JP2002198712A - Waveguide conversion board and high frequency module - Google Patents

Waveguide conversion board and high frequency module

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JP2002198712A
JP2002198712A JP2000393443A JP2000393443A JP2002198712A JP 2002198712 A JP2002198712 A JP 2002198712A JP 2000393443 A JP2000393443 A JP 2000393443A JP 2000393443 A JP2000393443 A JP 2000393443A JP 2002198712 A JP2002198712 A JP 2002198712A
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board
dielectric substrate
terminal
dielectric
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Shinichi Koriyama
慎一 郡山
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Kyocera Corp
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  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a module that consists of a high frequency element package containing a high frequency element mounted on a wiring board and is connectable to a waveguide. SOLUTION: The module is characterized in the provision of a surface mount terminal A that is formed to a front side or a rear side of a dielectric board 1 and can be surface-mounted on a wiring board X1, a waveguide connection terminal C that is coupled with a waveguide on the front side or the rear side of the dielectric board 1, and a high frequency transmission line B interconnecting the surface mount terminal A and the waveguide connection terminal C. The surface mount terminal A has a signal conductor 2 and a ground conductor 3 placed at both sides of the conductor 2, and the waveguide connection terminal C has a ground conductor strip 12 that is formed on the front side or the rear side of the dielectric board 1 and has an inner diameter 13 substantially the same as that of a waveguide opening to which the strip 12 is connected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は、マイクロ波やミ
リ波の領域で、アンテナ等の外部素子と導波管を介した
接続を可能とする導波管変換基板と、それを用いた高周
波モジュールの改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide conversion board which enables connection to an external element such as an antenna via a waveguide in a microwave or millimeter wave region, and a high-frequency module using the same. Regarding the improvement.

【0002】[0002]

【従来技術】近年、高度情報化時代を迎え、情報伝達に
用いられる電波は1〜30GHzのマイクロ波領域か
ら、更に30〜300GHzのミリ波領域の周波数まで
活用することが検討されており、例えば、車間レーダー
のようなミリ波の電波を用いた応用システムも提案され
るようになっている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the era of advanced information technology, it has been studied to utilize radio waves used for information transmission from a microwave region of 1 to 30 GHz to a millimeter wave region of 30 to 300 GHz. Application systems using millimeter wave radio waves, such as inter-vehicle radars, have also been proposed.

【0003】このような高周波用のシステムにおいて
は、従来、モジュールとアンテナ等の外部素子との接続
に導波管を用いており、そのためモジュールは電子回路
を形成するマイクロストリップ線路を導波管と接続する
ための開口を有する金属匡体にすべての高周波素子を搭
載収納し、それを蓋体などによって一括して気密封止す
るマルチチップモジュールが提案されている。
In such a high-frequency system, a waveguide is conventionally used to connect the module to an external element such as an antenna. Therefore, the module uses a microstrip line for forming an electronic circuit as a waveguide. A multi-chip module has been proposed in which all high-frequency elements are mounted and housed in a metal housing having an opening for connection, and are collectively hermetically sealed with a lid or the like.

【0004】図6は、提案されているマルチチップモジ
ュールの構造の一例を説明するための概略断面図であ
る。図6によれば、マルチチップモジュール60は金属
匡体61、蓋体62とその内部の複数の高周波素子6
3、接続基板64、導波管変換用マイクロストリップ線
路基板65からなっている。それぞれの高周波素子63
は接続基板64や導波管変換用マイクロストリップ線路
基板65とワイヤーボンディングによって接続されてい
る。金属匡体61には導波管開口66が形成されてお
り、この導波管開口66には気密封止のために誘電体窓
67がろう付けされている。接続用導波管68は金属匡
体61の導波管開口66に接続されている。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the structure of a proposed multi-chip module. According to FIG. 6, the multi-chip module 60 includes a metal housing 61, a lid 62, and a plurality of high-frequency elements 6 therein.
3, a connection board 64, and a microstrip line board 65 for waveguide conversion. Each high frequency element 63
Is connected to the connection substrate 64 and the waveguide conversion microstrip line substrate 65 by wire bonding. A waveguide opening 66 is formed in the metal housing 61, and a dielectric window 67 is brazed to the waveguide opening 66 for hermetic sealing. The connection waveguide 68 is connected to the waveguide opening 66 of the metal housing 61.

【0005】このようなマルチチップモジュールにおい
ては、多数の高周波素子を1つの金属匡体に搭載するた
めに、金属匡体のサイズが大きくなってしまい、その結
果、金属匡体や蓋体の変形等により気密封止の歩留まり
に問題があった。
In such a multi-chip module, since a large number of high-frequency elements are mounted on one metal housing, the size of the metal housing becomes large, and as a result, the deformation of the metal housing or the lid is caused. For example, there is a problem in the yield of hermetic sealing.

【0006】このような問題を解消するために、複数の
高周波素子を独立した複数のパッケージ内に気密に収納
し、その複数のパッケージを配線ボードに実装してモジ
ュールを構成することも提案されている。
In order to solve such a problem, it has been proposed that a plurality of high-frequency elements are hermetically housed in a plurality of independent packages, and the plurality of packages are mounted on a wiring board to constitute a module. I have.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高周波
素子を個別にパッケージに収納し、それを配線ボードに
個別に実装してなるモジュールの場合、パッケージに用
いられる高周波伝送線路は通常マイクロストリップ線路
に代表される平面型の伝送線路であるためにアンテナ等
の外部素子と接続するための導波管変換構造を配線ボー
ド上に形成する必要がある。そのような導波管変換構造
は、例えば、特開平11−112209合に開示されて
いる。この構造においては、マイクロストリップ線路は
スロット、整合用誘電体を経由して導波管に変換され
る。良好な変換特性を得るには整合用誘電体を形成する
複数のビアホール導体の隙間を信号波長より十分に狭く
する必要があり、また整合用誘電体の誘電正接も小さく
なければならない。このような構造を通常の配線ボード
に適用すると、配線ボードの加工精度、誘電体損の影響
で信号周波数が10GHz以上の高周波では変換損失が
大きくなってしまい、高周波信号をアンテナなどの外部
素子に伝送できないという問題があった。
However, in the case of a module in which high-frequency elements are individually housed in a package and individually mounted on a wiring board, the high-frequency transmission line used in the package is typically represented by a microstrip line. Therefore, it is necessary to form a waveguide conversion structure for connecting to an external element such as an antenna on a wiring board. Such a waveguide conversion structure is disclosed, for example, in JP-A-11-112209. In this structure, the microstrip line is converted into a waveguide via a slot and a matching dielectric. In order to obtain good conversion characteristics, the gap between the plurality of via-hole conductors forming the matching dielectric must be sufficiently narrower than the signal wavelength, and the dielectric loss tangent of the matching dielectric must also be small. When such a structure is applied to a normal wiring board, the conversion loss increases at a high frequency of 10 GHz or more due to the processing accuracy of the wiring board and the dielectric loss. There was a problem that transmission was not possible.

