JPH11307525A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
Semiconductor device and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH11307525A JPH11307525A JP11169698A JP11169698A JPH11307525A JP H11307525 A JPH11307525 A JP H11307525A JP 11169698 A JP11169698 A JP 11169698A JP 11169698 A JP11169698 A JP 11169698A JP H11307525 A JPH11307525 A JP H11307525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide material
- photosensitive polyimide
- photosensitive
- polyimide resin
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体装置及び
その製造方法に関するもので、特に製品保護膜として使
用されるポリイミド樹脂に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a polyimide resin used as a product protective film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】製品保護膜として使用されるポリイミド
樹脂形成工程に関しての従来の技術を図面（図１〜図
３）を参酌して説明する。まず、図１に示したように、
熱処理をするとポリイミド樹脂となる材料のうち感光性
のある感光性ポリイミド材料２を回転塗布法を用いて半
導体基体１上に厚さ５μｍ程度に塗布する。この感光性
ポリイミド材料２は、光が照射されると光の当たった部
分において化学反応が起きて、その部分が硬化する材料
であり、半導体基体１の製品保護膜として用いるための
ものである。2. Description of the Related Art A conventional technique regarding a process for forming a polyimide resin used as a product protective film will be described with reference to the drawings (FIGS. 1 to 3). First, as shown in FIG.
A photosensitive polyimide material 2 which is photosensitive among the materials which become a polyimide resin when heat-treated is applied to the semiconductor substrate 1 to a thickness of about 5 μm using a spin coating method. The photosensitive polyimide material 2 is a material which undergoes a chemical reaction in a portion where light is irradiated when irradiated with light, and the portion is cured, and is used as a product protective film of the semiconductor substrate 1.
【０００３】次に、図２に示したように、リソグラフィ
ー技術を用いて、感光性ポリイミド材料２の所定の位置
に光を照射し、化学反応を起こす。ここでは、感光性ポ
リイミド材料２のうち、光が照射されて化学反応を起こ
した部分を露光された部分５とする。Next, as shown in FIG. 2, a predetermined position of the photosensitive polyimide material 2 is irradiated with light using a lithography technique to cause a chemical reaction. Here, a portion of the photosensitive polyimide material 2 that has undergone a chemical reaction when irradiated with light is referred to as an exposed portion 5.
【０００４】次に、図３に示したように、感光性ポリイ
ミド材料２のうち露光された部分５以外の部分を現像液
にて除去する。これにより、感光性ポリイミド材料２は
所定の形状にパターニングされる。Next, as shown in FIG. 3, portions of the photosensitive polyimide material 2 other than the exposed portions 5 are removed with a developing solution. Thereby, the photosensitive polyimide material 2 is patterned into a predetermined shape.
【０００５】次に、図４に示したように、所定の形状に
パターニングされた感光性ポリイミド材料２に対し熱処
理をすることにより、感光性ポリイミド材料２内の不純
物を除去するとともに、感光性ポリイミド材料をイミド
化させる。これにより、感光性ポリイミド材料２はポリ
イミド樹脂３となる。Next, as shown in FIG. 4, the photosensitive polyimide material 2 patterned in a predetermined shape is subjected to a heat treatment to remove impurities in the photosensitive polyimide material 2 and to remove the photosensitive polyimide material 2. The material is imidized. Thus, the photosensitive polyimide material 2 becomes the polyimide resin 3.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】半導体基体の製品保護
膜としては、一般にポリイミド樹脂が用いられている。
このポリイミド樹脂を形成するための材料として、感光
性ポリイミド材料と非感光性ポリイミド材料とがある。
感光性ポリイミド材料とは、光が当たった部分が硬化す
るポリイミド材料である。そして、感光性ポリイミド及
び非感光性ポリイミドは、熱処理されることによりイミ
ド化され、ポリイミド樹脂となる。A polyimide resin is generally used as a product protective film of a semiconductor substrate.
Materials for forming this polyimide resin include a photosensitive polyimide material and a non-photosensitive polyimide material.
The photosensitive polyimide material is a polyimide material in which a portion irradiated with light is cured. Then, the photosensitive polyimide and the non-photosensitive polyimide are imidized by a heat treatment to become a polyimide resin.
