JPH11326695A - 光学モジュ―ルの組立方法および光学モジュ―ル - Google Patents
光学モジュ―ルの組立方法および光学モジュ―ルInfo
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- JPH11326695A JPH11326695A JP11106561A JP10656199A JPH11326695A JP H11326695 A JPH11326695 A JP H11326695A JP 11106561 A JP11106561 A JP 11106561A JP 10656199 A JP10656199 A JP 10656199A JP H11326695 A JPH11326695 A JP H11326695A
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各光学部品の垂直支持点の位置を、導波路の
光学軸の位置に対して規定する組立方法を提供する。 【解決手段】 光学部品（３０、６）にそれぞれ設けら
れて互いに協働する二つの接触面（８、９）を用いて、
一方の導波路（３）を他方の導波路（７）に対して位置
決定する。この方法は、特に、第一の接触面（８）が、
一方の光学部品の導波路（３）の光学軸（Ａ３）と同じ
水平面に配置された垂直支持面（８ａ）を含み、第二の
接触面（９）が、他方の光学部品の導波路（７）の光学
軸（Ａ７）と同じ水平面に配置される垂直支持面（９
ａ）を含むことを特徴とする。
光学軸の位置に対して規定する組立方法を提供する。 【解決手段】 光学部品（３０、６）にそれぞれ設けら
れて互いに協働する二つの接触面（８、９）を用いて、
一方の導波路（３）を他方の導波路（７）に対して位置
決定する。この方法は、特に、第一の接触面（８）が、
一方の光学部品の導波路（３）の光学軸（Ａ３）と同じ
水平面に配置された垂直支持面（８ａ）を含み、第二の
接触面（９）が、他方の光学部品の導波路（７）の光学
軸（Ａ７）と同じ水平面に配置される垂直支持面（９
ａ）を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学モジュールの
組立方法に関する。光学モジュールは、それぞれが１個
の導波路を含んで互いに光学的に結合した少なくとも２
個の光学部品を含む一要素として規定される。このよう
な光学モジュールに、複数の光ファイバーを接続するこ
とができる。
組立方法に関する。光学モジュールは、それぞれが１個
の導波路を含んで互いに光学的に結合した少なくとも２
個の光学部品を含む一要素として規定される。このよう
な光学モジュールに、複数の光ファイバーを接続するこ
とができる。
【０００２】
【従来の技術】光学モジュールは、従来技術で既に製造
されてきた。光学モジュールを組み立てる際に解決しな
ければならない主な問題の一つは、高品質の光結合を可
能にするための各種光学部品の導波路のアラインメント
である。
されてきた。光学モジュールを組み立てる際に解決しな
ければならない主な問題の一つは、高品質の光結合を可
能にするための各種光学部品の導波路のアラインメント
である。
【０００３】光学部品の導波路は、非常に小型である。
従って、たとえば、厚さ１００μｍ、長さ５００μｍ、
幅２５０μｍのレーザ部品は、およその寸法が例えば厚
さ０．２μｍ、幅２μｍ、長さ５００μｍである導波路
がその構造に埋め込まれている。このような導波路をさ
らに、同様に断面が小型で例えば約１０μｍ２か、さら
にはもっと小さい別の導波路とアラインメントしなけれ
ばならない。従って、特にこれらが比較的大型の光学部
品により囲まれる場合に、問題は、このような小型の導
波路をアラインメントすることにある。
従って、たとえば、厚さ１００μｍ、長さ５００μｍ、
幅２５０μｍのレーザ部品は、およその寸法が例えば厚
さ０．２μｍ、幅２μｍ、長さ５００μｍである導波路
がその構造に埋め込まれている。このような導波路をさ
らに、同様に断面が小型で例えば約１０μｍ２か、さら
にはもっと小さい別の導波路とアラインメントしなけれ
ばならない。従って、特にこれらが比較的大型の光学部
品により囲まれる場合に、問題は、このような小型の導
波路をアラインメントすることにある。
【０００４】一般に、光学モジュールは、シリコンＳｉ
からなる支持構造か、あるいはシリコンの上にシリカを
設けたＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上に形成される。図１か
ら図３Ｂは、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成される従来の
光学モジュールを各種の実施形態に従って概略的に示し
ており、一方で図４から図６Ｂは、Ｓｉ構造上に形成さ
れる従来の光学モジュールを各種の実施形態に従って概
略的に示している。
からなる支持構造か、あるいはシリコンの上にシリカを
設けたＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上に形成される。図１か
ら図３Ｂは、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成される従来の
光学モジュールを各種の実施形態に従って概略的に示し
ており、一方で図４から図６Ｂは、Ｓｉ構造上に形成さ
れる従来の光学モジュールを各種の実施形態に従って概
略的に示している。
【０００５】図１は、従来の光学モジュールの分解斜視
図であり、図２Ａおよび図２Ｂは、それぞれ分離してい
て後で図１の光学モジュールに組み立てられる２個の光
学部品の前面を概略的に示している。光学モジュール
は、二つのシリカ層２、３が重なったシリコン基板１を
含むＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上に形成されている。第二
のシリカ層３は、特定の形、たとえばビーム形にエッチ
ングされ、この構造に組み込まれる第一の光学部品３０
の導波路を構成している。
図であり、図２Ａおよび図２Ｂは、それぞれ分離してい
て後で図１の光学モジュールに組み立てられる２個の光
学部品の前面を概略的に示している。光学モジュール
は、二つのシリカ層２、３が重なったシリコン基板１を
含むＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上に形成されている。第二
のシリカ層３は、特定の形、たとえばビーム形にエッチ
ングされ、この構造に組み込まれる第一の光学部品３０
の導波路を構成している。