【0008】また、セラミックス等の高精度加工が可能
で、かつ誘電正接が小さい材料を用いて上記のような導
波管変換構造を具備するマルチチップモジュールを形成
することも考えられるが、この場合、基板寸法が大きく
なり、先に述べた従来の金属筐体を用いた場合と同様、
気密封止性に問題がある。
It is also conceivable to form a multi-chip module having a waveguide conversion structure as described above using a material which can be processed with high precision, such as ceramics, and has a small dielectric loss tangent. As a result, the size of the substrate is increased, and as in the case of using the above-described conventional metal housing,
There is a problem with hermetic sealing.

【0009】さらに、一般に、半導体素子などの電気素
子を搭載した配線ボードにと、アンテナ素子などの外部
素子とを接続する場合、外部素子側がコプレーナ線路の
端子からなる場合には、コプレーナ線路構造の接続端子
を設け、外部素子が導波管構造からなる場合には、導波
管への変換部を誘電体ボード側に形成することが必要で
あり、外部素子の端子構造に応じて誘電体ボードの構造
を適宜変更する必要があった。
Further, in general, when a wiring board on which an electric element such as a semiconductor element is mounted and an external element such as an antenna element are connected, when the external element side is formed of a coplanar line terminal, a coplanar line structure is used. If connection terminals are provided and the external element has a waveguide structure, it is necessary to form a conversion part to the waveguide on the dielectric board side. Had to be changed appropriately.

【0010】従って、誘電体ボードの表面に実装可能で
あり、あらゆる構造の誘電体ボードに対して導波管との
接続を可能とする導波管変換基板を提供するとともに、
該導波管変換基板を用いて簡略であらゆる形態に態様可
能な高周波モジュールを提供することを目的とするもの
である。
Accordingly, the present invention provides a waveguide conversion board that can be mounted on the surface of a dielectric board and can be connected to a waveguide for a dielectric board of any structure.
It is an object of the present invention to provide a high-frequency module that can be simply and variously configured using the waveguide conversion substrate.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題に
鑑み検討を重ねた結果、半導体素子などの電気素子を表
面に実装してなる配線ボードに対して、表面実装可能な
導波管変換基板を別途設けることによって、あらゆる誘
電体ボードを導波管接続可能なボードにすることができ
るとともに、導波管への変換における信号の伝送損失を
も低減するに至った。
The present inventor has made various studies in view of the above problems, and as a result, has found that a waveguide which can be surface-mounted on a wiring board having an electric element such as a semiconductor element mounted on the surface thereof. By separately providing a conversion board, any dielectric board can be made a board that can be connected to a waveguide, and signal transmission loss in conversion into a waveguide has been reduced.

【0012】即ち、本発明の導波管変換基板は、誘電体
基板と、該誘電体基板の表面または裏面に形成され、配
線ボードに対して表面実装可能な表面実装端子と、前記
誘電体基板の表面または裏面に導波管と結合可能な導波
管接続端子と、前記表面実装端子と前記導波管接続端子
とを接続する高周波伝送線路とを具備することを特徴と
するものである。
That is, the waveguide conversion substrate of the present invention comprises: a dielectric substrate; surface-mounting terminals formed on the front or back surface of the dielectric substrate and capable of being surface-mounted on a wiring board; And a high-frequency transmission line connecting the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal on the front surface or the back surface.

【0013】かかる導波管変換基板において、前記表面
実装端子が、信号導体とその両側に配設されたグランド
導体を有することで通常のコプレーナ線路との伝送損失
が小さい結合を実現することができる。
In this waveguide conversion board, the surface mounting terminal has a signal conductor and ground conductors disposed on both sides of the signal conductor, so that coupling with a normal coplanar line with small transmission loss can be realized. .

【0014】また、前記表面実装端子が、前記誘電体基
板の裏面側に形成され、前記高周波伝送線路が誘電体基
板の表面側に形成され、前記表面実装端子と、前記高周
波伝送線路とが、例えば、前記誘電体基板内部にグラン
ド層が形成されており、その前記グランド層に形成され
たスロットを介して電磁的に結合することが望ましい。
Further, the surface mount terminal is formed on the back side of the dielectric substrate, the high frequency transmission line is formed on the front side of the dielectric substrate, and the surface mount terminal and the high frequency transmission line are For example, it is preferable that a ground layer is formed inside the dielectric substrate, and the dielectric layer is electromagnetically coupled through a slot formed in the ground layer.

【0015】また、前記導波管接続端子の望ましい構造
としては、誘電体基板の表面あるいは裏面に形成されて
なり、該導波管接続端子が、接続される導波管開口と実
質的に同じ内径形状を有するグランド導体帯を具備し、
このグランド導体帯が、前記誘電体基板内に設けられた
グランド層と複数のビアホール導体によって接続されて
いることが望ましい。
A desirable structure of the waveguide connection terminal is formed on the front or back surface of the dielectric substrate, and the waveguide connection terminal is substantially the same as the waveguide opening to be connected. Equipped with a ground conductor band having an inner diameter shape,
It is desirable that the ground conductor band is connected to a ground layer provided in the dielectric substrate by a plurality of via-hole conductors.

【0016】また、このグランド導体帯形成面と反対側
の誘電体基板表面に、開放端を有する高周波伝送線路が
形成されてなり、前記グランド層の前記導波管開口に整
合する部分にスロットが形成されており、前記高周波伝
送線路と前記スロットとが電磁的に結合してなることに
よって、高周波伝送線路と導波管接続端子に接続される
導波管とを低損失で結合させることができる。
A high-frequency transmission line having an open end is formed on the surface of the dielectric substrate opposite to the surface on which the ground conductor band is formed, and a slot is formed in a portion of the ground layer corresponding to the waveguide opening. The high-frequency transmission line and the slot are electromagnetically coupled to each other, so that the high-frequency transmission line and the waveguide connected to the waveguide connection terminal can be coupled with low loss. .

