JPH11340370A - Module for high frequency - Google Patents

Module for high frequency

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JPH11340370A
JPH11340370A JP10149378A JP14937898A JPH11340370A JP H11340370 A JPH11340370 A JP H11340370A JP 10149378 A JP10149378 A JP 10149378A JP 14937898 A JP14937898 A JP 14937898A JP H11340370 A JPH11340370 A JP H11340370A
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transmission line
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Shinichi Koriyama
慎一 郡山
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滋生 森岡
Takanori Kubo
貴則 久保
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a module for high frequency in which transmission loss in a signal transmission line of microwave or millimetric wave is small, structure is simplified, and reliability is high. SOLUTION: High frequency elements 5, 5' are mounted in cavities 4, 4' which are formed of a dielectric board 2 and a plurality of lid members 3, 3 bonded to one surface. A line 6' for elements whose one end portion is electrically connected with the high frequency elements 5, 5' is formed, and a line 7 for connection is formed on a region outside the cavities 4, 4'. The other end portion of the line 6' for the elements and the end portion of the line 7 for connection are electromagnetically coupled, so that a space between the high frequency elements 5, 5' is electrically and mutually connected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯から
ミリ波帯領域の高周波素子を複数搭載した高周波用モジ
ュールに関し、特に、高周波信号の特性を劣化させるこ
となく高周波素子間での信号の伝達を行うことのできる
高周波用モジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency module having a plurality of high-frequency elements in a microwave band to a millimeter-wave band, and more particularly, to the transmission of signals between high-frequency elements without deteriorating the characteristics of high-frequency signals. The present invention relates to a high-frequency module capable of performing the following.

【0002】[0002]

【従来技術】従来、マイクロ波やミリ波を取り扱う高周
波回路素子を搭載した高周波用パッケージにおいては、
誘電体基板と、誘電体基板の表面に接続された壁体や蓋
体によって形成されるキャビティ内に気密封止されてい
る高周波素子が収納されており、高周波素子と電気的に
接続された信号伝送線路と外部回路基板に形成された信
号伝送線路を電気的に接続して高周波信号の入出力が行
われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, high-frequency packages equipped with high-frequency circuit elements for handling microwaves and millimeter waves have
A high-frequency element hermetically sealed is housed in a cavity formed by a dielectric substrate and a wall or lid connected to the surface of the dielectric substrate, and a signal electrically connected to the high-frequency element. A transmission line is electrically connected to a signal transmission line formed on an external circuit board to input and output a high-frequency signal.

【0003】そこで、従来から、この種の高周波用モジ
ュールでは、図9(a)に示すように、誘電体からなる
誘電体基板41と蓋42、42’により形成されたキャ
ビティ43、43’内にそれぞれ高周波素子44、4
4’を搭載して気密に封止されている。そして高周波信
号の入出力は、誘電体基板41表面に高周波素子44、
44’と接続されるストリップ線路等の高周波用伝送線
路45、45’がそれぞれ形成されている。この伝送線
路45と45’とを、蓋42、42’に形成された絶縁
体46により絶縁された導体層47を介してワイヤボン
ディングやリボン等により接続されている。また、図9
(b)に示すように、誘電体基板41の内部に信号伝送
線路49を形成し、この信号伝送線路49と伝送線路4
5と45’とをスル−ホ−ル導体50を通じて接続した
半導体パッケージが提案されている。さらに、図9
(c)に示すように、複数の高周波素子を、それぞれ独
立して導電性蓋体にて電磁的に封止して、各高周波素子
の入出力端に、それぞれ誘電体基板の主表面から金属板
51の裏面にかけて貫通するスルーホールを形成し、該
スルーホールの内部に、同軸伝送路52、53を配し、
該同軸伝送路52、53の主表面側の入出力端と、回路
ブロックの入出力端とを電気的に接続する同軸伝送路接
続部54、54’を介し、回路ブロックの入力端に接続
される同軸伝送路52、53と、他の回路ブロックの出
力端に接続される同軸伝送路52’、53’とを接続
し、さらに、裏面側にて接続部材55を介して接続する
構成が平7−263887号等にて提案されている。
Therefore, conventionally, in this type of high frequency module, as shown in FIG. 9A, a cavity 43, 43 'formed by a dielectric substrate 41 made of a dielectric and lids 42, 42'. High-frequency elements 44, 4 respectively
4 ′ is mounted and hermetically sealed. The input and output of the high-frequency signal are performed by the high-frequency element 44 on the surface of the dielectric substrate 41,
High-frequency transmission lines 45 and 45 'such as strip lines connected to 44' are formed respectively. The transmission lines 45 and 45 'are connected by wire bonding, a ribbon, or the like via a conductor layer 47 insulated by an insulator 46 formed on the lids 42, 42'. FIG.
As shown in (b), a signal transmission line 49 is formed inside the dielectric substrate 41, and the signal transmission line 49 and the transmission line 4 are formed.
A semiconductor package in which 5 and 45 'are connected through a through-hole conductor 50 has been proposed. Further, FIG.
As shown in (c), a plurality of high-frequency elements are each independently electromagnetically sealed with a conductive lid, and metal terminals are respectively connected to input / output ends of each high-frequency element from the main surface of the dielectric substrate. A through-hole is formed through the rear surface of the plate 51, and coaxial transmission lines 52 and 53 are arranged inside the through-hole.
The input / output terminals on the main surface side of the coaxial transmission lines 52, 53 and the input / output terminals of the circuit block are connected to the input terminals of the circuit block via coaxial transmission line connection parts 54, 54 'for electrically connecting the input / output terminals. The configuration in which the coaxial transmission lines 52 and 53 are connected to the coaxial transmission lines 52 ′ and 53 ′ connected to the output terminals of other circuit blocks, and further connected via a connecting member 55 on the back surface side is a flat configuration. 7-263887 and the like.

【0004】このような高周波用モジュールにおいて
は、高周波信号の伝送特性を劣化させることなく、高周
波素子間で信号の入出力が可能であり、さらには、製造
が容易であることも要求される。
[0004] In such a high-frequency module, it is required that signals can be input and output between high-frequency elements without deteriorating the transmission characteristics of high-frequency signals, and that it should be easy to manufacture.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図9
(a)においては、高周波信号が導体層47中を通り、
壁体42、42’を通過する場合、壁体通過部で信号伝
送線路がマイクロストリップ線路からストリップ線路へ
と変換されるため、インピーダンス整合をとるために信
号伝送線路幅を狭くする必要がある。その結果、この通
過部で反射損、放射損が発生しやすく高周波信号の伝送
特性が劣化するという問題がある。しかも、信号伝送線
路45、45’をキャビティ42、42’の外側に引出
すために、壁体の少なくとも線路通過部は誘電体によっ
て形成する必要があり、構造が複雑になり、モジュール
全体のコストを高める要因にもなっていた。
However, FIG.
In (a), a high-frequency signal passes through the conductor layer 47,
When the signal transmission line passes through the walls 42 and 42 ', the signal transmission line is converted from the microstrip line to the strip line at the wall passage portion. Therefore, it is necessary to reduce the width of the signal transmission line for impedance matching. As a result, there is a problem that reflection loss and radiation loss are likely to occur in the passing portion, and the transmission characteristics of the high-frequency signal deteriorate. Moreover, in order to draw out the signal transmission lines 45, 45 'to the outside of the cavities 42, 42', at least the line passing portion of the wall must be formed of a dielectric material, which complicates the structure and reduces the cost of the entire module. It was also a factor to increase.

