JPH11338904A - Method for verifying violation of design rule - Google Patents
Method for verifying violation of design ruleInfo
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- JPH11338904A JPH11338904A JP10144721A JP14472198A JPH11338904A JP H11338904 A JPH11338904 A JP H11338904A JP 10144721 A JP10144721 A JP 10144721A JP 14472198 A JP14472198 A JP 14472198A JP H11338904 A JPH11338904 A JP H11338904A
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- JP
- Japan
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- design rule
- cells
- pattern
- rule violation
- patterns
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- Pending
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ある数の半導体
素子を含むセルを複数個配置して、配置されたセル中の
半導体素子のパターンが設計ルールに違反していないか
否かをコンピュータを用いて検証する設計ルール違反検
証方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a computer for arranging a plurality of cells including a certain number of semiconductor elements and determining whether a pattern of the semiconductor elements in the arranged cells does not violate design rules. The present invention relates to a design rule violation verification method used for verification.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路を構成するためのセルを
多数集めたセルライブラリから必要なセルを抽出して配
置する配置設計では、個々のセル中の半導体素子のパタ
ーンの配置が設計ルールを満たすだけでは十分でなく、
セルが実際に半導体チップ上に配置されたとき、隣接す
るセルのパターン間で設計ルール違反が起こらないよう
にする必要がある。すなわち、ライブラリ中のセルのパ
ターンの配置は、「ライブラリ中のどの2つのセルがど
のような位置関係で隣接配置されても両セルのパターン
間に設計ルール違反が起こらない」ようになっている必
要がある。このことを検証するために、ライブラリ中の
すべてのセルの組合せに対して、あらゆる可能な位置関
係でそれらのセルを隣接配置した場合のパターンのデー
タを作り、このデータに対して設計ルール違反をチェッ
クする必要がある。与えられたパターンのデータに対し
て設計ルールの検証を行うプログラムはDRC(デザイ
ン・ルール・チェッカ(Design Ru1e Ch
ecker))と呼ばれ、設計ルール違反の検証に、従
来から広く用いられている。2. Description of the Related Art In an arrangement design in which necessary cells are extracted from a cell library in which a large number of cells for forming a semiconductor integrated circuit are collected and arranged, the arrangement of semiconductor element patterns in each cell satisfies a design rule. Is not enough,
When cells are actually arranged on a semiconductor chip, it is necessary to prevent design rule violations between patterns of adjacent cells. In other words, the pattern of the cell in the library is arranged such that no matter which two cells in the library are arranged adjacently in any positional relationship, no design rule violation occurs between the patterns of the two cells. There is a need. In order to verify this, for every combination of cells in the library, create pattern data when those cells are placed adjacent to each other in any possible positional relationship. Need to check. A program for verifying design rules for given pattern data is a DRC (Design Rule Checker).
ecker)), which has been widely used for verification of design rule violations.
【0003】図5は従来の設計ルール違反検証方法の手
順を示すフローチャートである。このフローチャートを
参照しながら、従来の設計ルール違反検証方法の手順を
説明する。まず、与えられたライブラリ中のセルの全て
の組合せに対し、あらゆる可能な位置関係で隣接配置し
たパターンのデータを作る(ステップST51)。次
に、このようにして配置されたパターンに対してDRC
を用いた設計ルール違反の検証を実施する(ステップS
T52)。FIG. 5 is a flowchart showing the procedure of a conventional design rule violation verification method. The procedure of the conventional design rule violation verification method will be described with reference to this flowchart. First, with respect to all combinations of cells in a given library, data of patterns arranged adjacently in all possible positional relations is created (step ST51). Next, the DRC is performed on the thus arranged pattern.
Verification of design rule violations is performed using (Step S)
T52).
