JPH11311660A - Semiconductor-testing device and method therefor - Google Patents

Semiconductor-testing device and method therefor

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Publication number
JPH11311660A
JPH11311660A JP10117396A JP11739698A JPH11311660A JP H11311660 A JPH11311660 A JP H11311660A JP 10117396 A JP10117396 A JP 10117396A JP 11739698 A JP11739698 A JP 11739698A JP H11311660 A JPH11311660 A JP H11311660A
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JP
Japan
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test
signal
semiconductor device
comparison
output
Prior art date
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JP10117396A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazushiro Hosokawa
和城 細川
Takayuki Sugizaki
隆之 杉崎
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor-testing device that is capable of being miniaturized and reducing cost by simplifying a circuit configuration. SOLUTION: In a semiconductor-testing device, a test signal 6a, that is generated by a timing control part 2, a pattern control part 3, a pattern memory part 41, a formatter 42, and a driver 6 is inputted to a DUT 8 for processing, an output signal 8a that is outputted from an output terminal 82 of the DUT 8 is compared with a preset value by a comparator 7, counting is executed by a counter 43 in synchronization with the rising, when the output of the comparison logic signal 7a changes from a Lo level to a Hi level, the count value of the counter 43 when the testing of the DUT 8 is completed is compared with a count value, when the testing by a conforming semiconductor device is completed, and the comparison result is outputted as a determining signal 1b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
試験装置に係り、詳細には、試験対象の半導体デバイス
に対して所定の信号を入力して処理を実行させ、処理結
果をもとに半導体デバイスの良否を判定する半導体デバ
イス試験装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test apparatus for a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device to be tested, which inputs a predetermined signal to execute a process, and executes a process based on a processing result. The present invention relates to a semiconductor device test apparatus for determining the quality of a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC(Integrated Circuit)等の半導体
デバイスの製造過程においては、製品間に特性のばらつ
きを生じることがある。このため、一般に、半導体デバ
イスの製造工程においては、特性が所定の範囲を逸脱し
ている製品を検出するため、半導体デバイスの試験が行
われる場合が多い。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device such as an IC (Integrated Circuit), variations in characteristics may occur between products. For this reason, in general, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor device test is often performed in order to detect a product whose characteristics are out of a predetermined range.

【0003】半導体デバイスの試験は、通常、試験対象
である被試験デバイスに対して所定の信号を入力し、こ
の信号に基づいて処理を実行させる。そして、得られた
処理結果を、予め半導体試験装置に格納された期待値と
照らし合わせて、被試験デバイスが良品か否かを判定す
る。
In a test of a semiconductor device, a predetermined signal is usually input to a device under test to be tested, and a process is executed based on the signal. Then, the obtained processing result is compared with an expected value stored in the semiconductor test apparatus in advance to determine whether the device under test is a non-defective product.

【0004】図2は、従来の半導体デバイス試験装置の
一例としての半導体試験装置100の概略構成を示すブ
ロック図である。同図に示すように、半導体試験装置1
00は、タイミング制御部10、パタンコントロール部
11、パタン制御部12、ドライバ・コンパレータ部5
および試験対象の半導体デバイスであるDUT8によっ
て構成され、パタン制御部12にはパタンメモリ部1
3、フォーマッタ14および判定回路15を備え、ドラ
イバ・コンパレータ部5にはドライバ6およびコンパレ
ータ7を備えている。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor test apparatus 100 as an example of a conventional semiconductor device test apparatus. As shown in FIG.
00 is a timing control unit 10, a pattern control unit 11, a pattern control unit 12, a driver / comparator unit 5.
And a DUT 8 which is a semiconductor device to be tested.
3, a formatter 14 and a determination circuit 15. The driver / comparator unit 5 includes a driver 6 and a comparator 7.

【0005】この半導体試験装置100によるDUT8
の試験においては、タイミング制御部10からは、基準
クロック信号10aがパタンコントロール部11および
パタンメモリ部13に出力されるとともに、判定回路1
5に対してタイミング制御部10Cが出力される。パタ
ンコントロール部11に基準クロック信号10aが入力
されると、この基準クロック信号10aに応じてパタン
アドレス信号11aが生成され、パタンメモリ部13に
出力される。
The DUT 8 by the semiconductor test apparatus 100
In the test of (1), the reference clock signal 10a is output from the timing control unit 10 to the pattern control unit 11 and the pattern memory unit 13, and the judgment circuit 1
5, the timing control unit 10C is output. When the reference clock signal 10 a is input to the pattern control unit 11, a pattern address signal 11 a is generated according to the reference clock signal 10 a and output to the pattern memory unit 13.

【0006】パタンメモリ部13は、DUT8の試験を
行うためのパタンデータをパタンアドレスに対応づけて
内部に複数格納している。このパタンメモリ部13は、
パタンコントロール部11からパタンアドレス信号11
aが入力されると、パタンアドレス信号11aに対応す
るパタンデータを読み出して、パタンデータ13aとし
てタイミング制御部10から入力される基準クロック信
号10aに同期してフォーマッタ14に出力する。ま
た、パタンメモリ部13には、DUT8が良品の半導体
デバイスであった場合に得られる結果である期待値が格
納されており、この期待値13bは、基準クロック信号
10aに同期して判定回路15に出力される。フォーマ
ッタ14においては、パタンメモリ部13から入力され
たパタンデータ13aをもとにして入力試験信号14a
が生成され、タイミング制御部10から入力されるタイ
ミング・エッジ10cに同期してドライバ6に出力され
る。
The pattern memory unit 13 stores a plurality of pattern data for testing the DUT 8 in association with the pattern addresses. This pattern memory unit 13
Pattern address signal 11 from pattern control unit 11
When "a" is input, the pattern data corresponding to the pattern address signal 11a is read and output to the formatter 14 as pattern data 13a in synchronization with the reference clock signal 10a input from the timing controller 10. The pattern memory unit 13 stores an expected value which is a result obtained when the DUT 8 is a non-defective semiconductor device, and the expected value 13b is synchronized with the reference clock signal 10a. Is output to In the formatter 14, an input test signal 14a is generated based on the pattern data 13a input from the pattern memory unit 13.
Is generated and output to the driver 6 in synchronization with the timing edge 10c input from the timing control unit 10.

