JPH11317288A - Manufacture of organic el display panel - Google Patents
Manufacture of organic el display panelInfo
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- JPH11317288A JPH11317288A JP10121151A JP12115198A JPH11317288A JP H11317288 A JPH11317288 A JP H11317288A JP 10121151 A JP10121151 A JP 10121151A JP 12115198 A JP12115198 A JP 12115198A JP H11317288 A JPH11317288 A JP H11317288A
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料からなる
発光層をもつ有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置した有
機ＥＬディスプレイパネル（以下、ＯＥＬＤという）の
製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL display panel (hereinafter referred to as OELD) in which organic EL elements having a light emitting layer made of an organic material are arranged in a matrix.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表示用ディスプレイデバイスとしては、
ブラウン管（Cathode Ray Tube）、液晶（Liquid Cryst
al）、プラズマ（Plasma）、発光ダイオード（Light Em
ittingDiode）及びＥＬ（Electro Luminescence）など
が従来より知られ、コンピュータ用ディスプレイ、液晶
ディスプレイのバックパネルなどに広く利用されてい
る。2. Description of the Related Art Display devices for display include:
CRT (Cathode Ray Tube), LCD (Liquid Cryst)
al), plasma (Plasma), light emitting diode (Light Em)
Itting Diode) and EL (Electro Luminescence) are conventionally known and widely used for computer displays, back panels of liquid crystal displays, and the like.
【０００３】この中でもＥＬは自発光形であり、また薄
膜を用いることができるために薄い表示素子として期待
されている。そして薄膜型直流ＥＬとして、低電圧で駆
動できる有機薄膜ＥＬが近年注目を集めている。例えば
フルカラー用ディスプレイとするためには、赤、緑、青
の３原色を効率よく発光する素子が必要であるが、無機
ＥＬでは青色については発光効率の低い材料しかない。
しかし有機ＥＬによれば、青色も効率よく発光できる素
子が開発され、フルカラー用ディスプレイへの応用が盛
んに研究されている。[0003] Among them, EL is a self-luminous type, and is expected to be a thin display element because it can use a thin film. In recent years, an organic thin film EL that can be driven at a low voltage has attracted attention as a thin film DC EL. For example, in order to form a full-color display, an element that efficiently emits the three primary colors of red, green, and blue is required. However, in inorganic EL, there is only a material with low emission efficiency for blue.
However, according to the organic EL, an element capable of efficiently emitting blue light has been developed, and its application to a full-color display has been actively studied.
【０００４】ところで薄膜状の表示素子をディスプレイ
として駆動するには、互いに直交するストライプ状の透
明電極と背面電極の間に発光層を形成し、透明電極と背
面電極を介して電圧を印加する単純マトリクス方式が基
本となる。この方式のディスプレイでは、電圧のかかっ
た２本のストライプ状電極の交点が発光部となるので、
電圧を印加して発光させるストライプを順次ずらすこと
で画像を表示することができる。このようなディスプレ
イにおいては、発光層の存在しない部分における透明電
極と背面電極との短絡を防止することはもちろんのこ
と、２本のストライプ状電極の交点で決まる発光部以外
の部分が発光しないように、ストライプ状の透明電極ど
うし及び背面電極どうしの短絡を防止することが重要で
ある。In order to drive a thin-film display element as a display, a light-emitting layer is formed between a transparent electrode and a back electrode in the form of stripes perpendicular to each other, and a voltage is applied through the transparent electrode and the back electrode. The matrix method is fundamental. In this type of display, the intersection of the two voltage-applied stripe electrodes becomes the light-emitting portion.
An image can be displayed by sequentially shifting the stripes to emit light by applying a voltage. In such a display, a portion other than the light emitting portion determined by the intersection of the two stripe-shaped electrodes does not emit light, as well as preventing a short circuit between the transparent electrode and the back electrode in a portion where the light emitting layer does not exist. In addition, it is important to prevent short-circuiting between the striped transparent electrodes and the back electrodes.
【０００５】そこで、例えば特開平8-227276号公報に開
示されているＯＥＬＤの製造方法では、先ず基板にＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物）などからストライプ状の第１
電極をパターニング形成する。次にストライプ状の第１
電極を囲み基板上に突出する電気絶縁性の隔壁を形成す
る。そして第１電極が表出するマスクを隔壁の上面に載
置して、有機ＥＬの媒体を真空蒸着法などにより堆積さ
せて発光層を形成し、最後に発光層上に第１電極と直交
するストライプ状の第２電極をパターニング形成する。Therefore, for example, in an OELD manufacturing method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-227276, first, an IT
First stripes made of O (indium tin oxide) or the like
An electrode is formed by patterning. Next, the first stripe
An electrically insulating partition wall surrounding the electrodes and protruding above the substrate is formed. Then, a mask in which the first electrode is exposed is placed on the upper surface of the partition wall, and a medium of the organic EL is deposited by a vacuum evaporation method or the like to form a light emitting layer. Finally, the light emitting layer is orthogonal to the first electrode on the light emitting layer. A stripe-shaped second electrode is formed by patterning.