【0004】図6は従来の設計ルール違反検証方法で検
証されるセルの配置の一例を示す上面図である。図にお
いて、61〜63はセル、64はセル61中の半導体素
子のパターン、65はDRCを用いた設計ルール違反の
検証の結果出力された設計ルール違反のパターンの例で
ある。すなわち、図6の例では、図6の(1)に示すよ
うな、セル配置のパターンのデータに対してDRCを実
行して設計ルール違反を検証した結果、図6の(2)に
参照番号65で示すような設計ルール違反のパターンが
発見された。FIG. 6 is a top view showing an example of an arrangement of cells to be verified by a conventional design rule violation verification method. In the figure, 61 to 63 are cells, 64 is a pattern of a semiconductor element in the cell 61, and 65 is an example of a design rule violation pattern outputted as a result of design rule violation verification using DRC. That is, in the example of FIG. 6, as a result of executing DRC on the data of the cell arrangement pattern as shown in (1) of FIG. A design rule violation pattern as shown at 65 was found.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の設計ルール違反
検証方法は以上のように構成されているので、セルの組
合せと配置の位置関係のバリエーションが膨大であるた
めDRCを用いた設計ルール違反検証の対象となるパタ
ーンのデータ量が非常に大きくなり、DRCを実行する
処理に非常に長い時間がかかってしまうという課題があ
った。Since the conventional design rule violation verification method is configured as described above, the variation of the positional relationship between the cell combination and the arrangement is enormous, so that the design rule violation verification using the DRC is performed. However, there is a problem in that the data amount of the target pattern becomes very large, and it takes a very long time to execute the DRC.
【0006】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、効率的に短時間で設計ルール違反
のパターンを検出できる設計ルール違反検証方法を得る
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a design rule violation verification method capable of efficiently detecting a design rule violation pattern in a short time.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明に係る設計ルー
ル違反検証方法は、任意の2つのセルを隣接して配置し
て、配置された隣接する2つのセルの接線から第1の所
定の距離以上離れた位置にある2つのセル中のパターン
を削除し、パターンの削除の結果残った2つのセル中の
パターンに対して設計ルール違反の検出処理を行うもの
である。According to a method of verifying design rule violation according to the present invention, any two cells are arranged adjacent to each other and a first predetermined distance from a tangent of the arranged two adjacent cells is determined. The pattern in the two cells separated from each other as described above is deleted, and the process of detecting a design rule violation is performed on the pattern in the two cells remaining as a result of the pattern deletion.
【0008】この発明に係る設計ルール違反検証方法
は、検出された設計ルール違反のパターンのうち、隣接
する2つのセルの接線から第2の所定の距離以上離れた
位置にあるパターンを取り除き、それ以外の違反パター
ンだけを出力するステップを更に備えたものである。The design rule violation verifying method according to the present invention removes a pattern located at a position at least a second predetermined distance from a tangent of two adjacent cells, from the detected design rule violation pattern. The method further comprises a step of outputting only a violation pattern other than the above.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による設
計ルール違反検証方法の手順を示すフローチャートであ
る。この実施の形態1による設計ルール違反検証方法に
おいては、まず、与えられたライブラリ中のセルの全て
の組合せに対し、あらゆる可能な位置関係で隣接配置し
たパターンのデータを作成する(ステップST1(配置
ステップ))。次に、隣接したセルの接線から距離L
(第1の所定の距離)以上離れた位置にあるパターンを
すべてDRCの適用対象から削除する(ステップST2
(削除ステップ))。最後に、残ったパターンに対しD
RCを用いた設計ルール違反の検証を実行し、全ての違
反情報を出力する(ステップST3(設計ルール違反検
出ステップ))。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a flowchart showing a procedure of a design rule violation verification method according to the first embodiment of the present invention. In the design rule violation verification method according to the first embodiment, first, data of a pattern arranged adjacently to all combinations of cells in a given library in all possible positional relations is created (step ST1 (arrangement). Step)). Next, the distance L from the tangent of the adjacent cell
All patterns located at positions (first predetermined distance) or more apart are deleted from DRC application targets (step ST2).
(Deletion step)). Finally, D for the remaining pattern
Verification of a design rule violation using RC is performed, and all violation information is output (step ST3 (design rule violation detection step)).
【0010】ここで、距離Lは設計ルールに応じて設定
する。たとえば、設計ルールがパターン(多角形)の間
隔や幅の最小許容値の集合として与えられている場合、
この最小許容値の最大値をXとすると、LはXより大き
い値とする。隣接する両セルのパターン間で設計ルール
違反が起こるとすれば、その違反に関わるパターンはセ
ルの接線から距離X以内にあるはずである(セルのパタ
ーンはそのセルの境界より内部にしか存在しないことに
注意)。よって検出したいルール違反(セル間のルール
違反)に関わるパターンは決して削除されないので、検
出すべきルール違反があれば必ず出力されることにな
る。Here, the distance L is set according to the design rule. For example, if a design rule is given as a set of minimum allowable values for the spacing or width of a pattern (polygon)
Assuming that the maximum value of the minimum allowable value is X, L is a value larger than X. If a design rule violation occurs between the patterns of both adjacent cells, the pattern related to the violation must be within a distance X from the tangent of the cell (the cell pattern exists only inside the cell boundary). Note that). Therefore, a pattern relating to a rule violation to be detected (a rule violation between cells) is never deleted, so that any rule violation to be detected is always output.
