JPH11312775A - Manufacture of semiconductor package and semiconductor package manufactured by the method - Google Patents

Manufacture of semiconductor package and semiconductor package manufactured by the method

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JPH11312775A
JPH11312775A JP11949898A JP11949898A JPH11312775A JP H11312775 A JPH11312775 A JP H11312775A JP 11949898 A JP11949898 A JP 11949898A JP 11949898 A JP11949898 A JP 11949898A JP H11312775 A JPH11312775 A JP H11312775A
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frame
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lead terminal
semiconductor package
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勉 大内
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文昭 紙崎
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the control of working size, and to improve the accuracy of products by molding the stage of a lead frame for the stage in the same surface as a lead-frame frame and placing the front end section of the lead terminal of a lead frame for the lead terminal at a place upper than the lead- frame frame and bending and shaping the front end section of the lead terminal. SOLUTION: A lead frame 1 for a stage is placed on a work base, semiconductor chips 2 are placed and fixed onto the top faces of each stage 12 while directing electrode sections 20 to the upper side, a lead frame 3 for lead terminals is superposed on the lead frame 1 for the stage while using mutual positioning holes 13, 32 as references, and lead terminal groups 31, 31... are stacked on the top faces of the semiconductor chips 2 at proper intervals. The front end sections 31t of the lead terminals 31 and the corresponding electrodes 20 are connected with wires 5. Since the stages 12 are formed in the same surface as a lead-frame frame 10 at that time, both lead frames 1, 3 can be horizontally displaced successively without vertically moving a heater block only by a feeding pawl.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体パッケー
ジの製造方法、及びこれにより製造される半導体パッケ
ージに関し、特に、製造に用いるステージ用リードフレ
ームを平坦面とすることにより、従来の製造装置やライ
ン構造を変更することなく製造することができる半導体
パッケージの製造方法、及びこれにより製造される半導
体パッケージに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor package manufactured by the method, and more particularly, to a conventional manufacturing apparatus and line using a flat stage lead frame for manufacturing. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor package that can be manufactured without changing the structure, and a semiconductor package manufactured by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体パッケージとは、半導体
により集積回路網が形成された素子(「半導体チップ」
と略称する。)を、当該半導体チップの電極部とワイヤ
ー接続(ワイヤーボンディング)したリード端子の外部
端子を残し他の全体を樹脂封止して所定形状に成形した
もである。そして、パッケージ内の半導体チップに対す
るリード端子の配置構成としては、例えば、特開平6−
132453が提案開示されている。これは、図8に示
すように、リード端子の内部端子側を半導体チップに対
して高さ方向へ、一部又は全部を重ね合わせた状態で樹
脂封止することにより、それ以前の半導体パッケージよ
りも小型化を図った構成のものである。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor package is an element ("semiconductor chip") in which an integrated circuit network is formed by semiconductors.
Abbreviated. ) Is formed into a predetermined shape by resin-sealing the entirety of the semiconductor chip except for the external terminals of the lead terminals that are wire-connected (wire-bonded) to the electrode portions of the semiconductor chip. The arrangement of the lead terminals with respect to the semiconductor chip in the package is described in, for example,
No. 132453 has been proposed and disclosed. As shown in FIG. 8, this is achieved by sealing the internal terminals of the lead terminals in the height direction with respect to the semiconductor chip with a part or all of the resin in a state of being overlapped with each other, thereby reducing the size of the semiconductor package. Is also of a configuration for miniaturization.