【0007】ドライバ6は、フォーマッタ14から入力
された入力試験信号14aをもとにして試験信号6aが
生成され、DUT8の入力端子81に出力され、DUT
8は、入力端子81に入力された試験信号6aに基づい
て処理を実行する。
The driver 6 generates a test signal 6 a based on the input test signal 14 a input from the formatter 14, outputs the test signal 6 a to the input terminal 81 of the DUT 8,
8 executes processing based on the test signal 6a input to the input terminal 81.

【0008】DUT8によって処理が実行されて得られ
た処理結果は、DUT8の出力端子82から出力信号8
aとしてコンパレータ7に出力される。そして、コンパ
レータ7においては、予め設定された設定電圧値と、D
UT8から入力された出力信号8aとを比較し、比較結
果を比較論理信号7aとして判定回路15に出力する。
The processing result obtained by executing the processing by the DUT 8 is output from the output terminal 82 of the DUT 8 to the output signal 8.
It is output to the comparator 7 as a. Then, in the comparator 7, a preset set voltage value and D
The output signal 8a is compared with the output signal 8a input from the UT 8, and the comparison result is output to the determination circuit 15 as a comparison logic signal 7a.

【0009】判定回路15においては、タイミング制御
部10からストローブ・エッジ10cが入力されると、
コンパレータ7から入力された比較論理信号7aと、パ
タンメモリ部13から入力された期待値13bとを比較
して、比較の結果を示す判定信号15aを、図外の装置
(図示省略)に出力する。
In the determination circuit 15, when the strobe edge 10c is input from the timing control unit 10,
The comparison logic signal 7a input from the comparator 7 is compared with the expected value 13b input from the pattern memory unit 13, and a determination signal 15a indicating the result of the comparison is output to a device (not shown) not shown. .

【0010】そして、判定回路15から出力される判定
信号15aによって、DUT8が、基準を満たす良品で
あるか、あるいは、所定の範囲を逸脱した特性を有する
ものであるかが判定される。
Then, based on the judgment signal 15a output from the judgment circuit 15, it is judged whether the DUT 8 is a non-defective product which satisfies the standard or has a characteristic deviating from a predetermined range.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の半導
体試験装置100においては、DUT8によって実行さ
れた処理に基づいて得られた処理結果を、判定回路15
において期待値13bと比較していたため、判定回路1
5を備える必要があり、さらに、判定回路15に対して
期待値13bを入力する必要があった。これによって、
回路構成が複雑化してしまうため、装置の小型化が難し
く、コストの増大を招いているという問題があった。
However, in the above-described semiconductor test apparatus 100, the processing result obtained based on the processing executed by the DUT 8 is determined by the determination circuit 15.
Was compared with the expected value 13b in the judgment circuit 1
5, and further, it was necessary to input the expected value 13b to the determination circuit 15. by this,
Since the circuit configuration becomes complicated, there is a problem that it is difficult to reduce the size of the device, resulting in an increase in cost.

【0012】この発明は、上記問題点を解決するため、
回路構成を単純化することにより、小型化と、コストの
低減を図ることが可能な半導体試験装置を提供すること
を目的とする。
[0012] The present invention has been made in order to solve the above problems.
It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus capable of reducing the size and the cost by simplifying the circuit configuration.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の発明は、所定の信号に基づいて試験
対象の半導体デバイスに処理を実行させ、得られた処理
結果をもとに当該試験対象の半導体デバイスの良否を判
定する半導体試験装置において、試験信号を出力する試
験信号出力手段と、この試験信号出力手段から出力され
る試験信号に基づいて、前記試験対象の半導体デバイス
に処理を実行させて、得られた処理結果に対応する電圧
値を出力する試験手段と、この試験手段から出力される
電圧値と、予め設定された電圧値とを比較して、比較結
果を示す比較信号を出力する比較手段と、この比較手段
によって出力された比較信号の内容に応じて、計数を実
行して計数値を出力する計数手段と、前記試験信号出力
手段から出力される試験信号に基づいて、予め良品の前
記半導体デバイスに処理を実行させた際に前記計数手段
から出力された計数値を格納する計数値格納手段と、前
記計数手段から出力された計数値と、前記計数値格納手
段に格納された計数値とを比較する計数値比較手段と、
を備えることを特徴とする構成とした。
According to an aspect of the present invention, a semiconductor device to be tested executes a process based on a predetermined signal, and a process is performed on the basis of an obtained process result. In a semiconductor test apparatus for determining pass / fail of a semiconductor device to be tested, test signal output means for outputting a test signal, and processing is performed on the semiconductor device to be tested based on the test signal output from the test signal output means. And outputting a voltage value corresponding to the obtained processing result, and comparing the voltage value output from the testing means with a preset voltage value to indicate a comparison result. A comparing means for outputting a signal; a counting means for executing a count in accordance with the content of the comparison signal outputted by the comparing means to output a count value; and a signal outputted from the test signal output means. A count value storage unit that stores a count value output from the counting unit when the non-defective semiconductor device performs a process in advance based on the test signal; a count value output from the counting unit; Count value comparison means for comparing the count value stored in the count value storage means,
And a configuration characterized by comprising:

