JPH11330198A - Substrate carrying equipment and substrate processing equipment - Google Patents

Substrate carrying equipment and substrate processing equipment

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JPH11330198A
JPH11330198A JP13410298A JP13410298A JPH11330198A JP H11330198 A JPH11330198 A JP H11330198A JP 13410298 A JP13410298 A JP 13410298A JP 13410298 A JP13410298 A JP 13410298A JP H11330198 A JPH11330198 A JP H11330198A
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substrate
wafer
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end side
unit
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Kazunari Ueda
一成 上田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide substrate carrying equipment which is able to restrain further the generation of dust as compared with the conventional one and manufacturing cost reduction or the like is enabled by simplifying mechanism such as positioning mechanism. SOLUTION: Step parts 2a, 2b, 2c as anchoring parts for anchoring the peripheral part of a wafer W are formed on the tip side upper surface of a forceps 2. The step parts 2b, 2c formed on rear end side of the forceps 2 are constituted as two steps, so as to form two anchoring surfaces for anchoring the peripheral part of the wafer W. The step part 2b is so constituted as to have sufficient clearance to the diameter of the wafer, in order to absorve the dispersion of positions of wafers and be able to anchor the wafer. The step part 2c is so constituted as to be able to retain the wafer in the state that it is precisely positioned almost without looseness.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の基板を搬送する基板搬送装置及び基
板搬送装置を具備した基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer apparatus for transferring a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate and a substrate processing apparatus provided with the substrate transfer apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、例えば半導体デバイスの製造
プロセスやLCDの製造プロセスにおいては、基板であ
る半導体ウエハやLCD基板を所望位置から所望位置へ
搬送する基板搬送装置が用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in a semiconductor device manufacturing process or an LCD manufacturing process, a substrate transfer device for transferring a semiconductor wafer or an LCD substrate as a substrate from a desired position to a desired position has been used.

【0003】例えば、半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理
と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して露光処理を
行った後に当該半導体ウエハに対して現像処理を行う現
像処理とが行われるが、従来からこれらレジスト塗布処
理と現像処理は、例えば特公平2−30194号公報に
よっても公知なように、対応する各種処理ユニットが1
つのシステム内に装備された複合処理システム内で、露
光プロセスを挟んで所定のシーケンスに従って行われて
いる。
For example, in a photolithography step in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for forming a resist film on the surface of a semiconductor wafer, and an exposure process for the semiconductor wafer after the resist coating are performed, and then the semiconductor wafer The resist coating process and the developing process are conventionally performed by a corresponding one of various processing units as well known in, for example, Japanese Patent Publication No. 2-30194.
In a complex processing system provided in one of the systems, the exposure is performed according to a predetermined sequence with the exposure process interposed.

【0004】そして、かかる装置では、例えば、ウエハ
カセットから半導体ウエハを取り出して所望位置へ搬送
する際等に基板搬送装置が使用されている。
In such an apparatus, a substrate transfer apparatus is used, for example, when taking out a semiconductor wafer from a wafer cassette and transferring it to a desired position.

【0005】従来の基板搬送装置としては、例えば、半
導体ウエハ裏面の中央部分を真空チャック等によって吸
着保持して搬送する基板搬送装置が知られている。
[0005] As a conventional substrate transfer device, for example, a substrate transfer device for transferring a central portion of the back surface of a semiconductor wafer by suction and holding it with a vacuum chuck or the like is known.

【0006】しかしながら、このような基板搬送装置で
は、半導体ウエハ裏面の中央部分に基板搬送装置の支持
部材が当接されるため、半導体ウエハ裏面の中央部分に
塵埃(パーティクル)が付着する可能性が高くなる。と
ころが、例えば半導体ウエハに所定の回路パターンを露
光する露光工程等においては、半導体ウエハの裏面中央
部にパーティクルが付着していると、露光の際に、レン
ズと半導体ウエハ表面との間隔が微妙に変動してしま
い、回路パターンの正確な転写が行えないという問題が
生じる。
However, in such a substrate transfer device, since the support member of the substrate transfer device contacts the central portion of the back surface of the semiconductor wafer, there is a possibility that dust (particles) adheres to the central portion of the back surface of the semiconductor wafer. Get higher. However, for example, in an exposure step of exposing a predetermined circuit pattern to a semiconductor wafer, if particles are attached to the center of the back surface of the semiconductor wafer, the distance between the lens and the surface of the semiconductor wafer during exposure is slightly changed. As a result, the circuit pattern cannot be accurately transferred.

【0007】このため、例えば露光工程の前工程である
レジスト塗布等を行う装置においては、半導体ウエハの
裏面周縁部を支持して搬送するよう構成された基板搬送
装置も用いられている。
For this reason, for example, in an apparatus for performing a resist coating or the like which is a step before the exposure step, a substrate transfer apparatus configured to support and transfer the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer is also used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体ウエハの裏面周縁部を支持して搬送するよう構
成された従来の基板搬送装置を用いた場合、例えば、ウ
エハカセットからの半導体ウエハの取り出しを行う基板
搬送装置では、ウエハカセット内の半導体ウエハの位置
にある程度のずれが生じるため、これらの位置ずれのあ
る半導体ウエハを支持可能とするために、ウエハ支持部
の半導体ウエハの位置決め機構にある程度のゆとり(ク
リアランス)が設けられている。このため、搬送中に半
導体ウエハが動き、半導体ウエハと支持部材とが擦れて
塵埃が発生したり、また、半導体ウエハを他の搬送機構
等へ受け渡した際に、受け渡された側で半導体ウエハの
位置決めを行わなければならないという問題があった。
However, in the case of using a conventional substrate transfer device configured to support and transfer the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer, for example, the removal of the semiconductor wafer from the wafer cassette is performed. In the substrate transfer apparatus, the position of the semiconductor wafer in the wafer cassette is shifted to some extent. Therefore, in order to be able to support the semiconductor wafer having such a position shift, the semiconductor wafer positioning mechanism of the wafer support unit has a certain degree of displacement. Clearance is provided. For this reason, the semiconductor wafer moves during the transfer, and the semiconductor wafer and the support member rub against each other to generate dust. Also, when the semiconductor wafer is transferred to another transfer mechanism or the like, the semiconductor wafer is transferred on the transferred side. Has to be performed.