【０００６】導波路７を含む第二の光学部品６を収容す
るために、シリカ層２、３中で基板１の近傍にトレンチ
５が形成される。第二の光学部品は、たとえばレーザま
たは増幅器、または光検出器、あるいは他の任意の能動
的または受動的な構成部品である。第二の光学部品は、
トレンチ５に配置され、はんだ点Ｓによりトレンチの底
で基板１に固定される。第二の光学部品は、その導波路
７の光学軸Ａ７が、第一の光学部品３０の導波路３の光
学軸Ａ３とアラインメントされるように配置される。
るために、シリカ層２、３中で基板１の近傍にトレンチ
５が形成される。第二の光学部品は、たとえばレーザま
たは増幅器、または光検出器、あるいは他の任意の能動
的または受動的な構成部品である。第二の光学部品は、
トレンチ５に配置され、はんだ点Ｓによりトレンチの底
で基板１に固定される。第二の光学部品は、その導波路
７の光学軸Ａ７が、第一の光学部品３０の導波路３の光
学軸Ａ３とアラインメントされるように配置される。
【０００７】光は、図のＸ軸に従ってモジュールの前面
に垂直に送られる。第二の光学部品６は、導波路３およ
び７の光学軸が、それぞれＺ軸とＹ軸とに垂直および水
平にアラインメントされるようにトレンチ５に配置され
る。
に垂直に送られる。第二の光学部品６は、導波路３およ
び７の光学軸が、それぞれＺ軸とＹ軸とに垂直および水
平にアラインメントされるようにトレンチ５に配置され
る。
【０００８】導波路３、７のようなアラインメントを実
施するために通常行われる方法は、はんだ点Ｓの高さｈ
を制御することからなる。ところで、このような制御を
実施するのは非常に難しい。従って、この方法では、第
一の光学要素３０の導波路３に対して第二の光学要素６
の導波路７の高さを、おおよそにしか制御することがで
きない。さらに、この方法では、導波路の横方向すなわ
ちＹ軸に沿ったアラインメントを容易に制御することが
できない。従って、このような横方向のアラインメント
は、裸眼で、あるいは光学的に（所望の精度を得るには
アラインメントが遅い）、あるいははんだリフロー（精
度が悪く、約３μｍ）により実施しなければならない。
施するために通常行われる方法は、はんだ点Ｓの高さｈ
を制御することからなる。ところで、このような制御を
実施するのは非常に難しい。従って、この方法では、第
一の光学要素３０の導波路３に対して第二の光学要素６
の導波路７の高さを、おおよそにしか制御することがで
きない。さらに、この方法では、導波路の横方向すなわ
ちＹ軸に沿ったアラインメントを容易に制御することが
できない。従って、このような横方向のアラインメント
は、裸眼で、あるいは光学的に（所望の精度を得るには
アラインメントが遅い）、あるいははんだリフロー（精
度が悪く、約３μｍ）により実施しなければならない。
【０００９】２個の光学部品間のはんだ点Ｓ１の高さｈ
１を制御することによるこの組立方法は、図４、図５
Ａ、図５Ｂに示されたように、Ｓｉ構造上に形成される
モジュールの場合にも用いられた。図４は、このような
モジュールの分解斜視図を示し、図５Ａ、５Ｂは、それ
ぞれが分離していて後で図４のモジュールに組み立てら
れる２個の光学部品の前面を概略的に示している。モジ
ュールは、光ファイバー１２を収容するために化学的な
エッチングによりＶ字形の溝１１を設けたシリコン基板
１０上に製造されている。光ファイバー１２は、コア１
３すなわち導波路を含み、モジュールの第一の光学部品
を形成している。また、導波路１７を含む第二の光学部
品１６を設置するために、Ｓｉ基板１０にはトレンチ１
５が設けられている。
１を制御することによるこの組立方法は、図４、図５
Ａ、図５Ｂに示されたように、Ｓｉ構造上に形成される
モジュールの場合にも用いられた。図４は、このような
モジュールの分解斜視図を示し、図５Ａ、５Ｂは、それ
ぞれが分離していて後で図４のモジュールに組み立てら
れる２個の光学部品の前面を概略的に示している。モジ
ュールは、光ファイバー１２を収容するために化学的な
エッチングによりＶ字形の溝１１を設けたシリコン基板
１０上に製造されている。光ファイバー１２は、コア１
３すなわち導波路を含み、モジュールの第一の光学部品
を形成している。また、導波路１７を含む第二の光学部
品１６を設置するために、Ｓｉ基板１０にはトレンチ１
５が設けられている。
【００１０】導波路のアラインメントの品質を改善し、
特にＹ軸に沿った横方向のアラインメントを可能にする
ために、もう一つの解決方法が検討された。この解決方
法は、図３Ａ、図３Ｂ、図５Ａ、図５Ｂに示され、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ構造上に形成される光学モジュールと、Ｓｉ
構造上に形成される光学モジュールとにそれぞれ対応す
る。
特にＹ軸に沿った横方向のアラインメントを可能にする
ために、もう一つの解決方法が検討された。この解決方
法は、図３Ａ、図３Ｂ、図５Ａ、図５Ｂに示され、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ構造上に形成される光学モジュールと、Ｓｉ
構造上に形成される光学モジュールとにそれぞれ対応す
る。
【００１１】この解決方法は、ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）
構造のトレンチに第一の接触面８（１８）を設け、第二
の光学部品６（１６）に第二の接触面９（１９）を設
け、第二の接触面９（１９）が第一の接触面８（１８）
と協働するというものである。この場合、アラインメン
トは、もはやはんだ点の高さにより規定されないので、
精度は低下する。実際、接触面は、Ｚ軸に沿った垂直支
持面８ａ（１８ａ）、９ａ（１９ａ）と、Ｙ軸に沿った
側方支持面８ｂ（１８ｂ）、９ｂ（１９ｂ）とをそれぞ
れ規定し、これらの支持面の位置によって、導波路の位
置を互いに制御することができる。接触面８は、ビーム
形の導波路３をエッチングした後で、ＳｉＯ２／Ｓｉ構
造の第一のシリカ層２にリソグラフィによりエッチング
される。
構造のトレンチに第一の接触面８（１８）を設け、第二
の光学部品６（１６）に第二の接触面９（１９）を設
け、第二の接触面９（１９）が第一の接触面８（１８）
と協働するというものである。この場合、アラインメン
トは、もはやはんだ点の高さにより規定されないので、
精度は低下する。実際、接触面は、Ｚ軸に沿った垂直支
持面８ａ（１８ａ）、９ａ（１９ａ）と、Ｙ軸に沿った
側方支持面８ｂ（１８ｂ）、９ｂ（１９ｂ）とをそれぞ
れ規定し、これらの支持面の位置によって、導波路の位
置を互いに制御することができる。接触面８は、ビーム
