましい。基材表面が平担であると、スパッ
タリングされた金属膜が規則正しく緻密に成長し、導電
性の高い薄膜を形成することができる。かかる表面粗さ
（Ａ）は０．０１μｍ以下がさらに好ましい。
ルム（Ａ）の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１５μｍ以下で
あることが好ましい。基材表面が平担であると、スパッ
タリングされた金属膜が規則正しく緻密に成長し、導電
性の高い薄膜を形成することができる。かかる表面粗さ
（Ａ）は０．０１μｍ以下がさらに好ましい。
【００１３】電磁波シールドとは、電界波および電磁波
が遮蔽物に吸収・反射されることで効果が発揮される。
特に電界波のシールド性を向上させるためには、抵抗の
低い均一な金属や誘電体からなる層を形成させることが
必要である（低抵抗効果）基材フィルムに均一な層を形
成させるには、金属としてＡｕ、ＡｇおよびＣｕから選
ばれた１種以上の金属または合金を用いることが好まし
い。これらの中、可視光線の吸収がほとんどないＡｇが
特に好ましい。これらの金属は、必要に応じて２種以上
併用したり合金の形態で用いても良い。
が遮蔽物に吸収・反射されることで効果が発揮される。
特に電界波のシールド性を向上させるためには、抵抗の
低い均一な金属や誘電体からなる層を形成させることが
必要である（低抵抗効果）基材フィルムに均一な層を形
成させるには、金属としてＡｕ、ＡｇおよびＣｕから選
ばれた１種以上の金属または合金を用いることが好まし
い。これらの中、可視光線の吸収がほとんどないＡｇが
特に好ましい。これらの金属は、必要に応じて２種以上
併用したり合金の形態で用いても良い。
【００１４】次に、可視光線の反射を抑制し透過性を高
めるためには誘電体からなる高屈折率層を設けることが
好ましい。誘電体としては、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｒ
Ｏ2、ＳｎＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯか
ら選ばれた１種以上が好ましい。特に、アルキルチタネ
ートまたはアルキルジルコニウムの加水分解により得ら
れる有機化合物由来のＴｉＯ2またはＺｒＯ2は加工性に
優れるため好ましい。これらの誘電体は２種以上併用し
てもよい。
めるためには誘電体からなる高屈折率層を設けることが
好ましい。誘電体としては、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｒ
Ｏ2、ＳｎＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯか
ら選ばれた１種以上が好ましい。特に、アルキルチタネ
ートまたはアルキルジルコニウムの加水分解により得ら
れる有機化合物由来のＴｉＯ2またはＺｒＯ2は加工性に
優れるため好ましい。これらの誘電体は２種以上併用し
てもよい。
【００１５】かかる金属および誘電体よりなる層（Ｂ）
の形成方法としては気相成長法が好ましく、さらに真空
蒸着法、スパッター法またはプラズマＣＶＤ法が特に好
ましい。
の形成方法としては気相成長法が好ましく、さらに真空
蒸着法、スパッター法またはプラズマＣＶＤ法が特に好
ましい。
【００１６】また、金属および誘電体よりなる層（Ｂ）
は、誘電体層／金属層／誘電体層のごとく金属層を誘電
体層でサンドウィチ状に挟む積層構成をとることによ
り、透明性の改良効果が増すのでより好ましい。
は、誘電体層／金属層／誘電体層のごとく金属層を誘電
体層でサンドウィチ状に挟む積層構成をとることによ
り、透明性の改良効果が増すのでより好ましい。
【００１７】金属層の厚みは１層当たり１〜１０００ｎ
ｍの範囲が好ましい。厚みが１ｎｍ未満であると十分な
表面抵抗値が発現できず電磁波シールド特性が悪化し、
１０００ｎｍを超えると可視光透過率が低下し透明性が
悪くなるため好ましくない。
ｍの範囲が好ましい。厚みが１ｎｍ未満であると十分な
表面抵抗値が発現できず電磁波シールド特性が悪化し、
１０００ｎｍを超えると可視光透過率が低下し透明性が
悪くなるため好ましくない。
【００１８】また誘電体層の厚みは、光学特性範囲を満
足するように前述の金属層と併せて設定することが必要
である。すなわち１層当たり０〜７５０ｎｍの範囲が好
ましく、さらに５〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
足するように前述の金属層と併せて設定することが必要
である。すなわち１層当たり０〜７５０ｎｍの範囲が好
ましく、さらに５〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
【００１９】さらに、金属および誘電体よりなる層
（Ｂ）の表面抵抗は５Ω／□以下であることが必要であ
る。表面抵抗が５Ω／□以下であると電界波シールド特
性が高くなるので好ましい。他方表面抵抗が５Ω／□を
超えると電界波のシールド性能が十分発揮されず好まし
くない。
（Ｂ）の表面抵抗は５Ω／□以下であることが必要であ
る。表面抵抗が５Ω／□以下であると電界波シールド特
性が高くなるので好ましい。他方表面抵抗が５Ω／□を
超えると電界波のシールド性能が十分発揮されず好まし
くない。
【００２０】本発明における電磁波シールド用積層体
は、可視光透過率（Ｔvis）が６０％以上であることが
