JP2001043981A - Display device and manufacture of the same - Google Patents

Display device and manufacture of the same

Info

Publication number
JP2001043981A
JP2001043981A JP2000144704A JP2000144704A JP2001043981A JP 2001043981 A JP2001043981 A JP 2001043981A JP 2000144704 A JP2000144704 A JP 2000144704A JP 2000144704 A JP2000144704 A JP 2000144704A JP 2001043981 A JP2001043981 A JP 2001043981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
insulating layer
guide
base electrode
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000144704A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Fujimori
茂雄 藤森
Yoshio Himeshima
義夫 姫島
Takeshi Ikeda
武史 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2000144704A priority Critical patent/JP2001043981A/en
Publication of JP2001043981A publication Critical patent/JP2001043981A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lower the resistance of a first electrode without impairing the displaying quality by forming the first electrode formed oppositely to a second electrode on a base, by stacking a base electrode and a guide electrode, and forming an insulating layer on the guide electrode, in a state that a boundary line where the guide electrode allows the base electrode to be exposed, and a boundary line where the insulating layer allows the base electrode to be exposed are substantially same as each other. SOLUTION: A guide electrode 12 is formed at both sides on a base electrode 11 in a crossing area of an opening 15 and an insulating layer 14 exists covering the guide electrode 12. A boundary line 16 of the guide electrode 12 exposing the base electrode 11 and a boundary line 16 of the insulating layer exposing the base electrode 11 are the same. The guide electrode 12 is formed on the substantially whole base electrode 111 excluding a part where the base electrode 11 relating to the display of a picture element is exposed, that is, an opening part 15, and the guide electrode 12 exists in a completely covered state by the insulating layer. A display element free from the unevenness of brightness, and with superior color purity and the luminescent efficiency can be provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】基板上に形成された第一電極
とそれに対向して設けられた第二電極とを有する表示装
置に関する。
The present invention relates to a display device having a first electrode formed on a substrate and a second electrode provided opposite to the first electrode.

【0002】[0002]

【従来の技術】大きく重いブラウン管に代わる画像表示
装置(ディスプレイ)として、軽い薄型のいわゆるフラ
ットパネルディスプレイが注目されている。
2. Description of the Related Art As an image display device (display) replacing a large and heavy cathode ray tube, a light and thin so-called flat panel display has attracted attention.

【0003】フラットパネルディスプレイとして液晶デ
ィスプレイ(LCD)が普及しているが、同様の非発光
型ディスプレイとしてエレクトロクロミックディスプレ
イ(ECD)があり、最近注目されている発光型ディス
プレイとしてはプラズマディスプレイパネル(PDP)
や電界発光ディスプレイ(ELD)などがある。電界発
光ディスプレイの中でも特に有機電界発光ディスプレイ
は高輝度が得られ、フルカラーディスプレイが可能なこ
とで研究開発が盛んである。
[0003] Liquid crystal displays (LCDs) have become widespread as flat panel displays, and there is an electrochromic display (ECD) as a similar non-emissive display, and a plasma display panel (PDP) has recently attracted attention. )
And an electroluminescent display (ELD). Among electroluminescent displays, organic electroluminescent displays are particularly active in research and development because they can provide high brightness and can be used as full-color displays.

【0004】これらのフラットパネルディスプレイは画
像情報電気信号を画像光に変換する表示デバイスであ
り、その駆動方式として時分割駆動方式を採用している
ものが多い。時分割駆動方式は、画面を複数の要素電極
に分割し、これらの要素電極に時分割して駆動電圧を印
加する方式である。これを実現するためのドットマトリ
ックス型の電極構成は、一般に平行なストライプ状の電
極が対向する対の電極基板間で直角に交差するX、Yマ
トリクス構造である。このように対向配置された電極を
X電極およびY電極と表示することもあるが、また第一
電極および第二電極と表示することもできる。
[0004] These flat panel displays are display devices for converting image information electric signals into image light, and many of them employ a time-division driving method as a driving method. The time division driving method is a method in which a screen is divided into a plurality of element electrodes, and a driving voltage is applied to these element electrodes in a time division manner. A dot matrix type electrode configuration for realizing this is an X, Y matrix structure in which generally parallel striped electrodes intersect at right angles between a pair of opposing electrode substrates. Such opposed electrodes are sometimes referred to as X electrodes and Y electrodes, but may also be referred to as first electrodes and second electrodes.

【0005】フラットパネルディスプレイでは一方の基
板側から表示光を取り出すために、片方の基板に透明基
板と透明電極を用いることが多いが、透明電極は一般的
に導電性が高くない場合が多い。また、ディスプレイを
大型化すると電極の導電性が不十分になる場合があっ
た。
In a flat panel display, a transparent substrate and a transparent electrode are often used for one substrate in order to take out display light from one substrate side, but the transparent electrode is generally not often highly conductive. In addition, when the size of the display is increased, the conductivity of the electrodes may be insufficient.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】電極の導電性不足を補
うために、基板上にベース電極を形成し、その上にガイ
ド電極を形成し、さらに絶縁層を形成するなどの工程が
実施されるが、それぞれに材料膜の形成の後、レジスト
の塗布、パターニング、エッチングなどの操作を繰り返
すことが必要であり、工程が煩雑であった。
In order to compensate for the lack of conductivity of the electrodes, steps such as forming a base electrode on a substrate, forming a guide electrode thereon, and further forming an insulating layer are performed. However, it is necessary to repeat operations such as application of a resist, patterning, and etching after forming a material film for each, and the process is complicated.

【0007】本発明は、効率的なガイド電極を形成する
と共に、その工程を短縮するものである。
The present invention forms an efficient guide electrode and shortens the process.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、基
板上に形成された第一電極と前記第一電極に対向して設
けられた第二電極とを含む表示装置であって、前記第一
電極が少なくともベース電極とガイド電極とを積層した
ものであり、前記ガイド電極上に絶縁層が形成され、か
つ、前記ガイド電極が前記ベース電極を露出せしめる境
界線と前記絶縁層が前記ベース電極を露出せしめる境界
線とが実質的に同一であることを特徴とする。
A display device according to the present invention is a display device including a first electrode formed on a substrate and a second electrode provided opposite to the first electrode. The first electrode is formed by laminating at least a base electrode and a guide electrode, an insulating layer is formed on the guide electrode, and the boundary between the guide electrode exposing the base electrode and the insulating layer are formed on the base. The boundary line exposing the electrode is substantially the same.

【0009】また、本発明の表示装置の製造方法は、上
記の表示装置の製造方法であって、ベース電極とガイド
電極との積層膜を一度にパターニングする工程と、パタ
ーニングした積層膜上に絶縁層のパターンを形成する工
程と、ガイド電極の露出した部分を除去することにより
ベース電極の一部を露出せしめる工程とを含むことを特
徴とする。
Further, the method for manufacturing a display device according to the present invention is a method for manufacturing a display device as described above, wherein a step of patterning a laminated film of a base electrode and a guide electrode at once, and an step of insulating the patterned laminated film on the laminated film The method includes a step of forming a pattern of a layer and a step of exposing a part of the base electrode by removing an exposed part of the guide electrode.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明は、基板上に形成された第
一電極と、前記第一電極に対向して設けられた第二電極
とを含む表示装置に関するものであり、具体的には例え
ば、LCD、ECD、ELD、有機電界発光素子を用い
た表示装置などが該当するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a display device including a first electrode formed on a substrate and a second electrode provided opposite to the first electrode. For example, an LCD, an ECD, an ELD, a display device using an organic electroluminescent element, and the like are applicable.

【0011】本発明は特に、基板上に形成された第一電
極と、第一電極上に形成された少なくとも有機化合物か
らなる発光層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成され
た第二電極とを含む有機電界発光素子からなる表示装置
に好適に用いることができる。
The present invention is particularly directed to a first electrode formed on a substrate, a thin film layer formed on the first electrode, the light emitting layer comprising at least an organic compound, and a second electrode formed on the thin film layer. It can be suitably used for a display device including an organic electroluminescent element including electrodes.