【0009】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたもので、従来に比べて塵埃の発生を更に抑制するこ
とができ、かつ、位置決め機構等の機構を簡略化するこ
とにより、製造コストの低減等を図ることのできる基板
搬送装置及び基板処理装置を提供しようとするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and the generation of dust can be further suppressed as compared with the related art, and the manufacturing cost can be reduced by simplifying the mechanism such as a positioning mechanism. It is an object of the present invention to provide a substrate transport apparatus and a substrate processing apparatus capable of reducing the number of substrates.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、基板保持機構に保持された基板
の下側に挿入可能とされ、基板の下面周縁部を係止して
当該基板を支持可能とされた基板支持部材と、前記基板
支持部材を前記基板の下側に挿入し、前記基板を前記基
板支持部材によって支持した後前記基板支持部材を引き
抜き、前記基板を所望部位に搬送可能とされた駆動機構
とを具備した基板搬送装置において、前記基板支持部材
は、前記基板を係止する係止部に、位置決め用の段部を
有し、かつ、前記位置決め用の段部は前記基板支持部材
の先端側に一段、後端側に二段少なくとも形成され、後
端側の高い段部により前記基板を粗位置決めし、後端側
の低い段部により前記基板を精細位置決めするよう構成
されたことを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a first aspect of the present invention is to allow insertion into a lower side of a substrate held by a substrate holding mechanism, and to lock a peripheral edge of a lower surface of the substrate. A substrate supporting member capable of supporting the substrate, and inserting the substrate supporting member below the substrate, supporting the substrate by the substrate supporting member, and then withdrawing the substrate supporting member, thereby obtaining the substrate. And a driving mechanism capable of being transported to a part, wherein the substrate support member has a positioning step at a locking portion for locking the substrate, and the positioning The step portion is formed at least one step at the front end side and at least two steps at the rear end side of the substrate support member, coarsely positions the substrate by a high step portion on the rear end side, and finely defines the substrate by a low step portion on the rear end side. Characterized to be configured to position To.

【0011】請求項2の発明は、請求項1記載の基板搬
送装置において、前記駆動機構により、前記基板支持部
材を後端側に向けて移動させる際に、前記基板が前記後
端側の高い段部から低い段部に移動して、当該基板の精
細位置決めが行われることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate transfer apparatus according to the first aspect, when the substrate supporting member is moved toward the rear end by the driving mechanism, the substrate is higher than the rear end. The fine positioning of the substrate is performed by moving from the step to the lower step.

【0012】請求項3の発明は、請求項2記載の基板搬
送装置において、前記駆動機構により、前記基板支持部
材を後端側に向けて移動させる際に、前記基板が、所定
位置に配設された位置決め用部材に当接されて前記後端
側の高い段部から低い段部に移動し、当該基板の精細位
置決めが行われることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate transfer apparatus according to the second aspect, when the driving mechanism moves the substrate support member toward a rear end, the substrate is disposed at a predetermined position. In this method, the substrate is moved from the high step portion on the rear end side to the low step portion by contacting the positioning member, and the fine positioning of the substrate is performed.

【0013】請求項4の発明は、請求項1乃至3いずれ
か1項記載の基板搬送装置において、前記位置決め用の
段部は、前記先端側の端部と、前記後端側の低い段部が
略同一高さ位置に設けられていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate transfer apparatus according to any one of the first to third aspects, the positioning step includes an end on the front end side and a low step on the rear end side. Are provided at substantially the same height position.

【0014】請求項5の基板処理装置は、請求項1乃至
4いずれか1項記載の基板搬送装置と、基板を処理する
処理部とを有することを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: the substrate transfer apparatus according to any one of the first to fourth aspects; and a processing unit for processing the substrate.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】図1乃至図6は、本発明の実施形態にかか
る基板搬送装置の概略構成を示すもので、図7乃至図9
は、この基板搬送装置が配置されたウエハの塗布現像処
理システムを示している。
FIGS. 1 to 6 show a schematic configuration of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
1 shows a wafer coating and developing processing system in which the substrate transfer device is arranged.

【0017】図1乃至図4に示すように、基板搬送装置
1は、半導体ウエハ(以下、ウエハという。)Wを支持
するための支持部材としてのピンセット2を具備してい
る。このピンセット2は、複数のウエハWを収容するウ
エハカセットCR内に挿入可能なように、薄板状に構成
されており、支持部材3を介して搬送基台4上に支持さ
れている。
As shown in FIGS. 1 to 4, the substrate transfer apparatus 1 includes tweezers 2 as a support member for supporting a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) W. The tweezers 2 are formed in a thin plate shape so that they can be inserted into a wafer cassette CR accommodating a plurality of wafers W, and are supported on a transfer base 4 via a support member 3.

【0018】また、搬送基台4には、図示しない駆動機
構が設けられており、この駆動機構によりピンセット2
を搬送基台4に対して長手方向(図1乃至図4では左右
方向(Y方向))に移動させ、図1、図2に示すように
ウエハカセットCR内にピンセット2を挿入(及び引き
抜き)できるように構成されている。
The transport base 4 is provided with a drive mechanism (not shown).
Is moved in the longitudinal direction (the left-right direction (Y direction) in FIGS. 1 to 4) with respect to the transfer base 4, and the tweezers 2 are inserted (and pulled out) into the wafer cassette CR as shown in FIGS. It is configured to be able to.

【0019】さらに、図4に示すように搬送基台4は、
昇降ロッド5上に設けられており、この昇降ロッド5は
図示しない駆動機構により、Z方向(上下方向)、X方
向(水平方向)に移動可能、及びθ回転可能に構成さ
れ、これによって、ピンセット2上にウエハWを支持し
て搬送可能に構成されている。
Further, as shown in FIG. 4, the transport base 4 is
The lifting rod 5 is provided on a lifting rod 5, and is configured to be movable in the Z direction (vertical direction), the X direction (horizontal direction), and rotatable by θ by a driving mechanism (not shown). The wafer W is supported and transported on the wafer 2.

