JP2007005056A - Organic el device and its manufacturing method - Google Patents

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康 岡島
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聖一 飯野
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device which suppresses occurrence of luminance unevenness, color unevenness or the like due to variations in the film thickness of a functional layer, and also to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: The manufacturing method comprises steps of: forming a pixel electrode 108 on a substrate 102; forming a barrier rib 10 surrounding the pixel electrode 108, with one side surface having an affinity for water and at least with one part of upper surface having water repellency, over the substrate 102 where the pixel electrode 108 is formed; forming the functional layer 126 including at least a light emitting layer 124 on the pixel electrode 108 surrounded by the barrier rib 10, by dropping a liquid material to remove solvent; and forming a cathode layer 128 over the substrate 102 where the functional layer 126 is formed. As a result, variations in the film thickness of the functional layer is hard to occur, so the occurrence of color unevenness, luminance unevenness or the like is suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機EL装置、及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL device and a manufacturing method thereof.

近年、EL(エレクトロルミネッセンス)装置は、液晶ディスプレイに代わる自発光型ディスプレイとして様々な表示装置に応用されている。また、プリンタヘッドの光源として開発が進められている。有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置は、一般に、個別に制御可能な電極(以下、画素電極と称する。)と、それに対向する全画素間で共通電位となる電極(以下、陰極と称する。)と、上記2つの電極間に狭持される、少なくとも有機EL層(以下、発光層と称する。)を含む固体薄膜層(以下、機能層と称する。)等で構成されている。   In recent years, EL (electroluminescence) devices have been applied to various display devices as self-luminous displays that replace liquid crystal displays. Further, development is progressing as a light source for printer heads. In general, an organic EL (electroluminescence) device generally includes an individually controllable electrode (hereinafter referred to as a pixel electrode) and an electrode (hereinafter referred to as a cathode) that has a common potential between all the pixels opposed to the electrode. It is composed of a solid thin film layer (hereinafter referred to as a functional layer) including at least an organic EL layer (hereinafter referred to as a light emitting layer) sandwiched between the two electrodes.

表示装置においては、電極間に電圧が印加され、上記機能層に電流が流れると、上記発光層が発光して、有機EL装置の表示領域に文字や画像等が表示されることになる。有機EL装置は、使用する有機EL層を構成する材料により、低分子型と高分子型に大別される。例えば高分子型有機EL装置の製造工程における機能層の形成方法として、表面が撥液性の有機材料からなる隔壁で囲まれた画素電極上に、上記機能層を構成する材料を溶媒に溶解または分散した液体材料(以下、液材と称する。)をインクジェット装置で滴下し、その後、乾燥工程で溶媒を除去する方法(以下、インクジェット法と称する。)が提案されている。隔壁表面を撥液性とするのは、滴下された液材が隣接する画素電極上へ流出するのを防止するためである。インクジェット法は、薄膜形成とパターニングを同時にできるため工程が短縮できること、画素電極上に直接液材を供給するため材料の無駄が少ないこと、等の利点がある。   In the display device, when a voltage is applied between the electrodes and a current flows through the functional layer, the light emitting layer emits light, and characters, images, and the like are displayed in the display area of the organic EL device. The organic EL device is roughly classified into a low molecular type and a high molecular type depending on the material constituting the organic EL layer to be used. For example, as a method for forming a functional layer in a manufacturing process of a polymer organic EL device, a material constituting the functional layer is dissolved in a solvent on a pixel electrode surrounded by a partition made of a liquid repellent organic material. A method of dropping a dispersed liquid material (hereinafter referred to as a liquid material) with an ink jet apparatus and then removing the solvent in a drying step (hereinafter referred to as an ink jet method) has been proposed. The reason for making the partition surface liquid repellent is to prevent the dropped liquid material from flowing out onto the adjacent pixel electrode. The ink-jet method has advantages such as that a process can be shortened because thin film formation and patterning can be performed simultaneously, and that a waste of material is reduced because a liquid material is supplied directly onto the pixel electrode.

しかし、表面の全てが撥液性の隔壁で囲まれた画素電極上に、インクジェット法で機能層を形成する場合、画素電極上のみが親液性のため、隔壁と画素電極が接する部分にて機能層の膜厚が極端に薄くなり、機能層両面に接する電極間のショートを引き起こすことがあり得る。そこで、上記のショートを回避するために、例えば特許文献1では、CF4プラズマによる処理で撥液性を付加された有機材料隔壁と、画素電極との間にシリコン酸化膜を挟み、撥液性を付与された有機材料隔壁と画素電極が接する部分をなくした構造の有機EL装置が提示されている。シリコン酸化膜は親液性を有するため、画素電極上で機能層が極端に薄くなる部分がなくなり、上述した機能層両面の電極間のショートを防止できる。 However, when a functional layer is formed by an inkjet method on a pixel electrode whose entire surface is surrounded by a liquid-repellent partition wall, only the pixel electrode is lyophilic so that the partition wall and the pixel electrode are in contact with each other. The film thickness of the functional layer becomes extremely thin, which may cause a short circuit between the electrodes in contact with both surfaces of the functional layer. Therefore, in order to avoid the above short circuit, for example, in Patent Document 1, a silicon oxide film is sandwiched between an organic material partition wall to which liquid repellency has been added by treatment with CF 4 plasma and a pixel electrode, thereby providing liquid repellency. An organic EL device having a structure in which a portion where an organic material partition wall provided with a pixel electrode is in contact is eliminated. Since the silicon oxide film is lyophilic, there is no portion where the functional layer is extremely thin on the pixel electrode, and the above-described short circuit between the electrodes on both sides of the functional layer can be prevented.

特開平2001―291583号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-291583

しかし、上記構造の隔壁で囲まれた画素電極上に、インクジェット法により機能層を形成すると、機能層の膜厚が一画素内でばらつく、つまり膜厚均一性が悪化することがあり得ることが判明してきた。そして、その原因は、隔壁の撥液性を有する有機材料部分と親液性を有するシリコン酸化膜との境界領域が、滴下後の乾燥から硬化に至る間、特に乾燥が進み硬化直前に至る段階の液材の表面状態に悪影響を及ぼしているからだということが、経験的に判明してきた。上記の機能層膜厚のばらつきは、機能層中の電流密度のばらつき等による色むら、輝度むら等の原因となり得る。   However, when a functional layer is formed on the pixel electrode surrounded by the partition wall having the above structure by an inkjet method, the thickness of the functional layer may vary within one pixel, that is, the thickness uniformity may deteriorate. It turns out. The reason is that the boundary region between the organic material portion having liquid repellency of the partition wall and the silicon oxide film having lyophilicity is a stage where the drying proceeds and cures, particularly during the period from drying to curing. It has been empirically found that this is because it adversely affects the surface condition of the liquid material. The variation in the thickness of the functional layer can cause color unevenness, luminance unevenness, and the like due to variations in current density in the functional layer.

よって本発明は、機能層膜厚のばらつきの少ない有機EL装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide an organic EL device with little variation in the functional layer thickness and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するために、本発明による有機EL装置の製造方法は、基板上に画素電極を形成する工程と、上記画素電極を囲むように、表面の少なくとも一部が撥液性を有し、かつ、上記表面の他の一部が親液性を有する隔壁を形成する工程と、上記画素電極上に液体材料を滴下し乾燥させることにより、少なくとも発光層を含む機能層を形成する工程と、上記機能層が形成された上記基板上に陰極層を形成する工程と、を含む。   In order to achieve the above object, an organic EL device manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a pixel electrode on a substrate, and at least a part of a surface having liquid repellency so as to surround the pixel electrode. And a step of forming a partition wall in which another part of the surface is lyophilic, and a step of forming a functional layer including at least a light emitting layer by dripping and drying a liquid material on the pixel electrode; And forming a cathode layer on the substrate on which the functional layer is formed.

かかる製造方法によれば、上記隔壁の親液性を有する側面により上記機能層の膜厚のばらつきの発生を抑制しつつ、上記隔壁の上面の撥液性の部分により滴下された液材が隣接する画素電極上に流出することを回避できる。   According to this manufacturing method, the liquid material dropped by the liquid-repellent portion of the upper surface of the partition wall is adjacent to the partition wall while suppressing the occurrence of variations in the film thickness of the functional layer by the lyophilic side surface of the partition wall. It is possible to avoid outflow onto the pixel electrode.

好ましくは、上記隔壁を形成する工程が、上記基板上の全面に有機材料層を形成し、上記有機材料層をパターニングすることにより行われる工程を含む。   Preferably, the step of forming the partition includes a step of forming an organic material layer on the entire surface of the substrate and patterning the organic material layer.

有機材料は、本来の性質が親液性である一方で、フッ素系のプラズマ処理により表面を撥液性にできるので、かかる製造方法によれば、上面が撥液性を有し側面が親液性を有する隔壁を容易に形成できる。   While organic materials are inherently lyophilic, the surface can be made liquid-repellent by fluorine-based plasma treatment. Therefore, according to such a manufacturing method, the upper surface is liquid-repellent and the side surface is lyophilic. The partition which has property can be formed easily.

好ましくは、上記隔壁を形成する工程が、上記有機材料層をパターニングする前に、上記有機材料層表面に、撥液性がより高くなるような条件下でのプラズマ処理を施すことにより行われる工程を含む。   Preferably, the step of forming the partition wall is performed by subjecting the surface of the organic material layer to plasma treatment under a condition that makes the liquid repellency higher before patterning the organic material layer. including.

かかる製造方法によれば、有機材料のみで形成されながら、上面が撥液性を有する一方、機能層と接する側面は親液性を有する隔壁を形成できるので、上記隔壁の構成を複雑化させずに、上記機能層の膜厚のばらつきの発生を抑制できる。   According to such a manufacturing method, while the upper surface has liquid repellency while being formed of only an organic material, the side surface in contact with the functional layer can form a lyophilic partition wall, so that the configuration of the partition wall is not complicated. Furthermore, the occurrence of variations in the film thickness of the functional layer can be suppressed.

好ましくは、上記隔壁を形成する工程が、上記有機材料層をパターニングして上記隔壁を形成した後に、上記隔壁の上面の少なくとも一部に撥液性がより高くなるような条件下でのプラズマ処理を施すことにより行われる工程を含む。   Preferably, the step of forming the partition wall includes plasma treatment under conditions such that at least a part of the upper surface of the partition wall has higher liquid repellency after the organic material layer is patterned to form the partition wall. The process performed by giving is included.

かかる製造方法によれば、有機材料のみで形成された隔壁の上面のみに撥液性を付与することができる一方、上記機能層と接する隔壁の側面の親液性は保てるので、上記隔壁の構成を複雑化させずに、上記機能層の膜厚のばらつきの発生を抑制できる。   According to such a manufacturing method, liquid repellency can be imparted only to the upper surface of the partition wall formed of only an organic material, while the lyophilicity of the side surface of the partition wall in contact with the functional layer can be maintained. The occurrence of variations in the film thickness of the functional layer can be suppressed without increasing the complexity.