【0003】この半導体パッケージ200の製造方法と
しては、上記公報開示によれば、図9の断面図、図10
の斜視図に示したように、先ず、金属薄板からなる長
尺帯状のリードフレームをプレス打ち抜き加工して、半
導体チップ110を載置するためのステージ101を、
当該フレーム枠102からサポートバー103を介して
下方に下がった位置に保持させたステージ用リードフレ
ーム100と、リードフレームをプレス打ち抜き加工
して、半導体チップ110の電極部111に対応された
複数本のリード端子121、121、・・を、内側へ延
出させた状態でかつ当該フレーム枠122から下方に下
がった位置に保持させたリード端子用リードフレーム1
20を用意し、上記ステージ用リードフレーム100の
ステージ101の上面に半導体チップ110を載置固着
させた後、その上位にリード端子用リードフレーム12
0を位置決めして重ね合わせて保持し、次いで、この状
態でリード端子121の先端部121tと半導体チップ
110の電極部111とをワイヤー130で接続した
後、リード端子121の外部接続部121cを残して全
体を樹脂210で封止し、最後に両リードフレーム10
0、120から切り離すことにより半導体パッケージ2
00が形成される。
According to the method disclosed in the above publication, a method of manufacturing the semiconductor package 200 is shown in FIG.
As shown in the perspective view, first, a long strip-shaped lead frame made of a thin metal plate is press-punched to form a stage 101 for mounting the semiconductor chip 110 thereon.
A stage lead frame 100 held downward from the frame 102 via a support bar 103, and a plurality of lead frames corresponding to the electrode portions 111 of the semiconductor chip 110 by press punching the lead frame. The lead terminal 1 is a lead terminal lead frame 1 in which the lead terminals 121, 121,...
After the semiconductor chip 110 is mounted and fixed on the upper surface of the stage 101 of the stage lead frame 100, the lead terminal lead frame 12
Then, the leading end 121t of the lead terminal 121 and the electrode part 111 of the semiconductor chip 110 are connected by the wire 130 in this state, and the external connection part 121c of the lead terminal 121 is left. And the whole is sealed with resin 210, and finally both lead frames 10
0, 120 to separate semiconductor package 2
00 is formed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の製
法では、リード端子用リードフレーム120のリート゛端
子121を下方へ屈曲配置させるための段部(「リード
段部」)121dを形成していることに加え、ステージ
用リードフレーム100のステージ101を上記リード
端子121の下降位置より更に下がった位置に保持する
必要から、サポートバー103を下方へ屈曲させた段部
(「サポート段部」)103dに形成しているため、上
記リード段部121dとサポート段部103dとのそれ
ぞれの寸法精度の管理に加え、重ね合わせ時の相互の寸
法誤差の管理をも必要になって、煩雑な段部精度の管理
が必要となる問題があった。
However, in the above-mentioned conventional manufacturing method, a step portion ("lead step portion") 121d is formed for bending the lead terminal 121 of the lead terminal lead frame 120 downward. In addition, since the stage 101 of the stage lead frame 100 needs to be held at a position lower than the lowered position of the lead terminal 121, a step portion (“support step portion”) 103d in which the support bar 103 is bent downward. Therefore, in addition to managing the dimensional accuracy of the lead step 121d and the support step 103d, it is also necessary to manage the mutual dimensional error at the time of superposition. There was a problem that required management.

【0005】また、半導体チップ110を挟持した後の
2枚リードフレーム100、120は、順次連続的にワ
イヤー接続が行われて行くものである。このワイヤー付
け処理は、一般的に超音波法と熱圧着法を併用するが、
フレーム枠102及びステージ101に効率良く熱を伝
えるためには、図11に示すように、ヒーターブロック
140にサポートバー103の段差分の彫り込みを入れ
た適合凹部141を形成し、これにステージ101を適
合させてヒーターブロック140との接触面積を多くす
る必要があった。そのため、ステージ101を順次にヒ
ーターブロック140へ送る際には、送り爪150を用
いた横送り機構の他に、一回のステージ移動毎にヒータ
ーブロック140を上下動させるための移動機構が必要
となり、さらには上停止繰り返し位置精度機構が必要と
なるなど、複雑な追加機構が必要であった。
[0005] After the semiconductor chip 110 is sandwiched between the two lead frames 100 and 120, the wires are sequentially and continuously connected. This wire attachment process generally uses both the ultrasonic method and the thermocompression bonding method,
In order to efficiently transmit heat to the frame 102 and the stage 101, as shown in FIG. 11, a matching recess 141 in which a step difference of the support bar 103 is formed in the heater block 140 is formed, and It was necessary to increase the area of contact with the heater block 140 by adapting it. Therefore, when the stage 101 is sequentially sent to the heater block 140, a moving mechanism for moving the heater block 140 up and down every time the stage moves is required in addition to the horizontal feeding mechanism using the feed claw 150. In addition, a complicated additional mechanism is required, such as a need for an upper stop repetition position accuracy mechanism.

