JPH11307720A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH11307720A JPH11307720A JP11039398A JP11039398A JPH11307720A JP H11307720 A JPH11307720 A JP H11307720A JP 11039398 A JP11039398 A JP 11039398A JP 11039398 A JP11039398 A JP 11039398A JP H11307720 A JPH11307720 A JP H11307720A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に、電力用半導体モジュールに適用して好適なもので
ある。The present invention relates to a semiconductor device,
In particular, it is suitable for application to a power semiconductor module.
【０００２】[0002]
【従来の技術】インバータ、ＡＣサーボ、エアコンなど
のモータ制御、自動車、溶接機などの各種電源装置など
において、半導体モジュールが普及している。2. Description of the Related Art Semiconductor modules have become widespread in motor controls such as inverters, AC servos, and air conditioners, and in various power supplies such as automobiles and welding machines.
【０００３】この半導体モジュールとして、モータ制御
を行うコントローラや各種電源装置などの定格電流に対
応させて、様々の外形のものが用意されている。[0003] As this semiconductor module, various types of external modules are prepared corresponding to the rated current of a controller for controlling the motor and various power supply devices.
【０００４】図４は、従来の半導体モジュールの構成を
示す図である。図４において、ベース板２１には、取り
付け穴２２ａ〜２２ｄが設けられるとともに、ドライブ
用端子２３ａ、２３ｂ及び大電流端子２４、２５が設け
られている。この半導体モジュールは、取り付け穴２２
ａ〜２２ｄを介してネジ止めすることにより、コントロ
ーラや各種電源装置などに固定して用いられる。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor module. In FIG. 4, the base plate 21 is provided with mounting holes 22a to 22d, as well as drive terminals 23a and 23b and large current terminals 24 and 25. This semiconductor module has a mounting hole 22
It is fixed to a controller or various power supply devices by being screwed through a to 22d and used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体モジュールは電流定格ごとに外形が異なっている
ため、コントローラや各種電源装置などの電流定格が異
なると、半導体モジュールの外形に対応させて、コント
ローラや各種電源装置などの構成を変更しなければなら
ないという問題があった。However, since the conventional semiconductor module has a different outer shape for each current rating, if the current rating of the controller or various power supplies is different, the controller is required to correspond to the outer shape of the semiconductor module. There is a problem that it is necessary to change the configuration of the power supply and various power supply devices.
【０００６】また、コントローラや各種電源装置などの
電流定格に一致した半導体モジュールがない場合、複数
の半導体モジュールを組み合わせて使用する必要があ
り、コントローラや各種電源装置が大型化するという問
題もあった。Further, when there is no semiconductor module having the same current rating as a controller or various power supply devices, it is necessary to use a plurality of semiconductor modules in combination, and there is a problem that the controller and various power supply devices become large. .
【０００７】そこで、本発明の目的は、半導体モジュー
ルの内部構成を変更することなく、半導体モジュールの
電流定格を容易に変更することが可能な半導体装置を提
供することである。It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of easily changing the current rating of a semiconductor module without changing the internal configuration of the semiconductor module.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明によれば、互いに絶縁されている複数の
ベース板が半導体モジュールに設けられている。According to the present invention, there is provided a semiconductor module having a plurality of base plates which are insulated from each other.
【０００９】このことにより、複数の半導体装置を同一
パッケージ内に収容した場合においても、各ベース板上
に設けられる半導体装置の電位を個別に設定することが
可能となり、各半導体装置をそれぞれ独自に動作させる
ことが可能となることから、半導体モジュールの外形を
変更することなく、半導体モジュールの電流定格を容易
に変更することが可能となる。Thus, even when a plurality of semiconductor devices are housed in the same package, the potential of the semiconductor devices provided on each base plate can be set individually, and each semiconductor device can be individually set. Since the operation can be performed, the current rating of the semiconductor module can be easily changed without changing the outer shape of the semiconductor module.
