JPH11306752A - Electronic circuit device for mixedly mounting dram - Google Patents

Electronic circuit device for mixedly mounting dram

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JPH11306752A
JPH11306752A JP10116646A JP11664698A JPH11306752A JP H11306752 A JPH11306752 A JP H11306752A JP 10116646 A JP10116646 A JP 10116646A JP 11664698 A JP11664698 A JP 11664698A JP H11306752 A JPH11306752 A JP H11306752A
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JP
Japan
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power supply
circuit
electronic circuit
standby
refresh
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JP10116646A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoichiro Matoba
祥一郎 的場
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NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve standby operation in an electronic circuit device where a DRAM requiring refresh operation is mixedly mounted, and at the same time to obtain the electronic circuit device that can reduce power consumption. SOLUTION: An electronic circuit device has a power supply selection circuit 14. The power supply selection circuit 14 changes main and sub power supplies on normal operation and standby, respectively, for supplying to an electronic circuit where a refreshing circuit 13 for refreshing a DRAM 11, a logic circuit 12, and a DRAM is mixedly mounted, and at the same time supplies the main power supply to at least the refreshing circuit 13 on the standby. On the standby of the electronic circuit device, the sub power supply is supplied to the electronic circuit by the power supply selection circuit 14. Also, only on the refreshing of the standby, the main power supply is supplied to at least the refreshing circuit 13, thus securing the refreshing of the DRAM 1 on the standby, achieving standby operation in the electronic circuit device where the DRAM is mixedly mounted, and hence reducing the power consumption of the entire electronic circuit device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はDRAM(ダイナミ
ック・ランダム・アクセス・メモリ)を混載する電子回
路装置に関し、特にスタンバイ状態の設定が可能な電子
回路装置における消費電力の低減を可能にした電子回路
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic circuit device incorporating a DRAM (Dynamic Random Access Memory), and more particularly, to an electronic circuit device capable of reducing power consumption in an electronic circuit device capable of setting a standby state. Related to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子回路装置では、システムを動
作させないスタンバイ時における消費電力の低減を図る
ために、スタンバイ時に大電流のメイン電源から小電流
のサブ電源に切り替え、スタンバイ状態として必要とさ
れる回路のみを駆動させる構成がとられている。これを
実現するためには、電子回路装置の内部回路と電源回路
との間に電源選択回路を設け、スタンバイ時にオンされ
るスタンバイ信号に基づいて電源選択回路においてメイ
ン電源とサブ電源を切り替えて内部回路に接続する構成
がとられている。
2. Description of the Related Art In recent electronic circuit devices, in order to reduce power consumption during standby when the system is not operated, it is necessary to switch from a large current main power supply to a small current sub-power supply during standby to be in a standby state. The configuration is such that only the circuit is driven. In order to realize this, a power supply selection circuit is provided between the internal circuit of the electronic circuit device and the power supply circuit, and the power supply selection circuit switches between the main power supply and the sub power supply based on a standby signal that is turned on at the time of standby. It is configured to be connected to a circuit.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、各種デ
ータを記憶するための記憶装置としてDRAMを混載す
る電子回路装置では、周知のように、DRAMに記憶さ
れているデータを保持するためのリフレッシュが必要で
あり、このリフレッシュを行うためには、リフレッシュ
回路にメイン電源の電流を供給する必要がある。このた
め、この種の電子回路装置では、スタンバイ時において
も、少なくともリフレッシュ回路に通常動作時と同じメ
イン電源を接続した状態に保持しなければならず、消費
電力を低減する上での障害になっている。
However, in an electronic circuit device in which a DRAM is mounted as a storage device for storing various data, as is well known, refresh for holding data stored in the DRAM is required. In order to perform this refresh, it is necessary to supply the current of the main power supply to the refresh circuit. For this reason, in this type of electronic circuit device, at the time of standby, at least the state in which the main power supply is connected to the refresh circuit as in normal operation must be maintained, which is an obstacle to reducing power consumption. ing.