【0017】また、他の構造としては、前記導波管接続
端子における前記グランド導体帯の内径部分に、側壁に
導体層が被着形成された凹部を形成することができる。
Further, as another structure, a concave portion having a conductive layer attached to a side wall can be formed in an inner diameter portion of the ground conductor band in the waveguide connection terminal.

【0018】さらに、前記表面実装端子と導波管接続端
子とは、前記誘電体基板の同じ側、あるいは異なる側の
いずれでも可能である。また、他の構造としては、前記
表面実装端子と、前記導波管接続端子との間に、半導体
素子等の電気素子を実装するための実装部を設けてもよ
い。なお、本発明の導波管変換基板は、10GHz以上
の周波数の信号が伝送される場合に好適である。
Further, the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal can be on the same side or different sides of the dielectric substrate. Further, as another structure, a mounting portion for mounting an electric element such as a semiconductor element may be provided between the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal. Note that the waveguide conversion board of the present invention is suitable when a signal having a frequency of 10 GHz or more is transmitted.

【0019】さらに、本発明の高周波モジュールは、誘
電体ボード表面に高周波伝送線路が形成され、且つ該誘
電体ボード上に、半導体素子などの電気素子を実装して
なる配線ボードの表面に、上記の導波管変換基板を前記
表面実装端子を介して表面実装してなることを特徴とす
るものであって、前記配線ボードには、誘電体ボードに
側壁が導体からなる貫通孔を形成し、前記導波管変換基
板における導波管接続端子と前記貫通孔とが整合するよ
うに、表面実装してなるとともに、前記誘電体ボードの
導波管変換基板実装側とは反対側の表面に、導波管接続
部を設けることも可能である。
Further, in the high-frequency module of the present invention, a high-frequency transmission line is formed on the surface of a dielectric board, and the above-described high-frequency transmission line is formed on the surface of a wiring board having an electric element such as a semiconductor element mounted on the dielectric board. Wherein the waveguide conversion substrate is surface-mounted through the surface-mounting terminals, wherein the wiring board has a through hole formed of a conductor having a side wall formed on a dielectric board, In order that the waveguide connection terminal and the through-hole in the waveguide conversion board are aligned with each other, they are surface-mounted, and on the surface of the dielectric board opposite to the waveguide conversion board mounting side, It is also possible to provide a waveguide connection.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】 以下、本発明の導波管変換基板
とそれを用いたモジュールを図面に基づき詳述する。図
1は、本発明の導波管変換基板の一例を説明するための
概略平面図(a)、概略底面図(b)、V−V概略断面
図(c)である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a waveguide conversion substrate of the present invention and a module using the same will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic plan view (a), a schematic bottom view (b), and a VV schematic cross-sectional view (c) for explaining an example of the waveguide conversion substrate of the present invention.

【0021】図1の導波管変換基板X1によれば、誘電
体基板1の裏面には、信号導体2とその両側に形成され
たグランド導体3による配線ボードに対して表面実装が
可能な表面実装端子Aが形成されている。なお、表面実
装とは、半田などの導電材をを介して、配線ボード上の
配線に接続できる端子を意味する。
According to the waveguide converter board X 1 in FIG. 1, on the back surface of the dielectric substrate 1, which can be surface-mounted on the wiring board by the ground conductor 3 formed signal conductor 2 and on both sides thereof Surface mount terminals A are formed. Note that surface mounting means a terminal that can be connected to wiring on a wiring board via a conductive material such as solder.

【0022】また、誘電体基板1の内部にはグランド層
4が形成されており、この信号導体2は、誘電体基板1
の内部に形成されたグランド層4とともにマイクロスト
リップ線路を形成している。また、表面実装端子Aのグ
ランド導体3は、スルーホール導体5によってグランド
層4と接続され同電位に保たれている。
A ground layer 4 is formed inside the dielectric substrate 1, and the signal conductor 2 is connected to the dielectric substrate 1.
Together with the ground layer 4 formed inside the microstrip line. The ground conductor 3 of the surface mount terminal A is connected to the ground layer 4 by a through-hole conductor 5 and is kept at the same potential.

【0023】一方、誘電体基板1の表面には、高周波伝
送線路Bとして、両端が開放端からなる信号導体6が形
成されており、グランド層4とともにマイクロストリッ
プ線路を形成している。そして、一端6aはグランド層
4に形成されたスロット7によって、表面実装端子Aの
信号導体2と電磁的に結合している。
On the other hand, a signal conductor 6 having open ends at both ends is formed as a high-frequency transmission line B on the surface of the dielectric substrate 1, and forms a microstrip line together with the ground layer 4. The one end 6 a is electromagnetically coupled to the signal conductor 2 of the surface mount terminal A by a slot 7 formed in the ground layer 4.

【0024】一方、導波管接続端子部Cとして、誘電体
基板1の裏面には、接続される導波管開口と実質的に同
じ形状の内径13を有するグランド導体帯12が形成さ
れており、グランド導体帯12は、誘電体基板1内に設
けられたグランド層4と信号波長の1/4波長未満の間
隔で設けられた複数のビアホール導体11によって接続
されている。
On the other hand, a ground conductor band 12 having an inner diameter 13 substantially the same shape as the waveguide opening to be connected is formed on the back surface of the dielectric substrate 1 as the waveguide connection terminal portion C. The ground conductor band 12 is connected to the ground layer 4 provided in the dielectric substrate 1 by a plurality of via-hole conductors 11 provided at intervals less than 1 / wavelength of the signal wavelength.

【0025】また、グランド層4の導波管開口に整合す
る部分にはスロット8が形成されており、信号導体6の
他端6bはスロット8を介して電磁結合し、このスロッ
ト8が導波管接続端子Cの励振源となっている。スロッ
ト8の下部には導波管との整合のために誘電体9が配置
されている。場合によっては整合を調整するために誘電
体9内に調整用導体10を形成することもできる。誘電
体9は信号の洩れを抑えるためにビアホール導体11に
よって囲まれており、ビアホール導体11は誘電体基板
1裏面の導波管接続端子Bを形成するグランド導体帯1
2に接続されている。そして、このグランド導体帯12
に、配線ボードに形成された導波管型接続口が接続され
る。
A slot 8 is formed in a portion of the ground layer 4 that matches the opening of the waveguide, and the other end 6b of the signal conductor 6 is electromagnetically coupled through the slot 8, and the slot 8 It is an excitation source for the tube connection terminal C. A dielectric 9 is arranged below the slot 8 for alignment with the waveguide. In some cases, an adjusting conductor 10 can be formed in the dielectric 9 to adjust the matching. The dielectric 9 is surrounded by via-hole conductors 11 in order to suppress signal leakage. The via-hole conductors 11 are the ground conductor bands 1 forming the waveguide connection terminals B on the back surface of the dielectric substrate 1.
2 are connected. And this ground conductor band 12
Is connected to a waveguide type connection port formed in the wiring board.