【0020】また、上記ピンセット2の先端側上面に
は、ウエハWの周縁部を係止するための係止部としての
段部2a,2b,2cが設けられている。これらの段部
のうち、段部2aはピンセット2の先端側に設けられた
ものであり、ウエハWの周縁部を係止するための係止面
を一面のみ形成するよう一段の構成とされている。一
方、段部2b,2cは、ピンセット2の後端側に設けら
れたものであり、ウエハWの周縁部を係止するための係
止面を二面形成するよう二段の構成とされている。
Further, steps 2a, 2b, 2c are provided on the upper surface of the tip end of the tweezers 2 as locking portions for locking the peripheral portion of the wafer W. Of these steps, the step 2a is provided on the tip side of the tweezers 2 and has a single-step configuration so that only one locking surface for locking the peripheral edge of the wafer W is formed. I have. On the other hand, the step portions 2b and 2c are provided on the rear end side of the tweezers 2 and have a two-stage structure so as to form two locking surfaces for locking the peripheral portion of the wafer W. I have.

【0021】また、図5、図6に示すように、これらの
段部のうち、段部2aと段部2cが略同じ高さとなるよ
う構成されており、段部2bは、これらより高い高さ位
置となるよう構成されている。したがって、段部2aと
段部2bとでウエハを支持した場合にはウエハWが若干
傾いた状態となり、段部2aと段部2cとでウエハを支
持した場合にはウエハWが略水平(段部2c側がわずか
に低くなるようテーパーあり)となるよう構成されてい
る。なお段部2aが形成された先端側は、段部2b,2
cが形成された後端側より厚さが薄くなるよう構成さ
れ、これによって、ウエハカセットCR内の下側のウエ
ハWと干渉し難いようになっている。
As shown in FIGS. 5 and 6, of these steps, the step 2a and the step 2c are configured to have substantially the same height, and the step 2b has a higher height. It is configured to be in the position. Therefore, when the wafer is supported by the step 2a and the step 2b, the wafer W is slightly inclined, and when the wafer is supported by the step 2a and the step 2c, the wafer W is substantially horizontal (step). The portion 2c is tapered to be slightly lower). Note that the tip side where the step portion 2a is formed is connected to the step portions 2b and 2
It is configured to be thinner than the rear end side where c is formed, thereby making it difficult to interfere with the lower wafer W in the wafer cassette CR.

【0022】そして、上記構成の基板搬送装置1は、ウ
エハカセットCR内にピンセット2を挿入し、取り出す
際に、図1、図2、図5に示すように、まず、ピンセッ
ト2を上昇させてウエハWを段部2aと段部2bとで粗
位置決めした状態で係止し、この後、図3、図4、図6
に示すように、ピンセット2をウエハカセットCRから
引き抜く際の動作により、慣性によってウエハWを段部
2cに落とし込んで、ウエハWを精細位置決めした状態
で搬送するよう構成されている。なお、ピンセット2を
ウエハカセットCRから引き抜く際の動作による慣性に
よってウエハWが段部2bから段部2cに確実に落ちる
ように、段部2bの段部2c側の角部は、滑らかにRを
付けた形状とされている。
When inserting and removing the tweezers 2 from the wafer cassette CR, the substrate transfer apparatus 1 having the above structure first raises the tweezers 2 as shown in FIGS. The wafer W is locked in a state where the wafer W is roughly positioned between the step 2a and the step 2b.
As shown in (1), the operation of pulling out the tweezers 2 from the wafer cassette CR drops the wafer W into the stepped portion 2c by inertia, and transports the wafer W in a state of fine positioning. Note that the corner of the step 2b on the side of the step 2c is smoothly rounded so that the wafer W reliably falls from the step 2b to the step 2c by the inertia due to the operation when the tweezers 2 is pulled out from the wafer cassette CR. The shape is attached.

【0023】すなわち、ウエハカセットCR内のウエハ
Wの位置は、高精度に位置決めされたものではなく、ウ
エハカセットCR内に形成されたウエハ支持溝の有する
クリアランス等に起因して、ある程度位置にばらつきの
ある状態で収容されている。このため、ピンセット2の
後端側に設けられた段部2b,2cのうち、段部2b
は、この位置のばらつきを吸収してウエハWを係止可能
とするためのものであり、従来の装置と同様に、ウエハ
Wの径に対して、充分なクリアランスを設けた構成とさ
れている。
That is, the positions of the wafers W in the wafer cassette CR are not precisely positioned, but vary to some extent due to the clearances and the like of the wafer support grooves formed in the wafer cassette CR. It is housed in a state where there is. Therefore, of the steps 2b and 2c provided on the rear end side of the tweezers 2, the step 2b
Is for absorbing the variation in the position and enabling the wafer W to be locked, and has a configuration in which a sufficient clearance is provided for the diameter of the wafer W, as in the conventional apparatus. .

【0024】そして、この段部2bより低い位置に設け
られた段部2cは、ウエハWをほとんどガタのない状態
で支持できる構成とされており、この段部2cによって
精細位置決めされた状態で、ウエハWを搬送し、他の搬
送機構に受け渡しできるようになっている。
The step 2c provided at a position lower than the step 2b is capable of supporting the wafer W with almost no play, and in a state where the wafer W is finely positioned by the step 2c, The wafer W can be transferred and transferred to another transfer mechanism.