必要である。可視光透過率（Ｔvis）が６０％未満では
透明性が低下するため好ましくない。
は、可視光透過率（Ｔvis）が６０％以上であることが
必要である。可視光透過率（Ｔvis）が６０％未満では
透明性が低下するため好ましくない。
【００２１】また、本発明における電磁波シールド用積
層体は、可視光から近赤外光にかけての透過率（Ｔvis
＋Ｔnir）に対する可視光選択透過率特性（Ｔvis／(Ｔv
is＋Ｔnir)）が８０％以上である必要がある。選択透過
特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔnir)）が８０％未満では透明
性が悪化し、さらに近赤外線の透過が増えリモコン周波
数に悪影響を与えるため好ましくない。
層体は、可視光から近赤外光にかけての透過率（Ｔvis
＋Ｔnir）に対する可視光選択透過率特性（Ｔvis／(Ｔv
is＋Ｔnir)）が８０％以上である必要がある。選択透過
特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔnir)）が８０％未満では透明
性が悪化し、さらに近赤外線の透過が増えリモコン周波
数に悪影響を与えるため好ましくない。
【００２２】さらに、本発明における電磁波シールド用
積層体は、電界波シールド効果（ＳＥ）が１０〜１００
０ＭＨｚの周波数帯（ｆ）において下記式（１）を満足
することが必要である。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１）
積層体は、電界波シールド効果（ＳＥ）が１０〜１００
０ＭＨｚの周波数帯（ｆ）において下記式（１）を満足
することが必要である。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１）
【００２３】電界波シールド効果（ＳＥ）が上記式
（１）を満足しないと電磁波シールド効果が不十分であ
り好ましくない。
（１）を満足しないと電磁波シールド効果が不十分であ
り好ましくない。
【００２４】特に、本発明の電磁波シールド用積層体の
周囲に電極を設け、アースを取ることで更に電磁波シー
ルド効果が高められる。
周囲に電極を設け、アースを取ることで更に電磁波シー
ルド効果が高められる。
【００２５】本発明の積層体の電磁波シールド特性を維
持するためには、層（Ｂ）の表面にキズが入らないよう
に表面に透明樹脂からなる保護層を設けることが望まし
い。
持するためには、層（Ｂ）の表面にキズが入らないよう
に表面に透明樹脂からなる保護層を設けることが望まし
い。
【００２６】該保護層としては、公知のポリエステル樹
脂やアクリル樹脂、またはその他のハードコート剤等を
使用することができる。かかる保護層は、バーコート
法，ドクターブレード法，リバースロールコート法，グ
ラビアロールコート法等の公知の塗布方法により上記ハ
ードコート剤を含む塗液を塗布することにより形成する
ことができる。この塗膜厚みは０．１〜１０μｍが好ま
しい。上記方法のごとく表面に直接塗布する方法の他
に、ハードコート処理したフィルム（ポリエステルフィ
ルム、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンフィ
ルム等）をラミネートして形成する方法も用いることが
できる。
脂やアクリル樹脂、またはその他のハードコート剤等を
使用することができる。かかる保護層は、バーコート
法，ドクターブレード法，リバースロールコート法，グ
ラビアロールコート法等の公知の塗布方法により上記ハ
ードコート剤を含む塗液を塗布することにより形成する
ことができる。この塗膜厚みは０．１〜１０μｍが好ま
しい。上記方法のごとく表面に直接塗布する方法の他
に、ハードコート処理したフィルム（ポリエステルフィ
ルム、ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンフィ
ルム等）をラミネートして形成する方法も用いることが
できる。
【００２７】上記の方法で保護層を設けた積層体は、保
護層を設けた面と反対の面に公知の粘着層と公知の離形
フィルムを積層した積層シートとして用いることができ
る。
護層を設けた面と反対の面に公知の粘着層と公知の離形
フィルムを積層した積層シートとして用いることができ
る。
【００２８】かかる積層シートは、離形フィルムを剥離
して所定の部位に貼り付けて使用することができる。
して所定の部位に貼り付けて使用することができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳述する。な
お、積層体の特性測定は、以下の方法にしたがって実施
した。
お、積層体の特性測定は、以下の方法にしたがって実施
した。
【００３０】（１）可視光透過率および選択透過特性 可視光線透過率（Ｔvis）は、分光光度計（島津製作所
ＵＶ−３１０１ＰＣ型）を用い、４５０〜７００ｎｍ
の波長において、５０ｎｍ毎に太陽エネルギー強度と透
過率の積を計算し、その総和を４５０〜７００ｎｍでの
太陽エネルギー強度の総和で割ることにより規格化した
値を用いた。
ＵＶ−３１０１ＰＣ型）を用い、４５０〜７００ｎｍ
の波長において、５０ｎｍ毎に太陽エネルギー強度と透
過率の積を計算し、その総和を４５０〜７００ｎｍでの
太陽エネルギー強度の総和で割ることにより規格化した
値を用いた。
【００３１】また、７５０ｎｍ〜２１００ｎｍの波長に