形の導波路３をエッチングした後で、ＳｉＯ２／Ｓｉ構
造の第一のシリカ層２にリソグラフィによりエッチング
される。
【００１２】図３Ａ、図３Ｂ、図６Ａ、図６Ｂに示した
ように、ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支持構造のトレンチに
第二の光学部品６（１６）を配置するので、その接触面
９（１９）は、ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支持構造の接触
面８（１８）に押圧される。ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支
持構造の接触面８（１８）の位置は、導波路３（１３）
および７（１７）のＹ軸に沿った横方向のアラインメン
トとＺ軸に沿った垂直方向のアラインメントを可能にす
るように調整される。
ように、ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支持構造のトレンチに
第二の光学部品６（１６）を配置するので、その接触面
９（１９）は、ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支持構造の接触
面８（１８）に押圧される。ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支
持構造の接触面８（１８）の位置は、導波路３（１３）
および７（１７）のＹ軸に沿った横方向のアラインメン
トとＺ軸に沿った垂直方向のアラインメントを可能にす
るように調整される。
【００１３】ＳｉＯ２／Ｓｉ（Ｓｉ）支持構造に関して
は、一般にその面は、シリコン基板１の近傍のシリカ層
２のレベルで規定される。
は、一般にその面は、シリコン基板１の近傍のシリカ層
２のレベルで規定される。
【００１４】このような第二の解決方法は、エッチング
の高さを汎用的に規定することができない。事実、支持
構造の垂直支持面８Ａ（１８Ａ）の位置は、モジュール
の組立時に、第二の光学部品６（１６）の底面に対する
導波路７（１７）の位置に応じて規定しなければならな
い。第二の光学部品における導波路７（１７）の高さ
は、この光学部品の性質に依存するので、２個の光学部
品の導波路３、７のＺ軸に沿った垂直アラインメントを
正確に制御することは困難である。
の高さを汎用的に規定することができない。事実、支持
構造の垂直支持面８Ａ（１８Ａ）の位置は、モジュール
の組立時に、第二の光学部品６（１６）の底面に対する
導波路７（１７）の位置に応じて規定しなければならな
い。第二の光学部品における導波路７（１７）の高さ
は、この光学部品の性質に依存するので、２個の光学部
品の導波路３、７のＺ軸に沿った垂直アラインメントを
正確に制御することは困難である。
【００１５】従って、このような従来技術の解決方法
は、光学部品の横方向の寸法に関して不都合な制約を課
さない限り、同一構造上の複数の光学部品を揃えること
ができない。実際には、これは、各光学部品の導波路の
位置に応じた異なる高さの接触面を規定するために、支
持構造で何回もの連続エッチングを行うことを意味す
る。
は、光学部品の横方向の寸法に関して不都合な制約を課
さない限り、同一構造上の複数の光学部品を揃えること
ができない。実際には、これは、各光学部品の導波路の
位置に応じた異なる高さの接触面を規定するために、支
持構造で何回もの連続エッチングを行うことを意味す
る。
【００１６】他方で、導波路のサイズが小さければ小さ
いほど、アラインメントは難しい。その結果、従来技術
の組立方法は、様々な光学部品の導波路の正確な垂直ア
ラインメントを実施することができない上、支持構造の
製造メーカーは、挿入する光学部品のタイプに応じて製
品を適合させなければならない。
いほど、アラインメントは難しい。その結果、従来技術
の組立方法は、様々な光学部品の導波路の正確な垂直ア
ラインメントを実施することができない上、支持構造の
製造メーカーは、挿入する光学部品のタイプに応じて製
品を適合させなければならない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、各光学部品
の垂直支持点の位置を、その導波路の光学軸の位置に対
して規定する組立方法を提案するので、こうしたアライ
ンメントの問題を解決することができる。
の垂直支持点の位置を、その導波路の光学軸の位置に対
して規定する組立方法を提案するので、こうしたアライ
ンメントの問題を解決することができる。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、特に、互いに
光学的に結合される第一の導波路と第二の導波路とをそ
れぞれ有する少なくとも一つの第一の光学部品と少なく
とも一つの第二の光学部品とを含む光学モジュールの組
立方法であって、第一の光学部品上と第二の光学部品上
とにそれぞれ設けられる第一の接触面と第二の接触面と
を用いて、前記第一の導波路を前記第二の導波路に対し
て位置決定し、前記第一の接触面が前記第二の接触面と
協働する組立方法であり、前記第一の接触面は、第一の
導波路の光学軸と同じ水平面に配置される垂直支持面を
含み、前記第二の接触面は、第二の導波路の光学軸と同
じ水平面に配置される垂直支持面を含むことを特徴とす
る。
光学的に結合される第一の導波路と第二の導波路とをそ
れぞれ有する少なくとも一つの第一の光学部品と少なく
とも一つの第二の光学部品とを含む光学モジュールの組
立方法であって、第一の光学部品上と第二の光学部品上
とにそれぞれ設けられる第一の接触面と第二の接触面と
を用いて、前記第一の導波路を前記第二の導波路に対し
て位置決定し、前記第一の接触面が前記第二の接触面と
協働する組立方法であり、前記第一の接触面は、第一の
導波路の光学軸と同じ水平面に配置される垂直支持面を
含み、前記第二の接触面は、第二の導波路の光学軸と同
じ水平面に配置される垂直支持面を含むことを特徴とす
る。
【００１９】本発明による組立方法は、寸法および位置
が部品によって変化する異なる性質の複数の光学部品の
導波路を、同一の支持構造上にアライメントすることが
できる。実際、この方法は、様々な光学部品における導
波路の位置や寸法とは独立している。
が部品によって変化する異なる性質の複数の光学部品の
導波路を、同一の支持構造上にアライメントすることが
できる。実際、この方法は、様々な光学部品における導
波路の位置や寸法とは独立している。
【００２０】本発明の他の特徴および長所は、添付図に
関して限定的ではなく例として挙げた説明を読めば明ら