好ましくは、上記隔壁形成後、上記機能層を形成する前に、上記基板上に酸素プラズマ処理を施す工程を含む。   Preferably, the method includes a step of performing oxygen plasma treatment on the substrate after forming the partition and before forming the functional layer.

酸素プラズマはパターニング時に生じた有機系の残渣を除去できるので、かかる製造方法によれば、上記隔壁の側面、及び上記画素電極の表面をより一層親液性とすることができ、上記機能層の膜厚のばらつきの発生をより一層抑制できる。   Since oxygen plasma can remove organic residues generated during patterning, according to this manufacturing method, the side surfaces of the partition walls and the surface of the pixel electrodes can be made more lyophilic, and the functional layer Occurrence of variations in film thickness can be further suppressed.

また、上記目的を達成するために、本発明による有機EL装置の製造方法は、基板上に画素電極を形成する工程と、上記画素電極の周囲に、少なくとも有機材料で構成される最上層と、無機材料で構成される最下層とを含む複数の層からなる隔壁を形成する工程と、上記有機材料層の表面の一部または全体が撥液性になるような処理を施す工程と、上記画素電極上に、液体材料を滴下し乾燥させることにより、少なくとも発光層を含む機能層を形成する工程と、上記機能層が形成された上記基板上に陰極層を形成する工程と、を含み、上記無機材料層の膜厚を、上記機能層の膜厚よりも厚く形成することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an organic EL device manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a pixel electrode on a substrate, a top layer made of at least an organic material around the pixel electrode, A step of forming a partition made of a plurality of layers including a lowermost layer made of an inorganic material, a step of performing a treatment such that a part or the whole of the surface of the organic material layer becomes liquid repellent, and the pixel A step of forming a functional layer including at least a light emitting layer by dropping and drying a liquid material on the electrode; and a step of forming a cathode layer on the substrate on which the functional layer is formed, and The inorganic material layer is formed to be thicker than the functional layer.

かかる製造方法によれば、上記機能層が、上記隔壁の撥液性を有する部分と接触する部分をなくすことができ、隔壁の撥液性を有する部分と親液性を有する部分との境界領域に起因する、上記機能層の膜厚ばらつきの発生を抑制できる。   According to such a manufacturing method, the functional layer can eliminate a portion in contact with the liquid-repellent portion of the partition wall, and a boundary region between the liquid-repellent portion and the lyophilic portion of the partition wall Occurrence of variations in the thickness of the functional layer due to the above can be suppressed.

好ましくは、上記無機材料層を、滴下直後の上記液体材料の液面高さよりも厚く形成する。   Preferably, the inorganic material layer is formed thicker than the liquid level of the liquid material immediately after dropping.

かかる製造方法によれば、上記機能層の乾燥中においても、上記隔壁のうち表面が撥液性の部分と接触することがなくなり、上記機能層の膜厚ばらつきの発生を、より一層抑制することができる。   According to this manufacturing method, even during the drying of the functional layer, the surface of the partition wall does not come into contact with the liquid repellent portion, and the occurrence of variations in the thickness of the functional layer is further suppressed. Can do.

好ましくは、上記無機材料層の膜厚を、上記有機材料層の膜厚よりも厚く形成する。   Preferably, the inorganic material layer is formed thicker than the organic material layer.

かかる製造方法によれば、上記隔壁の高さを必要以上に高くすることがなくなり、上記機能層形成後の基板表面の段差を低減できるため、上記機能層の上に形成する上記陰極層のつきまわりを向上できる。   According to this manufacturing method, the height of the partition wall is not increased more than necessary, and the step on the substrate surface after the functional layer is formed can be reduced. Therefore, the cathode layer formed on the functional layer is attached. You can improve your surroundings.

好ましくは、上記複数の層を一括してパターニングすることにより、上記隔壁を形成する。   Preferably, the partition walls are formed by patterning the plurality of layers at once.

かかる製造方法によれば、多層構造の隔壁を有する有機EL装置の製造工程を簡略化でき、製造コストを削減できる。   According to this manufacturing method, the manufacturing process of the organic EL device having a multi-layered partition wall can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.

好ましくは、上記複数の層からなる隔壁の形成が、少なくとも1層を、その上の層が形成される前にパターニングすることにより行われる。   Preferably, the partition wall composed of the plurality of layers is formed by patterning at least one layer before forming a layer thereon.

かかる製造方法によれば、上記隔壁の上層のパターン寸法を、それより下層のパターン寸法に比較して小さくでき、上記隔壁の側面形状がオーバーハングすることを回避できる。その結果、上記機能層の上に形成する上記陰極層のつきまわりを向上できる。   According to this manufacturing method, the pattern dimension of the upper layer of the partition can be made smaller than the pattern dimension of the lower layer, and the side shape of the partition can be prevented from overhanging. As a result, the throwing power of the cathode layer formed on the functional layer can be improved.

好ましくは、上記隔壁の形成後、上記機能層を形成する前に、上記基板全面に酸素プラズマ処理を施す。   Preferably, an oxygen plasma treatment is performed on the entire surface of the substrate after forming the partition and before forming the functional layer.

かかる製造方法によれば、上記機能層と接することになる上記無機材料層の側面部分、及び上記画素電極の表面が親液性となり、上記機能層の膜厚のばらつきをより一層抑制できる。   According to this manufacturing method, the side surface portion of the inorganic material layer that comes into contact with the functional layer and the surface of the pixel electrode become lyophilic, and variations in the thickness of the functional layer can be further suppressed.

また、上記目的を達成するために本発明による有機EL装置は、基板上に配置された画素電極と、上記画素電極の周囲を囲む隔壁と、少なくとも発光層を含む機能層と、上記機能層を介して上記画素電極に対向する対向電極と、を有しており、上記隔壁の表面の少なくとも一部が撥液性表面を有し、上記隔壁の表面の少なくとも上記機能層と接している部分が、親液性表面を有している。   In order to achieve the above object, an organic EL device according to the present invention includes a pixel electrode disposed on a substrate, a partition wall surrounding the pixel electrode, a functional layer including at least a light emitting layer, and the functional layer. A counter electrode facing the pixel electrode, wherein at least a part of the surface of the partition wall has a liquid repellent surface, and at least a part of the surface of the partition wall in contact with the functional layer is Has a lyophilic surface.

かかる構成により、機能層形成時において、上記隔壁の上面の撥液性表面を有する部分により液材が隣接する画素電極上へ流出することを防止しつつ、上記隔壁の側面の親液性表面を有する部分により上記機能層の膜厚のばらつきの発生を抑制でき、膜厚のばらつきに起因する色むらを抑制できる。   With this configuration, when the functional layer is formed, the liquid material is prevented from flowing out onto the adjacent pixel electrode by the portion having the liquid repellent surface on the upper surface of the partition wall, and the lyophilic surface on the side surface of the partition wall is prevented. Owing to the portion, the occurrence of variations in the thickness of the functional layer can be suppressed, and uneven color caused by the variations in thickness can be suppressed.

好ましくは、上記隔壁が、少なくとも最上層と最下層を含む複数の層で形成されている。   Preferably, the partition is formed of a plurality of layers including at least an uppermost layer and a lowermost layer.

かかる構成により、上記隔壁を例えば、有機材料からなる層と無機材料からなる層のように、異なる材料で形成できる。そして有機材料は、プラズマ処理により表面を撥液性にできる一方、本来の性質は親液性なので、上記機能層の形成時における、液材の隣接する画素電極上への流出の防止と、上記機能層の膜厚のばらつきの発生を抑制することを両立できる。   With this configuration, the partition wall can be formed of different materials such as a layer made of an organic material and a layer made of an inorganic material. And while the organic material can make the surface lyophobic by plasma treatment, since the original property is lyophilic, it prevents the outflow of the liquid material onto the adjacent pixel electrode when forming the functional layer, and It is possible to simultaneously suppress the occurrence of variations in the thickness of the functional layer.

また、上記目的を達成するために、本発明による有機EL装置は、基板上に配置された画素電極と、上記画素電極の周囲を囲む隔壁と、少なくとも発光層を含む機能層と、上記機能層を介して上記画素電極に対向する対向電極と、を有しており、上記最上層の表面は撥液性を有し、上記最下層の表面は親液性を有し、上記最下層の膜厚が上記機能層の膜厚よりも厚くなっている。   In order to achieve the above object, an organic EL device according to the present invention includes a pixel electrode disposed on a substrate, a partition wall surrounding the pixel electrode, a functional layer including at least a light emitting layer, and the functional layer. A surface of the uppermost layer having liquid repellency, a surface of the lowermost layer having lyophilicity, and a film of the lowermost layer The thickness is larger than the film thickness of the functional layer.

かかる構成により、上記機能層は、表面が親液性である上記隔壁の最下層にのみ接触することになる。したがって、表面が撥液性である上記隔壁の最上層により、液材が隣接する画素電極上へ流出することを防止しつつ、上記機能層が撥液性を有する最上層に触れることがなくなるため、上記機能層の膜厚のばらつきの発生を抑制できる。   With this configuration, the functional layer comes into contact only with the lowermost layer of the partition wall whose surface is lyophilic. Therefore, the uppermost layer of the partition wall having a liquid repellent surface prevents the liquid material from flowing out onto the adjacent pixel electrode, and the functional layer does not touch the uppermost layer having the liquid repellent property. The occurrence of variations in the thickness of the functional layer can be suppressed.

(発明の概要)
図1〜図5は本発明の概要を示す、完成前の有機EL装置の断面図であり、画素電極、及び機能層等を図示したものである。基板102上に、ゲート電極103で制御されるTFT104が形成されており、さらに、層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜105の所定の位置に形成されたコンタクトホール106を介して、TFT104と導通する画素電極108が形成されている。
(Summary of Invention)
1 to 5 are sectional views of an organic EL device before completion, showing an outline of the present invention, and illustrate a pixel electrode, a functional layer, and the like. A TFT 104 controlled by the gate electrode 103 is formed on the substrate 102, and a pixel that is electrically connected to the TFT 104 via a contact hole 106 formed at a predetermined position of a silicon oxide film 105 as an interlayer insulating film. An electrode 108 is formed.

図1は撥液処理された部分11を上面に有する、有機材料のみの単層で形成された隔壁10と、当該隔壁内に形成された機能層を示したものである。上述した隔壁中の有機材料部分とシリコン酸化膜部分との境界領域が存在しないため、膜厚均一性の良好な機能層が得られる。   FIG. 1 shows a partition wall 10 formed of a single layer made of only an organic material and having a liquid repellent portion 11 on its upper surface, and a functional layer formed in the partition wall. Since there is no boundary region between the organic material portion and the silicon oxide film portion in the partition wall, a functional layer with good film thickness uniformity can be obtained.