【0026】また、誘電体基板1裏面には、配線ボード
への表面実装時のセルフアライメント効果、および実装
後の接続強度を高めるために、誘電体基板1の周囲にダ
ミー導体14を設けても良い。
Further, on the back surface of the dielectric substrate 1, dummy conductors 14 may be provided around the dielectric substrate 1 in order to enhance the self-alignment effect at the time of surface mounting on the wiring board and enhance the connection strength after mounting. good.

【0027】以上のような構成にすることにより、上記
の表面実装端子Aから伝送された信号は、信号導体6を
具備する高周波伝送線路Bを経由し、スロット8を介し
て導波管接続端子Cに結合され、導波管に伝送すること
が可能となる。また逆に導波管から伝送された信号は導
波管接続端子Cで高周波伝送線路Bに変換され、表面実
装端子Aに伝送される。その結果、この導波管変換基板
によって、配線ボードに表面実装することにより、配線
ボード上に形成されたマイクロストリップ線路等の平面
回路と、アンテナ等の外部素子を接続するための導波管
とを低損失で接続することが可能になる。
With the above configuration, the signal transmitted from the surface mounting terminal A passes through the high-frequency transmission line B having the signal conductor 6, and passes through the slot 8 through the slot 8. C and can be transmitted to the waveguide. Conversely, the signal transmitted from the waveguide is converted into a high-frequency transmission line B at the waveguide connection terminal C and transmitted to the surface mount terminal A. As a result, the waveguide conversion substrate is surface-mounted on a wiring board, thereby forming a planar circuit such as a microstrip line formed on the wiring board and a waveguide for connecting an external element such as an antenna. Can be connected with low loss.

【0028】図1の導波管変換基板X1によれば、表面
実装端子Aと導波管接続端子Cは誘電体基板1に対して
同じ面に形成されているが、表面実装端子Aと導波管接
続端子Cは、異なる面に形成することもできる。図2
は、その一例を説明するための概略平面図(a)、概略
底面図(b)、W−W概略断面図(c)である。なお、
導波管変換基板X1と同一機能を有する部品には同一の
符号を付した。
According to the waveguide conversion board X 1 of FIG. 1, the surface mounting terminals A and the waveguide connection terminals C are formed on the same surface with respect to the dielectric substrate 1. The waveguide connection terminal C can be formed on a different surface. FIG.
3A is a schematic plan view (a), a schematic bottom view (b), and a WW schematic sectional view (c) for explaining an example thereof. In addition,
The component having a waveguide conversion substrate X 1 same function denoted by the same reference numerals.

【0029】図2の導波管変換基板X2によれば、誘電
体基板1の裏面には、導波管変換基板X1と同様に、信
号導体2とその両側に形成されたグランド導体3による
配線ボードに対して表面実装が可能な表面実装端子Aが
形成されている。
According to the waveguide conversion substrate X 2 of FIG. 2, the signal conductor 2 and the ground conductors 3 formed on both sides thereof are formed on the back surface of the dielectric substrate 1, similarly to the waveguide conversion substrate X 1. A surface mounting terminal A that can be surface mounted on a wiring board according to the above is formed.

【0030】また、誘電体基板1の内部にはグランド層
4が形成されており、信号導体2は、誘電体基板1の内
部に形成されたグランド層4とともにマイクロストリッ
プ線路を形成している。また、表面実装端子Aのグラン
ド導体3は、スルーホール導体5によってグランド層4
と接続され同電位に保たれている。
A ground layer 4 is formed inside the dielectric substrate 1, and the signal conductor 2 forms a microstrip line together with the ground layer 4 formed inside the dielectric substrate 1. The ground conductor 3 of the surface mount terminal A is connected to the ground layer 4 by the through-hole conductor 5.
And is kept at the same potential.

【0031】一方、誘電体基板1の裏面には、高周波伝
送線路Bとして、信号導体6が形成されており、グラン
ド層4とともにマイクロストリップ線路を形成してい
る。この信号導体6は、表面実装端子Aの信号導体2と
接続されている。
On the other hand, on the back surface of the dielectric substrate 1, a signal conductor 6 is formed as a high-frequency transmission line B, and a microstrip line is formed together with the ground layer 4. The signal conductor 6 is connected to the signal conductor 2 of the surface mounting terminal A.

【0032】一方、導波管接続端子部Cとして、誘電体
基板1の表面には、接続される導波管開口と実質的に同
じ内径13形状を有するグランド導体帯12が形成され
ており、グランド導体帯12は、誘電体基板1内に設け
られたグランド層4と信号波長の1/4波長未満の間隔
で設けられた複数のビアホール導体11によって接続さ
れている。
On the other hand, a ground conductor band 12 having substantially the same inner diameter 13 as the waveguide opening to be connected is formed on the surface of the dielectric substrate 1 as the waveguide connection terminal portion C. The ground conductor band 12 is connected to the ground layer 4 provided in the dielectric substrate 1 by a plurality of via-hole conductors 11 provided at intervals smaller than 信号 wavelength of the signal wavelength.

【0033】また、グランド層4の導波管開口に整合す
る部分にはスロット7が形成されており、信号導体6の
開放端6aはスロット7を介して電磁結合し、このスロ
ット7が導波管接続端子Cの励振源となっている。スロ
ット7の上部には導波管との整合のために誘電体9が配
置されている。場合によっては整合を調整するために誘
電体9内に調整用導体10を形成することもできる。誘
電体9は信号の洩れを抑えるためにビアホール導体11
によって囲まれており、ビアホール導体11は誘電体基
板1表面の導波管接続端子Bを形成するグランド導体1
2に接続されている。そして、このグランド導体12に
は、導波管のフランジが接続される。
A slot 7 is formed in a portion of the ground layer 4 which matches the opening of the waveguide. The open end 6a of the signal conductor 6 is electromagnetically coupled via the slot 7, and the slot 7 It is an excitation source for the tube connection terminal C. Above the slot 7, a dielectric 9 is arranged for matching with the waveguide. In some cases, an adjusting conductor 10 can be formed in the dielectric 9 to adjust the matching. The dielectric 9 is a via-hole conductor 11 for suppressing signal leakage.
The via-hole conductor 11 is surrounded by the ground conductor 1 forming the waveguide connection terminal B on the surface of the dielectric substrate 1.
2 are connected. The flange of the waveguide is connected to the ground conductor 12.