【0012】本発明においては、第一電極は少なくとも
ベース電極とガイド電極とを積層したものであり、前記
ガイド電極上に絶縁層が形成される。ガイド電極および
絶縁層はベース電極上の一部のみに設けられ、ベース電
極が露出した開口部が設けられている。透明基板側から
表示光を取り出す場合にはベース電極は透明であること
が必要であり、表示光は前記開口部を通して透明のベー
ス電極および透明基板を透過し、外部に取り出される。
In the present invention, the first electrode is formed by laminating at least a base electrode and a guide electrode, and an insulating layer is formed on the guide electrode. The guide electrode and the insulating layer are provided only on a part of the base electrode, and have an opening where the base electrode is exposed. When the display light is extracted from the transparent substrate side, the base electrode needs to be transparent. The display light passes through the transparent base electrode and the transparent substrate through the opening and is extracted to the outside.

【0013】本発明は、ガイド電極がベース電極を露出
せしめる境界線と絶縁層がベース電極を露出せしめる境
界線とが実質的に同一であることを特徴とするものであ
る。より具体的には、ガイド電極がベース電極を露出せ
しめる開口部形状と絶縁層がベース電極を露出せしめる
開口部形状が実質的に同一である。ここで実質的に同一
とは、それぞれの境界線もしくは開口部の形状が完全に
同一である場合だけではなく、実質的に同一である場合
も含むということを意味する。例えば、後述のように絶
縁層をレジストとして機能させることでガイド電極層を
エッチングする際に、ガイド電極層がアンダーエッチン
グされることでその境界線が絶縁層のそれと厳密には一
致しない場合なども、実質的に両者を同一とみなすこと
ができる。
The present invention is characterized in that a boundary line at which the guide electrode exposes the base electrode is substantially the same as a boundary line at which the insulating layer exposes the base electrode. More specifically, the shape of the opening where the guide electrode exposes the base electrode is substantially the same as the shape of the opening where the insulating layer exposes the base electrode. Here, “substantially the same” means that not only a case where the shape of each boundary line or the opening is completely the same but also a case where the shape is substantially the same. For example, when the guide electrode layer is etched by making the insulating layer function as a resist as described below, the boundary line may not exactly match that of the insulating layer due to the guide electrode layer being under-etched. Can be regarded as substantially the same.

【0014】すなわち本発明においては、ガイド電極は
画素表示に関係するベース電極が露出している部分、す
なわち開口部、を除いた実質的に全てのベース電極上の
部分に形成されていて、かつ、ガイド電極は全て絶縁層
に覆われている状態で存在している。このため、表示装
置の表示品質を低下させることなく、最も効率よく第一
電極を低抵抗化できる。なお、電極引き出し部に関して
も、例えば、ベース電極のエッジ部分にガイド電極と絶
縁層を形成しておき、ベース電極が露出した中央部付近
で外部回路とコンタクトするなどすれば、低抵抗化の効
果を得ることが可能である。
That is, in the present invention, the guide electrode is formed on substantially all the portions on the base electrode except for the portion where the base electrode related to the pixel display is exposed, ie, the opening. And the guide electrodes are all in a state of being covered with the insulating layer. For this reason, the resistance of the first electrode can be reduced most efficiently without deteriorating the display quality of the display device. Regarding the electrode lead portion, for example, a guide electrode and an insulating layer are formed at an edge portion of the base electrode, and contact with an external circuit near the central portion where the base electrode is exposed is achieved. It is possible to obtain

【0015】図によって、本発明のベース電極上に形成
されたガイド電極および絶縁層の関係を説明する。図1
はパターニングされたベース電極11の平面図であり、
表示用の画素部分となるベース電極の露出した開口部1
5があり、この露出部以外は絶縁層14によって覆われ
ている。ベース電極の上にあって絶縁層で覆われている
部分にはガイド電極が存在する。この場合、ガイド電極
はベース電極の両サイドと開口部と開口部との間に存在
するので、ベース電極に沿って縦断したものとして存在
することになり、第一電極の低抵抗化に対する寄与が大
である。
The relationship between the guide electrode and the insulating layer formed on the base electrode of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
Is a plan view of the patterned base electrode 11,
Exposed opening 1 of base electrode to be a pixel portion for display
5 and the portion other than the exposed portion is covered with the insulating layer 14. A guide electrode exists on a portion of the base electrode which is covered with the insulating layer. In this case, since the guide electrode exists between both sides of the base electrode, the opening, and the opening, the guide electrode exists as a longitudinal section along the base electrode, which contributes to lowering the resistance of the first electrode. Is big.

【0016】図2は、本発明でのガイド電極がベース電
極を露出せしめる境界線と絶縁層がベース電極を露出せ
しめる境界線が同一であることを示すもう一つの例を説
明する平面図である。この場合、絶縁層14はベース電
極11と交差するパターンで形成されており、ベース電
極上の絶縁層の下にはガイド電極12が存在する。すな
わち、ベース電極上にはガイド電極が一定の間隔をおい
て断続的に設けられている形となるが、全体として第一
電極の低抵抗化に寄与することができる。
FIG. 2 is a plan view illustrating another example of the present invention, in which the boundary between the guide electrode exposing the base electrode and the boundary between the insulating layer exposing the base electrode is the same. . In this case, the insulating layer 14 is formed in a pattern crossing the base electrode 11, and the guide electrode 12 exists below the insulating layer on the base electrode. That is, the guide electrodes are provided intermittently at regular intervals on the base electrode, but can contribute to lowering the resistance of the first electrode as a whole.

【0017】図3は、図1の絶縁層に被覆されていて開
口部を横断しないX−X’断面図および図2の絶縁層に
被覆された部分のX−X’断面図を表す。この部分にお
いては、ベース電極11とガイド電極12は積層構造を
有し、さらに絶縁層14で覆われている。なお、第二電
極を隔壁法においてパターニングする場合には、この絶
縁層上に隔壁を形成することが好ましい。
FIG. 3 is a sectional view taken along the line XX 'of FIG. 1 which is covered with the insulating layer and does not cross the opening, and a sectional view of the portion covered with the insulating layer of FIG. In this portion, the base electrode 11 and the guide electrode 12 have a laminated structure and are covered with an insulating layer 14. When the second electrode is patterned by the partition method, it is preferable to form a partition on this insulating layer.

【0018】一方、図1においての開口部15で横断す
るY−Y’断面図を図4に示す。この部分においてはベ
ース電極上の両サイドにガイド電極が形成されている
が、そのガイド電極を覆うように絶縁層が存在する。す
なわち、ガイド電極がベース電極を露出せしめる境界線
16と絶縁層がベース電極を露出せしめる境界線16は
同一であることを示す。絶縁層で覆われているベース電
極上には全てガイド電極が形成されていることを示すも
のである。
On the other hand, FIG. 4 shows a sectional view taken along the line YY 'of FIG. In this portion, guide electrodes are formed on both sides of the base electrode, and an insulating layer exists so as to cover the guide electrodes. That is, the boundary line 16 at which the guide electrode exposes the base electrode is the same as the boundary line 16 at which the insulating layer exposes the base electrode. This indicates that a guide electrode is formed on the base electrode covered with the insulating layer.

【0019】図5および図6は、本発明でのガイド電極
がベース電極を露出せしめる境界線と絶縁層がベース電
極を露出せしめる境界線が実質的に同一であることを示
すさらにもう一つの例を説明する平面図である。すなわ
ち、フルカラー表示を行うための赤(R)、緑(G)、
青(B)の発光領域がストライプ状パターンではなく、
いわゆるデルタ配置になっているケースを示し、例えば
一つの色の画素を形成するベース電極は画素となる幅の
広い部分とそれを連結する幅の狭い部分とからなり、こ
れが3色について形成されている。ベース電極の幅の狭
い部分で画素部分を連結し、画素を貫くようにしてベー
ス電極上にガイド電極と絶縁層を形成させるものであ
り、第一電極の低抵抗化に好ましい。この状態におい
て、図1に示したように画素部分のサイド部分にもガイ
ド電極と絶縁層を形成して、さらに低抵抗化を図ること
もできる。
FIGS. 5 and 6 show still another example in which the guide electrode exposes the base electrode and the insulating layer exposes the base electrode. It is a top view explaining. That is, red (R), green (G),
The blue (B) light emitting area is not a stripe pattern,
This shows a case of a so-called delta arrangement. For example, a base electrode forming a pixel of one color is composed of a wide portion serving as a pixel and a narrow portion connecting the same, and these are formed for three colors. I have. The pixel portion is connected at a narrow portion of the base electrode, and a guide electrode and an insulating layer are formed on the base electrode so as to penetrate the pixel, which is preferable for reducing the resistance of the first electrode. In this state, as shown in FIG. 1, a guide electrode and an insulating layer are also formed on the side portion of the pixel portion to further reduce the resistance.

