JPH1131313A - 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子及びその製造方法Info
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- JPH1131313A JPH1131313A JP10127982A JP12798298A JPH1131313A JP H1131313 A JPH1131313 A JP H1131313A JP 10127982 A JP10127982 A JP 10127982A JP 12798298 A JP12798298 A JP 12798298A JP H1131313 A JPH1131313 A JP H1131313A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不感帯域による電気抵抗値増大を招くことの
ないMR素子、薄膜磁気ヘッド、及び、それらの製造方
法を提供する。 【解決手段】 端部受動領域2、3は中央能動領域の両
側端に備えられ、それぞれは、磁区制御膜21、31
と、導電膜22、32とを含む。磁区制御膜21、31
は中央能動領域1の表面に部分的に重なる。導電膜2
2、32は磁区制御膜21、31の表面に付着され、磁
区制御膜21、31及び中央能動領域1の表面に重な
る。中央能動領域1の表面に対する導電膜22、32の
重なり寸法W2は、中央能動領域1の表面に対する磁区
制御膜21、32の重なり寸法W1よりも大きい。
ないMR素子、薄膜磁気ヘッド、及び、それらの製造方
法を提供する。 【解決手段】 端部受動領域2、3は中央能動領域の両
側端に備えられ、それぞれは、磁区制御膜21、31
と、導電膜22、32とを含む。磁区制御膜21、31
は中央能動領域1の表面に部分的に重なる。導電膜2
2、32は磁区制御膜21、31の表面に付着され、磁
区制御膜21、31及び中央能動領域1の表面に重な
る。中央能動領域1の表面に対する導電膜22、32の
重なり寸法W2は、中央能動領域1の表面に対する磁区
制御膜21、32の重なり寸法W1よりも大きい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
(以下MR素子と称する)、薄膜磁気ヘッド及びそれら
の製造方法に関する。
(以下MR素子と称する)、薄膜磁気ヘッド及びそれら
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスクドライブ装置が小型化され
る傾向の中で、MR素子を読み取り素子として用いた薄
膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の相対速度
に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体に記憶さ
れている情報を読み取るのに適した磁気変換器として従
来より知られている。
る傾向の中で、MR素子を読み取り素子として用いた薄
膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の相対速度
に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体に記憶さ
れている情報を読み取るのに適した磁気変換器として従
来より知られている。
【0003】薄膜磁気ヘッドに用いられる磁気変換素子
は、例えば、特開平3ー125311号公報等で知られている。
この文献に開示された磁気抵抗読み取り器は、中央能動
領域と、一対の端部受動領域とを有する。中央能動領域
は、磁気抵抗効果膜(以下MR膜と称する)、非磁性膜
及び軟磁性膜を含み、軟磁性膜がMR膜に横バイアスを
加える。一対の端部受動領域は、磁区制御膜と、導電膜
とを含む。磁区制御膜のそれぞれは、中央能動領域の相
対する両側に互いに間隔を隔てて積層され、導電膜は磁
区制御膜の上に付着される。
は、例えば、特開平3ー125311号公報等で知られている。
この文献に開示された磁気抵抗読み取り器は、中央能動
領域と、一対の端部受動領域とを有する。中央能動領域
は、磁気抵抗効果膜(以下MR膜と称する)、非磁性膜
及び軟磁性膜を含み、軟磁性膜がMR膜に横バイアスを
加える。一対の端部受動領域は、磁区制御膜と、導電膜
とを含む。磁区制御膜のそれぞれは、中央能動領域の相
対する両側に互いに間隔を隔てて積層され、導電膜は磁
区制御膜の上に付着される。
【0004】中央能動領域に含まれる軟磁性膜は、MR
膜に横バイアスを加え、それによって、磁気的に記録さ
れたデータを読み取る際の線形動作を確保する。磁気記
録媒体上の磁気記録データから生じる磁界が、MR膜に
対し、MR膜の磁化の方向と交叉する方向に加わると、
MR膜の磁化の方向が変化する。そして磁化の方向に応
じてMR膜の抵抗値が変化し、それに対応したセンス電
流が流れる。磁気記録媒体上の磁気記録データから生じ
る磁界がMR膜の磁化の方向と一致するときは、磁化の
方向が変化しないので、MR膜の抵抗値は殆ど変化しな
い。
膜に横バイアスを加え、それによって、磁気的に記録さ
れたデータを読み取る際の線形動作を確保する。磁気記
録媒体上の磁気記録データから生じる磁界が、MR膜に
対し、MR膜の磁化の方向と交叉する方向に加わると、
MR膜の磁化の方向が変化する。そして磁化の方向に応
じてMR膜の抵抗値が変化し、それに対応したセンス電
流が流れる。磁気記録媒体上の磁気記録データから生じ
る磁界がMR膜の磁化の方向と一致するときは、磁化の
方向が変化しないので、MR膜の抵抗値は殆ど変化しな
い。
【0005】磁区制御膜は、MR膜に縦バイアスを加
え、バルクハウゼンノイズを防止するために備えられ
る。米国特許4,024,489号明細書は、磁区制御膜とし
て、硬磁性バイアス膜を用いたMRセンサを開示してい
る。
え、バルクハウゼンノイズを防止するために備えられ
る。米国特許4,024,489号明細書は、磁区制御膜とし
て、硬磁性バイアス膜を用いたMRセンサを開示してい
る。
【0006】上述したMR素子において、MR膜に対す
る磁区制御膜の付着領域近傍では、磁区制御膜による縦
バイアスが強く、横バイアスがかからないため、センサ
として動作しない不感帯域を生じる。不感帯域はセンサ
として機能せず、磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値を増
加させる。磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値が増加する
と、磁気抵抗センサ回路としての性能に制限が加わるば
かりでなく、高密度電流に起因するエレクトロマイグレ
ーション発生の危険性を増幅させる。
る磁区制御膜の付着領域近傍では、磁区制御膜による縦
バイアスが強く、横バイアスがかからないため、センサ
として動作しない不感帯域を生じる。不感帯域はセンサ
として機能せず、磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値を増
加させる。磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値が増加する
と、磁気抵抗センサ回路としての性能に制限が加わるば
かりでなく、高密度電流に起因するエレクトロマイグレ
ーション発生の危険性を増幅させる。
【0007】不感帯域による電気抵抗値を低減させる手
段として、不感帯域を越えて、中央能動領域の両側端に
導電膜を付与する。その際、不感帯域はMR膜の両側端
に均等に生じるため、導電膜は、MR膜の両側端におい
て均等に成膜する必要がある。不均等になると、依然と
して、不動作領域による電気抵抗値の増大、あるいは、
導電膜の下層の動作可能なMR膜による磁気的信頼性の
低下を招くことになる。
段として、不感帯域を越えて、中央能動領域の両側端に