【０００６】この製造方法によれば、隔壁の存在により
第１電極どうしの短絡を確実に防止することができる。
また隔壁により、第２電極のパターニング時におけるマ
スクと発光層との接触が回避されるので、発光層の損傷
が防止される。ところで上記のような隔壁を形成するに
は、スクリーン印刷法、フォトレジスト法などが用いら
れる。ところが上記したＯＥＬＤの製造方法における隔
壁の形成にスクリーン印刷法を用いると、隔壁の高さを
十分高くすることが困難となり、第２電極のパターニン
グ時にマスクと発光層とが接触するおそれがある。また
マスクの密着不良により第２電極形成用の蒸着物に回り
込みが生じ、第２電極どうしが短絡して複数の発光部が
発光するおそれもある。According to this manufacturing method, a short circuit between the first electrodes can be reliably prevented by the presence of the partition walls.
In addition, the partition prevents contact between the mask and the light emitting layer during patterning of the second electrode, thereby preventing damage to the light emitting layer. By the way, a screen printing method, a photoresist method, or the like is used to form the above-described partition walls. However, if a screen printing method is used to form the partition in the above-described OELD manufacturing method, it is difficult to make the height of the partition sufficiently high, and there is a possibility that the mask and the light emitting layer may come into contact during the patterning of the second electrode. In addition, due to poor adhesion of the mask, the deposition for forming the second electrode may wrap around, and the second electrodes may be short-circuited to emit light from a plurality of light emitting units.
【０００７】一方、隔壁をフォトレジスト法で形成すれ
ば、基板表面から垂直に切り立った側壁面をもつ隔壁を
形成することができ、上記不具合が回避される。ところ
がこのような側壁面近傍に蒸着物を堆積させようとする
と、蒸着物の側壁面近傍の厚さが薄くなるという現象が
ある。そのため上記したＯＥＬＤの製造方法において
は、発光層の側壁面近傍の厚さが薄くなるため、劣化が
生じやすいという問題がある。またフォトレジスト法で
は、特にパターンが微細になった場合には、隔壁の断面
のアスペクト比（高さ／底辺）が大きな隔壁を形成する
ことが困難となるため、スクリーン印刷法と同様の不具
合が発生するようになる。On the other hand, if the partition is formed by a photoresist method, a partition having a side wall surface which is vertically steep from the substrate surface can be formed, and the above-mentioned problem can be avoided. However, when an attempt is made to deposit a deposit near the side wall surface, there is a phenomenon that the thickness of the deposit near the side wall surface is reduced. Therefore, in the above-described OELD manufacturing method, the thickness near the side wall surface of the light emitting layer is reduced, and thus there is a problem that deterioration is likely to occur. Further, in the photoresist method, particularly when the pattern becomes fine, it becomes difficult to form a partition having a large aspect ratio (height / base) of the cross section of the partition. Will occur.
【０００８】そこで特開平8-315981号公報に開示された
ＯＥＣＤの製造方法には、先ずストライプ状の第１電極
を形成し、第１電極及び基板上に第１電極と交差しオー
バーハング部をもつ高い隔壁を形成し、その後隔壁どう
しの間に発光層をパターニング形成し、最後に第２電極
を全面に形成することが記載されている。この製造方法
によれば、第２電極はパターニング形成する必要がない
ので、マスクによる発光層の損傷が回避され工数も低減
される。またオーバーハング部の存在により、隔壁上に
形成された第２電極のエッヂ部と発光層上に形成された
第２電極との短絡を確実に防止することができるので、
各発光部間の分離を確実に行うことができる。Therefore, in the method of manufacturing an OECD disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-315981, a stripe-shaped first electrode is first formed, and an overhang portion is formed on the first electrode and the substrate so as to intersect with the first electrode. It is described that a high partition wall is formed, a light emitting layer is patterned and formed between the partition walls, and finally a second electrode is formed on the entire surface. According to this manufacturing method, since the second electrode does not need to be formed by patterning, damage to the light emitting layer due to the mask is avoided and the number of steps is reduced. In addition, the presence of the overhang portion can reliably prevent a short circuit between the edge portion of the second electrode formed on the partition and the second electrode formed on the light emitting layer.
Separation between the light emitting units can be reliably performed.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところが特開平8-3159
81号公報に開示の隔壁をもつＯＥＬＤでは、隔壁の側壁
面が基板にたいして垂直又は鋭角となっているために、
上記したように発光層の形成時に隔壁近傍の発光層の厚
さが薄くなり、その部分の劣化が生じやすいという不具
合がある。However, Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-3159
In the OELD having the partition disclosed in Japanese Patent Publication No. 81, since the side wall surface of the partition is perpendicular or acute to the substrate,
As described above, when the light emitting layer is formed, the thickness of the light emitting layer in the vicinity of the partition wall is reduced, and there is a problem that the portion is easily deteriorated.