【0020】本発明において、ベース電極材料としては
透明な導電性材料が好ましく、酸化錫、酸化亜鉛、酸化
バナジウム、酸化インジウム、酸化錫インジウム(IT
O)などを用いることができる。パターニングを行うデ
ィスプレイ用途においては、加工性に優れたITOをベ
ース電極に用いることが好ましい。導電性向上のために
ITOには少量の銀や金などの金属が含有されていても
よい。
In the present invention, as the base electrode material, a transparent conductive material is preferable, and tin oxide, zinc oxide, vanadium oxide, indium oxide, indium tin oxide (IT
O) can be used. In display applications where patterning is performed, it is preferable to use ITO having excellent workability for the base electrode. ITO may contain a small amount of metal such as silver or gold to improve conductivity.

【0021】本発明において、ガイド電極材料として
は、アルミニウム、亜鉛、インジウム、錫、銀、金、
銅、クロム、チタン、ニッケルなどが用いられる。ガイ
ド電極はこれらの金属の2種以上を積層して用いること
もでき、クロム/アルミニウムまたはクロム/銅の積層
膜は、低抵抗化や反射防止、金属膜の密着力、エッチン
グの容易さなどの観点から好ましい例として挙げること
ができる。本発明ではベース電極上の開口部を除いた部
分の全てにガイド電極が形成されていため、クロムなど
の黒色化する金属を用いた場合には、ガイド電極がブラ
ックマトリクスとしても作用し、表示装置のコントラス
ト向上に寄与する。
In the present invention, as the guide electrode material, aluminum, zinc, indium, tin, silver, gold,
Copper, chromium, titanium, nickel and the like are used. The guide electrode can also be used by laminating two or more of these metals. A chromium / aluminum or chromium / copper laminated film can be used to reduce resistance, prevent reflection, adhere to a metal film, and facilitate etching. It can be mentioned as a preferable example from the viewpoint. In the present invention, since the guide electrode is formed in all parts except the opening on the base electrode, when a metal to be blackened such as chromium is used, the guide electrode also functions as a black matrix, and the display device Contributes to the improvement of contrast.

【0022】絶縁層には、種々の無機系および有機系材
料が用いられる。無機材料としては、酸化ケイ素をはじ
めとして酸化マンガン、酸化バナジウム、酸化チタン、
酸化クロムなどの酸化物材料、ケイ素、ガリウム砒素な
どの半導体材料、ガラス材料、セラミックス材料など
を、有機材料としては、ポリビニル系、ポリイミド系、
ポリスチレン系、アクリル系、ノボラック系、シリコー
ン系などのポリマー材料などが好ましく用いられる。
Various inorganic and organic materials are used for the insulating layer. As inorganic materials, manganese oxide, vanadium oxide, titanium oxide, including silicon oxide,
Oxide materials such as chromium oxide, semiconductor materials such as silicon and gallium arsenide, glass materials, ceramic materials, and the like, as organic materials, polyvinyl-based, polyimide-based,
Polymer materials such as polystyrene, acrylic, novolak, and silicone are preferably used.

【0023】絶縁層がベース電極を露出せしめる境界線
付近における該絶縁層の断面形状は、特に限定されるも
のではないが、順テーパー形状であることが好ましい。
有機電界発光装置を例に説明すると、絶縁層の断面が順
テーパー形状の場合には、図15に示すように、有機薄
膜層17および第二電極18が境界線16付近において
も滑らかに形成される。テーパー角度θは80°以下、
さらに60°以下、さらに45°以下であることが好ま
しい。一方、絶縁層の断面が垂直の場合には、図16に
示すように、有機薄膜層17の膜厚が境界線16付近で
薄くなる傾向が強くなり、この領域の発光が不安定とな
る恐れがある。極端な場合には、境界線付近で有機薄膜
層が段切れを起こし、有機薄膜層が存在しない領域が形
成されてしまい、ベース電極(第一電極)もしくはガイ
ド電極と第二電極とが短絡するという重大な欠陥の形成
を招く場合がある。さらに、絶縁層の側壁部分では第二
電極の膜厚が薄くなる傾向も強くなるので、第二電極の
抵抗値の増大を招く恐れもある。このような問題は有機
薄膜層や第二電極の成膜方法を工夫することで回避可能
であるが、絶縁層の断面が逆テーパー形状(テーパー角
度θが90°を越える状態)であることはあまり好まし
くない。
The cross-sectional shape of the insulating layer near the boundary where the insulating layer exposes the base electrode is not particularly limited, but is preferably a forward tapered shape.
Taking the organic electroluminescent device as an example, when the cross section of the insulating layer has a forward tapered shape, the organic thin film layer 17 and the second electrode 18 are formed smoothly even near the boundary 16 as shown in FIG. You. The taper angle θ is 80 ° or less,
Further, it is preferably 60 ° or less, more preferably 45 ° or less. On the other hand, when the cross section of the insulating layer is vertical, as shown in FIG. 16, the thickness of the organic thin film layer 17 tends to become thin near the boundary line 16, and light emission in this region may become unstable. There is. In an extreme case, the organic thin film layer breaks down near the boundary line, and a region where the organic thin film layer does not exist is formed, and the base electrode (first electrode) or the guide electrode and the second electrode are short-circuited. May be formed. Further, since the thickness of the second electrode tends to be thinner at the side wall portion of the insulating layer, the resistance value of the second electrode may be increased. Such a problem can be avoided by devising a method of forming the organic thin film layer and the second electrode. However, the cross section of the insulating layer has an inversely tapered shape (a state in which the taper angle θ exceeds 90 °). Not very good.

【0024】このようなガイド電極と絶縁層がそれぞれ
ベース電極を露出せしめる境界線が同一であり、さらに
開口部形状が同一である表示装置の製造は次のような工
程で実施することができる。
The guide electrode and the insulating layer have the same boundary line for exposing the base electrode, and the display device having the same opening shape can be manufactured by the following steps.

【0025】透明なベース電極となるITO膜が形成さ
れた基板のITO膜の上にガイド電極を形成する金属材
料を蒸着する(図7)。ガイド電極の成膜法は限定され
るものではなく、蒸着法の他にスパッタリング法、ラミ
ネート法、めっき法などを用いることができる。
A metal material for forming a guide electrode is deposited on the ITO film on the substrate on which the ITO film serving as a transparent base electrode has been formed (FIG. 7). The method for forming the guide electrode is not limited, and a sputtering method, a laminating method, a plating method, or the like can be used in addition to the evaporation method.

【0026】このベース電極とガイド電極との積層膜を
フォトリソ法で一度にパターニングする(図8)。次に
パターニングされた積層膜上にリフトオフレジストパタ
ーンを形成した(図9)後、全面に絶縁層を形成する
(図10)。リフトオフレジストを除去すると絶縁層の
開口部が形成されて、ガイド電極が露出する(図1
1)。形成された絶縁層をレジストとしてこの露出した
部分のガイド電極をエッチング除去するとベース電極が
露出してくる(図12)。絶縁層のパターン形成法は、
このようなリフトオフレジストを用いる方法に限定され
るものではなく、絶縁層材料をコーティングしてフォト
リソ法でエッチングする方法や、感光性の絶縁層材料を
用いて露光・現像工程を行ってパターニングすることも
できる。
The laminated film of the base electrode and the guide electrode is patterned at once by a photolithographic method (FIG. 8). Next, after forming a lift-off resist pattern on the patterned laminated film (FIG. 9), an insulating layer is formed on the entire surface (FIG. 10). When the lift-off resist is removed, an opening in the insulating layer is formed, and the guide electrode is exposed (FIG. 1).
1). Using the formed insulating layer as a resist, the exposed portion of the guide electrode is removed by etching to expose the base electrode (FIG. 12). The patterning method of the insulating layer is
The method is not limited to such a method using a lift-off resist, and a method of coating an insulating layer material and etching it by a photolithographic method, or performing a patterning process by exposing and developing using a photosensitive insulating layer material Can also.