かになろう。
関して限定的ではなく例として挙げた説明を読めば明ら
かになろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】図７Ａ、図７Ｂは、本発明による
光学モジュールで、それぞれ、２個の光学部品を分離し
てあるか、あるいは組み立てた正面図である。さらに、
図８は、同じ光学部品を分解斜視図で示したものであ
る。この実施形態では、２個の光学部品だけを示した
が、本発明によるモジュールは、２個以上の光学モジュ
ールを含むことができる。これらの図７Ａ、図７Ｂに示
された光学モジュールは、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成
されている。クラッド層４に埋め込まれた作動帯すなわ
ち導波路３を含む第一の光学部品３０は、この支持構造
に組み込まれている。同じ要素を示す場合は、図１〜図
３Ｂと同じ参照符号を用いる。
光学モジュールで、それぞれ、２個の光学部品を分離し
てあるか、あるいは組み立てた正面図である。さらに、
図８は、同じ光学部品を分解斜視図で示したものであ
る。この実施形態では、２個の光学部品だけを示した
が、本発明によるモジュールは、２個以上の光学モジュ
ールを含むことができる。これらの図７Ａ、図７Ｂに示
された光学モジュールは、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成
されている。クラッド層４に埋め込まれた作動帯すなわ
ち導波路３を含む第一の光学部品３０は、この支持構造
に組み込まれている。同じ要素を示す場合は、図１〜図
３Ｂと同じ参照符号を用いる。
【００２２】このモジュールにおいて、各要素の接触面
は、信頼性が高く極めて精度のよい導波路のアラインメ
ントを可能にするために、各導波路の光学軸に対して規
定される。従って、第一の光学部品３０の接触面８は、
その垂直支持面８ａが、導波路３の厚みの半分の高さに
突出されるように、すなわちその垂直支持面が導波路３
の光学軸Ａ３と同じ水平面に配置されるように構成され
ている。
は、信頼性が高く極めて精度のよい導波路のアラインメ
ントを可能にするために、各導波路の光学軸に対して規
定される。従って、第一の光学部品３０の接触面８は、
その垂直支持面８ａが、導波路３の厚みの半分の高さに
突出されるように、すなわちその垂直支持面が導波路３
の光学軸Ａ３と同じ水平面に配置されるように構成され
ている。
【００２３】同様に、第二の光学部品６の接触面９の垂
直支持面９ａは、この垂直支持面が、導波路７の光学軸
Ａ７と同じ面に配置されるように規定される。
直支持面９ａは、この垂直支持面が、導波路７の光学軸
Ａ７と同じ面に配置されるように規定される。
【００２４】この場合、第二の光学部品６の接触面９、
特に垂直支持面９ａが、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造で規定され
る垂直支持面８ａに重なるとき、２個の導波路３、７の
光学軸Ａ３、Ａ７は、完全に高さ方向が揃えられる。
特に垂直支持面９ａが、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造で規定され
る垂直支持面８ａに重なるとき、２個の導波路３、７の
光学軸Ａ３、Ａ７は、完全に高さ方向が揃えられる。
【００２５】従って基板上で、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造のト
レンチ５の底に配置されるはんだ点Ｓはもはや、第二の
光学部品の連結機能しかなく、導波路３、７の垂直アラ
インメントを調整するために、その高さを制御する必要
はない。
レンチ５の底に配置されるはんだ点Ｓはもはや、第二の
光学部品の連結機能しかなく、導波路３、７の垂直アラ
インメントを調整するために、その高さを制御する必要
はない。
【００２６】Ｙ軸に沿った横方向のアラインメントに対
しては、対応する支持面の位置は、周知の自動アライン
メント方法により単一のマスクを用いて、導波路のエッ
チングと同時に実施される接触面のエッチング時に規定
される。この方法は、図９Ａ〜図９Ｄに関して後で詳し
く述べる。
しては、対応する支持面の位置は、周知の自動アライン
メント方法により単一のマスクを用いて、導波路のエッ
チングと同時に実施される接触面のエッチング時に規定
される。この方法は、図９Ａ〜図９Ｄに関して後で詳し
く述べる。
【００２７】第一の光学部品３０の第一の接触面８は、
ＳｉＯ２／Ｓｉ構造のトレンチ５に設けられる。この接
触面８の長さＬ８は、トレンチ５の長さＬ５以下であ
る。さらに、第二の光学部品６は、図８の線影で示した
下部をくり抜いて接触面９を規定する。この接触面９
は、垂直支持面９ａと側方支持面９ｂとを含み、その長
さＬ９は、ＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上に規定される接触
面８の長さＬ８と部分的に重なる。接触面９は、図８の
濃い線で示されている。この接触面９は、垂直支持面９
ａが導波路７の光学軸Ａ７と同じ面に配置されるように
形成される。
ＳｉＯ２／Ｓｉ構造のトレンチ５に設けられる。この接
触面８の長さＬ８は、トレンチ５の長さＬ５以下であ
る。さらに、第二の光学部品６は、図８の線影で示した
下部をくり抜いて接触面９を規定する。この接触面９
は、垂直支持面９ａと側方支持面９ｂとを含み、その長
さＬ９は、ＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上に規定される接触
面８の長さＬ８と部分的に重なる。接触面９は、図８の
濃い線で示されている。この接触面９は、垂直支持面９
ａが導波路７の光学軸Ａ７と同じ面に配置されるように
形成される。
【００２８】従って、第二の光学部品６をＳｉＯ２／Ｓ
ｉ構造のトレンチ５に固定する場合、接触面９は、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ構造の接触面８と協働する。垂直支持面８ａ
および９ａは重なるので、第二の光学部品６の導波路７
の光学軸Ａ７は、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造で規定される第一
の光学部品の導波路３の光学軸Ａ３に対して完全に揃え
られる。
ｉ構造のトレンチ５に固定する場合、接触面９は、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ構造の接触面８と協働する。垂直支持面８ａ
および９ａは重なるので、第二の光学部品６の導波路７