【0014】この請求項1記載の発明によれば、所定の
信号に基づいて試験対象の半導体デバイスに処理を実行
させ、得られた処理結果をもとに当該試験対象の半導体
デバイスの良否を判定する半導体試験装置において、試
験信号出力手段により、試験信号を出力し、試験手段に
より、試験信号に基づいて試験対象の半導体デバイスに
処理を実行させ、得られた処理結果に対応する電圧値を
出力し、この出力された電圧値と、予め設定された電圧
値とを比較手段によって比較して、比較結果を示す比較
信号を出力し、比較手段によって出力された比較信号の
内容に応じて、計数手段により計数を実行して計数値を
出力し、計数値格納手段により、試験信号出力手段から
出力される試験信号に基づいて、予め良品の半導体デバ
イスに処理を実行させた際に計数手段から出力された計
数値を格納し、計数値比較手段により、計数手段から出
力された計数値と、計数値格納手段に格納された計数値
とを比較する。
According to the first aspect of the present invention, the test target semiconductor device is caused to execute processing based on the predetermined signal, and the pass / fail of the test target semiconductor device is determined based on the obtained processing result. In a semiconductor test apparatus, a test signal is output by test signal output means, and the test means causes a test target semiconductor device to execute processing based on the test signal, and outputs a voltage value corresponding to the obtained processing result. Then, the output voltage value is compared with a preset voltage value by comparing means, and a comparison signal indicating a comparison result is output. According to the content of the comparison signal output by the comparing means, counting is performed. Means for executing a count and outputting a count value, and a count value storage means for executing a process on a good semiconductor device in advance based on the test signal output from the test signal output means. Storing the count value output from the counting means when allowed by the count value comparing means, for comparing the count and the numerical output from the counting means and a count value stored in the count storage means.

【0015】また、請求項4記載の発明は、所定の信号
に基づいて試験対象の半導体デバイスに処理を実行さ
せ、得られた処理結果をもとに当該試験対象の半導体デ
バイスの良否を判定する半導体試験装置における半導体
試験方法であって、試験信号を出力し、この試験信号に
基づいて、前記試験対象の半導体デバイスに処理を実行
させて、得られた処理結果に対応する電圧値を出力し、
出力された電圧値と、予め設定された電圧値とを比較し
て、比較結果を比較信号として出力し、この比較信号の
内容に応じて計数を実行し、前記試験信号に基づいて、
予め良品の前記半導体デバイスに処理を実行させた際に
出力された計数値を格納し、この格納された計数値と、
前記試験対象の半導体デバイスによる処理終了時の計数
値とを比較することを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, a semiconductor device to be tested performs a process based on a predetermined signal, and the quality of the semiconductor device to be tested is determined based on the obtained processing result. A semiconductor test method in a semiconductor test apparatus, comprising: outputting a test signal; causing the test target semiconductor device to execute processing based on the test signal; and outputting a voltage value corresponding to an obtained processing result. ,
The output voltage value is compared with a preset voltage value, a comparison result is output as a comparison signal, counting is performed according to the content of the comparison signal, and based on the test signal,
Store the count value output when the non-defective semiconductor device performs the process in advance, and the stored count value,
It is characterized in that it is compared with a count value at the end of processing by the semiconductor device to be tested.

【0016】従って、試験対象の半導体デバイスに処理
を実行させて得られた処理結果を予め設定された数値と
比較し、一致するか否かに応じて比較信号の値が変化す
るので、この変化に応じて計数を実行する。ここで、良
品の半導体デバイスを用いた際の計数値と、試験対象の
半導体デバイスを用いた際の計数値とを比較すれば、試
験対象の半導体デバイスの良否を判定することができ
る。これにより、半導体試験装置は、より簡単な回路構
成によって実現可能であり、装置全体の小型化とコスト
ダウンを図ることができる。
Therefore, the processing result obtained by causing the semiconductor device to be tested to execute the processing is compared with a preset numerical value, and the value of the comparison signal changes depending on whether or not they match. The counting is executed according to. Here, by comparing the count value when using a good semiconductor device and the count value when using the semiconductor device to be tested, it is possible to determine the quality of the semiconductor device to be tested. Thus, the semiconductor test device can be realized with a simpler circuit configuration, and the size and cost of the entire device can be reduced.

【0017】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体試験装置において、前記比較手段は、比較の結果を
示す論理値信号を比較信号として出力し、前記計数手段
は、前記比較手段から出力された前記比較信号の変化に
同期して計数を行うこと、を特徴とする構成とした。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus according to the first aspect, the comparing means outputs a logical value signal indicating a result of the comparison as a comparison signal, and the counting means outputs the logical value signal from the comparing means. The counting is performed in synchronization with a change in the output comparison signal.

【0018】この請求項2記載の発明によれば、請求項
1記載の半導体試験装置において、比較手段は、比較の
結果を示す論理値信号を比較信号として出力し、計数手
段は、比較手段から出力された比較信号の変化に同期し
て計数を行う。
According to the second aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus according to the first aspect, the comparing means outputs a logical value signal indicating a result of the comparison as a comparison signal, and the counting means outputs the logical value signal from the comparing means. The counting is performed in synchronization with the change of the output comparison signal.

【0019】ここで、比較信号は、例えば‘Lo’レベル
と‘Hi’レベルとの値を取る論理値であり、計数手段
は、比較信号が‘Lo’レベルから‘Hi’レベルに変化し
たことを検知して、この比較信号の立ち上がりに同期し
てカウントを行うものとしても良い。
Here, the comparison signal is, for example, a logical value taking a value between the 'Lo' level and the 'Hi' level, and the counting means determines that the comparison signal has changed from the 'Lo' level to the 'Hi' level. May be detected and counting is performed in synchronization with the rise of the comparison signal.

【0020】従って、比較手段および計数手段におい
て、より単純な信号をもとに処理を行うことにより、回
路構成をより単純なものとすることができ、より一層の
小型化とコストダウンを図ることができる。
Therefore, by performing processing based on simpler signals in the comparing means and the counting means, the circuit configuration can be made simpler, and the size and cost can be further reduced. Can be.