【0025】以上のとおり、本実施態様によれば、ウエ
ハWの裏面周縁部を保持するとともに、ウエハWが精細
位置決めされほとんどガタのない状態で搬送され、ま
た、図6に示されるように、ウエハWが僅かに傾斜した
状態(段部2c側がわずかに低くなるよう傾斜した状
態)で搬送されるためウエハWとピンセット2との接触
面積が従来に比べて減少する。このため、ウエハWの搬
送中に、ウエハWとピンセット2が擦れて塵埃が発生す
ることを抑制することができる。また、ウエハWを他の
搬送機構等に受け渡した際に、受け渡された側で位置決
めする等の必要もなくなるので、位置決め機構等を設け
る必要がなく、機構を簡略化することにより、製造コス
トの低減等を図ることができる。
As described above, according to this embodiment, the wafer W is conveyed in a state where the wafer W is finely positioned and hardly rattled while holding the peripheral edge of the back surface of the wafer W. Further, as shown in FIG. Since the wafer W is transported in a slightly inclined state (a state in which the step 2c is slightly lowered), the contact area between the wafer W and the tweezers 2 is reduced as compared with the conventional case. Therefore, it is possible to prevent the wafer W from being rubbed with the tweezers 2 while the wafer W is being transported and generating dust. Further, when the wafer W is transferred to another transfer mechanism or the like, there is no need to perform positioning on the transferred side, so that there is no need to provide a positioning mechanism and the like, thereby simplifying the mechanism and reducing the manufacturing cost. Can be reduced.

【0026】次に、上記構成の基板搬送装置1を用いた
ウエハの塗布現像処理システムについて説明する。
Next, a description will be given of a wafer coating / developing system using the substrate transfer apparatus 1 having the above configuration.

【0027】図7乃至図9は、ウエハの塗布現像処理シ
ステムの全体構成を示しており、図7は平面、図8は正
面、図9は背面を各々示している。
FIGS. 7 to 9 show the overall structure of a wafer coating and developing processing system. FIG. 7 shows a plan view, FIG. 8 shows a front view, and FIG. 9 shows a rear view.

【0028】これらの図に示すように、塗布現像処理シ
ステムは、ウエハWを複数収容したウエハカセットCR
を外部との間で搬入・搬出したり、ウエハカセットCR
に対してウエハWの出し入れを行うためのカセットステ
ーション10と、ウエハWに対して1枚ずつ所定の処理
を施す枚葉式の各種処理ユニットを縦横多段に重ねて配
置して構成される処理ステーション11と、図示しない
外部の露光装置との間でウエハWの受け渡しを行うイン
ターフェース部12とを一体に組み合わせて構成され
る。
As shown in these figures, the coating and developing system comprises a wafer cassette CR containing a plurality of wafers W.
Can be loaded / unloaded from / to the outside, and the wafer cassette CR
A cassette station 10 for loading and unloading wafers W from and a processing station configured by arranging various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in a vertically and horizontally multistage manner. 11 and an interface unit 12 for transferring a wafer W to and from an external exposure apparatus (not shown).

【0029】カセットステーション10内には、図7に
示すように、カセット載置台20上の各カセット位置決
め部20aに、複数例えば4個までのウエハカセットC
Rが各々のウエハ出入口を処理ステーション11側に向
けてX方向に一列に載置され、これらウエハカセットC
Rに対して、基板搬送装置1によりウエハWの出し入れ
操作を行うようになっている。
In the cassette station 10, as shown in FIG. 7, a plurality of wafer cassettes C, for example, up to four wafer cassettes C are provided at respective cassette positioning portions 20a on the cassette mounting table 20.
R are placed in a line in the X direction with the respective wafer entrances facing the processing station 11 side.
With respect to R, the wafer transfer operation of the wafer W is performed by the substrate transfer device 1.

【0030】なお、前述したとおり、基板搬送装置1の
ピンセット2は、Y方向に移動自在とされており、この
ピンセット2が設けられた搬送基台4は、X方向及びZ
方向(ウエハカセッ卜CR内のウエハ配列方向;垂直方
向)に移動自在とされ、また、θ方向に回転自在とさ
れ、処理ステーション11側のウエハ搬送体22に対し
てウエハWの受け渡しを行うことができるよう構成され
ている。
As described above, the tweezers 2 of the substrate transfer device 1 are movable in the Y direction, and the transfer base 4 on which the tweezers 2 are provided is moved in the X and Z directions.
The wafer W can be moved in the direction (the direction of arranging wafers in the wafer cassette CR; the vertical direction) and can be freely rotated in the θ direction to transfer the wafer W to the wafer carrier 22 on the processing station 11 side. It is configured to be able to.

【0031】処理ステーション11内のウエハ搬送体2
2は、カセットステーション10とインターフェース部
12との間をY方向に移動自在に構成され、またZ方向
(垂直方向)に上下動できると共に、θ方向に回転し得
るように構成されている。
The wafer carrier 2 in the processing station 11
Numeral 2 is configured to be movable in the Y direction between the cassette station 10 and the interface unit 12, and to be able to move up and down in the Z direction (vertical direction) and to be rotatable in the θ direction.

【0032】そして処理ステーション11内の各処理ユ
ニットは、ウエハ搬送体22の搬送路を挟んで二分して
配置されている。ここで上下1列分の処理ユニットの集
合を一つの処理ユニット群と呼ぶと、処理ステーション
11内の各処理ユニットは例えば8つの処理ユニット群
1 、G2 、G3 、G4 、G5 、G6 、G7 、G8 に分
けられ、そのうち第2、第4、第6及び第8の処理ユニ
ット群G2 、G4 、G6 、G8 は、図8に示したように
例えばシステム正面側に配置され、第1、第3、第5及
び第7の処理ユニット群G1 、G3 、G5 、G7 は、図
9に示したように例えばシステム背面側に配置されてい
る。
Each of the processing units in the processing station 11 is divided into two parts with the transfer path of the wafer transfer body 22 interposed therebetween. Here, when a set of processing units for one row in the upper and lower rows is referred to as one processing unit group, each processing unit in the processing station 11 includes, for example, eight processing unit groups G 1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5. , G 6 , G 7 , and G 8 , and the second, fourth, sixth, and eighth processing unit groups G 2 , G 4 , G 6 , and G 8 are, for example, as shown in FIG. The first, third, fifth, and seventh processing unit groups G 1 , G 3 , G 5 , and G 7 are arranged on the front side of the system, and are arranged, for example, on the back side of the system as shown in FIG. I have.

【0033】図8に示すように、第2、第4、第6及び
第8の処理ユニット群G2 、G4 、G6 、G8 は各々、
上下2段に重ねられたレジスト塗布ユニット(COT)
及び現像ユニット(DEV)を含んでいる。
As shown in FIG. 8, the second, fourth, sixth and eighth processing unit groups G 2 , G 4 , G 6 , G 8 are respectively
A resist coating unit (COT) stacked in two stages
And a developing unit (DEV).

