JP3531597B2 - Organic electroluminescent device - Google Patents

Organic electroluminescent device

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JP3531597B2
JP3531597B2 JP2000305646A JP2000305646A JP3531597B2 JP 3531597 B2 JP3531597 B2 JP 3531597B2 JP 2000305646 A JP2000305646 A JP 2000305646A JP 2000305646 A JP2000305646 A JP 2000305646A JP 3531597 B2 JP3531597 B2 JP 3531597B2
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insulating layer
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light emitting
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茂雄 藤森
武史 池田
哲雄 岡
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な有機電界発光装置およびその製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device that can be used in the fields of display devices, flat panel displays, backlights, interiors, etc., and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】発光型フラットパネルディスプレイとし
てプラズマディスプレイ(PDP)や電界発光ディスプ
レイ(ELD)が注目されており、特に有機電界発光装
置は高輝度が得られ、フルカラーディスプレイが可能な
ことで研究開発が盛んである。
2. Description of the Related Art Plasma displays (PDPs) and electroluminescence displays (ELDs) have been attracting attention as light emitting flat panel displays. In particular, organic electroluminescence devices have high brightness and are capable of full color display research and development. Is thriving.

【0003】これらのフラットパネルディスプレイは画
像情報電気信号を画像光に変換する表示デバイスであ
る。これを実現するための一例であるドットマトリクス
型は、単純マトリクス型とアクティブマトリクス型に大
別される。単純マトリクス型では交差して配置された対
向するストライプ状電極で構成され、線順次駆動法など
時分割方式が採用される。アクティブマトリクス型で
は、片側の電極基板内面に電気的なスイッチング手段が
付設されている。スイッチング手段には、一般に薄膜ト
ランジスター(TFT)回路が用いられる。
These flat panel displays are display devices for converting image information electric signals into image light. The dot matrix type, which is an example for realizing this, is roughly classified into a simple matrix type and an active matrix type. The simple matrix type is composed of opposing striped electrodes arranged to intersect each other, and a time division method such as a line sequential driving method is adopted. In the active matrix type, an electric switching means is attached to the inner surface of the electrode substrate on one side. A thin film transistor (TFT) circuit is generally used as the switching means.

【0004】有機電界発光装置は陽極から注入された正
孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有機発
光層内で再結合することにより発光するものである。そ
の代表的な構造は、ガラス基板上に透明な第一電極(陽
極)、正孔輸送層、有機発光層、第二電極(陰極)を積
層したものであり、駆動により生じた発光は第一電極お
よびガラス基板を通じて外部に取り出される。
The organic electroluminescence device emits light by recombining holes injected from the anode and electrons injected from the cathode in the organic light emitting layer sandwiched between the both electrodes. The typical structure is that a transparent first electrode (anode), a hole transport layer, an organic light emitting layer, and a second electrode (cathode) are laminated on a glass substrate. It is taken out through the electrode and the glass substrate.

【0005】有機電界発光装置の1つ1つの発光領域
は、対向配置された第一電極と第二電極の交差し重なる
部分である。カラーディスプレイの場合は、赤、緑、青
に発光する個々の発光領域が3個で1つの画素が形成さ
れる。ディスプレイとしての輝度や色バランスは、これ
らの発光領域が均質に発光することを前提として設計さ
れるので、第一電極と第二電極の重なり部分、または第
一電極上に絶縁層が形成される場合にはそれにより規制
される範囲の部分が発光することが必要である。
Each of the light emitting regions of the organic electroluminescent device is a portion where the first electrode and the second electrode, which are opposed to each other, intersect and overlap each other. In the case of a color display, one pixel is formed by three individual light emitting regions emitting red, green and blue light. Since the brightness and color balance of the display are designed on the assumption that these light emitting areas emit light uniformly, an insulating layer is formed on the overlapping portion of the first electrode and the second electrode or on the first electrode. In some cases, it is necessary that the part of the range regulated by it emits light.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第一電
極とその上に設置される絶縁層および第二電極とによっ
て規定される発光可能領域の面積に対して、実際に発光
する実発光領域の面積が小さく、すなわち、設計通りの
発光領域が得られない場合が生じている。発光しない部
分は発光可能領域の周辺部に発生することが多く、従っ
て、発光領域の面積が小さくなると同時に、発光領域の
形状が設計したシャープな形状でなく、外形がぼやけた
形状になるなどの影響で、輝度ムラの発生や表示特性の
低下、あるいは、同電圧を印加した際の輝度の低下が起
こる。さらに、実発光領域の面積は経時的に減少してい
く傾向にあり、長時間に渡ってこの現象を抑制すること
は、より一層困難であった。
However, the area of the actual light emitting area that actually emits light is larger than the area of the light emitting area defined by the first electrode and the insulating layer and the second electrode provided thereon. Is small, that is, there is a case where the light emitting region as designed cannot be obtained. The part that does not emit light often occurs in the peripheral part of the light-emissible region. Therefore, at the same time as the area of the light-emitting region is reduced, the shape of the light-emitting region is not the designed sharp shape but the outer shape is blurred. As a result, uneven brightness occurs, display characteristics deteriorate, or brightness decreases when the same voltage is applied. Furthermore, the area of the actual light emitting region tends to decrease with time, and it is more difficult to suppress this phenomenon for a long time.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光装
置は、第一電極とその上に設置される絶縁層および第二
電極とによって規定される発光可能領域の面積が1平方
ミリメートル以下であり、薄膜層形成前に基板を80℃
以上に加熱することで絶縁層を脱水処理することによ
り、該発光可能領域の面積に対して、実際に発光する実
発光領域の面積との比として定義される有効発光率を少
なくとも80%以上にしたことを特徴とする有機電界発
光装置である。また、本発明の別の有機電界発光装置
は、第一電極とその上に設置される絶縁層および第二電
極とによって規定される発光可能領域の面積が1平方ミ
リメートル以下であり、薄膜層形成前に基板を減圧雰囲
気下に10分以上置くことで絶縁層を脱水処理すること
により、該発光可能領域の面積に対して、実際に発光す
る実発光領域の面積との比として定義される有効発光率
を少なくとも80%以上にしたことを特徴とする有機電
界発光装置である。
In the organic electroluminescent device of the present invention, the area of the light-emissible region defined by the first electrode, the insulating layer provided thereon, and the second electrode is 1 square.
The substrate is 80 mm or less before forming the thin film layer.
By dehydrating the insulating layer by heating above
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device, wherein an effective light emission rate defined as a ratio of an area of the light-emissive region to an area of an actual light-emission region that actually emits light is at least 80% or more. In addition, another organic electroluminescent device of the present invention
Is the first electrode and the insulating layer and second electrode
The area of the light-emissible area defined by the poles is 1 square
It is less than 1 meter and the substrate is depressurized in a decompressed atmosphere before forming the thin film layer.
Dehydrate the insulation layer by leaving it under the air for 10 minutes or more
Causes the area of the light emitting region to actually emit light.
Effective emission rate defined as the ratio to the area of the actual emission area
Is at least 80% or more
It is a field light emitting device.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の有機電界発光装置は、基
板上に形成された第一電極と、第一電極の一部を覆うよ
うに形成された絶縁層と、第一電極上に形成された少な
くとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、薄膜
層上に形成された第二電極から構成されているものであ
る。その製造方法には、基板上に形成された第一電極の
一部を覆うように絶縁層を形成する工程、少なくとも有
機化合物からなる発光層を含む薄膜層を前記第一電極上
に形成する工程と、第二電極を前記薄膜層上に形成する
工程が含まれる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The organic electroluminescence device of the present invention is formed on a first electrode, an insulating layer formed so as to cover a part of the first electrode, and formed on the first electrode. And a second electrode formed on the thin film layer including a light emitting layer made of at least an organic compound. The manufacturing method includes a step of forming an insulating layer so as to cover a part of the first electrode formed on the substrate, and a step of forming a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound on the first electrode. And a step of forming a second electrode on the thin film layer.