図2は、有機材料からなる隔壁上部306と、無機材料からなる隔壁下部304とで形成された2層隔壁30を有する有機EL装置である。隔壁上部306は上面だけでなく、側面も撥液処理されている。そして、機能層材料(液材)が滴下された直後の態様を破線で、乾燥・硬化により固体となったときの態様を実線で示している。このように、インクジェット法による薄膜形成では液体から固体への移行時に材料の体積が大きく変化するので、上述した境界の影響を回避するためには、隔壁のうち、親液性の部分が多い方が好ましい。したがって、2層の隔壁でも隔壁上部306の側面(の少なくとも一部)を親液性にすることも考えられる。   FIG. 2 shows an organic EL device having a two-layer partition 30 formed of a partition upper part 306 made of an organic material and a partition lower part 304 made of an inorganic material. The partition upper portion 306 is liquid-repellent treated not only on the upper surface but also on the side surface. And the aspect immediately after a functional layer material (liquid material) is dripped is shown with the broken line, and the aspect when it becomes solid by drying and hardening is shown with the continuous line. As described above, in the thin film formation by the ink jet method, the volume of the material changes greatly during the transition from the liquid to the solid. Therefore, in order to avoid the influence of the boundary described above, one having more lyophilic portions in the partition wall Is preferred. Therefore, it is also conceivable that the side surface (at least a part of) of the partition upper portion 306 is made lyophilic even in a two-layer partition.

図3〜図5は、図2に示した有機EL装置と同様の、2層隔壁30を有する有機EL装置であって、隔壁上部306の表面で撥液処理された部分11が占める割合を変化させたものである。図3に示すように、隔壁上部306の表面が全て撥液処理されていると、機能層を隔壁下部304より厚く形成することはできない。図4に示すように、隔壁上部306の側面の(上面から連続する)一部が撥液処理されていればその分機能層を厚く形成でき、さらに図5に示すように、隔壁上部306の側面の全域が親液性としてその分機能層を厚くすることもできる。   3 to 5 are organic EL devices having a two-layer partition wall 30 similar to the organic EL device shown in FIG. 2, and the ratio of the portion 11 subjected to the liquid repellent treatment on the surface of the partition upper portion 306 is changed. It has been made. As shown in FIG. 3, if the entire surface of the partition upper portion 306 is subjected to a liquid repellent treatment, the functional layer cannot be formed thicker than the partition lower portion 304. As shown in FIG. 4, if a part of the side surface (continuous from the upper surface) of the partition upper portion 306 is subjected to the liquid repellent treatment, a thicker functional layer can be formed. Further, as shown in FIG. The entire side surface can be made lyophilic and the functional layer can be thickened accordingly.

しかし、乾燥・硬化中、すなわち液体時の機能層材料が、できる限り上記境界領域に接しない方が良いならば、隔壁上部306の側面を親液性とするよりも、隔壁下部304の厚さを増加させる方が好ましい。したがって、機能層の均一性(表面形状)の観点からは、側面が親液性で上面が撥液処理された単一材料の隔壁か、有機材料の隔壁上部と、少なくとも硬化後の機能層膜厚よりも厚い無機材料からなる隔壁下部304とからなる2層構造の隔壁が好ましいと言える。本発明はこのような観点に基づき、膜厚均一性が向上した、すなわち良好な表面形状の機能層を有する有機EL装置を提供するものである。   However, if it is better that the functional layer material during drying / curing, that is, liquid, does not contact the boundary region as much as possible, the thickness of the partition wall lower portion 304 is made to be more lyophilic than the side surface of the partition upper portion 306 is made lyophilic. It is preferable to increase. Therefore, from the viewpoint of the uniformity (surface shape) of the functional layer, a single material partition wall having a lyophilic side surface and a liquid repellent treatment on the upper surface, or an organic material partition wall upper part and at least a cured functional layer film It can be said that a two-layer partition wall composed of a partition wall lower part 304 made of an inorganic material thicker than the thickness is preferable. Based on such a viewpoint, the present invention provides an organic EL device having a functional layer having a good surface shape with improved film thickness uniformity.

なお、以下に述べる第1〜第5の各実施形態では、基板の裏面(TFT、画素電極等が形成されていない方の面)から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション方式の有機EL装置を例にして説明しているが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば上記基板の表面(TFT、画素電極等が形成されている方の面)から光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式の有機EL装置にも同様に適用できる。また、本実施形態では、正孔注入層と発光層の2層を含む機能層を用いた例に沿って説明したが、他の層を含んでいても良い。   In each of the first to fifth embodiments described below, a so-called bottom emission type organic EL device that takes out light from the back surface of the substrate (the surface on which TFTs, pixel electrodes, etc. are not formed) is taken as an example. However, the present invention is not limited to this, and for example, a so-called top emission type organic EL that extracts light from the surface of the substrate (the surface on which TFTs, pixel electrodes, etc. are formed). The same applies to the device. Moreover, although this embodiment demonstrated along the example using the functional layer containing 2 layers of a positive hole injection layer and a light emitting layer, you may include another layer.

(第1の実施形態)
図6〜図14に、本発明にかかる有機EL装置の製造方法の第1の実施形態を示す。まず、図6に示すように、透明基板(以下、基板と称する。)102上に、ゲート電極103を含むスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する。)104を形成し、その上面に(基板全面に)層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜105を形成する。そして、TFT104上の所定の位置に、シリコン酸化膜105を選択的に除去してコンタクトホール106を形成し、コンタクトホール106を介してTFT104と導通する画素電極108をITO(酸化インジウム・スズ合金)で形成する。さらに基板全面に有機材料層としてポリイミド膜110を形成する。
(First embodiment)
FIGS. 6-14 shows 1st Embodiment of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning this invention. First, as shown in FIG. 6, a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 104 as a switching element including a gate electrode 103 is formed on a transparent substrate (hereinafter referred to as substrate) 102, and ( A silicon oxide film 105 as an interlayer insulating film is formed on the entire surface of the substrate. Then, a contact hole 106 is formed by selectively removing the silicon oxide film 105 at a predetermined position on the TFT 104, and the pixel electrode 108 that is electrically connected to the TFT 104 through the contact hole 106 is made of ITO (indium tin oxide alloy). Form with. Further, a polyimide film 110 is formed as an organic material layer on the entire surface of the substrate.

次に、図7に示すように、基板102の全面に形成されたポリイミド膜110をCF4プラズマAでプラズマ処理する。上記処理により、ポリイミド膜110の上面部分111にフッ素原子が入り込み、ポリイミドに含有されている炭素原子と反応し、(表面が)撥液性となる。プラズマ処理に用いるガスはCF4に限定されず、他のフッ素を含んだガス、例えばSF6、CHF3等を用いてもよい。 Next, as shown in FIG. 7, the polyimide film 110 formed on the entire surface of the substrate 102 is subjected to plasma treatment with CF 4 plasma A. By the above treatment, fluorine atoms enter the upper surface portion 111 of the polyimide film 110 and react with the carbon atoms contained in the polyimide, so that the surface becomes liquid repellent. The gas used for the plasma treatment is not limited to CF 4 , and other fluorine-containing gases such as SF 6 and CHF 3 may be used.

次に、図8に示すように、画素電極108上のポリイミド膜110を、フォトリソグラフィ−により選択的に除去し、画素電極108を露出させる。ここで、実際には、画素電極108の外周部分で、画素電極108とポリイミド膜110とが若干重なる部分が生じるように除去する。そうすると、画素電極108は、ポリイミド膜110をパターニングして形成された隔壁10で囲まれた形状となる。そして前工程でポリイミド膜の上面部分111に撥液処理が施されており、その後、フォトリソグラフィ−により隔壁状としたので、隔壁10は(ポリイミド膜の上面部分111がパターニングされた)隔壁上面12のみが撥液性で、隔壁側面14はポリイミド本来の性質(親液性)を保ったままとなる。   Next, as shown in FIG. 8, the polyimide film 110 on the pixel electrode 108 is selectively removed by photolithography to expose the pixel electrode 108. Here, in practice, the pixel electrode 108 and the polyimide film 110 are removed so that a part where the pixel electrode 108 and the polyimide film 110 are slightly overlapped is formed in the outer peripheral part of the pixel electrode 108. Then, the pixel electrode 108 has a shape surrounded by the partition 10 formed by patterning the polyimide film 110. In the previous step, the upper surface portion 111 of the polyimide film is subjected to a liquid repellent treatment, and then the partition wall shape is formed by photolithography. Therefore, the partition wall 10 is formed by patterning the upper surface portion 111 of the polyimide film. Only the liquid repellency is maintained, and the side wall 14 of the partition remains the original property (lyophilicity) of the polyimide.

なお、(第1〜第5のすべての実施形態に共通することだが)ポリイミド膜110を、感光性のポリイミドで形成してもよい。フォトレジストの塗布工程、及び除去工程を省略できるからである。   The polyimide film 110 may be formed of photosensitive polyimide (which is common to all the first to fifth embodiments). This is because the steps of applying and removing the photoresist can be omitted.

次に、図9に示すように、基板102全面に酸素プラズマBでプラズマ処理を行い、ポリイミド膜110のパターニング時に、基板102上、特に画素電極108上に残されていた有機系の残渣を除去する。酸素プラズマ処理の結果、画素電極108上が本来の性質(親液性)を取り戻す。   Next, as shown in FIG. 9, plasma treatment is performed on the entire surface of the substrate 102 with oxygen plasma B to remove organic residues remaining on the substrate 102, particularly on the pixel electrode 108, when the polyimide film 110 is patterned. To do. As a result of the oxygen plasma treatment, the original properties (lyophilicity) of the pixel electrode 108 are restored.

ここで、隔壁の上面12は、上記CF4プラズマ処理によりテフロン(登録商標)等の安定した物質となっているため、条件を最適化することにより前記酸素プラズマ処理を経ても撥液性を保つことができる。 Here, since the upper surface 12 of the partition wall is made of a stable substance such as Teflon (registered trademark) by the CF 4 plasma treatment, the liquid repellency is maintained even after the oxygen plasma treatment by optimizing the conditions. be able to.

次に、図10に示すように、インクジェット装置のノズル120から画素電極108上に、正孔注入層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材Cを滴下する。正孔注入層を構成する材料には、例えばポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いる。ここで、インクジェット装置のノズル120は、液材Cが、図示するように画素電極108の中央に滴下されるように調整されているが、多少のずれを生じることもある。また液材Cが真下に滴下されるとは限らない。しかし上記等の理由により、液材Cが仮に隔壁10にかかっても隔壁上面12は撥液性を有しているので、画素間の中間線を越えて滴下されたのではない限り、液材Cは所定の画素電極108上に流入する。   Next, as illustrated in FIG. 10, a liquid material C obtained by dissolving or dispersing a material constituting the hole injection layer in a solvent is dropped onto the pixel electrode 108 from the nozzle 120 of the ink jet apparatus. As a material constituting the hole injection layer, for example, a polythiophene derivative or a polyaniline derivative is used. Here, the nozzle 120 of the ink jet apparatus is adjusted so that the liquid material C is dropped onto the center of the pixel electrode 108 as shown in the figure, but there may be some deviation. Further, the liquid material C is not always dropped directly below. However, even if the liquid material C is applied to the partition wall 10 for the reasons described above, the partition wall upper surface 12 has liquid repellency, so that the liquid material is not dripped beyond the intermediate line between pixels. C flows onto the predetermined pixel electrode 108.