の光学軸Ａ７は、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造で規定される第一
の光学部品の導波路３の光学軸Ａ３に対して完全に揃え
られる。
【００２９】図９Ａ〜図９Ｄに示したＳｉＯ２／Ｓｉ構
造の製造方法は、第一に、シリコン基板１の表面全体に
（図９Ａ）、２つの最初のシリカ層２、３（図９Ｂ）を
積み重ねることからなる。第二に、第二のシリカ層３を
エッチングして、作動帯すなわち導波路３と、垂直支持
面８ａおよび側方支持面８ｂを含む接触面８とを同時に
形成する（図９Ｃ）。従って、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造の接
触面８は、導波路３と同じ材料で構成されるが、この接
触面は、光学的な機能ではなくて、機械的な支持面の機
能を果たす。エッチングは、周知の自動アラインメント
方法により、単一のマスクを用いて行われる。このた
め、Ｙ軸に沿った接触面の側方位置は、導波路３の光学
軸の位置に対して完全に規定される。この接触面８はさ
らに、停止層２１により保護される。次に、導波路を埋
め込むためにクラッド層４を堆積する（図９Ｄ）。さら
に、最終段階（図示せず）は、クラッド層４とシリカ層
２、３とをエッチングしてＳｉＯ２／Ｓｉ構造にトレン
チを形成することからなる。この場合、接触面８は、停
止層２１により予め保護されているので、トレンチとと
もにエッチングされない。
造の製造方法は、第一に、シリコン基板１の表面全体に
（図９Ａ）、２つの最初のシリカ層２、３（図９Ｂ）を
積み重ねることからなる。第二に、第二のシリカ層３を
エッチングして、作動帯すなわち導波路３と、垂直支持
面８ａおよび側方支持面８ｂを含む接触面８とを同時に
形成する（図９Ｃ）。従って、ＳｉＯ２／Ｓｉ構造の接
触面８は、導波路３と同じ材料で構成されるが、この接
触面は、光学的な機能ではなくて、機械的な支持面の機
能を果たす。エッチングは、周知の自動アラインメント
方法により、単一のマスクを用いて行われる。このた
め、Ｙ軸に沿った接触面の側方位置は、導波路３の光学
軸の位置に対して完全に規定される。この接触面８はさ
らに、停止層２１により保護される。次に、導波路を埋
め込むためにクラッド層４を堆積する（図９Ｄ）。さら
に、最終段階（図示せず）は、クラッド層４とシリカ層
２、３とをエッチングしてＳｉＯ２／Ｓｉ構造にトレン
チを形成することからなる。この場合、接触面８は、停
止層２１により予め保護されているので、トレンチとと
もにエッチングされない。
【００３０】第二の光学部品６に対しても同様であり、
接触面９は、導波路７と同時にエッチングにより形成さ
れる。
接触面９は、導波路７と同時にエッチングにより形成さ
れる。
【００３１】本発明による組立方法によれば、導波路の
アラインメントの品質を損なうことなく、光学部品の作
動構造を変えることができる。従って、ＳｉＯ２／Ｓｉ
構造に組み込まれた光学部品３０の導波路３を、レー
ザ、増幅器、または光検出器、あるいは他の任意の光学
部品の導波路とアラインメントすることが可能であり、
挿入する光学部品に応じてＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造を変
えたり適合したりする必要はない。実際、本発明による
組立方法は、光学部品の導波路の位置にも、またこれら
の導波路の寸法に対しても独立している。その結果、本
発明による組立方法は、異なる性質の複数の光学部品を
同一の支持構造に直列または並列に揃えることができ
る。
アラインメントの品質を損なうことなく、光学部品の作
動構造を変えることができる。従って、ＳｉＯ２／Ｓｉ
構造に組み込まれた光学部品３０の導波路３を、レー
ザ、増幅器、または光検出器、あるいは他の任意の光学
部品の導波路とアラインメントすることが可能であり、
挿入する光学部品に応じてＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造を変
えたり適合したりする必要はない。実際、本発明による
組立方法は、光学部品の導波路の位置にも、またこれら
の導波路の寸法に対しても独立している。その結果、本
発明による組立方法は、異なる性質の複数の光学部品を
同一の支持構造に直列または並列に揃えることができ
る。
【００３２】図１０Ａ、図１０Ｂは、別の実施形態によ
るＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上の光学モジュールを概略的
に示している。この場合、モジュールはさらに補正層２
０を含む。ＳｉＯ２／Ｓｉ構造の接触面は、側方支持面
８ｂを含み、この側方支持面８ｂで、第二の光学部品の
側方支持面９ｂが支持される。少なくとも一つのストッ
パが、第一の光学部品３０上に規定されている。このス
トッパは、接触面８の垂直支持面８ａと側方支持面８ｂ
とをそれぞれ構成する水平壁および垂直壁を備える。Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ構造に規定されるストッパの垂直壁は、水
平壁の上に一定の高さｈ２を有する。こうした高さｈ２
は、必然的に、第二の光学要素６が適切に支持されて外
れないようにするような最小値を持たなければならな
い。ところで、水平壁は、導波路３の厚みの半分の高さ
のところに配置され、ストッパは、導波路３を規定する
のに用いたものと同じシリカ層で得られるので、ストッ
パの垂直壁の高さｈ２は、必然的に導波路３の厚みの半
分に等しい。
るＳｉＯ２／Ｓｉ支持構造上の光学モジュールを概略的
に示している。この場合、モジュールはさらに補正層２
０を含む。ＳｉＯ２／Ｓｉ構造の接触面は、側方支持面
８ｂを含み、この側方支持面８ｂで、第二の光学部品の
側方支持面９ｂが支持される。少なくとも一つのストッ
パが、第一の光学部品３０上に規定されている。このス
トッパは、接触面８の垂直支持面８ａと側方支持面８ｂ
とをそれぞれ構成する水平壁および垂直壁を備える。Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ構造に規定されるストッパの垂直壁は、水
平壁の上に一定の高さｈ２を有する。こうした高さｈ２
は、必然的に、第二の光学要素６が適切に支持されて外
れないようにするような最小値を持たなければならな
い。ところで、水平壁は、導波路３の厚みの半分の高さ
のところに配置され、ストッパは、導波路３を規定する
のに用いたものと同じシリカ層で得られるので、ストッ
パの垂直壁の高さｈ２は、必然的に導波路３の厚みの半