導電膜を付与する。その際、不感帯域はMR膜の両側端
に均等に生じるため、導電膜は、MR膜の両側端におい
て均等に成膜する必要がある。不均等になると、依然と
して、不動作領域による電気抵抗値の増大、あるいは、
導電膜の下層の動作可能なMR膜による磁気的信頼性の
低下を招くことになる。
【0008】例えば、U.S.Pat.No.5,438,470号は、導電
膜のみを中央能動領域に重ねる構造、及び、磁区制御膜
と導電膜とを、同一の寸法で、中央能動領域に重ねる構
造を開示している。しかし、導電膜のみを中央能動領域
に重ねる構造の場合、磁区制御膜の側端面を、中央能動
領域の側端面に一致するように、正確に位置合わせしな
ければならないという製造上の困難性を生じる。また、
磁区制御膜と導電膜とを同一の寸法で、中央能動領域に
重ねる構造は、上記特許明細書で述べているような問題
点を生じる。
膜のみを中央能動領域に重ねる構造、及び、磁区制御膜
と導電膜とを、同一の寸法で、中央能動領域に重ねる構
造を開示している。しかし、導電膜のみを中央能動領域
に重ねる構造の場合、磁区制御膜の側端面を、中央能動
領域の側端面に一致するように、正確に位置合わせしな
ければならないという製造上の困難性を生じる。また、
磁区制御膜と導電膜とを同一の寸法で、中央能動領域に
重ねる構造は、上記特許明細書で述べているような問題
点を生じる。
【0009】更に、U.S.Pat.No.5,438,470号は中央能動
領域に対する導電膜の重なり寸法を、MR膜の両側端に
おいて均等化した構造を開示している。しかし、導電膜
の重なり寸法を均等化するための手段については何も言
及していない。
領域に対する導電膜の重なり寸法を、MR膜の両側端に
おいて均等化した構造を開示している。しかし、導電膜
の重なり寸法を均等化するための手段については何も言
及していない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、不感
帯域による電気抵抗値増大を招くことのないMR素子、
薄膜磁気ヘッド、及び、それらの製造方法を提供するこ
とである。
帯域による電気抵抗値増大を招くことのないMR素子、
薄膜磁気ヘッド、及び、それらの製造方法を提供するこ
とである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係るMR素子は、中央能動領域と、端部受
動領域とを含む。前記端部受動領域は、前記中央能動領
域の両側端に備えられ、前記端部受動領域のそれぞれ
は、磁区制御膜と、導電膜とを含んでいる。
め、本発明に係るMR素子は、中央能動領域と、端部受
動領域とを含む。前記端部受動領域は、前記中央能動領
域の両側端に備えられ、前記端部受動領域のそれぞれ
は、磁区制御膜と、導電膜とを含んでいる。
【0012】前記磁区制御膜は、前記中央能動領域の表
面に部分的に重なっている。前記導電膜は、前記磁区制
御膜の表面に付着され、前記磁区制御膜及び前記中央能
動領域の表面に重なっている。前記中央能動領域の表面
に対する前記導電膜の重なり寸法は、前記中央能動領域
の表面に対する前記磁区制御膜の重なり寸法よりも大き
い。
面に部分的に重なっている。前記導電膜は、前記磁区制
御膜の表面に付着され、前記磁区制御膜及び前記中央能
動領域の表面に重なっている。前記中央能動領域の表面
に対する前記導電膜の重なり寸法は、前記中央能動領域
の表面に対する前記磁区制御膜の重なり寸法よりも大き
い。
【0013】導電膜の中央能動領域に対する重なり寸法
を、磁区制御膜のそれよりも大きくすることにより、中
央能動領域の両側端において、磁区制御膜に起因して生
じる不感帯域を、導電膜によって実質的に電気的にバイ
パスし、磁気抵抗センサ回路における電気抵抗値の増大
を回避することができる。
を、磁区制御膜のそれよりも大きくすることにより、中
央能動領域の両側端において、磁区制御膜に起因して生
じる不感帯域を、導電膜によって実質的に電気的にバイ
パスし、磁気抵抗センサ回路における電気抵抗値の増大
を回避することができる。
【0014】しかも、本発明によれば、磁区制御膜の側
端面を、中央能動領域の側端面に一致するように、正確
に位置合わせしなければならないという製造上の困難性
を回避することができる。
端面を、中央能動領域の側端面に一致するように、正確
に位置合わせしなければならないという製造上の困難性
を回避することができる。
【0015】導電膜の中央能動領域に対する重なり寸法
を、磁区制御膜のそれよりも大きくする手段として、本
発明においては、磁区制御膜及び導電膜を、互いに異な
る成膜条件で成膜する手段を採用する。かかる成膜方法
によれば、磁区制御膜及び導電膜を、MR膜の両側端に
おいて均等で、かつ、適切な重なり寸法となるように、
個別に成膜できる。
を、磁区制御膜のそれよりも大きくする手段として、本
発明においては、磁区制御膜及び導電膜を、互いに異な
る成膜条件で成膜する手段を採用する。かかる成膜方法
によれば、磁区制御膜及び導電膜を、MR膜の両側端に
おいて均等で、かつ、適切な重なり寸法となるように、
個別に成膜できる。
【0016】選択されるべき成膜条件には、スパッタリ
ング、蒸着または両者の組み合わせ等の真空成膜方法が
含まれる。蒸着はスパッタリングよりも重なり寸法が小
さくなるので、磁区制御膜は蒸着によって成膜し、導電
膜はスパッタリングによって成膜することにより、磁区
制御膜及び導電膜の間の重なり寸法に差を生じさせるこ
とができる。また、導電膜を、MR膜の両側端に均等に
成膜することができる。
ング、蒸着または両者の組み合わせ等の真空成膜方法が
含まれる。蒸着はスパッタリングよりも重なり寸法が小
さくなるので、磁区制御膜は蒸着によって成膜し、導電
膜はスパッタリングによって成膜することにより、磁区
制御膜及び導電膜の間の重なり寸法に差を生じさせるこ
とができる。また、導電膜を、MR膜の両側端に均等に
成膜することができる。
【0017】スパッタリングのみを用いる場合であって
も、基板の公転の有無、基板の位置、スパッタガス圧、
スパッタゲットー基板間距離等、各種の成膜条件を設定
することができ、これらの成膜条件を最適化することに
より、磁区制御膜及び導電膜を、MR膜の両側端におい
て均等で、かつ、適切な重なり寸法となるように、個別
に成膜できる。
も、基板の公転の有無、基板の位置、スパッタガス圧、
スパッタゲットー基板間距離等、各種の成膜条件を設定
することができ、これらの成膜条件を最適化することに
より、磁区制御膜及び導電膜を、MR膜の両側端におい
て均等で、かつ、適切な重なり寸法となるように、個別
に成膜できる。
【0018】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、MR素子を製造するに当たり、本発明に係る製
造方法が適用される。従って、薄膜磁気ヘッドの製造方
法においても、MR素子の製造上の利点を、そのまま得
ることができる。
おいて、MR素子を製造するに当たり、本発明に係る製
造方法が適用される。従って、薄膜磁気ヘッドの製造方
法においても、MR素子の製造上の利点を、そのまま得
ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】図1、2を参照すると、本発明に
係るMR素子は、中央能動領域1と、端部受動領域2、
3とを含み、これらは基板4によって支持されている。
中央能動領域1は、MR膜11、非磁性膜12及び軟磁
性膜13とを含む(図2参照)。軟磁性膜13はMR膜
11に横バイアスを印加するものであって、図示では基
板4の上において最下層を構成する。非磁性膜12は軟
磁性膜13の上に積層されている。
係るMR素子は、中央能動領域1と、端部受動領域2、
3とを含み、これらは基板4によって支持されている。
中央能動領域1は、MR膜11、非磁性膜12及び軟磁
性膜13とを含む(図2参照)。軟磁性膜13はMR膜