【0006】このことは、従来から存する生産設備をそ
のまま応用することができず、専用の設備投資を行う必
要があり、ひいてはコスト上昇の要因ともなっていた。
[0006] This means that the existing production equipment cannot be applied as it is, and it is necessary to make a dedicated capital investment, which in turn causes a cost increase.

【0007】[0007]

【目的】そこで本願発明は、上記課題に鑑みて為された
もので、ステージ用リードフレームを平坦に保つことに
より、工作寸法の管理を軽減して製品精度を向上させる
と共に、従来の設備をそのまま利用した製造を可能とす
ることにより、製品コストの上昇を抑えることを目的と
した半導体パッケージの製造方法、及びこれにより製造
される半導体パッケージを提供するものである。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and by maintaining a flat lead frame for a stage, it is possible to reduce the management of machining dimensions and improve product accuracy, and to maintain the conventional equipment. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor package aiming to suppress an increase in product cost by enabling manufacturing using the semiconductor package, and a semiconductor package manufactured by the method.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願発明の半導体パッケージの製造方法は、以下の
ように構成している。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention is configured as follows.

【0009】すなわち、ステージ用リードフレームに型
抜き成形されたステージに半導体チップを載置し、この
載置された半導体チップの上に、該半導体チップの電極
部に対応させたリード端子が型抜き成形されたリード端
子用リードフレームを重ね合わせ、次いで、該リード端
子の先端部と前記電極部とをワイヤー接続した後、前記
リード端子の外部接続部を残して樹脂封止する各工程よ
り成る半導体パッケージの製造方法において、ステージ
用リードフレームのステージを当該フレーム枠と同一面
に成形すると共に、リード端子用リードフレームのリー
ド端子の先端部を当該フレーム枠より上位に位置させて
リード端子を所望規格構成に屈曲成形したことを特徴と
する。
That is, a semiconductor chip is mounted on a stage formed by stamping and forming on a stage lead frame, and lead terminals corresponding to the electrode portions of the semiconductor chip are stamped on the mounted semiconductor chip. A semiconductor comprising a plurality of steps of laminating the formed lead terminal lead frame, and then wire-connecting the tip of the lead terminal and the electrode portion, and then sealing the resin with the external connection portion of the lead terminal remaining. In the manufacturing method of the package, the stage of the lead frame for the stage is formed on the same surface as the frame frame, and the leading end of the lead terminal of the lead frame for the lead terminal is positioned higher than the frame frame to set the lead terminal to a desired standard. It is characterized by being bent and formed into a configuration.

【0010】また、リード端子の外部接続部の裏面とス
テージ裏面とが略同一面となるように端子を成形し、前
記外部接続部の裏面とステージ裏面とを露出させた状態
で樹脂封止したことを特徴とする。
Further, the terminal is formed so that the back surface of the external connection portion of the lead terminal and the back surface of the stage are substantially flush with each other, and resin sealing is performed in a state where the back surface of the external connection portion and the back surface of the stage are exposed. It is characterized by the following.

【0011】さらに、上記製造方法で製造される半導体
パッケージは、リード端子の外部接続部の裏面とステー
ジ裏面とを、略同一面とし、かつ露出させた状態で樹脂
封止したことを特徴としている。
Further, the semiconductor package manufactured by the above manufacturing method is characterized in that the back surface of the external connection portion of the lead terminal and the back surface of the stage are made substantially flush with each other and are sealed with a resin in an exposed state. .

【0012】[0012]

【作用】上記のように構成された本願発明は、リード端
子用リードフレームのリード端子のみが屈曲形成され、
ステージ用リードフレームのステージはフレーム枠と同
一面に保たれているため、重ね合わせた場合の寸法誤差
が少なくなり、かつ寸法精度の管理が軽減される。
According to the present invention constructed as above, only the lead terminals of the lead frame for lead terminals are bent,
Since the stage of the stage lead frame is kept on the same plane as the frame frame, a dimensional error when superimposed is reduced, and dimensional accuracy control is reduced.