【0034】また、図9に示すように、第1の処理ユニ
ット群G1 は、ウエハWの冷却処理を行うクーリングユ
ニット(COL)、ウエハWの位置合わせを行うアライ
メントユニット(ALIM)、露光処理前のウエハWに
対して加熱処理を行うプリベーキングユニット(PRE
BAKE)及び露光処理後のウエハWに対して加熱処理
を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、
下から順に重ねて配置されている。
As shown in FIG. 9, the first processing unit group G 1 includes a cooling unit (COL) for cooling the wafer W, an alignment unit (ALIM) for positioning the wafer W, and an exposure process. A pre-baking unit (PRE) for performing a heating process on the previous wafer W
BAKE) and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heating process on the wafer W after the exposure process.
They are arranged in order from the bottom.

【0035】さらに、第3の処理ユニットG3 は、ウエ
ハWの冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、
ウエハW表面に塗布されたレジスト液の定着性を高める
ための疏水化処理を行うアドヒージョンユニット(A
D)、露光処理前のウエハWに対して加熱処理を行うプ
リベーキングユニット(PREBAKE)及び露光処理
後のウエハWに対して加熱処理を行うポストベーキング
ユニット(POBAKE)が、下から順に重ねて設けら
れている。
Further, the third processing unit G 3 includes a cooling unit (COL) for performing a cooling process on the wafer W,
An adhesion unit (A) for performing a hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist solution applied to the surface of the wafer W
D), a pre-baking unit (PREBAKE) for performing a heating process on the wafer W before the exposure process and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heating process on the wafer W after the exposure process are provided in order from the bottom. Have been.

【0036】第5及び第7の処理ユニットG5 、G
7 は、ウエハWの冷却処理を行うクーリングユニット
(COL)、イクステンション・クーリングユニット
(EXTCOL)、露光処理前のウエハWに対して加熱
処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)
及び露光処理後のウエハWに対して加熱処理を行うポス
トベーキングユニット(POBAKE)が、下から順に
重ねて配置されている。
Fifth and seventh processing units G 5 , G
Reference numeral 7 denotes a cooling unit (COL) for performing a cooling process on the wafer W, an extension cooling unit (EXTCOL), and a prebaking unit (PREBAKE) for performing a heating process on the wafer W before the exposure process.
Further, post-baking units (POBAKE) for performing a heating process on the wafer W after the exposure process are arranged in order from the bottom.

【0037】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いプ
リベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベー
キングユニット(POBAKE)及びアドヒージョンユ
ニット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の
熱的な相互干渉を少なくすることができる。
As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged at the lower stage, and the pre-baking unit (PREBAKE), the post-baking unit (POBAKE) and the ad-hoc unit having a high processing temperature are arranged. By arranging the John units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced.

【0038】インターフェース部12には、可搬性のピ
ックアップカセットCR、定置型のバッファカセットB
R、周辺露光装置23、ウエハ搬送体24が設けられて
いる。ウエハ搬送体24は、X方向及びZ方向に移動し
て上記両カセットCR、BR及び周辺露光装置23に対
するウエハWの受け渡し動作を行う。また、ウエハ搬送
体24はθ方向にも回転自在とされ、処理ステーション
11側のウエハ搬送体22及び外部の露光装置側のウエ
ハ受渡し台(図示せず)との間でのウエハWの受け渡し
を行うように構成されている。
The interface section 12 includes a portable pickup cassette CR, a stationary buffer cassette B
R, a peripheral exposure device 23, and a wafer carrier 24 are provided. The wafer carrier 24 moves in the X direction and the Z direction to perform an operation of transferring the wafer W to the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23. The wafer transfer body 24 is also rotatable in the θ direction, and transfers the wafer W between the wafer transfer body 22 on the processing station 11 side and a wafer transfer table (not shown) on the external exposure apparatus side. Is configured to do so.

【0039】現像ユニット(DEV)は、処理容器内
に、ウエハWを真空吸着により水平に保持しながら回転
するように構成されたスピンチャックと、このスピンチ
ャックの外側及び下部側を包囲すると共に底部に排液口
と排気口を設けたカップと、現像液をスピンチャック上
に保持されるウエハWの表面へ吐出する現像液供給ノズ
ル等から構成される。
The developing unit (DEV) includes, in a processing container, a spin chuck configured to rotate while holding the wafer W horizontally by vacuum suction, and surrounds the outer and lower sides of the spin chuck and forms a bottom portion. And a developing solution supply nozzle for discharging the developing solution onto the surface of the wafer W held on the spin chuck.

【0040】また、レジスト塗布ユニット(COT)
は、処理容器内に、ウエハWを真空吸着により水平に保
持しながら回転するように構成されたスピンチャック
と、このスピンチャックの外側及び下部側を包囲すると
共に底部に排液口と排気口を設けたカップと、レジスト
液をスピンチャック上に保持されるウエハWの表面へ吐
出するレジスト液供給ノズル等から構成される。
Further, a resist coating unit (COT)
A spin chuck configured to rotate while holding the wafer W horizontally by vacuum suction in a processing container, and a drain port and an exhaust port at the bottom surrounding the outer and lower sides of the spin chuck. It comprises a cup provided, a resist liquid supply nozzle for discharging the resist liquid onto the surface of the wafer W held on the spin chuck, and the like.

【0041】次に、この塗布現像処理システムによるウ
エハWの処理の流れについて説明する。
Next, the flow of processing of the wafer W by this coating and developing system will be described.

【0042】まずカセットステーション10において、
基板搬送装置1がカセット載置台20上の処理前のウエ
ハWを収容しているカセットCRにアクセスして、その
カセットCRから1枚のウエハWを取り出す。その後、
基板搬送装置1は、処理ステーンション11側のウエハ
搬送体22にウエハWを受け渡す。ウエハ搬送体22
は、第1の処理ユニット群G1 のアライメントユニット
(ALIM)まで移動し、このアライメントユニット
(ALIM)内にウエハWを移載する。
First, at the cassette station 10,
The substrate transfer apparatus 1 accesses the cassette CR on the cassette mounting table 20 that stores the unprocessed wafers W, and takes out one wafer W from the cassette CR. afterwards,
The substrate transfer device 1 transfers the wafer W to the wafer transfer body 22 on the processing station 11 side. Wafer carrier 22
Moves to the first processing unit group G 1 of the alignment unit (ALIM), to transfer the wafer W into the alignment unit (ALIM).