おいて、上記と同じ計算により規格化した値を近赤外光
透過率（Ｔnir）とした。
おいて、上記と同じ計算により規格化した値を近赤外光
透過率（Ｔnir）とした。
【００３２】そして、選択透過特性は下式により計算し
て求めた。 選択透過特性＝Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔnir)
て求めた。 選択透過特性＝Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔnir)
【００３３】
【００３４】（２）電磁波シールド効果 電磁波シールド効果の測定は、ＫＥＣ（関西電子工業振
興センター）にて実施した。周波数が１０〜１０００Ｍ
Ｈｚの範囲において下記式（１）を満足する場合を○、
満足しない場合を×として判定した。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ（ｆ） （１） ここで、ＳＥは電界波シールド特性［ｄＢ］、ｆは周波
数［Ｈｚ］を表わす。
興センター）にて実施した。周波数が１０〜１０００Ｍ
Ｈｚの範囲において下記式（１）を満足する場合を○、
満足しない場合を×として判定した。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ（ｆ） （１） ここで、ＳＥは電界波シールド特性［ｄＢ］、ｆは周波
数［Ｈｚ］を表わす。
【００３５】（３）ヘーズ値 ヘーズ測定器（日本電色工業社製、ＮＤＨ−２０）を使
用し、フィルムのヘーズ値を測定し、下記の基準で評価
した。
用し、フィルムのヘーズ値を測定し、下記の基準で評価
した。
【００３６】（４）中心線表面粗さ ＪＩＳ Ｂ０６０１に準じ、高精度表面粗さ計（(株)小
坂研究所製、ＳＥ−３ＦＡＴ）を使用して、針の半径２
μｍ、荷重３０ｍｇで拡大倍率２０万倍、カットオフ
０．０８ｍｍの条件下にチャートを描かせて表面粗さ曲
線を測定した。
坂研究所製、ＳＥ−３ＦＡＴ）を使用して、針の半径２
μｍ、荷重３０ｍｇで拡大倍率２０万倍、カットオフ
０．０８ｍｍの条件下にチャートを描かせて表面粗さ曲
線を測定した。
【００３７】この表面粗さ曲線から、中心線方向に測定
長さＬの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線を
Ｘ軸、縦倍率の方向をＹ軸として、粗さ曲線をＹ＝ｆ
（ｘ）で表わした時、下記式で与えられる値を中心線表
面粗さとした（単位μｍ）。なお、本発明においてはこ
の測定を基準長を１．２５ｍｍとして４回繰り返し、得
られた値の平均値で表わした。
長さＬの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線を
Ｘ軸、縦倍率の方向をＹ軸として、粗さ曲線をＹ＝ｆ
（ｘ）で表わした時、下記式で与えられる値を中心線表
面粗さとした（単位μｍ）。なお、本発明においてはこ
の測定を基準長を１．２５ｍｍとして４回繰り返し、得
られた値の平均値で表わした。
【００３８】
【数１】
【００３９】（５）表面抵抗値 フィルムを５ｃｍ幅に短冊状にカットし、長手方向に５
ｃｍの間隔を持つように互いに平行な１対の銀電極を設
ける。この電極間における２５ｃｍ2の抵抗値を抵抗計
により測定して求めた。
ｃｍの間隔を持つように互いに平行な１対の銀電極を設
ける。この電極間における２５ｃｍ2の抵抗値を抵抗計
により測定して求めた。
【００４０】［実施例１］厚さ７５μｍ、表面粗さ（Ｒ
ａ）０．０１μｍ、ヘーズ値１．３％のポリエチレンテ
レフタレートフィルムの片面に、厚さ３０ｎｍの酸化イ
ンジウム層（誘電体層：第１層）を設けた。この第１層
の表面に、第２層として厚さ１５ｎｍの銀薄膜層を設
け、次に第２層の表面に第３層として厚さ３０ｎｍの酸
化インジウム層を設けた。なお、第１層〜第３層は、何
れも真空下（５×１０-5Torr）でのスパッタリング法で
形成させた。なお、前述の各測定は、粘着剤を介してガ
ラス板に貼り付けた状態で評価を行なった。
ａ）０．０１μｍ、ヘーズ値１．３％のポリエチレンテ
レフタレートフィルムの片面に、厚さ３０ｎｍの酸化イ
ンジウム層（誘電体層：第１層）を設けた。この第１層
の表面に、第２層として厚さ１５ｎｍの銀薄膜層を設
け、次に第２層の表面に第３層として厚さ３０ｎｍの酸
化インジウム層を設けた。なお、第１層〜第３層は、何
れも真空下（５×１０-5Torr）でのスパッタリング法で
形成させた。なお、前述の各測定は、粘着剤を介してガ
ラス板に貼り付けた状態で評価を行なった。
【００４１】［実施例２］厚さ５０μｍ、表面粗さ（Ｒ
ａ）０．００５μｍ、ヘーズ値０．６％のポリエチレン
テレフタレートフィルムの片面に、下記薄膜層を実施例
１と同じ方法で順次設けた。 第１層： 厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層 第２層： 厚さ１０ｎｍの銀薄膜層 第３層： 厚さ５０ｎｍの酸化インジウム層 第４層： 厚さ１０ｎｍの銀薄膜層 第５層： 厚さ５０ｎｍの酸化インジウム層 第６層： 厚さ１０ｎｍの銀薄膜層 第７層： 厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層
ａ）０．００５μｍ、ヘーズ値０．６％のポリエチレン
テレフタレートフィルムの片面に、下記薄膜層を実施例