【0013】また、ステージ用リードフレームの下面に
は突出部がなく、平坦面であるため、ステージの送り移
動は、送り爪による水平移動機構のみで行われる。
Further, since the lower surface of the stage lead frame has no protruding portion and is a flat surface, the stage is moved only by a horizontal moving mechanism using a feed claw.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本願発明の実施の形態例に
ついて、図面に基づき詳細に説明する。なお、本明細書
中で用いる向きの記載は図面を基準とした便宜上のもの
である。 [実施形態例1]図1は本実施形態例1を示す分解斜視
図であり、図2はそれを示すリードフレーム横断方向の
断面図であり、図3はこれにより製造された半導体パッ
ケージを示す横断面図である。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The description of the orientation used in this specification is for convenience on the basis of the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is an exploded perspective view showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing the same in a direction transverse to a lead frame, and FIG. 3 shows a semiconductor package manufactured thereby. FIG.

【0015】図示符号の1は、金属薄板から成る長尺帯
状のステージ用リードフレームであり、その面上には、
フレーム枠10と、該フレーム枠10に連続して対向形
成した2本のサポートバー11、11と、これを介して
成形した矩形状のステージ12とを残した打ち抜き繰り
返しパターンが形成されている。フレーム枠10、サポ
ートバー11、及びステージ12は、同一面上に成形し
ている。なお、13は、フレーム枠10に適宜の間隔で
開設させた位置決め孔である。なお、本実施形態では、
サポートバー11を対向させた2本としているが、これ
に限定するものではなく、2本以上を適宜の位置に配置
するようにしてもよい。
Reference numeral 1 denotes a long strip-shaped stage lead frame made of a thin metal plate.
A punching repetition pattern is formed that leaves a frame 10, two support bars 11, 11 formed continuously facing the frame 10, and a rectangular stage 12 formed through the support bar 11. The frame 10, the support bar 11, and the stage 12 are formed on the same plane. Reference numeral 13 denotes positioning holes formed in the frame 10 at appropriate intervals. In the present embodiment,
Although two support bars 11 are opposed to each other, the present invention is not limited to this, and two or more support bars 11 may be arranged at appropriate positions.

【0016】図示符号の2は、通常、半導体チップと称
されるもので、所定の機能を持った集積回路網が焼き付
けされた素子であり、その上面には適宜の個数の外部接
続用の電極部20、20、・・が露出させて形成されて
いる。
Reference numeral 2 denotes an element on which an integrated circuit network having a predetermined function is burned, which is generally called a semiconductor chip, and an appropriate number of external connection electrodes are provided on the upper surface thereof. The portions 20, 20,... Are formed so as to be exposed.

【0017】図示符号の3は、金属薄板から成る長尺帯
状のリード端子用リードフレームであり、フレーム枠3
0と、前記半導体チップ2の電極部20に対応させた複
数本のリード端子31、31、・・とを残した打ち抜き
繰り返しパターンが形成されている。かかるリード端子
31は、フレーム枠30への取付け部が半導体パッケー
ジ2において外部接続部31cを構成する部分となり、
その裏面31b側をステージ用リードフレーム1の肉厚
分だけ下方へ屈曲させ、所定の長さの平坦面の後に、屈
曲段部31dにより所定の高さ(ステージ肉厚+半導体
チップ厚さ+α)だけ上方へ延出させ、次いで、先端部
31tに所定の長さの水平部を設けた形状に屈曲成形し
ている。なお、32は、フレーム枠30に適宜の間隔で
開設させた位置決め孔である。
Reference numeral 3 denotes a long strip-shaped lead terminal lead frame made of a thin metal plate.
0 and a plurality of punching repetition patterns leaving a plurality of lead terminals 31, 31,... Corresponding to the electrode portions 20 of the semiconductor chip 2 are formed. In the lead terminal 31, an attachment portion to the frame 30 is a portion constituting the external connection portion 31 c in the semiconductor package 2,
The rear surface 31b is bent downward by the thickness of the stage lead frame 1, and after a flat surface of a predetermined length, a predetermined height (stage thickness + semiconductor chip thickness + α) is formed by a bent step portion 31d. ), And then bent into a shape in which a horizontal portion having a predetermined length is provided at the tip 31t. Reference numeral 32 denotes a positioning hole formed in the frame 30 at appropriate intervals.