【0021】請求項3記載の発明は、所定の信号に基づ
いて試験対象の半導体デバイスに処理を実行させ、得ら
れた処理結果をもとに当該試験対象の半導体デバイスの
良否を判定する半導体試験装置において、試験信号を出
力する試験信号出力手段と、この試験信号出力手段から
出力される試験信号に基づいて、前記試験対象の半導体
デバイスに処理を実行させて、得られた処理結果に対応
する電圧値を出力する試験手段と、この試験手段から出
力される電圧値と、予め設定された電圧値とを比較し
て、比較結果を示す論理値を比較信号として出力する比
較手段と、前記試験手段によって、良品の前記半導体デ
バイスに処理を実行させた際に前記比較手段から出力さ
れた比較信号の変化に応じて計数を実行し、計数値を出
力する第1の計数手段と、前記試験手段によって、前記
試験対象の半導体デバイスの処理を実行させる際に、前
記第1の計数手段から出力された計数値を初期値とし
て、前記比較手段から出力された比較信号の変化に応じ
て減数カウントを行う第2の計数手段と、この第2の計
数手段によって、減数カウントが所定の値まで実行され
たか否かを検知する判定結果検知手段と、を備えること
を特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus for causing a semiconductor device to be tested to execute processing based on a predetermined signal, and determining whether the semiconductor device to be tested is good or bad based on the obtained processing result. In the apparatus, a test signal output unit that outputs a test signal, and a process is executed by the semiconductor device to be tested based on the test signal output from the test signal output unit, and the process result corresponds to the obtained processing result. A testing unit that outputs a voltage value; a comparing unit that compares a voltage value output from the testing unit with a preset voltage value and outputs a logical value indicating a comparison result as a comparison signal; Means for performing counting in response to a change in a comparison signal output from the comparing means when the non-defective semiconductor device performs processing, and outputting a count value to the first counting means. And when the test means executes processing of the semiconductor device under test, the count value output from the first count means is used as an initial value, and the change in the comparison signal output from the comparison means is used. A second counting means for performing a subtraction count in response thereto, and a determination result detecting means for detecting whether or not the second counting means has performed the reduction count to a predetermined value.

【0022】この請求項3記載の発明によれば、所定の
信号に基づいて試験対象の半導体デバイスに処理を実行
させ、得られた処理結果をもとに当該試験対象の半導体
デバイスの良否を判定する半導体試験装置において、試
験信号出力手段によって試験信号を出力し、この試験信
号に基づいて、試験手段により、試験対象の半導体デバ
イスに処理を実行させて、得られた処理結果に対応する
電圧値を出力し、この電圧値と、予め設定された電圧値
とを比較手段により比較して、比較結果を示す論理値を
比較信号として出力し、第1の計数手段により、試験手
段によって良品の半導体デバイスに処理を実行させた際
に比較手段から出力された比較信号の変化に応じて計数
を実行して計数値を出力し、試験手段によって試験対象
の半導体デバイスの処理を実行させる際に、第2の計数
手段により、第1の計数手段から出力された計数値を初
期値として、比較手段から出力された比較信号の変化に
応じて減数カウントを実行し、第2の計数手段によって
減数カウントが所定の値まで実行されたか否かを検知す
る。
According to the third aspect of the present invention, the test target semiconductor device is caused to execute processing based on a predetermined signal, and the pass / fail of the test target semiconductor device is determined based on the obtained processing result. In a semiconductor test apparatus, a test signal is output by test signal output means, and based on the test signal, the test means causes a test target semiconductor device to execute processing, and a voltage value corresponding to the obtained processing result. The voltage value is compared with a preset voltage value by a comparing means, and a logical value indicating the comparison result is output as a comparison signal. The semiconductor device to be tested is tested by the test means by performing a count in response to a change in the comparison signal output from the comparison means when the device executes the processing, and outputting a count value. When performing the process, the second counting means performs a decrement count according to a change in the comparison signal output from the comparing means, using the count value output from the first counting means as an initial value, The second counting means detects whether the decrement count has been performed to a predetermined value.

【0023】また、請求項5記載の発明は、所定の信号
に基づいて試験対象の半導体デバイスに処理を実行さ
せ、得られた処理結果をもとに当該試験対象の半導体デ
バイスの良否を判定する半導体試験装置における半導体
試験方法であって、試験信号を出力し、この試験信号に
基づいて、前記試験対象の半導体デバイスに処理を実行
させて、得られた処理結果に対応する電圧値を出力し、
この電圧値と、予め設定された電圧値とを比較して、比
較結果を示す論理値を比較信号として出力し、良品の前
記半導体デバイスに処理を実行させた際に、前記比較信
号の変化に応じて計数を実行して、計数値を格納し、前
記試験対象の半導体デバイスの処理を実行させる際に、
格納された前記計数値を初期値として、前記比較信号の
変化に応じて減数カウントを行い、減数カウントが所定
の値まで実行されたか否かを検知すること、を特徴とし
ている。
According to a fifth aspect of the present invention, a semiconductor device to be tested executes a process based on a predetermined signal, and the quality of the semiconductor device to be tested is determined based on the obtained processing result. A semiconductor test method in a semiconductor test apparatus, comprising: outputting a test signal; causing the test target semiconductor device to execute processing based on the test signal; and outputting a voltage value corresponding to an obtained processing result. ,
This voltage value is compared with a preset voltage value, a logical value indicating the result of the comparison is output as a comparison signal, and when a non-defective semiconductor device performs a process, a change in the comparison signal is detected. Executing the counting in accordance with, storing the count value, when executing the processing of the semiconductor device under test,
Using the stored count value as an initial value, a subtrahend count is performed according to a change in the comparison signal, and it is detected whether the subtrahend count has been performed to a predetermined value.