【0034】上記の導波管変換基板X2によれば、表面
実装端子Aから伝送された信号は、信号導体6を具備す
るマイクロストリップ線路の高周波伝送線路Bを経由
し、スロット7を介して導波管接続端子Cに結合され、
導波管に伝送することが可能となる。また逆に導波管か
ら伝送された信号を導波管接続端子Cで高周波伝送線路
Bに変換され、表面実装端子Aに伝送される。その結
果、この導波管変換基板X 2を配線ボードに表面実装す
ることにより、配線ボード上に形成されたマイクロスト
リップ線路等の平面回路と、アンテナ等の外部素子を接
続するための導波管とを配線ボードの上面側にて低損失
で接続することが可能になる。
The above-mentioned waveguide conversion substrate XTwoAccording to the surface
The signal transmitted from the mounting terminal A includes the signal conductor 6.
Via high-frequency transmission line B of microstrip line
And is coupled to the waveguide connection terminal C via the slot 7,
It becomes possible to transmit to a waveguide. Or a waveguide
The signal transmitted from the high-frequency transmission line at the waveguide connection terminal C
B and transmitted to the surface mount terminal A. The result
As a result, this waveguide conversion substrate X TwoTo the wiring board.
This allows micro-strikes formed on the wiring board to be
Connect a planar circuit such as a lip line to an external element such as an antenna.
Low loss on the top side of the wiring board with the waveguide for connection
It is possible to connect with.

【0035】図1、図2の導波管変換基板X1、X2は、
いずれも表面実装端子Aと、導波管接続端子Cと、高周
波伝送線路Bとを具備するものであるが、これら導波管
変換基板には導波管が接続されるために高い強度も要求
される。その結果、導波管変換基板の厚みを大きくする
ことが望ましい。また、本発明によれば、この導波管変
換基板に電気素子を搭載することもできる。図3には、
このような機能を具備した導波管変換基板の一例の概略
断面図を示した。
The waveguide conversion substrates X 1 and X 2 shown in FIGS.
Each of them has a surface mount terminal A, a waveguide connection terminal C, and a high-frequency transmission line B, but these waveguide conversion substrates require high strength because the waveguide is connected. Is done. As a result, it is desirable to increase the thickness of the waveguide conversion substrate. Further, according to the present invention, an electric element can be mounted on the waveguide conversion substrate. In FIG.
A schematic cross-sectional view of an example of a waveguide conversion substrate having such a function is shown.

【0036】図3の導波管変換基板X3によれば、図1
の導波管変換基板X1の導波管接続端子Cにおけるグラ
ンド導体帯12の内径13部分に、側壁に導体層16が
被着形成された凹部15を形成してなるものであって、
この凹部15は実質的に導波管を形成している。このよ
うな凹部15を設けることによって、導波管変換基板の
厚さを大きくすることができ、基板としての強度を増す
ことが可能になる。
According to the waveguide conversion substrate X 3 of FIG. 3, FIG.
Of the inner diameter 13 portion of the ground conductor strip 12 at the waveguide connecting terminal C of the waveguide converter board X 1, it is those obtained by forming a recess 15 in which the conductor layer 16 is deposited and formed on the side wall,
This recess 15 substantially forms a waveguide. By providing such a concave portion 15, the thickness of the waveguide conversion substrate can be increased, and the strength of the substrate can be increased.

【0037】また、この例では、表面実装端子Aと、導
波管接続端子Cとの間に位置する高周波伝送線路B内
に、半導体素子等の電気素子17と接続する接続端子1
8を形成し、誘電体基板1の表面に実装した電気素子1
7と接続してもよい。これによって、導波管変換基板X
3に対して、電気素子搭載用基板としての機能を付加す
ることが可能になり、さらに蓋体19で空洞を形成する
ことにより、搭載した電気素子17を気密に封止するこ
とが可能になる。
In this example, a connection terminal 1 connected to an electric element 17 such as a semiconductor element is provided in a high-frequency transmission line B located between a surface mounting terminal A and a waveguide connection terminal C.
8 and the electric element 1 mounted on the surface of the dielectric substrate 1
7 may be connected. Thereby, the waveguide conversion substrate X
It is possible to add a function as a substrate for mounting an electric element to 3 , and furthermore, by forming a cavity with the lid 19, the mounted electric element 17 can be hermetically sealed. .

【0038】次に、本発明の導波管変換基板を用いた高
周波モジュールの一例を図4を用いて説明する。この配
線ボードY1の表面には、高周波素子を収納した高周波
パッケージZが実装されている。この高周波パッケージ
Zによれば、誘電体基板20の表面に高周波素子21が
それぞれ搭載されており、蓋体22によって気密に封止
されている。また誘電体基板20表面には入力用高周波
伝送線路23aと出力用高周波伝送線路23bが形成さ
れており、各線路23a,23bの一方の端部は、それ
ぞれ高周波素子21と接続されている。また、各線路2
3a,23bの他方の端部は、誘電体基板20を貫通し
て形成されたスルーホール導体24a,24bを経由し
て、誘電体基板20の裏面に導出され、誘電体基板20
の裏面に形成された外部回路と接続するための接続端子
25a,25bに接続されている。また、誘電体基板2
0の内部には、グランド層26が形成されており、各線
路23a、23bはグランド層26とともにマイクロス
トリップ線路型の高周波伝送線路を形成している。な
お、内部のグランド層26のスルーホール導体24a、
24b部には開口27が形成されており、スルーホール
導体24a,24bとは電気的に非接触となっている。
Next, an example of a high-frequency module using the waveguide conversion board of the present invention will be described with reference to FIG. On the surface of the wiring board Y1, a high-frequency package Z containing a high-frequency element is mounted. According to the high-frequency package Z, the high-frequency elements 21 are mounted on the surface of the dielectric substrate 20, respectively, and are hermetically sealed by the lid 22. An input high-frequency transmission line 23a and an output high-frequency transmission line 23b are formed on the surface of the dielectric substrate 20, and one end of each of the lines 23a and 23b is connected to the high-frequency element 21, respectively. In addition, each track 2
The other ends of the dielectric substrates 3a and 23b are led out to the back surface of the dielectric substrate 20 through through-hole conductors 24a and 24b formed through the dielectric substrate 20.
Are connected to connection terminals 25a and 25b for connection to an external circuit formed on the back surface of. Also, the dielectric substrate 2
0, a ground layer 26 is formed, and each of the lines 23a and 23b together with the ground layer 26 forms a microstrip line type high-frequency transmission line. In addition, the through-hole conductor 24a of the internal ground layer 26,
An opening 27 is formed in the portion 24b, and is electrically non-contact with the through-hole conductors 24a and 24b.