【0018】かかる構成により、半導体パッケージ4の
製造は、ワーク台(図示省略)上にステージ用リードフ
レーム1を載置し、電極部20を上側にして半導体チッ
プ2を各ステージ12の上面に載置固着させた後、リー
ド端子用リードフレーム3を互いの位置決め孔13、3
2を基準にしてステージ用リードフレーム1に重ね合わ
せ、そして、該半導体チップ2の上面にリード端子群3
1、31、・・を適宜の間隙をもって重ね合わせる。次
いで、該リード端子31の先端部31tと対応する電極
20とをワイヤー5で接続する。このワイヤー接続にお
いては、一般的に超音波法と熱圧着法とが併用され、フ
レーム枠10及びステージ12に効率良く熱を伝えるた
めに、ヒーターブロック6により下方からの加熱が行わ
れる。
With this configuration, when manufacturing the semiconductor package 4, the stage lead frame 1 is mounted on a work table (not shown), and the semiconductor chip 2 is mounted on the upper surface of each stage 12 with the electrode section 20 facing upward. After being fixed, the lead terminal lead frame 3 is inserted into the positioning holes 13, 3.
2 and a lead terminal group 3 on the upper surface of the semiconductor chip 2.
, Are overlapped with an appropriate gap. Next, the distal end portion 31t of the lead terminal 31 and the corresponding electrode 20 are connected by the wire 5. In this wire connection, generally, an ultrasonic method and a thermocompression bonding method are used in combination, and heating is performed from below by the heater block 6 in order to efficiently transmit heat to the frame 10 and the stage 12.

【0019】この場合、ステージ12がフレーム枠10
と同一面であるため、図11に示す従来例のように、ス
テージ用リードフレーム100の下方へ突出したステー
ジ101の部分がないため、図4に示すように、水平往
復移動する送り爪7のみでヒータブック6を上下させる
ことなく、両リードフレーム1、3の順次水平送り移動
を行うことができる。
In this case, the stage 12 is
Since there is no portion of the stage 101 protruding below the stage lead frame 100 unlike the conventional example shown in FIG. 11, only the feed claw 7 that reciprocates horizontally as shown in FIG. Thus, the two lead frames 1 and 3 can be sequentially moved horizontally without moving the heater book 6 up and down.

【0020】ワイヤー接続完了後は、ステージ12、半
導体チップ2、及びリード端子31の全体を、トランス
ファモールド法により樹脂封止した後、樹脂40の成形
体から露出したリード端子31の外部接続部31cを、
適宜の位置で切断してフレーム枠30から切り放すこと
により半導体パッケージ4が製造される。なお、上記樹
脂封入において、ステージ12の裏面12bと外部接続
部31cの一部と裏面31bとが露出するように、金型
を構成している。
After completion of the wire connection, the entire stage 12, the semiconductor chip 2, and the lead terminals 31 are resin-sealed by the transfer molding method, and then the external connection portions 31c of the lead terminals 31 exposed from the molded body of the resin 40 are formed. To
The semiconductor package 4 is manufactured by cutting at an appropriate position and cutting it off from the frame 30. In the resin encapsulation, the mold is configured such that the back surface 12b of the stage 12, a part of the external connection portion 31c, and the back surface 31b are exposed.

【0021】かかる製法により製造される半導体パッケ
ージ4は、図3に断面図で示すように、ステージ12の
裏面12bとリード端子31の外部接続部31cの一部
とその裏面31bが、同一面上で露出した状態になり、
それ以外の全体が樹脂40で封止されたものとなり、外
部接続部31の裏面31bを接着面として、プリント基
板(図示省略)等へ表面実装されるものである。 [実施形態例2]次に、本実施形態例2について説明す
る。
As shown in the cross-sectional view of FIG. 3, the semiconductor package 4 manufactured by such a manufacturing method is such that the back surface 12b of the stage 12 and a part of the external connection portion 31c of the lead terminal 31 and the back surface 31b are flush with each other. To be exposed,
The other part is sealed with a resin 40 and is surface-mounted on a printed circuit board (not shown) or the like using the back surface 31b of the external connection part 31 as an adhesive surface. Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0022】図5は本実施形態例2を示す分解斜視図で
あり、図6はそれを示すリードフレーム横断方向の断面
図であり、図7はこれにより製造された半導体パッケー
ジを示す横断面図である。
FIG. 5 is an exploded perspective view showing Embodiment 2 of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view showing the same in a direction transverse to a lead frame, and FIG. 7 is a cross-sectional view showing a semiconductor package manufactured thereby. It is.