【００１０】また隔壁近傍の発光層の厚さが薄くなり過
ぎると第１電極が表出するため、第１電極と第２電極と
の短絡が生じる恐れもある。そのため特開平8-315981号
公報には、隔壁の側壁面近傍に絶縁膜を形成することも
開示されているが、このような方法では隔壁形成の工数
が多大となり、マスクの位置決めに益々高い精度が必要
となる。When the thickness of the light emitting layer near the partition is too small, the first electrode is exposed, and there is a possibility that a short circuit between the first electrode and the second electrode may occur. For this reason, Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-315981 discloses that an insulating film is formed in the vicinity of the side wall surface of the partition wall. However, such a method requires a large number of steps for forming the partition wall and increases the accuracy of mask positioning. Is required.
【００１１】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、一つの隔壁で第１電極と第２電極との短絡
を一層確実に防止することができるとともに、隔壁上の
第２電極と発光層上の第２電極との短絡を防止して各発
光部間の分離を確実に行うことができ、かつ発光層の劣
化も抑制できるＯＥＬＤとすることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and a short circuit between a first electrode and a second electrode can be more reliably prevented by one partition, and a second electrode on the partition can be prevented. An object of the present invention is to provide an OELD that can prevent a short circuit between the light emitting layer and the second electrode on the light emitting layer, reliably perform separation between the light emitting units, and can suppress deterioration of the light emitting layer.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法は、複数の発光部からなる表示
配列をもつ有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であ
って、透明基板上に発光部に対応する透明な第１電極を
所定パターンで形成する第１電極形成工程と、少なくと
も第１電極上にフォトレジストを塗布してフォトレジス
ト膜を形成しフォトレジスト膜上に所定のマスクを配置
してフォトレジスト膜側から露光するとともに透明基板
上に所定のマスクを配置して透明基板側からも露光して
側壁面に断面略Ｖ字形状の凹部をもつ電気絶縁性の隔壁
をフォトリソグラフ法により所定パターンで形成する隔
壁形成工程と、少なくとも表出する第１電極上に有機Ｅ
Ｌ発光層を形成する発光層形成工程と、少なくとも有機
ＥＬ発光層上に第２電極を形成する第２電極形成工程
と、よりなることにある。A method of manufacturing an organic EL display panel according to the present invention is a method of manufacturing an organic EL display panel having a display arrangement comprising a plurality of light emitting portions, the method corresponding to a light emitting portion on a transparent substrate. A first electrode forming step of forming a transparent first electrode in a predetermined pattern, applying a photoresist on at least the first electrode to form a photoresist film, and arranging a predetermined mask on the photoresist film to form a photomask. Exposure is performed from the resist film side, a predetermined mask is arranged on the transparent substrate, and exposure is also performed from the transparent substrate side to form an electrically insulating partition having a recess having a substantially V-shaped cross section on the side wall surface by a predetermined pattern by a photolithographic method. And forming organic E on at least the exposed first electrode.
The method includes a light emitting layer forming step of forming an L light emitting layer and a second electrode forming step of forming a second electrode on at least the organic EL light emitting layer.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】第１電極形成工程は、透明基板上
に透明な第１電極を所定パターンで形成する工程であ
る。この工程は、スパッタリング法などを利用して従来
と同様に行うことができる。透明基板としては、通常ガ
ラス基板が用いられるが、合成樹脂基板を用いることも
できる。また第１電極の材料としては、従来と同様にＩ
ＴＯ、ＡＺＯ（Ａｌ添加ＺｎＯ）、ＳｎＯ2 などが用い
られる。第１電極のパターンは特に制限されず、ストラ
イプ状など従来と同様のパターンに形成することができ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The first electrode forming step is a step of forming a transparent first electrode in a predetermined pattern on a transparent substrate. This step can be performed in the same manner as in the related art using a sputtering method or the like. As the transparent substrate, a glass substrate is usually used, but a synthetic resin substrate can also be used. The material of the first electrode is the same as the conventional one.
TO, AZO (Al-added ZnO), SnO 2 and the like are used. There is no particular limitation on the pattern of the first electrode, and the first electrode can be formed in a pattern similar to a conventional pattern such as a stripe shape.
【００１４】本発明の最大の特徴をなす隔壁形成工程
は、少なくとも第１電極上にフォトレジストを塗布して
フォトレジスト膜を形成し、次いで露光してフォトリソ
グラフ法により隔壁を形成する工程である。先ずフォト
レジストを塗布する前に、基板上の水分や油分を除去す
るために、洗浄及び前処理が通常行われる。これは、超
音波洗浄、ＵＶオゾンクリーナなどを用いて行うことが
できる。トリメチルけい素化剤などで処理してもよい。The partition forming step, which is the most important feature of the present invention, is a step of applying a photoresist on at least the first electrode to form a photoresist film, and then exposing to form a partition by a photolithographic method. . Before applying the photoresist, cleaning and pretreatment are usually performed to remove moisture and oil on the substrate. This can be performed using ultrasonic cleaning, a UV ozone cleaner, or the like. It may be treated with a trimethyl siliconizing agent or the like.