【0009】個々の発光画素の発光可能領域は、第一電
極と絶縁層と第二電極とによって規定されるものであ
る。単純マトリクス型ディスプレイでは、第一電極と第
二電極はストライプ状に形成されて、相互に交差するも
のであり、絶縁層はその交差部分より小さい開口部をも
つように形成されるので、発光可能領域は矩形状である
ことが多い。アクティブマトリクス型ディスプレイにお
いては、スイッチング手段が形成される部分が発光領域
の一部を占有するように配置されることがあり、発光領
域の形状は矩形状ではなく、一部分が欠落したような形
になることが多い。しかしながら、発光可能領域の形状
はこれらに限定られるものではなく、例えば円形でもよ
く、絶縁層の開口部の形状により容易に変形できる。
The light-emissible area of each light-emitting pixel is defined by the first electrode, the insulating layer, and the second electrode. In a simple matrix type display, the first electrode and the second electrode are formed in a stripe shape and intersect each other, and the insulating layer is formed so as to have an opening smaller than the intersecting portion, so that it can emit light. The area is often rectangular. In the active matrix type display, the part where the switching means is formed may be arranged so as to occupy a part of the light emitting region, and the shape of the light emitting region is not a rectangular shape but a partly lacking shape. Often becomes. However, the shape of the light-emissive region is not limited to these, and may be circular, for example, and can be easily deformed depending on the shape of the opening of the insulating layer.

【0010】本発明では、発光可能領域の面積に対し
て、実際に発光している実発光領域の面積の比を有効発
光率と定義して用いる。非発光と発光の境界は、正常部
の輝度に比較して50%以下になっている部分を非発光
領域とする。発光可能領域が全面で発光している場合
が、有効発光率100%の状態である。しかしながら、
現実的には必ずしもこれを実現することが困難であっ
た。
In the present invention, the ratio of the area of the actual light emitting region that is actually emitting light to the area of the light emitting region is defined and used as the effective light emission rate. As for the boundary between non-light emission and light emission, a portion where the luminance is 50% or less compared to the luminance of the normal portion is set as a non-light emission area. When the light-emissible region emits light over the entire surface, the effective light emission rate is 100%. However,
In reality, it was always difficult to achieve this.

【0011】このような非発光領域が生起する原因は、
第一電極の表面や絶縁層に吸着されている水分が、装置
作製後にその内部に拡散し、発光を阻害するためと考え
られる。このような原因により、初期には発光していた
発光領域周縁部が発光しなくなって、有効発光率が低下
する。
The cause of such a non-luminous region is
It is considered that the water adsorbed on the surface of the first electrode or the insulating layer diffuses into the inside of the device after the device is manufactured and inhibits light emission. Due to such a cause, the peripheral portion of the light emitting region, which initially emits light, does not emit light, and the effective light emission rate decreases.

【0012】本発明の有機電界発光装置の有効発光率は
80%以上である。有効発光率が80%以上であれば、
それに伴う輝度変動などは20%以下に抑制されるので
好ましく、より高い表示品位を得るためには、有効発光
率は90%以上が好ましく、さらに95%以上であるこ
とが好ましい。
The organic electroluminescent device of the present invention has an effective light emission rate of 80% or more. If the effective light emission rate is 80% or more,
The brightness variation and the like accompanying it is suppressed to 20% or less, which is preferable, and in order to obtain higher display quality, the effective light emission rate is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more.

【0013】有機電界発光装置の作製直後に有効発光率
が高くても、時間が経過するにつれて有効発光率が低下
していくのはよく見られる現象である。ディスプレイ用
途では少なくとも5年間は有効発光率が高い値を保つこ
とが好ましいが、このような長期間に渡る有効発光率の
測定は現実的ではない。有効発光率は作製直後に大きく
減少するので、初期の変化を測定することでその後の有
効発光率の減少状態が予測できる。経時的な現象が十分
抑制される判断基準としては作製から7日後、より好ま
しくは1ヶ月後、さらに好ましくは3ヶ月後の有効発光
率が85%以上の値を保持していることが挙げられる。
It is a common phenomenon that the effective light emission rate decreases with time even if the effective light emission rate is high immediately after the fabrication of the organic electroluminescent device. For display applications, it is preferable to maintain a high value of the effective light emission rate for at least 5 years, but such measurement of the effective light emission rate over a long period of time is not practical. Since the effective luminescence rate greatly decreases immediately after fabrication, it is possible to predict the subsequent decrease in the effective luminescence rate by measuring the initial change. A criterion for sufficiently suppressing the phenomenon over time is that the effective light emission rate after 7 days, more preferably after 1 month, and still more preferably after 3 months is 85% or more. .

【0014】単純マトリクス型ディスプレイの場合を例
として、図1および図2に本発明での発光可能領域およ
び実発光領域を示した。図1は、発光可能領域および実
発光領域を示す平面図で、ITO第一電極2、第二電極
8、絶縁層4により規定される発光可能領域15と実発
光領域16が示されている。図2は、図1のXX’断面
図で基板1の上に、第一電極2、絶縁層4、薄膜層1
0、第二電極8が積層されている。
Taking the case of a simple matrix display as an example, FIGS. 1 and 2 show the light emitting region and the actual light emitting region in the present invention. FIG. 1 is a plan view showing a light emitting region and an actual light emitting region, and shows a light emitting region 15 and an actual light emitting region 16 defined by the ITO first electrode 2, the second electrode 8 and the insulating layer 4. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 1, in which the first electrode 2, the insulating layer 4, and the thin film layer 1 are formed on the substrate 1.
0, the second electrode 8 is laminated.

【0015】図1の場合、発光可能領域は、第一電極と
第二電極との交差する部分であって絶縁層の開口部に当
たる領域である。第一電極と第二電極が直交する場合に
は、発光可能領域の面積は第一電極の線幅と第二電極の
線幅から大約の面積を推定することができるが、第一電
極の一部を覆うように絶縁層が形成されるので、第一電
極と第二電極とが重なる部分の面積より若干小さくなる
ことが多い。本発明の有機電界発光装置の発光可能領域
の面積は1平方ミリメートル以下であることが特徴であ
り、さらにその面積が0.1平方ミリメートル以下であ
る場合が多い。
In FIG. 1, the light-emissible region is a region where the first electrode and the second electrode intersect with each other and corresponds to the opening of the insulating layer. When the first electrode and the second electrode are orthogonal to each other, the area of the light-emissible region can be estimated from the line width of the first electrode and the line width of the second electrode. Since the insulating layer is formed so as to cover the portion, it is often slightly smaller than the area of the portion where the first electrode and the second electrode overlap. The organic electroluminescent device of the present invention is characterized in that the area capable of emitting light is 1 mm 2 or less, and in many cases the area is 0.1 mm 2 or less.

【0016】発光可能領域の面積が1平方ミリメートル
というのは、第一電極と第二電極の線幅が1mm程度の
装置の場合である。高精細な表示を行うカラーディスプ
レイの場合には、第一電極が線幅75μm、ピッチ10
0μmで形成され、第二電極は線幅250μm、300
μmピッチで形成されるという例では、発光可能領域の
面積は、0.01875平方ミリメートルとなる。
The area of the light-emissible region is 1 mm 2 when the device has a line width of the first electrode and the second electrode of about 1 mm. In the case of a high-definition color display, the first electrode has a line width of 75 μm and a pitch of 10 μm.
The second electrode has a line width of 250 μm and a width of 300 μm.
In the example of being formed with the μm pitch, the area of the light emitting region is 0.01875 square millimeters.