【0011】図2は実施の形態1による設計ルール違反
検証方法で検証されるセルの配置の一例を示す上面図で
ある。セルの配置は図6に示した従来例と同一の配置で
あるものとする。図2において、1〜3はセル、4はセ
ル1〜3中の半導体素子のパターン、5と6はDRCを
用いた設計ルール違反の検証の結果出力された設計ルー
ル違反のパターンの例である。5はセル間の最小間隔ル
ール違反(検出したいルール違反)、6は図形が削除さ
れたことにより生じた最小間隔ルール違反である。7は
セル1と3の間の接線である。FIG. 2 is a top view showing an example of an arrangement of cells to be verified by the design rule violation verification method according to the first embodiment. The cell arrangement is the same as that of the conventional example shown in FIG. In FIG. 2, reference numerals 1 to 3 denote cells, 4 denotes a pattern of a semiconductor element in cells 1 to 3, and 5 and 6 denote design rule violation patterns output as a result of design rule violation verification using DRC. . Reference numeral 5 denotes a minimum interval rule violation between cells (a rule violation to be detected), and 6 denotes a minimum interval rule violation caused by the deletion of a figure. 7 is the tangent between cells 1 and 3.
【0012】図2の例では、図2の(1)に示すよう
な、セル配置のパターンが配置データ中に存在し、この
データから図2の(2)に示すように、セル間の接線7
から所定の距離Lより大きい距離の位置にあるパターン
を削除し、残ったパターンに対してDRCを用いて検証
した結果、図2の(3)に参照番号5及び6で示すよう
な設計ルール違反のパターンが発見された。パターン6
の違反情報は本来は発生していない偽の違反情報であ
る。In the example of FIG. 2, a cell arrangement pattern as shown in (1) of FIG. 2 exists in the arrangement data. From this data, as shown in (2) of FIG. 7
As a result of deleting a pattern located at a position larger than a predetermined distance L from the target and verifying the remaining pattern using DRC, the design rule violations indicated by reference numerals 5 and 6 in (3) of FIG. Patterns were discovered. Pattern 6
Is false information that does not originally occur.
【0013】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、配置されたパターンの一部を削除するため、DRC
を用いた設計ルール違反検証の対象となるパターンのデ
ータのデータ数を減らすことができ、DRCの実行時間
を短縮することができるという効果が得られる。As described above, according to the first embodiment, since a part of the arranged pattern is deleted, the DRC
Thus, the number of data of the pattern data to be subjected to the design rule violation verification using the method can be reduced, and the effect of shortening the DRC execution time can be obtained.
【0014】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2による設計ルール違反検証方法の手順を示すフロー
チャートである。図3において、図1に示した実施の形
態1の手順と同一の手順には同一のステップ番号を付け
てその説明を省略する。Embodiment 2 FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a procedure of a design rule violation verification method according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same steps as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are assigned the same step numbers, and the description thereof is omitted.
【0015】この実施の形態2の設計ルール違反検証方
法においては、全てのセルの組み合わせを隣接配置して
(ステップST1)、セル間の接線7から距離L以上の
位置にあるパターンを削除した(ステップST2)後、
DRCの実行により検出されたルール違反のパターンの
うち、セルの接線から距離S(第2の所定の距離)以上
離れた位置にあるものを削除し、それ以外の違反のパタ
ーンだけを出力する(ステップST4(設計ルール違反
検出ステップ、設計ルール違反パターン出力ステッ
プ))。In the design rule violation verifying method according to the second embodiment, all the cell combinations are arranged adjacently (step ST1), and the pattern located at a position longer than the distance L from the tangent 7 between the cells is deleted (step ST1). After step ST2),
Of the rule violation patterns detected by executing the DRC, those that are at a position at least a distance S (a second predetermined distance) from the tangent line of the cell are deleted, and only the other violation patterns are output ( Step ST4 (design rule violation detection step, design rule violation pattern output step).