【0027】ベース電極上にあって、絶縁層が露出せし
める部分のガイド電極は、パターニングされた絶縁層を
レジストとしてのエッチングにより除去できるが、これ
は、ベース電極およびガイド電極に用いる材料に依存す
るエッチング選択比を利用して行われる。ベース電極と
してはITO膜を採用することが多いので、ガイド電極
としては、ITOとのエッチング選択比の大きな金属材
料を用いることが好ましい。エッチング薬剤として何を
用いるかも関連してくるので、ガイド電極材料とエッチ
ング薬剤との組み合わせも考慮することが必要である。
すなわち、Alならばアルカリ溶液が使用でき、Crな
らば公知のように硝酸セリウムアンモニウムと硝酸と水
とからなる溶液が用いられる。また、Cuであれば塩化
第二鉄の溶液を用いることもできる。ITO膜はある程
度であればエッチングされてもよいので、ガイド電極の
エッチング条件を程度幅広く考えることができる。
The portion of the guide electrode on the base electrode where the insulating layer is exposed can be removed by etching the patterned insulating layer as a resist, but this depends on the material used for the base electrode and the guide electrode. This is performed using an etching selectivity. Since an ITO film is often used as the base electrode, it is preferable to use a metal material having a large etching selectivity with ITO as the guide electrode. Since what is used as an etching agent is related, it is necessary to consider a combination of a guide electrode material and an etching agent.
That is, an alkaline solution can be used for Al, and a solution composed of cerium ammonium nitrate, nitric acid, and water is used for Cr, as is known. Further, as long as it is Cu, a solution of ferric chloride can be used. Since the ITO film may be etched to some extent, the etching conditions for the guide electrode can be considered to be broad.

【0028】従来の方法では、ベース電極のパターニン
グ、ガイド電極のパターニング、絶縁層のパターニング
などフォトリソ工程を少なくとも3回繰り返すことが必
要であったが、本発明では、ベース電極とガイド電極と
の積層膜のパターニング、絶縁層のパターニングを行う
2回のフォトリソ工程を行うのみである。
According to the conventional method, it is necessary to repeat a photolithography process at least three times, such as patterning of a base electrode, patterning of a guide electrode, and patterning of an insulating layer. Only two photolithography steps for patterning the film and patterning the insulating layer are performed.

【0029】ガイド電極および絶縁層がベース電極を露
出せしめる開口部は、表示装置の1つの画素を形成する
単位に相当する。例えば、有機電界発光素子を用いた表
示装置においては、この開口部に少なくとも有機化合物
からなる発光層を含む薄膜層を形成し、さらに薄膜層上
に第一電極と交差する形で第二電極が形成されて表示装
置ができる。
The opening where the guide electrode and the insulating layer expose the base electrode corresponds to a unit for forming one pixel of the display device. For example, in a display device using an organic electroluminescent element, a thin film layer including a light emitting layer made of at least an organic compound is formed in the opening, and a second electrode is formed on the thin film layer so as to intersect with the first electrode. The display device is formed.

【0030】図7〜12に示した本発明の表示装置の製
造方法の工程は、そのまま、画素部分に少なくとも有機
化合物からなる発光層を含む薄膜層や第二電極をパター
ニングして形成する場合のマスクの位置合わせマークを
形成する方法として用いることができる。すなわち、I
TO膜とガイド電極材料膜からなる積層膜をパターニン
グした位置合わせマークを基板上の適当な位置に複数箇
所形成する。ITO膜のパターニングの際に、その後の
工程のための位置合わせマークが形成される例がある
が、ITO膜からなるマークは可視光での検出性が容易
ではない。そこでITO膜とガイド電極材料膜からなる
可視光検出性の高い位置合わせマークを形成すること
は、発光層の形成を含む後工程のパターニング操作を容
易にするために役立つ。本発明の場合、これらの位置合
わせマークは絶縁層に覆われた状態で利用することもで
きる。
The steps of the method for manufacturing a display device of the present invention shown in FIGS. 7 to 12 are performed in the case where a thin film layer including at least a light emitting layer made of an organic compound or a second electrode is formed by patterning in a pixel portion. The method can be used as a method for forming an alignment mark of a mask. That is, I
A plurality of alignment marks formed by patterning a laminated film composed of the TO film and the guide electrode material film are formed at appropriate positions on the substrate. In patterning the ITO film, there is an example in which an alignment mark for a subsequent process is formed, but the mark made of the ITO film is not easily detectable with visible light. Therefore, forming an alignment mark composed of an ITO film and a guide electrode material film with high visible light detection is useful for facilitating a patterning operation in a later step including formation of a light emitting layer. In the case of the present invention, these alignment marks can be used while being covered with an insulating layer.

【0031】[0031]

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.
The present invention is not limited by these.

【0032】実施例1 厚さ1.1mmの無アルカリガラス基板表面にスパッタ
リング蒸着法によって厚さ130nmのITO透明膜が
形成されたITO基板を120×100mmの大きさに
切断した。この基板のITO透明膜上に真空蒸着法によ
って約100nmのアルミニウム膜を形成した。このI
TO膜/アルミニウム膜の積層膜上にフォトレジストを
塗布し、通常のフォトリソ法により露光・現像を行って
フォトレジストをパターニングした。ITO膜/アルミ
ニウム膜の積層膜の不要部分をエッチング除去した後、
フォトレジストを除去することで、積層膜を長さ90m
m、幅80μmのストライプ状にパターニングして第一
電極とした。このストライプ状パターンは100μmピ
ッチで816本形成した。
Example 1 An ITO substrate having a transparent ITO film having a thickness of 130 nm formed on a surface of an alkali-free glass substrate having a thickness of 1.1 mm by a sputtering deposition method was cut into a size of 120 × 100 mm. An aluminum film of about 100 nm was formed on the ITO transparent film of this substrate by a vacuum evaporation method. This I
A photoresist was applied on the laminated film of the TO film / aluminum film, and was exposed and developed by a normal photolithography method to pattern the photoresist. After removing unnecessary portions of the ITO film / aluminum film laminated film by etching,
By removing the photoresist, the laminated film is 90m long
m and a width of 80 μm were patterned to form a first electrode. 816 of these stripe patterns were formed at a pitch of 100 μm.

【0033】ITO膜/アルミニウム膜の積層膜をパタ
ーニングする際に、ガラス基板の角部に位置合わせマー
クとなる十文字状の印を少なくとも2カ所に形成した。
十の字状の印の線の太さは20μmで長さは0.5mm
とした。
At the time of patterning the laminated film of the ITO film / aluminum film, at least two cross-shaped marks serving as alignment marks were formed at the corners of the glass substrate.
The cross-shaped mark is 20 μm thick and 0.5 mm long
And

【0034】次に、リフトオフ用フォトレジスト(日本
ゼオン社ZPN1100)を全面に厚さ3μmに塗布し
た。このレジストのパターニングに用いたフォトマスク
は65μm幅で235μmの長さの開口部が幅方向は1
00μmピッチで、長さ方向は300μmピッチで配置
されたものを用いた。ストライプ状のパターンを形成し
た積層膜上にフォトマスクの幅65μmがその中心に配
置されるように位置合わせしてパターニングした。この
リフトオフレジストのパターン形状は逆テーパー型にな
るのが特徴である。引き続きガラス基板の全面に電子ビ
ーム蒸着法で厚さ150nmの酸化ケイ素膜を形成して
絶縁層とした。この基板をアセトン中で超音波洗浄する
とリフトオフレジストが溶解し、その上の酸化ケイ素膜
が除去され、アルミニウム膜が露出してくる。これによ
り絶縁層は、リフトオフレジストのパターニングに用い
たフォトマスクのパターン配置と一致した幅65μmで
長さ235μmの開口部が、幅方向には100μmピッ
チで、長さ方向には300ピッチで配置されたものとな
った。
Next, a photoresist for lift-off (ZPN1100, Zeon Corporation) was applied to the entire surface to a thickness of 3 μm. The photomask used for patterning the resist has an opening having a width of 65 μm and a length of 235 μm in the width direction.
Those arranged at a pitch of 00 μm and at a pitch of 300 μm in the length direction were used. The photomask was positioned and patterned on the laminated film on which the stripe pattern was formed such that the width of the photomask was 65 μm at the center thereof. The feature of this lift-off resist is that it has an inverse tapered pattern. Subsequently, a silicon oxide film having a thickness of 150 nm was formed on the entire surface of the glass substrate by an electron beam evaporation method to form an insulating layer. When the substrate is ultrasonically cleaned in acetone, the lift-off resist is dissolved, the silicon oxide film thereon is removed, and the aluminum film is exposed. Thus, the insulating layer has openings of 65 μm in width and 235 μm in length corresponding to the pattern arrangement of the photomask used for patterning the lift-off resist, arranged at a pitch of 100 μm in the width direction and at a pitch of 300 in the length direction. It became something.