【0043】アライメントユニット(ALIM)にてウ
エハWのオリフラ合わせ及びセンタリングが終了する
と、ウエハ搬送体22は、アライメントが完了したウエ
ハWを受け取り、第3の処理ユニット群G3 のアドヒー
ジョンユニット(AD)にウエハWを搬入して疎水化処
理を行う。
When the alignment unit (ALIM) completes the alignment and centering of the wafer W, the wafer carrier 22 receives the aligned wafer W, and the adhesion unit (3) of the third processing unit group G 3. AD), the wafer W is carried in, and a hydrophobic treatment is performed.

【0044】疎水化処理を終えたウエハWは、その後ウ
エハ搬送体22によって所定のプリベーキングユニット
(PREBAKE)に搬入されてベーキングされた後、
所定のクーリングユニット(COL)に搬入される。こ
のクーリングユニット(COL)内でウエハWはレジス
ト塗布処理前の設定温度例えば23℃まで冷却される。
冷却処理が終了すると、ウエハWはウエハ搬送体22
によって所定のレジスト塗布ユニット(COT)へ搬入
され、このレジスト塗布ユニット(COT)内でウエハ
W表面へのレジスト塗布が行われる。
The wafer W that has been subjected to the hydrophobizing process is then carried into a predetermined prebaking unit (PREBAKE) by the wafer carrier 22 and baked.
It is carried into a predetermined cooling unit (COL). In the cooling unit (COL), the wafer W is cooled to a set temperature before the resist coating processing, for example, 23 ° C.
When the cooling process is completed, the wafer W is transferred to the wafer carrier 22
Then, the wafer W is carried into a predetermined resist coating unit (COT), and the resist coating on the surface of the wafer W is performed in the resist coating unit (COT).

【0045】レジスト塗布処理が終了すると、ウエハ搬
送体22はウエハWをレジス卜塗布ユニット(COT)
から取り出し、再び所定のプリベークユニット(PRE
BAKE)内へ搬入する。ウエハWはここで所定温度例
えば100℃で所定時間加熱され、これによりウエハW
上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
When the resist coating process is completed, the wafer carrier 22 transfers the wafer W to a resist coating unit (COT).
From the pre-baking unit (PRE)
BAKE). Here, the wafer W is heated at a predetermined temperature, for example, 100 ° C. for a predetermined time.
The remaining solvent is removed by evaporation from the upper coating film.

【0046】この後、ウエハWはウエハ搬送体22によ
ってイクステンション・クーリングユニット(ΕΧTC
OL)へ搬入される。ここで、ウエハWは、次工程つま
り周辺露光装置23による周辺露光処理に適した温度例
えば24℃まで冷却される。この後、ウエハ搬送体22
はウエハWをインターフェース部12のウエハ搬送体2
4に受け渡す。ウエハ搬送体24は当該ウエハWをイン
ターフェース部12内の周辺露光装置23へ搬入する。
ここで、ウエハWはその周縁部に露光処理を受ける。
Thereafter, the wafer W is transferred to the extension / cooling unit (@TC
OL). Here, the wafer W is cooled to a temperature suitable for the next step, ie, the peripheral exposure processing by the peripheral exposure device 23, for example, 24 ° C. Thereafter, the wafer carrier 22
Represents the wafer W in the wafer carrier 2 of the interface unit 12
Hand over to 4. The wafer carrier 24 carries the wafer W into the peripheral exposure device 23 in the interface unit 12.
Here, the wafer W is subjected to an exposure process on its peripheral portion.

【0047】周辺露光処理が終了すると、ウエハ搬送体
24は、ウエハWを周辺露光装置23から搬出し、隣接
する露光装置側のウエハ受取り台(図示せず)へ移送す
る。この場合、ウエハWは、露光装置へ渡される前に、
必要に応じてバッファカセットBRに一時的に格納され
ることもある。
When the peripheral exposure process is completed, the wafer carrier 24 carries out the wafer W from the peripheral exposure device 23 and transfers it to a wafer receiving table (not shown) on the adjacent exposure device side. In this case, before the wafer W is transferred to the exposure apparatus,
It may be temporarily stored in the buffer cassette BR as needed.

【0048】この後、露光装置(ステッパ)により、レ
ティクルを用いた露光が行われる。露光装置でのウエハ
W全面への露光処理が完了して、ウエハWが露光装置側
のウエハ受取り台に戻されると、インターフェース部1
2のウエハ搬送体24はそのウエハ受取り台へアクセス
して露光処理後のウエハWを受け取り、処理ステーショ
ン11側のウエハ搬送体22に受け渡される。なおこの
場合、ウエハWを、処理ステーション11側へ渡される
前に、必要に応じてインターフェース部12内のバッフ
ァカセットBRに一時的に格納するようにしてもよい。
Thereafter, exposure using a reticle is performed by an exposure apparatus (stepper). When exposure processing on the entire surface of the wafer W in the exposure apparatus is completed and the wafer W is returned to the wafer receiving table on the exposure apparatus side, the interface unit 1
The second wafer carrier 24 accesses the wafer receiving table, receives the wafer W after the exposure processing, and is delivered to the wafer carrier 22 on the processing station 11 side. In this case, the wafer W may be temporarily stored in the buffer cassette BR in the interface unit 12 as necessary before being transferred to the processing station 11 side.

【0049】ウエハ搬送体22は、受け取ったウエハW
を所定のポストベーキングユニット(POBAKE)に
搬入する。このポストベーキングユニット(POBAK
E)において、ウエハWは熱板52上に載置されて所定
時間ベーク処理される。
The wafer carrier 22 receives the wafer W
Into a predetermined post-baking unit (POBAKE). This post baking unit (POBAK
In E), the wafer W is placed on the hot plate 52 and baked for a predetermined time.