【０００７】ここで、非感光性ポリイミド材料をポリイ
ミド樹脂の形成に用いると、このポリイミド樹脂を所望
の形状にパターニングするために非感光性ポリイミド材
料をイミド化して形成したポリイミド樹脂の上面にレジ
ストを塗布し、写真蝕刻法を用いて、このレジストを所
定の形状にパターニングするという余分な工程が必要と
なる。そのため、一般的に、製品保護膜として使用する
ポリイミド樹脂を形成する材料としては、感光性ポリイ
ミド材料が用いられている。Here, when a non-photosensitive polyimide material is used for forming a polyimide resin, a resist is formed on the upper surface of the polyimide resin formed by imidizing the non-photosensitive polyimide material in order to pattern the polyimide resin into a desired shape. An extra step of coating and patterning the resist into a predetermined shape using a photolithography method is required. Therefore, a photosensitive polyimide material is generally used as a material for forming a polyimide resin used as a product protection film.
【０００８】しかしながら、上記従来の技術によると、
以下のような欠点が生じる。まず、上記従来の技術によ
れば、半導体基体１上に塗布された感光性ポリイミド材
料２を所望の形状にパターニングした後に（図２参
照）、感光性ポリイミド材料２をイミド化させるために
熱処理をする。すると、イミド化する際に半導体基体１
に応力がかかり、ウェハーの反り４が大きくなるという
欠点が生じる（図３参照）。また、感光性ポリイミド材
料２を熱処理してイミド化すると、ポリイミド樹脂３が
変色して、その表面が暗い色になる。すると、後の製品
テスト時にアライメントエラーを起こすという欠点が生
じる。さらに、感光性ポリイミド材料は、非感光性ポリ
イミド材料に比べてコストが高いという欠点もある。[0008] However, according to the above prior art,
The following disadvantages occur. First, according to the above-mentioned conventional technique, after the photosensitive polyimide material 2 applied on the semiconductor substrate 1 is patterned into a desired shape (see FIG. 2), a heat treatment is performed to imidize the photosensitive polyimide material 2. I do. Then, at the time of imidization, the semiconductor substrate 1
Is applied, and the warpage 4 of the wafer becomes large (see FIG. 3). When the photosensitive polyimide material 2 is heat-treated and imidized, the polyimide resin 3 is discolored and its surface becomes dark. Then, there is a disadvantage that an alignment error occurs in a later product test. Further, the photosensitive polyimide material has a disadvantage that the cost is higher than the non-photosensitive polyimide material.
【０００９】一方で、ポリイミド樹脂を形成する材料と
して非感光性ポリイミド材料を用いると、イミド化を行
ったときに、感光性ポリイミド材料に比べて半導体基体
にかかる応力が小さいという利点がある。また、感光性
ポリイミド材料に比べてコストが低いという利点があ
る。本願発明は、上述の欠点に鑑みてなされたものであ
り、イミド化時のウェハーの反りを小さくすること、及
びコストを低減することを目的としている。On the other hand, when a non-photosensitive polyimide material is used as the material for forming the polyimide resin, there is an advantage that the stress applied to the semiconductor substrate when imidization is performed is smaller than that of the photosensitive polyimide material. Further, there is an advantage that the cost is lower than that of the photosensitive polyimide material. The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and has as its object to reduce the warpage of a wafer during imidization and to reduce the cost.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願発明は、トランジスタなど所定の半導体素子が
形成された半導体基体と、前記半導体基体の全面に形成
され、かつ所定の形状にパターニングされた第一の感光
性を有するポリイミド材料からなる第一のポリイミド樹
脂と、前記第一のポリイミド樹脂の全面に形成された、
前記第一の感光性よりも大きな感光性を有するポリイミ
ド材料からなる第二のポリイミド樹脂とを具備すること
を特徴とする。本願発明は、上記の構成を採用すること
により、イミド化時のウェハーの反りを小さくすること
が可能となる。また、コストを低減することも可能とな
る。In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor substrate on which a predetermined semiconductor element such as a transistor is formed, and a semiconductor substrate formed on the entire surface of the semiconductor substrate and patterned into a predetermined shape. A first polyimide resin made of a polyimide material having first photosensitivity, and formed on the entire surface of the first polyimide resin,
A second polyimide resin made of a polyimide material having photosensitivity higher than the first photosensitivity. According to the present invention, by employing the above configuration, it is possible to reduce the warpage of the wafer during imidization. Further, the cost can be reduced.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本願発明の実施の形態について図
面（図５〜図８）を参酌しながら説明する。まず、図５
に示したように、回転塗布法を用いて、半導体基体１１
の上面に非感光性ポリイミド材料１２を厚さ４μｍ程度
に形成する。ここで、半導体基体１１には、例えばトラ
ンジスタやメモリセルなど図示せぬ所定の半導体素子が
形成されている。次に、回転塗布法を用いて、非感光性
ポリイミド材料１２の上面に、例えばポリイミド酸とシ
リル化ケトン化合物とからなる感光性ポリイミド材料１
３を厚さ１μｍ程度に形成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 5 to 8). First, FIG.