【0035】この絶縁層をレジストしてアルカリエッチ
ングを行い、アルミニウム膜の露出している部分を除去
してITO膜を露出させた。ITO膜がベース電極とな
り、アルミニウム膜がガイド電極となる。ガイド電極が
ベース電極を露出せしめる境界線と絶縁層がベース電極
を露出せしめる境界線は同一であり、開口部形状は65
μm×235μmの矩形状で同一となった。
The insulating layer was subjected to resist etching and alkali etching. The exposed portion of the aluminum film was removed to expose the ITO film. The ITO film serves as a base electrode, and the aluminum film serves as a guide electrode. The boundary line at which the guide electrode exposes the base electrode is the same as the boundary line at which the insulating layer exposes the base electrode.
It was the same in a rectangular shape of μm × 235 μm.

【0036】ベース電極、ガイド電極および絶縁層を形
成し、位置合わせマークを同時に形成した基板を洗浄し
た後、真空蒸着機内にセットした。真空蒸着機内には発
光層形成用シャドーマスク、第二電極形成用シャドーマ
スク、発光層を含む薄膜層と第二電極を形成する材料の
蒸着源類をセットすることができる。
The substrate on which the base electrode, the guide electrode, and the insulating layer were formed and the alignment mark was formed at the same time was washed and then set in a vacuum evaporation machine. In the vacuum evaporation machine, a shadow mask for forming a light emitting layer, a shadow mask for forming a second electrode, a thin film layer including a light emitting layer, and evaporation sources of a material for forming a second electrode can be set.

【0037】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
で形成する。この時の真空度は2×10-4Pa以下で、
蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔
輸送層として、銅フタロシアニンを15nm、ビス(N
−エチルカルバゾール)を60nm基板全面に蒸着し
た。
The thin film layer is formed by a vacuum evaporation method using a resistance wire heating method. The degree of vacuum at this time is 2 × 10 −4 Pa or less.
During the evaporation, the substrate was rotated with respect to the evaporation source. First, as a hole transporting layer, copper phthalocyanine of 15 nm and bis (N
-Ethylcarbazole) was deposited on the entire surface of the substrate to a thickness of 60 nm.

【0038】次に発光層の形成を行うが、用いるシャド
ーマスクは次のようにして形成したものである。すなわ
ち、電鋳法によって電鋳母型上にNi−Co合金を析出
させることで、図13に示すようにストライプ状の開口
部32を有し、それを横切るように形成された補強線3
3が存在し、マスク部分と補強線とが同一平面内に形成
された構造を有する。このシャドーマスクの外形は12
0×84mm、マスク部分31の厚さは25μmであ
る。長さ64mm、幅100μmのストライプ状開口部
32がピッチ300μmで272本配置されている。各
ストライプ形状開口部には、開口部を横切り直交する幅
20μmの補強線33がピッチ1.8mmで形成されて
いる。さらに、基板上に形成した位置合わせマークとの
アライメントのためのマークを少なくとも2カ所に形成
した。シャドーマスクは外形が等しい幅4mmのステン
レス鋼製フレーム34に固定されている。
Next, a light emitting layer is formed. The shadow mask used is formed as follows. That is, by depositing a Ni—Co alloy on an electroforming matrix by electroforming, a reinforcing wire 3 having a stripe-shaped opening 32 as shown in FIG.
3 has a structure in which a mask portion and a reinforcing line are formed in the same plane. The outline of this shadow mask is 12
0 × 84 mm, and the thickness of the mask portion 31 is 25 μm. 272 stripe-shaped openings 32 having a length of 64 mm and a width of 100 μm are arranged at a pitch of 300 μm. In each of the stripe-shaped openings, reinforcing wires 33 having a width of 20 μm and crossing the openings at right angles are formed at a pitch of 1.8 mm. Further, marks for alignment with alignment marks formed on the substrate were formed in at least two places. The shadow mask is fixed to a stainless steel frame 34 having the same outer shape and a width of 4 mm.

【0039】前記発光層形成用シャドーマスクを基板前
方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェライト
系磁石(日立金属社製、YBM−1B)を配置した。こ
の際、基板上の位置合わせマークとシャドーマスクの位
置基準とが一致するように配置して、ストライプ状第一
電極がシャドーマスクのストライプ形状開口部の中心に
位置し、補強線が絶縁層のある位置と一致するように、
両者は位置合わせされている。
The shadow mask for forming the light emitting layer was arranged in front of the substrate so that both were closely attached to each other, and a ferrite magnet (YBM-1B, manufactured by Hitachi Metals, Ltd.) was arranged behind the substrate. At this time, the alignment mark on the substrate is arranged so that the position reference of the shadow mask coincides, the first stripe-shaped electrode is positioned at the center of the stripe-shaped opening of the shadow mask, and the reinforcing wire is formed of the insulating layer. To match a position,
Both are aligned.

【0040】このように配置した基板に対して、赤色
(R)発光層の形成を行う。R発光層のホスト材料は、
8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体(Alq3)
(20nm)であり、これにゲスト材料として1重量%
の4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−
ジメチルアミノスチリル)−4−ピラン(DCM)をド
ーピングする。
A red (R) light emitting layer is formed on the substrate arranged as described above. The host material of the R light emitting layer is
8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq3)
(20 nm) and 1% by weight as a guest material.
Of 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-
Dope with dimethylaminostyryl) -4-pyran (DCM).

【0041】次いで、発光層形成用シャドーマスクの配
置を第一電極の1ピッチ分だけずらした状態で、ホスト
材料はR発光層と同様のAlq3(21nm)を、ゲス
ト材料は1,3,5,7,8−ペンタメチル−4,4−
ジフロロ−4−ボラ−3a,4a−ジアザ−s−インダ
セン(PM546)を用いた緑色(G)発光層を形成し
た。さらに、1ピッチ分シャドーマスクを移動して青色
(B)発光層を形成した。B発光層としては、4,4’
−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ジフェニル(D
PVBi)を用いた。この場合にはゲスト材料を使用せ
ず、DPVBiのみを20nm蒸着した。この後、基板
全面にDPVBiを35nm、Alq3を10nm蒸着
し、最後に薄膜層をリチウム蒸気に曝して電子輸送層を
形成した。
Next, in a state where the arrangement of the shadow mask for forming the light emitting layer is shifted by one pitch of the first electrode, Alq3 (21 nm) similar to the R light emitting layer is used for the host material, and guest materials are 1, 3, 5 , 7,8-Pentamethyl-4,4-
A green (G) light emitting layer using difluoro-4-bora-3a, 4a-diaza-s-indacene (PM546) was formed. Further, the shadow mask was moved by one pitch to form a blue (B) light emitting layer. As the B light emitting layer, 4,4 ′
-Bis (2,2'-diphenylvinyl) diphenyl (D
PVBi) was used. In this case, only DPVBi was deposited to a thickness of 20 nm without using a guest material. Thereafter, 35 nm of DPVBi and 10 nm of Alq 3 were deposited on the entire surface of the substrate, and finally, the thin film layer was exposed to lithium vapor to form an electron transport layer.

【0042】第二電極のパターニングには図14に示す
ようにマスク部分31の一方の面と補強線33との間に
隙間が存在する構造のシャドーマスクを用いた。このシ
ャドーマスクの外形は120×84mm、マスク部分の
厚さは100μmであり、長さ100mm、幅250μ
mのストライプ状開口部がピッチ300μmで200本
配置されている。マスク部分の上には、幅40μm、厚
さ35μm、対向する二辺の間隔が200μmの正六角
形構造からなるメッシュ状の補強線が形成されている。
隙間の高さはマスク部分の厚さと等しく100μmであ
る。このシャドーマスクのマスク部分にも発光層形成用
シャドーマスクの場合と同様にして位置合わせマークと
対応させるためのマークを形成した。このシャドーマス
クはステンレス鋼製のフレーム34に固定して用いられ
る。
For patterning the second electrode, a shadow mask having a structure in which a gap exists between one surface of the mask portion 31 and the reinforcing wire 33 as shown in FIG. 14 was used. The outer shape of this shadow mask is 120 × 84 mm, the thickness of the mask portion is 100 μm, the length is 100 mm, and the width is 250 μm.
200 m-shaped striped openings are arranged at a pitch of 300 μm. On the mask portion, a mesh-like reinforcing line having a regular hexagonal structure having a width of 40 μm, a thickness of 35 μm, and a distance between two opposing sides of 200 μm is formed.
The height of the gap is equal to the thickness of the mask portion and is 100 μm. A mark for making it correspond to the alignment mark was also formed on the mask portion of this shadow mask in the same manner as in the case of the shadow mask for forming the light emitting layer. This shadow mask is used by being fixed to a frame 34 made of stainless steel.