11に横バイアスを印加するものであって、図示では基
板4の上において最下層を構成する。非磁性膜12は軟
磁性膜13の上に積層されている。
【0020】MR膜11は非磁性膜12の上に積層され
ている。MR膜11は、例えばパーマロイによって形成
される。その組成、厚み及び製造方法等は、当該技術分
野の通常の知識を有するものにとって周知である。
ている。MR膜11は、例えばパーマロイによって形成
される。その組成、厚み及び製造方法等は、当該技術分
野の通常の知識を有するものにとって周知である。
【0021】軟磁性膜13は、例えばNi-Fe-Rh、Ni-Fe-C
rまたはアモルファスによって構成された磁気抵抗効果
のない、または小さい磁性膜であり、例えば50〜30
0オングストロームの膜厚となるように形成されてい
る。非磁性膜12は例えば50〜200オングストロー
ムの膜厚を有するTa膜によって構成される。この積層
構造は、この種のMR素子で通常用いられる構造であ
る。
rまたはアモルファスによって構成された磁気抵抗効果
のない、または小さい磁性膜であり、例えば50〜30
0オングストロームの膜厚となるように形成されてい
る。非磁性膜12は例えば50〜200オングストロー
ムの膜厚を有するTa膜によって構成される。この積層
構造は、この種のMR素子で通常用いられる構造であ
る。
【0022】磁気異方性MR膜11を利用する場合の別
の構成例としては、軟磁性膜13、非磁性膜12及びM
R膜11を順次に積層した上で、更にMR膜11の上に
10〜50オングストローム程度の膜厚を有するTa膜
を積層した4層構造のものも知られている。
の構成例としては、軟磁性膜13、非磁性膜12及びM
R膜11を順次に積層した上で、更にMR膜11の上に
10〜50オングストローム程度の膜厚を有するTa膜
を積層した4層構造のものも知られている。
【0023】中央能動領域1としては、上述の磁気異方
性MR膜11を利用したもののほか、スピンバルブ膜を
利用したもの、強磁性トンネル接合効果膜を利用したG
MR膜等も用いることができる。
性MR膜11を利用したもののほか、スピンバルブ膜を
利用したもの、強磁性トンネル接合効果膜を利用したG
MR膜等も用いることができる。
【0024】端部受動領域2、3は、中央能動領域1の
両側面に接続されており、中央能動領域1にセンス電流
を流し、または、必要な磁気バイアスを加える。端部受
動領域2、3は、磁区制御膜21、31を含む。磁区制
御膜21、31はMR膜11に縦バイアスを加える。
両側面に接続されており、中央能動領域1にセンス電流
を流し、または、必要な磁気バイアスを加える。端部受
動領域2、3は、磁区制御膜21、31を含む。磁区制
御膜21、31はMR膜11に縦バイアスを加える。
【0025】磁区制御膜21、31は硬磁性膜によって
構成できる。この場合には、着磁された硬磁性膜21、
31より生じる磁場を利用して、MR膜11に均一な縦
バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルクハウゼン
ノイズの発生を阻止できる。硬磁性膜の例はCoPtで
あり、例えば200オングストローム前後の膜厚として
形成される。
構成できる。この場合には、着磁された硬磁性膜21、
31より生じる磁場を利用して、MR膜11に均一な縦
バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルクハウゼン
ノイズの発生を阻止できる。硬磁性膜の例はCoPtで
あり、例えば200オングストローム前後の膜厚として
形成される。
【0026】磁区制御膜21、31は反強磁性膜によっ
ても構成できる。この場合には、反強磁性膜とMR膜1
1との間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用し
て、MR膜11に均一な縦バイアスを加え、磁区の動き
に起因するバルクハウゼンノイズを防止できる。反強磁
性膜の例はFe−MnまたはNiーMnの膜であり、例
えば200オングストローム前後の膜厚として形成され
る。磁区制御膜21、31を反強磁性膜によって構成す
る場合は、その下に強磁性膜を設ける必要がある。
ても構成できる。この場合には、反強磁性膜とMR膜1
1との間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用し
て、MR膜11に均一な縦バイアスを加え、磁区の動き
に起因するバルクハウゼンノイズを防止できる。反強磁
性膜の例はFe−MnまたはNiーMnの膜であり、例
えば200オングストローム前後の膜厚として形成され
る。磁区制御膜21、31を反強磁性膜によって構成す
る場合は、その下に強磁性膜を設ける必要がある。
【0027】端部受動領域2、3は、磁区制御膜21、
31の他に、導電膜22、32を含む。導電膜22、3
2のそれぞれは、中央能動領域1の領域上で磁区制御膜
21、31に重なるパターンを有して磁区制御膜21、
31上に付着されている。このため、中央能動領域1の
両側において、主として、導電膜22、32を通して、
センス電流を中央能動領域1に供給することができる。
導電膜22、32は例えばTiW/Taの積層膜よりなる。
31の他に、導電膜22、32を含む。導電膜22、3
2のそれぞれは、中央能動領域1の領域上で磁区制御膜
21、31に重なるパターンを有して磁区制御膜21、
31上に付着されている。このため、中央能動領域1の
両側において、主として、導電膜22、32を通して、
センス電流を中央能動領域1に供給することができる。
導電膜22、32は例えばTiW/Taの積層膜よりなる。
【0028】MR膜11に対する磁区制御膜21、31
の付着領域近傍では、磁区制御膜21、31による縦バ
イアスが強く、横バイアスがかからないため、センサと
して動作しない不感帯域を生じること、不感帯域はセン
サとして機能せず、磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値を
増加させること、そのため、磁気抵抗センサ回路として
の性能に制限が加わるとともに、高密度電流に起因する
エレクトロマイグレーション発生の危険性を増幅させる
ことは既に述べた通りである。
の付着領域近傍では、磁区制御膜21、31による縦バ
イアスが強く、横バイアスがかからないため、センサと
して動作しない不感帯域を生じること、不感帯域はセン
サとして機能せず、磁気抵抗センサ回路の電気抵抗値を
増加させること、そのため、磁気抵抗センサ回路として
の性能に制限が加わるとともに、高密度電流に起因する
エレクトロマイグレーション発生の危険性を増幅させる
ことは既に述べた通りである。
【0029】不感帯域による電気抵抗値を低減させる手
段として、本発明においては、導電膜22、32の中央
能動領域1に対する重なり寸法W2を、磁区制御膜2
1、31の重なり寸法W1よりも大きくする。本発明に
おいて、重なり寸法W1、W2とは、中央能動領域1の
表面で見た磁区制御膜21、31または導電膜22、3
2の重なり寸法をいう(図2参照)。
段として、本発明においては、導電膜22、32の中央
能動領域1に対する重なり寸法W2を、磁区制御膜2
1、31の重なり寸法W1よりも大きくする。本発明に
おいて、重なり寸法W1、W2とは、中央能動領域1の
表面で見た磁区制御膜21、31または導電膜22、3
2の重なり寸法をいう(図2参照)。
【0030】導電膜22、32の中央能動領域1に対す
る重なり寸法W2を、磁区制御膜21、31の重なり寸
法W1よりも大きくすることにより、中央能動領域1の
両側端において、磁区制御膜21、31に起因して生じ
る不感帯域を、導電膜22、32によって実質的に電気
的にバイパスし、磁気抵抗センサ回路における電気抵抗
値の増大を回避することができる。
る重なり寸法W2を、磁区制御膜21、31の重なり寸
法W1よりも大きくすることにより、中央能動領域1の