【0050】この後、ベーキングされたウエハWはウエ
ハ搬送体22によっていずれかのクーリングユニット
(COL)に搬入され、このクーリングユニット(CO
L)内でウエハWは常温に戻される。続いて、ウエハW
はウエハ搬送体22によって所定の現像ユニット(DE
V)に搬入される。
Thereafter, the baked wafer W is carried into one of the cooling units (COL) by the wafer carrier 22, and the cooling unit (CO)
The wafer W is returned to normal temperature in L). Subsequently, the wafer W
Is a predetermined developing unit (DE) by the wafer carrier 22.
V).

【0051】この現像ユニット(DEV)内では、ウエ
ハWはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー
方式により、ウエハW表面のレジストに現像液が均一に
かけられて現像が行われる。そして現像後、ウエハW表
面にリンス液がかけられ、現像液の洗い落しが行われ、
この後ウエハWが高速回転されて乾燥が行われる。
In the developing unit (DEV), the wafer W is placed on a spin chuck, and a developing solution is uniformly applied to a resist on the surface of the wafer W by, for example, a spray method to perform development. After the development, a rinsing liquid is applied to the surface of the wafer W, and the developing liquid is washed off.
Thereafter, the wafer W is rotated at a high speed to perform drying.

【0052】この後、ウエハ搬送体22は、ウエハWを
現像ユニット(DEV)から搬出して、次に所定のポス
トベーキングユニット(POBAKΕ)へウエハWを再
び搬入する。このポストベーキングユニット(POBA
KE)において、ウエハWは例えば100℃で所定時間
だけ加熱され、これによって、現像で膨潤したレジスト
が硬化し、耐薬品性が向上する。
Thereafter, the wafer carrier 22 carries out the wafer W from the developing unit (DEV), and then carries the wafer W again into a predetermined post-baking unit (POBAK #). This post baking unit (POBA
In KE), the wafer W is heated, for example, at 100 ° C. for a predetermined time, whereby the resist swollen by development is hardened, and the chemical resistance is improved.

【0053】ポストベーキングが終了すると、ウエハ搬
送体22はウエハWをポストベーキングユニットから搬
出し、次に所定のクーリングユニット(COL)へウエ
ハWを搬入して冷却処理が行われる。
When the post-baking is completed, the wafer carrier 22 carries the wafer W out of the post-baking unit, and then carries the wafer W into a predetermined cooling unit (COL) to perform a cooling process.

【0054】ウエハWが常温に戻った後、ウエハ搬送体
22は、ウエハWをカセットステーション10側の基板
搬送装置1に受け渡し、基板搬送装置1は、受け取った
ウエハWをカセット載置台20上の処理済みウエハ収容
用のカセットCRの所定のウエハ収容溝に入れる。
After the temperature of the wafer W has returned to room temperature, the wafer carrier 22 transfers the wafer W to the substrate carrier 1 on the cassette station 10 side, and the substrate carrier 1 transfers the received wafer W to the cassette mounting table 20. The wafer is inserted into a predetermined wafer accommodating groove of the cassette CR for accommodating the processed wafer.

【0055】以上の構成の塗布現像処理システムによれ
ば、基板搬送装置1により、カセットCRからウエハW
を取り出す際、及びカセットCRにウエハWを収容する
際に、ウエハWを精細位置決めされほとんどガタのない
状態で搬送することができ、また、ウエハWが僅かに傾
斜した状態で搬送されるためウエハWとピンセット2と
の接触面積が従来に比べて減少するため、ウエハWの搬
送中に、ウエハWとピンセット2が擦れて塵埃が発生す
ることを抑制することができる。また、ウエハWをウエ
ハ搬送体22に受け渡した際に、ウエハ搬送体22側で
位置決めする等の必要もなくなるので、位置決め機構等
を設ける必要がなく、機構を簡略化することにより、製
造コストの低減等を図ることができる。
According to the coating and developing system having the above-described configuration, the wafer W is transferred from the cassette CR to
When the wafer W is taken out and when the wafer W is accommodated in the cassette CR, the wafer W can be transported in a finely positioned state with almost no play, and the wafer W is transported in a slightly inclined state. Since the contact area between the W and the tweezers 2 is reduced as compared with the related art, it is possible to prevent the wafer W and the tweezers 2 from being rubbed during the transfer of the wafer W to generate dust. Further, when the wafer W is transferred to the wafer carrier 22, there is no need to position the wafer W on the side of the wafer carrier 22, so that there is no need to provide a positioning mechanism or the like. Reduction can be achieved.

【0056】次に、図10、図11を参照して他の実施
形態について説明する。これらの図に示す基板搬送装置
1aでは、搬送基台4に、当接部材7が設けられてお
り、ピンセット2によって、カセットCR内のウエハW
を取り出し、ピンセット2を搬送基台4上のホームポジ
ションに戻した際に、当接部材7の内側にウエハWが当
接され、これによってウエハWが段部2bから段部2c
に落とし込まれるよう構成されている。なお、他の部分
については、前述した基板搬送装置1と同様に構成され
ているので、同一部分には同一符号を付して重複した説
明は省略する。
Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. In the substrate transfer apparatus 1a shown in these figures, the transfer base 4 is provided with an abutment member 7, and the wafer W in the cassette CR is
When the tweezers 2 are returned to the home position on the transfer base 4, the wafer W is brought into contact with the inside of the contact member 7, whereby the wafer W is moved from the step 2b to the step 2c.
It is configured to be dropped into. Since the other parts are configured in the same manner as the above-described substrate transfer device 1, the same parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0057】上記構成の基板搬送装置1aにおいても、
前述した基板搬送装置1と同様な効果を奏することがで
き、又、簡単な構造の当接部材7を追加するのみで、ウ
エハWを確実に精細位置決めすることができる。
In the substrate transfer apparatus 1a having the above structure,
The same effect as that of the above-described substrate transfer apparatus 1 can be achieved, and the wafer W can be accurately and precisely positioned only by adding the contact member 7 having a simple structure.