【0043】第二電極の蒸着時の真空度は3×10-4
a以下で、蒸着中は2つの蒸着源に対して基板を回転さ
せた。発光層のパターニング形成と同様に、第二電極用
マスクを薄膜層までが形成された基板前方に配置して両
者を位置合わせマークを利用して所定の位置で密着さ
せ、基板後方には板磁石を配置した。この状態でアルミ
ニウムを240nmの厚さに蒸着して第二電極をパター
ニングした。第二電極は、間隔をあけて配置された複数
のストライプ状にパターニングされている第一電極と直
交する配置で、間隔をあけて配置された複数のストライ
プ状にパターニングされている。
The degree of vacuum during the deposition of the second electrode is 3 × 10 -4 P
Below a, the substrate was rotated with respect to two evaporation sources during evaporation. Similarly to the patterning of the light emitting layer, the second electrode mask is arranged in front of the substrate on which the thin film layer is formed, and both are brought into close contact with each other at a predetermined position using the alignment mark. Was placed. In this state, aluminum was deposited to a thickness of 240 nm to pattern the second electrode. The second electrode is arranged in a direction orthogonal to the first electrode that is patterned into a plurality of stripes arranged at intervals, and is patterned into a plurality of stripes arranged at intervals.

【0044】以上の工程により、本数816本のストラ
イプ状第一電極上にパターニングされたR、G、B発光
層が形成され、第一電極と直交する幅250μm、ピッ
チ300μmのストライプ状第二電極が200本配置さ
れた単純マトリクス型ストライプ配列のカラー有機電界
発光素子が作製できた。R、G、Bの3つの発光領域が
1画素を形成するので、本発光素子は300μmピッチ
で272×200画素を有する。
Through the above steps, patterned R, G, and B light emitting layers are formed on the 816 striped first electrodes, and the striped second electrodes having a width of 250 μm and a pitch of 300 μm orthogonal to the first electrodes. Were arranged in a simple matrix type stripe color organic electroluminescent device in which 200 were arranged. Since the three light-emitting regions R, G, and B form one pixel, this light-emitting element has 272 × 200 pixels at a pitch of 300 μm.

【0045】この有機電界発光素子からなる表示装置を
評価したところ、ガイド電極がない場合に比べて輝度ム
ラが減少し、発光効率が高い表示装置が得られた。
When the display device comprising the organic electroluminescent device was evaluated, a display device having reduced luminance unevenness and high luminous efficiency as compared with the case where no guide electrode was provided was obtained.

【0046】実施例2 本実施例では、絶縁層を形成する材料としてポリイミド
を用いた。実施例1と同様にして、ITO膜/アルミニ
ウム膜の積層膜を第一電極としてのパターンにパターニ
ングした後、基板上の全面に、ポリイミド系の感光性コ
ーティング剤(東レ社製、UR−3100)をスピンコ
ート法で塗布し、クリーンオーブンにより窒素雰囲気下
で80℃、1時間プリベーキングした。次に、実施例1
においてリフトオフレジストのパターニングに用いたと
同じフォトマスクを介して紫外線露光して絶縁層として
残存させる部分を光硬化させ、現像液(東レ社製、DV
−505)を用いて現像した。その後、クリーンオーブ
ン中で180℃、30分間、さらに250℃、30分間
ベーキングして、絶縁層を形成した。
Example 2 In this example, polyimide was used as the material for forming the insulating layer. After patterning the laminated film of the ITO film / aluminum film into a pattern as the first electrode in the same manner as in Example 1, a polyimide photosensitive coating agent (UR-3100, manufactured by Toray Industries, Inc.) is applied on the entire surface of the substrate. Was applied by a spin coat method and prebaked in a clean oven at 80 ° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere. Next, Example 1
UV light exposure through the same photomask used for the patterning of the lift-off resist, photo-curing the portion remaining as an insulating layer, and a developing solution (DV, manufactured by Toray Industries, Inc.)
-505). Thereafter, the resultant was baked in a clean oven at 180 ° C. for 30 minutes and further at 250 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer.

【0047】このポリイミド絶縁層をレジストとして用
い、アルミニウム膜の露出している部分をエッチング除
去する以降の工程は実施例1と同様にして表示装置を作
製した。この場合もガイド電極がない場合に比べて、輝
度ムラが減少し、発光効率が高い有機電界発光素子から
なる表示装置が得られた。また、比較的厚い絶縁層がス
ペーサーとしての機能を果たし、シャドーマスクが薄膜
層を傷つけることを防止できたので、実施例1よりも非
発光画素の数が減少し、さらに良好な有機電界発光素子
からなる表示装置が得られた。
Using this polyimide insulating layer as a resist, a display device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the exposed portion of the aluminum film was removed by etching. Also in this case, a display device comprising an organic electroluminescent element having reduced luminance unevenness and high luminous efficiency as compared with the case where no guide electrode was provided was obtained. Further, the relatively thick insulating layer functioned as a spacer, which prevented the shadow mask from damaging the thin film layer, so that the number of non-light emitting pixels was reduced as compared with Example 1, and a more favorable organic electroluminescent device Was obtained.

【0048】実施例3 実施例1と同じ基板のITO透明膜上に、スパッタリン
グ蒸着法によってクロムを約50nm、さらに銅を約7
0nm形成した。このITO膜/クロム膜/銅膜の積層
膜上にフォトレジストを塗布し、通常のフォトリソ法に
より露光・現像を行ってフォトレジストをパターニング
した。塩化第二鉄系の溶液によりこの積層膜の不要部分
をエッチング除去した後、フォトレジストを除去するこ
とで、積層膜を長さ90mm、幅80μmのストライプ
状にパターニングして第一電極とした。このストライプ
状パターンは100μmピッチで816本形成した。実
施例1と同様に、ガラス基板の角部に位置合わせマーク
となる十文字状の印を少なくとも2カ所に形成した。
EXAMPLE 3 Chromium of about 50 nm and copper of about 7 were deposited on the ITO transparent film on the same substrate as in Example 1 by a sputtering deposition method.
0 nm was formed. A photoresist was applied on the laminated film of the ITO film / chromium film / copper film, and exposed and developed by a usual photolithography method to pattern the photoresist. Unnecessary portions of the laminated film were removed by etching with a ferric chloride-based solution, and then the photoresist was removed, whereby the laminated film was patterned into a stripe shape having a length of 90 mm and a width of 80 μm to form a first electrode. 816 of these stripe patterns were formed at a pitch of 100 μm. As in Example 1, at least two cross-shaped marks serving as alignment marks were formed at the corners of the glass substrate.

【0049】次に、実施例1と同様にして酸化ケイ素か
らなる絶縁層をパターニングした。この絶縁層をレジス
トして、はじめに塩化第二鉄系の溶液で銅膜の露出して
いる部分をエッチング除去してクロム膜を露出させた。
さらに、硝酸セリウムアンモニウムと硝酸と水との混合
液により、クロム膜の露出している部分をエッチング除
去することでITO膜を露出させた。ITOがベース電
極、クロム/銅の積層膜がガイド電極となる。ガイド電
極がベース電極を露出せしめる境界線と絶縁層がベース
電極を露出せしめる境界線は同一であり、開口部形状は
65μm×235μmの矩形状で同一となった。この
際、ガイド電極とベース電極ならびに絶縁層との密着性
が向上したために、実施例1に比べて絶縁層の欠けなど
の欠陥がさらに減少した。
Next, an insulating layer made of silicon oxide was patterned in the same manner as in Example 1. The resist was applied to the insulating layer, and first, the exposed portion of the copper film was removed by etching with a ferric chloride-based solution to expose the chromium film.
Further, the exposed portion of the chromium film was removed by etching with a mixed solution of cerium ammonium nitrate, nitric acid and water, thereby exposing the ITO film. ITO serves as a base electrode, and a chromium / copper laminated film serves as a guide electrode. The boundary line at which the guide electrode exposes the base electrode was the same as the boundary line at which the insulating layer exposed the base electrode, and the opening shape was the same in a rectangular shape of 65 μm × 235 μm. At this time, since the adhesion between the guide electrode, the base electrode, and the insulating layer was improved, defects such as chipping of the insulating layer were further reduced as compared with the first embodiment.