また、隔壁10と画素電極108とで形成される窪みの容積を滴下された液材Cの容積が越えても、上述したように隔壁上面12は撥液性を有しているため、滴下された液材Cは表面張力で盛り上がり、隣接する画素上には流出しない。   Even when the volume of the liquid material C dropped is larger than the volume of the depression formed by the partition wall 10 and the pixel electrode 108, the partition upper surface 12 has liquid repellency as described above, so that the liquid crystal C is dropped. The liquid material C swells due to surface tension and does not flow out onto adjacent pixels.

次に、図11に示すように、乾燥・硬化工程により溶媒を除去して、画素電極108上に正孔注入層122を形成する。   Next, as shown in FIG. 11, the solvent is removed by a drying / curing process to form a hole injection layer 122 on the pixel electrode 108.

次に、図12に示すように、インクジェット装置のノズル120から画素電極108上(正孔注入層122上)に、有機EL層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材Dを滴下する。隔壁上面12は撥液性を有しているため、液材Dが隣接する画素上へ流出することを回避できる点は上述した液材Cの場合と同様である。   Next, as shown in FIG. 12, a liquid material D obtained by dissolving or dispersing a material constituting the organic EL layer in a solvent from the nozzle 120 of the ink jet device onto the pixel electrode 108 (on the hole injection layer 122). Is dripped. Since the partition wall upper surface 12 has liquid repellency, it can be avoided that the liquid material D flows out onto the adjacent pixels as in the case of the liquid material C described above.

次に、図13に示すように、乾燥・硬化工程により溶媒を除去して、画素電極108上に発光層124を形成する。正孔注入層122と発光層124とにより機能層126が形成される。   Next, as shown in FIG. 13, the solvent is removed by a drying / curing process to form a light emitting layer 124 on the pixel electrode 108. A functional layer 126 is formed by the hole injection layer 122 and the light emitting layer 124.

なお、本発明に係る実施形態の全てに共通することであるが、図10、図12の液材滴下工程と、図11、図13の乾燥・硬化工程の組み合わせは、上記の2回に限定されるものではない。機能層126には他に電子輸送層等も含まれることがあり得るからである。   In addition, although it is common to all the embodiments according to the present invention, the combination of the liquid material dropping process of FIGS. 10 and 12 and the drying / curing process of FIGS. 11 and 13 is limited to the above two times. Is not to be done. This is because the functional layer 126 may further include an electron transport layer and the like.

最後に、図14に示すように、基板102全面に陰極層128を形成する。基板102の裏側から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション方式の場合には、光反射性を備えた金属膜(アルミニウム、アルミニウム合金、銀、または銀合金)からなる単一又は複数の層で形成する。一方、基板102の表側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション方式の場合には、前記陰極層は光透過性を有する導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)、或いはIZO(Indium Zinc Oxide)等で形成される。そして、その後の若干の周知工程を経て、有機EL装置を完成させる。   Finally, as shown in FIG. 14, a cathode layer 128 is formed on the entire surface of the substrate 102. In the case of a so-called bottom emission method in which light is extracted from the back side of the substrate 102, the light source is formed of one or a plurality of layers made of a metal film (aluminum, aluminum alloy, silver, or silver alloy) having light reflectivity. On the other hand, in the case of a so-called top emission method in which light is extracted from the front side of the substrate 102, the cathode layer is formed of ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) which is a light-transmitting conductive film. Is done. Then, after some subsequent well-known steps, the organic EL device is completed.

上述したように、機能層の作成過程において、有機EL層を構成する材料等を含む液材と撥液性表面の隔壁が接触していると、その影響が画素電極中央まで及び、乾燥・硬化後の機能層の膜厚にばらつきが生じ、断面が波打ったような形状となり得る。しかし、上記製造方法の実施により、隔壁上面12の撥液性を保ちつつ、隔壁側面14を親液性にできるため、機能層126の膜厚のばらつきを抑制できる。さらに、液材C、Dが親液性の隔壁側面14に引き付けられた状態で乾燥・硬化工程を行うため、形成された機能層126は周辺部で厚く、中央部で薄くなる傾向を有することになる。そのため、インクジェット法を用いて液材C、Dを滴下し、乾燥・硬化により機能層126を形成しても、機能層126中、特に発光層中の電流密度のばらつきによる、色むらの発生や寿命の低下が抑制された有機EL装置を得ることができる。   As described above, in the process of creating the functional layer, if the liquid material containing the material constituting the organic EL layer is in contact with the partition wall of the liquid repellent surface, the influence extends to the center of the pixel electrode, and drying / curing Variations in the film thickness of the subsequent functional layer can occur, resulting in a wavy cross-sectional shape. However, since the partition wall side face 14 can be made lyophilic while maintaining the liquid repellency of the partition upper surface 12 by performing the above manufacturing method, variations in the film thickness of the functional layer 126 can be suppressed. Furthermore, since the drying / curing process is performed in a state where the liquid materials C and D are attracted to the lyophilic partition wall 14, the formed functional layer 126 tends to be thick at the peripheral portion and thin at the central portion. become. Therefore, even when the liquid materials C and D are dropped using the ink jet method and the functional layer 126 is formed by drying and curing, color unevenness due to variations in current density in the functional layer 126, particularly in the light emitting layer, It is possible to obtain an organic EL device in which a decrease in lifetime is suppressed.

(第2の実施形態)
図15〜図18に、本発明に係る有機EL装置の製造方法の第2の実施形態を示す。なお、各図において図6〜図14と共通する構成要素には同一の符号を付している。
(Second Embodiment)
15 to 18 show a second embodiment of a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the component which is common in FIGS. 6-14.

まず、図15に示すように、第1の実施形態と同様に基板102上に、ゲート電極103を含むスイッチング素子としてのTFT104、コンタクトホール106、画素電極108等を形成後、有機材料層としてのポリイミド膜110を形成する。   First, as shown in FIG. 15, the TFT 104 as the switching element including the gate electrode 103, the contact hole 106, the pixel electrode 108, and the like are formed on the substrate 102 as in the first embodiment, and then the organic material layer is formed. A polyimide film 110 is formed.

次に、図16に示すように、画素電極108上の、ポリイミド膜110を、フォトリソグラフィーで選択的に除去し、画素電極108を露出させるとともに、残された部分で隔壁10を形成する。その際、第1の実施形態と同様に、画素電極108の外周部分で、画素電極108とポリイミド膜110とが、若干重なる部分が生じるように除去する。また、ポリイミド膜110は感光性ポリイミドで形成するのが好ましい点も、第1の実施形態と同様である。   Next, as shown in FIG. 16, the polyimide film 110 on the pixel electrode 108 is selectively removed by photolithography to expose the pixel electrode 108, and the partition 10 is formed in the remaining portion. At that time, similarly to the first embodiment, the pixel electrode 108 and the polyimide film 110 are removed so that a part where the pixel electrode 108 and the polyimide film 110 are slightly overlapped with each other. Further, the polyimide film 110 is preferably formed of photosensitive polyimide as in the first embodiment.

上記工程により、画素電極108は、ポリイミドからなる隔壁10で囲まれた形状となる。すなわち、側面がポリイミドの隔壁10で、底面が画素電極108である窪みが形成される。   Through the above process, the pixel electrode 108 has a shape surrounded by the partition wall 10 made of polyimide. That is, a depression is formed whose side wall is a polyimide partition wall 10 and whose bottom surface is a pixel electrode 108.

次に、図17に示すように、隔壁の部分が打ち抜かれた、選択プラズマ用マスク20を基板102上に重ねる。そして上記第1の実施形態と同様に、CF4等の、フッ素原子を含んだガスによるプラズマAでプラズマ処理を行う。選択プラズマ用マスク20により、隔壁側面14には、プラズマAが到達しない。 Next, as shown in FIG. 17, the selective plasma mask 20 in which the partition wall portions are punched is overlaid on the substrate 102. As in the first embodiment, plasma processing is performed with plasma A using a gas containing fluorine atoms, such as CF 4 . The plasma A does not reach the side wall 14 due to the selective plasma mask 20.

この処理により、図18に示すように、マスクで覆われていなかった部分22(隔壁10の上面の少なくとも一部)のみが撥液性となる。一方、その他の部分、すなわち主として隔壁の側面14(及び、画素電極108上面)はフッ化処理されず、元の性質を保ったままである。なお、プラズマ処理に用いるガスはCF4に限定されず、他のフッ素を含んだガス、例えばSF6、CHF3等を用いてもよい。 By this process, as shown in FIG. 18, only the portion 22 (at least a part of the upper surface of the partition wall 10) that is not covered with the mask becomes liquid repellent. On the other hand, the other part, that is, mainly the side surface 14 of the partition wall (and the upper surface of the pixel electrode 108) is not subjected to the fluorination treatment, and the original property is maintained. Note that the gas used for the plasma treatment is not limited to CF 4 , and other fluorine-containing gas such as SF 6 or CHF 3 may be used.

この後は、第1の実施形態と同様に、基板全面に酸素プラズマでプラズマ処理を行う。隔壁10のマスクで覆われていなかった部分22の撥液性を保ったまま、隔壁側面14、及び画素電極108上の有機系の残渣を除去できる。   Thereafter, as in the first embodiment, the entire surface of the substrate is subjected to plasma treatment with oxygen plasma. The organic residue on the side wall 14 and the pixel electrode 108 can be removed while maintaining the liquid repellency of the portion 22 not covered with the mask of the partition 10.

したがって、上述した工程までで、基板102上にマトリクス状に配置された、表面が親液性の画素電極108と、その周囲を囲む、上面の少なくとも一部が撥液性を有し側面が親液性を有する隔壁10を形成できる。   Therefore, up to the above-described steps, the lyophilic pixel electrodes 108 arranged in a matrix on the substrate 102 and the periphery surrounding at least a part of the upper surface having liquid repellency and the side surfaces being parent. A liquid partition 10 can be formed.

この後さらに、図10乃至14と同一の工程により、画素電極108上に、正孔注入層122と発光層124とからなる機能層126を形成し、基板全面に陰極層128を形成して、さらに若干の周知工程を加えて、有機EL装置を完成させる。   Thereafter, a functional layer 126 including a hole injection layer 122 and a light emitting layer 124 is formed on the pixel electrode 108 and a cathode layer 128 is formed on the entire surface of the pixel electrode 108 by the same process as in FIGS. Further, a few well-known processes are added to complete the organic EL device.