【0017】本発明の有機電界発光装置は第一電極の一
部を覆うように形成された絶縁層を有している。この絶
縁層は、第一電極と第二電極との短絡を防止し、第一電
極のエッジ部分を保護する機能をもたせることができ
る。絶縁層の材料としては、種々の無機系および有機系
材料が用いられ、無機系材料としては、酸化ケイ素をは
じめとして酸化マンガン、酸化バナジウム、酸化チタ
ン、酸化クロムなどの酸化物材料、ケイ素、ガリウム砒
素などの半導体材料、ガラス材料、セラミック材料など
を、有機系材料としては、ポリビニル系、ポリイミド
系、ポリスチレン系、ノボラック系、シリコーン系など
のポリマー材料などがある。絶縁層の形成には既知の種
々の形成方法を適用することができる。感光性樹脂を利
用したフォトリソ法は好ましい形成方法であり、感光性
樹脂はテーパー形状が得られやすいポジ型であることが
好ましい。特に、信頼性に優れたポジ型の感光性ポリイ
ミドを用いて絶縁層を形成することが好ましい。
The organic electroluminescent device of the present invention has an insulating layer formed so as to cover a part of the first electrode. This insulating layer can have a function of preventing a short circuit between the first electrode and the second electrode and protecting the edge portion of the first electrode. As the material of the insulating layer, various inorganic and organic materials are used. Examples of the inorganic material include silicon oxide and other oxide materials such as manganese oxide, vanadium oxide, titanium oxide, and chromium oxide, silicon, and gallium. Semiconductor materials such as arsenic, glass materials, ceramic materials, and the like, and organic materials include polyvinyl, polyimide, polystyrene, novolac, and silicone polymer materials. Various known forming methods can be applied to the formation of the insulating layer. A photolithography method using a photosensitive resin is a preferable forming method, and the photosensitive resin is preferably a positive type which is easy to obtain a tapered shape. In particular, it is preferable to form the insulating layer using a positive photosensitive polyimide having excellent reliability.

【0018】本発明で形成する絶縁層の厚さは0.1μ
m以上であることが好ましい。無機系材料の絶縁層は、
エッチング法やリフトオフ法を用いてパターニングでき
るが、その厚さを0.1μm以上とすることが好まし
い。フォトレジストなどの有機系材料を用いた場合に
は、むしろ1μm以上の厚さに設置することが可能であ
り、このように少なくとも有機化合物からなる発光層を
含む薄膜層の厚さを上回る厚さに設定することにより、
シャドーマスクを用いたパターニングの際に、絶縁層を
マスク傷を防止するスペーサーとして利用することも可
能になる。
The thickness of the insulating layer formed by the present invention is 0.1 μm.
It is preferably m or more. The insulating layer of inorganic material is
Patterning can be performed using an etching method or a lift-off method, but the thickness is preferably 0.1 μm or more. When an organic material such as a photoresist is used, it can be installed to a thickness of 1 μm or more, and thus the thickness exceeds the thickness of a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound. By setting
When patterning using a shadow mask, the insulating layer can also be used as a spacer that prevents mask scratches.

【0019】本発明の有機電界発光装置の製造には、ガ
ラス基板表面にスパッタリング法などで形成した酸化錫
インジウム(ITO)透明膜を形成したITO基板をフ
ォトリソグラフィ法でパターニングしてストライプ状の
第一電極を形成し、ついで絶縁層を形成する方法が用い
られる。絶縁層の形成には上記のように一般的なフォト
リソグラフィ法やフォトリソグラフィ法と真空蒸着法な
どの組み合わせが用いられる。この後、少なくとも有機
化合物からなる発光層を含む薄膜層を形成し、第二電極
を形成して有機電界発光装置が得られるが、本発明の製
造方法の特徴は、薄膜層形成前に絶縁層を脱水処理する
ところにある。
In order to manufacture the organic electroluminescent device of the present invention, an ITO substrate having a transparent film of indium tin oxide (ITO) formed on the surface of a glass substrate by a sputtering method or the like is patterned by photolithography to form a stripe-shaped first substrate. A method of forming one electrode and then forming an insulating layer is used. As described above, a general photolithography method or a combination of a photolithography method and a vacuum deposition method is used for forming the insulating layer. Thereafter, a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound is formed, and a second electrode is formed to obtain an organic electroluminescence device. The manufacturing method of the present invention is characterized in that an insulating layer is formed before the thin film layer is formed. Is being dehydrated.

【0020】すなわち、薄膜層形成前に基板を80℃以
上に加熱して絶縁層を脱水処理する。もしくは基板を減
圧雰囲気下に置くことで絶縁層を脱水処理する。これら
の加熱による脱水処理、減圧雰囲気下に置く脱水処理は
個々にそれだけを行ってもよいが、それぞれの処理を連
続して行うことや、同時に行うことも効果的である。ま
た、その順番もとくに限定されるものではない。薄膜層
の形成までに減圧雰囲気下に置く総時間は10分以上で
る。また減圧度を高くして短時間で処理するよりは、
減圧雰囲気保持時間を長くする方が好ましい。少なくと
も10分以上、好ましくは20分以上は減圧雰囲気下に
保持することが絶縁層の脱水処理に有効であり、有効発
光率を高める効果を発揮できる。有機電界発光装置の薄
膜層を真空蒸着法などにより製造する場合には、真空排
気の際に脱水処理を同時に行うこともできる。
[0020] That is, you dehydrated insulating layer by heating the substrate to 80 ° C. or higher before the thin film layer formation. Or the substrate you dehydrated insulation layer by placing it in the reduced pressure atmosphere. The dehydration treatment by heating and the dehydration treatment under a reduced pressure atmosphere may be performed individually, but it is also effective to perform each treatment continuously or simultaneously. Also, the order is not particularly limited. The total time of placing under vacuum atmosphere until the formation of the thin film layer is Ru <br/> Ah at 10 minutes or more. Also, rather than increasing the degree of pressure reduction and processing in a short time,
It is preferable to prolong the holding time in the reduced pressure atmosphere. Holding in a reduced pressure atmosphere for at least 10 minutes or longer, preferably 20 minutes or longer is effective for the dehydration treatment of the insulating layer, and the effect of increasing the effective light emission rate can be exhibited. When the thin film layer of the organic electroluminescence device is manufactured by a vacuum vapor deposition method or the like, dehydration treatment can be performed at the same time during evacuation.

【0021】無機系または有機系材料を用いて絶縁層を
形成した後、この形成に伴う後処理を行ってから、基板
を80℃以上で加熱するか、減圧雰囲気下に総時間で1
0分以上置くという処理を経過させること、または、両
者を組み合わせた処理をすることにより、得られる有機
電界発光装置の有効発光率を80%以上に向上させるこ
とができる。
After the insulating layer is formed using an inorganic or organic material, the substrate is heated at a temperature of 80 ° C. or higher, or after the post-treatment associated with this formation, the substrate is heated in a reduced pressure atmosphere for a total time of 1 hour.
The effective emission rate of the obtained organic electroluminescence device can be improved to 80% or more by allowing the treatment of leaving for 0 minutes or more to pass or by performing the treatment in which both are combined.

【0022】絶縁層形成と上記の脱水処理を行った後、
必要に応じて少なくとも一部分が薄膜層の厚さを上回る
高さを有するスペーサーを形成し、次いで発光層を含む
薄膜層を第一電極上に形成する。薄膜層の構成には、
1)正孔輸送層/発光層、2)正孔輸送層/発光層/電
子輸送層、3)発光層/電子輸送層、そして4)以上の
層構成物質を一層に混合した形態の発光層などが考えら
れるが、いずれであってもよい。正孔輸送層、発光層、
電子輸送層などの有機層には公知の材料が用いられる。
これらの薄膜層のパターニング形成にはシャドーマスク
を使用した種々の蒸着法を適用することができる。ま
た、発光層をスピンコート法やインクジェット塗布法な
どで形成するポリマー系有機電界発光素子についても本
発明の脱水処理は有効である。
After performing the insulating layer formation and the above-mentioned dehydration treatment,
If necessary, a spacer having a height at least a part of which exceeds the thickness of the thin film layer is formed, and then a thin film layer including a light emitting layer is formed on the first electrode. The structure of the thin film layer,
1) hole-transporting layer / light-emitting layer, 2) hole-transporting layer / light-emitting layer / electron-transporting layer, 3) light-emitting layer / electron-transporting layer, and 4) light-emitting layer in a form in which the above layer-constituting substances are mixed in one layer. Etc., but any of them may be used. Hole transport layer, light emitting layer,
Known materials are used for the organic layers such as the electron transport layer.
Various deposition methods using a shadow mask can be applied to pattern formation of these thin film layers. The dehydration treatment of the present invention is also effective for a polymer organic electroluminescent device in which a light emitting layer is formed by a spin coating method, an inkjet coating method, or the like.