【0006】これに対して、図9(b)は、スルーホー
ル導体50によって壁体を通過しないために、信号の特
性劣化は小さいが、伝送する信号の使用周波数が40G
Hz以上になると信号伝送線路49とスルーホール導体
50との接続部が曲折するために、曲折部での透過損失
が急激に大きくなり、高周波信号を伝送することが困難
であった。
On the other hand, FIG. 9 (b) shows that the signal does not deteriorate because the through-hole conductor 50 does not pass through the wall, but the operating frequency of the signal to be transmitted is 40G.
When the frequency is higher than Hz, the connection between the signal transmission line 49 and the through-hole conductor 50 is bent, so that the transmission loss at the bent portion increases rapidly, and it is difficult to transmit a high-frequency signal.

【0007】また、図9(c)においても、スルーホー
ル導体52、52’の内部の同軸伝送路54、54’に
より、高周波信号の伝送損失を小さくすることはできる
が、スルーホール内に同軸伝送路を形成することが難し
く、また、接続部の信頼性が劣るという問題があった。
In FIG. 9C, the transmission loss of a high-frequency signal can be reduced by the coaxial transmission lines 54 and 54 'inside the through-hole conductors 52 and 52'. There is a problem that it is difficult to form a transmission line, and that the reliability of the connection part is poor.

【0008】従って、本発明は、誘電体基板表面に形成
された複数の高周波素子を個々に電磁的に封止するとと
もに、高周波素子間の信号伝達時の伝送損失が小さく、
且つ簡略した構造からなる小型で高信頼性の高周波用モ
ジュールを提供することを目的とするものである。
Therefore, according to the present invention, a plurality of high-frequency elements formed on the surface of a dielectric substrate are individually electromagnetically sealed, and transmission loss during signal transmission between the high-frequency elements is small.
It is another object of the present invention to provide a small and highly reliable high frequency module having a simple structure.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、高周波用
モジュールにおいて、低損失化、小型化が可能な構造に
ついて検討を重ねた結果、蓋体によるキャビティ内の誘
電体基板表面に形成され、一方の端部が前記高周波素子
と電気的に接続された素子接続高周波伝送線路同士を、
前記キャビティ外の領域に形成された接続用高周波伝送
線路との電磁結合によって接続することにより、前記高
周波素子間を伝送特性を劣化させることなく電気的に相
互接続することができるとともに、かつ単純で小型化が
可能なモジュール構造となることを見いだした。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have repeatedly studied a structure capable of reducing loss and miniaturizing a high-frequency module. As a result, the structure is formed on the surface of the dielectric substrate in the cavity by the lid. Element connection high-frequency transmission lines, one end of which is electrically connected to the high-frequency element,
By connecting by electromagnetic coupling with a connecting high-frequency transmission line formed in a region outside the cavity, the high-frequency elements can be electrically interconnected without deteriorating transmission characteristics, and can be simple and simple. We have found that the module structure can be downsized.

【0010】また、前記接続用伝送線路を電磁的に封止
することにより、簡単な構造によって小型のモジュール
化が可能であるとともに、回路全体の保護、ならびに外
部からの電磁波の影響や、モジュールや信号伝送線路か
らの電磁波のもれを防止することができるものである。
Further, by electromagnetically sealing the connection transmission line, it is possible to make a compact module with a simple structure, to protect the entire circuit, to prevent the influence of external electromagnetic waves, to control the module and It is possible to prevent leakage of electromagnetic waves from the signal transmission line.

【0011】即ち、本発明の高周波用モジュールは、誘
電体基板と、該誘電体基板の一方の表面に接合された第
1の蓋体と、該第1の蓋体と前記誘電体基板によって形
成された第1のキャビティ内の前記誘電体基板表面に実
装された第1の高周波素子と、前記第1のキャビティ内
部の前記誘電体基板表面に形成され、一方の端部が前記
第1の高周波素子と電気的に接続された第1の素子接続
高周波伝送線路と、前記誘電体基板の一方の表面に接合
された第2の蓋体と、該第2の蓋体と前記誘電体基板に
よって形成された第2のキャビティ内の前記誘電体基板
表面に実装された第2の高周波素子と、前記第2のキャ
ビティ内部の前記誘電体基板表面に形成され、一方の端
部が前記第2の高周波素子と電気的に接続された第2の
素子接続高周波伝送線路と、前記第1のキャビティおよ
び第2のキャビティ外の領域に形成された接続用高周波
伝送線路とを具備し、前記第1の素子接続高周波伝送線
路の他方の端部と、前記接続用高周波伝送線路の一方の
端部を、および前記第2の素子接続高周波伝送線路の他
方の端部と、前記接続用高周波伝送線路の他方の端部と
をそれぞれ電磁結合することにより、前記第1および第
2の高周波素子間を電気的に相互接続してなることを特
徴とするものである。
That is, a high-frequency module according to the present invention comprises a dielectric substrate, a first lid joined to one surface of the dielectric substrate, and the first lid and the dielectric substrate. A first high-frequency element mounted on the surface of the dielectric substrate in the first cavity and a first high-frequency element formed on the surface of the dielectric substrate in the first cavity; A first element-connected high-frequency transmission line electrically connected to the element, a second lid joined to one surface of the dielectric substrate, and the second lid and the dielectric substrate; A second high-frequency element mounted on the surface of the dielectric substrate in the formed second cavity, and a second high-frequency element formed on the surface of the dielectric substrate in the second cavity, and one end of the second high-frequency element is formed on the second substrate. A second element-connected high-frequency transmission electrically connected to the element; A line, and a connection high-frequency transmission line formed in a region outside the first cavity and the second cavity. The other end of the first element-connection high-frequency transmission line; By electromagnetically coupling one end of the transmission line, and the other end of the second element connection high-frequency transmission line, and the other end of the connection high-frequency transmission line, the first and the second elements are connected. The second high-frequency elements are electrically connected to each other.

【0012】特に、本発明によれば、前記電磁結合は前
記第1の素子接続高周波伝送線路と、前記接続用高周波
伝送線路、および前記第2の素子接続高周波伝送線路
と、前記接続用高周波伝送線路間にグランド層が介在
し、該グランド層に形成されたスロット孔を介して前記
第1の素子接続高周波伝送線路と、前記接続用高周波伝
送線路、ならびに前記第2の素子接続高周波伝送線路と
が電磁結合されることが望ましい。
In particular, according to the present invention, the electromagnetic coupling includes the first element-connected high-frequency transmission line, the connection high-frequency transmission line, the second element-connected high-frequency transmission line, and the connection high-frequency transmission. A ground layer is interposed between the lines, and the first element-connected high-frequency transmission line, the connection high-frequency transmission line, and the second element-connected high-frequency transmission line are connected to each other through a slot hole formed in the ground layer. Are preferably electromagnetically coupled.