両側端において、磁区制御膜21、31に起因して生じ
る不感帯域を、導電膜22、32によって実質的に電気
的にバイパスし、磁気抵抗センサ回路における電気抵抗
値の増大を回避することができる。
【0031】中央能動領域1の表面に対する導電膜2
2、32の重なり寸法w2は、中央能動領域1の両側端
において均等である。
2、32の重なり寸法w2は、中央能動領域1の両側端
において均等である。
【0032】中央能動領域1の表面に対する導電膜2
2、32の重なり領域は、中央能動領域1に生じる不感
帯域を越えなければならない。不感帯域は磁区制御膜2
1、22の残留磁束密度と膜厚との積に依存し、通常、
中央能動領域1の側端面から略0.15〜0.5μm程
度である。従って、導電膜22、32の中央能動領域1
に対する重なり寸法W2は、通常の条件では、略0.1
5〜0.5μmを越える値に設定する。不感帯域の値が
変動すれば、それに応じて、重なり寸法W2を変えるこ
とは勿論である。
2、32の重なり領域は、中央能動領域1に生じる不感
帯域を越えなければならない。不感帯域は磁区制御膜2
1、22の残留磁束密度と膜厚との積に依存し、通常、
中央能動領域1の側端面から略0.15〜0.5μm程
度である。従って、導電膜22、32の中央能動領域1
に対する重なり寸法W2は、通常の条件では、略0.1
5〜0.5μmを越える値に設定する。不感帯域の値が
変動すれば、それに応じて、重なり寸法W2を変えるこ
とは勿論である。
【0033】導電膜22と導電膜32との間の間隔は、
磁気ヘッドへの適用においては、要求されるトラック幅
を満たすように定めなければならない。従って、この場
合には、重なり寸法W2の最大値は、トラック幅による
制限を受けることになる。
磁気ヘッドへの適用においては、要求されるトラック幅
を満たすように定めなければならない。従って、この場
合には、重なり寸法W2の最大値は、トラック幅による
制限を受けることになる。
【0034】本発明は、磁区制御膜21、31が、重な
り寸法W1をもって、中央能動領域1に部分的に重なる
ことを許容する。従って、磁区制御膜21、31の側端
面を、中央能動領域1の側端面に一致するように、正確
に位置合わせしなければならないという製造上の困難性
を回避することができる。
り寸法W1をもって、中央能動領域1に部分的に重なる
ことを許容する。従って、磁区制御膜21、31の側端
面を、中央能動領域1の側端面に一致するように、正確
に位置合わせしなければならないという製造上の困難性
を回避することができる。
【0035】図1及び図2に示したMR素子を得るに当
たり、本発明において、磁区制御膜21、31及び導電
膜22、32を、互いに異なる成膜条件で成膜する。か
かる成膜方法によれば、磁区制御膜21、31及び導電
膜22、32を、MR膜11の両側端において均等で、
かつ、適切な重なり寸法W1、W2となるように、個別
に成膜できる。次に、添付図面を参照し、本発明にかか
る成膜法の具体例を説明する。
たり、本発明において、磁区制御膜21、31及び導電
膜22、32を、互いに異なる成膜条件で成膜する。か
かる成膜方法によれば、磁区制御膜21、31及び導電
膜22、32を、MR膜11の両側端において均等で、
かつ、適切な重なり寸法W1、W2となるように、個別
に成膜できる。次に、添付図面を参照し、本発明にかか
る成膜法の具体例を説明する。
【0036】まず図3及び図4は、真空成膜法としてス
パッタリングを採用した場合を示している。図3におい
て、基板4の一面上には、既に、中央能動領域1が成膜
されている。中央能動領域1の成膜方法については、従
来より提案されている技術またはこれから提案されるこ
とのある技術を採用できる。基板4は通常はウエハであ
り、その一面上に多数の中央能動領域1が成膜され、整
列されている。中央能動領域1の上方にはマスク5が配
置されている。図示されたマスク5は、中央能動領域1
を形成する場合に用いられるリフトオフ法によって残さ
れたレジスト膜である。
パッタリングを採用した場合を示している。図3におい
て、基板4の一面上には、既に、中央能動領域1が成膜
されている。中央能動領域1の成膜方法については、従
来より提案されている技術またはこれから提案されるこ
とのある技術を採用できる。基板4は通常はウエハであ
り、その一面上に多数の中央能動領域1が成膜され、整
列されている。中央能動領域1の上方にはマスク5が配
置されている。図示されたマスク5は、中央能動領域1
を形成する場合に用いられるリフトオフ法によって残さ
れたレジスト膜である。
【0037】磁区制御膜21、31は、図3に示すよう
に、基板4の一面に対して垂直方向に入射する原子を主
とする成膜条件でスパッタ成膜する。磁区制御膜21、
31が、図1及び図2に示したように、CoPtでなる
場合は、基板4の一面に対して垂直方向に入射するCo
及びPtの原子が、磁区制御膜21、31の成膜に利用
される。基板4の一面に対して垂直方向に入射するCo
及びPtの原子が主に利用されるので、図4に示すよう
に、磁区制御膜21、31の重なり寸法W1は非常に小
さくなる。
に、基板4の一面に対して垂直方向に入射する原子を主
とする成膜条件でスパッタ成膜する。磁区制御膜21、
31が、図1及び図2に示したように、CoPtでなる
場合は、基板4の一面に対して垂直方向に入射するCo
及びPtの原子が、磁区制御膜21、31の成膜に利用
される。基板4の一面に対して垂直方向に入射するCo
及びPtの原子が主に利用されるので、図4に示すよう
に、磁区制御膜21、31の重なり寸法W1は非常に小
さくなる。
【0038】図3及び図4に示した磁区制御膜21、3
1の成膜工程の後、図5に示すように、基板4の一面に
対して斜め方向に角度θで入射する原子を主とする成膜
条件で、導電膜22、32を成膜する。導電膜22、3
2がTiW/Taの積層膜でなる場合は、TiW膜の成
膜、次に、Ta膜のスパッタ成膜を行なう。導電膜2
2、32のスパッタ成膜は、基板4の一面に対して斜め
方向に入射する原子を主として行なわれるので、導電膜
22、32の重なり寸法W2は、磁区制御膜21、31
の重なり寸法W1より大きくなる(図6参照)。この構
造によれば、中央能動領域1の両側端において、磁区制
御膜21、31に起因して生じる不感帯域を、導電膜2
2、32によって実質的に電気的にバイパスし、磁気抵
抗センサ回路における電気抵抗値の増大を回避すること
ができる。
1の成膜工程の後、図5に示すように、基板4の一面に
対して斜め方向に角度θで入射する原子を主とする成膜
条件で、導電膜22、32を成膜する。導電膜22、3
2がTiW/Taの積層膜でなる場合は、TiW膜の成
膜、次に、Ta膜のスパッタ成膜を行なう。導電膜2
2、32のスパッタ成膜は、基板4の一面に対して斜め
方向に入射する原子を主として行なわれるので、導電膜
22、32の重なり寸法W2は、磁区制御膜21、31
の重なり寸法W1より大きくなる(図6参照)。この構
造によれば、中央能動領域1の両側端において、磁区制
御膜21、31に起因して生じる不感帯域を、導電膜2
2、32によって実質的に電気的にバイパスし、磁気抵
抗センサ回路における電気抵抗値の増大を回避すること
ができる。
【0039】しかも、上記成膜法によれば、磁区制御膜
21、31及び導電膜22、32を、MR膜11の両側
端において均等で、かつ、適切な重なり寸法W1、W2
となるように、個別に成膜できる。このため、MR膜1
1の両側端において、導電膜22、32を均等に成膜
し、不均等による電気抵抗値の増大、あるいは、導電膜
22、32の下層の動作可能なMR膜11による磁気的
信頼性の低下を確実に回避することができる。図5及び
図6に示した導電膜成膜工程が終了した後、マスク5を
除去する(図7参照)。
21、31及び導電膜22、32を、MR膜11の両側
端において均等で、かつ、適切な重なり寸法W1、W2
となるように、個別に成膜できる。このため、MR膜1