【0023】その後、隔壁法やマスク蒸着法などにより
第二電極材料を蒸着してストライプ状の第二電極を形成
して目的とする有機電界発光装置を得ることができる。
さらに第二電極形成後に公知の技術で保護膜形成や封止
を行うことがある。
After that, the second electrode material is vapor-deposited by the partition wall method or the mask vapor deposition method to form the stripe-shaped second electrode, whereby the target organic electroluminescence device can be obtained.
Further, after forming the second electrode, a protective film may be formed or sealing may be performed by a known technique.

【0024】[0024]

【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
The present invention will be described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0025】実施例1 厚さ1.1mmの無アルカリガラス表面にスパッタリン
グ蒸着法によって厚さ130nmのITO透明電極膜が
形成されたITOガラス基板(ジオマテック社製)を1
20×100mmの大きさに切断した。ITO基板上に
フォトレジストを塗布して、通常のフォトリソグラフィ
法による露光・現像によってパターニングした。ITO
の不要部分をエッチングして除去した後、フォトレジス
トを除去することで、ITO膜を長さ90mm、幅80
μmのストライプ形状にパターニングした。このストラ
イプ状第一電極は100μmピッチで816本配置され
ている。
Example 1 An ITO glass substrate (manufactured by Geomatec Co., Ltd.) in which an ITO transparent electrode film having a thickness of 130 nm was formed on a 1.1 mm-thick non-alkali glass surface by a sputtering deposition method was used.
It was cut into a size of 20 × 100 mm. A photoresist was applied on the ITO substrate, and patterning was performed by exposure and development using a normal photolithography method. ITO
After removing the unnecessary part of the film by etching, the photoresist is removed to make the ITO film 90 mm long and 80 mm wide.
It was patterned into a stripe shape of μm. 816 stripe-shaped first electrodes are arranged at a pitch of 100 μm.

【0026】次に、ポジ型フォトレジスト(東京応化社
製,OFPR−800)をスピンコート法により第一電
極を形成した基板上に厚さ3μmになるように塗布し
た。この塗布膜にフォトマスクを介してパターン露光
し、現像してフォトレジストのパターニングを行い、現
像後に160℃でキュアした。この絶縁層には幅65μ
m、長さ235μmの開口部が幅方向に100μmピッ
チで816個、長さ方向に300μmピッチで200個
配置されている。絶縁層は第一電極の端部を覆い、その
開口部から第一電極の中央部分が露出している。
Next, a positive photoresist (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied by spin coating to a thickness of 3 μm on the substrate on which the first electrode was formed. This coating film was pattern-exposed through a photomask, developed to pattern the photoresist, and cured at 160 ° C. after development. This insulating layer has a width of 65μ
Openings having a length of m and a length of 235 μm are arranged in the width direction at 816 pitches of 100 μm and in the length direction at 200 pitches of 300 μm. The insulating layer covers the end portion of the first electrode, and the central portion of the first electrode is exposed from the opening.

【0027】このように絶縁層を形成した基板は、乾燥
空気中で真空乾燥機に移して、室温、10Paの減圧雰
囲気下に10分間置いて脱水処理を行った。
The substrate having the insulating layer thus formed was transferred to a vacuum dryer in dry air and placed in a vacuum atmosphere at room temperature and 10 Pa for 10 minutes for dehydration treatment.

【0028】発光層を含む薄膜層は、抵抗線加熱方式に
よる真空蒸着法によって形成した。なお、蒸着時の真空
度は2×10-4Pa以下であり、蒸着中は蒸着源に対し
て基板を回転させた。まず、図3に示すような配置にお
いて、銅フタロシアニンを15nm、ビス(N−エチル
カルバゾール)を60nm基板全面に蒸着して正孔輸送
層5を形成した。
The thin film layer including the light emitting layer was formed by a vacuum vapor deposition method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum during vapor deposition was 2 × 10 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to the vapor deposition source during vapor deposition. First, in the arrangement as shown in FIG. 3, copper phthalocyanine having a thickness of 15 nm and bis (N-ethylcarbazole) having a thickness of 60 nm were vapor-deposited on the entire surface of the substrate to form the hole transport layer 5.

【0029】発光層パターニング用として、図4に示し
たようにマスク部分と補強線とが同一平面内に形成され
たシャドーマスクを用いた。シャドーマスクの外形は1
20×84mm、マスク部分31の厚さは25μmであ
り、長さ64mm、幅100μmのストライプ状開口部
32がピッチ300μmで272本配置されている。各
ストライプ状開口部には、開口部と直交する幅20μ
m、厚さ25μmの補強線33が1.8mm間隔に形成
されている。シャドーマスクは外形が等しい幅4mmの
ステンレス鋼製フレーム34に固定されている。
For patterning the light emitting layer, a shadow mask having a mask portion and a reinforcing line formed in the same plane as shown in FIG. 4 was used. Shadow mask outline is 1
20 × 84 mm, the mask portion 31 has a thickness of 25 μm, and 272 stripe-shaped openings 32 having a length of 64 mm and a width of 100 μm are arranged at a pitch of 300 μm. Each stripe-shaped opening has a width of 20 μ perpendicular to the opening.
Reinforcing wires 33 having a thickness of m and a thickness of 25 μm are formed at intervals of 1.8 mm. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having a uniform width and a width of 4 mm.

【0030】発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
(日立金属社製、YBM−1B)を配置した。この際、
図5および図6に示したように、ストライプ状第一電極
2がシャドーマスクのストライプ状開口部32の中心に
位置し、補強線33が絶縁層上に位置し、かつ補強線と
絶縁層が接触するように配置される。この状態で0.3
重量%の1,3,5,7,8−ペンタメチル−4,4−
ジフロロ−4−ボラ−3a,4a−ジアザ−s−インダ
セン(PM546)をドーピングした8−ヒドロキシキ
ノリン−アルミニウム錯体(Alq3)を21nm蒸着
し、緑色発光層をパターニングした。
A shadow mask for the light emitting layer was placed in front of the substrate to bring them into close contact with each other, and a ferrite plate magnet (YBM-1B, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) was placed behind the substrate. On this occasion,
As shown in FIGS. 5 and 6, the stripe-shaped first electrode 2 is located at the center of the stripe-shaped opening 32 of the shadow mask, the reinforcing wire 33 is located on the insulating layer, and the reinforcing wire and the insulating layer are Arranged to touch. 0.3 in this state
Wt% 1,3,5,7,8-pentamethyl-4,4-
Difluoro-4-bora -3a, 4a-diaza -s- indacene (PM546) doped with 8-hydroxyquinoline - aluminum complex (Alq 3) was 21nm deposited and patterned green emission layer.

【0031】次に、シャドーマスクを1ピッチ分ずらし
た位置の第一電極パターンに位置合わせして、1重量%
の4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(ジュ
ロリジルスチリル)ピラン(DCJT)をドーピングし
たAlq3を15nm蒸着して、赤色発光層をパターニ
ングした。
Next, the shadow mask is aligned with the first electrode pattern at a position shifted by one pitch, and the shadow mask is adjusted to 1% by weight.
Alq 3 doped with 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (julolidylstyryl) pyran (DCJT) of 15 nm was vapor-deposited with a thickness of 15 nm to pattern the red light emitting layer.

【0032】さらにシャドーマスクを1ピッチ分ずらし
た位置の第一電極パターンに位置合わせして、4,4’
−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ジフェニル(D
PVBi)を20nm蒸着して、青色発光層をパターニ
ングした。緑色、赤色、青色それぞれの発光層は、スト
ライプ状第一電極の3本ごとに配置され、第一電極の露
出部分を完全に覆っている。
Further, the shadow mask is aligned with the first electrode pattern at a position shifted by one pitch, and 4, 4 '
-Bis (2,2'-diphenylvinyl) diphenyl (D
PVBi) was evaporated to a thickness of 20 nm to pattern the blue light emitting layer. The green, red, and blue light emitting layers are arranged for every three stripe-shaped first electrodes, and completely cover the exposed portions of the first electrodes.