【００１５】次に少なくとも第１電極上にフォトレジス
トが塗布される。この工程は、スピンコート法、スプレ
ー法、ロールコーター法、浸漬法などによって行うこと
ができる。第１電極上のみに塗布してもよいが、位置決
めの制御が煩雑となるので、通常は表出する第１電極及
び透明基板の表面全面に塗布される。塗布されたフォト
レジストは、一般には前乾燥により溶剤が除去されてフ
ォトレジスト膜とされる。Next, a photoresist is applied on at least the first electrode. This step can be performed by a spin coating method, a spray method, a roll coater method, a dipping method, or the like. The coating may be applied only on the first electrode, but since the positioning control becomes complicated, the coating is usually applied on the entire surface of the exposed first electrode and the transparent substrate. The applied photoresist is generally removed from the solvent by pre-drying to form a photoresist film.
【００１６】本発明においては、フォトレジスト膜はそ
の表面側と透明基板の裏面側の両面からマスクを介して
露光され、マスク形状に応じて硬化して隔壁が形成され
る。例えばネガ型のフォトレジストに露光した場合、硬
化は露光表面ほど速く進行する。したがって露光条件を
調節することにより内部を未硬化状態とすることがで
き、フォトレジスト膜の両表面側から露光しそれを現像
することで、側壁面に断面略Ｖ字形状の凹部をもつ隔壁
を形成することができる。In the present invention, the photoresist film is exposed through a mask from both the front surface side and the rear surface side of the transparent substrate through a mask, and is cured according to the mask shape to form a partition. For example, when a negative photoresist is exposed, curing proceeds faster on the exposed surface. Therefore, by adjusting the exposure conditions, the interior can be uncured. By exposing and developing the photoresist film from both surface sides, a partition wall having a concave portion having a substantially V-shaped cross section on the side wall surface is formed. Can be formed.
【００１７】つまり図３〜４ に示すように、例えばネ
ガ型レジストを用いたフォトレジスト膜を形成し、マス
クを介してその表面側から所定条件で露光すると、架橋
領域は図３に示すように断面逆台形状となる。一方、透
明基板表面にマスクを配置し透明基板側を介して同条件
で露光すると、図４に示すように架橋領域は断面台形状
となる。したがって両側から所定条件で露光すれば、架
橋領域の断面は二つの台形が重なった鼓状となるので、
これを現像することにより、側壁面に断面略Ｖ字形状の
凹部をもつ隔壁が形成される。That is, as shown in FIGS. 3 and 4, when a photoresist film using, for example, a negative resist is formed and exposed from the surface side under a predetermined condition through a mask, the crosslinked region becomes as shown in FIG. It has an inverted trapezoidal cross section. On the other hand, when a mask is arranged on the surface of the transparent substrate and exposed through the transparent substrate side under the same conditions, the crosslinked region has a trapezoidal cross section as shown in FIG. Therefore, if exposure is performed under predetermined conditions from both sides, the cross-section of the cross-linked region becomes a drum shape in which two trapezoids overlap,
By developing this, a partition having a concave portion having a substantially V-shaped cross section on the side wall surface is formed.
【００１８】なお基板の両側から露光するには、基板を
回転させてもよいし露光ランプを基板の両側へ移動させ
てもよい。また先ず片側を露光した後に反対側を露光し
てもよいし、マスクとランプをそれぞれ一対用いて両側
から同時に露光することもできる。隔壁の厚さは、３〜
10μｍの範囲とするのが望ましい。隔壁の厚さが３μｍ
より薄いと第２電極どうしの短絡を防止することが困難
となり、10μｍより厚くなるとフォトリソグラフ法での
隔壁の形成が困難となる。この隔壁は、通常は第１電極
と交差するように形成される。To expose from both sides of the substrate, the substrate may be rotated or the exposure lamp may be moved to both sides of the substrate. Alternatively, one side may be exposed first and then the other side exposed, or both sides may be exposed simultaneously using a pair of a mask and a lamp. The thickness of the partition is 3 ~
It is desirable that the thickness be in the range of 10 μm. The thickness of the partition is 3 μm
If the thickness is smaller, it is difficult to prevent short-circuiting between the second electrodes. If the thickness is larger than 10 μm, it becomes difficult to form a partition by photolithography. This partition is usually formed so as to cross the first electrode.
【００１９】フォトレジストとしては、ネガ型レジスト
を用いることが望ましい。ポジ型では側壁面に断面略Ｖ
字形状の凹部をもつ隔壁を形成することが困難となる。
またその種類は、ポリイミド、環化ゴム、ポリけい皮酸
など、公知のものを利用することができる。また露光条
件はフォトレジストの種類、フォトレジスト膜の厚さな
どに応じて適宜決定され、現像はレジストの種類に合っ
た専用現像液を用いてスプレー法、ディップ法など従来
と同様の方法で行うことができる。It is desirable to use a negative resist as the photoresist. In the positive type, the cross section is approximately V on the side wall surface.
It becomes difficult to form a partition having a U-shaped recess.
Known types such as polyimide, cyclized rubber, and polycinnamic acid can be used. Exposure conditions are appropriately determined according to the type of the photoresist, the thickness of the photoresist film, and the like, and development is performed by a conventional method such as a spraying method or a dipping method using a dedicated developer suitable for the type of the resist. be able to.