【0058】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能であ
る。また、上述した例では、半導体ウエハの表面にレジ
スト液を塗布し、現像する装置について説明したが、本
発明はLCD基板等の表面にレジスト液を塗布し、現像
する装置にも同様にして適用できることはもちろんであ
る。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the technical concept. In the above-described example, an apparatus for applying and developing a resist liquid on the surface of a semiconductor wafer has been described. However, the present invention is similarly applied to an apparatus for applying and developing a resist liquid on a surface of an LCD substrate or the like. Of course you can.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来に比べて塵埃の発生を更に抑制することができ、か
つ、位置決め機構等の機構を簡略化することにより、製
造コストの低減等を図ることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to further suppress the generation of dust as compared with the related art, and to reduce the manufacturing cost by simplifying the mechanisms such as the positioning mechanism. Can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態の基板搬送装置の構成を示
す平面図
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a substrate transfer device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施形態の側面図FIG. 2 is a side view of the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施形態のピンセットを縮めた状態を示
す平面図
FIG. 3 is a plan view showing a state in which the tweezers of the embodiment of FIG. 1 is contracted;

【図4】図3の状態の側面図FIG. 4 is a side view of the state shown in FIG. 3;

【図5】図1のウエハの状態を拡大して示す側面図FIG. 5 is an enlarged side view showing the state of the wafer of FIG. 1;

【図6】図3のウエハの状態を拡大して示す側面図FIG. 6 is an enlarged side view showing a state of the wafer of FIG. 3;

【図7】図1の基板搬送装置を設けた塗布現像処理シス
テムの平面図
FIG. 7 is a plan view of a coating and developing processing system provided with the substrate transfer device of FIG. 1;

【図8】図7に示した塗布現像処理システムの正面図FIG. 8 is a front view of the coating and developing system shown in FIG. 7;

【図9】図7に示した塗布現像処理システムの背面図FIG. 9 is a rear view of the coating and developing system shown in FIG. 7;

【図10】本発明の他の実施形態の基板搬送装置の構成
を示す平面図
FIG. 10 is a plan view illustrating a configuration of a substrate transfer apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図11】図10の実施形態の側面図FIG. 11 is a side view of the embodiment of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W………半導体ウエハ(基板) CR……ウエハカセット 1………基板搬送装置 2………ピンセット(基板支持部材) 2a……段部(先端側) 2b……段部(後端側(粗位置決め用)) 2c……段部(後端側(精細位置決め用)) 3………支持部材 4………搬送基台 W: semiconductor wafer (substrate) CR: wafer cassette 1: substrate transfer device 2: tweezers (substrate support member) 2a: step (top end) 2b: step (back end ( 2c: Step (rear end side (for fine positioning)) 3: Support member 4: Transfer base

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板保持機構に保持された基板の下側に
挿入可能とされ、基板の下面周縁部を係止して当該基板
を支持可能とされた基板支持部材と、 前記基板支持部材を前記基板の下側に挿入し、前記基板
を前記基板支持部材によって支持した後前記基板支持部
材を引き抜き、前記基板を所望部位に搬送可能とされた
駆動機構とを具備した基板搬送装置において、 前記基板支持部材は、前記基板を係止する係止部に、位
置決め用の段部を有し、かつ、前記位置決め用の段部は
前記基板支持部材の先端側に一段、後端側に二段少なく
とも形成され、後端側の高い段部により前記基板を粗位
置決めし、後端側の低い段部により前記基板を精細位置
決めするよう構成されたことを特徴とする基板搬送装
置。
A substrate support member that can be inserted below a substrate held by a substrate holding mechanism, and that can support the substrate by locking a peripheral edge of a lower surface of the substrate; A substrate transport device comprising a drive mechanism that is inserted below the substrate, pulls out the substrate support member after supporting the substrate by the substrate support member, and is capable of transporting the substrate to a desired site. The substrate supporting member has a positioning step on the locking portion for locking the substrate, and the positioning step is one step on the front end side and two steps on the rear end side of the substrate supporting member. A substrate transport apparatus formed at least and configured to roughly position the substrate by a high step portion on a rear end side and to finely position the substrate by a low step portion on a rear end side.
【請求項2】 請求項1記載の基板搬送装置において、 前記駆動機構により、前記基板支持部材を後端側に向け
て移動させる際に、前記基板が前記後端側の高い段部か
ら低い段部に移動して、当該基板の精細位置決めが行わ
れることを特徴とする基板搬送装置。
2. The substrate transfer device according to claim 1, wherein when the drive mechanism moves the substrate support member toward a rear end, the substrate moves from a high step on the rear end to a low step. Wherein the substrate is moved to a position where fine positioning of the substrate is performed.
【請求項3】 請求項2記載の基板搬送装置において、 前記駆動機構により、前記基板支持部材を後端側に向け
て移動させる際に、前記基板が、所定位置に配設された
位置決め用部材に当接されて前記後端側の高い段部から
低い段部に移動し、当該基板の精細位置決めが行われる
ことを特徴とする基板搬送装置。
3. The positioning member according to claim 2, wherein the substrate is disposed at a predetermined position when the driving mechanism moves the substrate support member toward a rear end side. Wherein the substrate is moved from the high step portion on the rear end side to the low step portion to perform fine positioning of the substrate.
【請求項4】 請求項1乃至3いずれか1項記載の基板
搬送装置において、 前記位置決め用の段部は、前記先端側の端部と、前記後
端側の低い段部が略同一高さ位置に設けられていること
を特徴とする基板搬送装置。
4. The substrate transfer device according to claim 1, wherein the positioning step has a substantially same height as that of the end on the front end side and the low step on the rear end side. A substrate transfer device provided at a position.
【請求項5】 請求項1乃至4いずれか1項記載の基板
搬送装置と、 基板を処理する処理部とを有することを特徴とする基板
処理装置。
5. A substrate processing apparatus comprising: the substrate transfer device according to claim 1; and a processing unit that processes the substrate.
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JP2003095435A (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Ebara Corp Rectangular substrate conveying robot
JP2010525608A (en) * 2007-04-27 2010-07-22 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド Inertial wafer centering end effector and transfer device

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