【0024】従って、試験対象の半導体デバイスに処理
を実行させて得られた処理結果を予め設定された数値と
比較し、一致するか否かに応じて比較信号の値が変化す
るので、この変化に応じて計数を行って、計数値を参照
することによって、試験対象の半導体デバイスの良否を
判定することができる。このとき、良品の半導体デバイ
スによる処理を行った際に出力される計数値をもとにダ
ウンカウントを行い、例えば、「0」までダウンカウン
トが行われたか否かを検知することができればよいの
で、より簡単な回路構成によって実現可能であり、装置
全体の小型化とコストダウンを図ることができる。
Therefore, the processing result obtained by causing the semiconductor device under test to execute the processing is compared with a preset numerical value, and the value of the comparison signal changes depending on whether or not they match. By referring to the count value, the pass / fail of the semiconductor device to be tested can be determined. At this time, it is only necessary to perform down-counting based on the count value output when performing processing by a non-defective semiconductor device, and to detect whether or not down-counting has been performed to, for example, “0”. This can be realized by a simpler circuit configuration, and the size and cost of the entire device can be reduced.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図1の図面を参照しながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0026】図1は、本発明の実施の形態としての半導
体試験装置1の概略構成を示すブロック図である。同図
に示すように、半導体試験装置1は、タイミング制御部
2、パタンコントロール部3、パタン制御部4およびド
ライバ・コンパレータ部5によって構成され、パタン制
御部4内にはパタンメモリ部41、フォーマッタ42、
UP/DOWNカウンタ43および一致回路44が備え
られ、ドライバ・コンパレータ部5内にはドライバ6お
よびコンパレータ7が備えられている。また、ドライバ
6の出力側はDUT(Device Under Test )8の入力端
子81に接続され、コンパレータ7の入力側はDUT8
の出力端子82に接続されている。なお、上記従来の半
導体試験装置100と同様の構成によってなる部分につ
いては同符号を付している。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor test apparatus 1 as an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor test apparatus 1 includes a timing control unit 2, a pattern control unit 3, a pattern control unit 4, and a driver / comparator unit 5. A pattern memory unit 41, a formatter 42,
An UP / DOWN counter 43 and a coincidence circuit 44 are provided, and a driver 6 and a comparator 7 are provided in the driver / comparator unit 5. The output side of the driver 6 is connected to an input terminal 81 of a DUT (Device Under Test) 8, and the input side of the comparator 7 is connected to the DUT 8
Are connected to the output terminal 82 of Note that the same reference numerals are given to portions having the same configuration as the above-described conventional semiconductor test apparatus 100.

【0027】また、タイミング制御部2、パタンコント
ロール部3、パタンメモリ部41、フォーマッタ42、
UP/DOWNカウンタ43および一致回路44には、
それぞれ図外の装置(図示省略)から試験開始信号1a
が入力される。
The timing control unit 2, the pattern control unit 3, the pattern memory unit 41, the formatter 42,
The UP / DOWN counter 43 and the coincidence circuit 44 include:
A test start signal 1a is sent from an unillustrated device (not shown).
Is entered.

【0028】タイミング制御部2は、試験開始信号1a
が入力された後、所定の周波数の発信信号である基準ク
ロック信号2aを生成して、パタンコントロール部3お
よびパタンメモリ部41に出力し、また、タイミング・
エッジ2bを生成してフォーマッタ42に対して出力す
る。
The timing control unit 2 generates a test start signal 1a
Is generated, a reference clock signal 2a, which is a transmission signal of a predetermined frequency, is generated and output to the pattern control unit 3 and the pattern memory unit 41.
The edge 2b is generated and output to the formatter 42.

【0029】パタンコントロール部3は、試験開始信号
1aが入力されると、タイミング制御部2から入力され
る基準クロック信号2aをもとに、パタンメモリ部41
内に格納されたパタンデータの中から適当なパタンデー
タを指定するためのパタンアドレス信号3aを生成し、
パタンメモリ部41に対して出力する。
When the test start signal 1a is input, the pattern control section 3 receives the test clock signal 2a from the timing control section 2 and outputs a pattern memory section 41 based on the reference clock signal 2a.
Generates a pattern address signal 3a for designating appropriate pattern data from the pattern data stored in the
Output to the pattern memory unit 41.

【0030】パタンメモリ部41は、実行される試験の
種類やDUT8の種類に応じた複数のパタンデータを、
パタンアドレスと対応づけて格納しており、試験開始信
号1aが入力された後、パタンコントロール部3からパ
タンアドレス信号3aが入力されると、このパタンアド
レス信号3aに対応するパタンデータを読み出し、パタ
ンデータ41aとして、タイミング制御部2から入力さ
れる基準クロック信号2aに同期してフォーマッタ42
に出力する。
The pattern memory unit 41 stores a plurality of pattern data according to the type of the test to be executed and the type of the DUT 8.
When a pattern address signal 3a is input from the pattern control unit 3 after the test start signal 1a is input, the pattern data corresponding to the pattern address signal 3a is read out and stored. The formatter 42 as the data 41a in synchronization with the reference clock signal 2a input from the timing controller 2.
Output to

【0031】フォーマッタ42は、試験開始信号1aが
入力された後、パタンメモリ部41から入力されたパタ
ンデータ41aをもとに入力試験信号42aを生成し、
タイミング制御部2から入力されたタイミング・エッジ
2bに従ってドライバ6に入力試験信号42aを出力す
る。
After the test start signal 1a is input, the formatter 42 generates an input test signal 42a based on the pattern data 41a input from the pattern memory unit 41,
The input test signal 42a is output to the driver 6 according to the timing edge 2b input from the timing control unit 2.

【0032】ドライバ6は、フォーマッタ42から入力
試験信号42aが入力されると、この入力試験信号42
aを試験信号6aに変換し、DUT8の入力端子81に
対して出力する。
When the input test signal 42a is input from the formatter 42, the driver 6 receives the input test signal 42a.
a is converted into a test signal 6 a and output to the input terminal 81 of the DUT 8.

【0033】DUT8は、DUT81に入力された試験
信号6aに基づいて処理を実行し、処理結果を出力信号
8aとして、出力端子82からコンパレータ7に対して
出力する。
The DUT 8 performs processing based on the test signal 6a input to the DUT 81, and outputs the processing result as an output signal 8a to the comparator 7 from the output terminal 82.