１と同じ方法で順次設けた。 第１層： 厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層 第２層： 厚さ１０ｎｍの銀薄膜層 第３層： 厚さ５０ｎｍの酸化インジウム層 第４層： 厚さ１０ｎｍの銀薄膜層 第５層： 厚さ５０ｎｍの酸化インジウム層 第６層： 厚さ１０ｎｍの銀薄膜層 第７層： 厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層
【００４２】［実施例３］酸化インジウムに替えて酸化
チタンを用いる以外は実施例２と同じ方法で積層体を作
成した。
チタンを用いる以外は実施例２と同じ方法で積層体を作
成した。
【００４３】［比較例１］厚さ７５μｍ、表面粗さ（Ｒ
ａ）０．０３３μｍ、ヘーズ値５．４％のポリエチレン
テレフタレートフィルムを用いる以外は実施例１と同じ
方法で積層体を作成した。
ａ）０．０３３μｍ、ヘーズ値５．４％のポリエチレン
テレフタレートフィルムを用いる以外は実施例１と同じ
方法で積層体を作成した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、光選択性，電磁波シー
ルド性に優れた積層体を提供することができる。
ルド性に優れた積層体を提供することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明な熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）の少
なくとも片面に、金属および誘電体よりなる層（Ｂ）を
設けた積層体であって、層（Ｂ）の表面抵抗が５Ω／□
以下、積層体の可視光透過率（Ｔvis）が６０％以上、
可視光から近赤外光にかけての透過率（Ｔvis＋Ｔnir）
に対する可視光選択透過率特性（Ｔvis／(Ｔvis＋Ｔni
r)）が８０％以上、かつ電界波シールド効果（ＳＥ）が
１０〜１０００ＭＨｚの周波数帯（ｆ）において下記式
（１）を満足することを特徴とする電磁波シールド用積
層体。 ＳＥ≧８５．９−１８．５×Ｌｏｇ(ｆ) （１） - 【請求項２】 熱可塑性樹脂フィルム（Ａ）のヘーズ値
が２％以下であり、かつ表面粗さ（Ｒａ）が０．０１５
μｍ以下である請求項１記載の電磁波シールド用積層
体。 - 【請求項３】 層（Ｂ）が、金属層と誘電体層を交互に
積層してなる層であって、該金属層が金、銀および銅か
ら選ばれた１種以上の金属または合金からなる層である
請求項１記載の電磁波シールド用積層体。 - 【請求項４】 誘電体層が、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｒ
Ｏ2、ＳｎＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯお
よびＺｎＳから選ばれた１種以上からなる層である請求
項１記載の電磁波シールド用積層体。 - 【請求項５】 請求項１記載の積層体の金属および誘電
体よりなる層（Ｂ）側の表面に透明樹脂からなる保護層
を設け、そして該積層体の反対面に粘着層を設け、さら
にその層の上に離形フィルムを積層した電磁波シールド
用積層シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141361A JPH11340678A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 電磁波シールド用積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141361A JPH11340678A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 電磁波シールド用積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340678A true JPH11340678A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15290201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141361A Pending JPH11340678A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 電磁波シールド用積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005189B1 (en) | 1998-12-28 | 2006-02-28 | Asahi Glass Company, Limited | Laminate and its production method |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10141361A patent/JPH11340678A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005189B1 (en) | 1998-12-28 | 2006-02-28 | Asahi Glass Company, Limited | Laminate and its production method |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080108 |