【0039】また、配線ボードY1には、側壁に導体層
30が形成され接続される導波管29の開口と実質的に
同一の断面形状を有する貫通孔31が形成されている。
そして、この貫通孔31の配線ボードY1の両端部に
は、それぞれ接続部32、33が形成されている。そし
て、接続部33には、アンテナ等の外部素子と接続され
た導波管29が固定される。
The wiring board Y 1 has a through-hole 31 having substantially the same cross-sectional shape as the opening of the waveguide 29 to which the conductor layer 30 is formed and connected on the side wall.
Then, the both end portions of the wiring board Y 1 of the through hole 31, respectively connecting portions 32 and 33 are formed. Then, the waveguide 29 connected to an external element such as an antenna is fixed to the connection portion 33.

【0040】このような配線ボードY1と導波管29と
を接続するには、配線ボードY1の表面に形成された高
周波伝送線路28に、上記の高周波パッケージZととも
に、図1に示したような導波管変換基板X1を表面実装
端子Aによる半田等によって表面実装する。その際、導
波管変換基板X1の導波管接続端子Cを前記接続部32
に整合させて表面実装する。また、導波管29は、配線
ボードY1に対してねじ止めすることも可能である。
In order to connect such a wiring board Y 1 and the waveguide 29, the high-frequency transmission line 28 formed on the surface of the wiring board Y 1 and the high-frequency package Z are shown in FIG. surface mounted by soldering or the like according to waveguide substrate X 1 surface mounting terminal a as. At that time, the waveguide converter board X 1 of the waveguide connecting terminal C the connecting portion 32
And surface mounting. Further, the waveguide 29 can also be screwed against the wire board Y 1.

【0041】このように高周波素子を個別のパッケージ
に搭載、封止することにより、従来のマルチチップモジ
ュールに比較して高い封止の信頼性が得られる。また導
波管変換基板X1を高周波素子を個別に搭載した高周波
パッケージZとともに配線ボードY1に表面実装するこ
とにより、高い実装作業性と、小さな導波管への変換損
失を実現することができ、モジュールの実装コスト低減
と、良好な高周波特性を両立することが可能になる。
By mounting and sealing the high-frequency elements in individual packages in this manner, higher sealing reliability can be obtained as compared with a conventional multichip module. Further, by surface mounting waveguide conversion substrate X 1 together with the high-frequency package Z equipped with high-frequency element individually to wiring board Y 1, is possible to achieve a high packing workability, the conversion loss to a small waveguide As a result, it is possible to achieve both a reduction in module mounting cost and good high-frequency characteristics.

【0042】図4の高周波モジュールにおいては、配線
ボードY1の高周波パッケージZ実装面と反対側に導波
管との接続部を形成したモジュールについて説明した
が、導波管との接続部は、配線ボードY1の高周波パッ
ケージZ実装面と同じ面でも可能である。かかる場合に
ついて、図5に、そのようなモジュールの一例の概略断
面図を示した。
[0042] In the high frequency module of Fig. 4 has been described modules to form a connecting portion of the high-frequency package Z mounting surface of the wiring board Y 1 opposite to the waveguide, connecting portion of the waveguide, it is also possible in the same plane as the high-frequency package Z mounting surface of the wiring board Y 1. In such a case, FIG. 5 shows a schematic sectional view of an example of such a module.

【0043】図5の高周波モジュールによれば、配線ボ
ードY2の表面には、図4の高周波モジュールと同様
に、高周波素子21が搭載、封止された高周波パッケー
ジZが搭載され、配線ボードY2表面に形成された高周
波伝送線路28によって互いに電気的に接続されてい
る。そして、この配線ボードY2の表面には、図2に示
したような導波管変換基板X2が高周波伝送線路28に
対して導波管変換基板X2の表面実装端子Aを半田など
によって表面実装されている。そして、導波管変換基板
2の導波管変換端子Cのグランド導体帯12に導波管
29のフランジを取り付けることによって、モジュール
の上面側で導波管と接続させることができる。なお、こ
の場合、導波管29は、配線ボードY2にネジで固定す
ることによって、導波管と変換基板X2との結合性を安
定化させることができる。
[0043] According to the high frequency module of FIG. 5, the surface of the wiring board Y 2, similar to the RF module of FIG. 4, a high frequency device 21 is mounted, sealed frequency package Z is mounted, the wiring board Y They are electrically connected to each other by a high-frequency transmission line 28 formed on the two surfaces. Then, this wiring board Y 2 of the surface, surface mount terminals A waveguide converter board X 2 soldering or the like with respect to the waveguide conversion substrate X 2 is a high frequency transmission line 28 as shown in FIG. 2 Surface mounted. Then, by attaching the flange of the waveguide 29 to the ground conductor strip 12 of the waveguide conversion terminal C of the waveguide converter board X 2, it can be connected to the waveguide at the upper surface side of the module. In this case, the waveguide 29, by fixing with screws to the wiring board Y 2, it is possible to stabilize the binding property between the waveguide and the converter board X 2.

【0044】なお、本発明の導波管変換基板およびこれ
を用いた高周波モジュールは、10GHz以上、特に3
0GHz以上、さらには60GHz以上の周波数の信号
の伝送に対して特に有効である。
The waveguide conversion board of the present invention and a high-frequency module using the same are 10 GHz or more,
This is particularly effective for transmission of a signal having a frequency of 0 GHz or more, and furthermore, 60 GHz or more.