【0033】次に図7に示した配置において、DPVB
iを35nm、Alq3を10nm基板全面に蒸着し
た。この後、薄膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング
(膜厚換算量0.5nm)した。
Next, in the arrangement shown in FIG. 7, DPVB
i was 35 nm and Alq 3 was 10 nm on the entire surface of the substrate. After that, the thin film layer was exposed to lithium vapor for doping (film thickness conversion amount 0.5 nm).

【0034】第二電極パターニング用として、図8およ
び図9に示すようなマスク部分31の一方の面35と補
強線33との間に隙間36が存在する構造のシャドーマ
スクを用いた。シャドーマスクの外形は120×84m
m、マスク部分の厚さは100μmであり、長さ100
mm、幅250μmのストライプ状開口部32がピッチ
300μmで200本配置されている。マスク部分の上
には、幅40μm、厚さ35μm、対向する二辺の間隔
が200μmの正六角形構造からなるメッシュ状の補強
線が形成されている。隙間の高さはマスク部分の厚さと
等しく100μmである。シャドーマスクは外形が等し
い幅4mmのステンレス鋼製フレーム34に固定されて
いる。
For patterning the second electrode, a shadow mask having a structure in which a gap 36 exists between one surface 35 of the mask portion 31 and the reinforcing line 33 as shown in FIGS. 8 and 9 was used. The outer shape of the shadow mask is 120 x 84 m
m, the thickness of the mask portion is 100 μm, and the length is 100
200 stripe-shaped openings 32 having a width of 250 mm and a width of 250 μm are arranged at a pitch of 300 μm. On the mask portion, a mesh-like reinforcing wire having a regular hexagonal structure having a width of 40 μm, a thickness of 35 μm, and an interval between opposite two sides of 200 μm is formed. The height of the gap is 100 μm, which is equal to the thickness of the mask portion. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having a uniform width and a width of 4 mm.

【0035】第二電極は、抵抗線加熱方式による真空蒸
着法によって形成した。なお、蒸着時の真空度は3×1
-4Pa以下であり、蒸着中は2つの蒸着源に対して基
板を回転させた。発光層のパターニングと同様に、第二
電極用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着
させ、基板後方には磁石を配置した。この際、図10お
よび図11に示すように、絶縁層がマスク部分31の位
置と一致するように両者を配置する。この状態でアルミ
ニウムを400nmの厚さに蒸着して、第二電極8をパ
ターニングした。第二電極は、間隔をあけて配置された
複数のストライプ状にパターニングされている第一電極
と直交する配置で、間隔をあけて配置されたストライプ
状にパターニングされている。
The second electrode was formed by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum during vapor deposition is 3 × 1.
The pressure was 0 −4 Pa or less, and the substrate was rotated with respect to two vapor deposition sources during vapor deposition. Similar to the patterning of the light emitting layer, a shadow mask for the second electrode was placed in front of the substrate to bring them into close contact with each other, and a magnet was placed behind the substrate. At this time, as shown in FIGS. 10 and 11, both of them are arranged so that the insulating layer coincides with the position of the mask portion 31. In this state, aluminum was vapor-deposited to a thickness of 400 nm to pattern the second electrode 8. The second electrode is arranged orthogonally to the first electrodes that are patterned in a plurality of stripes arranged at intervals, and is patterned in a stripe shape arranged at intervals.

【0036】このようにして幅70μm、ピッチ100
μm、本数816本のITOストライプ状第一電極上
に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および
青色発光層が形成され、第一電極と直交するように幅2
50μm、ピッチ300μmのストライプ状第二電極が
200本配置された単純マトリクス型カラー有機電界発
光装置を作製した。赤、緑、青の3つの発光領域が1画
素を形成するので、本発光装置は300μmピッチで2
72×200画素を有する。1つの発光画素の発光可能
領域は絶縁層の開口部により規制されるので幅65μm
で長さ235μmであり、発光可能領域の面積は0.0
15275平方ミリメートルである。
Thus, the width is 70 μm and the pitch is 100.
A patterned green light emitting layer, a red light emitting layer, and a blue light emitting layer are formed on the ITO stripe-shaped first electrode of μm and the number of which is 816, and the width is 2 so as to be orthogonal to the first electrode.
A simple matrix type color organic electroluminescence device in which 200 stripe-shaped second electrodes having a pitch of 50 μm and a pitch of 300 μm were arranged was produced. Since the three light emitting regions of red, green, and blue form one pixel, the present light emitting device has two pitches of 300 μm.
It has 72 × 200 pixels. The light emitting area of one light emitting pixel is regulated by the opening of the insulating layer, so the width is 65 μm.
And the length is 235 μm, and the area of the light-emissive region is 0.0
It is 15275 square millimeters.

【0037】本装置を蒸着機から取り出し、ロータリー
ポンプによる減圧雰囲気下で20分間保持した後、露点
−100℃以下のアルゴン雰囲気下に移した。この低湿
雰囲気下にて、基板と封止用ガラス板とを硬化性エポキ
シ樹脂を用いて貼り合わせることで封止した。
The apparatus was taken out of the vapor deposition machine, kept under a reduced pressure atmosphere by a rotary pump for 20 minutes, and then transferred to an argon atmosphere having a dew point of -100 ° C or lower. In this low-humidity atmosphere, the substrate and the glass plate for sealing were bonded together by using a curable epoxy resin for sealing.

【0038】本有機電界発光装置の製造直後の有効発光
率は多くの部分で100%、最低の部分でも90%であ
り、各画素の有効発光率のバラツキが小さいために、線
順次駆動法で輝度ムラの少ない良好な表示特性が得られ
た。また、3ヶ月経過後でも有効発光率は85%より高
い値を保持していた。
Immediately after manufacturing the organic electroluminescent device, the effective light emission rate is 100% in many parts and 90% in the lowest part. Since the variation in the effective light emission rate of each pixel is small, the line sequential driving method is used. Good display characteristics with less uneven brightness were obtained. Further, the effective light emission rate was higher than 85% even after 3 months.

【0039】実施例2 絶縁層を形成した基板を、乾燥空気中で真空乾燥機に移
して、室温、10Paの減圧雰囲気下に20分間置いて
脱水処理を行った以外は、実施例1と同様にして有機電
界発光装置を作製した。作製直後の有効発光率は多くの
部分で100%、最低の部分でも96%であり、各画素
の有効発光率のバラツキが小さいために、実施例1に比
べてもより輝度ムラの少ない良好な表示特性が得られ
た。また、1ヶ月経過後も有効発光率に変化は認められ
なかった。3ヶ月経過後でも有効発光率に大きな変化は
認められなかった。
Example 2 The same as Example 1 except that the substrate on which the insulating layer was formed was transferred to a vacuum dryer in dry air and placed under a reduced pressure atmosphere of room temperature and 10 Pa for 20 minutes for dehydration treatment. Then, an organic electroluminescence device was produced. The effective light emission rate immediately after fabrication was 100% in many parts and 96% in the lowest part. Since the variation in the effective light emission rate of each pixel was small, the brightness unevenness was better than that of Example 1 and good. Display characteristics were obtained. In addition, no change was observed in the effective luminescence rate after one month. No significant change was observed in the effective emission rate even after 3 months.

【0040】実施例3 絶縁層を形成した基板を、乾燥空気中で真空乾燥機に移
して、80℃に加熱した後、10Paの減圧雰囲気下に
30分間置いて脱水処理を行った以外は、実施例1と同
様にして有機電界発光装置を作製した。作製直後の有効
発光率はほとんどの部分で100%、最低の部分でも9
8%であり、各画素の有効発光率のバラツキが小さいた
めに、実施例2に比べてもさらに輝度ムラの少ない良好
な表示特性が得られた。また、1ヶ月経過後も有効発光
率に変化は認められなかった。3ヶ月経過後でも有効発
光率に大きな変化は認められなかった。
Example 3 The substrate on which the insulating layer was formed was transferred to a vacuum drier in dry air, heated to 80 ° C., and then placed in a depressurized atmosphere of 10 Pa for 30 minutes for dehydration treatment. An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 1. Immediately after fabrication, the effective light emission rate is 100% in most parts and 9 even in the lowest parts.
Since it was 8%, and the variation in the effective light emission rate of each pixel was small, good display characteristics with less luminance unevenness were obtained compared to Example 2. In addition, no change was observed in the effective luminescence rate after one month. No significant change was observed in the effective emission rate even after 3 months.

