JPH11327455A - フラットディスプレイスクリ―ン密封壁の下の導電路 - Google Patents

フラットディスプレイスクリ―ン密封壁の下の導電路

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JPH11327455A
JPH11327455A JP11083587A JP8358799A JPH11327455A JP H11327455 A JPH11327455 A JP H11327455A JP 11083587 A JP11083587 A JP 11083587A JP 8358799 A JP8358799 A JP 8358799A JP H11327455 A JPH11327455 A JP H11327455A
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grid
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sealing wall
cathode
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Thierry Frayssinet
フレイシネ ティエリー
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    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
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    • H01J2329/90Leading-in arrangements; seals therefor

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 密封壁の下にあるグリッド導電体の渡しに接
続される、スクリーンの内側と外側との間の漏れのリス
クを抑制する、新しいマイクロチップスクリーンを提供
する。 【解決手段】 実質的に薄い周辺シールの下にある薄い
厚さの導電行を用いて、フラットスクリーンの内部空間
と外側との間に電気接続部を備えており、容易にその伸
縮をなす開口作動構造を含んでおり、該開口作動構造
は、電気接続部が非直線導電部分を有するようなもので
ある。また、カソード導体を覆う絶縁層上にデポジット
された行を形成したフラットマイクロチップスクリーン
グリッドを備えており、各グリッド行は、少なくとも1
つの電気接続部を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レイスクリーンに関する。詳細には、スクリーンの底部
及び表面をそれぞれ形成する2つのプレートによって規
定されたタイトなチャンバの内側と外側との間の電気接
続部の渡りに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、フラットスクリーンは、ガラスか
ら作られ、一般に矩形状の2つの外部プレートから形成
される。一方のプレートはスクリーン表面を形成し、他
方のプレートは、例えば放射手段を備えたスクリーン底
部を形成する。2つのプレートは、互いに分離して空間
を維持するべく、シールを用いて組み立てられる。電界
効果ディスプレイ(FED)若しくはマイクロチップス
クリーン又は真空蛍光ディスプレイ(VFD)について
は、2つのガラスプレートを分離する空間内に真空を作
り、プラズマスクリーンについては、この空間が低圧ガ
スで充填される。
【0003】この説明を簡単にするために、マイクロチ
ップスクリーンだけが、以下で議論される。しかし、本
発明は、一般に、種々の前述したディスプレイのタイプ
等に関することに注意すべきである。
【0004】図1A及び図1Bは、従来のマイクロチッ
プスクリーンの構造を部分的に且つ概略的に表してい
る。図1Aは断面図である。図1Bは、図1Aの線B−
B’に沿った平面図である。
【0005】このようなマイクロチップスクリーンは、
実質的に、マイクロチップ3及びグリッド4を有するカ
ソードの、例えばガラスから作られた第1の基板1(図
1A)上に形成される。カソード−グリッドは、一般に
透過スクリーン表面を形成する、例えばガラスの第2の
基板6上に作られたカソード発光アノード5と反対に配
置される。
【0006】このようなスクリーンの動作原理及び構造
の詳細は、例えばコミッサリア タレネルジー アトミ
ークに譲渡された米国特許第4,940,917号に記
載されている。
【0007】カソード−グリッド2−4とアノード5と
は、2つの基板1と6との上に離れて作られ、続いて周
辺シール又は密封壁7を用いて組み立てられる。基板1
及び6は、カソード2からアノード5へ電子の循環のた
めの空間8を規定する。