1の両側端において、導電膜22、32を均等に成膜
し、不均等による電気抵抗値の増大、あるいは、導電膜
22、32の下層の動作可能なMR膜11による磁気的
信頼性の低下を確実に回避することができる。図5及び
図6に示した導電膜成膜工程が終了した後、マスク5を
除去する(図7参照)。
【0040】図8及び図9は別の実施例を示している。
この実施例においても、真空成膜法としてスパッタリン
グが採用されている。一面上に中央能動領域を形成した
基板4は回転板60の上に搭載されている。回転板60
は図示しない駆動装置により矢印a1の方向に回転駆動
される(図9参照)。この場合の回転板60の回転を公
転と称することとする。回転板60の上方には、Co及
びPtのターゲット61及びTaのターゲット62が配
置されている。回転板60及びターゲット61、62は
真空成膜室6の内部に配置されている。
この実施例においても、真空成膜法としてスパッタリン
グが採用されている。一面上に中央能動領域を形成した
基板4は回転板60の上に搭載されている。回転板60
は図示しない駆動装置により矢印a1の方向に回転駆動
される(図9参照)。この場合の回転板60の回転を公
転と称することとする。回転板60の上方には、Co及
びPtのターゲット61及びTaのターゲット62が配
置されている。回転板60及びターゲット61、62は
真空成膜室6の内部に配置されている。
【0041】まず、磁区制御膜は、図8に示すように、
回転板60を静止させる静止成膜法て成膜する。これに
より、基板4の一面に対して垂直方向に入射する原子を
主とする成膜条件で、磁区制御膜がスパッタ成膜され
る。
回転板60を静止させる静止成膜法て成膜する。これに
より、基板4の一面に対して垂直方向に入射する原子を
主とする成膜条件で、磁区制御膜がスパッタ成膜され
る。
【0042】次に、図9に示すように、回転板60を矢
印a1の方向に公転させる回転成膜法によって、導電膜
をスパッタ成膜する。これにより、導電膜のスパッタ成
膜が、基板4の一面に対して斜め方向に入射する原子を
主として行なわれ、導電膜の重なり寸法が、磁区制御膜
の重なり寸法より大きくなる。
印a1の方向に公転させる回転成膜法によって、導電膜
をスパッタ成膜する。これにより、導電膜のスパッタ成
膜が、基板4の一面に対して斜め方向に入射する原子を
主として行なわれ、導電膜の重なり寸法が、磁区制御膜
の重なり寸法より大きくなる。
【0043】また、磁区制御膜及び導電膜の重なり寸法
は、基板4に対するターゲット61の距離及びターゲッ
ト62の距離を変えることにより、調整することができ
る。導電膜の重なり寸法が、磁区制御膜の重なり寸法よ
り大きくなるようにするためには、通常は、基板4に対
するターゲット61の距離を、基板4に対するターゲッ
ト62の距離よりも大きくする。
は、基板4に対するターゲット61の距離及びターゲッ
ト62の距離を変えることにより、調整することができ
る。導電膜の重なり寸法が、磁区制御膜の重なり寸法よ
り大きくなるようにするためには、通常は、基板4に対
するターゲット61の距離を、基板4に対するターゲッ
ト62の距離よりも大きくする。
【0044】図10及び図11は本発明に係る製造方法
の別の実施例を示している。この実施例においても、真
空成膜法として、スパッタリングが採用されている。一
面上に中央能動領域を形成した基板4は、回転板60の
上に搭載されている。磁区制御膜は、図10に示すよう
に、マスク63による絞りと、回転板60を公転させる
回転成膜法との組み合わせによって成膜する。回転板6
0を公転させても、マスク63による絞りが働くため、
磁区制御膜は、基板4の一面に対して垂直方向に入射す
る原子を主とする成膜条件でスパッタ成膜される。
の別の実施例を示している。この実施例においても、真
空成膜法として、スパッタリングが採用されている。一
面上に中央能動領域を形成した基板4は、回転板60の
上に搭載されている。磁区制御膜は、図10に示すよう
に、マスク63による絞りと、回転板60を公転させる
回転成膜法との組み合わせによって成膜する。回転板6
0を公転させても、マスク63による絞りが働くため、
磁区制御膜は、基板4の一面に対して垂直方向に入射す
る原子を主とする成膜条件でスパッタ成膜される。
【0045】次に、導電膜は、図11に示すように、回
転板60を公転させる回転成膜法によって成膜する。
転板60を公転させる回転成膜法によって成膜する。
【0046】図12及び図13は本発明に係る製造方法
の更に別の実施例を示す図である。真空成膜法として
は、スパッタリングが採用されている。この実施例で
は、第1の回転板60及び第2の回転板65を含んでい
る。第2の回転板65は、第1の回転板60上に、回転
中心から隔てた位置に設けられている。第1の回転板6
0は矢印a1の方向に公転し、第2の回転板65は矢印
b1で示す方向に自転する(図13参照)。中央能動領
域を既に形成してある基板4は、第2の回転板65の自
転中心からオフセット△dを付して、第2の回転板65
の一面上に設けられている。
の更に別の実施例を示す図である。真空成膜法として
は、スパッタリングが採用されている。この実施例で
は、第1の回転板60及び第2の回転板65を含んでい
る。第2の回転板65は、第1の回転板60上に、回転
中心から隔てた位置に設けられている。第1の回転板6
0は矢印a1の方向に公転し、第2の回転板65は矢印
b1で示す方向に自転する(図13参照)。中央能動領
域を既に形成してある基板4は、第2の回転板65の自
転中心からオフセット△dを付して、第2の回転板65
の一面上に設けられている。
【0047】まず、磁区制御膜は、図12に示すよう
に、マスク63による絞りと、第1の回転板60を公転
させる回転成膜法との組み合わせによって成膜する。第
1の回転板60を公転させても、マスク63による絞り
が働くため、磁区制御膜は、基板4の一面に対して垂直
方向に入射する原子を主とする成膜条件でスパッタ成膜
される。
に、マスク63による絞りと、第1の回転板60を公転
させる回転成膜法との組み合わせによって成膜する。第
1の回転板60を公転させても、マスク63による絞り
が働くため、磁区制御膜は、基板4の一面に対して垂直
方向に入射する原子を主とする成膜条件でスパッタ成膜
される。
【0048】次に、導電膜は、図13に示すように、第
1の回転板60の公転を停止し、第2の回転板65を、
矢印b1の如く自転させる回転成膜法によって成膜す
る。基板4は、第2の回転板65の自転中心からオフセ
ット△dを付して、第2の回転板65の一面上に設けら
れているから、導電膜のスパッタ成膜が、基板4の一面
に対して斜め方向に入射する原子を主として行なわれ、
導電膜の重なり寸法が、磁区制御膜の重なり寸法より大
きくなる。
1の回転板60の公転を停止し、第2の回転板65を、
矢印b1の如く自転させる回転成膜法によって成膜す
る。基板4は、第2の回転板65の自転中心からオフセ
ット△dを付して、第2の回転板65の一面上に設けら
れているから、導電膜のスパッタ成膜が、基板4の一面
に対して斜め方向に入射する原子を主として行なわれ、
導電膜の重なり寸法が、磁区制御膜の重なり寸法より大
きくなる。
【0049】図14は本発明に係る製造方法の更に別の
実施例を示している。この実施例の特徴は、磁区制御膜
及び導電膜を、異なる真空成膜室71〜73内で成膜す
るようにしたことである。中央能動領域を形成した基板
4は、例えばロボット8等により、各真空成膜室71〜
73内に出し入れされる。実施例は、磁区制御膜をCo
Ptによって構成し、導電膜をTiW/Taによって構成す
る場合を示し、CoPt成膜用の真空成膜室71と、T
a成膜用真空成膜室72と、TiW成膜用真空成膜室7
3とを備え、ロボット8は、矢印c1で表示する如く駆
動して、成膜順序に従って、基板4を真空成膜室71〜
73の間で出し入れする。真空成膜室数は、形成すべき