【0050】その後の工程は実施例1と同様にして表示
装置を作製した。この場合もガイド電極がない場合に比
べて輝度ムラが減少し、発光効率が高い有機電界発光素
子からなる表示装置が得られた。また、クロムがブラッ
クマトリクスのような機能を果たし、実施例1に比べて
さらに表示コントラストが向上した。
In the subsequent steps, a display device was manufactured in the same manner as in Example 1. Also in this case, a display device including an organic electroluminescent element having reduced luminance unevenness and high luminous efficiency as compared with the case without the guide electrode was obtained. Further, chrome performed a function like a black matrix, and the display contrast was further improved as compared with the first embodiment.

【0051】実施例4 本実施例では、絶縁層を形成する材料としてポジ型フォ
トレジストを用いた。実施例2と同様にして、ITO膜
/アルミニウム膜の積層膜を第一電極としてのパターン
にパターニングした後、基板上の全面に、ノボラック系
のポジ型フォトレジスト(東京応化工業(株)製、OF
PR−800)をスピンコート法で約3μmの厚さに塗
布し、ホットプレートで80℃、90分間プリベーキン
グした。次に、フォトマスクを介して紫外線露光して、
現像液(東京応化工業(株)製、NMD−3)を用いて
現像した。その後、ホットプレートで180℃、8分間
ベーキングして、絶縁層を形成した。
Example 4 In this example, a positive photoresist was used as a material for forming the insulating layer. After patterning the laminated film of the ITO film / aluminum film into a pattern as the first electrode in the same manner as in Example 2, a novolak-based positive photoresist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., OF
PR-800) was applied to a thickness of about 3 μm by spin coating, and prebaked on a hot plate at 80 ° C. for 90 minutes. Next, ultraviolet light exposure through a photomask,
Development was performed using a developer (NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Thereafter, baking was performed at 180 ° C. for 8 minutes on a hot plate to form an insulating layer.

【0052】その他は実施例2と同様にして表示装置を
作製した。この場合もガイド電極がない場合に比べて、
輝度ムラが減少し、発光効率が高い表示装置が得られ
た。また、実施例2と同様にシャドーマスクが薄膜層を
傷つけることを防止する効果も確認できた。この絶縁層
の断面は約45°の順テーパー形状であり、発光領域全
般にわたって均一な発光が認められた。
A display device was manufactured in the same manner as in Example 2 except for the above. Also in this case, compared to the case without the guide electrode,
A display device with reduced luminance unevenness and high luminous efficiency was obtained. Further, as in Example 2, the effect of preventing the shadow mask from damaging the thin film layer was also confirmed. The cross section of this insulating layer had a forward tapered shape of about 45 °, and uniform light emission was observed over the entire light emitting region.

【0053】実施例5 本実施例では、絶縁層を形成する材料として実施例1で
使用したリフトオフ用レジストを使用したこと以外は実
施例4と同様にして表示装置を作製した。この絶縁層の
断面は90°〜110°程度の逆テーパー形状になった
ため、境界線付近で正孔輸送層や発光層などの有機薄膜
層が相対的に薄くなる部分が形成され、この部分の発光
がやや不安定となったものの、ガイド電極がない場合に
比べると、輝度ムラが減少し、発光効率が高い表示装置
が得られた。また、シャドーマスクが薄膜層を傷つける
ことを防止する効果も確認できた。
Example 5 In this example, a display device was manufactured in the same manner as in Example 4, except that the lift-off resist used in Example 1 was used as a material for forming the insulating layer. Since the cross section of the insulating layer has a reverse tapered shape of about 90 ° to 110 °, a portion where the organic thin film layer such as the hole transport layer and the light emitting layer becomes relatively thin near the boundary line is formed. Although light emission became slightly unstable, luminance unevenness was reduced as compared with the case where there was no guide electrode, and a display device with high luminous efficiency was obtained. In addition, the effect of preventing the shadow mask from damaging the thin film layer was also confirmed.

【0054】[0054]

【発明の効果】ガイド電極がベース電極を露出せしめる
境界線と絶縁層がベース電極を露出せしめる境界線が同
一である表示装置は第一電極の低抵抗化に有利であり、
輝度ムラが少なく、色純度に優れると共に発光効率が高
い有機電界発光素子からなる表示装置を得ることができ
る。さらに、絶縁層の断面を順テーパー形状とすること
で、境界線付近での発光の不安定性を回避できる。ま
た、ベース電極とガイド電極の積層膜をパターニング
し、その上で絶縁層をパターニングした後、絶縁層パタ
ーンを用いてガイド電極を除去する方法で作製すること
により、少ない工程で作成することができ、工程的にも
有利である。
A display device in which the boundary line at which the guide electrode exposes the base electrode and the boundary line at which the insulating layer exposes the base electrode is the same is advantageous for lowering the resistance of the first electrode.
A display device including an organic electroluminescent element having less luminance unevenness, excellent color purity, and high luminous efficiency can be obtained. Furthermore, by making the cross section of the insulating layer a forward tapered shape, instability of light emission near the boundary line can be avoided. In addition, by patterning the laminated film of the base electrode and the guide electrode, patterning the insulating layer thereon, and then removing the guide electrode using the insulating layer pattern, it can be manufactured in a small number of steps. It is advantageous also in the process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ベース電極上のガイド電極と絶縁層とによる同
一の境界線で形成された開口部の一例を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing an example of an opening formed by the same boundary line between a guide electrode and an insulating layer on a base electrode.

【図2】ベース電極上のガイド電極と絶縁層とによる同
一を示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing the same configuration of a guide electrode and an insulating layer on a base electrode.

【図3】図1もしくは図2のX−X’断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 1 or FIG. 2;

【図4】図1のY−Y’断面図。FIG. 4 is a sectional view taken along line Y-Y ′ of FIG. 1;

【図5】ベース電極上のガイド電極と絶縁層とによる同
一の境界線で形成された開口部の別の一例を示す平面
図。
FIG. 5 is a plan view showing another example of an opening formed at the same boundary line between a guide electrode and an insulating layer on a base electrode.

【図6】図5のX−X’断面図。FIG. 6 is a sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 5;

【図7】基板上の全面に形成されたベース電極膜/ガイ
ド電極膜の積層構造を示す断面図。
FIG. 7 is a sectional view showing a laminated structure of a base electrode film / guide electrode film formed on the entire surface of a substrate.

【図8】パターニングされた積層構造膜を示す断面図。FIG. 8 is a sectional view showing a patterned laminated structure film.

【図9】積層構造膜パターン上にリフトオフレジストを
パターニングした状態を示す断面図。
FIG. 9 is a sectional view showing a state in which a lift-off resist is patterned on the layered structure film pattern.

【図10】リフトオフレジストパターン形成後の基板上
に絶縁層を形成した状態を示す断面図。
FIG. 10 is a sectional view showing a state in which an insulating layer is formed on a substrate after a lift-off resist pattern is formed.

【図11】リフトオフにより絶縁層をパターニングした
状態を示す断面図。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state where an insulating layer is patterned by lift-off.

【図12】絶縁層パターンをレジストとしてガイド電極
をエッチング除去してベース電極を露出せしめた状態を
表す断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a state where a guide electrode is removed by etching using an insulating layer pattern as a resist to expose a base electrode.

【図13】発光層パターニング用シャドーマスクの一例
を示す平面図。
FIG. 13 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a light emitting layer.

【図14】第二電極パターニング用シャドーマスクの一
例を示す平面図。
FIG. 14 is a plan view showing an example of a shadow mask for patterning a second electrode.

【図15】絶縁層の断面が順テーパー形状である様子を
示す断面拡大図。
FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view illustrating a state where the cross section of the insulating layer has a forward tapered shape.