【0008】カソード2は、複数列9で構成され、基板
1上で、導電層を網状に配置したカソード導体を含む。
マイクロチップ3は、一般にカソード導体上にデポジッ
トされた抵抗層上に作られ、カソード導体によって規定
された網の内側に配置される。図1Aにおいて、カソー
ド導体及び抵抗層は、異なる列でも同じ共通符号9で示
されている。グリッド4は、(例えばシリコン酸化物
(SiO)から作られた)絶縁層11上にデポジットさ
れた導電行10(図1B)に構成される。ホール12
は、各マイクロチップ3を受け入れるために、グリッド
4の行10と絶縁層11とに形成される。グリッド4の
1つの行とカソード2の1つの列との交点は、一般にス
クリーンピクセルを規定する。
【0009】アノード側において、蛍光素子(図示な
し)は、一般に透過導電層に形成された電極上にデポジ
ットされており、カソードによって放射された電子によ
って励起される。明らかにするために、アノード及びそ
の全ての部品は、図1Aの通常の参照符号5で示されて
いる。
【0010】カソード2、グリッド4及びアノード5の
種々の導体を適切にバイアス(アドレス)するために、
これら導体は、一般に可溶ガラスコードである密封壁7
によって閉じられたチャンバの外側からアクセスできる
ようにしなければならない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】密封壁の通路で生じる
問題は、壁の上部及び下部の材料の非常に異なる特性の
ために起こる。この問題は、本質的に、カソード−グリ
ッド側のスタックの上部にあるグリッド4の行10に対
して生じる。
【0012】約1マイクロメータの厚さを有する層11
を構成するシリコン酸化物と、1マイクロメータ未満の
厚さを有するグリッド層4を構成する、一般にニオブで
ある金属と、数百マイクロメータの厚さを有する密封壁
7を構成する(一般に可溶ガラスである)材料とがあ
る。これら層の材料の間の大きい厚さの差に関連する、
材料の固有の特性の差は、結果として、グリッド行とカ
ソード列との間の絶縁の層11を構成するシリコン酸化
物内にクラックを生じる応力となる。このようなクラッ
クは、密封壁のどちらか一方の壁上に伸長でき、真空の
下での内側と、スクリーンの外側との間で漏れを生じ
る。
【0013】応力は、本質的に、密封壁の下でスタック
を形成する材料の間の、異なる熱伸縮効率に起因する。
従って、高温度で可溶なガラスコードの追加の上で、前
述の欠点が現れる。
【0014】別の問題が、グリッド4の列10に対して
生じる。実際に、従来のスクリーンにおいて、グリッド
4の列10を構成する導電層は、カソード−グリッドプ
レート1上にデポジットされた最後の層である。従っ
て、壁7を構成する可溶ガラスは、外側に対して行10
の接続の端部即ち伸長部10′上に直接デポジットされ
ている。通常、グリッド行はニオブから形成され、シー
ル7を構成するガラスによってニオブのエッチングが観
測される。これは、結果として、スクリーンの内側と外
側との間にいくつかの行10の遮断のためにスクリーン
故障のリスクを生じる。
【0015】本発明は、スクリーンの内側と外側との間
の導電路の渡しに関連する、従来のスクリーンの不都合
な点を克服することを目的とする。
【0016】本発明は、特に、密封壁の下にあるグリッ
ド導電体の渡しに接続される、スクリーンの内側と外側
との間の漏れのリスクを抑制する、新しいマイクロチッ
プスクリーンを提供することである。
【0017】本発明は、更に、従来のマクロチップスク
リーンの製造及び密封方法でもたらされる修正を最小に
する解決策を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】これらの目的を達成する
ために、本発明は、実質的に薄い周辺シールの下にある
薄い厚さの導電行を用いて、フラットスクリーンの内部
空間と外側との間に電気接続部を備えており、容易にそ
の伸縮をなす開口作動構造を含んでおり、該開口作動構
造は、電気接続部が非直線導電部分を有するようなもの
である。
【0019】本発明は、更に、カソード導体を覆う絶縁
層上にデポジットされた行を形成したフラットマイクロ
チップスクリーングリッドを備えており、各グリッド行
は、少なくとも1つの電気接続部を備えている。
【0020】本発明の一実施形態によれば、グリッドは
クロムから作られる。
【0021】本発明の一実施形態によれば、各行は活性
スクリーン領域についてニオブから作られ、各電気接続
部はクロムから作られる。
【0022】本発明は、更に、カソード発光アノードを
衝撃するためのマイクロチップを有するカソードと、グ
リッドとを含むタイプのフラットディスプレイスクリー
ンを備えている。
【0023】本発明の前述の目的、特徴及び利点は、添
付図面と共に、以下の限定しない特定の実施形態の詳細
な説明の中で議論される。
【0024】
【発明の実施の形態】同一構成要素は、異なる図面にお