【0023】実施形態例2は、上述した実施形態例1と
は、リード端子用リードフレーム8のリード端子81の
形状が異なるのみであるため、実施形態例1と同様の構
成部分については、同一の番号を付与して詳細な説明を
省略する。
The second embodiment differs from the first embodiment only in the shape of the lead terminal 81 of the lead terminal lead frame 8, and the same components as those in the first embodiment are the same. And the detailed description is omitted.

【0024】図示するリード端子81は、フレーム枠8
0の取付け部から屈曲させて半導体パッケージ9の厚さ
(又は高さ)だけ立ち上げた後、外部接続部81cとな
る所定長さの水平部を内側へ延出形成し、次いで屈曲段
部81dを経て下方へ屈曲させた後、先端部81tに所
定の長さの水平部を設けた形状に屈曲成形したのもであ
る。
The lead terminals 81 shown in FIG.
After bending from the mounting portion of No. 0 and standing up by the thickness (or height) of the semiconductor package 9, a horizontal portion of a predetermined length to be the external connection portion 81c is formed to extend inward, and then the bent step portion 81d And then bent downward into a shape in which a horizontal portion having a predetermined length is provided at the distal end portion 81t.

【0025】上記構成により、半導体パッケージ9の製
造は、上記実施形態例1と同様に、ステージ用リードフ
レーム1の各ステージ12の上面に半導体チップ2を載
置固着させた後、リード端子用リードフレーム8を位置
決めして重ね合わせ、次いで、ワイヤー5で電極部20
とリード端子8の先端部81tを接続させた後、上記実
施形態例1と同様に樹脂封止が行われる。
With the above configuration, the semiconductor package 9 is manufactured by mounting and fixing the semiconductor chip 2 on the upper surface of each stage 12 of the stage lead frame 1 as in the first embodiment. The frame 8 is positioned and overlapped, and then the electrode portion 20 is
After connecting the end portion 81t of the lead terminal 8 with the lead terminal 8, resin sealing is performed in the same manner as in the first embodiment.

【0026】かかる製法により製造される半導体パッケ
ージ9は、図7に断面図で示すように、ステージ12の
裏面12bが下面側に、及びリード端子81の外部接続
部81cの一部とその裏面81bが、上面側に露出した
状態になり、それ以外の全体を樹脂90で封止されるも
のとなり、外部接続部8の裏面81bを接着面として、
プリント基板等へ表面実装される。
As shown in the cross-sectional view of FIG. 7, the semiconductor package 9 manufactured by such a manufacturing method has the rear surface 12b of the stage 12 on the lower surface side, a part of the external connection portion 81c of the lead terminal 81 and the rear surface 81b. Is exposed on the upper surface side, and the entire other portion is sealed with the resin 90, and the back surface 81b of the external connection portion 8 is used as an adhesive surface.
Surface mounted on a printed circuit board or the like.

【0027】なお、上記半導体パッケージ9の構造自体
は、SON(Small Outlin Nolea
d)型の半導体パッケージとして公知のものであり(例
えば、特開平6−132453)、その効果はパッケー
ジのコンパクト化にある。
The structure of the semiconductor package 9 is SON (Small Outlin Nolea).
It is known as a d) type semiconductor package (for example, JP-A-6-132453), and its effect is to make the package compact.

【0028】[0028]

【効果】本願発明を上記のように構成することにより、
次の効果を奏する。すなわち、従来のようにステージ用
リードフレーム、及びリード端子用リードフレームの両
方に屈曲させた段部を形成していたのとは異なり、リー
ド端子用リードフレームにのみに屈曲段部を形成してい
るため、段部寸法の管理が容易となり、製造精度の向上
と、製品不良率の低下を図ることができる。
[Effect] By configuring the present invention as described above,
The following effects are obtained. That is, unlike the conventional case, in which both the lead frame for the stage and the lead frame for the lead terminal are formed with bent steps, the bent step is formed only on the lead frame for the lead terminal. Therefore, the step size can be easily managed, and the manufacturing accuracy can be improved and the product defect rate can be reduced.