【図16】絶縁層の断面が垂直である様子を示す断面拡
大図。
FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view illustrating a state where a cross section of an insulating layer is vertical.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 11 ベース電極 12 ガイド電極 13 リフトオフレジスト 14 絶縁層 15 開口部 16 境界線 17 有機薄膜層 18 第二電極 31 マスク部分 32 シャドーマスクの開口部 33 補強線 34 フレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 11 Base electrode 12 Guide electrode 13 Lift-off resist 14 Insulating layer 15 Opening 16 Boundary line 17 Organic thin film layer 18 Second electrode 31 Mask part 32 Shadow mask opening 33 Reinforcement line 34 Frame

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/10 H05B 33/10 33/14 33/14 A 33/22 33/22 Z ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05B 33/10 H05B 33/10 33/14 33/14 A 33/22 33/22 Z

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成された第一電極と前記第一電
極に対向して設けられた第二電極とを含む表示装置であ
って、前記第一電極が少なくともベース電極とガイド電
極とを積層したものであり、前記ガイド電極上に絶縁層
が形成され、かつ、前記ガイド電極が前記ベース電極を
露出せしめる境界線と前記絶縁層が前記ベース電極を露
出せしめる境界線とが実質的に同一であることを特徴と
する表示装置。
1. A display device comprising: a first electrode formed on a substrate; and a second electrode provided to face the first electrode, wherein the first electrode includes at least a base electrode and a guide electrode. Wherein an insulating layer is formed on the guide electrode, and a boundary line at which the guide electrode exposes the base electrode and a boundary line at which the insulating layer exposes the base electrode are substantially formed. A display device, which is the same.
【請求項2】表示装置が、基板上に形成された第一電極
と、前記第一電極上に形成された少なくとも有機化合物
からなる発光層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成さ
れた第二電極とを含む有機電界発光素子からなる表示装
置である請求項1記載の表示装置。
2. A display device comprising: a first electrode formed on a substrate; a thin film layer including at least an organic compound formed on the first electrode; and a light emitting layer formed on the thin film layer. The display device according to claim 1, wherein the display device is a display device including an organic electroluminescent element including a second electrode.
【請求項3】ガイド電極がベース電極を露出せしめる開
口部形状と絶縁層がベース電極を露出せしめる開口部形
状とが実質的に同一であることを特徴とする請求項1記
載の表示装置。
3. The display device according to claim 1, wherein an opening shape of the guide electrode exposing the base electrode is substantially the same as an opening shape of the insulating layer exposing the base electrode.
【請求項4】ベース電極が透明であることを特徴とする
請求項1記載の表示装置。
4. The display device according to claim 1, wherein the base electrode is transparent.
【請求項5】境界線付近における絶縁層の断面が順テー
パー形状であることを特徴とする請求項1記載の表示装
置。
5. The display device according to claim 1, wherein a cross section of the insulating layer near the boundary line has a forward tapered shape.
【請求項6】基板上に形成された第一電極と前記第一電
極に対向して設けられた第二電極とを含み、前記第一電
極が少なくともベース電極とガイド電極とを積層した表
示装置の製造方法であって、ベース電極とガイド電極と
の積層膜を一度にパターニングする工程と、パターニン
グした積層膜上に絶縁層のパターンを形成する工程と、
ガイド電極の露出した部分を除去することによりベース
電極の一部を露出せしめる工程とを含むことを特徴とす
る表示装置の製造方法。
6. A display device comprising: a first electrode formed on a substrate; and a second electrode provided to face the first electrode, wherein the first electrode has at least a base electrode and a guide electrode laminated. A method of patterning a laminated film of a base electrode and a guide electrode at once, and a step of forming a pattern of an insulating layer on the patterned laminated film,
Removing the exposed portion of the guide electrode to expose a part of the base electrode.
【請求項7】ベース電極とガイド電極との積層膜のパタ
ーニングをフォトリソ法により行うことを特徴とする請
求項6記載の表示装置の製造方法。
7. The method according to claim 6, wherein the patterning of the laminated film of the base electrode and the guide electrode is performed by a photolithography method.
【請求項8】絶縁層のパターン形成をフォトリソ法によ
り行うことを特徴とする請求項6記載の表示装置の製造
方法。
8. The method according to claim 6, wherein the patterning of the insulating layer is performed by a photolithography method.
【請求項9】パターン形成された絶縁層をマスクとして
用いて、ガイド電極の露出した部分をエッチングによっ
て除去することを特徴とする請求項6記載の表示装置の
製造方法。
9. The method according to claim 6, wherein the exposed portion of the guide electrode is removed by etching using the patterned insulating layer as a mask.
JP2000144704A 1999-05-24 2000-05-17 Display device and manufacture of the same Pending JP2001043981A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000144704A JP2001043981A (en) 1999-05-24 2000-05-17 Display device and manufacture of the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14333199 1999-05-24
JP11-143331 1999-05-24
JP2000144704A JP2001043981A (en) 1999-05-24 2000-05-17 Display device and manufacture of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001043981A true JP2001043981A (en) 2001-02-16

Family

ID=26475097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000144704A Pending JP2001043981A (en) 1999-05-24 2000-05-17 Display device and manufacture of the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001043981A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031201A (en) * 2002-06-27 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2004185951A (en) * 2002-12-03 2004-07-02 Dainippon Printing Co Ltd Production line for flexible polymer organic el display
JP2005032735A (en) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent element
JP2005534145A (en) * 2002-07-23 2005-11-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Electroluminescent display and electronic device having such a display
US7301275B2 (en) 2002-02-12 2007-11-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display device including a step alleviation in light emitting area
KR20150026045A (en) * 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US9000429B2 (en) 2002-04-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9166202B2 (en) 2002-06-07 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9412804B2 (en) 2002-04-26 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
EP1608017B1 (en) * 2004-06-14 2016-08-10 LG Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
WO2022107764A1 (en) * 2020-11-23 2022-05-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 Magnetic sensor

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005032735A (en) * 2000-09-25 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent element
US7301275B2 (en) 2002-02-12 2007-11-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display device including a step alleviation in light emitting area
US9978811B2 (en) 2002-04-23 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9165987B2 (en) 2002-04-24 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9362534B2 (en) 2002-04-24 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9000429B2 (en) 2002-04-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US10454059B2 (en) 2002-04-24 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9831459B2 (en) 2002-04-24 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module with white light
US9853098B2 (en) 2002-04-26 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US9412804B2 (en) 2002-04-26 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US9166202B2 (en) 2002-06-07 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004031201A (en) * 2002-06-27 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2005534145A (en) * 2002-07-23 2005-11-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Electroluminescent display and electronic device having such a display
JP2004185951A (en) * 2002-12-03 2004-07-02 Dainippon Printing Co Ltd Production line for flexible polymer organic el display
EP1608017B1 (en) * 2004-06-14 2016-08-10 LG Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
KR20150026045A (en) * 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR102084400B1 (en) * 2013-08-30 2020-03-04 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
WO2022107764A1 (en) * 2020-11-23 2022-05-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 Magnetic sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8334649B2 (en) Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device
JP3428397B2 (en) Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP3813217B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescence display panel
US20080018236A1 (en) Organic Electroluminescent Device and Manufacturing Method Thereof
JP2001237073A (en) Metal mask for multiple formation and manufacturing method of the same
JPH11144865A (en) Manufacture of organic electroluminescent element
JP2004296436A (en) Organic electroluminescent device, and manufacturing method of the same
JP2001043981A (en) Display device and manufacture of the same
JP2001234385A (en) Metal mask and its producing method
JP2003123969A (en) Deposition mask and method for manufacturing organic electroluminescence display
JP2003076297A (en) Display panel and apparatus for holding substrate
JP2000208255A (en) Organic electroluminescent display and manufacture thereof
JP2000315576A (en) Organic electroluminescence element and manufacture thereof
JP2015143375A (en) Metal mask and production method thereof, and production method of display device
JP2001148289A (en) Organic electroluminescent display panel and its manufacturing method
JP2006237012A (en) Organic electroluminescent displays panel and its manufacturing method
CN110165080B (en) Light emitting device, display panel and preparation method thereof
JP2001006879A (en) Organic electroluminescent device
JP2001291580A (en) Electroluminescent device
JP2003163080A (en) Wiring board for organic el element and manufacturing method therefor
JP3531597B2 (en) Organic electroluminescent device
JP3926314B2 (en) Organic electroluminescence display panel and manufacturing method thereof
JP2001006881A (en) Organic electroluminescent device
JP2001196171A (en) Organic el display panel and manufacturing method of the same
JPS60124393A (en) Method of producing polycolor light emitting thin film el panel