隔壁上面12の少なくとも一部は撥液性を有しているため、滴下される液材C、及びDの隣接する画素上への流出を避けられる点は、第1の実施形態と同様である。   Since at least a part of the partition upper surface 12 has liquid repellency, the liquid material C and D that are dropped can be prevented from flowing out onto adjacent pixels, as in the first embodiment. .

第1の実施形態と同様に、本実施形態でも単一材料(ポリイミド膜110)で形成されながら、上面12の少なくとも一部が撥液性を有し、側面14が親液性を有する隔壁10を得られる。そして、滴下された液材が隣接する画素へ流出することは、撥液性を有する隔壁上面で防止できる一方、乾燥・硬化後の機能層は、表面が親液性を有する隔壁側面と画素電極とにのみ接していることになる。そのため、インクジェット法により液材を滴下し、乾燥・硬化により機能層126を形成しても、機能層126の膜厚のばらつきの発生を抑制できる。この結果、上記ばらつきに起因する色むら、輝度むらや寿命の低下等が抑制された有機EL装置を得ることができる。   Similarly to the first embodiment, in this embodiment, the partition wall 10 is formed of a single material (polyimide film 110), and at least a part of the upper surface 12 has liquid repellency and the side surface 14 has lyophilicity. Can be obtained. The liquid material that has been dropped can be prevented from flowing out to adjacent pixels on the upper surface of the partition wall having liquid repellency, while the functional layer after drying / curing has the side surface of the partition wall and the pixel electrode having lyophilicity. It will be in contact only with. Therefore, even when the liquid material is dropped by an ink jet method and the functional layer 126 is formed by drying and curing, the occurrence of variations in the film thickness of the functional layer 126 can be suppressed. As a result, it is possible to obtain an organic EL device in which color unevenness, luminance unevenness, lifetime reduction, and the like due to the above variation are suppressed.

(第3の実施形態)
図19〜図29に、本発明に係る有機EL装置の製造方法の、第3の実施形態を示す。各図において、図6〜図14と共通する構成要素には同一の符号を付している。
(Third embodiment)
19 to 29 show a third embodiment of the method for manufacturing an organic EL device according to the present invention. In each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the component which is common in FIGS. 6-14.

まず、図19に示すように、基板102上に、ゲート電極103を含むスイッチング素子としてのTFT104を形成し、その上面に(基板全面に)、層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜105を形成する。そして、TFT104上の所定の位置にコンタクトホール106を形成し、コンタクトホール106を介してTFT104と導通する画素電極108を形成する。画素電極108は透明性と導電性が必要なため、ITOを用いている。さらに基板全面に無機材料層として、第2のシリコン酸化膜302を形成する。   First, as shown in FIG. 19, a TFT 104 as a switching element including a gate electrode 103 is formed on a substrate 102, and a silicon oxide film 105 as an interlayer insulating film is formed on the upper surface (over the entire surface of the substrate). Then, a contact hole 106 is formed at a predetermined position on the TFT 104, and a pixel electrode 108 that is electrically connected to the TFT 104 through the contact hole 106 is formed. Since the pixel electrode 108 needs transparency and conductivity, ITO is used. Further, a second silicon oxide film 302 is formed as an inorganic material layer on the entire surface of the substrate.

ここで、第2のシリコン酸化膜302の膜厚は、この後の工程で画素電極108上に形成される機能層126(図28参照)の膜厚よりも厚くなるよう形成する。第2のシリコン酸化膜302は、機能層を構成する材料を含有する液材に対し親液性なので、形成(硬化)後の機能層126はエッジ部が若干厚めになる。したがって、その分も考慮して、第2のシリコン酸化膜302の膜厚を充分厚くする。   Here, the film thickness of the second silicon oxide film 302 is formed to be larger than the film thickness of the functional layer 126 (see FIG. 28) formed on the pixel electrode 108 in the subsequent process. Since the second silicon oxide film 302 is lyophilic with respect to the liquid material containing the material constituting the functional layer, the edge of the functional layer 126 after formation (curing) is slightly thicker. Therefore, the second silicon oxide film 302 is made sufficiently thick in consideration of that amount.

次に、図20に示すように、第2のシリコン酸化膜302をフォトリソグラフィーによりパターニングし、画素電極108を囲む隔壁下部304を形成する。   Next, as shown in FIG. 20, the second silicon oxide film 302 is patterned by photolithography to form a lower partition wall 304 surrounding the pixel electrode 108.

次に、図21に示すように、基板全面に有機材料層としてのポリイミド膜110を形成する。   Next, as shown in FIG. 21, a polyimide film 110 as an organic material layer is formed on the entire surface of the substrate.

ここで、ポリイミド膜110の膜厚は、第2のシリコン酸化膜の膜厚より薄くなるように形成することが好ましい。ポリイミド膜110を形成する目的は、後述する隔壁上部306の表面を撥液性として、滴下された液材の、隣接する画素上への流出を防ぐことにあり、高さはそれほど必要ではないからである。また、ポリイミド膜110の膜厚を必要以上に厚くすることは、隔壁による基板表面の段差を増加させ、後述する陰極層128のつきまわりを低下させ得るからである。   Here, the film thickness of the polyimide film 110 is preferably formed to be smaller than the film thickness of the second silicon oxide film. The purpose of forming the polyimide film 110 is to make the surface of the partition upper part 306, which will be described later, lyophobic and prevent the dropped liquid material from flowing out onto the adjacent pixels, because the height is not so necessary. It is. In addition, increasing the film thickness of the polyimide film 110 more than necessary can increase the level difference on the substrate surface due to the partition walls and reduce the contact of the cathode layer 128 described later.

次に、図22に示すように、ポリイミド膜110をフォトリソグラフィーによりパターニングし、画素電極108を囲む隔壁上部306を形成する。隔壁下部304と隔壁上部306とにより、画素電極108を囲む2つの層からなる隔壁(以下、2層隔壁と称する。)30が形成される。   Next, as shown in FIG. 22, the polyimide film 110 is patterned by photolithography to form a partition upper portion 306 surrounding the pixel electrode 108. The partition wall lower portion 304 and the partition wall upper portion 306 form a partition wall (hereinafter referred to as a two-layer partition wall) 30 composed of two layers surrounding the pixel electrode 108.

ここで、上記パターニングは、残されるポリイミド膜110すなわち隔壁上部306の幅が、その下の、パターニング後の第2のシリコン酸化膜302、すなわち隔壁下部304の幅よりも若干狭くなるように実施する。フォトリソグラフィーの合わせずれを考慮して、第2のシリコン酸化膜302をパターニングして得られた隔壁下部304の側面に、ポリイミド膜110を残留させないためである。   Here, the patterning is performed so that the width of the remaining polyimide film 110, that is, the upper part 306 of the partition is slightly narrower than the width of the second silicon oxide film 302 after the patterning, that is, the lower part 304 of the partition. . This is because the polyimide film 110 is not left on the side surface of the partition wall lower portion 304 obtained by patterning the second silicon oxide film 302 in consideration of misalignment in photolithography.

次に、図23、図24に示すように基板全面に、酸素プラズマBによるプラズマ処理と、CF4プラズマAによるプラズマ処理を連続的に行なう。酸素プラズマBにより、画素電極108の表面、及び隔壁下部304、すなわち第2のシリコン酸化膜302で形成された部分の、有機系の残渣が除去される。そして、CF4プラズマAにより、隔壁上部306、すなわちポリイミド膜110で形成された部分の表面が撥液性になる。なお、上記CF4を用いるプラズマ処理は、他のフッ素原子を含んだガス、例えばSF6、CHF3等を用いてもよい。 Next, as shown in FIGS. 23 and 24, a plasma treatment with oxygen plasma B and a plasma treatment with CF 4 plasma A are continuously performed on the entire surface of the substrate. Oxygen plasma B removes organic residues on the surface of the pixel electrode 108 and the lower part of the partition wall 304, that is, the portion formed by the second silicon oxide film 302. Then, the upper surface of the partition wall 306, that is, the surface of the portion formed of the polyimide film 110 becomes liquid repellent by the CF 4 plasma A. The plasma treatment using CF 4 may use another gas containing fluorine atoms, such as SF 6 or CHF 3 .

次に、図25に示すように、周囲を2層隔壁30で囲まれた画素電極108上に、インクジェット装置のノズル120より、正孔注入層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材Cを滴下する。隔壁上部306の表面は撥液性を有するため、隣接する画素電極上への液材Cの流出は回避できる。   Next, as shown in FIG. 25, the material constituting the hole injection layer is dissolved or dispersed in a solvent from the nozzle 120 of the ink jet device on the pixel electrode 108 surrounded by the two-layer partition wall 30. The liquid material C is dropped. Since the surface of the partition upper portion 306 has liquid repellency, the outflow of the liquid material C onto the adjacent pixel electrode can be avoided.

次に、図26に示すように、乾燥・硬化工程により溶媒を除去して、正孔注入層122を形成する。   Next, as shown in FIG. 26, the solvent is removed by a drying / curing process to form the hole injection layer 122.

次に、図27に示すように、画素電極108上に形成された正孔注入層122上に、インクジェット装置のノズル120より、有機EL層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材Dを滴下する。上述したように、画素電極108上には正孔注入層122が形成されているので、2層隔壁30で形成された窪みは浅くなっている。したがって、滴下直後の液材Dは、隔壁下部304のみならず、隔壁上部306にも接触している。   Next, as shown in FIG. 27, the material constituting the organic EL layer is dissolved or dispersed in a solvent from the nozzle 120 of the ink jet device on the hole injection layer 122 formed on the pixel electrode 108. Liquid material D is dropped. As described above, since the hole injection layer 122 is formed on the pixel electrode 108, the recess formed by the two-layer partition wall 30 is shallow. Therefore, the liquid material D immediately after dropping is in contact with not only the partition wall lower part 304 but also the partition wall upper part 306.

次に、図28に示すように乾燥・硬化工程により溶媒を除去して、発光層124を形成する。上述したように、パターニングされて隔壁下部304となる第2のシリコン酸化膜302の膜厚は充分厚くしてあるため、溶媒を除去して得られた発光層124は隔壁上部306には接触しない。   Next, as shown in FIG. 28, the light-emitting layer 124 is formed by removing the solvent by a drying / curing process. As described above, since the thickness of the second silicon oxide film 302 that is patterned to become the partition lower portion 304 is sufficiently thick, the light emitting layer 124 obtained by removing the solvent does not contact the partition upper portion 306. .

そして、最後に、図29に示すように、第1の実施形態と同様に、周知の技術により基板全面に陰極層128を形成し、その後若干の周知工程を経て、有機EL装置を完成させる。   Finally, as shown in FIG. 29, as in the first embodiment, a cathode layer 128 is formed on the entire surface of the substrate by a well-known technique, and then an organic EL device is completed through some well-known steps.