【００２０】発光層形成工程は、第１電極上に有機ＥＬ
発光層を形成する工程である。有機ＥＬ発光層は、正孔
輸送層と、正孔輸送層上に形成された発光体層と、発光
体層上に形成された電子輸送層とから構成することがで
きる。このうち正孔輸送層の材質としては、トリフェニ
ルジアミン誘導体などの第３級アミン誘導体、（ジ）ス
チリルベンゼン（ピラジン）誘導体、ジオレフィン誘導
体、オキサジアゾール誘導体などのジ（トリ）アゾール
誘導体、キノサリン誘導体、フラン系化合物、ヒドラゾ
ン系化合物、ナフタセン誘導体、クマリン系化合物、キ
ナクリドン誘導体、インドール系化合物、ピレン系化合
物、アントラセン系化合物など従来の有機ＥＬ素子に用
いられるものが例示される。In the light emitting layer forming step, an organic EL is formed on the first electrode.
This is a step of forming a light emitting layer. The organic EL light emitting layer can be composed of a hole transport layer, a light emitting layer formed on the hole transport layer, and an electron transport layer formed on the light emitting layer. Among them, as the material of the hole transport layer, a tertiary amine derivative such as a triphenyldiamine derivative, a di (tri) azole derivative such as a (di) styrylbenzene (pyrazine) derivative, a diolefin derivative, an oxadiazole derivative, Examples thereof include those used in conventional organic EL devices such as quinosaline derivatives, furan compounds, hydrazone compounds, naphthacene derivatives, coumarin compounds, quinacridone derivatives, indole compounds, pyrene compounds, and anthracene compounds.
【００２１】発光体層としては、従来の有機ＥＬ素子に
用いられるトリスキノリノアルミニウム錯体、ジスチリ
ルビフェニル誘導体、オキサジアゾール誘導体などが用
いられる。また電子輸送層の材質としては、ポリシラ
ン、オキサジアゾール誘導体、トリスキノリノアルミニ
ウム錯体など従来の有機ＥＬ素子に用いられるものが例
示される。As the light emitting layer, a trisquinolinoaluminum complex, a distyrylbiphenyl derivative, an oxadiazole derivative or the like used in a conventional organic EL device is used. Examples of the material of the electron transporting layer include those used in conventional organic EL devices such as polysilane, oxadiazole derivative, and trisquinolino aluminum complex.
【００２２】なおＥＬ発光層において、正孔輸送層と電
子輸送層の位置は、どちらが第１電極側に位置してもよ
い。この有機ＥＬ発光層を構成する各層は、それぞれ真
空蒸着法、ラングミュアブロジェット蒸着法、ディップ
コーティング法、スピンコーティング法、真空気体蒸着
法、有機分子線エピタキシ法などを用いて形成すること
ができる。なおマスクを用いれば、表出する第１電極上
のみに有機ＥＬ発光層を形成することもできるが、位置
決めなどが煩雑であるので隔壁上も含めた全面に形成す
ることが好ましい。In the EL light emitting layer, whichever of the hole transport layer and the electron transport layer may be located on the first electrode side. Each layer constituting the organic EL light emitting layer can be formed by a vacuum evaporation method, a Langmuir-Blodgett evaporation method, a dip coating method, a spin coating method, a vacuum gas evaporation method, an organic molecular beam epitaxy method, or the like. When a mask is used, the organic EL light emitting layer can be formed only on the exposed first electrode. However, since the positioning is complicated, it is preferable to form the organic EL light emitting layer on the entire surface including the partition.
【００２３】第２電極形成工程は、有機ＥＬ発光層上に
第２電極を形成する工程である。この工程は、従来と同
様にペースト塗布法、スクリーン印刷法などで導電性金
属を塗布して行うことができる。上記と同様に、マスク
を用いれば第２電極を第１電極表面の有機ＥＬ発光層上
のみに形成することもできるが、位置決めなどが煩雑で
あるので隔壁上も含めた全面に形成することが好まし
い。これにより隔壁どうしの間に表出する第１電極上及
び隔壁上に有機ＥＬ発光層が形成され、隔壁上の有機Ｅ
Ｌ発光層と第１電極上の有機ＥＬ発光層とは隔壁の凹部
により確実に分離されているので、第１電極と交差する
ストライプ状の第２電極が形成でき、マトリクスを構成
する第１電極と第２電極で挟まれた有機ＥＬ発光層を発
光部として利用することができる。The second electrode forming step is a step of forming a second electrode on the organic EL light emitting layer. This step can be performed by applying a conductive metal by a paste application method, a screen printing method, or the like, as in the related art. Similarly to the above, if the mask is used, the second electrode can be formed only on the organic EL light emitting layer on the surface of the first electrode. However, since the positioning is complicated, the second electrode can be formed on the entire surface including the partition. preferable. As a result, an organic EL light emitting layer is formed on the first electrode and the partition which are exposed between the partitions, and the organic EL layer on the partition is formed.
Since the L light emitting layer and the organic EL light emitting layer on the first electrode are surely separated by the concave portion of the partition wall, a stripe-shaped second electrode crossing the first electrode can be formed, and the first electrode constituting the matrix The organic EL light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode can be used as a light emitting portion.