【0034】コンパレータ7においては、予め、所定の
電圧値が設定電圧値として設定されている。そして、D
UT8の出力端子82から出力信号8aが出力される
と、コンパレータ7は、出力信号8aと設定電圧値とを
比較し、比較結果を比較論理信号7aとしてUP/DO
WNカウンタ43に出力する。この比較論理信号7a
は、コンパレータ7による比較結果を示す論理値信号で
あり、例えば、出力信号8aが設定電圧値より小さい場
合には‘Lo’レベルであり、出力信号8aが設定電圧値
よりも大きい場合には‘Hi’レベルとなる。
In the comparator 7, a predetermined voltage value is set in advance as a set voltage value. And D
When the output signal 8a is output from the output terminal 82 of the UT 8, the comparator 7 compares the output signal 8a with the set voltage value, and uses the comparison result as a comparison logic signal 7a, UP / DO.
Output to the WN counter 43. This comparison logic signal 7a
Is a logical value signal indicating the result of comparison by the comparator 7. For example, when the output signal 8a is smaller than the set voltage value, it is at the “Lo” level, and when the output signal 8a is larger than the set voltage value, Hi 'level.

【0035】UP/DOWNカウンタ43は、予め、そ
の動作をUPカウントまたはDOWNカウントに設定す
ることが可能なカウンタであり、このUP/DOWNカ
ウンタ43によるカウントは、例えば、比較信号7aの
出力が‘Lo’レベルから‘Hi’レベルに立ち上がる際に
実行される。UPカウントが設定された場合には、試験
開始信号1aが入力されることによってカウント値が
‘0’にリセットされ、コンパレータ7から出力される
比較信号7aの変化に同期して‘0’からのUPカウン
トを実行する。一方、DOWNカウントが設定された場
合には、試験開始信号1aが入力されると、所定の値を
初期値として、比較信号7aの変化に同期してDOWN
カウントを実行する。ここで、初期値となる所定の値と
しては、予め良品の半導体デバイスによる試験を行った
際に、UPカウント動作を実行して得られたカウント値
が設定されている。即ち、DUT8の試験において、D
OWNカウントの結果、カウント値が‘0’であれば、
DUT8は良品の半導体デバイスと同様の動作を行う良
品であることが判別できる。そして、カウントが終了す
ると、一致回路44に対して、カウント値を示すカウン
ト信号43aを出力する。
The UP / DOWN counter 43 is a counter whose operation can be set in advance to an UP count or a DOWN count. Executed when rising from the Lo level to the Hi level. When the UP count is set, the count value is reset to “0” by inputting the test start signal 1a, and the count value is reset from “0” in synchronization with the change of the comparison signal 7a output from the comparator 7. Execute UP count. On the other hand, when the DOWN count is set, when the test start signal 1a is input, the DOWN count is set in synchronization with a change in the comparison signal 7a with a predetermined value as an initial value.
Perform a count. Here, as the predetermined value serving as the initial value, a count value obtained by executing an UP count operation when a test using a good semiconductor device is performed in advance is set. That is, in the test of DUT 8, D
If the count value is '0' as a result of the OWN count,
It can be determined that the DUT 8 is a non-defective product that performs the same operation as a non-defective semiconductor device. When the counting is completed, a count signal 43 a indicating the count value is output to the matching circuit 44.

【0036】一致回路44は、内部に記憶媒体を備え、
この記憶媒体には、予め、良品の半導体デバイスの試験
を行った際に、試験終了時点でのUP/DOWNカウン
タ43のカウント値が格納されている。UP/DOWN
カウンタ43によってUPカウントが実行された場合に
は、カウント信号43aによってDUT8の試験が終了
した時点でのUP/DOWNカウンタ43のカウント値
を確認し、このカウント値と、内部に備えた記憶媒体内
に格納されたカウント値とを比較して、比較結果を示す
判定信号1bを、図外の装置(図示省略)に対して出力
する。また、UP/DOWNカウンタ43によってDO
WNカウントが実行された場合には、カウント信号43
aを参照し、UP/DOWNカウンタ43によるDOW
Nカウントが‘0’まで実行されたか否かを確認する。
The matching circuit 44 includes a storage medium therein,
In this storage medium, the count value of the UP / DOWN counter 43 at the end of the test when a good semiconductor device is tested is stored in advance. UP / DOWN
When the UP count is executed by the counter 43, the count value of the UP / DOWN counter 43 at the time when the test of the DUT 8 is completed is confirmed by the count signal 43a, and this count value is stored in the internal storage medium. And outputs a determination signal 1b indicating the comparison result to a device (not shown) (not shown). In addition, the UP / DOWN counter 43 outputs DO
When the WN count is executed, the count signal 43
a, DOW by the UP / DOWN counter 43
It is checked whether the N count has been executed up to '0'.

【0037】従って、UP/DOWNカウンタ43によ
ってUPカウントが行われた場合には、DUT8の試験
終了時におけるUP/DOWNカウンタ43のカウント
値を、一致回路44の内部に備えた記憶媒体内に格納さ
れているカウント値、即ち、良品の半導体デバイスによ
る処理の結果と対照する事により、DUT8が良品であ
るか否かの判定が行われる。また、UP/DOWNカウ
ンタ43によってDOWNカウントが行われた場合に
は、カウント値が‘0’となっているか否かを検知する
ことにより、DUT8が良品であるか否かを検知するこ
とができる。
Therefore, when the UP / DOWN counter 43 counts up, the count value of the UP / DOWN counter 43 at the end of the test of the DUT 8 is stored in a storage medium provided in the matching circuit 44. It is determined whether the DUT 8 is a non-defective product by comparing the count value, that is, the result of processing by a non-defective semiconductor device. When the DOWN count is performed by the UP / DOWN counter 43, whether or not the DUT 8 is a non-defective product can be detected by detecting whether or not the count value is “0”. .

【0038】以上のように、本発明の実施の形態として
の半導体試験装置1によれば、DUT8による処理結果
をコンパレータ7において比較して比較論理信号7aを
出力し、この比較信号7aの変化に応じてUP/DOW
Nカウンタ43によってカウントを行い、カウント値を
カウント信号43aとして出力し、このカウント値と、
一致回路44の内部に格納された、良品の半導体デバイ
スによる処理におけるカウント値と照らし合わせ、ある
いは、カウント値が‘0’であるか否かを検知すること
によって、DUT8が良品であるか否かの判定を行うこ
とが可能であり、回路構成を単純化することができるの
で、装置全体の小型化と、コストダウンを図ることがで
きる。
As described above, according to the semiconductor test apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, the processing result of the DUT 8 is compared by the comparator 7 to output the comparison logic signal 7a. UP / DOW accordingly
The count is performed by the N counter 43, and the count value is output as a count signal 43a.
Whether the DUT 8 is non-defective by comparing it with the count value in processing by a non-defective semiconductor device stored in the matching circuit 44 or detecting whether the count value is '0' Can be determined, and the circuit configuration can be simplified, so that the entire device can be reduced in size and cost can be reduced.