膜数に応じた数だけ準備する。真空成膜室71〜73に
おいて選択されるべき成膜条件としては、スパッタリン
グ、蒸着または両者の組み合わせ等の真空成膜方法が含
まれる。蒸着はスパッタリングよりも重なり寸法が小さ
くなるので、真空成膜室71における磁区制御膜の成膜
は蒸着によって行ない、真空成膜室72、73における
導電膜の成膜はスパッタリングによって行なうことがで
きる。これにより、磁区制御膜及び導電膜の間の重なり
寸法に差を生じさせることができる。また、導電膜を、
MR膜の両側端に均等に成膜することができる。
実施例を示している。この実施例の特徴は、磁区制御膜
及び導電膜を、異なる真空成膜室71〜73内で成膜す
るようにしたことである。中央能動領域を形成した基板
4は、例えばロボット8等により、各真空成膜室71〜
73内に出し入れされる。実施例は、磁区制御膜をCo
Ptによって構成し、導電膜をTiW/Taによって構成す
る場合を示し、CoPt成膜用の真空成膜室71と、T
a成膜用真空成膜室72と、TiW成膜用真空成膜室7
3とを備え、ロボット8は、矢印c1で表示する如く駆
動して、成膜順序に従って、基板4を真空成膜室71〜
73の間で出し入れする。真空成膜室数は、形成すべき
膜数に応じた数だけ準備する。真空成膜室71〜73に
おいて選択されるべき成膜条件としては、スパッタリン
グ、蒸着または両者の組み合わせ等の真空成膜方法が含
まれる。蒸着はスパッタリングよりも重なり寸法が小さ
くなるので、真空成膜室71における磁区制御膜の成膜
は蒸着によって行ない、真空成膜室72、73における
導電膜の成膜はスパッタリングによって行なうことがで
きる。これにより、磁区制御膜及び導電膜の間の重なり
寸法に差を生じさせることができる。また、導電膜を、
MR膜の両側端に均等に成膜することができる。
【0050】次に具体的な実施例について説明する。表
1は、図8及び図9に示したような成膜方法によって成
膜した場合のデータを示している。
1は、図8及び図9に示したような成膜方法によって成
膜した場合のデータを示している。
【0051】表1に示すように、CoPtによって構成
された磁区制御膜の重なり寸法W1が、0.1μmであ
るのに対し、Taによって構成された導電膜の重なり寸
法W2は0.3μmとなった。表1は、片側で見た不感
帯域が0.2μmであるときの最適重なり寸法を与えて
いる。異なる不感帯域の寸法に対しては、成膜条件を変
え、その不感帯域の寸法に最適な、重なり寸法W1、W
2を得ることができる。
された磁区制御膜の重なり寸法W1が、0.1μmであ
るのに対し、Taによって構成された導電膜の重なり寸
法W2は0.3μmとなった。表1は、片側で見た不感
帯域が0.2μmであるときの最適重なり寸法を与えて
いる。異なる不感帯域の寸法に対しては、成膜条件を変
え、その不感帯域の寸法に最適な、重なり寸法W1、W
2を得ることができる。
【0052】図15は上述したMR素子を読み取り素子
として用い、誘導型MR素子を書き込み素子として用い
た薄膜磁気ヘッドの断面図を示している。図16は図1
5に示した薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分の拡大断
面図である。
として用い、誘導型MR素子を書き込み素子として用い
た薄膜磁気ヘッドの断面図を示している。図16は図1
5に示した薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部分の拡大断
面図である。
【0053】図示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ100
の上にMR素子で構成された読み取り素子8及び誘導型
MR素子でなる書き込み素子9を有する。
の上にMR素子で構成された読み取り素子8及び誘導型
MR素子でなる書き込み素子9を有する。
【0054】スライダ100はセラミック構造体で構成
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜が設けられている。スライダ100は磁気
ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面(以下A
BS面と称する)101を有する。スライダ100とし
ては、磁気ディスクと対向する面側にレール部を設け、
レール部の表面をABS面として利用するタイプの外
に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持たない
平面状であって、平面のほぼ全面をABS面として利用
するタイプ等も知られている。
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜が設けられている。スライダ100は磁気
ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面(以下A
BS面と称する)101を有する。スライダ100とし
ては、磁気ディスクと対向する面側にレール部を設け、
レール部の表面をABS面として利用するタイプの外
に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持たない
平面状であって、平面のほぼ全面をABS面として利用
するタイプ等も知られている。
【0055】読み取り素子8は絶縁膜4の内部に膜状に
埋設されている。参照符号81は下部シールド膜であ
り、センダスト、パーマロイまたは窒化鉄などの磁性膜
によって構成されている。読み取り素子8は上部シール
ド膜91を含んでいる。上部シールド膜91はパーマロ
イまたは窒化鉄などの磁性膜によって構成されている。
埋設されている。参照符号81は下部シールド膜であ
り、センダスト、パーマロイまたは窒化鉄などの磁性膜
によって構成されている。読み取り素子8は上部シール
ド膜91を含んでいる。上部シールド膜91はパーマロ
イまたは窒化鉄などの磁性膜によって構成されている。
【0056】読み取り素子8は、前述した本発明に係る
製造方法によって得られたMR素子で構成されている。
従って、不感帯域による電気抵抗値増大を招くことのな
いMR素子を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
製造方法によって得られたMR素子で構成されている。
従って、不感帯域による電気抵抗値増大を招くことのな
いMR素子を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
【0057】書き込み素子9は、上部シールド膜を兼ね
ている下部磁性膜91、上部磁性膜92、コイル膜9
3、アルミナ等でなるギャップ膜94、有機樹脂で構成
された絶縁膜95及び保護膜96などを有して、絶縁膜
4の上に積層されている。下部磁性膜91及び上部磁性
膜92の先端部は微小厚みのギャップ膜94を隔てて対
向するポール部P1、P2となっており、矢印Xの方向
に高速移動する磁気ディスク(図示しない)に対して、
ポール部P1、P2において書き込みを行なう。下部磁
性膜91及び上部磁性膜92は、そのヨーク部がポール
部P1、P2とは反対側にあるバックギャップ部におい
て、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
絶縁膜95の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状
にまわるように、コイル膜93を形成してある。図示さ
れた書き込み素子9は単なる例であり、このような構造
に限定されるものではない。
ている下部磁性膜91、上部磁性膜92、コイル膜9
3、アルミナ等でなるギャップ膜94、有機樹脂で構成
された絶縁膜95及び保護膜96などを有して、絶縁膜
4の上に積層されている。下部磁性膜91及び上部磁性
膜92の先端部は微小厚みのギャップ膜94を隔てて対