分に等しい。
【００３３】従って、垂直壁の高さｈ２は、導波路３の
厚みと関連する。導波路３の厚みが薄くて、たとえば約
６μｍである場合、ストッパの垂直壁の高さｈ２は３μ
ｍしかないので、第二の光学部品６を適正に支持するに
は不十分であることが分かる。このため、本発明は、受
け入れ可能な高さｈ’２を得るために、ストッパの一部
に補正層２０を水平に付加して垂直壁を高くすることを
提案している。
厚みと関連する。導波路３の厚みが薄くて、たとえば約
６μｍである場合、ストッパの垂直壁の高さｈ２は３μ
ｍしかないので、第二の光学部品６を適正に支持するに
は不十分であることが分かる。このため、本発明は、受
け入れ可能な高さｈ’２を得るために、ストッパの一部
に補正層２０を水平に付加して垂直壁を高くすることを
提案している。
【００３４】補正層２０を含むモジュールの製造方法
を、図１１Ａ〜図１１Ｄに示している。この方法は、第
一に、Ｓｉ基板１の表面全体に（図１１Ａ）、２つのシ
リカ層２、３ならびに補正層２０（図１１Ｂ）を順次積
み重ねることからなる。次に、補正層２０および第二の
シリカ層３をエッチングして、導波路３とストッパとを
同時に形成する（図１１Ｃ）。さらにストッパは、停止
層２１により保護される。有利には、補正層２０は、導
波路３を埋め込むために次に堆積するクラッド層と同じ
光学屈折率ｎを有する（図１１Ｄ）。従って、この補正
層は、導波路の機能に光学的な影響を持たない。図示さ
れていない最終段階は、クラッド層４、補正層２０、お
よびシリカ層３、２のエッチングによりモジュールにト
レンチを規定することからなる。ストッパは、予め堆積
した停止層２１がストッパを保護するので、このような
エッチングの際には元のままである。
を、図１１Ａ〜図１１Ｄに示している。この方法は、第
一に、Ｓｉ基板１の表面全体に（図１１Ａ）、２つのシ
リカ層２、３ならびに補正層２０（図１１Ｂ）を順次積
み重ねることからなる。次に、補正層２０および第二の
シリカ層３をエッチングして、導波路３とストッパとを
同時に形成する（図１１Ｃ）。さらにストッパは、停止
層２１により保護される。有利には、補正層２０は、導
波路３を埋め込むために次に堆積するクラッド層と同じ
光学屈折率ｎを有する（図１１Ｄ）。従って、この補正
層は、導波路の機能に光学的な影響を持たない。図示さ
れていない最終段階は、クラッド層４、補正層２０、お
よびシリカ層３、２のエッチングによりモジュールにト
レンチを規定することからなる。ストッパは、予め堆積
した停止層２１がストッパを保護するので、このような
エッチングの際には元のままである。
【００３５】図１２Ａ、図１２Ｂは、同様に本発明を適
用した別の光学モジュールで、２個の光学部品をそれぞ
れ分離、および組み立てた概略的な正面図である。実
際、このモジュールは、Ｓｉ支持構造１０上に形成さ
れ、第一の光学部品としての光ファイバー１２を含む。
図１３は、この同じモジュールの分解斜視図である。
用した別の光学モジュールで、２個の光学部品をそれぞ
れ分離、および組み立てた概略的な正面図である。実
際、このモジュールは、Ｓｉ支持構造１０上に形成さ
れ、第一の光学部品としての光ファイバー１２を含む。
図１３は、この同じモジュールの分解斜視図である。
【００３６】この場合にもまた、Ｓｉ支持構造の接触面
１８の垂直支持面１８ａは、この垂直支持面が、光ファ
イバ１２のコア１３の光学軸Ａ１３と同じ水平面にある
ように規定される。このため、垂直支持面１８ａの位置
は、Ｖ字形の溝の角度に対して規定され、このＶ字形の
溝が、光ファイバ１２の最終位置、従ってそのコア１３
の最終位置を規定する。
１８の垂直支持面１８ａは、この垂直支持面が、光ファ
イバ１２のコア１３の光学軸Ａ１３と同じ水平面にある
ように規定される。このため、垂直支持面１８ａの位置
は、Ｖ字形の溝の角度に対して規定され、このＶ字形の
溝が、光ファイバ１２の最終位置、従ってそのコア１３
の最終位置を規定する。
【００３７】ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成されるモジュ
ールと全く同様に、トレンチ１５の底に配置されるはん
だ点Ｓ１は、第二の光学部品１６の連結機能しか持たな
い。
ールと全く同様に、トレンチ１５の底に配置されるはん
だ点Ｓ１は、第二の光学部品１６の連結機能しか持たな
い。
【００３８】Ｓｉ支持構造上に設けられる接触面１８
は、Ｖ字形の溝１１と同時にエッチングされる。第二の
光学部品１６に設けられる接触面１９は、導波路１７と
同時にエッチングされる。
は、Ｖ字形の溝１１と同時にエッチングされる。第二の
光学部品１６に設けられる接触面１９は、導波路１７と
同時にエッチングされる。
【００３９】側方支持面１８ｂの高さは、光学部品１６
を固定するように規定される。この光学部品１６は、こ
のようにエッチングされたＳｉ基板１０でも、あるいは
場合によって補正層２１を備えるＳｉＯ２／Ｓｉ基板上
でも区別なく組み合わせることができるだろう。
を固定するように規定される。この光学部品１６は、こ
のようにエッチングされたＳｉ基板１０でも、あるいは
場合によって補正層２１を備えるＳｉＯ２／Ｓｉ基板上
でも区別なく組み合わせることができるだろう。
【００４０】また、支持構造上に構成される機械的な支
持面の形は、この支持構造がＳｉＯ ２／Ｓｉ基板でもＳ
ｉ基板でも、Ｙ軸に沿った正確な横方向のアラインメン
トを行うために重要である。
持面の形は、この支持構造がＳｉＯ ２／Ｓｉ基板でもＳ
ｉ基板でも、Ｙ軸に沿った正確な横方向のアラインメン
トを行うために重要である。
【００４１】事実、たとえば従来のＳｉ支持構造に側方
支持面１８ｂをエッチングする場合、図６Ａ、図６Ｂに
示したように、エッチングの底は常に丸み１８ｃを帯び
ている。従って、第二の光学部品１６の接触面１９は、
この丸みがあるために、側方支持面１８ｂと垂直支持面
１８ａとの交点で正確に支持されることができない。そ
の結果、従来の光学モジュールでは、Ｙ軸に沿った遊び
Ｊが形成されて第二の光学部品が移動するので、Ｙ軸に
沿った横方向の正確なアラインメントが得られない。
支持面１８ｂをエッチングする場合、図６Ａ、図６Ｂに
示したように、エッチングの底は常に丸み１８ｃを帯び
ている。従って、第二の光学部品１６の接触面１９は、
この丸みがあるために、側方支持面１８ｂと垂直支持面
１８ａとの交点で正確に支持されることができない。そ
の結果、従来の光学モジュールでは、Ｙ軸に沿った遊び
Ｊが形成されて第二の光学部品が移動するので、Ｙ軸に
沿った横方向の正確なアラインメントが得られない。
【００４２】従って、横軸に沿った遊びの存在をなくす