【００１０】また、本発明の一態様によれば、半導体モ
ジュールの駆動用端子及び大電流用端子が前記各ベース
板ごとに別個に設けられている。Further, according to one aspect of the present invention, a drive terminal and a large current terminal of the semiconductor module are separately provided for each of the base plates.
【００１１】このことにより、半導体モジュールの外部
端子の接続状態を変更するだけで、半導体モジュール内
に設けられている半導体装置を別個に動作させたり、複
数の半導体装置を同時に動作させたりすることが可能と
なり、半導体モジュールの内部構成を変更することな
く、半導体モジュールの電流定格を容易に変更すること
が可能となる。[0011] Thus, it is possible to operate the semiconductor devices provided in the semiconductor module separately or to operate a plurality of semiconductor devices simultaneously by simply changing the connection state of the external terminals of the semiconductor module. This makes it possible to easily change the current rating of the semiconductor module without changing the internal configuration of the semiconductor module.
【００１２】また、本発明の一態様によれば、各ベース
板は絶縁性樹脂を介して互いに連結されている。Further, according to one aspect of the present invention, the respective base plates are connected to each other via an insulating resin.
【００１３】このことにより、複数のベース板を一体的
に取り扱うことが可能となり、１個の半導体モジュール
を取り付けるだけで、複数のベース板を一括して取り付
けることが可能となることから、取り付け手段を各ベー
ス板ごとに設ける必要がなくなり、設置スペースを節約
することが可能となる。As a result, it is possible to handle a plurality of base plates integrally, and it is possible to mount a plurality of base plates collectively only by mounting one semiconductor module. Need not be provided for each base plate, and the installation space can be saved.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係わる
半導体装置について図面を参照しながら説明する。図１
（ａ）は、本発明の一実施例に係わる半導体モジュール
の内部の構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）
のＡ−Ａ’線で切断した断面図、図１（ｃ）は、図１
（ａ）のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG.
FIG. 1A is a plan view showing the internal configuration of a semiconductor module according to one embodiment of the present invention, and FIG.
1 (c) is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.
It is sectional drawing cut | disconnected by the BB 'line of (a).
【００１５】図１において、半導体モジュールには、互
いに分割された３つのベース板１ａ〜１ｃが設けられ、
ベース板１ａ及びベース板１ｂは絶縁性樹脂２ａで互い
に固定され、ベース板１ｂ及びベース板１ｃは絶縁性樹
脂２ｂで互いに固定されている。ここで、図１（ｂ）に
示すように、ベース板１ａ〜１ｃの端部には切欠きが設
けられるれるとともに、絶縁性樹脂２ａ、２ｂはＨ型に
成形され、ベース板１ａ〜１ｃの切欠き部分をＨ型の絶
縁性樹脂２ａ、２ｂにはめ込むことにより、ベース板１
ａ〜１ｃを絶縁性樹脂２ａ、２ｂで強固に連結すること
ができる。なお、ベース板１ａ〜１ｃは、銅やアルミニ
ウムなどの金属板で構成することができる。In FIG. 1, a semiconductor module is provided with three base plates 1a to 1c divided from each other.
The base plate 1a and the base plate 1b are fixed to each other with an insulating resin 2a, and the base plate 1b and the base plate 1c are fixed to each other with an insulating resin 2b. Here, as shown in FIG. 1B, notches are provided at the ends of the base plates 1a to 1c, and the insulating resins 2a and 2b are formed into an H-shape, and the base plates 1a to 1c The notch portion is fitted into the H-type insulating resin 2a, 2b, so that the base plate 1
a to 1c can be firmly connected by the insulating resins 2a and 2b. The base plates 1a to 1c can be made of a metal plate such as copper or aluminum.