向するポール部P1、P2となっており、矢印Xの方向
に高速移動する磁気ディスク(図示しない)に対して、
ポール部P1、P2において書き込みを行なう。下部磁
性膜91及び上部磁性膜92は、そのヨーク部がポール
部P1、P2とは反対側にあるバックギャップ部におい
て、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
絶縁膜95の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状
にまわるように、コイル膜93を形成してある。図示さ
れた書き込み素子9は単なる例であり、このような構造
に限定されるものではない。
【0058】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、不
感帯域による電気抵抗値増大を招くことのないMR素
子、薄膜磁気ヘッド、及びそれらの製造方法を提供する
ことができる。
感帯域による電気抵抗値増大を招くことのないMR素
子、薄膜磁気ヘッド、及びそれらの製造方法を提供する
ことができる。
【図1】本発明に係る製造方法によって得られるMR素
子の平面図である。
子の平面図である。
【図2】図1の2−2線上における断面図である。
【図3】図1及び図2に示したMR素子を得るための製
造工程を示す図である。
造工程を示す図である。
【図4】図3に示した工程を経た後の状態を示す図であ
る。
る。
【図5】図3及び図4に示した工程の後の工程を示す図
である。
である。
【図6】図5に示した工程を経た後の状態を示す図であ
る。
る。
【図7】図5及び図6の工程を経た後の工程を示す図で
ある。
ある。
【図8】本発明に係る製造方法の例を概略的に示す図で
ある。
ある。
【図9】図8に示した工程の後の工程を概略的に示す図
である。
である。
【図10】本発明に係る製造方法の別の例を概略的に示
す図である。
す図である。
【図11】図10に示した工程の後の工程を概略的に示
す図である。
す図である。
【図12】本発明に係る製造方法の別の例を概略的に示
す図である。
す図である。
【図13】図12に示した工程の後の工程を概略的に示
す図である。
す図である。
【図14】本発明に係る製造方法の別の例を概略的に示
す図である。
す図である。
【図15】本発明に係る製造方法によって得られる薄膜
磁気ヘッドの拡大断面図である。
磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図16】図15に示した薄膜磁気ヘッドの磁気変換素
子部分の拡大断面図である。
子部分の拡大断面図である。
1 中央能動領域 2、3 端部受動領域 21、31 磁区制御膜 22、32 導電膜 W1 磁区制御膜の重なり寸法 W2 導電膜の重なり寸法
Claims (22)
- 【請求項1】 中央能動領域と、端部受動領域とを含む
磁気抵抗効果素子であって、 前記端部受動領域は、前記中央能動領域の両側端に備え
られ、前記端部受動領域のそれぞれは、磁区制御膜と、
導電膜とを含んでおり、 前記磁区制御膜は、前記中央能動領域の表面に部分的に
重なっており、 前記導電膜は、前記磁区制御膜の表面に付着され、前記
磁区制御膜及び前記中央能動領域の表面に重なってお
り、 前記中央能動領域の表面に対する前記導電膜の重なり寸
法は、前記中央能動領域の表面に対する前記磁区制御膜
の重なり寸法よりも大きい。 - 【請求項2】 請求項1に記載された磁気抵抗効果素子
であって、 前記中央能動領域の表面に対する前記導電膜の重なり寸
法は、前記中央能動領域の両側端において均等である。 - 【請求項3】 請求項1または2の何れかに記載された
磁気抵抗効果素子であって、 前記中央能動領域の表面に対する前記導電膜の重なり
は、前記中央能動領域に生じる不感帯域を越える。 - 【請求項4】 請求項3に記載された磁気抵抗効果素子
であって、 前記不感帯域は、片側で略0.15〜0.5μmであ
る。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載された磁
気抵抗効果素子であって、 前記中央能動領域は、磁気異方性磁気抵抗効果膜を含
む。 - 【請求項6】 請求項1乃至4の何れかに記載された磁
気抵抗効果素子であって、 前記中央能動領域は、巨大磁気抵抗効果膜である。 - 【請求項7】 請求項6に記載された磁気抵抗効果素子
であって、 前記巨大磁気抵抗効果膜は、スピンバルブ膜を含む。 - 【請求項8】 請求項6に記載された磁気抵抗効果素子
であって、 前記巨大磁気抵抗効果膜は、強磁性トンネル接合膜を含
む。 - 【請求項9】 請求項1乃至8の何れかに記載された磁
気抵抗効果素子であって、 前記磁区制御膜は、硬磁性膜を含む。 - 【請求項10】 請求項5に記載された磁気抵抗効果素
子であって、 前記磁区制御膜は、反強磁性膜を含んでおり、前記反強
磁性膜と前記磁気異方性磁気抵抗効果膜との間に生じる
反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、前記磁気異方性
磁気抵抗効果膜に縦バイアスを加える。 - 【請求項11】 磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、請求項1乃至10の何れかに
記載されたものでなる。 - 【請求項12】 請求項11に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、読み取り素子として用いられ
る。 - 【請求項13】 請求項12に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 更に、書き込み素子を含む。 - 【請求項14】 請求項1乃至10の何れかに記載され
た磁気抵抗効果素子の製造方法であって、 前記磁気抵抗効果素子は、中央能動領域と、端部受動領
域とを有しており、 前記端部受動領域は、前記中央能動領域の両側端に備え
られ、前記端部受動領域のそれぞれは、磁区制御膜と、
導電膜とを含んでおり、 前記磁区制御膜は、前記中央能動領域の表面に部分的に
重なっており、 前記導電膜は、前記磁区制御膜の表面に付着され、前記
磁区制御膜及び前記中央能動領域の表面に重なってお
り、 前記中央能動領域の表面に対する前記導電膜の重なり寸
法は、前記中央能動領域の表面に対する前記磁区制御膜
の重なり寸法よりも大きくなっており、 前記磁区制御膜及び前記導電膜は、真空成膜法によっ
て、互いに異なる成膜条件で成膜し、それによって前記
導電膜の前記中央能動領域に対する重なり寸法を、前記
磁区制御膜のそれよりも大きくする。 - 【請求項15】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記真空成膜法は、蒸着、スパッタリングまたは両者の
組み合わせによって実行される。 - 【請求項16】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記真空成膜法は、スパッタリングであり、 前記中央能動領域は、基板の一面上に成膜されており、 前記中央能動領域の上方にマスクを配置し、 前記基板の前記一面に対して垂直方向に入射する原子を
主とする成膜条件で前記磁区制御膜を成膜した後、 前記基板の前記一面に対して斜め方向に入射する原子を
主とする成膜条件で、前記導電膜を成膜する。 - 【請求項17】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記真空成膜法は、スパッタリングであり、 前記基板は、回転板の上に搭載され、 前記磁区制御膜は、前記回転板を静止させる静止成膜法
て成膜し、 前記導電膜は、前記回転板を公転させる回転成膜法で成