本実施形態では、滴下直後の液材は表面が撥液性の隔壁上部306に接触しているものの、滴下直後の溶媒が豊富な時期を経過すると、液材が、乾燥・硬化中に表面が撥液性の隔壁上部306から離れる。そしてその後は、上記液材が撥液性表面の部分には接しない状態で乾燥・硬化が進み、形成された機能層は、表面が親液性である隔壁下部304の側面と画素電極108にのみ接触することになる。   In this embodiment, the liquid material immediately after dropping is in contact with the liquid-repellent partition upper part 306, but after the time when the solvent is abundant immediately after dropping, the surface of the liquid material is dried and cured. It leaves | separates from the liquid-repellent partition upper part 306. FIG. Thereafter, drying and curing proceed in a state where the liquid material is not in contact with the portion of the liquid repellent surface, and the formed functional layer is formed on the side surface of the partition wall lower portion 304 and the pixel electrode 108 whose surface is lyophilic. Will only touch.

上述したように、機能層の形成過程において、有機EL層を構成する材料等を含む液材と撥液性表面の隔壁が接触していると、その影響が画素電極中央まで及び、乾燥・硬化後の機能層の膜厚はばらつきを有し、断面は波打ったような形状となる。また、画素電極周辺部では、液材が撥液性表面の隔壁にはじかれた状態で乾燥・硬化するため、極薄化し、電極間の短絡の原因となり得る。   As described above, in the process of forming the functional layer, if the liquid material containing the material constituting the organic EL layer is in contact with the partition wall of the liquid repellent surface, the influence extends to the center of the pixel electrode and is dried / cured. The film thickness of the later functional layer varies, and the cross section has a wavy shape. Further, in the periphery of the pixel electrode, the liquid material is dried and hardened while being repelled by the partition wall on the liquid repellent surface, so that the liquid material becomes extremely thin and may cause a short circuit between the electrodes.

しかし、上記製造方法の実施により、2層隔壁30は上面(隔壁上部306)の撥液性を保ちつつ、側面(隔壁下部304)を親液性にできるため、膜厚のばらつきを抑制できる。さらに、液材が親液性の隔壁下部304に引き付けられた状態で乾燥・硬化工程を行うため、形成された機能層は周辺部が若干厚くなり、その他の部分は平坦となる傾向を有することになる。したがって、本実施形態の実施により、インクジェット法により液材を滴下し、乾燥・硬化により機能層126を得ても、機能層126中、特に発光層124中の電流密度のばらつきによる、色むら、輝度むらや寿命の低下が抑制され、さらには画素電極108の周辺部での電極間の短絡もない、有機EL装置を得ることができる。   However, since the two-layer partition wall 30 can maintain the liquid repellency of the upper surface (partition wall upper portion 306) and the side surface (partition wall lower portion 304) can be made lyophilic, it is possible to suppress variations in film thickness. Furthermore, since the drying / curing process is performed in a state where the liquid material is attracted to the lyophilic partition wall lower portion 304, the peripheral portion of the formed functional layer tends to be slightly thick and the other portions tend to be flat. become. Therefore, even when the liquid material is dropped by the inkjet method and the functional layer 126 is obtained by drying / curing by the implementation of the present embodiment, color unevenness due to variations in current density in the functional layer 126, particularly in the light emitting layer 124, It is possible to obtain an organic EL device in which unevenness in luminance and a decrease in lifetime are suppressed, and further, there is no short circuit between electrodes in the periphery of the pixel electrode 108.

(第4の実施形態)
図30〜図37に、本発明にかかる有機EL装置の製造方法の、第4の実施形態を示す。以下、図に基づいて、第4の実施形態による有機EL装置の製造方法を説明する。なお、各図において図6〜図14、及び図19〜図29と共通する構成要素には同一の符号を付している。
(Fourth embodiment)
30 to 37 show a fourth embodiment of a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention. Hereinafter, a method for manufacturing an organic EL device according to the fourth embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the component which is common in FIGS. 6-14 and FIGS. 19-29.

まず、図30に示すように、基板102上に、ゲート電極103を含むスイッチング素子としてのTFT104を形成し、その上面に(基板全面に)、層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜105を形成する。そして、TFT104上の所定の位置にコンタクトホール106を形成し、コンタクトホール106を介してTFT104と導通する画素電極108を形成する。画素電極108は、透明性と導電性が必要なため、ITOを用いている。   First, as shown in FIG. 30, a TFT 104 as a switching element including a gate electrode 103 is formed on a substrate 102, and a silicon oxide film 105 as an interlayer insulating film is formed on the upper surface (over the entire surface of the substrate). Then, a contact hole 106 is formed at a predetermined position on the TFT 104, and a pixel electrode 108 that is electrically connected to the TFT 104 through the contact hole 106 is formed. The pixel electrode 108 uses ITO because it needs transparency and conductivity.

次に、図31に示すように、基板102の全面に第2のシリコン酸化膜302を形成する。第3の実施形態と同様に、この後の工程で画素電極108上に形成される機能層126(図36参照)の膜厚よりも若干厚くなるよう形成する。   Next, as shown in FIG. 31, a second silicon oxide film 302 is formed on the entire surface of the substrate 102. Similarly to the third embodiment, the functional layer 126 (see FIG. 36) formed on the pixel electrode 108 in a subsequent process is formed to be slightly thicker.

さらに、図32に示すように、第2のシリコン酸化膜302が形成された基板全面に、有機材料層としてのポリイミド膜110を形成する。ここで、ポリイミド膜110の膜厚は、第3の実施形態と同様に、第2のシリコン酸化膜302よりも薄くする。   Further, as shown in FIG. 32, a polyimide film 110 as an organic material layer is formed on the entire surface of the substrate on which the second silicon oxide film 302 is formed. Here, the film thickness of the polyimide film 110 is made thinner than that of the second silicon oxide film 302 as in the third embodiment.

そして、図33に示すようにCF4プラズマAによるプラズマ処理を施し、ポリイミド膜110の表面を、フッ素原子を注入することにより撥液性にする。 Then, as shown in FIG. 33, plasma treatment with CF 4 plasma A is performed to make the surface of the polyimide film 110 liquid-repellent by injecting fluorine atoms.

次に、図34に示すように、第2のシリコン酸化膜302、及びポリイミド膜110をフォトリソグラフィーにより一括してパターニングして、隔壁上部306と隔壁下部304とで材質が異なる2層隔壁30を、画素電極108を囲むように形成する。第3の実施形態とは異なり、隔壁上部306と隔壁下部304の合わせずれを考慮する必要がないので、2層隔壁30の幅は滴下された液材Cの(隣接する画素への)流出防止が可能であれば充分となる。   Next, as shown in FIG. 34, the second silicon oxide film 302 and the polyimide film 110 are collectively patterned by photolithography to form the two-layer partition walls 30 having different materials between the partition upper part 306 and the partition lower part 304. The pixel electrode 108 is formed so as to surround it. Unlike the third embodiment, since there is no need to consider misalignment between the partition upper portion 306 and the partition lower portion 304, the width of the two-layer partition 30 is to prevent the dropped liquid material C from flowing out (to adjacent pixels). If this is possible, it will be sufficient.

次に、図35に示すように、基板102全面に酸素プラズマBによるプラズマ処理を施す。ポリイミド膜110のパターニング時に、基板102上、特に画素電極108上に残された有機系の残渣を酸化作用により除去し、画素電極108の表面、及び2層隔壁30の下層部分のシリコン酸化膜表面をより一層親液性にする。   Next, as shown in FIG. 35, plasma treatment with oxygen plasma B is performed on the entire surface of the substrate 102. During patterning of the polyimide film 110, organic residues remaining on the substrate 102, particularly on the pixel electrode 108, are removed by oxidation, and the surface of the pixel electrode 108 and the surface of the silicon oxide film below the two-layer partition wall 30 are removed. Is made more lyophilic.

この後は、上記第3の実施形態の、図25〜図28と同様の工程を経て、正孔注入層122と発光層124を含む機能層126を形成する(図36参照)。滴下直後の液材は隔壁上部306にも接触し得るが、溶媒を除去して得られた発光層124は隔壁上部306には接触していない点も、上記第3の実施形態と同様である。   Thereafter, the functional layer 126 including the hole injection layer 122 and the light emitting layer 124 is formed through the same steps as in FIGS. 25 to 28 of the third embodiment (see FIG. 36). The liquid material immediately after dropping can also contact the upper partition wall 306, but the light emitting layer 124 obtained by removing the solvent is not in contact with the upper partition wall 306 as in the third embodiment. .

そして、最後に、図37に示すように、第1の実施形態と同様に、周知の技術により基板102の全面に陰極層128を形成し、その後若干の周知工程を経て有機EL装置を完成させる。   Finally, as shown in FIG. 37, as in the first embodiment, a cathode layer 128 is formed on the entire surface of the substrate 102 by a well-known technique, and thereafter, an organic EL device is completed through some well-known steps. .

第3の実施形態と同様に、乾燥・硬化後の機能層126は、表面が撥液性である隔壁下部304と画素電極108とにのみ接している。そのため、色むら、輝度むらや寿命の低下が抑制され、さらには周辺部での電極間の短絡もない、有機EL装置を得ることができる。また、第3の実施形態と異なり、2層隔壁30形成のためのフォトリソグラフィーは1回で済み、また上述したように、2層隔壁30の幅も液材の流出を防止可能な必要最小限度まで小さくできるため、基板面積に占める発光面積を向上させることができる。なお、プラズマ条件は、隔壁上部306を撥液性とし、隔壁下部304及び画素電極108の表面を親液性とできる条件であれば特に限定されるものではない点は、第3の実施形態と同様である。   Similar to the third embodiment, the dried and cured functional layer 126 is in contact only with the partition wall lower part 304 and the pixel electrode 108 whose surface is liquid repellent. For this reason, it is possible to obtain an organic EL device in which color unevenness, brightness unevenness, and lifetime reduction are suppressed, and further, there is no short-circuit between electrodes in the peripheral portion. Further, unlike the third embodiment, the photolithography for forming the two-layer partition wall 30 is only required once, and as described above, the width of the two-layer partition wall 30 is also the minimum necessary to prevent the liquid material from flowing out. Therefore, the light emitting area in the substrate area can be improved. The plasma conditions are not particularly limited as long as the upper partition 306 is liquid repellent and the surfaces of the lower partition 304 and the pixel electrode 108 are lyophilic, as in the third embodiment. It is the same.

(第5の実施形態)
図38〜図48に、本発明にかかる有機EL装置の製造方法の、第5の実施形態を示す。工程は第4の実施形態と近似しているが、第2のシリコン酸化膜302の膜厚が非常に厚い点が異なっている。以下、図に基づいて、第5の実施形態による有機EL装置の製造方法を説明する。なお、各図において、図6〜図14、及び図19〜図29と共通する構成要素には同一の符号を付している。
(Fifth embodiment)
38 to 48 show a fifth embodiment of a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention. The process is similar to that of the fourth embodiment except that the thickness of the second silicon oxide film 302 is very thick. Hereinafter, a method for manufacturing an organic EL device according to the fifth embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the component which is common in FIGS. 6-14 and FIGS. 19-29.