As shown in FIG. 3, the semiconductor substrate 11 is formed by a spin coating method.
A non-photosensitive polyimide material 12 is formed to a thickness of about 4 μm on the upper surface of the substrate. Here, a predetermined semiconductor element (not shown) such as a transistor or a memory cell is formed on the semiconductor substrate 11. Next, using a spin coating method, the photosensitive polyimide material 1 made of, for example, a polyimide acid and a silylated ketone compound is formed on the upper surface of the non-photosensitive polyimide material 12.
3 is formed to a thickness of about 1 μm.
【００１２】次に、図６に示したように、リソグラフィ
ー技術を用いて、感光性ポリイミド材料１３の所定の位
置に光を照射し、化学反応を起こす。ここでは、感光性
ポリイミド材料１３のうち、光が照射されて化学反応を
起こした部分を露光された部分１４とする。Next, as shown in FIG. 6, a predetermined position of the photosensitive polyimide material 13 is irradiated with light using a lithography technique to cause a chemical reaction. Here, a portion of the photosensitive polyimide material 13 that has undergone a chemical reaction when irradiated with light is referred to as an exposed portion 14.
【００１３】次に、図７に示したように、感光性ポリイ
ミド材料１３のうち露光された部分１４と、その露光さ
れた部分１４の下方にある非感光性ポリイミド材料１２
を同時に、現像液にて除去する。これにより、非感光性
ポリイミド材料１２が所定の形状にパターニングされ
る。Next, as shown in FIG. 7, the exposed portion 14 of the photosensitive polyimide material 13 and the non-photosensitive polyimide material 12 below the exposed portion 14 are exposed.
At the same time with a developing solution. Thereby, the non-photosensitive polyimide material 12 is patterned into a predetermined shape.
【００１４】次に、図８に示したように、３００℃〜４
００℃程度の熱処理を行う。これにより、非感光性ポリ
イミド材料１２及び感光性ポリイミド材料１３に含まれ
る不純物を除去するとともに、イミド化させることによ
り、ポリイミド樹脂１５及びポリイミド樹脂１６を形成
する。Next, as shown in FIG.
A heat treatment at about 00 ° C. is performed. Thus, the impurities contained in the non-photosensitive polyimide material 12 and the photosensitive polyimide material 13 are removed, and the polyimide resin 15 and the polyimide resin 16 are formed by imidization.
【００１５】上述したように、感光性ポリイミド材料と
非感光性ポリイミド材料を組み合わせて使用することに
より、感光性ポリイミド材料１３及び非感光性ポリイミ
ド材料１２を塗布した後の工程数は感光性ポリイミド材
料のみを使用した場合の工程数と同じのままで、ポリイ
ミド樹脂１５及びポリイミド樹脂１６を所望の形状にパ
ターニングすることができる。As described above, by using the photosensitive polyimide material and the non-photosensitive polyimide material in combination, the number of steps after applying the photosensitive polyimide material 13 and the non-photosensitive polyimide material 12 is reduced. The polyimide resin 15 and the polyimide resin 16 can be patterned into a desired shape while maintaining the same number of steps in the case of using only.