【0013】また、本発明の高周波用モジュールの具体
的な構造としては、前記グランド層が、前記誘電体基板
内部に形成され、前記接続用高周波伝送線路が前記誘電
体基板の他方の表面に形成されてなる構造、前記グラン
ド層が前記第1の誘電体基板に設けられ、前記接続用高
周波伝送線路が第2の誘電体基板に形成され、前記第2
の誘電体基板を前記第1の誘電体基板の他方の表面の所
定箇所に設置してなる構造、前記グランド層と前記接続
用高周波伝送線路が、第2の誘電体基板に設けられ、前
記第2の誘電体基板を前記誘電体基板の他方の表面の所
定箇所に設置してなる構造が望ましい。
In a specific structure of the high-frequency module according to the present invention, the ground layer is formed inside the dielectric substrate, and the connecting high-frequency transmission line is formed on the other surface of the dielectric substrate. Wherein the ground layer is provided on the first dielectric substrate, and the high-frequency transmission line for connection is formed on a second dielectric substrate.
A structure in which the dielectric substrate is disposed at a predetermined position on the other surface of the first dielectric substrate, the ground layer and the high-frequency transmission line for connection are provided on a second dielectric substrate, It is desirable that the second dielectric substrate is provided at a predetermined position on the other surface of the dielectric substrate.

【0014】さらに、本発明の高周波用モジュールの構
造においては、前記接続用高周波伝送線路は電磁的に封
止されていることが望ましい。
Further, in the structure of the high frequency module of the present invention, it is preferable that the high frequency transmission line for connection is electromagnetically sealed.

【0015】また、前記素子接続用高周波伝送線路は、
マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、グランド付
きコプレーナ線路から選ばれる1種から構成され、前記
接続用高周波伝送線路は、マイクロストリップ線路、コ
プレーナ線路、グランド付きコプレーナ線路およびトリ
プレート線路から選ばれる1種から構成されることが望
ましい。
Further, the high-frequency transmission line for element connection includes:
The high-frequency transmission line for connection is composed of one selected from a microstrip line, a coplanar line, a coplanar line with a ground, and a triplate line. It is desirable to be done.

【0016】[0016]

【作用】本発明の上記構成によれば、特に素子接続高周
波伝送線路の他方の端部と、接続用高周波伝送線路の端
部とを、例えば、グランド層に形成されたスロット孔を
介して電磁的に結合することにより、伝送線路が誘電体
からなる壁体内を通過したり、スルーホール導体や同軸
線路等を経由することがないために、高周波信号が壁体
内や曲折部を通過する際に生じる反射損や放射損の発生
を極力抑制することができ、また同軸線路等の形成の必
要がなく、低伝送損失で且つ小型化が可能なモジュール
を提供することができる。
According to the above construction of the present invention, in particular, the other end of the element-connected high-frequency transmission line and the end of the connection-use high-frequency transmission line are electromagnetically connected to each other through, for example, a slot hole formed in the ground layer. Transmission line does not pass through the wall made of a dielectric or pass through a through-hole conductor or a coaxial line, so that when a high-frequency signal passes through the wall or a bent portion, It is possible to provide a module capable of minimizing the occurrence of reflection loss and radiation loss and eliminating the necessity of forming a coaxial line or the like, and having low transmission loss and miniaturization.

【0017】また、前記接続用伝送線路を電磁的に封止
することにより、外部電磁波の影響や電磁波のもれ及び
他の信号伝送線路とのカップリングを防止することがで
きる結果、接続用伝送線路における伝送損失を低減でき
る。
Further, by electromagnetically sealing the transmission line for connection, the influence of external electromagnetic waves, leakage of electromagnetic waves, and coupling with other signal transmission lines can be prevented. Transmission loss in the line can be reduced.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明における高周波用モジュー
ルの第1の実施態様における概略断面図を図1に示し
た。図1の高周波用モジュール1によれば、誘電体材料
からなる誘電体基板2の表面には、2つ以上の蓋体3、
3’が接合されており、誘電体基板2とそれらの蓋体
3、3’によってキャビティ4、4’が形成されてい
る。そして、そのキャビティ4、4’内の誘電体基板2
表面には、それぞれMMIC、MIC等の高周波用の高
周波素子5、5’が実装されている。また、上記のモジ
ュールのキャビティ4、4’内には、高周波素子5、
5’に信号を伝送するための線路として、マイクロスト
リップ線路、ストリップ線路、グランド付コプレーナ線
路のうちから選ばれる1種からなる素子接続高周波伝送
線路(以下、素子用線路と略す。)6、6’がキャビテ
ィ4、4’内の誘電体基板2表面に被着形成され、高周
波素子5、5’と電気的に接続されている。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of a high-frequency module according to the present invention. According to the high-frequency module 1 of FIG. 1, two or more lids 3 are provided on the surface of a dielectric substrate 2 made of a dielectric material.
3 ′ are joined, and the dielectric substrates 2 and their lids 3, 3 ′ form cavities 4, 4 ′. Then, the dielectric substrate 2 in the cavities 4, 4 '
On the surface, high-frequency elements 5, 5 'for high frequency, such as MMIC and MIC, are mounted, respectively. In the cavities 4 and 4 ′ of the above-described module, high-frequency elements 5 and
As a line for transmitting a signal to 5 ', an element-connected high-frequency transmission line (hereinafter abbreviated as an element line) composed of one kind selected from a microstrip line, a strip line, and a coplanar line with a ground. Is formed on the surface of the dielectric substrate 2 in the cavities 4 and 4 ', and is electrically connected to the high-frequency elements 5, 5'.

【0019】この誘電体基板2は、誘電率が20以下の
アルミナ、ムライト、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミ
ニウム等のセラミックス、ガラスセラミックス、セラミ
ック金属複合材料、ガラス有機樹脂系複合材料および石
英等の誘電体材料からなることが望ましい。
The dielectric substrate 2 has a dielectric constant of 20 or less, such as ceramics such as alumina, mullite, silicon nitride, silicon carbide, and aluminum nitride, glass ceramics, ceramic metal composite materials, glass organic resin composite materials, and quartz. Desirably, it is made of a dielectric material.

【0020】蓋体3、3’は、キャビティ4、4’から
の電磁波が外部に漏洩したり、電磁波が外部にもれるの
を防止できる電磁波遮蔽性を有する材料から構成され、
例えば、金属、導電性セラミックス、セラミック金属複
合材料等が使用できるが、絶縁基板の表面に導電性物質
を塗布したものであってもよいが、コストの点から考慮
すれば金属であるのがよい。
The lids 3, 3 'are made of a material having an electromagnetic wave shielding property capable of preventing the electromagnetic waves from the cavities 4, 4' from leaking to the outside or leaking the electromagnetic waves to the outside.
For example, a metal, a conductive ceramic, a ceramic metal composite material, or the like can be used, but a material obtained by applying a conductive substance to the surface of an insulating substrate may be used, but a metal is preferable in consideration of cost. .

【0021】素子用線路6、6’は、Ag、Cu、Au
等の低抵抗導体からなることが望ましく、この点から前
記誘電体基板2は、焼成温度が800〜1000℃程度
のガラスセラミックスが最適であり、この組み合わせに
より誘電体基板2と信号伝送線路との同時焼成が可能と
なる。
The element lines 6, 6 'are made of Ag, Cu, Au.
For this reason, the dielectric substrate 2 is preferably made of glass ceramics having a firing temperature of about 800 to 1000 ° C., and the combination of the dielectric substrate 2 and the signal transmission line is preferable. Simultaneous firing becomes possible.