【0041】比較例1 絶縁層を形成した基板を脱水処理しなかったこと以外
は、実施例1と同様にして有機電界発光装置を作製し
た。有効発光率は作製直後から多くの部分で80%未満
となり、各画素の有効発光率のバラツキが大きいため
に、輝度ムラの目立つ表示特性しか得られなかった。ま
た、1日後には有効発光率は70%未満に低下した。こ
れは、実施例と同じ輝度を得るためには、大きな電流密
度が必要となり、実施例に比べて素子への負担が増大す
ることを意味する。また、絶縁層から薄膜層への水分の
拡散により、短絡して非発光化する画素数が経時的に増
加したため、表示特性がさらに悪化した。
Comparative Example 1 An organic electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate having the insulating layer was not dehydrated. The effective light emission rate was less than 80% in many parts immediately after the production, and the variation in the effective light emission rate of each pixel was large, so that only display characteristics with conspicuous luminance unevenness were obtained. Further, the effective luminescence rate decreased to less than 70% after 1 day. This means that a large current density is required to obtain the same brightness as that of the embodiment, and the load on the element is increased as compared with the embodiment. Further, the diffusion of water from the insulating layer to the thin film layer causes the number of pixels that are short-circuited and become non-luminous to increase with time, which further deteriorates the display characteristics.

【0042】実施例4 実施例1と同様にして第一電極のパターニングを行っ
た。次に、ポジ型感光性ポリイミド前駆体(東レ(株)
製、PW−1000)の濃度調整を行い、スピンコート
法により第一電極を形成した基板上に塗布し、ホットプ
レート上で120℃で2分間プリベークした。この膜に
フォトマスクを介してUV露光した後、2.38%TM
AH水溶液で露光部分のみを溶解させることで現像し、
純水でリンスした。得られたポリイミド前駆体パターン
をクリーンオーブン中の窒素雰囲下で170℃、30
分、さらに、320℃で60分加熱してキュアした。こ
のポリイミドからなる絶縁層には幅65μm、長さ23
5μmの開口部が幅方向に100μmピッチで816
個、長さ方向に300μmピッチで200個配置されて
いる。絶縁層は第一電極の端部を覆い、その開口部から
第一電極の中央部分が露出している。絶縁層の厚さは約
4μmであり、体積抵抗率は少なくとも108Ωcmあ
ることを確認した。絶縁層の境界部分の断面は順テーパ
ー形状であり、テーパー角度は約45°であった。
Example 4 The first electrode was patterned in the same manner as in Example 1. Next, a positive photosensitive polyimide precursor (Toray Industries, Inc.)
Manufactured by PW-1000), the concentration was adjusted, the solution was applied onto the substrate on which the first electrode was formed by spin coating, and prebaked on a hot plate at 120 ° C. for 2 minutes. After this film was exposed to UV through a photomask, 2.38% TM
Develop by dissolving only the exposed part with AH aqueous solution,
Rinse with pure water. The obtained polyimide precursor pattern was heated at 170 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere in a clean oven.
Minute, and further, cured by heating at 320 ° C. for 60 minutes. The polyimide insulating layer has a width of 65 μm and a length of 23
5 μm openings are 816 at 100 μm pitch in width direction
200 pieces are arranged at a pitch of 300 μm in the length direction. The insulating layer covers the end portion of the first electrode, and the central portion of the first electrode is exposed from the opening. It was confirmed that the thickness of the insulating layer was about 4 μm and the volume resistivity was at least 10 8 Ωcm. The cross section of the boundary portion of the insulating layer had a forward tapered shape, and the taper angle was about 45 °.

【0043】脱水処理については実施例3と同様に行っ
た。薄膜層および第二電極の形成と封止については実施
例1と同様に行った。
The dehydration treatment was carried out in the same manner as in Example 3. The thin film layer and the second electrode were formed and sealed in the same manner as in Example 1.

【0044】得られた有機電界発光装置の作製直後の有
効発光率はほとんどの部分で100%、最低の部分でも
96%であり、各画素の有効発光率のバラツキが小さい
ために、輝度ムラの少ない良好な表示特性が得られた。
また、1ヶ月経過後も有効発光率に変化は認められなか
った。3ヶ月経過後でも有効発光率に大きな変化は認め
られなかった。
The effective light emission rate of the obtained organic electroluminescence device immediately after fabrication was 100% in most parts and 96% in the lowest part, and the variation in the effective light emission rate of each pixel was small, resulting in uneven brightness. A few good display characteristics were obtained.
In addition, no change was observed in the effective luminescence rate after one month. No significant change was observed in the effective emission rate even after 3 months.

【0045】実施例5 実施例1と同様にして第一電極のパターニングを行っ
た。つぎにネガティブ型のリフトオフ用フォトレジスト
(日本ゼオン社製:ZPN1100)を全面に厚さ3μ
mに塗布した。このレジストのパターニングに用いたフ
ォトマスクは、65μm幅で235μmの長さの開口部
が幅方向は100μmピッチで、長さ方向は300μm
ピッチで配置されたものを用いた。ストライプ状の第一
電極上にフォトマスクの幅65μmがその中心に配置さ
れるように位置合わせしてパターニングした。
Example 5 The first electrode was patterned in the same manner as in Example 1. Next, a negative type lift-off photoresist (ZPN1100 manufactured by Zeon Corporation) is applied to a thickness of 3 μm on the entire surface.
m. The photomask used for patterning this resist has openings of 65 μm width and 235 μm length with a pitch of 100 μm in the width direction and 300 μm in the length direction.
Those arranged at a pitch were used. The patterning was performed by aligning the photomask with a width of 65 μm on the stripe-shaped first electrode in the center thereof.

【0046】このリフトオフレジストのパターン形状は
逆テーパー型になるのが特徴である。引き続きガラス基
板の全面に電子ビーム蒸着法で厚さ150nmの酸化ケ
イ素膜を形成した。この基板をアセトン中で超音波洗浄
するとリフトオフレジストが溶解し、レジストの開口部
に蒸着された酸化ケイ素膜が第一電極上に残留する。す
なわち、絶縁膜はリフトオフレジストのパターニングに
用いたフォトマスクのパターン配置と一致した幅65μ
mで長さ235μmの開口部が、幅方向には100μm
ピッチで、長さ方向には300μmピッチで配置された
ものとなる。すなわち、これらの開口部を除く基板上に
絶縁層が形成される。
The feature of this lift-off resist is that it has a reverse taper shape. Subsequently, a silicon oxide film having a thickness of 150 nm was formed on the entire surface of the glass substrate by the electron beam evaporation method. When this substrate is ultrasonically cleaned in acetone, the lift-off resist is dissolved, and the silicon oxide film deposited on the opening of the resist remains on the first electrode. That is, the insulating film has a width of 65 μm that matches the pattern arrangement of the photomask used for patterning the lift-off resist.
235 μm long opening with 100 μm in width direction
The pitch is 300 μm in the length direction. That is, the insulating layer is formed on the substrate excluding these openings.

【0047】第一電極および絶縁層が形成された基板上
にポリイミド系感光性コーティング剤(東レ社製、UR
−3100)をスピンコートし、クリーンオーブン中、
窒素雰囲気下で80℃、1時間プレベーキングした。次
に、この塗布膜にフォトマスクを介してパターン露光し
た後、現像液(東レ社製、DV−505)を用いた現像
した。その後クリーンオーブン中で180℃、30分
間、さらに220℃で30分間ベーキングを行って、第
一電極と直交する隔壁を形成した。この半透明で電気絶
縁性の隔壁は絶縁層上に位置しており、長さ104m
m、幅50μm、高さ4μmであり、300μmピッチ
で201本配置されている。
A polyimide-based photosensitive coating agent (manufactured by Toray Industries, Inc., UR) on the substrate on which the first electrode and the insulating layer are formed.
-3100) by spin coating in a clean oven,
Prebaking was performed at 80 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. Next, this coating film was pattern-exposed through a photomask and then developed using a developer (Toray Industries, Inc., DV-505). Thereafter, baking was performed in a clean oven at 180 ° C. for 30 minutes, and further at 220 ° C. for 30 minutes to form partition walls orthogonal to the first electrode. The semi-transparent and electrically insulating partition is located on the insulating layer and has a length of 104 m.
m, width 50 μm, height 4 μm, and 201 pieces are arranged at a pitch of 300 μm.