【００１６】また、従来の技術では半導体基体の上面に
膜応力の大きい感光性ポリイミド材料２だけを厚さ５μ
ｍ程度に形成している（図１参照）。これに対し、本願
発明においては、膜応力の小さい非感光性ポリイミド材
料１２の厚さが４μｍ程度で、膜応力の大きい感光性ポ
リイミド材料１３の厚さが１μｍ程度となっている（図
５参照）。このように、本願発明においては、膜応力の
大きい感光性ポリイミド材料１３の厚さは従来技術に比
べて薄くなる。そのため、感光性ポリイミド材料１２及
び非感光性ポリイミド材料１３をイミド化する時に半導
体基体１１にかかる応力は小さくなるという効果を得る
ことができる（図４、図８参照）。その結果、ウェハー
の反りを小さくする効果を得ることができる。さらに、
感光性ポリイミド材料１３が従来の技術に比べて薄くて
済むことから、イミド化させるときに感光性ポリイミド
材料１３の表面が暗い色に変色しても、その度合いは従
来の技術よりも小さく、後の製品テスト時にアライメン
トエラーを起こすことを防止することができる。なお、
感光性ポリイミド材料１３の厚さが非感光性ポリイミド
材料１２の厚さよりも薄くなくても、感光性のないポリ
イミド１２が形成されていれば、上記と同様の効果を得
ることができる。In the prior art, only the photosensitive polyimide material 2 having a large film stress is coated on the upper surface of the semiconductor substrate to a thickness of 5 μm.
m (see FIG. 1). In contrast, in the present invention, the thickness of the non-photosensitive polyimide material 12 having a small film stress is about 4 μm, and the thickness of the photosensitive polyimide material 13 having a large film stress is about 1 μm (see FIG. 5). ). Thus, in the present invention, the thickness of the photosensitive polyimide material 13 having a large film stress is smaller than that of the conventional technique. Therefore, the effect of reducing the stress applied to the semiconductor substrate 11 when the photosensitive polyimide material 12 and the non-photosensitive polyimide material 13 are imidized can be obtained (see FIGS. 4 and 8). As a result, the effect of reducing the warpage of the wafer can be obtained. further,
Since the photosensitive polyimide material 13 can be thinner than the conventional technology, even if the surface of the photosensitive polyimide material 13 changes color to a dark color during imidization, the degree is smaller than that of the conventional technology, and It is possible to prevent an alignment error from occurring during a product test. In addition,
Even if the thickness of the photosensitive polyimide material 13 is not smaller than the thickness of the non-photosensitive polyimide material 12, as long as the non-photosensitive polyimide 12 is formed, the same effect as described above can be obtained.
【００１７】さらに、非感光性ポリイミド材料１２は感
光性ポリイミド材料１３に比べてコストが安いため、そ
の分だけコストを削減することも可能となる。なお、非
感光性ポリイミド材料１２については、完全な非感光性
でなくても、感光性の弱い他のポリイミド材料により代
替しても上記と同様の効果を得ることができる。Furthermore, since the cost of the non-photosensitive polyimide material 12 is lower than that of the photosensitive polyimide material 13, the cost can be reduced accordingly. It should be noted that the non-photosensitive polyimide material 12 is not completely non-photosensitive, and the same effects as described above can be obtained by substituting another polyimide material with low photosensitivity.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上詳述したように、本願発明によれ
ば、ウェハーの反りを小さくすることができ、また、コ
ストを削減することもできる。As described above, according to the present invention, the warpage of a wafer can be reduced and the cost can be reduced.
【図１】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する従来技術の工程断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a related art process regarding a process of forming a polyimide resin used as a product protective film.
【図２】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する従来技術の工程断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of a related art process regarding a process of forming a polyimide resin used as a product protection film.
【図３】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する従来技術の工程断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a related art process regarding a process of forming a polyimide resin used as a product protection film.
【図４】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する従来技術の工程断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a related art process regarding a process of forming a polyimide resin used as a product protection film.
【図５】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する本願発明の実施の形態の工程断面図。FIG. 5 is a process sectional view of an embodiment of the present invention relating to a process of forming a polyimide resin used as a product protective film.
【図６】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する本願発明の実施の形態の工程断面図。FIG. 6 is a process sectional view of the embodiment of the present invention relating to a process of forming a polyimide resin used as a product protective film.
【図７】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する本願発明の実施の形態の工程断面図。FIG. 7 is a process sectional view of an embodiment of the present invention relating to a process of forming a polyimide resin used as a product protective film.
【図８】製品保護膜として使用されるポリイミド樹脂形
成工程に関する本願発明の実施の形態の工程断面図。FIG. 8 is a process sectional view of the embodiment of the present invention relating to a process of forming a polyimide resin used as a product protective film.