【0022】高周波素子5、5’は素子用線路6、6’
上に直接搭載するプリップチップ実装により、小さな伝
送損失で接続することができるが、本発明はこれに限定
されるものではなく、例えば、金リボンや複数のワイヤ
ボンディングで接続したり、ポリイミド等の基板にCu
等の導体を形成した導体板等により接続することもでき
る。
The high-frequency elements 5, 5 'are connected to element lines 6, 6'.
The connection can be made with a small transmission loss by mounting the flip chip directly on the chip, but the present invention is not limited to this.For example, the connection is made by gold ribbon or a plurality of wire bonding, or polyimide or the like. Cu on the substrate
It can also be connected by a conductor plate or the like on which a conductor such as is formed.

【0023】本発明によれば、図1に示すように誘電体
基板2の内部には前記素子用線路6、6’と平行にほぼ
全面にわたりグランド層8が形成され、グランド層8内
には、スロット孔9、9’が形成されている。
According to the present invention, as shown in FIG. 1, a ground layer 8 is formed substantially parallel to the element lines 6, 6 'over the entire surface inside the dielectric substrate 2, and in the ground layer 8, , Slot holes 9 and 9 ′ are formed.

【0024】また、誘電体2の他方の表面には、前記素
子用線路6、6’およびグランド層8と平行に、マイク
ロストリップ線路、ストリップ線路およびグランド付コ
プレーナ線路のうちから選ばれる1種からなる接続用高
周波伝送線路7(以下、接続用線路と略す。)が形成さ
れている。
On the other surface of the dielectric 2, in parallel with the element lines 6, 6 'and the ground layer 8, one of a microstrip line, a strip line, and a coplanar line with ground is selected. The connecting high-frequency transmission line 7 (hereinafter, abbreviated as a connecting line) is formed.

【0025】そして、高周波素子5と一端が電気的に接
続された素子用線路6の他端と接続用線路7の一端とを
図1に示すように、スロット孔9を介して対峙する位置
に形成することにより、素子用線路6と接続用線路7と
が電磁的に結合され、素子用線路6と接続用線路7間で
損失の小さい信号の伝達が行われる。
Then, as shown in FIG. 1, the other end of the element line 6 whose one end is electrically connected to the high-frequency element 5 and one end of the connection line 7 are opposed to each other via the slot hole 9 as shown in FIG. By forming, the element line 6 and the connection line 7 are electromagnetically coupled, and a signal with low loss is transmitted between the element line 6 and the connection line 7.

【0026】同様に、高周波素子5’と一端が電気的に
接続された素子用線路6’の他端と接続用線路7の他端
とをスロット孔9’を介して対峙する位置に形成するこ
とにより、素子用線路6’と接続用線路7とが電磁結合
され、素子用線路6’と接続用線路7間で損失の小さい
信号の伝達が行われる。
Similarly, the other end of the element line 6 'whose one end is electrically connected to the high-frequency element 5' and the other end of the connection line 7 are formed at positions facing each other via the slot hole 9 '. As a result, the element line 6 'and the connection line 7 are electromagnetically coupled, and a low-loss signal is transmitted between the element line 6' and the connection line 7.

【0027】その結果、高周波素子5と高周波素子5’
とを、素子用線路6、接続用線路7および素子用線路
6’を経由して、低損失で接続することができる。
As a result, the high-frequency elements 5 and 5 '
Can be connected with low loss via the element line 6, the connection line 7, and the element line 6 '.

【0028】なお、前記電磁結合の具体的構造について
説明すると、素子用線路6および接続用線路7は、各線
路の端部がそれぞれスロット孔9の中心直上位置から必
要な周波数の伝送信号の1/4波長相当の長さに突出さ
せた対峙位置に形成されることが望ましく、スロット孔
9の形状は、長辺と短辺とからなる長方形の孔であり、
そのサイズは、使用周波数や周波数の帯域幅により適宜
設定される。特に、スロット孔9の長辺は信号周波数の
1/2波長相当長さにするのが望ましく、スロット孔9
の短辺は1/5波長相当長さから1/50波長相当長さ
に設定することが望ましい。また、素子用線路6’と接
続用線路7も同様に配置される。
To explain the specific structure of the electromagnetic coupling, the element line 6 and the connection line 7 are arranged such that the end of each line is transmitted from the position immediately above the center of the slot hole 9 at the required frequency. It is preferable that the slot hole 9 is formed at a facing position protruding to a length corresponding to / wavelength, and the shape of the slot hole 9 is a rectangular hole having a long side and a short side.
The size is appropriately set according to the used frequency and the frequency bandwidth. In particular, the long side of the slot hole 9 is desirably set to a length corresponding to a half wavelength of the signal frequency.
Is desirably set to a length corresponding to 1/5 wavelength to a length corresponding to 1/50 wavelength. The element line 6 'and the connection line 7 are arranged in the same manner.

【0029】また、図1に示すように誘電体基板2と電
磁波遮蔽性の蓋体3、3’との接合部にグランド層10
を形成し、ビアホール11を通じてグランド層8と電気
的に接続することにより、キャビティ4、4’内の電磁
波がシールドできるため高周波素子5、5’および素子
用線路6、6’に発生する電磁波が外部に漏洩および外
部の電磁界による悪影響を防止し、回路の誤作動を防止
することができるため、モジュールの信頼性を高めるこ
とができる。さらに信号伝送線路からの共振が他の回路
等に影響を及ぼさないようにするため、蓋体3、3’の
内面に電磁波吸収体をとりつけてもかまわない。
As shown in FIG. 1, a ground layer 10 is provided at the junction between the dielectric substrate 2 and the lids 3 and 3 'for shielding electromagnetic waves.
Is formed and is electrically connected to the ground layer 8 through the via hole 11, so that the electromagnetic waves in the cavities 4, 4 'can be shielded. Therefore, the electromagnetic waves generated in the high-frequency elements 5, 5' and the element lines 6, 6 ' Since leakage to the outside and an adverse effect due to an external electromagnetic field can be prevented, and malfunction of the circuit can be prevented, the reliability of the module can be improved. Further, in order to prevent the resonance from the signal transmission line from affecting other circuits and the like, an electromagnetic wave absorber may be attached to the inner surfaces of the lids 3 and 3 '.

【0030】さらに、誘電体基板2のキャビティ4、
4’内の表面には、高周波素子5、5’への電源供給線
路や1GHz以下の低周波信号が伝送される低周波信号
伝送線路(図示せず)などが設けられ、さらには、他の
電子部品等が実装されていてもよく、これらは通常の多
層配線基板技術によってビアホールまたはスルーホール
を介してキャビティ4、4’外に導出され、さらに高周
波用モジュール1の外部へと導出される。
Further, the cavity 4 of the dielectric substrate 2
A power supply line to the high-frequency elements 5 and 5 'and a low-frequency signal transmission line (not shown) for transmitting a low-frequency signal of 1 GHz or less are provided on the surface inside 4'. Electronic components and the like may be mounted, and these are led out of the cavities 4 and 4 ′ through via holes or through holes by a normal multilayer wiring board technique, and further led out of the high frequency module 1.

【0031】図1のモジュールにおいては、素子用線路
6、6’、接続用線路7およびグランド層8がいずれも
誘電体基板2内に設けられたものであるが、接続用線路
7およびグランド層8は必ずしも誘電体基板2内に設け
られる必要はない。そこで、接続用線路7あるいは接続
用線路7およびグランド層8とを他の部材に形成した第
2、第3の実施態様を図2および図3に示した。図2
は、その第2の実施態様の分解断面図である。
In the module shown in FIG. 1, the element lines 6, 6 ', the connection line 7, and the ground layer 8 are all provided in the dielectric substrate 2, but the connection line 7, the ground layer 8 need not necessarily be provided in the dielectric substrate 2. Therefore, FIGS. 2 and 3 show second and third embodiments in which the connection line 7 or the connection line 7 and the ground layer 8 are formed on another member. FIG.
FIG. 4 is an exploded sectional view of the second embodiment.