【0048】脱水処理については実施例3と同様に行っ
た。薄膜層の形成は実施例1と同様に行った。第二電極
の形成には隔壁法を用いた。すなわち、基板を蒸着源に
対して傾けて設置した状態で斜め蒸着を行い、400n
mのアルミニウムを蒸着した。封止については実施例1
と同様に行った。
The dehydration treatment was carried out in the same manner as in Example 3. The thin film layer was formed in the same manner as in Example 1. The partition method was used for forming the second electrode. That is, oblique deposition is performed in a state where the substrate is installed at an angle with respect to the deposition source, and
m aluminum was deposited. Example 1 for sealing
I went the same way.

【0049】得られた有機電界発光装置の作製直後の有
効発光率はほとんどの部分で100%、最低の部分でも
98%であり、各画素の有効発光率のバラツキが小さい
ために、輝度ムラの少ない良好な表示特性が得られた。
また、1ヶ月経過後も有効発光率に変化は認められなか
った。3ヶ月経過後でも有効発光率に大きな変化は認め
られなかった。
Immediately after manufacturing the obtained organic electroluminescent device, the effective light emission rate was 100% in most parts and 98% in the lowest part. Since the variation in the effective light emission rate of each pixel was small, uneven brightness was caused. A few good display characteristics were obtained.
In addition, no change was observed in the effective luminescence rate after one month. No significant change was observed in the effective emission rate even after 3 months.

【0050】実施例6 実施例1と同様にしてITOをパターニングし、長さ9
0mm、幅270μ、ピッチ300μmのストライプ状
第一電極を272本形成した。
Example 6 ITO was patterned in the same manner as in Example 1 to give a length of 9
272 stripe-shaped first electrodes having a width of 0 mm, a width of 270 μm, and a pitch of 300 μm were formed.

【0051】次に、実施例1と同様にして絶縁層をパタ
ーニングし、幅265μm、長さ750μmの開口部が
幅方向には300μmピッチで272個、長さ方向には
900μmピッチで66個配置されている。脱水処理は
実施例3と同様に行い、正孔輸送層は実施例1と同様に
形成した。
Next, the insulating layer was patterned in the same manner as in Example 1 to arrange 272 opening portions having a width of 265 μm and a length of 750 μm at a pitch of 300 μm in the width direction and at a pitch of 900 μm in the length direction. Has been done. The dehydration treatment was performed in the same manner as in Example 3, and the hole transport layer was formed in the same manner as in Example 1.

【0052】発光層パターニング用として、図4に示し
たようにマスク部分と補強線とが同一平面内に形成され
た構造のシャドーマスクを用意した。シャドーマスクの
外形は120×84mm、マスク部分31の厚さは25
μmであり、長さ64mm、幅305μmのストライプ
状開口部32がピッチ900μmで横方向に92本配置
されている。各ストライプ状開口部には、開口部と直交
する幅20μm、厚さ25μmの補強線33が1.8m
mおきに形成されている。また、シャドーマスクは外形
が等しい幅4mmのステンレス鋼製フレーム34に固定
されている。このマスクを用いて実施例1と同様に発光
層をパターニングした。
For patterning the light emitting layer, a shadow mask having a structure in which a mask portion and a reinforcing line were formed in the same plane as shown in FIG. 4 was prepared. The outer shape of the shadow mask is 120 × 84 mm, and the thickness of the mask portion 31 is 25.
92 stripes 32 having a length of 64 mm and a width of 305 μm are arranged laterally at a pitch of 900 μm. In each stripe-shaped opening, a reinforcing wire 33 having a width of 20 μm and a thickness of 25 μm orthogonal to the opening is 1.8 m.
It is formed every m. Further, the shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having a uniform width and a width of 4 mm. Using this mask, the light emitting layer was patterned in the same manner as in Example 1.

【0053】DPVBiおよびAlq3の蒸着、Liの
ドーピングについては実施例1と同様に行った。
The vapor deposition of DPVBi and Alq 3 and the doping of Li were performed in the same manner as in Example 1.

【0054】第二電極パターニング用として、図8およ
び図9に示すようにマスク部分31の一方の面35と補
強線33との間に隙間36が存在する構造のシャドーマ
スクを用意した。シャドーマスクの外形は120×84
mm、マスク部分の厚さは170μmであり、長さ10
0mm、幅770μmのストライプ状開口部32がピッ
チ900μmで横方向に66本配置されている。マスク
部分の上には、幅45μm、厚さ40μm、対向する二
辺の間隔が200μmの正六角形構造からなるメッシュ
状の補強線が形成されている。隙間の高さはマスク部分
の厚さと等しく170μmである。また、シャドーマス
クは外形が等しい幅4mmのステンレス鋼製フレーム3
4に固定されている。このマスクを用いて実施例1と同
様に第二電極をパターニングした。
For patterning the second electrode, a shadow mask having a structure in which a gap 36 exists between one surface 35 of the mask portion 31 and the reinforcing line 33 as shown in FIGS. 8 and 9 was prepared. The external shape of the shadow mask is 120 × 84
mm, the thickness of the mask portion is 170 μm, and the length is 10
Sixty stripe-shaped openings 32 having a width of 0 mm and a width of 770 μm are arranged laterally at a pitch of 900 μm. On the mask portion, a mesh-like reinforcing wire having a regular hexagonal structure having a width of 45 μm, a thickness of 40 μm, and an interval between opposite two sides of 200 μm is formed. The height of the gap is 170 μm, which is equal to the thickness of the mask portion. In addition, the shadow mask is made of a stainless steel frame 3 with a uniform width of 4 mm.
It is fixed at 4. Using this mask, the second electrode was patterned in the same manner as in Example 1.

【0055】このようにして幅270μm、ピッチ30
0μm、本数272本のITOストライプ状第一電極上
に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および
青色発光層が形成され、第一電極と直交するように幅7
70μm、ピッチ900μmのストライプ状第二電極が
66本配置された単純マトリクス型カラー有機電界発光
装置を作製した。赤、緑、青の3つの発光領域が1画素
を形成するので、本発光装置は900μmピッチで90
×66画素を有する。1つの発光画素の発光可能領域は
絶縁層の開口部により規制されるので幅265μmで長
さ750μmであり、発光可能領域の面積は0.198
75平方ミリメートルである。封止については実施例1
と同様に行った。
Thus, the width is 270 μm and the pitch is 30.
A patterned green light-emitting layer, a red light-emitting layer and a blue light-emitting layer are formed on an ITO stripe-shaped first electrode having a thickness of 0 μm and a number of 272, and a width 7 is formed so as to be orthogonal to the first electrode.
A simple matrix type color organic electroluminescent device in which 66 stripe-shaped second electrodes having a pitch of 70 μm and a pitch of 900 μm were arranged was produced. Since the three light emitting regions of red, green, and blue form one pixel, this light emitting device has 90
It has × 66 pixels. Since the light-emissible area of one light-emission pixel is regulated by the opening of the insulating layer, it has a width of 265 μm and a length of 750 μm, and the area of the light-emissible area is 0.198.
It is 75 square millimeters. Example 1 for sealing
I went the same way.

【0056】本有機電界発光装置の製造直後の有効発光
率は多くの部分で100%、最低の部分でも99%であ
り、各画素の有効発光率のバラツキが小さいために、線
順次駆動法で輝度ムラの少ない良好な表示特性が得られ
た。また、1ヶ月経過後も有効発光率に変化は認められ
なかった。3ヶ月経過後でも有効発光率に大きな変化は
認められなかった。
Immediately after the production of this organic electroluminescent device, the effective light emission rate is 100% in many parts and 99% in the lowest part. Since the variation in the effective light emission rate of each pixel is small, the line sequential driving method is used. Good display characteristics with less uneven brightness were obtained. In addition, no change was observed in the effective luminescence rate after one month. No significant change was observed in the effective emission rate even after 3 months.