１・・・・半導体基体 ２・・・・感光性ポリイミド材料 ３・・・・ポリイミド樹脂 ４・・・・ウェハーの反り ５・・・・露光された部分 １１・・・・半導体基体 １２・・・・非感光性ポリイミド材料 １３・・・・感光性ポリイミド材料 １４・・・・露光された部分 １５・・・・ポリイミド樹脂 １６・・・・ポリイミド樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor base 2 ... Photosensitive polyimide material 3 ... Polyimide resin 4 ... Wafer warpage 5 ... Exposed part 11 ... Semiconductor base 12 ... ··· Non-photosensitive polyimide material 13 ··· Photosensitive polyimide material 14 ··· Exposed portion 15 ··· Polyimide resin 16 ··· Polyimide resin
Claims (4)
体と、 前記半導体基体の全面に形成され、かつ所定の形状にパ
ターニングされた第一のポリイミド材料からなる第一の
ポリイミド樹脂と、 前記第一のポリイミド樹脂の全面に形成された、前記第
一のポリイミド材料の感光性よりも大きな感光性を有す
るポリイミド材料からなる第二のポリイミド樹脂とを具
備する半導体装置。A semiconductor substrate on which a predetermined semiconductor element is formed; a first polyimide resin formed of a first polyimide material formed on an entire surface of the semiconductor substrate and patterned into a predetermined shape; A semiconductor device comprising: a second polyimide resin formed of a polyimide material having photosensitivity greater than that of the first polyimide material formed on the entire surface of one polyimide resin.
ないポリイミド材料であることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said first polyimide material is a non-photosensitive polyimide material.
体の上面に第一のポリイミド材料を形成する工程と、 前記第一のポリイミド材料の上面に、前記第一のポリイ
ミド材料の感光性よりも大きな感光性を有する第二のポ
リイミド材料を形成する工程と、 前記第一のポリイミド材料及び前記第二のポリイミド材
料を所定の形状にパターニングする工程と、 熱処理することにより、前記第一のポリイミド材料を第
一のポリイミド樹脂とし、同時に第二のポリイミド材料
を第二のポリイミド樹脂とする工程とを具備する半導体
装置の製造方法。A step of forming a first polyimide material on an upper surface of a semiconductor substrate on which a predetermined semiconductor element is formed; Forming a second polyimide material having great photosensitivity, patterning the first polyimide material and the second polyimide material into a predetermined shape, and heat treating the first polyimide material. Using a first polyimide resin and simultaneously using a second polyimide material as a second polyimide resin.
いポリイミド材料であることを特徴とする請求項３記載
の半導体装置の製造方法。4. The method according to claim 3, wherein the first polyimide material is a non-photosensitive polyimide material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11169698A JPH11307525A (en) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | Semiconductor device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11169698A JPH11307525A (en) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307525A true JPH11307525A (en) | 1999-11-05 |
Family
ID=14567855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11169698A Pending JPH11307525A (en) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | Semiconductor device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307525A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781851B2 (en) | 2005-01-12 | 2010-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having reduced die-warpage and method of manufacturing the same |
| CN103065961A (en) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Polyimide passivation layer manufacture processing method applied to high voltage devices |
-
1998
- 1998-04-22 JP JP11169698A patent/JPH11307525A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781851B2 (en) | 2005-01-12 | 2010-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having reduced die-warpage and method of manufacturing the same |
| CN103065961A (en) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Polyimide passivation layer manufacture processing method applied to high voltage devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06326222A (en) | Method for forming via and groove with high aspect ratio in optical image forming material or photoresist material | |
| KR101089009B1 (en) | Pattern formation method and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH11307525A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| TWI238456B (en) | Composite layer method for minimizing PED effect | |
| JPH06275511A (en) | Forming method of polyimide pattern | |
| JPH11204414A (en) | Pattern formation method | |
| JP3421268B2 (en) | Pattern formation method | |
| JP2589471B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2875556B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0458170B2 (en) | ||
| JP2871958B2 (en) | Method for forming pattern of polyimide resin | |
| JPH0385544A (en) | Resist pattern forming method | |
| JPH07201722A (en) | Resist pattern forming method | |
| JPH01137634A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2005136430A (en) | Pattern forming method | |
| JP2001094056A (en) | Semiconductor integrated circuit and manufacturing method therefor | |
| JPH0677159A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit device | |
| JP2000182940A (en) | Method of forming resist pattern | |
| JPH02213850A (en) | Method for silylating resist film | |
| JPH02295107A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS63301519A (en) | Formation of resist pattern | |
| JPS63115337A (en) | Processing of photoresist | |
| JP2005084312A (en) | Resist patterning method and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0443641A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
| JP2001223210A (en) | Method of manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20050606 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
| A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20050816 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 |