【0032】図2の高周波用モジュール12において
は、誘電体基板2、蓋体3、3’、キャビティ4、4’
高周波素子5、5’、素子用線路6、6’、スロット孔
9、9’およびグランド層8は高周波用モジュール1と
同様の構成とであるが、図2によれば、マイクロストリ
ップ線路、ストリップ線路およびグランド付コプレーナ
線路のうちから選ばれる1種からなる接続用線路7が誘
電体材料からなる接続用部材13の表面に形成されてい
る。
In the high frequency module 12 shown in FIG. 2, the dielectric substrate 2, the lids 3, 3 ', the cavities 4, 4' are provided.
The high-frequency elements 5, 5 ', element lines 6, 6', slot holes 9, 9 ', and ground layer 8 have the same configuration as the high-frequency module 1, but according to FIG. A connection line 7 made of one selected from a line and a coplanar line with ground is formed on the surface of a connection member 13 made of a dielectric material.

【0033】そして、素子用線路6と接続用部材13表
面に形成された接続用線路7の終端部が図1で説明した
のと同様にスロット孔9、9’を介して所定の位置関係
になるように誘電体基板2と接続用部材13との貼り合
わせることにより、素子用線路6、6’と接続用線路7
間を電磁的に結合することが可能となり、損失の小さい
信号の伝達が行われる。
The element line 6 and the end of the connection line 7 formed on the surface of the connection member 13 are brought into a predetermined positional relationship via the slot holes 9 and 9 'in the same manner as described with reference to FIG. By bonding the dielectric substrate 2 and the connection member 13 so that the element lines 6 and 6 ′ and the connection line 7
It is possible to electromagnetically couple between them, and a signal with small loss is transmitted.

【0034】なお、誘電体基板2と接続用部材13と
は、接着剤やネジ止めにより貼り合わせ固定することが
できる他、接着剤を用いずに単に重畳しても問題はな
い。
The dielectric substrate 2 and the connection member 13 can be bonded and fixed by an adhesive or a screw, and there is no problem if they are simply overlapped without using an adhesive.

【0035】図2においてはグランド層8が誘電体基板
2の内部に接続用線路7が接続用部材13の表面に形成
される場合について示したが、第2の実施態様はこれに
限られるものではなく、例えば、(1)接続用線路7が
接続用部材13の内部または裏面に、グランド層8が誘
電体基板2の高周波素子5、5’形成面の裏面に形成さ
れる構成、(2)接続用線路7が接続用部材13の内部
に、グランド層8も誘電体基板2の内部または裏面に形
成される等の構成であってもよい。
FIG. 2 shows a case in which the ground layer 8 is formed inside the dielectric substrate 2 and the connection line 7 is formed on the surface of the connection member 13, but the second embodiment is not limited to this. Instead, for example, (1) a configuration in which the connection line 7 is formed inside or on the back surface of the connection member 13, and the ground layer 8 is formed on the back surface of the high-frequency elements 5, 5 ′ of the dielectric substrate 2, ) The connection line 7 may be formed inside the connection member 13, and the ground layer 8 may be formed inside or on the back surface of the dielectric substrate 2.

【0036】図3は第3の実施態様の分解断面図であ
る。また、図3によれば、高周波用モジュール14にお
いては、誘電体基板2、蓋体3、3’、キャビティ4、
4’、高周波素子5、5’、素子用線路6、6’は高周
波用モジュール1と同様の構成であるが、図3によれ
ば、接続用部材13の表面にほぼ全面にわたりグランド
層8が形成され、グランド層8内には、スロット孔9、
9’が形成され、また、マイクロストリップ線路、スト
リップ線路およびグランド付コプレーナ線路のうちから
選ばれる1種からなる接続用線路7が誘電体材料からな
る接続用部材13の内部または裏面に形成されている。
FIG. 3 is an exploded sectional view of the third embodiment. According to FIG. 3, in the high-frequency module 14, the dielectric substrate 2, the lids 3, 3 ', the cavity 4,
4 ′, high-frequency elements 5, 5, and element lines 6, 6 ′ have the same configuration as the high-frequency module 1, but according to FIG. And a slot hole 9 in the ground layer 8.
9 'is formed, and a connection line 7 made of one selected from a microstrip line, a strip line, and a coplanar line with ground is formed inside or on the back surface of a connection member 13 made of a dielectric material. I have.

【0037】そして、素子用線路6、6’と接続用部材
13内部に形成された接続用線路7の終端部が図1で説
明したのと同様にスロット孔9、9’を介して所定の位
置関係になるように誘電体基板2と接続用部材13とを
貼り合わせることにより、素子用線路6、6’と高周波
接続用伝送線路7間を電磁的に結合することが可能とな
り、損失の小さい信号の伝達が行われる。
The element lines 6, 6 'and the end of the connection line 7 formed inside the connection member 13 are provided through the slot holes 9, 9' in the same manner as described with reference to FIG. By bonding the dielectric substrate 2 and the connection member 13 in a positional relationship, it becomes possible to electromagnetically couple the element lines 6, 6 'and the high-frequency connection transmission line 7, thereby reducing loss. Transmission of small signals takes place.

【0038】なお、誘電体基板2と接続用部材13と
は、図2の高周波モジュール12と同様に貼り合わせ固
定することができる。
The dielectric substrate 2 and the connecting member 13 can be bonded and fixed in the same manner as the high-frequency module 12 shown in FIG.

【0039】さらに、図3においてはグランド層8が接
続用部材13の表面に形成される場合について示した
が、本発明の構成によればこれに限られるものではな
く、グランド層8は接続用部材13の内部に形成されて
もよく、また、接続用線路7は接続用部材13の裏面に
形成されていてもよい。
Further, FIG. 3 shows a case where the ground layer 8 is formed on the surface of the connection member 13. However, according to the structure of the present invention, the present invention is not limited to this. The connection line 7 may be formed inside the member 13, and the connection line 7 may be formed on the back surface of the connection member 13.

【0040】なお、図2、3に示した接続用部材13
は、誘電体基板2よりも低誘電率の材料、特に樹脂製で
あることが、電磁結合性を高める上で望ましい。また、
この接続用部材13は、ヒートシンク、ハウジングなど
を兼ね備えてもよく、もちろんこれと独立した部材であ
ってもよい。
The connecting member 13 shown in FIGS.
Is preferably made of a material having a lower dielectric constant than the dielectric substrate 2, particularly a resin, in order to enhance the electromagnetic coupling. Also,
The connection member 13 may have a heat sink, a housing, and the like, and may be a member independent of this.

【0041】(シールド構造)本発明においては、図1
乃至図3の実施態様において、接続用線路7は電磁気的
にシールドされていることが望ましい。そこで、図4に
上記(1)の方法に基づく概略断面図に示した。
(Shield Structure) In the present invention, FIG.
In the embodiments shown in FIGS. 3 to 3, the connection line 7 is desirably electromagnetically shielded. Therefore, FIG. 4 is a schematic sectional view based on the method (1).