【0004】本発明は、このようなDRAM混載の電子
回路装置におけるスタンバイ動作を実現する一方で、消
費電力の低減を可能にした電子回路装置を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide an electronic circuit device which realizes a standby operation in such an electronic circuit device in which a DRAM is embedded and which can reduce power consumption.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、電子回路装置
を構成する複数の電子回路の一部としてDRAM及び前
記DRAMをリフレッシュするためのリフレッシュ回路
を混載する電子回路装置において、前記電子回路に供給
する電源を通常動作時とスタンバイ時とで切り替える電
源選択回路を備えており、前記電源選択回路は、前記電
子回路に対して通常動作にはメイン電源を、スタンバイ
時にはサブ電源をそれぞれ切り替えて供給するととも
に、スタンバイ時には少なくとも前記リフレシッシュ回
路に対してメイン電源にを供給するように構成する。
According to the present invention, there is provided an electronic circuit device including a DRAM and a refresh circuit for refreshing the DRAM as a part of a plurality of electronic circuits constituting the electronic circuit device. A power supply selection circuit that switches a power supply between a normal operation and a standby state; and the power supply selection circuit supplies a main power supply to the electronic circuit by switching a main power supply during a normal operation and a sub power supply during a standby state. In addition, at the time of standby, at least the refresh circuit is supplied to the main power supply.

【0006】前記電源選択回路は、第1の構成として
は、メイン電源とサブ電源のいずれかを選択でき、スタ
ンバイ信号を受けてサブ電源を選択する第1のスイッチ
回路と、前記第1のスイッチ回路の選択出力とメイン電
源のいずれかを選択でき、リフレッシュタイミング信号
を受けてメイン電源を選択する第2のスイッチ回路とを
備え、前記第2のスイッチ回路の選択出力を前記電子回
路に供給するように構成される。また、第2の構成とし
ては、メイン電源とサブ電源のいずれかを選択でき、ス
タンバイ信号を受けてサブ電源を選択する第1のスイッ
チ回路と、前記第1のスイッチ回路の選択出力とメイン
電源のいずれかを選択でき、リフレッシュタイミング信
号を受けてメイン電源を選択する第2のスイッチ回路と
を備え、前記第2のスイッチ回路の選択出力を前記リフ
レッシュ回路に供給し、前記第1のスイッチ回路の選択
出力を前記リフレッシュ回路以外の電子回路に供給する
ように構成されている。
As a first configuration, the power supply selection circuit can select one of a main power supply and a sub power supply, and receives a standby signal to select a sub power supply, and the first switch circuit; A second switch circuit that can select one of a circuit selection output and a main power supply, and selects a main power supply in response to a refresh timing signal; and supplies a selection output of the second switch circuit to the electronic circuit. It is configured as follows. Further, as a second configuration, a first switch circuit that can select either a main power supply or a sub power supply and selects a sub power supply in response to a standby signal, a selection output of the first switch circuit, and a main power supply And a second switch circuit that selects a main power supply in response to a refresh timing signal, and supplies a selected output of the second switch circuit to the refresh circuit, the first switch circuit Is supplied to an electronic circuit other than the refresh circuit.