【００１６】ベース板１ａには、取り付け穴３ａ、３ｂ
及び大電流端子４ａが設けられるとともに、ベース板１
ａ上には、半導体チップ８ａ〜８ｆが取り付けられてい
る。また、大電流端子５ａ及びドライブ用端子６ａ、７
ａが、それぞれ絶縁体９ａ〜９ｃを介してベース板１ａ
上に取り付けられている。さらに、大電流端子５ａには
リード板５ａ’が設けられ、ドライブ用端子６ａ、７ａ
にはリードピン６ａ’、７ａ’がそれぞれ設けられてい
る。The base plate 1a has mounting holes 3a, 3b
And a large current terminal 4a, and the base plate 1
Semiconductor chips 8a to 8f are mounted on a. Also, a large current terminal 5a and drive terminals 6a, 7
a is a base plate 1a via insulators 9a to 9c, respectively.
Mounted on top. Further, the large current terminal 5a is provided with a lead plate 5a ', and the drive terminals 6a, 7a
Are provided with lead pins 6a 'and 7a', respectively.
【００１７】半導体チップ８ａ〜８ｆ上の各ソース端子
は、ワイヤ線１０ａにより大電流端子５ａ及びドライブ
用端子６ａに接続されるとともに、半導体チップ８ａ〜
８ｆ上の各ゲート端子は、ワイヤ線１０ａによりドライ
ブ用端子７ａに接続されている。Each source terminal on the semiconductor chips 8a to 8f is connected to a large current terminal 5a and a drive terminal 6a by a wire 10a, and is connected to the semiconductor chips 8a to 8f.
Each gate terminal on 8f is connected to the drive terminal 7a by a wire 10a.
【００１８】ベース板１ｂには、大電流端子４ｂが設け
られるとともに、ベース板１ｂ上には、半導体チップ８
ｇ〜８ｊが取り付けられている。また、大電流端子５ｂ
及びドライブ用端子６ｂ、７ｂが、それぞれ絶縁体を介
してベース板１ｂ上に取り付けられている。さらに、大
電流端子５ｂにはリード板５ｂ’が設けられ、ドライブ
用端子６ｂ、７ｂにはリードピン６ｂ’、７ｂ’がそれ
ぞれ設けられている。A large current terminal 4b is provided on the base plate 1b, and a semiconductor chip 8 is provided on the base plate 1b.
g to 8j are attached. Also, a large current terminal 5b
The drive terminals 6b and 7b are mounted on the base plate 1b via insulators. Furthermore, the large current terminal 5b is provided with a lead plate 5b ', and the drive terminals 6b, 7b are provided with lead pins 6b', 7b ', respectively.
【００１９】半導体チップ８ｇ〜８ｊ上の各ソース端子
は、ワイヤ線１０ｂにより大電流端子５ｂ及びドライブ
用端子６ｂに接続されるとともに、半導体チップ８ｇ〜
８ｊ上の各ゲート端子は、ワイヤ線１０ｂによりドライ
ブ用端子７ｂに接続されている。Each source terminal on the semiconductor chips 8g to 8j is connected to a large current terminal 5b and a drive terminal 6b by a wire 10b, and is connected to the semiconductor chips 8g to 8j.
Each gate terminal on 8j is connected to the drive terminal 7b by a wire 10b.
【００２０】ベース板１ｃには、取り付け穴３ｃ、３ｄ
及び大電流端子４ｃが設けられるとともに、ベース板１
ｃ上には、半導体チップ８ｋ〜８ｎが取り付けられてい
る。また、大電流端子５ｃ及びドライブ用端子６ｃ、７
ｃが、それぞれ絶縁体を介してベース板１ｃ上に取り付
けられている。さらに、大電流端子５ｃにはリード板５
ｃ’が設けられ、ドライブ用端子６ｃ、７ｃにはリード
ピン６ｃ’、７ｃ’がそれぞれ設けられている。The base plate 1c has mounting holes 3c, 3d
And a large current terminal 4c, and the base plate 1
On c, semiconductor chips 8k to 8n are mounted. Also, the large current terminal 5c and the drive terminals 6c, 7
c are respectively mounted on the base plate 1c via insulators. Furthermore, the lead plate 5 is connected to the large current terminal 5c.