膜する。 - 【請求項18】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記真空成膜法は、スパッタリングであり、 前記基板は、回転板の上に搭載され、 前記磁区制御膜は、マスクによる絞りと、前記回転板を
公転させる回転成膜法との組み合わせによって成膜し、 前記導電膜は、前記回転板を公転させる回転成膜法によ
って成膜する。 - 【請求項19】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記真空成膜法は、スパッタリングであり、 第1の回転板及び第2の回転板を含み、 前記第2の回転板は、第1の回転板上に設けられ、 前記基板は、前記第2の回転板の自転中心からオフセッ
トを付して、前記第2の回転板の一面上に設けられ、 前記磁区制御膜は、マスクによる絞りと、前記第1の回
転板を公転させる回転成膜法との組み合わせによって成
膜し、 前記導電膜は、前記第1の回転板の公転を停止し、前記
第2の回転板を自転させる回転成膜法によって成膜す
る。 - 【請求項20】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記磁区制御膜は、蒸着によって成膜され、 前記導電膜は、スパッタリングによって成膜される。 - 【請求項21】 請求項14に記載された製造方法であ
って、 前記磁区制御膜及び前記導電膜は、異なる真空成膜室内
で成膜される。 - 【請求項22】 磁気抵抗効果素子を含む薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、 前記磁気抵抗効果素子は、請求項14乃至21の何れか
に記載された方法によって製造される。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10127982A JPH1131313A (ja) | 1997-05-14 | 1998-05-11 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12456397 | 1997-05-14 | ||
JP9-124563 | 1997-05-14 | ||
JP10127982A JPH1131313A (ja) | 1997-05-14 | 1998-05-11 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1131313A true JPH1131313A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=26461232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10127982A Pending JPH1131313A (ja) | 1997-05-14 | 1998-05-11 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1131313A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6444406B1 (en) | 2000-07-11 | 2002-09-03 | Tdk Corporation | Method for forming photoresist pattern and manufacturing method of magnetoresistive effect thin-film magnetic head |
US6591481B2 (en) | 2001-04-25 | 2003-07-15 | Tdk Corporation | Method of manufacturing magnetoresistive device and method of manufacturing thin-film magnetic head |
US6657826B2 (en) | 2001-04-25 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same, thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly and hard disk drive |
US6982855B2 (en) | 2002-05-27 | 2006-01-03 | Tdk Corporation | Magnetoresistive head having layer structure between free and lead layers with layer structure including fixed magnetization layer |
US7027271B2 (en) | 2000-08-04 | 2006-04-11 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device in a thin-film magnetic head and method of manufacturing same having particular electrode overlay configuration |
US7178222B2 (en) | 2000-07-17 | 2007-02-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tunneling magnetoresistive element |
-
1998
- 1998-05-11 JP JP10127982A patent/JPH1131313A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6444406B1 (en) | 2000-07-11 | 2002-09-03 | Tdk Corporation | Method for forming photoresist pattern and manufacturing method of magnetoresistive effect thin-film magnetic head |
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US6657826B2 (en) | 2001-04-25 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device and method of manufacturing same, thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly and hard disk drive |
US7082673B2 (en) | 2001-04-25 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Method of manufacturing magnetoresistive device capable of preventing a sense current from flowing into dead regions of a magnetoresistive element, and method of manufacturing thin-film magnetic head |
US6982855B2 (en) | 2002-05-27 | 2006-01-03 | Tdk Corporation | Magnetoresistive head having layer structure between free and lead layers with layer structure including fixed magnetization layer |
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