【0029】また、ステージ用リードフレームのステー
ジを当該フレーム枠と同一面に成形しているため、ワイ
ヤー接続に用いるヒータブロックの上面を水平移動のみ
で行うことができる。すなわち、従来のように、ヒータ
ブロックに下行配置のステージを適合させる凹部を必要
とせず、かつリードフレームを移動させるごとにヒータ
ブロックを上下動させる機構をも必要とせず、従来の生
産設備をそまま用いることができ、牽いては生産コスト
の上昇を抑えることができる効果を有する。
Further, since the stage of the stage lead frame is formed on the same surface as the frame, the upper surface of the heater block used for wire connection can be moved only horizontally. That is, unlike the related art, there is no need to provide a recess for adapting a stage arranged in a descending arrangement to the heater block, nor does it require a mechanism for moving the heater block up and down each time the lead frame is moved. It can be used as it is, and has the effect of suppressing an increase in production cost.

【0030】さらに、請求項2の製法、及び請求項3の
構成の半導体パッケージによれば、製造時に半導体チッ
プの載置用のステージをパッケージ裏面に露出した放熱
板として用いることできる。
Further, according to the manufacturing method of the second aspect and the semiconductor package of the third aspect, the stage for mounting the semiconductor chip can be used as a heat radiating plate exposed on the back surface of the package at the time of manufacturing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本実施形態例1を示す分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】 本実施形態例1を示すリードフレーム横断方
向の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view in a cross direction of a lead frame showing the first embodiment;

【図3】 本実施形態例1により製造された半導体パッ
ケージを示す横断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a semiconductor package manufactured according to the first embodiment.

【図4】 本実施例のヒータブロックの配置を示す断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an arrangement of a heater block according to the present embodiment.

【図5】 本実施形態例2を示す分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view showing a second embodiment of the present invention.

【図6】 本実施形態例2を示すリードフレーム横断方
向の断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view in a cross direction of a lead frame showing a second embodiment of the present invention.

【図7】 本実施形態例1により製造された半導体パッ
ケージを示す横断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a semiconductor package manufactured according to the first embodiment.

【図8】 従来例の半導体パッケージを示す横断面図で
ある。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor package.

【図9】 従来例の製法を示すリードフレーム横断方向
の断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view in a cross direction of a lead frame showing a manufacturing method of a conventional example.

【図10】 従来例の製法を示す分解斜視図である。FIG. 10 is an exploded perspective view showing a conventional manufacturing method.

【図11】 従来例のヒータブロックの配置を示す断面
図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an arrangement of a heater block of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ステージ用リードフレーム 10 フレーム枠 11 サポートバー 12 ステージ 12b 裏面(ステージの〜) 13 位置決め孔 2 半導体チップ 20 電極部 3 リード端子用リードフレーム 30 フレーム枠 31 リード端子 31b 裏面(外部接続部の〜) 31c 外部接続部 31d 屈曲段部 31t 先端部 32 位置決め孔 4 半導体パッケージ 40 樹脂 5 ワイヤー 6 ヒーターブロック 7 送り爪 8 リード端子用リードフレーム 80 フレーム枠 81 リード端子 81b 裏面(外部接続部の〜) 81c 外部接続部 81d 屈曲段部 81t 先端部 82 位置決め孔 9 半導体パッケージ 90 樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame for stage 10 Frame frame 11 Support bar 12 Stage 12b Back surface (~ of stage) 13 Positioning hole 2 Semiconductor chip 20 Electrode part 3 Lead frame for lead terminal 30 Frame frame 31 Lead terminal 31b Back surface (~ of external connection part) 31c External connection part 31d Bending step part 31t Tip part 32 Positioning hole 4 Semiconductor package 40 Resin 5 Wire 6 Heater block 7 Feeding claw 8 Lead terminal lead frame 80 Frame 81 Lead terminal 81b Back surface (of external connection part) 81c External Connecting part 81d Bent step part 81t Tip part 82 Positioning hole 9 Semiconductor package 90 Resin