【0057】[0057]

【発明の効果】画素の発光可能領域の内、実際に発光す
る領域の面積を表す有効発光率を80%以上とすること
で、輝度ムラなどが少ない良好な表示特性を得ることが
できる。また、有機電界発光装置への負担も減少し、画
素の短絡も抑制する効果がある。作製から1ヶ月後、さ
らには、3ヶ月後の有効発光率が85%以上であれば、
その後の有効発光率の大きな減少はなく、長期間に渡っ
て安定した表示特性が期待できる。このような有機電界
発光装置は、絶縁層形成後に基板を80℃以上の温度で
熱処理するか、減圧雰囲気下に10分間以上置く脱水処
理を行うことにより得ることができる。
EFFECTS OF THE INVENTION By setting the effective light emission rate, which represents the area of the region that actually emits light, in the light emitting region of the pixel to 80% or more, good display characteristics with less uneven brightness can be obtained. Further, the load on the organic electroluminescent device is reduced, and the short circuit of the pixel can be suppressed. If the effective light emission rate is 85% or more after 1 month, and further after 3 months,
There is no significant decrease in the effective light emission rate thereafter, and stable display characteristics can be expected over a long period of time. Such an organic electroluminescence device can be obtained by heat-treating the substrate at a temperature of 80 ° C. or higher after forming the insulating layer, or by performing a dehydration treatment of leaving the substrate in a reduced pressure atmosphere for 10 minutes or more.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】発光可能領域および実発光領域を説明する平面
図。
FIG. 1 is a plan view illustrating a light emitting area and an actual light emitting area.

【図2】図1のXX’断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX ′ of FIG.

【図3】正孔輸送層の形成方法の一例を説明するXX’
断面図。
FIG. 3 is an XX ′ illustrating an example of a method for forming a hole transport layer.
Sectional view.

【図4】発光層パターニング用シャドーマスクの一例を
示す平面図。
FIG. 4 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a light emitting layer.

【図5】発光層パターニング方法の一例を説明するX
X’断面図。
FIG. 5 illustrates an example X of a method for patterning a light emitting layer.
X'sectional view.

【図6】発光層パターニング方法の一例を説明するY
Y’断面図。
FIG. 6 illustrates an example of a light emitting layer patterning method Y
Y'sectional view.

【図7】電子輸送層の形成方法の一例を説明するXX’
断面図。
FIG. 7 is XX ′ illustrating an example of a method for forming an electron transport layer.
Sectional view.

【図8】第二電極パターニング用シャドーマスクの一例
を示す平面図。
FIG. 8 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a second electrode.

【図9】第二電極パターニング用シャドーマスクの一例
を示す断面図。
FIG. 9 is a sectional view showing an example of a shadow mask for patterning a second electrode.

【図10】第二電極パターニングの一例を説明するX
X’断面図。
FIG. 10 illustrates an example X of patterning the second electrode.
X'sectional view.

【図11】第二電極パターニングの一例を説明するY
Y’断面図。
FIG. 11 is a diagram Y illustrating an example of second electrode patterning.
Y'sectional view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 第一電極 4 絶縁層 5 正孔輸送層 6 発光層 7 電子輸送層 8 第二電極 10 薄膜層 11 正孔輸送材料 12 発光材料 13 電子輸送材料 14 第二電極材料 15 発光可能領域 16 実発光領域 30 シャドーマスク 31 マスク部分 32 開口部 33 補強線 34 フレーム 35 マスク部分の一方の面 36 隙間 1 substrate 2 First electrode 4 insulating layers 5 Hole transport layer 6 light emitting layer 7 Electron transport layer 8 Second electrode 10 thin film layers 11 Hole transport materials 12 Luminescent material 13 Electronic transport materials 14 Second electrode material 15 Light emitting area 16 Real light emission area 30 shadow mask 31 Mask part 32 openings 33 Reinforcement line 34 frames 35 One side of mask part 36 gap

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05B 33/12 H05B 33/12 B 33/14 33/14 A (56)参考文献 特開2000−150147(JP,A) 特開2000−30871(JP,A) 特開2000−21579(JP,A) 特開2001−110573(JP,A) 特開2002−62422(JP,A) 特開2001−126862(JP,A) 国際公開01/072091(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 33/00 - 33/28 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H05B 33/12 H05B 33/12 B 33/14 33/14 A (56) References JP 2000-150147 (JP, A) Special features Open 2000-30871 (JP, A) JP 2000-21579 (JP, A) JP 2001-110573 (JP, A) JP 2002-62422 (JP, A) JP 2001-126862 (JP, A) International Publication 01/072091 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H05B 33/00-33/28

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に形成された第一電極と、第一電極
の一部を覆うように形成された絶縁層と、第一電極上に
形成された少なくとも有機化合物からなる発光層を含む
薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機
電界発光装置であって、前記第一電極と前記絶縁層と前
記第二電極とによって規定される発光可能領域の面積
1平方ミリメートル以下であり、薄膜層形成前に基板を
80℃以上に加熱することで絶縁層を脱水処理すること
により、該発光可能領域の面積に対する、実際に発光す
る実発光領域の面積の比として定義される有効発光率
80%以上にしたことを特徴とする有機電界発光装置。
1. A first electrode formed on a substrate, an insulating layer formed so as to cover a part of the first electrode, and a light emitting layer made of at least an organic compound formed on the first electrode. An organic electroluminescent device including a thin film layer and a second electrode formed on the thin film layer, wherein an area of a light-emissible region defined by the first electrode, the insulating layer, and the second electrode is
It is less than 1 mm2, and the substrate is
Dehydrating the insulating layer by heating it to 80 ℃ or higher
Accordingly, with respect to the area of the light emitting area, actually organic electroluminescent device, characterized in that the effective light emitting ratio defined in 80% or more as a ratio of the area of the actual emission region emits light.
【請求項2】基板上に形成された第一電極と、第一電極
の一部を覆うように形成された絶縁層と、第一電極上に
形成された少なくとも有機化合物からなる発光層を含む
薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機
電界発光装置であって、前記第一電極と前記絶縁層と前
記第二電極とによって規定される発光可能領域の面積
1平方ミリメートル以下であり、薄膜層形成前に基板を
減圧雰囲気下に10分以上置くことで絶縁層を脱水処理
することにより、該発光可能領域の面積に対する、実際
に発光する実発光領域の面積の比として定義される有効
発光率を80%以上にしたことを特徴とする有機電界発
光装置。
2. A first electrode formed on a substrate, an insulating layer formed so as to cover a part of the first electrode, and a light emitting layer made of at least an organic compound formed on the first electrode. An organic electroluminescent device including a thin film layer and a second electrode formed on the thin film layer, wherein an area of a light-emissible region defined by the first electrode, the insulating layer, and the second electrode is
It is less than 1 mm2, and the substrate is
Dehydrate the insulation layer by leaving it in a reduced pressure atmosphere for 10 minutes or more.
By doing so, the effective electroluminescence rate defined as the ratio of the area of the actual light-emitting area that actually emits light to the area of the light-emissive area is set to 80% or more.
【請求項3】発光可能領域の面積が0.1平方ミリメー
トル以下であることを特徴とする請求項1または2記載
の有機電界発光装置。
3. The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein the area of the light-emitting region is not more than 0.1 mm 2.
【請求項4】絶縁層の形成に伴う熱処理を行ってから、
さらに、基板を80℃以上に加熱することにより絶縁層
を脱水処理することを特徴とする請求項1または3記載
の有機電界発光装置。
4. A heat treatment for forming an insulating layer is performed,
Further, the organic electroluminescence device of claim 1 or 3, wherein the dehydrating process the insulating layer by heating the substrate to 80 ° C. or higher.
【請求項5】絶縁層がポジ型感光性材料からなることを
特徴とする請求項1〜4いずれかに記載の有機電界発光
装置。
5. The insulating layer is made of a positive photosensitive material.
Organic electroluminescence according to any one of claims 1 to 4, characterized in that
apparatus.
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