The drive terminals 6c and 7c are provided with lead pins 6c 'and 7c', respectively.
【００２１】半導体チップ８ｋ〜８ｎ上の各ソース端子
は、ワイヤ線１０ｃにより大電流端子５ｃ及びドライブ
用端子６ｃに接続されるとともに、半導体チップ８ｋ〜
８ｎ上の各ゲート端子は、ワイヤ線１０ｃによりドライ
ブ用端子７ｃに接続されている。Each of the source terminals on the semiconductor chips 8k to 8n is connected to a large current terminal 5c and a drive terminal 6c by a wire 10c, and is connected to the semiconductor chips 8k to 8n.
Each gate terminal on 8n is connected to a drive terminal 7c by a wire 10c.
【００２２】図２は、図１の半導体モジュールの等価回
路を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the semiconductor module of FIG.
【００２３】図２において、ＭＯＳトランジスタＭ１〜
Ｍ３の各ドレイン端子は、図１の大電流端子４ａ〜４ｃ
に接続され、ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ３の各ゲート
端子は、図１のドライブ用端子７ａ〜７ｃに接続され、
ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ３の各ソース端子は、図１
の大電流端子５ａ〜５ｃ及びドライブ用端子６ａ〜６ｃ
に接続される。In FIG. 2, MOS transistors M1-M1
Each drain terminal of M3 is a large current terminal 4a-4c of FIG.
And the respective gate terminals of the MOS transistors M1 to M3 are connected to the drive terminals 7a to 7c of FIG.
The source terminals of the MOS transistors M1 to M3 are as shown in FIG.
Large current terminals 5a to 5c and drive terminals 6a to 6c
Connected to.
【００２４】このように、半導体モジュール内で分割さ
れた３つのベース板１ａ〜１ｃに対応して、３つのＭＯ
ＳトランジスタＭ１〜Ｍ３が１つの半導体モジュール内
に別個に形成される。As described above, three MOs correspond to the three base plates 1a to 1c divided in the semiconductor module.
S transistors M1 to M3 are separately formed in one semiconductor module.
【００２５】図３（ａ）は、本発明の一実施例に係わる
半導体モジュールの外観を示す斜視図、図３（ｂ）は、
半導体モジュールの定格電流を変更して使用する場合の
接続方法を示す斜視図である。FIG. 3A is a perspective view showing the appearance of a semiconductor module according to one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing a connection method when the semiconductor module is used by changing the rated current.
【００２６】図３（ａ）において、ベース板１ａ〜１ｃ
上に取り付けられている半導体チップ８ａ〜８ｎ、大電
流端子５ａ〜５ｃ及びドライブ用端子６ａ〜６ｃ、７ａ
〜７ｃは、樹脂ケース１１で覆われている。ここで、大
電流端子５ａ〜５ｃに設けられているリード板５ａ’〜
５ｃ’、ドライブ用端子６ａ〜６ｃ、７ａ〜７ｃにそれ
ぞれ設けられているリードピン６ａ’〜６ｃ’、７ａ’
〜７ｃ’は、樹脂ケース１１から突出した状態になって
いる この半導体モジュールを使用する場合、取り付け穴３ａ
〜３ｄを用いて絶縁体上にネジ止めして固定する。そし
て、例えば、リードピン６ａ’とリードピン７ａ’との
間にドライブ用の電圧を加えて、大電流端子４ａとリー
ド板５ａ’との間から電流を取り出すことにより、モー
タなどを駆動する。。なお、リードピン６ｂ’とリード
ピン７ｂ’との間にドライブ用の電圧を加えて、大電流
端子４ｂとリード板５ｂ’との間から電流を取り出すよ
うにしてもよいし、リードピン６ｃ’とリードピン７
ｃ’との間にドライブ用の電圧を加えて、大電流端子４
ｃとリード板５ｃ’との間から電流を取り出すようにし
てもよい。In FIG. 3A, the base plates 1a to 1c
The semiconductor chips 8a to 8n mounted thereon, the large current terminals 5a to 5c, and the drive terminals 6a to 6c, 7a
7 c are covered with a resin case 11. Here, the lead plates 5a 'to 5a' provided to the large current terminals 5a to 5c are provided.