【0016】この実施の形態2においては、距離L、距
離Sは設計ルールに応じて設定する。たとえば、設計ル
ールがパターン(多角形)の間隔や幅の最小許容値の集
合として与えられている場合、この最小許容値の最大値
をXとすると、距離SはXより大きい値、距離LはS+
Xより大きい値とする。両セルのパターン間で設計ルー
ル違反が起こるとすれば、その違反に関わるパターンは
セルの接線から距離X以内にあるはずである(セルのパ
ターンはそのセルの境界より内部にしか存在しないこと
に注意)。よってパターンの削除と違反情報の削除によ
って、検出すべきルール違反が出力されないという事態
は起こらない。また、パターンを削除したことによって
生じる偽の違反(パターンが削除されていなければ起こ
らないような違反)に関わる配置のパターンは削除され
たパターンから距離X以内にあるはずであるから、セル
境界から距離Sより遠い位置にあるはずである。よって
疑似違反は削除され出力されない。In the second embodiment, the distance L and the distance S are set according to design rules. For example, when the design rule is given as a set of minimum allowable values of the interval and width of a pattern (polygon), if the maximum value of the minimum allowable values is X, the distance S is larger than X, and the distance L is S +
The value is larger than X. If a design rule violation occurs between the patterns of both cells, the pattern involved in the violation must be within a distance X from the tangent of the cell (the cell pattern exists only inside the cell boundary). Note). Therefore, a situation in which the rule violation to be detected is not output due to the deletion of the pattern and the deletion of the violation information does not occur. In addition, the pattern of the arrangement related to a false violation (a violation that would occur if the pattern is not deleted) caused by deleting the pattern should be within the distance X from the deleted pattern. It should be located farther than the distance S. Therefore, the false violation is deleted and not output.
【0017】図4は実施の形態2による設計ルール違反
検証方法で検証されるセルの配置の一例を示す上面図で
ある。セルの配置は図6に示した従来例及び図2に示し
た実施の形態1と同一の配置であるものとする。図4に
おいて、図2の実施の形態1と同一の要素には同一符号
を付けてその説明を省略する。図4においてSはセル1
と3の間の接線7からの所定の距離を表す。FIG. 4 is a top view showing an example of an arrangement of cells verified by the design rule violation verification method according to the second embodiment. It is assumed that the cell arrangement is the same as that of the conventional example shown in FIG. 6 and the first embodiment shown in FIG. 4, the same elements as those in the first embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In FIG. 4, S is cell 1
Represents a predetermined distance from tangent 7 between.
【0018】この実施の形態2においては、実施の形態
1の場合に出力されていた偽の違反情報(図2のパター
ン6)は、距離Sより遠い位置にあるので、出力されて
いない。In the second embodiment, the false violation information (pattern 6 in FIG. 2) output in the first embodiment is not output because it is located farther than the distance S.
【0019】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、実施の形態1と同様、パターンを削除することでD
RCの処理時間を短縮できるという効果が得られ、同時
に、プログラムの使用者が本来検出すべき設計ルール違
反の有無を容易に見極めることができるという効果が得
られる。As described above, according to the second embodiment, similar to the first embodiment, the pattern can be deleted by deleting the pattern.
The effect that the processing time of the RC can be reduced can be obtained, and at the same time, the effect that the user of the program can easily determine whether or not there is a design rule violation that should be detected originally can be obtained.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、隣接
する2つのセルの接線から第1の所定の距離以上離れた
位置にあるパターンを削除して設計ルール違反の検出処
理を行うように構成したので、効率的に短時間で設計ル
ール違反のパターンを検出することができる効果があ
る。As described above, according to the present invention, a pattern located at a position at least a first predetermined distance from a tangent line of two adjacent cells is deleted to perform a design rule violation detection process. Therefore, there is an effect that a pattern violating a design rule can be efficiently detected in a short time.
【0021】この発明によれば、設計ルール違反として
検出されたパターンから、隣接する2つのセルの接線か
ら第2の所定の距離以上離れた位置にあるパターンを取
り除いて出力するように構成したので、パターンの削除
によって生じる偽の違反情報を出力しないで、本来検出
すべきルール違反の有無を容易に見極めることができる
効果がある。According to the present invention, the pattern detected as the design rule violation is removed from the pattern located at a position at least a second predetermined distance from the tangent of the two adjacent cells, and is output. In addition, there is an effect that it is possible to easily determine whether or not there is a rule violation that should be originally detected without outputting false violation information generated by deleting a pattern.