【0045】[0045]

【実施例】本発明の効果を確認すべく、以下の実験を行
なった。まず、焼成後の磁器の10GHzにおける誘電
正接が0.0006のアルミナセラミックスのグリーン
シートとタングステンメタライズインクを用いて、通常
の積層、同時焼成技術によって図1に示した導波管変換
基板を2枚作製した。表層導体にはニッケル、金めっき
加工を施した。
EXAMPLES The following experiments were conducted to confirm the effects of the present invention. First, two pieces of the waveguide conversion substrate shown in FIG. 1 were formed by ordinary laminating and co-firing techniques using a green sheet of alumina ceramic having a dielectric loss tangent of 0.0006 at 10 GHz and a tungsten metallized ink at 10 GHz. Produced. The surface conductor was plated with nickel and gold.

【0046】一方、ガラスクロス入りフッ素系樹脂ボー
ド上に、銅箔によって、導波管変換基板を両端に実装可
能なコプレーナ線路を形成した。導波管接続部には、側
壁が導体からなる貫通孔と両面に貫通孔を取り囲むよう
に導体帯を形成した。
On the other hand, a coplanar line on which a waveguide conversion substrate can be mounted at both ends was formed by a copper foil on a fluorine resin board containing a glass cloth. A conductor band was formed in the waveguide connecting portion so that the side wall surrounded the through hole formed of a conductor and the through hole on both surfaces.

【0047】作製した配線ボードのコプレーナ線路上の
実装部と導体帯上に半田ペーストを印刷し、2つの導波
管変換基板を搭載してリフロー処理を行い導波管変換基
板を配線ボード上に表面実装した。作製した評価用サン
プルにおける配線ボード裏面の導体帯に導波管をそれぞ
れ接続し、一方の導波管から他方の導波管との間の10
GHzにおける挿入損失を測定して導波管変換基板によ
る変換の1ケ所当たりの変換損失を見積った。
[0047] Solder paste is printed on the mounting portion on the coplanar line and the conductor band of the manufactured wiring board, and two waveguide conversion boards are mounted and reflow-processed to place the waveguide conversion board on the wiring board. Surface mounted. Waveguides are connected to the conductor bands on the back surface of the wiring board in the prepared evaluation sample, and the distance between one waveguide and the other waveguide is 10%.
The insertion loss at GHz was measured to estimate the conversion loss per conversion by the waveguide conversion substrate.

【0048】その結果、10GHzにおける1ケ所当た
りの変換損失は約0.3dBで、実用的なモジュールを
作製する上で充分に小さい損失であることを確認した。
As a result, it was confirmed that the conversion loss per location at 10 GHz was about 0.3 dB, which was a sufficiently small loss for producing a practical module.

【0049】[0049]

【発明の効果】 以上詳述した通り、本発明の導波管変
換基板およびそれを用いたモジュールによれば、導波管
変換基板として表面実装端子と導波管接続端子を具備す
ることによって、高周波素子を個別のパッケージに搭
載、封止し、かつ導波管に接続可能なモジュールが実現
可能となり、モジュール全体としての封止信頼性と実装
作業性を向上し、かつ高周波信号の損失を低減すること
ができる。
As described above in detail, according to the waveguide conversion board of the present invention and the module using the same, by providing the waveguide conversion board with the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal, A module that mounts and seals high-frequency elements in individual packages and that can be connected to the waveguide can be realized, improving sealing reliability and mounting workability of the module as a whole, and reducing loss of high-frequency signals can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の導波管変換基板の一例を説明するため
の概略平面図(a)、概略底面図(b)、V−V概略断
面図(c)である。
FIG. 1 is a schematic plan view (a), a schematic bottom view (b), and a schematic cross-sectional view (V-V) for explaining an example of the waveguide conversion substrate of the present invention.

【図2】本発明の導波管変換基板の他の例を説明するた
めの概略平面図(a)、W−W概略底面図(b)、概略
断面図(c)である。
FIG. 2 is a schematic plan view (a), a schematic WW bottom view (b), and a schematic cross-sectional view (c) for explaining another example of the waveguide conversion substrate of the present invention.

【図3】本発明の導波管変換基板のさらに他の例を説明
するための概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view for explaining still another example of the waveguide conversion substrate of the present invention.

【図4】本発明の高周波モジュールの一例を説明するた
めの概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view for explaining an example of the high-frequency module of the present invention.

【図5】本発明の高周波モジュールの他の例を説明する
ための概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view for explaining another example of the high-frequency module of the present invention.

【図6】従来のマルチチップ型の高周波モジュールの構
造を説明するための概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view for explaining the structure of a conventional multi-chip type high-frequency module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 表面実装端子 B 高周波伝送線路 C 導波管接続端子 X1、X2,X3 導波管接続基板 X1 誘電体基板 2 信号導体 3 グランド導体 4 グランド層 5 スルーホール導体 6 信号導体 7,8 スロット 9 誘電体 10 調整用導体 11 ビアホール導体 12 グランド導体帯 13 内径A surface mounting terminal B high-frequency transmission line C waveguide connection terminal X 1, X 2, X 3 waveguide connection board X1 dielectric substrate 2 signal conductors 3 ground conductor 4 ground layer 5 through hole conductor 6 signal conductors 7 and 8 Slot 9 Dielectric 10 Adjusting conductor 11 Via hole conductor 12 Ground conductor band 13 Inner diameter