いても同一参照符号で示される。明らかにするために、
図面の表現は同一縮尺ではなく、本発明の理解に必要と
なる構成要素のみが図面に表され、以下で説明される。
【0025】本発明の特徴は、外側から内側のスクリー
ン空間を分離する密封壁の下で、導電行、ここではグリ
ッド行の伸縮を助けることにある。このために、本発明
は、密封壁の下でこれら行の部分のグリッド行を構成す
る導電層に開口をなすように提供する。
【0026】図2は、本発明の第1の実施形態の平面図
である。この図面は、フラットマイクロチップスクリー
ンのカソード−グリッドを支持するプレート1を概略的
に表している。スクリーンカソードは、従来のスクリー
ンのカソードと同じである。図2において、カソード列
9は破線で説明されている。
【0027】活性スクリーン領域において、即ちマイク
ロチップを含む領域において、グリッド行10は、従来
のスクリーンのグリッド行と同じであり、即ちそれらは
マイクロチップの上部にホール12を含む。明らかにす
るために、ピクセル当たり2マイクロチップのみが図面
に表されているけれども、これらマイクロチップ及びグ
リッドの対応するホール12は、スクリーンピクセル当
たり数千個あることに注意すべきである。
【0028】本発明によれば、スクリーン密封壁7の下
部で渡す固体となる代わりに、行10は、これらの伸縮
を可能にするために開口作動がされ、従ってそれらに与
えられる応力を最小にする。従って、これらの長さ部分
30において、グリッド行10は、網を形成するために
分散された開口31を示しており、一方でシール7のど
ちらか一方の側上で電気的導通を補償する。
【0029】好ましくは、図5に関して以下に表された
ように、グリッド行の領域30内に作られた開口31の
パターンは、これら行がいずれの直線導電部分をも有さ
ないようになり、それらの長さ又はそれらの幅の通常の
方向にそれをなす。従って、密封壁の上部のグリッド行
において起こりうる応力伝播は、更に削減される。
【0030】図2に関連して説明された実施形態の利点
は、本フラットスクリーン製造方法と完全に互換性があ
ることである。従って、図2の実施形態において、グリ
ッド行10は例えばニオブから作られる。
【0031】図3及び図4は、本発明の第2の実施形態
を説明する。図3は、密封壁の下の部分的な断面図であ
る。図4は、図2の平面図と同じ図である。
【0032】この実施形態の特徴は、密封壁7の下で実
質的なグリッド行の領域30において、異なる導電材料
から作られたセクション32を提供することである。セ
クション32を構成する材料は、本発明によれば、前記
壁によってダメージを受けることがないように密封壁7
を構成する材料と互換性があるように選択される。セク
ション32は、第1の実施形態のように、その伸縮を容
易にするように開口作動され、従って、スタックされた
材料の厚さと伸縮効率との差につながる応力の効果を最
小にする。
【0033】インプリメンテーションの一例として、グ
リッド行10のセクション32はクロムから作られる。
【0034】好ましくは、活性スクリーン領域の少なく
とも一方の側で、グリッド行のレストは、ニオブから作
られる。活性スクリーン領域のカソードとグリッドとを
分離するシリコン酸化物における、クロムによるクラッ
クの生成が避けられる。この理由のために従来のスクリ
ーンにおいて、ニオブはクロムであるのが好ましい。
【0035】好ましくは、外側スクリーンの側におい
て、ニオブパッド33がセクション32に接続される。
ニオブ外部接続パッド33を維持する利点は、本スクリ
ーン製造方法と互換性があることである。
【0036】図5は、密封壁7の下のグリッド行領域3
0のパターンの一実施形態を表している。この実施形態
は、前述の好ましいもの、即ち下に置かれるシリコン酸
化物のクラック伝播を妨げるために、直線性応力領域を
避ける。このために、領域30は、幅若しくは長さ又は
別の方向となる、不連続直線性部分を含む。
【0037】図5に説明された実施形態によれば、グリ
ッド行は、領域30の蜂の巣形状となる。
【0038】しかしながら、他のパターンが前述された
制約を重視するように提供されて選択されることに注意
すべきである。
【0039】壁の下で渡るスクリーンとセクション32
の内側のグリッド行を形成するために選択された材料の
間の抵抗率の差は、本発明においてクリティカルではな
い。実際に、グリッド行は、注目すべき効果を有さない
抵抗率の差に対して、密封壁の下で十分となる通常の幅
である。
【0040】特定の実施形態の例として、4000Åの
厚さでデポジットされたニオブは、平方当たり4オーム
の抵抗率を有しており、同じ厚さでデポジットされたク
ロムは、平方当たり2オームの抵抗率を有する。図5に
説明されたタイプの交点は、例えばこのような厚みで作
ることができる。クロムのセクション32の幅は、例え