5c ', lead pins 6a' to 6c ', 7a' provided on the drive terminals 6a to 6c, 7a to 7c, respectively.
7c 'project from the resin case 11. When this semiconductor module is used, the mounting holes 3a
3d and fixed on the insulator with screws. Then, for example, a motor is driven by applying a drive voltage between the lead pins 6a 'and 7a' and extracting a current between the large current terminal 4a and the lead plate 5a '. . A drive voltage may be applied between the lead pin 6b 'and the lead pin 7b' to extract a current between the large current terminal 4b and the lead plate 5b ', or the lead pin 6c' and the lead pin 7
drive voltage between the high current terminal 4
A current may be taken out from between c and the lead plate 5c '.
【００２７】大電流端子４ａ〜４ｃのいずれか１つを用
いて電流を取り出しただけでは、必要な定格電流に達し
ない場合、リードピン６ａ’〜６ｃ’、７ａ’〜７
ｃ’、リード板５ａ’〜５ｃ’及び大電流端子４ａ〜４
ｃをそれぞれ並列に接続して使用する。例えば、図３
（ｃ）において、大電流端子４ａ〜４ｃを銅バー１２で
接続し、リード板５ａ’〜５ｃ’を銅バー１３で接続
し、リードピン６ａ’〜６ｃ’をリード線１４ａ、１４
ｂで接続し、リードピン７ａ’〜７ｃ’をリード線１５
ａ、１５ｂで接続する。If the required rated current is not reached simply by extracting the current using any one of the large current terminals 4a to 4c, the lead pins 6a 'to 6c' and 7a 'to 7c are used.
c ', lead plates 5a'-5c' and large current terminals 4a-4
c are connected in parallel and used. For example, FIG.
In (c), the large current terminals 4a to 4c are connected by a copper bar 12, the lead plates 5a 'to 5c' are connected by a copper bar 13, and the lead pins 6a 'to 6c' are connected to lead wires 14a and 14a.
b, and connect the lead pins 7a 'to 7c' to the lead 15
a, 15b.
【００２８】この結果、大電流端子４ａ〜４ｃのいずれ
か１つを用いて電流を取り出した場合に比べて、定格電
流を３倍に増加させることが可能となる。なお、大電流
端子４ａ〜４ｃのいずれか２つを接続して用いることに
より、定格電流を２倍に増加させるようにしてもよい。As a result, the rated current can be increased three times as compared with the case where the current is taken out using any one of the large current terminals 4a to 4c. The rated current may be doubled by connecting and using any two of the large current terminals 4a to 4c.
【００２９】このように、半導体モジュール内に複数の
ベース板１ａ〜１ｃを設け、大電流端子４ａ〜４ｃ、５
ａ〜５ｃ及びドライブ用端子６ａ〜６ｂ、７ａ〜７ｃを
各ベース板１ａ〜１ｃごとに個別に設けることにより、
半導体モジュールの定格電流を２倍または３倍に増加さ
せた場合においても、半導体モジュールの外形がほとん
ど変化しないため、半導体モジュールを設置するコント
ローラや電源装置の構成を変更する必要がなくなる。As described above, the plurality of base plates 1a to 1c are provided in the semiconductor module, and the large current terminals 4a to 4c, 5
a to 5c and drive terminals 6a to 6b and 7a to 7c are individually provided for each of the base plates 1a to 1c.