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】誘電体基板と、該誘電体基板の表面または
裏面に形成され、配線ボードに対して表面実装可能な表
面実装端子と、前記誘電体基板の表面または裏面に導波
管と結合可能な導波管接続端子と、前記表面実装端子と
前記導波管接続端子とを接続する高周波伝送線路とを具
備することを特徴とする導波管変換基板。
1. A dielectric substrate, a surface mounting terminal formed on a front or back surface of the dielectric substrate and mountable on a wiring board, and a waveguide coupled to the front or back surface of the dielectric substrate. A waveguide conversion substrate, comprising: a possible waveguide connection terminal; and a high-frequency transmission line connecting the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal.
【請求項2】誘電体基板と、該誘電体基板の表面または
裏面に形成され、配線ボードに対して表面実装可能な表
面実装端子と、前記誘電体基板の表面または裏面に導波
管と結合可能な導波管接続端子と、半導体素子等の電気
素子を実装するための実装部と、該実装部と前記表面実
装端子および前記導波管接続端子とを接続する高周波伝
送線路とを具備することを特徴とする導波管変換基板。
2. A dielectric substrate, a surface mounting terminal formed on the front or back surface of the dielectric substrate, and surface mountable on a wiring board, and coupled to a waveguide on the front or back surface of the dielectric substrate. A possible waveguide connection terminal, a mounting part for mounting an electric element such as a semiconductor element, and a high-frequency transmission line connecting the mounting part with the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal are provided. A waveguide conversion board characterized by the above-mentioned.
【請求項3】前記誘電体基板内部にグランド層が形成さ
れてなる請求項1または請求項2記載の導波管変換基
板。
3. The waveguide conversion substrate according to claim 1, wherein a ground layer is formed inside said dielectric substrate.
【請求項4】前記表面実装端子が、信号導体とその両側
に配設されたグランド導体を有し、該グランド導体が前
記誘電体基板内部のグランド層と接続されていることを
特徴とする請求項1乃至請求項3記載の導波管変換基
板。
4. The device according to claim 1, wherein the surface mounting terminal has a signal conductor and ground conductors disposed on both sides of the signal conductor, and the ground conductor is connected to a ground layer inside the dielectric substrate. 4. The waveguide conversion substrate according to claim 1.
【請求項5】前記表面実装端子が、前記誘電体基板の裏
面側に形成され、前記高周波伝送線路が誘電体基板の表
面側に形成されており、前記表面実装端子と、前記高周
波伝送線路とが電磁的に結合されてなる請求項1乃至請
求項4のいずれか記載の導波管変換基板。
5. The high frequency transmission line, wherein the surface mount terminal is formed on the back side of the dielectric substrate, and the high frequency transmission line is formed on the front side of the dielectric substrate. The waveguide conversion substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate is electromagnetically coupled.
【請求項6】前記表面実装端子と、前記高周波伝送線路
とが前記グランド層に形成されたスロットを介して電磁
的に結合されてなる請求項3乃至請求項5のいずれか記
載の導波管変換基板。
6. The waveguide according to claim 3, wherein the surface mount terminal and the high-frequency transmission line are electromagnetically coupled via a slot formed in the ground layer. Conversion board.
【請求項7】前記導波管接続端子が、前記誘電体基板の
表面あるいは裏面に形成されてなり、該導波管接続端子
が、接続される導波管開口と実質的に同じ内径形状を有
するグランド導体帯を具備することを特徴とする請求項
1乃至請求項6のいずれか記載の導波管変換基板。
7. The waveguide connection terminal is formed on a front surface or a back surface of the dielectric substrate, and the waveguide connection terminal has substantially the same inner diameter shape as a waveguide opening to be connected. 7. The waveguide conversion substrate according to claim 1, further comprising a ground conductor band having the same.
【請求項8】前記グランド導体帯が、前記誘電体基板内
に設けられたグランド層と複数のビアホール導体によっ
て接続されていることを特徴とする請求項7記載の導波
管変換基板。
8. The waveguide conversion board according to claim 7, wherein said ground conductor band is connected to a ground layer provided in said dielectric substrate by a plurality of via-hole conductors.
【請求項9】前記グランド導体帯形成面と反対側の誘電
体基板表面に、開放端を有する高周波伝送線路が形成さ
れてなり、前記グランド層の前記導波管開口に整合する
部分にスロットが形成されており、前記高周波伝送線路
と前記スロットとが電磁的に結合してなることを特徴と
する請求項8記載の導波管変換基板。
9. A high-frequency transmission line having an open end is formed on the surface of the dielectric substrate opposite to the ground conductor band forming surface, and a slot is formed in a portion of the ground layer that matches the waveguide opening. 9. The waveguide conversion board according to claim 8, wherein the waveguide conversion board is formed and the high-frequency transmission line and the slot are electromagnetically coupled.
【請求項10】前記導波管接続端子における前記グラン
ド導体帯の内径部分に、側壁に導体層が被着形成された
凹部を形成してなる請求項7乃至請求項9のいずれか記
載の導波管変換基板。
10. The conductor according to claim 7, wherein a recess having a conductor layer attached to a side wall is formed in an inner diameter portion of the ground conductor band in the waveguide connection terminal. Wave tube conversion board.
【請求項11】前記表面実装端子と導波管接続端子と
を、前記誘電体基板の同じ側の表面に設けてなることを
特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか記載の導
波管変換基板。
11. The waveguide according to claim 1, wherein the surface mounting terminal and the waveguide connection terminal are provided on the same surface of the dielectric substrate. Tube conversion board.
【請求項12】前記表面実装端子と導波管接続端子と
が、前記誘電体基板の互いに異なる表面に設けてなるこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか記載
の導波管変換基板。
12. The waveguide according to claim 1, wherein said surface mount terminal and said waveguide connection terminal are provided on different surfaces of said dielectric substrate. Conversion board.
【請求項13】10GHz以上の周波数の信号が伝送さ
れることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれ
か記載の導波管変換基板。
13. The waveguide conversion board according to claim 1, wherein a signal having a frequency of 10 GHz or more is transmitted.
【請求項14】誘電体ボード表面に高周波伝送線路が形
成され、且つ該誘電体ボード上に、半導体素子などの電
気素子を実装してなる配線ボードの表面に、請求項1乃
至請求項13のいずれか記載の導波管変換基板を前記表
面実装端子を介して表面実装してなることを特徴とする
高周波モジュール。
14. The wiring board according to claim 1, wherein a high-frequency transmission line is formed on the surface of the dielectric board, and an electric element such as a semiconductor element is mounted on the dielectric board. A high-frequency module, wherein the waveguide conversion board according to any one of the above is surface-mounted via the surface mounting terminal.
【請求項15】前記配線ボードにおける誘電体ボードに
側壁が導体からなる貫通孔を形成し、前記導波管変換基
板における導波管接続端子と前記貫通孔とが整合するよ
うに、表面実装してなるとともに、前記誘電体ボードの
導波管変換基板実装側とは反対側の表面に、導波管接続
部を具備することを特徴とする請求項14記載の高周波
モジュール。
15. A dielectric board in the wiring board, wherein a through hole having a side wall made of a conductor is formed, and the surface is mounted so that the waveguide connection terminal in the waveguide conversion board and the through hole are aligned. 15. The high-frequency module according to claim 14, further comprising a waveguide connecting portion on a surface of the dielectric board opposite to a side on which the waveguide conversion board is mounted.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008524887A (en) * 2004-12-20 2008-07-10 ユナイテッド モノリシック セミコンダクターズ エスアーエス Small electronic components for microwave applications
JP2008199198A (en) * 2007-02-09 2008-08-28 New Japan Radio Co Ltd Gunn diode oscillator
US9337062B2 (en) 2014-03-17 2016-05-10 Fujitsi Limited High frequency module and manufacturing method thereof

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