【0042】接続用線路の封止の方法としては、(1)
高周波モジュール1において、接続用線路7形成面の接
続用線路7を囲む位置に接続用線路7の厚みよりも厚い
枠体を形成し、接続用線路7を開口部内に収納し、さら
に電磁波遮蔽性を有する蓋体、スルーホールおよびグラ
ンド層により前記枠体の開口部を電磁的に封止する方法
(図4)、(2)高周波モジュール1において、接続用
線路7形成部に凹部を有する導電性蓋を接続用線路7形
成面に設置し、電磁的にシールドする方法(図5)、
(3)図2の高周波モジュール12において、(2)と
同様の導電性蓋体にて誘電体層13を介して接続用線路
7を封止し、電磁的にシールドする方法(図6)等があ
る。
The method of sealing the connection line is described in (1)
In the high-frequency module 1, a frame thicker than the thickness of the connection line 7 is formed at a position surrounding the connection line 7 on the surface where the connection line 7 is formed, and the connection line 7 is accommodated in the opening, and furthermore, the electromagnetic wave shielding property is provided. A method of electromagnetically sealing the opening of the frame with a lid having a cover, a through hole, and a ground layer (FIG. 4); A method of installing a lid on the connection line 7 forming surface and electromagnetically shielding (FIG. 5)
(3) In the high-frequency module 12 of FIG. 2, a method of sealing the connection line 7 via the dielectric layer 13 with the same conductive lid as in (2) and electromagnetically shielding (FIG. 6), etc. There is.

【0043】図4の高周波用モジュール15によれば、
誘電体基板2の接続用線路7形成面に、線路7の厚みよ
りも厚い枠体16が形成され、また枠体16には開口部
17が形成され、接続用線路7が開口部17内に収納さ
れるように構成されている。
According to the high-frequency module 15 shown in FIG.
A frame 16 thicker than the thickness of the line 7 is formed on the connection line 7 forming surface of the dielectric substrate 2, and an opening 17 is formed in the frame 16, and the connection line 7 is placed in the opening 17. It is configured to be stored.

【0044】また、枠体16の開口部17周囲には、グ
ランド層18が形成されており、誘電体基板2のグラン
ド層8とスルーホール、キャスタレーション、凹部内壁
に形成された導体層19を通じて接続されている。
A ground layer 18 is formed around the opening 17 of the frame 16, through the ground layer 8 of the dielectric substrate 2, through holes, castellations, and conductor layers 19 formed on the inner wall of the recess. It is connected.

【0045】そして、枠体16の開口部17には導電性
蓋体20が開口部17を封止するようにグランド層18
にロウ付け、半田付け等の手法により接合され、電気的
に接続された構造になっている。
A ground layer 18 is formed in the opening 17 of the frame 16 so that the conductive lid 20 seals the opening 17.
Are joined by a method such as brazing or soldering, and are electrically connected.

【0046】なお、枠体16は誘電体材料より構成さ
れ、誘電率が20以下のセラミックス、ガラスセラミッ
クス、セラミック金属複合材料、ガラス有機樹脂系複合
材料等などが望ましいが、熱膨張挙動を合わせる観点か
ら誘電体基板2と同じ材質であることが望ましい。
The frame 16 is made of a dielectric material, and is preferably made of a ceramic having a dielectric constant of 20 or less, a glass ceramic, a ceramic metal composite material, a glass organic resin composite material, or the like. Therefore, it is desirable that the material is the same as that of the dielectric substrate 2.

【0047】導電性蓋体20は、電磁波が外部にもれる
のを防止できる電磁波遮蔽性を有する材料から構成さ
れ、例えば、金属、セラミックス、セラミックス金属複
合材料、ガラスセラミックス、ガラス有機樹脂複合材料
等から形成される。また、枠体16と導電性蓋体20は
接着剤やネジ止めにより、貼り合わせ固定することもで
きる。
The conductive lid 20 is made of a material having an electromagnetic wave shielding property capable of preventing an electromagnetic wave from leaking to the outside. For example, a metal, a ceramic, a ceramic metal composite material, a glass ceramic, a glass organic resin composite material, or the like is used. Formed from In addition, the frame 16 and the conductive lid 20 can be bonded and fixed by an adhesive or a screw.

【0048】図5は、前記(2)の方法に基づくモジュ
ールの概略断面図である。この構造は図4の枠体16お
よび導電性蓋体20に代えて、凹部23を形成した導電
性部材22をこの凹部内で接続用線路7を囲むように高
周波用モジュール1と導電性部材22を貼り合わせたも
のであり、かかる構造によっても、図4と同様に接続用
線路7を封止することができる。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a module based on the method (2). In this structure, instead of the frame 16 and the conductive lid 20 shown in FIG. 4, the high-frequency module 1 and the conductive member 22 are formed such that the conductive member 22 having the concave portion 23 is surrounded by the connecting line 7 in the concave portion. The connection line 7 can be sealed similarly to FIG. 4 by this structure.

【0049】図6は前記(3)に基づくモジュールの概
略断面図である。図6によれば、高周波用モジュール2
4は、高周波用モジュール12において、凹部23を形
成した導電性部材22と高周波用モジュール12とを貼
り合わせた構造になっている。
FIG. 6 is a schematic sectional view of a module based on the above (3). According to FIG. 6, the high frequency module 2
Reference numeral 4 denotes a structure in which the conductive member 22 having the concave portion 23 and the high-frequency module 12 are bonded to each other.

【0050】このとき、高周波用モジュール12と導電
性部材22が安定に貼り合わせられ、接続用部材13を
完全に封止できるように、接続用部材13の厚みは、接
続用伝送線路7が導電性部材22の凹部23から突出し
ない程度に凹部23の深さとほぼ同一、あるいは凹部2
3の深さよりも小さくすることが望ましい。
At this time, the thickness of the connection member 13 is set so that the connection transmission line 7 is electrically conductive so that the high-frequency module 12 and the conductive member 22 can be stably bonded together and the connection member 13 can be completely sealed. The depth of the recess 23 so as not to protrude from the recess 23 of the conductive member 22, or the recess 2
It is desirable to make the depth smaller than 3.

【0051】上記のシールド構造により、接続用線路7
に発生する電磁波が外部に漏洩することおよび外部の電
磁界が接続用線路7に悪影響を及ぼすことを防止し、回
路の誤作動を防止することができるため、モジュールの
信頼性を高めることができる。
With the above shield structure, the connecting line 7
In this case, the electromagnetic wave generated in the module can be prevented from leaking to the outside, and the external electromagnetic field can be prevented from adversely affecting the connection line 7, and the malfunction of the circuit can be prevented. Therefore, the reliability of the module can be improved. .

【0052】本発明の高周波用モジュールにおいては、
図1〜6のモジュールでは、いずれも蓋体3、3’、キ
ャビティ4、4’、高周波素子5、5’、素子用線路
6、6’が同一の誘電体基板2に形成されているが、本
発明はこれに限られるものではなく、蓋体3、キャビテ
ィ4、高周波素子5、素子用線路6が誘電体基板2に、
蓋体3’、キャビティ4’、高周波素子5’、素子用線
路6’が他の誘電体基板2’に形成される構造であって
もよい。
In the high frequency module of the present invention,
In each of the modules shown in FIGS. 1 to 6, the lids 3 and 3 ′, the cavities 4 and 4 ′, the high-frequency elements 5 and 5 ′, and the element lines 6 and 6 ′ are formed on the same dielectric substrate 2. However, the present invention is not limited to this, and the lid 3, the cavity 4, the high-frequency element 5, and the element line 6 are formed on the dielectric substrate 2,
The lid 3 ', the cavity 4', the high-frequency element 5 ', and the element line 6' may be formed on another dielectric substrate 2 '.