【００２４】この第２電極の材質としては、Ｍｇ−Ａｇ
合金、Ａｌなど従来と同様のものを用いることができ
る。この第２電極は一般に不透明であるので、得られた
有機ＥＬディスプレイパネルでは、有機ＥＬ発光層の発
光は透明な第１電極と透明基板を通して観察されること
になる。また第２電極を金属光沢のある材料から形成す
れば、有機ＥＬ発光層から第２電極側へ向かう光を第２
電極での反射により基板側へ向かわせることができ、発
光光量を増大させることができる。The material of the second electrode is Mg-Ag
Alloys, Al, and the like can be used. Since the second electrode is generally opaque, in the obtained organic EL display panel, light emission of the organic EL light emitting layer is observed through the transparent first electrode and the transparent substrate. Further, if the second electrode is formed of a material having a metallic luster, light traveling from the organic EL light emitting layer toward the second electrode can be transmitted to the second electrode.
The light can be directed toward the substrate by reflection at the electrode, and the amount of emitted light can be increased.
【００２５】[0025]
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 （第１電極形成工程）図１に示すように、透明なガラス
基板１の表面にＩＴＯよりなるストライプ状の第１電極
２をスパッタリング法にて形成した。The present invention will be described below in detail with reference to examples. (First Electrode Formation Step) As shown in FIG. 1, a stripe-shaped first electrode 2 made of ITO was formed on the surface of a transparent glass substrate 1 by a sputtering method.
【００２６】（隔壁形成工程）次に、第１電極２が形成
されたガラス基板１の表面を超音波洗浄器を用いてＵＶ
オゾンクリーナで洗浄した後、フォトレジスト（「ＺＰ
Ｎ1100」日本ゼオン（株）製）をスピンコート（500rpm
×10秒＋ 1500rpm×30秒）にて塗布した。そしてクリー
ンオープン中にて70℃で30分間プリベークし、図２に断
面図を示すように全面に厚さ６μｍのフォトレジスト膜
３を形成した。(Partition Forming Step) Next, the surface of the glass substrate 1 on which the first electrode 2 is formed is subjected to UV irradiation using an ultrasonic cleaner.
After cleaning with an ozone cleaner, the photoresist (“ZP
N1100 "manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.)
× 10 seconds + 1500 rpm × 30 seconds). Then, pre-baking was performed at 70 ° C. for 30 minutes in the clean open, and a photoresist film 3 having a thickness of 6 μm was formed on the entire surface as shown in the sectional view of FIG.
【００２７】次に、ピッチ： 330μｍ、ギャップ： 300
μｍ、ライン30μｍのフォトマスク100をフォトレジス
ト膜３表面に配置し、ハロゲンランプを用いて150 mJ/c
m2の条件で露光した。このとき、露光による架橋部30は
図３に示すように断面逆台形となる。そしてフォトマス
クをガラス基板１の反対側表面に移し、ガラス基板１の
反対側表面から150 mJ/cm2の条件で露光した。これによ
り図４に示すように断面正台形の架橋部31が形成される
ので、架橋部30と架橋部31の和が実際の架橋部となる。Next, pitch: 330 μm, gap: 300
A photomask 100 with a thickness of 30 μm and a line of 30 μm is placed on the surface of the photoresist film 3 and 150 mJ / c using a halogen lamp.
Exposure was performed under the conditions of m 2 . At this time, the cross-linked portion 30 formed by the exposure has an inverted trapezoidal cross section as shown in FIG. Then, the photomask was transferred to the opposite surface of the glass substrate 1 and exposed from the opposite surface of the glass substrate 1 under the condition of 150 mJ / cm 2 . As a result, as shown in FIG. 4, a bridge portion 31 having a trapezoidal cross section is formed, and the sum of the bridge portion 30 and the bridge portion 31 becomes an actual bridge portion.
【００２８】そして露光後のフォトレジスト膜３を現像
液（「ZTMA-100」日本ゼオン（株）製）中に 140秒間浸
漬して現像した。これにより架橋部を除く部分が除去さ
れ、隔壁４が形成された。隔壁４は第１電極２と直交す
るストライプ状に形成され、図５に示すように両側の側
壁面に断面略Ｖ字形状で最大深さ約６μｍの凹部40をも
つ断面鼓状の形状に形成されていた。隔壁４の高さは約
６μｍであり、その幅は上下とも約26μｍ、中央部の幅
は約15μｍであった。The exposed photoresist film 3 was immersed in a developing solution ("ZTMA-100" manufactured by Zeon Corporation) for 140 seconds for development. As a result, the portion excluding the crosslinked portion was removed, and the partition 4 was formed. The partition wall 4 is formed in a stripe shape orthogonal to the first electrode 2, and is formed in a drum-shaped cross section having a substantially V-shaped cross section and a concave portion 40 having a maximum depth of about 6 μm on both side walls as shown in FIG. It had been. The height of the partition wall 4 was about 6 μm, the width was about 26 μm both in the upper and lower directions, and the width in the center was about 15 μm.