るように、本発明は、第一の光学部品の支持構造に、溝
８ｄ、１８ｄを含む接触面８、１８を設けることを提案
している。かくして、溝８ｄ、１８ｄはエッチングした
底が常に丸みを帯びているが、この底は、垂直支持面８
ａ、１８ａおよび側方支持面８ｂ、１８ｂの外側にあ
る。従って、接触面８、１８のこうした特定の形によ
り、第二の光学部品６、１６の接触面９、１９を、垂直
支持面８ａ、１８ａと側方支持面８ｂ、１８ｂとの交点
に正確に位置決定し、その結果として、極めて正確な横
方向のアラインメントを得ることができる。
るように、本発明は、第一の光学部品の支持構造に、溝
８ｄ、１８ｄを含む接触面８、１８を設けることを提案
している。かくして、溝８ｄ、１８ｄはエッチングした
底が常に丸みを帯びているが、この底は、垂直支持面８
ａ、１８ａおよび側方支持面８ｂ、１８ｂの外側にあ
る。従って、接触面８、１８のこうした特定の形によ
り、第二の光学部品６、１６の接触面９、１９を、垂直
支持面８ａ、１８ａと側方支持面８ｂ、１８ｂとの交点
に正確に位置決定し、その結果として、極めて正確な横
方向のアラインメントを得ることができる。
【図１】ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成した従来の光学モ
ジュールの分解斜視図である。
ジュールの分解斜視図である。
【図２Ａ】図１の光学モジュールで２個の光学部品が分
離している正面図である。
離している正面図である。
【図２Ｂ】図１の光学モジュールで２個の光学部品を組
み立てた正面図である。
み立てた正面図である。
【図３Ａ】ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成した別の従来の
光学モジュールで２個の光学部品が分離している正面図
である。
光学モジュールで２個の光学部品が分離している正面図
である。
【図３Ｂ】ＳｉＯ２／Ｓｉ構造上に形成した別の従来の
光学モジュールで２個の光学部品を組み立てた正面図で
ある。
光学モジュールで２個の光学部品を組み立てた正面図で
ある。
【図４】Ｓｉ構造上の従来の光学モジュールの分解斜視
図である。
図である。
【図５Ａ】図４の光学モジュールで２個の光学部品が分
離している正面図である。
離している正面図である。
【図５Ｂ】図４の光学モジュールで２個の光学部品を組
み立てた正面図である。
み立てた正面図である。
【図６Ａ】Ｓｉ構造上に形成した別の従来の光学モジュ
ールで２個の光学部品が分離している正面図である。
ールで２個の光学部品が分離している正面図である。
【図６Ｂ】Ｓｉ構造上に形成した別の従来の光学モジュ
ールで２個の光学部品を組み立てた正面図である。
ールで２個の光学部品を組み立てた正面図である。
【図７Ａ】本発明による光学モジュールで２個の光学部
品が分離している正面図である。
品が分離している正面図である。
【図７Ｂ】本発明による光学モジュールで２個の光学部
品を組み立てた正面図である。
品を組み立てた正面図である。
【図８】図７Ａ、７Ｂのモジュールの分解斜視図であ
る。
る。
【図９Ａ】様々な製造段階における図８の光学モジュー
ルの支持構造の正面図である。
ルの支持構造の正面図である。
【図９Ｂ】様々な製造段階における図８の光学モジュー
ルの支持構造の正面図である。
ルの支持構造の正面図である。
【図９Ｃ】様々な製造段階における図８の光学モジュー
ルの支持構造の正面図である。
ルの支持構造の正面図である。
【図９Ｄ】様々な製造段階における図８の光学モジュー
ルの支持構造の正面図である。
ルの支持構造の正面図である。
【図１０Ａ】変形実施態様による光学モジュールで２個
の光学部品が分離している正面図である。
の光学部品が分離している正面図である。
【図１０Ｂ】変形実施態様による光学モジュールで２個
の光学部品を組み立てた正面図である。
の光学部品を組み立てた正面図である。
【図１１Ａ】様々な製造段階における図１０Ａおよび１
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
【図１１Ｂ】様々な製造段階における図１０Ａおよび１
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
【図１１Ｃ】様々な製造段階における図１０Ａおよび１
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
【図１１Ｄ】様々な製造段階における図１０Ａおよび１
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
０Ｂの光学モジュールの支持構造の正面図である。
【図１２Ａ】本発明による別の光学モジュールで２個の
光学部品が分離している正面図である。
光学部品が分離している正面図である。
【図１２Ｂ】本発明による別の光学モジュールで２個の
光学部品を組み立てた正面図である。
光学部品を組み立てた正面図である。
【図１３】図１２Ａおよび図１２Ｂの光学モジュールの
分解斜視図である。
分解斜視図である。
１ シリコン基板 ２、３ シリカ層 ３、７、１３、１７ 導波路 ４ クラッド層 ８、９、１８、１９ 接触面 ８ａ、９ａ、１８ａ、１９ａ 垂直支持面 ８ｂ、１８ｂ 側方支持面 ８ｄ、１８ｄ 溝 ６、１２、１６、３０ 光学部品 １２ 光ファイバ ２０ 補正層 ２１ 停止層 Ａ３、Ａ７、Ａ１３、Ａ１７ 光学軸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドウニ・トレゴア フランス国、91190・ジフ・シユール・イ ベツト、アレ・バニエール・ドウ・モペル テユイ・30 (72)発明者 アントン・アンブロージー ドイツ国、デー−75233・シユトウツトガ ルト、テイーフエンブロン、パルクシユト ラーセ・16／８
Claims (6)
- 【請求項１】 光学的に互いに結合された第一の導波路
（３；１３）と第二の導波路（７；１７）とをそれぞれ
有する、少なくとも一つの第一の光学部品（３０；１
２）と少なくとも一つの第二の光学部品（６；１６）と
を備える光学モジュールの組立方法であって、第一の光
学部品（３０；１２）と第二の光学部品（６；１６）と
にそれぞれ設けられた第一の接触面（８；１８）と第二
の接触面（９；１９）とを用いて、前記第一の導波路
（３；１３）を前記第二の導波路（７；１７）に対して
位置決定し、前記第一の接触面（８；１８）が前記第二
の接触面（９；１９）と協働する組立方法であり、前記
第一の接触面（８；１８）は、前記第一の導波路（３；
１３）の光学軸（Ａ３；Ａ１３）と同じ水平面に配置さ