まず、図38に示すように、基板102上に、ゲート電極103を含むスイッチング素子としてのTFT104を形成し、その上面に(基板全面に)層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜105を形成する。そして、TFT104上の所定の位置にコンタクトホール106を形成し、コンタクトホール106を介してTFT104と導通する画素電極108を形成する。画素電極108は透明性と導電性が必要なため、ITOを用いている。   First, as shown in FIG. 38, a TFT 104 as a switching element including a gate electrode 103 is formed on a substrate 102, and a silicon oxide film 105 as an interlayer insulating film is formed on the upper surface (over the entire surface of the substrate). Then, a contact hole 106 is formed at a predetermined position on the TFT 104, and a pixel electrode 108 that is electrically connected to the TFT 104 through the contact hole 106 is formed. Since the pixel electrode 108 needs transparency and conductivity, ITO is used.

次に、図39に示すように、基板102全面に無機材料層としての第2のシリコン酸化膜302を形成する。この時、後述する(図45参照)画素電極108上に形成される正孔注入層122を底部とし、第2のシリコン酸化膜302をパターニングして得られる隔壁下部304を側部とする窪みに、後述する(図46参照)有機EL層を構成する材料を含む液材Dを所定量滴下してもあふれ出ないように、第2のシリコン酸化膜302の膜厚を充分厚くする。つまり、第3、第4の実施形態では、この後の工程で画素電極108上に形成される機能層の(溶媒が乾燥除去された)硬化後の膜厚よりも厚くなるように第2のシリコン酸化膜302を形成していたが、本実施形態では滴下直後の液材も、第2のシリコン酸化膜302を超えないような厚さにする。   Next, as shown in FIG. 39, a second silicon oxide film 302 as an inorganic material layer is formed on the entire surface of the substrate 102. At this time, a hole injection layer 122 formed on the pixel electrode 108, which will be described later (see FIG. 45), is used as a bottom, and a recess having a partition wall lower part 304 obtained by patterning the second silicon oxide film 302 as a side part. The second silicon oxide film 302 is sufficiently thick so that it does not overflow even when a predetermined amount of a liquid material D containing a material constituting the organic EL layer is dropped, as will be described later (see FIG. 46). That is, in the third and fourth embodiments, the second layer is formed so as to be thicker than the cured film thickness of the functional layer formed on the pixel electrode 108 in the subsequent process (the solvent is removed by drying). Although the silicon oxide film 302 is formed, in this embodiment, the thickness of the liquid material immediately after dropping is also set so as not to exceed the second silicon oxide film 302.

次に、図40に示すように、第2のシリコン酸化膜302が形成された基板102全面に有機材料層としてのポリイミド膜110を形成する。本実施形態においては、ポリイミド膜110の形成目的は隔壁の上面を撥液性にすることだけなので、可能な限り薄く形成する。後述する機能層126形成後の、基板表面の段差を低減し、陰極層128を形成しやすくするためである。   Next, as shown in FIG. 40, a polyimide film 110 as an organic material layer is formed on the entire surface of the substrate 102 on which the second silicon oxide film 302 is formed. In this embodiment, the polyimide film 110 is formed only as thin as possible because the purpose of forming the polyimide film 110 is only to make the upper surface of the partition wall liquid-repellent. This is because a step on the substrate surface after the functional layer 126 described later is formed, and the cathode layer 128 is easily formed.

次に、図41に示すようにCF4プラズマAによるプラズマ処理を施し、ポリイミド膜110表面を、フッ素原子を注入することにより撥液性にする。 Next, as shown in FIG. 41, plasma treatment with CF 4 plasma A is performed to make the surface of the polyimide film 110 liquid-repellent by injecting fluorine atoms.

次に、図42に示すように、第2のシリコン酸化膜302、及びポリイミド膜110を、フォトリソグラフィーにより一括してパターニングして、画素電極108を囲む、上層と下層とで材質が異なる2層隔壁30を形成する。第2のシリコン酸化膜302をパターニングして得られた部分が隔壁下部304となり、ポリイミド膜110をパターニングして得られた部分が隔壁上部306となる。   Next, as shown in FIG. 42, the second silicon oxide film 302 and the polyimide film 110 are collectively patterned by photolithography to surround the pixel electrode 108, and the two layers are made of different materials in the upper layer and the lower layer. A partition wall 30 is formed. A portion obtained by patterning the second silicon oxide film 302 becomes a partition lower portion 304, and a portion obtained by patterning the polyimide film 110 becomes a partition upper portion 306.

次に、図43に示すように、基板全面に酸素プラズマBによるプラズマ処理を施す。有機系の残渣を酸化作用により除去し、画素電極108表面、及び隔壁下部304のシリコン酸化膜表面をより一層親液性にする。   Next, as shown in FIG. 43, plasma treatment with oxygen plasma B is performed on the entire surface of the substrate. Organic residues are removed by an oxidizing action, and the surface of the pixel electrode 108 and the silicon oxide film surface of the partition wall lower part 304 are made more lyophilic.

次に、図44に示すように、画素電極108上に、インクジェット装置のノズル120からの正孔注入層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材Cを滴下する。第2のシリコン酸化膜302をパターニングして得られた部分が隔壁下部304は充分な高さを有するため、滴下直後の液材Cは隔壁下部304のみに接触し、隔壁上部306には接触しない。   Next, as shown in FIG. 44, a liquid material C obtained by dissolving or dispersing a material constituting the hole injection layer from the nozzle 120 of the inkjet device in a solvent is dropped onto the pixel electrode 108. A portion obtained by patterning the second silicon oxide film 302 has a sufficiently high partition wall lower portion 304, so that the liquid material C immediately after dropping contacts only the partition wall lower portion 304 and does not contact the partition wall upper portion 306. .

次に、図45に示すように、乾燥・硬化工程により液材Cの溶媒の除去し、正孔注入層122を形成する。   Next, as shown in FIG. 45, the solvent of the liquid material C is removed by a drying / curing process to form the hole injection layer 122.

次に、図46に示すように、インクジェット装置のノズル120からの有機EL層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材Dを滴下する。上述したように、画素電極108上には正孔注入層122が形成されているので、2層隔壁30で形成された窪みは浅くなっている。しかし、隔壁下部304の高さは充分高くしてあるので、滴下直後の液材Dも隔壁下部304のみに接触し、隔壁上部306には接触しない。   Next, as shown in FIG. 46, a liquid material D obtained by dissolving or dispersing the material constituting the organic EL layer from the nozzle 120 of the inkjet device in a solvent is dropped. As described above, since the hole injection layer 122 is formed on the pixel electrode 108, the depression formed by the two-layer partition wall 30 is shallow. However, since the height of the partition wall lower part 304 is sufficiently high, the liquid material D immediately after dripping also contacts only the partition wall lower part 304 and does not contact the partition wall upper part 306.

次に、図47に示すように、乾燥・硬化工程により液材Dの溶媒を除去し、発光層124を形成する。正孔注入層122と発光層124とで、機能層126が形成される。   Next, as shown in FIG. 47, the solvent of the liquid material D is removed by a drying / curing process to form the light emitting layer 124. A functional layer 126 is formed by the hole injection layer 122 and the light emitting layer 124.

そして、最後に、図48に示すように、第1の実施形態と同様に、周知の技術により基板全面に陰極層128を形成し、その後若干の周知工程を経て、有機EL装置を完成させる。   Finally, as shown in FIG. 48, as in the first embodiment, the cathode layer 128 is formed on the entire surface of the substrate by a well-known technique, and then the organic EL device is completed through some well-known steps.

第3、第4の実施形態と異なり、乾燥・硬化後の機能層のみならず、滴下直後の液材も隔壁の表面が撥液性の部分に接触しないため、液材がはじかれることによる、膜厚のばらつきの発生を、より一層抑制できる。なお、プラズマ処理条件等について特に限定されるものではない点は、第3、第4の実施形態と同様である。   Unlike the third and fourth embodiments, not only the functional layer after drying / curing, but also the liquid material immediately after dropping, because the surface of the partition wall does not contact the liquid-repellent part, the liquid material is repelled, Occurrence of variations in film thickness can be further suppressed. Note that the plasma processing conditions and the like are not particularly limited as in the third and fourth embodiments.

本発明の概要を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline | summary of this invention. 本発明の概要を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline | summary of this invention. 本発明の概要を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline | summary of this invention. 本発明の概要を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline | summary of this invention. 本発明の概要を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline | summary of this invention. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機EL装置の製造方法を説明する断面図。Sectional drawing explaining the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning 5th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…隔壁、11…撥液処理された部分、12…隔壁上面、14…隔壁側面、20…選択プラズマ用マスク、22…隔壁のマスクで覆われていなかった部分、30…2層隔壁、102…基板、103…ゲート電極、104…TFT、105…層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜、106…コンタクトホール、108…画素電極、110…感光性ポリイミド膜、111…ポリイミド膜の上面部分、120…インクジェット装置のノズル、122…正孔注入層、124…発光層、126…機能層、128…陰極層、302…第2のシリコン酸化膜、304…隔壁下部、306…隔壁上部、A…CF4プラズマ、B…酸素プラズマ、C…正孔注入層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材、D…有機EL層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させて得られる液材。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Partition, 11 ... Liquid-repellent treated part, 12 ... Partition upper surface, 14 ... Side wall of partition, 20 ... Mask for selective plasma, 22 ... Part not covered with partition mask, 30 ... Two-layer partition, 102 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Substrate, 103 ... Gate electrode, 104 ... TFT, 105 ... Silicon oxide film as interlayer insulating film, 106 ... Contact hole, 108 ... Pixel electrode, 110 ... Photosensitive polyimide film, 111 ... Upper surface portion of polyimide film, 120 ... nozzles of the ink jet device, 122 ... hole injection layer, 124 ... light-emitting layer, 126 ... functional layer, 128 ... cathode layer, 302 ... second silicon oxide film, 304 ... partition wall bottom, 306 ... partition wall upper, a ... CF 4 Plasma, B ... oxygen plasma, C ... liquid material obtained by dissolving or dispersing a material constituting the hole injection layer in a solvent, D ... a material constituting the organic EL layer as a solvent Liquid material obtained by dissolving or dispersing.