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ステージ用リードフレームに型抜き成形さ
れたステージに半導体チップを載置し、この載置された
半導体チップの上に、該半導体チップの電極部に対応さ
せたリード端子が型抜き成形されたリード端子用リード
フレームを重ね合わせ、次いで、該リード端子の先端部
と前記電極部とをワイヤー接続した後、前記リード端子
の外部接続部を残して樹脂封止する各工程より成る半導
体パッケージの製造方法において、 ステージ用リードフレームのステージを当該フレーム枠
と同一面に成形すると共に、リード端子用リードフレー
ムのリード端子の先端部を当該フレーム枠より上位に位
置させてリード端子を所望規格構成に屈曲成形したこと
を特徴とする半導体パッケージの製造方法。
A semiconductor chip is mounted on a stage formed by stamping and forming a lead frame for a stage, and a lead terminal corresponding to an electrode portion of the semiconductor chip is stamped on the mounted semiconductor chip. A semiconductor comprising a plurality of steps of laminating the formed lead terminal lead frame, and then wire-connecting the tip of the lead terminal and the electrode portion, and then sealing the resin with the external connection portion of the lead terminal remaining. In the method of manufacturing a package, the stage of the lead frame for the stage is formed on the same surface as the frame frame, and the leading end of the lead terminal of the lead frame for the lead terminal is positioned higher than the frame frame to set the lead terminal to a desired standard. A method for manufacturing a semiconductor package, wherein the semiconductor package is bent and formed into a configuration.
【請求項2】リード端子の外部接続部の裏面とステージ
裏面とが略同一面となるようにリード端子を成形し、前
記外部接続部の裏面とステージ裏面とを露出させた状態
で樹脂封止したことを特徴とする請求項1記載の半導体
パッケージの製造方法。
2. A lead terminal is formed such that the back surface of the external connection portion of the lead terminal and the back surface of the stage are substantially flush with each other, and resin sealing is performed with the back surface of the external connection portion and the back surface of the stage exposed. 2. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 1, wherein:
【請求項3】ステージ用リードフレームに型抜き成形さ
れたステージに半導体チップを載置し、この載置された
半導体チップの上に、該半導体チップの電極部に対応さ
せたリード端子が型抜き成形されたリード端子用リード
フレームを重ね合わせ、次いで、該リード端子の先端部
と前記電極部とをワイヤー接続した後、前記リード端子
の外部接続部を残して樹脂封止することにより製造され
る半導体パッケージにおいて、 リード端子の外部接続部の裏面とステージ裏面とを、略
同一面とし、かつ露出させた状態で樹脂封止したことを
特徴とする半導体パッケージ。
3. A semiconductor chip is mounted on a stage formed by die-cutting on a lead frame for a stage, and lead terminals corresponding to the electrode portions of the semiconductor chip are die-cut on the mounted semiconductor chip. It is manufactured by laminating the formed lead terminal lead frame, and then wire-connecting the tip of the lead terminal and the electrode portion, and then sealing the resin with the external connection portion of the lead terminal remaining. A semiconductor package, wherein a back surface of an external connection portion of a lead terminal and a back surface of a stage are substantially flush with each other and are sealed with a resin in an exposed state.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006049694A (en) * 2004-08-06 2006-02-16 Freescale Semiconductor Inc Dual gauge lead frame
JP2006514438A (en) * 2003-02-25 2006-04-27 テッセラ,インコーポレイテッド High frequency chip package with connecting elements
JP2015207705A (en) * 2014-04-22 2015-11-19 株式会社デンソー Electronic device and manufacturing method of the same
WO2023199808A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 ローム株式会社 Semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006514438A (en) * 2003-02-25 2006-04-27 テッセラ,インコーポレイテッド High frequency chip package with connecting elements
JP2006049694A (en) * 2004-08-06 2006-02-16 Freescale Semiconductor Inc Dual gauge lead frame
JP2015207705A (en) * 2014-04-22 2015-11-19 株式会社デンソー Electronic device and manufacturing method of the same
WO2023199808A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 ローム株式会社 Semiconductor device

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