【0053】また、蓋体3、3’については、別体とし
て説明したが、蓋体3、3’は高周波素子5、5’を個
々に電磁的にシールドできる構造であればよく、例え
ば、図7(a)に示すように、蓋体3、3’が完全に一
体化され、壁部3aによって第1、第2のキャビティに
分別されるもの、あるいは、図7(b)に示すように、
蓋体3、3’が壁部3aの開口部を蓋部3bで覆う構造
の壁部3aと蓋部3bによって構成され、壁部3aによ
って第1、第2のキャビティに分別されるような一体型
の蓋体であってもよい。
Although the lids 3 and 3 'have been described as separate bodies, the lids 3 and 3' may have any structure as long as they can electromagnetically shield the high-frequency elements 5 and 5 'individually. As shown in FIG. 7 (a), the lids 3 and 3 ′ are completely integrated and separated into first and second cavities by the wall 3a, or as shown in FIG. 7 (b). To
The lid 3, 3 ′ is constituted by a wall 3 a having a structure in which the opening of the wall 3 a is covered with the lid 3 b and a lid 3 b, and is separated into the first and second cavities by the wall 3 a. It may be a body-shaped lid.

【0054】さらに、キャビティ4、4’内において
は、1つの高周波素子以外に他の高周波素子や低周波素
子が内蔵されていてもよく、また、1つのキャビティ内
に電磁結合部が3つ以上存在していてもなんら差し支え
ない。
Further, in the cavities 4 and 4 ', other high-frequency elements and low-frequency elements may be built in addition to one high-frequency element, and three or more electromagnetic coupling parts are provided in one cavity. It does not matter if it exists.

【0055】なお、本発明によれば、誘電体基板の表面
に3つ以上のキャビティが設けられ、それぞれのキャビ
ティ内に高周波素子が収納される場合において、3つ以
上の高周波素子間が上記と同様な構造によって相互接続
されてもよく、また、相互接続されない独立した高周波
素子が存在していてもよい。
According to the present invention, when three or more cavities are provided on the surface of the dielectric substrate, and the high-frequency elements are accommodated in the respective cavities, the gap between the three or more high-frequency elements is as described above. They may be interconnected by a similar structure, or there may be independent high frequency elements that are not interconnected.

【0056】また、本発明の高周波用モジュールにおい
ては、接続用線路7内の素子用線路6、6’との接続端
間において、整合用回路が設けられたり、線路に電子部
品等が接続、介在していてもよい。
Further, in the high-frequency module of the present invention, a matching circuit is provided between the connection ends of the connection lines 7 with the element lines 6 and 6 ′, and electronic components and the like are connected to the lines. It may be interposed.

【0057】さらに、本発明においては、モジュールの
末端の高周波素子に対しては、素子用線路6からスロッ
ト孔9を介して導波管等を接続することにより、直接ア
ンテナ素子等に信号を伝達することが可能である。その
具体例として、図9に本発明における高周波用モジュー
ルの第9の実施態様の概略断面の端部図を示した。図9
によれば、高周波用モジュール25は、素子用線路6と
導波管26がスロット孔9を介して電磁結合する配線構
造となっている。さらに、導波管26と別のモジュール
やアンテナ素子等に接続することにより、高周波信号が
低伝送損失で伝送される。
Further, in the present invention, a signal is directly transmitted to an antenna element or the like by connecting a waveguide or the like from the element line 6 to the high-frequency element at the end of the module through the slot hole 9. It is possible to As a specific example, FIG. 9 shows an end view of a schematic cross section of a ninth embodiment of the high-frequency module according to the present invention. FIG.
According to this, the high-frequency module 25 has a wiring structure in which the element line 6 and the waveguide 26 are electromagnetically coupled via the slot hole 9. Further, by connecting the waveguide 26 to another module, antenna element, or the like, a high-frequency signal is transmitted with low transmission loss.

【0058】なお、かかる構造においては、導波管26
とグランド層8とが複数のスルーホール導体27によっ
て電気的に接続されており、また、スロット孔9の導波
管接続側にはインピーダンス整合用誘電体層28を設け
ることによって、素子用線路6と導波管26との損失を
低減して接続することができる。
In this structure, the waveguide 26
And the ground layer 8 are electrically connected to each other by a plurality of through-hole conductors 27, and a dielectric layer 28 for impedance matching is provided on the waveguide connection side of the slot hole 9 so that the element line 6 is formed. And the waveguide 26 can be connected with reduced loss.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用モ
ジュールは、高周波素子をそれぞれ内蔵する各々のキャ
ビティ内の素子用線路とキャビティ外に形成された接続
用線路との電磁的な結合によって接続することにより、
高周波信号伝送線路がキャビティ形成のための壁体等を
通過することがないために、線路間及び高周波回路素子
間を低伝送損失で信号を伝達することが可能となり、ま
た容易にかつ低コストに作製することができる。しか
も、高周波素子、素子用線路が収納されるキャビティお
よび接続用伝送線路を導電性層やグランド層等により電
磁的にシールドすることにより、非常に簡単な構造で、
外部からの電磁波による影響および素子や線路間に及ぼ
す影響を防止することができ、高信頼性の小型化が可能
な高周波用モジュールを提供することができる。
As described in detail above, the high-frequency module of the present invention is provided by the electromagnetic coupling between the element lines in the respective cavities each containing a high-frequency element and the connection lines formed outside the cavities. By connecting
Since the high-frequency signal transmission line does not pass through a wall or the like for forming a cavity, signals can be transmitted between the lines and between high-frequency circuit elements with low transmission loss, and easily and at low cost. Can be made. In addition, the high frequency element, the cavity in which the element line is stored, and the transmission line for connection are electromagnetically shielded by a conductive layer, a ground layer, etc.
The effect of external electromagnetic waves and the influence between elements and lines can be prevented, and a high-reliability and compact high-frequency module can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の高周波用モジュールの第1の実施態様
を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a high-frequency module according to the present invention.

【図2】本発明の高周波用モジュールの第2の実施態様
を示す分解断面図である。
FIG. 2 is an exploded sectional view showing a second embodiment of the high-frequency module according to the present invention.

【図3】本発明の高周波用モジュールの第3の実施態様
を示す分解断面図である。
FIG. 3 is an exploded cross-sectional view showing a third embodiment of the high-frequency module according to the present invention.

【図4】本発明の高周波用モジュールの第4の実施態様
を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a fourth embodiment of the high-frequency module according to the present invention.

【図5】本発明の高周波用モジュールの第5の実施態様
を示す概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a fifth embodiment of the high-frequency module according to the present invention.

【図6】本発明の高周波用モジュールの第6の実施態様
を示す概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a high-frequency module according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の高周波用モジュールの第8の実施態様
を示す概略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing an eighth embodiment of the high-frequency module according to the present invention.

【図8】本発明の高周波用モジュールの第9の実施態様
を示す概略断面の端部図である。
FIG. 8 is a schematic sectional end view showing a ninth embodiment of the high-frequency module of the present invention.