【0039】なお、本実施の形態としての半導体試験装
置1においては、UP/DOWNカウンタ43は、比較
論理信号7aの立ち上がりに応じてカウントを行うもの
としたが、逆に比較論理信号7aの立ち下がりに応じて
カウントする構成としても良いし、その他細部の構成に
ついても、本発明の趣旨を逸脱する事のない範囲におい
て適宜変更可能である。
In the semiconductor test apparatus 1 according to the present embodiment, the UP / DOWN counter 43 counts in accordance with the rise of the comparison logic signal 7a. Conversely, the UP / DOWN counter 43 counts in response to the rise of the comparison logic signal 7a. The configuration may be such that counting is performed in accordance with the falling, and the configuration of other details may be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.

【0040】[0040]

【発明の効果】請求項1および4記載の発明によれば、
試験対象の半導体デバイスに処理を実行させて得られた
処理結果を予め設定された数値と比較し、一致するか否
かに応じて比較信号の値が変化するので、この変化に応
じて計数を実行する。ここで、良品の半導体デバイスを
用いた際の計数値と、試験対象の半導体デバイスを用い
た際の計数値とを比較すれば、試験対象の半導体デバイ
スの良否を判定することができる。これにより、半導体
試験装置は、より簡単な回路構成によって実現可能であ
り、装置全体の小型化とコストダウンを図ることができ
る。
According to the first and fourth aspects of the present invention,
The processing result obtained by causing the semiconductor device under test to execute the processing is compared with a preset numerical value, and the value of the comparison signal changes depending on whether or not they match, so that counting is performed according to this change. Execute. Here, by comparing the count value when using a good semiconductor device and the count value when using the semiconductor device to be tested, it is possible to determine the quality of the semiconductor device to be tested. Thus, the semiconductor test device can be realized with a simpler circuit configuration, and the size and cost of the entire device can be reduced.

【0041】請求項2記載の発明によれば、比較手段お
よび計数手段において、より単純な信号をもとに処理を
行うことにより、回路構成をより単純なものとすること
ができ、より一層の小型化とコストダウンを図ることが
できる。
According to the second aspect of the present invention, by performing processing based on simpler signals in the comparing means and the counting means, the circuit configuration can be made simpler, and furthermore, The size and cost can be reduced.

【0042】請求項3および5に記載の発明によれば、
試験対象の半導体デバイスに処理を実行させて得られた
処理結果を予め設定された数値と比較し、一致するか否
かに応じて比較信号の値が変化するので、この変化に応
じて計数を行って、計数値を参照することによって、試
験対象の半導体デバイスの良否を判定することができ
る。このとき、良品の半導体デバイスによる処理を行っ
た際に出力される計数値をもとにダウンカウントを行
い、例えば、「0」までダウンカウントが行われたか否
かを検知することができればよいので、より簡単な回路
構成によって実現可能であり、装置全体の小型化とコス
トダウンを図ることができる。
According to the third and fifth aspects of the present invention,
The processing result obtained by causing the semiconductor device under test to execute the processing is compared with a preset numerical value, and the value of the comparison signal changes depending on whether or not they match, so that counting is performed according to this change. The quality of the semiconductor device to be tested can be determined by referring to the count value. At this time, it is only necessary to perform down-counting based on the count value output when performing processing by a non-defective semiconductor device, and to detect whether or not down-counting has been performed to, for example, “0”. This can be realized by a simpler circuit configuration, and the size and cost of the entire device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態としての半導体試験装置の
概略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a semiconductor test apparatus as an embodiment of the present invention.

【図2】従来の半導体試験装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional semiconductor test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体試験装置 2 タイミング制御部 3 パタンコントロール部 4 パタン制御部 41 パタンメモリ部 42 フォーマッタ 43 カウンタ 44 一致回路 5 ドライバ・コンパレータ部 6 ドライバ 7 コンパレータ 8 DUT DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor test apparatus 2 Timing control part 3 Pattern control part 4 Pattern control part 41 Pattern memory part 42 Formatter 43 Counter 44 Matching circuit 5 Driver / comparator part 6 Driver 7 Comparator 8 DUT