【００２９】この隔壁４は、一種類のフォトレジストか
ら一度のフォトリソグラフにて形成しているので、本工
程は工数が小さく位置決めも容易である。 （発光層形成工程）次に、真空蒸着法により、第１電極
２及び隔壁４が形成された基板１の表面に、厚さ約 500
Åの正孔輸送層、厚さ約 500Åの発光体層及び厚さ約 5
00Åの電子輸送層をこの順にそれぞれ成膜し、有機ＥＬ
発光層５を形成した。有機ＥＬ発光層５は、図６に示す
ように、表出しているガラス基板１の表面と、表出して
いる第１電極２の表面と、隔壁４の上面及び隔壁４の凹
部40の一部表面に形成された。Since the barrier ribs 4 are formed by one photolithography from one kind of photoresist, the process is small in man-hour and easy in positioning. (Light-Emitting Layer Forming Step) Next, the surface of the substrate 1 on which the first electrodes 2 and
正 hole transport layer, Å 500 mm thick luminescent layer and 5 5 thick
An electron transport layer having a thickness of 00 ° is formed in this order, and the organic EL layer is formed.
The light emitting layer 5 was formed. As shown in FIG. 6, the organic EL light emitting layer 5 has a surface of the exposed glass substrate 1, a surface of the exposed first electrode 2, an upper surface of the partition 4, and a part of the recess 40 of the partition 4. Formed on the surface.
【００３０】なお、正孔輸送層としてはＴＰＴＥを用
い、発光体層としてはＡｌｑ３を用いた。 （第２電極形成工程）さらに、第１電極２、隔壁４及び
有機ＥＬ発光層５が形成されたガラス基板１の表面に真
空蒸着法によりＭｇ−Ａｇ合金を堆積させ、厚さ 0.2μ
ｍの第２電極６を形成して本実施例のＯＥＬＤを製造し
た。Note that TPTE was used for the hole transport layer, and Alq3 was used for the light emitting layer. (Second Electrode Forming Step) Further, an Mg-Ag alloy is deposited on the surface of the glass substrate 1 on which the first electrode 2, the partition 4 and the organic EL light emitting layer 5 are formed by a vacuum evaporation method, and the thickness is 0.2 μm.
An OELD of this example was manufactured by forming the second electrode 6 of m.
【００３１】このＯＥＬＤでは、その断面を図６に示す
ように、第２電極６は表出する有機ＥＬ発光層５の全表
面に形成されている。そして第１電極２の一ストライプ
と第２電極６の一ストライプとに通電することにより、
その第１電極２と第２電極６とが交差する部分の有機Ｅ
Ｌ発光層５が発光して発光部として機能するので、第１
電極２と第２電極６をマトリクスとしたディスプレイパ
ネルとなる。In the OELD, the second electrode 6 is formed on the entire surface of the exposed organic EL light emitting layer 5, as shown in FIG. By energizing one stripe of the first electrode 2 and one stripe of the second electrode 6,
The organic E at the intersection of the first electrode 2 and the second electrode 6
Since the L light emitting layer 5 emits light and functions as a light emitting unit, the first
A display panel having the electrodes 2 and the second electrodes 6 as a matrix is obtained.
【００３２】本実施例のＯＥＬＤによれば、隔壁４上の
第２電極６は、隔壁４の凹部40の存在によりエッヂ部の
見切りがよく、第１電極２上に位置した第２電極６との
短絡が防止されている。したがって目的とする発光部以
外が発光するような不具合が防止されている。また隔壁
４の凹部40は、第１電極２から離れるにつれて隔壁４の
中央部へ侵入している。したがって凹部40内に堆積した
有機ＥＬ発光層５は十分な厚さを有しているので、、有
機ＥＬ発光層５の劣化が防止されている。そして有機Ｅ
Ｌ発光層５の端部は凹部40内に侵入しているものの、侵
入部分は凹部40内であるので発光時にもガラス基板１側
から視認することはできない。したがって発光部の見切
りは鮮明となる。According to the OELD of the present embodiment, the edge of the second electrode 6 on the partition 4 is good due to the presence of the concave portion 40 of the partition 4, and the second electrode 6 on the first electrode 2 Short circuit is prevented. Therefore, a problem in which light is emitted from a portion other than the intended light emitting portion is prevented. The concave portion 40 of the partition 4 penetrates into the center of the partition 4 as the distance from the first electrode 2 increases. Therefore, since the organic EL light emitting layer 5 deposited in the concave portion 40 has a sufficient thickness, the deterioration of the organic EL light emitting layer 5 is prevented. And organic E
Although the end of the L light emitting layer 5 has penetrated into the concave portion 40, the penetrated portion is in the concave portion 40, so that even the light emission is not visible from the glass substrate 1 side. Therefore, the parting of the light emitting section becomes clear.