【図9】従来の高周波用モジュールの構造を示す概略断
面図である。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing the structure of a conventional high-frequency module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、12、14、15、21、24、25 高周波用モ
ジュール 2 誘電体基板 3、3’ 蓋体 3a 壁部 3b 蓋部 4、4’ キャビティ 5、5’ 高周波素子 6、6’ 素子用線路 7 接続用線路 8、10、18 グランド層 9、9’ スロット孔 11 ビアホール 13 接続用部材 16 枠体 17 開口部 19、27 スルーホール 20 導電性蓋体 22 導電性部材 23 凹部 26 導波管 28 整合用誘電体
1, 12, 14, 15, 21, 24, 25 High-frequency module 2 Dielectric substrate 3, 3 'Lid 3a Wall 3b Lid 4, 4' Cavity 5, 5 'High-frequency element 6, 6' Element line 7 Connection Line 8, 10, 18 Ground Layer 9, 9 'Slot Hole 11 Via Hole 13 Connection Member 16 Frame 17 Opening 19, 27 Through Hole 20 Conductive Lid 22 Conductive Member 23 Concave 26 Waveguide 28 Matching dielectric

フロントページの続き (72)発明者 森岡 滋生 滋賀県蒲生郡蒲生町川合10番地の1 京セ ラ株式会社滋賀工場内 (72)発明者 久保 貴則 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内Continued on the front page (72) Inventor Shigeo Morioka 10-1 Kawai, Gamo-cho, Gamo-gun, Shiga Prefecture Inside the Shiga Plant of Kyocera Corporation (72) Inventor Takanori Kubo 1-1-1, Yamashita-cho, Kokubu-shi, Kagoshima Kyocera Corporation Kagoshima Kokubu Factory

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】誘電体基板と、 該誘電体基板の一方の表面に接合された第1の蓋体と、
該第1の蓋体と前記誘電体基板によって形成された第1
のキャビティ内の前記誘電体基板表面に実装された第1
の高周波素子と、前記第1のキャビティ内部の前記誘電
体基板表面に形成され、一方の端部が前記第1の高周波
素子と電気的に接続された第1の素子接続高周波伝送線
路と、 前記誘電体基板の一方の表面に接合された第2の蓋体
と、該第2の蓋体と前記誘電体基板によって形成された
第2のキャビティ内の前記誘電体基板表面に実装された
第2の高周波素子と、前記第2のキャビティ内部の前記
誘電体基板表面に形成され、一方の端部が前記第2の高
周波素子と電気的に接続された第2の素子接続高周波伝
送線路と、 前記第1のキャビティおよび第2のキャビティの外領域
に形成された接続用高周波伝送線路とを具備し、 前記第1の素子接続高周波伝送線路の他方の端部と、前
記接続用高周波伝送線路の一方の端部を、および前記第
2の素子接続高周波伝送線路の他方の端部と、前記接続
用高周波伝送線路の他方の端部とをそれぞれ電磁結合す
ることにより、前記第1および第2の高周波素子間を電
気的に相互接続してなることを特徴とする高周波用モジ
ュール。
1. A dielectric substrate, a first lid joined to one surface of the dielectric substrate,
A first cover formed by the first lid and the dielectric substrate;
The first substrate mounted on the surface of the dielectric substrate in the cavity of
A first element-connected high-frequency transmission line formed on the surface of the dielectric substrate inside the first cavity and having one end electrically connected to the first high-frequency element; A second lid joined to one surface of the dielectric substrate, and a second lid mounted on the surface of the dielectric substrate in a second cavity formed by the second lid and the dielectric substrate A second element-connected high-frequency transmission line formed on the surface of the dielectric substrate inside the second cavity and having one end electrically connected to the second high-frequency element; A high-frequency transmission line for connection formed in an outer region of the first cavity and the second cavity; and a second end of the high-frequency transmission line for connection of the first element and one of the high-frequency transmission lines for connection. And the second element The other end of the connection high-frequency transmission line is electromagnetically coupled to the other end of the connection high-frequency transmission line to electrically interconnect the first and second high-frequency elements. A high-frequency module, characterized in that:
【請求項2】前記第1の素子接続高周波伝送線路と、前
記接続用高周波伝送線路、および前記第2の素子接続高
周波伝送線路と、前記接続用高周波伝送線路間にグラン
ド層が介在し、該グランド層に形成されたスロット孔を
介して前記第1の素子接続高周波伝送線路と、前記接続
用高周波伝送線路、ならびに前記第2の素子接続高周波
伝送線路とが電磁結合されてなることを特徴とする請求
項1記載の高周波用モジュール。
2. A ground layer is interposed between the first element-connected high-frequency transmission line, the connection high-frequency transmission line, the second element-connection high-frequency transmission line, and the connection high-frequency transmission line. The first element-connection high-frequency transmission line, the connection high-frequency transmission line, and the second element-connection high-frequency transmission line are electromagnetically coupled via a slot hole formed in a ground layer. The high-frequency module according to claim 1.
【請求項3】前記グランド層が、前記誘電体基板内部に
形成され、前記接続用高周波伝送線路が前記誘電体基板
の他方の表面に形成されてなる請求項2記載の高周波用
モジュール。
3. The high-frequency module according to claim 2, wherein the ground layer is formed inside the dielectric substrate, and the connection high-frequency transmission line is formed on the other surface of the dielectric substrate.
【請求項4】前記グランド層が前記誘電体基板に設けら
れ、前記接続用高周波伝送線路が接続用誘電体基板に形
成され、前記接続用誘電体基板を前記第1の誘電体基板
の他方の表面の所定箇所に設置してなる請求項2記載の
高周波用モジュール。
4. The connection substrate according to claim 1, wherein the ground layer is provided on the dielectric substrate, the connection high-frequency transmission line is formed on the connection dielectric substrate, and the connection dielectric substrate is connected to the other of the first dielectric substrates. 3. The high-frequency module according to claim 2, which is installed at a predetermined location on the surface.
【請求項5】前記グランド層と前記接続用高周波伝送線
路が、前記接続用誘電体基板に設けられ、前記接続用誘
電体基板を前記誘電体基板の他方の表面の所定箇所に設
置してなる請求項2記載の高周波用モジュール。
5. The ground layer and the high-frequency transmission line for connection are provided on the dielectric substrate for connection, and the dielectric substrate for connection is provided at a predetermined position on the other surface of the dielectric substrate. The high-frequency module according to claim 2.
【請求項6】前記接続用高周波伝送線路が、電磁的に封
止されている請求項1記載の高周波用モジュール。
6. The high-frequency module according to claim 1, wherein the connection high-frequency transmission line is electromagnetically sealed.
【請求項7】前記素子接続用高周波伝送線路が、マイク
ロストリップ線路、コプレーナ線路、グランド付きコプ
レーナ線路から選ばれる1種から構成される請求項1記
載の高周波用モジュール。
7. The high-frequency module according to claim 1, wherein the element-connecting high-frequency transmission line is composed of one selected from a microstrip line, a coplanar line, and a grounded coplanar line.
【請求項8】前記接続用高周波伝送線路が、マイクロス
トリップ線路、コプレーナ線路、グランド付きコプレー
ナ線路およびトリプレート線路から選ばれる1種から構
成される請求項1記載の高周波用モジュール。
8. The high-frequency module according to claim 1, wherein said high-frequency transmission line for connection comprises one selected from a microstrip line, a coplanar line, a coplanar line with ground, and a triplate line.
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