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定の信号に基づいて試験対象の半導体デ
バイスに処理を実行させ、得られた処理結果をもとに当
該試験対象の半導体デバイスの良否を判定する半導体試
験装置において、 試験信号を出力する試験信号出力手段と、 この試験信号出力手段から出力される試験信号に基づい
て、前記試験対象の半導体デバイスに処理を実行させ
て、得られた処理結果に対応する電圧値を出力する試験
手段と、 この試験手段から出力される電圧値と、予め設定された
電圧値とを比較して、比較結果を示す比較信号を出力す
る比較手段と、 この比較手段によって出力された比較信号の内容に応じ
て、計数を実行して計数値を出力する計数手段と、 前記試験信号出力手段から出力される試験信号に基づい
て、予め良品の前記半導体デバイスに処理を実行させた
際に前記計数手段から出力された計数値を格納する計数
値格納手段と、 前記計数手段から出力された計数値と、前記計数値格納
手段に格納された計数値とを比較する計数値比較手段
と、 を備えることを特徴とする半導体試験装置。
A semiconductor test apparatus which causes a semiconductor device to be tested to execute processing based on a predetermined signal, and judges the quality of the semiconductor device to be tested based on the obtained processing result. A test signal output means for outputting, and a test for causing the semiconductor device under test to execute processing based on the test signal output from the test signal output means, and outputting a voltage value corresponding to the obtained processing result. Means for comparing a voltage value output from the test means with a preset voltage value and outputting a comparison signal indicating a comparison result; and contents of the comparison signal output by the comparison means. A counting means for executing counting and outputting a count value in accordance with the test signal output from the test signal output means. A count value storage unit that stores a count value output from the counting unit when the count value is set, and a count value that compares the count value output from the count unit with the count value stored in the count value storage unit. A semiconductor test apparatus, comprising: comparing means.
【請求項2】前記比較手段は、比較の結果を示す論理値
信号を比較信号として出力し、 前記計数手段は、前記比較手段から出力された前記比較
信号の変化に同期して計数を行うこと、 を特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。
2. The comparison means outputs a logical value signal indicating a result of the comparison as a comparison signal, and the counting means counts in synchronization with a change in the comparison signal output from the comparison means. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項3】所定の信号に基づいて試験対象の半導体デ
バイスに処理を実行させ、得られた処理結果をもとに当
該試験対象の半導体デバイスの良否を判定する半導体試
験装置において、 試験信号を出力する試験信号出力手段と、 この試験信号出力手段から出力される試験信号に基づい
て、前記試験対象の半導体デバイスに処理を実行させ
て、得られた処理結果に対応する電圧値を出力する試験
手段と、 この試験手段から出力される電圧値と、予め設定された
電圧値とを比較して、比較結果を示す論理値を比較信号
として出力する比較手段と、 前記試験手段によって、良品の前記半導体デバイスに処
理を実行させた際に前記比較手段から出力された比較信
号の変化に応じて計数を実行し、計数値を出力する第1
の計数手段と、 前記試験手段によって、前記試験対象の半導体デバイス
の処理を実行させる際に、前記第1の計数手段から出力
された計数値を初期値として、前記比較手段から出力さ
れた比較信号の変化に応じて減数カウントを行う第2の
計数手段と、 この第2の計数手段によって、減数カウントが所定の値
まで実行されたか否かを検知する判定結果検知手段と、 を備えることを特徴とする半導体試験装置。
3. A semiconductor test apparatus which causes a semiconductor device to be tested to execute processing based on a predetermined signal and judges pass / fail of the semiconductor device to be tested based on the obtained processing result. A test signal output means for outputting, and a test for causing the semiconductor device under test to execute processing based on the test signal output from the test signal output means, and outputting a voltage value corresponding to the obtained processing result. Means for comparing a voltage value output from the test means with a preset voltage value, and outputting a logical value indicating a comparison result as a comparison signal; and A first step of performing a count in response to a change in a comparison signal output from the comparison means when the semiconductor device executes a process, and outputting a count value;
And a comparison signal output from the comparison means, using the count value output from the first counting means as an initial value when the processing of the semiconductor device under test is performed by the testing means. And a judgment result detecting means for detecting whether or not the subtrahend count has been performed to a predetermined value by the second counting means. Semiconductor test equipment.
【請求項4】所定の信号に基づいて試験対象の半導体デ
バイスに処理を実行させ、得られた処理結果をもとに当
該試験対象の半導体デバイスの良否を判定する半導体試
験装置における半導体試験方法であって、 試験信号を出力し、 この試験信号に基づいて、前記試験対象の半導体デバイ
スに処理を実行させて、得られた処理結果に対応する電
圧値を出力し、 この出力された電圧値と、予め設定された電圧値とを比
較して、比較結果を比較信号として出力し、 この比較信号の内容に応じて計数を実行し、 前記試験信号に基づいて、予め良品の前記半導体デバイ
スに処理を実行させた際に出力された計数値を格納し、 この格納された計数値と、前記試験対象の半導体デバイ
スによる処理終了時の計数値とを比較すること、 を特徴とする半導体試験方法。
4. A semiconductor test method in a semiconductor test apparatus, which causes a semiconductor device to be tested to execute processing based on a predetermined signal, and determines the acceptability of the semiconductor device to be tested based on the obtained processing result. Outputting a test signal, causing the semiconductor device under test to execute processing based on the test signal, and outputting a voltage value corresponding to the obtained processing result; and Comparing the voltage with a preset voltage value, outputting a comparison result as a comparison signal, performing a count in accordance with the content of the comparison signal, and processing the non-defective semiconductor device in advance based on the test signal. Storing a count value output when the process is executed, and comparing the stored count value with a count value at the time of termination of processing by the semiconductor device under test. Test method.
【請求項5】所定の信号に基づいて試験対象の半導体デ
バイスに処理を実行させ、得られた処理結果をもとに当
該試験対象の半導体デバイスの良否を判定する半導体試
験装置における半導体試験方法であって、 試験信号を出力し、 この試験信号に基づいて、前記試験対象の半導体デバイ
スに処理を実行させて、得られた処理結果に対応する電
圧値を出力し、 この電圧値と、予め設定された電圧値とを比較して、比
較結果を示す論理値を比較信号として出力し、 良品の前記半導体デバイスに処理を実行させた際に、前
記比較信号の変化に応じて計数を実行して、計数値を格
納し、 前記試験対象の半導体デバイスの処理を実行させる際
に、格納された前記計数値を初期値として、前記比較信
号の変化に応じて減数カウントを行い、 減数カウントが所定の値まで実行されたか否かを検知す
ること、 を特徴とする半導体試験方法。
5. A semiconductor test method in a semiconductor test apparatus, which causes a test target semiconductor device to execute processing based on a predetermined signal, and determines the acceptability of the test target semiconductor device based on the obtained processing result. Outputting a test signal, causing the semiconductor device under test to execute processing based on the test signal, outputting a voltage value corresponding to the obtained processing result, and setting the voltage value and a preset value. Comparing the output voltage value with the output voltage value, outputting a logical value indicating the comparison result as a comparison signal, and executing a process according to a change in the comparison signal when the non-defective semiconductor device performs processing. When the processing of the semiconductor device under test is executed, the stored count value is used as an initial value, and a countdown is performed in accordance with a change in the comparison signal. There semiconductor test wherein the, for detecting whether or not been executed up to a predetermined value.
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