【００３３】以上、本発明の実施例について説明した
が、この本発明の実施例には特許請求の範囲に記載した
技術的事項以外に次のような技術的事項の実施態様を有
するものであることを付記しておく。 （１）基板と、該基板上に形成されたストライプ状の第
１電極と、該第１電極上に該第１電極に対して交差する
ストライプ状に形成され側壁面に断面略Ｖ字形状の凹部
をもつ電気絶縁性の隔壁と、少なくとも該隔壁により区
画された該第１電極上に形成された有機ＥＬ発光層と、
少なくとも該有機ＥＬ発光層上に形成された第２電極と
よりなることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネ
ル。 （２）前記隔壁上にも前記有機ＥＬ発光層と前記第２電
極が形成されていることを特徴とする（１）に記載の有
機ＥＬディスプレイパネル。Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention have the following technical items in addition to the technical items described in the claims. Please note that. (1) A substrate, a first stripe-shaped electrode formed on the substrate, and a stripe-shaped cross-section on the first electrode intersecting the first electrode and having a substantially V-shaped cross section on a side wall surface. An electrically insulating partition having a concave portion, an organic EL light emitting layer formed on the first electrode partitioned by at least the partition,
An organic EL display panel comprising at least a second electrode formed on the organic EL light emitting layer. (2) The organic EL display panel according to (1), wherein the organic EL light emitting layer and the second electrode are also formed on the partition.
【００３４】[0034]
【発明の効果】すなわち本発明の製造方法によれば、側
壁面に凹部をもつ隔壁の存在により第１電極と第２電極
の短絡及び第２電極どうしの短絡を確実に防止すること
ができる。また有機ＥＬ発光層の厚さを十分に確保でき
るため、有機ＥＬ発光層の劣化が防止されている。さら
に隔壁は一種類のフォトレジストから一度のフォトリソ
グラフにて形成できるため、工数が小さく位置決めも容
易である。According to the manufacturing method of the present invention, a short circuit between the first electrode and the second electrode and a short circuit between the second electrodes can be reliably prevented by the presence of the partition having the concave portion on the side wall surface. Further, since the thickness of the organic EL light emitting layer can be sufficiently ensured, deterioration of the organic EL light emitting layer is prevented. Further, since the partition can be formed from one type of photoresist by one photolithography, the number of steps is small and positioning is easy.
【図１】本発明の一実施例において第１電極を形成した
基板の模式的斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of a substrate on which a first electrode is formed in one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例においてフォトレジスト膜を
形成した状態の基板を第１電極と直交方向に切った模式
的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a substrate on which a photoresist film is formed in an embodiment of the present invention, taken in a direction orthogonal to a first electrode.
【図３】本発明の一実施例においてフォトレジスト膜側
から露光している状態を示し基板を第１電極と平行方向
に切った説明断面図である。FIG. 3 is an explanatory sectional view showing a state where exposure is performed from the photoresist film side and cutting the substrate in a direction parallel to a first electrode in one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例において基板側から露光して
いる状態を示し基板を第１電極と平行方向に切った説明
断面図である。FIG. 4 is an explanatory sectional view showing a state in which exposure is performed from the substrate side and cutting the substrate in a direction parallel to a first electrode in one embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例において隔壁を形成した状態
の基板の模式的斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view of a substrate in a state where a partition wall is formed in one embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施例で製造された有機ＥＬディス
プレイパネルの基板を第１電極と平行方向に切った説明
断面図である。FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view of a substrate of an organic EL display panel manufactured according to an embodiment of the present invention, taken in a direction parallel to a first electrode.
１：ガラス基板 ２：第１電極 ３：フ
ォトレジスト膜 ４：隔壁 ５：有機ＥＬ発光層 ６：第
２電極 30：架橋部 31：架橋部 40：凹
部1: glass substrate 2: first electrode 3: photoresist film 4: partition wall 5: organic EL light-emitting layer 6: second electrode 30: cross-linked portion 31: cross-linked portion 40: concave portion
Claims (1)
機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、 透明基板上に該発光部に対応する透明な第１電極を所定
パターンで形成する第１電極形成工程と、 少なくとも該第１電極上にフォトレジストを塗布してフ
ォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜上に所定
のマスクを配置して該フォトレジスト膜側から露光する
とともに該透明基板上に所定のマスクを配置して該透明
基板側からも露光して、側壁面に断面略Ｖ字形状の凹部
をもつ電気絶縁性の隔壁をフォトリソグラフ法により所
定パターンで形成する隔壁形成工程と、 少なくとも表出する該第１電極上に有機ＥＬ発光層を形
成する発光層形成工程と、 少なくとも該有機ＥＬ発光層上に第２電極を形成する第
２電極形成工程と、よりなることを特徴とする有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法。1. A method for manufacturing an organic EL display panel having a display arrangement including a plurality of light emitting portions, comprising: forming a first transparent electrode corresponding to the light emitting portion in a predetermined pattern on a transparent substrate. Forming a photoresist film by applying a photoresist on at least the first electrode, arranging a predetermined mask on the photoresist film, exposing the photoresist film side, and forming a photoresist film on the transparent substrate; Forming a predetermined mask on the transparent substrate side and exposing the transparent substrate side to form a electrically insulating partition having a concave portion having a substantially V-shaped cross section on a side wall surface by a photolithographic method in a partition forming step; A light emitting layer forming step of forming an organic EL light emitting layer on at least the first electrode exposed, and a second electrode forming step of forming a second electrode on at least the organic EL light emitting layer. Organic EL characterized by Rukoto
Display panel manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10121151A JPH11317288A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Manufacture of organic el display panel |
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| JP10121151A JPH11317288A (en) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Manufacture of organic el display panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317288A true JPH11317288A (en) | 1999-11-16 |
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