【図1】 この発明の実施の形態1による設計ルール違
反検証方法の手順を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing a procedure of a design rule violation verification method according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 実施の形態1による設計ルール違反検証方法
で検証されるセルの配置の一例を示す上面図である。FIG. 2 is a top view showing an example of an arrangement of cells verified by the design rule violation verification method according to the first embodiment;
【図3】 この発明の実施の形態2による設計ルール違
反検証方法の手順を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating a procedure of a design rule violation verification method according to a second embodiment of the present invention;
【図4】 実施の形態2による設計ルール違反検証方法
で検証されるセルの配置の一例を示す上面図である。FIG. 4 is a top view showing an example of an arrangement of cells verified by a design rule violation verification method according to a second embodiment;
【図5】 従来の設計ルール違反検証方法の手順を示す
フローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a procedure of a conventional design rule violation verification method.
【図6】 従来の設計ルール違反検証方法で検証される
セルの配置の一例を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing an example of an arrangement of cells verified by a conventional design rule violation verification method.
1〜3 セル、4 パターン、5,6 設計ルール違反
のパターン、7 接線、L 距離(第1の所定の距
離)、S 距離(第2の所定の距離)、ST1 配置ス
テップ、ST2 削除ステップ、ST3 設計ルール違
反検出ステップ、ST4 設計ルール違反検出ステッ
プ、設計ルール違反パターン出力ステップ。1 to 3 cells, 4 patterns, 5, 6 patterns that violate design rules, 7 tangents, L distance (first predetermined distance), S distance (second predetermined distance), ST1 placement step, ST2 deletion step, ST3 Design rule violation detection step, ST4 Design rule violation detection step, Design rule violation pattern output step.
Claims (2)
置ステップと、 該配置ステップにより配置された隣接する2つのセルの
接線から第1の所定の距離以上離れた位置にある前記2
つのセル中のパターンを削除する削除ステップと、 該削除ステップによる前記パターンの削除の結果残った
前記2つのセル中のパターンに対して設計ルール違反の
検出処理を行う設計ルール違反検出ステップとを備えた
設計ルール違反検証方法。An arranging step of arbitrarily arranging any two cells adjacent to each other; and the arranging step of arranging the two cells at a position at least a first predetermined distance from a tangent line of the two adjacent cells arranged by the arranging step
A deletion step of deleting a pattern in one cell; and a design rule violation detection step of performing a design rule violation detection process on a pattern in the two cells remaining as a result of the pattern deletion by the deletion step. Design rule violation verification method.
出された設計ルール違反のパターンのうち、隣接する2
つのセルの接線から第2の所定の距離以上離れた位置に
あるパターンを取り除き、それ以外の違反パターンだけ
を出力する設計ルール違反パターン出力ステップを更に
備えたことを特徴とする請求項1記載の設計ルール違反
検証方法。2. The method according to claim 1, wherein the design rule violation detection step detects two adjacent design rule violation patterns.
2. The design rule violation pattern outputting step according to claim 1, further comprising removing a pattern located at a position at least a second predetermined distance from a tangent line of the two cells and outputting only the other violation patterns. Verification method for design rule violation.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10144721A JPH11338904A (en) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Method for verifying violation of design rule |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10144721A JPH11338904A (en) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Method for verifying violation of design rule |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11338904A true JPH11338904A (en) | 1999-12-10 |
Family
ID=15368776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10144721A Pending JPH11338904A (en) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Method for verifying violation of design rule |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11338904A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7974457B2 (en) | 2003-03-31 | 2011-07-05 | Renesas Electronics Corporation | Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect |
US20140181762A1 (en) * | 2006-07-21 | 2014-06-26 | Synopsys, Inc. | Lithography aware leakage analysis |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP10144721A patent/JPH11338904A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7974457B2 (en) | 2003-03-31 | 2011-07-05 | Renesas Electronics Corporation | Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect |
US20140181762A1 (en) * | 2006-07-21 | 2014-06-26 | Synopsys, Inc. | Lithography aware leakage analysis |
US9576098B2 (en) * | 2006-07-21 | 2017-02-21 | Synopsys, Inc. | Lithography aware leakage analysis |
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