Claims (14)

基板上に、画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を囲むように、表面の少なくとも一部が撥液性を有し、かつ、前記表面の他の一部が親液性を有する隔壁を形成する工程と、
前記画素電極上に、液体材料を滴下し乾燥させることにより、少なくとも発光層を含む機能層を形成する工程と、
前記機能層が形成された前記基板上に陰極層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
Forming a pixel electrode on the substrate;
Forming a partition wall in which at least a part of the surface has liquid repellency and the other part of the surface has lyophilicity so as to surround the pixel electrode;
Forming a functional layer including at least a light emitting layer by dropping and drying a liquid material on the pixel electrode; and
Forming a cathode layer on the substrate on which the functional layer is formed;
The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned.
前記隔壁を形成する工程が、前記基板上の全面に有機材料層を形成し、前記有機材料層をパターニングすることにより行われる工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。   2. The organic EL device according to claim 1, wherein the step of forming the partition includes a step of forming an organic material layer on the entire surface of the substrate and patterning the organic material layer. Production method. 前記隔壁を形成する工程が、前記有機材料層をパターニングする前に、前記有機材料層表面に撥液性がより高くなるような条件下でのプラズマ処理を施すことにより行われる工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置の製造方法。   The step of forming the partition includes a step of performing plasma treatment under a condition such that liquid repellency becomes higher on the surface of the organic material layer before patterning the organic material layer. The manufacturing method of the organic EL device according to claim 2, wherein 前記隔壁を形成する工程が、前記有機材料層をパターニングして前記隔壁を形成した後に、前記隔壁の上面の少なくとも一部に撥液性がより高くなるような条件下でのプラズマ処理を施すことにより行われる工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置の製造方法。   In the step of forming the partition wall, after the organic material layer is patterned to form the partition wall, at least a part of the upper surface of the partition wall is subjected to plasma treatment under conditions that make liquid repellency higher. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 2, further comprising: 前記隔壁形成後、前記機能層を形成する前に、前記基板上に酸素プラズマ処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機EL装置の製造方法。   5. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, further comprising a step of performing oxygen plasma treatment on the substrate after forming the partition and before forming the functional layer. . 基板上に、画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の周囲に、少なくとも有機材料で構成される最上層と、無機材料で構成される最下層とを含む、複数の層からなる隔壁を形成する工程と、
前記有機材料層の表面の一部または全体が撥液性になるような処理を施す工程と、
前記画素電極上に、液体材料を滴下し乾燥させることにより、少なくとも発光層を含む機能層を形成する工程と、
前記機能層が形成された前記基板上に陰極層を形成する工程と、
を含み、
前記無機材料層の膜厚を、前記機能層の膜厚よりも厚く形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
Forming a pixel electrode on the substrate;
Forming a partition made of a plurality of layers including at least a top layer made of an organic material and a bottom layer made of an inorganic material around the pixel electrode;
Applying a treatment such that part or the whole of the surface of the organic material layer becomes liquid repellent;
Forming a functional layer including at least a light emitting layer by dropping and drying a liquid material on the pixel electrode; and
Forming a cathode layer on the substrate on which the functional layer is formed;
Including
A method of manufacturing an organic EL device, wherein the inorganic material layer is formed thicker than the functional layer.
前記無機材料層を、滴下直後の前記液体材料の液面高さよりも厚く形成することを特徴とする請求項6に記載の有機EL装置の製造方法。   The method of manufacturing an organic EL device according to claim 6, wherein the inorganic material layer is formed thicker than a liquid surface height of the liquid material immediately after dropping. 前記無機材料層の膜厚を、前記有機材料層の膜厚よりも厚く形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の有機EL装置の製造方法。   8. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 6, wherein the inorganic material layer is formed thicker than the organic material layer. 前記複数の層を一括してパターニングすることにより、前記隔壁を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の有機EL装置の製造方法。   9. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 6, further comprising a step of forming the partition walls by patterning the plurality of layers at once. 前記複数の層からなる隔壁の形成が、少なくとも1層を、その上の層が形成される前にパターニングすることにより行われることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の有機EL装置の製造方法。   9. The partition wall comprising the plurality of layers is formed by patterning at least one layer before forming a layer above the partition wall, according to any one of claims 6 to 8. Manufacturing method of organic EL device. 前記隔壁の形成後、前記機能層を形成する前に、前記基板全面に酸素プラズマ処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項6乃至10のいずれか1項に記載の有機EL装置の製造方法。   11. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 6, further comprising a step of performing oxygen plasma treatment on the entire surface of the substrate after forming the partition and before forming the functional layer. Method. 基板上に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲を囲む隔壁と、
少なくとも発光層を含む機能層と、
前記機能層を介して前記画素電極に対向する対向電極と、
を有する有機EL装置であって、
前記隔壁の表面の少なくとも一部が撥液性を有し、前記隔壁の表面の少なくとも前記機能層と接している部分が親液性を有していることを特徴とする有機EL装置。
A pixel electrode disposed on the substrate;
A partition wall surrounding the pixel electrode;
A functional layer including at least a light emitting layer;
A counter electrode facing the pixel electrode through the functional layer;
An organic EL device having
An organic EL device, wherein at least a part of a surface of the partition wall has liquid repellency, and at least a part of the surface of the partition wall in contact with the functional layer has a lyophilic property.
前記隔壁が、少なくとも最上層と最下層を含む複数の層で形成されていることを特徴とする請求項12記載の有機EL装置。   The organic EL device according to claim 12, wherein the partition wall is formed of a plurality of layers including at least an uppermost layer and a lowermost layer. 基板上に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲を囲む隔壁と、
少なくとも発光層を含む機能層と、
前記機能層を介して前記画素電極に対向する対向電極と、
を有する有機EL装置であって、
前記最上層の表面は撥液性を有し、前記最下層の表面は親液性を有し、前記最下層の膜厚が前記機能層の膜厚よりも厚いことを特徴とする有機EL装置。
A pixel electrode disposed on the substrate;
A partition wall surrounding the pixel electrode;
A functional layer including at least a light emitting layer;
A counter electrode facing the pixel electrode through the functional layer;
An organic EL device having
The surface of the uppermost layer has liquid repellency, the surface of the lowermost layer has lyophilicity, and the film thickness of the lowermost layer is larger than the film thickness of the functional layer. .
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008299323A (en) * 2007-05-30 2008-12-11 Palo Alto Research Center Inc Method of manufacturing color filter by controlling printing and surface energy
JP2009026671A (en) * 2007-07-23 2009-02-05 Seiko Epson Corp Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP2009081035A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Casio Comput Co Ltd Display device and its manufacturing method
WO2009113239A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 パナソニック株式会社 Organic el display panel and manufacturing method thereof
JP2010033925A (en) * 2008-07-30 2010-02-12 Mitsubishi Chemicals Corp Organic thin film patterning substrate and its manufacturing method, organic electric field light-emitting element and its manufacturing method, organic el display device, and organic el illumination
JP2010073340A (en) * 2008-09-16 2010-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp Organic electroluminescent device, organic el display device, organic el lighting, and organic thin film patterning substrate
JP2010101994A (en) * 2008-10-22 2010-05-06 Seiko Epson Corp Electro-optical device and color filter
US8154032B2 (en) 2007-07-23 2012-04-10 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, electronic apparatus, and method for producing electrooptical device
JP2018110109A (en) * 2016-12-28 2018-07-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP2019102337A (en) * 2017-12-05 2019-06-24 キヤノン株式会社 Organic el element and manufacturing method thereof
KR20200041689A (en) * 2018-10-12 2020-04-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
CN112310332A (en) * 2020-10-22 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 OLED display panel preparation method and OLED display panel
KR102654412B1 (en) * 2019-08-21 2024-04-02 시앤양 차이훙 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Manufacturing method of display panel, and display panel and display apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09203803A (en) * 1996-01-25 1997-08-05 Asahi Glass Co Ltd Production of color filter and liquid crystal display element formed by using the color filter
JPH11317288A (en) * 1998-04-30 1999-11-16 Toyota Motor Corp Manufacture of organic el display panel
JP2002062422A (en) * 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc Optical device, method for manufacturing the same and liquid crystal device
JP2002237383A (en) * 2000-03-31 2002-08-23 Seiko Epson Corp Manufacturing method of organic el element and organic el element
JP2003332080A (en) * 2002-05-07 2003-11-21 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent element, and its manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09203803A (en) * 1996-01-25 1997-08-05 Asahi Glass Co Ltd Production of color filter and liquid crystal display element formed by using the color filter
JPH11317288A (en) * 1998-04-30 1999-11-16 Toyota Motor Corp Manufacture of organic el display panel
JP2002237383A (en) * 2000-03-31 2002-08-23 Seiko Epson Corp Manufacturing method of organic el element and organic el element
JP2002062422A (en) * 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc Optical device, method for manufacturing the same and liquid crystal device
JP2003332080A (en) * 2002-05-07 2003-11-21 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent element, and its manufacturing method

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008299323A (en) * 2007-05-30 2008-12-11 Palo Alto Research Center Inc Method of manufacturing color filter by controlling printing and surface energy
JP2014238600A (en) * 2007-05-30 2014-12-18 パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッドPalo Alto Research Center Incorporated Method of manufacturing color filter by printing and surface energy control
JP2009026671A (en) * 2007-07-23 2009-02-05 Seiko Epson Corp Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
US8154032B2 (en) 2007-07-23 2012-04-10 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, electronic apparatus, and method for producing electrooptical device
JP2009081035A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Casio Comput Co Ltd Display device and its manufacturing method
WO2009113239A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 パナソニック株式会社 Organic el display panel and manufacturing method thereof
JP4460643B2 (en) * 2008-03-13 2010-05-12 パナソニック株式会社 Organic EL display panel and manufacturing method thereof
KR100990262B1 (en) * 2008-03-13 2010-10-26 파나소닉 주식회사 Organic EL Display Panel and Manufacturing Method Thereof
EP2254394A1 (en) * 2008-03-13 2010-11-24 Panasonic Corporation Organic el display panel and manufacturing method thereof
EP2254394A4 (en) * 2008-03-13 2011-03-16 Panasonic Corp Organic el display panel and manufacturing method thereof
JPWO2009113239A1 (en) * 2008-03-13 2011-07-21 パナソニック株式会社 Organic EL display panel and manufacturing method thereof
US8130177B2 (en) 2008-03-13 2012-03-06 Panasonic Corporation Organic EL display panel and manufacturing method thereof
JP2010033925A (en) * 2008-07-30 2010-02-12 Mitsubishi Chemicals Corp Organic thin film patterning substrate and its manufacturing method, organic electric field light-emitting element and its manufacturing method, organic el display device, and organic el illumination
JP2010073340A (en) * 2008-09-16 2010-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp Organic electroluminescent device, organic el display device, organic el lighting, and organic thin film patterning substrate
JP2010101994A (en) * 2008-10-22 2010-05-06 Seiko Epson Corp Electro-optical device and color filter
JP2018110109A (en) * 2016-12-28 2018-07-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP2019102337A (en) * 2017-12-05 2019-06-24 キヤノン株式会社 Organic el element and manufacturing method thereof
JP7013218B2 (en) 2017-12-05 2022-01-31 キヤノン株式会社 Organic EL element, manufacturing method of organic EL element, organic EL device
KR20200041689A (en) * 2018-10-12 2020-04-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR102640196B1 (en) * 2018-10-12 2024-02-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR102654412B1 (en) * 2019-08-21 2024-04-02 시앤양 차이훙 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Manufacturing method of display panel, and display panel and display apparatus
CN112310332A (en) * 2020-10-22 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 OLED display panel preparation method and OLED display panel

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