ば5〜10μmの間である。開口31の表面は、例えば
500μmのオーダである。
【0041】もちろん、本発明は、当業者によれば容易
に発明することができるあろう種々の変更、修正及び改
善をすることができる。特に、本発明をインプリメント
するために従来のスクリーンの製造方法への適合は、当
業者の能力の中にある。更に一例として前述して示した
他の材料は、記載された基本的な制約に関連して提供さ
れて用いられる。更に、本発明はマイクロチップスクリ
ーンのグリッドに関連して説明されているが、それは、
密封壁の下部又は上部でフラットスクリーンの内側と外
側との間の薄い層を用いて電気接続が与えられる。
【0042】このような変更、修正及び改善は、この開
示の部分でしようとするものであり、本発明の技術的思
想及び見地の中でしようとするものである。従って、前
述の説明は、単に一例とであり、限定しようとするもの
ではない。本発明は、特許請求の範囲及びそれらの均等
物に規定されるものにの限定される。
【図面の簡単な説明】
【図1A】従来のフラットマイクロチップスクリーンの
部分的な断面図である。
【図1B】従来のフラットマイクロチップスクリーンの
部分的な平面図である。
【図2】本発明によるグリッド接続の第1の実施形態を
説明するマイクロチップスクリーンのカソード−グリッ
ドの部分的な平面図である。
【図3】本発明による電気グリッド接続の第2の実施形
態を説明するフラットマイクロチップスクリーンのカソ
ードグリッドの部分的な断面図である。
【図4】図3に表されたカソード−グリッドの平面図で
ある。
【図5】本発明によるグリッド行の部分的な詳細な平面
図である。
【符号の説明】
1 第1の基板、プレート 2 カソード 3 マイクロチップ 4 グリッド 5 アノード 6 第2の基板 7 密封壁 8 空間 9 カソード列 10 グリッド行 11 絶縁層 12 ホール 30 領域 31 開口 32 セクション 33 ニオブ外部接続パッド

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 実質的に薄い周辺シール(7)の下にあ
    る薄い厚さの導電行(10)を用いて、フラットスクリ
    ーンの内部空間(8)と外側との間の電気接続部におい
    て、 容易にその伸縮をなす開口作動構造を含んでおり、該開
    口作動構造は、前記電気接続部が非直線導電部分を有す
    るようなものであることを特徴とする電気接続部。
  2. 【請求項2】 カソード導体(9)を覆う絶縁層(1
    1)上にデポジットされた行(10)を形成したフラッ
    トマイクロチップスクリーングリッドにおいて、 各グリッド行が、請求項1に記載の少なくとも1つの電
    気接続部を備えたことを特徴とするグリッド。
  3. 【請求項3】 クロムから作られることを特徴とする請
    求項2に記載のグリッド。
  4. 【請求項4】 各行(10)は活性スクリーン領域につ
    いてニオブから作られ、各電気接続部(32)はクロム
    から作られることを特徴とする請求項2に記載のグリッ
    ド。
  5. 【請求項5】 カソード発光アノード(5)を衝撃する
    ためのマイクロチップ(3)を有するカソード(2)を
    含むタイプのフラットディスプレイスクリーンにおい
    て、 前記請求項2に記載の前記グリッド(4)を含むことを
    特徴とするフラットディスプレイスクリーン。
JP11083587A 1998-03-31 1999-03-26 フラットディスプレイスクリ―ン密封壁の下の導電路 Withdrawn JPH11327455A (ja)

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FR9804204A FR2776826B1 (fr) 1998-03-31 1998-03-31 Passage conducteur d'un mur de scellement d'un ecran plat de visualisation
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US (1) US6351064B1 (ja)
EP (1) EP0948026A1 (ja)
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FR (1) FR2776826B1 (ja)

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US6351064B1 (en) 2002-02-26
EP0948026A1 (fr) 1999-10-06
FR2776826B1 (fr) 2000-06-16
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