Even when the rated current of the semiconductor module is increased by a factor of two or three, the outer shape of the semiconductor module hardly changes, so that it is not necessary to change the configuration of the controller or the power supply in which the semiconductor module is installed.
【００３０】また、ベース板１ａ〜１ｃを絶縁性樹脂２
ａ、２ｂで連結することにより、ベース板１ａ、１ｃに
取り付け穴３ａ〜３ｄを設けただけで、ベース板１ａ〜
１ｃを一体的に固定することが可能となり、各ベース板
１ａ〜１ｃごとに独自に取り付け穴を設ける必要がなく
なることから、半導体モジュールの構成をコンパクト化
することが可能となる。Further, the base plates 1a to 1c are
a, 2b, the base plates 1a, 1c are simply provided with the mounting holes 3a-3d.
1c can be integrally fixed, and it is not necessary to provide a mounting hole for each of the base plates 1a to 1c. Therefore, the configuration of the semiconductor module can be made compact.
【００３１】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上述した実施例に限定されることなく、本
発明の技術的思想の範囲内で他の様々の変更が可能であ
る。例えば、上述した実施例では、半導体モジュールの
ベース板を３つに分割する場合について説明したが、そ
れ以外に個数に分割するようにしてもよい。また、分割
方向についても、横方向だけでなく、縦方向に分割する
ようにしてもよい。さらに、上述した実施例では、非絶
縁型半導体モジュールを例にとって説明したが、絶縁型
半導体モジュールに適用するようにしてもよい。また、
半導体チップとして、ＭＯＳＦＥＴを例にとって説明し
たが、バイポーラトランジスタ、サイリスタ、またはＩ
ＧＢＴ（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）などで
あってもよい。Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various other modifications can be made within the technical idea of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the case where the base plate of the semiconductor module is divided into three is described. However, the base plate may be divided into other parts. Also, the dividing direction may be not only the horizontal direction but also the vertical direction. Furthermore, in the above-described embodiment, a description has been given of a non-insulated semiconductor module as an example, but the present invention may be applied to an insulated semiconductor module. Also,
Although a MOSFET has been described as an example of a semiconductor chip, a bipolar transistor, a thyristor,
It may be a GBT (insulated gate bipolar transistor) or the like.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体モジュールのベース板を分割することにより、複
数の半導体装置を同一パッケージ内に収容したまま、各
ベース板上に設けられる半導体装置をそれぞれ独自に動
作させることが可能となり、半導体モジュールの内部構
成を変更することなく、半導体モジュールの電流定格を
容易に変更することが可能となる。As described above, according to the present invention,
By dividing the base plate of the semiconductor module, it becomes possible to operate the semiconductor devices provided on each base plate independently while accommodating a plurality of semiconductor devices in the same package. Without changing, the current rating of the semiconductor module can be easily changed.
【００３３】また、本発明の一態様によれば、半導体モ
ジュールの駆動用端子及び大電流用端子を各ベース板ご
とに個別に設けることにより、半導体モジュールの外部
端子の接続状態を変更するだけで、半導体モジュール内
の半導体装置の接続状態を変更することが可能となるこ
とから、半導体モジュールの内部構成を変更することな
く、半導体モジュール内に設けられている半導体装置を
別個に動作させたり、複数の半導体装置を同時に動作さ
せたりすることが可能となり、半導体モジュールの電流
定格を容易に変更することが可能となる。Further, according to one aspect of the present invention, the drive terminal and the large current terminal of the semiconductor module are separately provided for each base plate, so that the connection state of the external terminals of the semiconductor module can be simply changed. Since it is possible to change the connection state of the semiconductor devices in the semiconductor module, it is possible to operate the semiconductor devices provided in the semiconductor module separately without changing the internal configuration of the semiconductor module, Can be simultaneously operated, and the current rating of the semiconductor module can be easily changed.