れる垂直支持面（８ａ；１８ａ）を含み、前記第二の接
触面（９；１９）が、前記第二の導波路（７；１７）の
光学軸（Ａ７；Ａ１７）と同じ水平面に配置される垂直
支持面（９ａ；１９ａ）を含むことを特徴とする組立方
法。 - 【請求項２】 前記垂直支持面（８ａ）と側方支持面
（８ｂ）とをそれぞれ構成する水平壁と垂直壁とを備え
た少なくとも一つのストッパを前記第一の光学部品（３
０）に形成し、前記垂直壁が高くなるように前記ストッ
パの一部に補正層（２０）を水平に配置することを特徴
とする請求項１に記載の組立方法。 - 【請求項３】 第一の光学部品（３０）は、シリコンの
上にシリカを設けた支持構造に組み込まれることを特徴
とする請求項１または２に記載の組立方法により得られ
る光学モジュール。 - 【請求項４】 第一の光学部品は、シリコンからなる支
持構造に配置される光ファイバー（１２）であることを
特徴とする請求項１に記載の組立方法により得られる光
学モジュール。 - 【請求項５】 第一の光学部品の接触面（８；１８）
は、側方支持面（８ｂ；１８ｂ）および垂直支持面（８
ａ；１８ａ）の外側に配置される丸みを帯びた底を有す
る溝（８ｄ；１８ｄ）を含むことを特徴とする請求項３
または４に記載の光学モジュール。 - 【請求項６】 さらに、第二の光学部品およびまたは第
一の光学部品に直列または並列に光学的に連結される、
少なくとも一つの異なる性質の別の光学部品を含むこと
を特徴とする、請求項１または２に記載の組立方法によ
り得られる光学モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9804745A FR2777662B1 (fr) | 1998-04-16 | 1998-04-16 | Procede d'assemblage d'un module optique |
| FR9804745 | 1998-04-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11326695A true JPH11326695A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=9525302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11106561A Pending JPH11326695A (ja) | 1998-04-16 | 1999-04-14 | 光学モジュ―ルの組立方法および光学モジュ―ル |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6233383B1 (ja) |
| EP (1) | EP0950906A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11326695A (ja) |
| CA (1) | CA2264248A1 (ja) |
| FR (1) | FR2777662B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002031561A1 (de) * | 2000-10-09 | 2002-04-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Fassung für opto-elektronische bauelemente |
| US6584250B2 (en) * | 2001-02-20 | 2003-06-24 | Industrial Technology Research Institute | Optical fiber alignment element using integrated micro ball lens |
| US6865324B1 (en) * | 2001-07-11 | 2005-03-08 | Shipley Company, L.L.C. | Fiber array with passive alignment |
| US7413688B2 (en) * | 2001-09-17 | 2008-08-19 | Kenneth Noddings | Fabrication of optical devices and assemblies |
| KR100461157B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2004-12-13 | 한국전자통신연구원 | 병렬 광접속 모듈 및 그 제조방법 |
| US7112463B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-09-26 | Honeywell International Inc. | Method for making devices using ink jet printing |
| JP2007057972A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nec Electronics Corp | 光モジュール |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2039074B (en) * | 1978-12-16 | 1982-12-15 | Plessey Co Ltd | Optical fibre connectors |
| US4239334A (en) * | 1979-02-26 | 1980-12-16 | Amp Incorporated | Optical three rod waveguide connector |
| ATE23642T1 (de) * | 1982-12-09 | 1986-11-15 | Allied Corp | Hermaphroditischer verbinder fuer elektrische draehte oder optische fasern. |
| JPH04161908A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-05 | Honda Motor Co Ltd | 光ｉｃ結合装置 |
| JPH05249349A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光部品の結合装置 |
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