【００３４】また、本発明の一態様によれば、各ベース
板を絶縁性樹脂を介して互いに連結することにより、複
数のベース板を一体的に取り扱うことが可能となり、１
個の半導体モジュールを取り付けるだけで、複数のベー
ス板を一括して取り付けることが可能となることから、
取り付け手段を各ベース板ごとに設ける必要がなくな
り、設置スペースを節約することが可能となる。Further, according to one aspect of the present invention, a plurality of base plates can be handled integrally by connecting the respective base plates to each other via an insulating resin.
By simply mounting multiple semiconductor modules, it is possible to collectively mount multiple base plates.
There is no need to provide a mounting means for each base plate, and it is possible to save installation space.
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例に係わる半導体モ
ジュールの内部の構成を示す平面図、（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ’線で切断した断面図、（ｃ）は、図１
（ａ）のＢ−Ｂ’線で切断した断面図である。FIG. 1A is a plan view showing an internal configuration of a semiconductor module according to one embodiment of the present invention, and FIG.
1A is a cross-sectional view taken along line AA ′, and FIG.
It is sectional drawing cut | disconnected by the BB 'line of (a).
【図２】図１の半導体モジュールの等価回路を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the semiconductor module of FIG. 1;
【図３】（ａ）は、本発明の一実施例に係わる半導体モ
ジュールの外観を示す斜視図、（ｂ）は、半導体モジュ
ールの定格電流を変更して使用する場合の接続方法を示
す斜視図である。FIG. 3A is a perspective view illustrating an appearance of a semiconductor module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view illustrating a connection method when the semiconductor module is used by changing its rated current. It is.
【図４】従来の半導体モジュールの構成を示す平面図で
ある。FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a conventional semiconductor module.
１ａ〜１ｃ ベース板 ２ａ、２ｂ 絶縁性樹脂 ３ａ〜３ｄ 取り付け穴 ４ａ〜４ｃ、５ａ〜５ｃ 大電流端子 ５ａ’〜５ｃ’ リード板 ６ａ〜６ｃ、７ａ〜７ｃ ドライブ用端子 ６ａ’〜６ｃ’、７ａ’〜７ｃ’ リードピン ８ａ〜８ｎ 半導体チップ ９ａ〜９ｃ 絶縁体 １０ａ〜１０ｃ ワイヤ線 Ｍ１〜Ｍ３ ＭＯＳトランジスタ １１ 樹脂ケース １２、１３ 銅バー １４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂ リード線 1a-1c Base plate 2a, 2b Insulating resin 3a-3d Mounting hole 4a-4c, 5a-5c Large current terminal 5a'-5c 'Lead plate 6a-6c, 7a-7c Drive terminal 6a'-6c', 7a '~ 7c' Lead pin 8a ~ 8n Semiconductor chip 9a ~ 9c Insulator 10a ~ 10c Wire wire M1 ~ M3 MOS transistor 11 Resin case 12,13 Copper bar 14a, 14b, 15a, 15b Lead wire
Claims (3)
半導体モジュールに設けられていることを特徴とする半
導体装置。1. A semiconductor device, wherein a plurality of base plates insulated from each other are provided on a semiconductor module.
大電流用端子が前記各ベース板ごとに別個に設けられて
いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a drive terminal and a large current terminal of the semiconductor module are provided separately for each of the base plates.
互いに連結されていることを特徴とする請求項１または
２に記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein said base plates are connected to each other via an insulating resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039398A JPH11307720A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039398A JPH11307720A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307720A true JPH11307720A (en) | 1999-11-05 |
Family
ID=14534682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039398A Pending JPH11307720A (en) | 1998-04-21 | 1998-04-21 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307720A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018087800A1 (en) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor module and semiconductor device |
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-
1998
- 1998-04-21 JP JP11039398A patent/JPH11307720A/en active Pending
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| US11152287B2 (en) | 2016-11-08 | 2021-10-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module and semiconductor device |
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