【0007】本発明においては、電子回路装置のスタン
バイ時には、電源選択回路により電子回路にはサブ電源
が供給され、消費電力が低減される。スタンバイ時のリ
フレッシュ時にのみ、電源選択回路はリフレッシュタイ
ミング信号を受けて少なくともリフレッシュ回路にメイ
ン電源を供給することで、リフレッシュを可能とする。
DRAMを混成した電子回路装置におけるスタンバイ動
作を実現し、電子回路装置全体の消費電力を低減する。
In the present invention, when the electronic circuit device is on standby, the sub-power is supplied to the electronic circuit by the power supply selection circuit, thereby reducing power consumption. Only at the time of refreshing during standby, the power supply selecting circuit receives the refresh timing signal and supplies at least the main power to the refreshing circuit, thereby enabling refreshing.
A standby operation in an electronic circuit device including a DRAM is realized, and power consumption of the entire electronic circuit device is reduced.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態のブ
ロック回路図である。この実施形態では、電子回路装置
として、データを記憶するためのDRAM11と、記憶
されたデータに基づいて所要の論理演算を行うための論
理回路部12とを混載した電子回路装置に本発明を適用
した例を示している。前記DRAM11には、記憶した
データを保持するためのリフレッシュを行うためのリフ
レッシュ回路13が接続されており、前記論理回路部1
2と前記リフレッシュ回路13は共通した内部電源線V
1により電源選択回路14に接続されている。また、前
記リフレッシュ回路13にリフレッシュを行うための各
種信号、例えばCAS信号やRAS信号を供給するため
のリフレッシュ信号出力回路15が接続されている。こ
のリフレッシュ信号出力回路15には、少なくともクロ
ック発生回路16と、前記クロック発生回路16で発生
されたクロック信号を計数してリフレッシュタイミング
信号を出力するカウンタ17が設けられている。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block circuit diagram of a first embodiment of the present invention. In this embodiment, the present invention is applied to an electronic circuit device in which a DRAM 11 for storing data and a logic circuit unit 12 for performing a required logical operation based on the stored data are mounted as the electronic circuit device. An example is shown. The DRAM 11 is connected to a refresh circuit 13 for performing a refresh for holding stored data.
2 and the refresh circuit 13 share a common internal power line V
1 is connected to the power supply selection circuit 14. The refresh circuit 13 is connected to a refresh signal output circuit 15 for supplying various signals for refreshing, for example, a CAS signal and a RAS signal. The refresh signal output circuit 15 includes at least a clock generation circuit 16 and a counter 17 that counts clock signals generated by the clock generation circuit 16 and outputs a refresh timing signal.

【0009】前記電源選択回路14には、第1及び第2
のスイッチ回路SW1,SW2が内蔵されており、これ
らスイッチ回路によりメイン電源とサブ電源とを選択し
て前記内部電源線V1に接続可能に構成されている。前
記第1のスイッチ回路SW1は、メイン電源とサブ電源
とを切替選択するスイッチ回路として構成され、スタン
バイ時にハイレベルとされるスタンバイ信号SSTによっ
て切り替え動作される。また、前記第2のスイッチ回路
SW2は前記第1のスイッチ回路SW1の選択出力とメ
イン電源とを切り選択するスイッチ回路として構成さ
れ、前記リフレッシュ信号出力回路15から出力されて
リフレッシュ時にハイレベルとされるリフレッシュタイ
ミングSRT信号によって切り替え動作されるように構成
される。
The power supply selection circuit 14 has first and second power supply selection circuits.
Switch circuits SW1 and SW2 are built in, and a main power supply and a sub power supply are selected by these switch circuits so that they can be connected to the internal power supply line V1. The first switch circuit SW1 is configured as a switch circuit for selectively switching between a main power supply and a sub power supply, and is switched by a standby signal SST which is set to a high level during standby. Further, the second switch circuit SW2 is configured as a switch circuit for switching off the selection output of the first switch circuit SW1 and the main power supply, and is output from the refresh signal output circuit 15 and set to a high level at the time of refresh. The switching operation is performed by the refresh timing SRT signal.

【0010】以上の第1の実施形態の動作を図2に示す
動作のタイミング図を参照して説明する。スタンバイ信
号SSTがロウレベルの通常動作時には、第1のスイッチ
回路SW1はメイン電源側に接続されている。このた
め、第2のスイッチ回路SW2の切替状態にかかわらず
内部電源線V0には常時メイン電源からの電流が供給さ
れることになり、リフレッシュ回路13及び論理回路部
12における通常の動作が確保される。スタンバイ信号
SSTがハイレベルになると、第1のスイッチ回路SW1
がサブ電源側に切り替えられる。このとき、リフレッシ
ュタイミング信号SRTが入力されないときには、第2の
スイッチ回路SW2はサブ電源側に接続されているた
め、内部電源線V0にはサブ電源からの電流が供給され
ることになり、リフレッシュ回路13及び論理回路部1
2はスタンバイ状態とされ、論理回路部12及びリフレ
ッシュ回路13における消費電力が低減される。そし
て、前記リフレッシュ信号出力回路15からのリフレッ
シュタイミング信号SRTがハイレベルとなって第2のス
イッチ回路SW2に供給されると、第2のスイッチ回路
SW2はメイン電源側に切り替えられる。このため、内
部電源線V0にはメイン電源からの電流が供給される状
態となり、リフレッシュ回路13におけるDRAM11
のリフレッシュが可能となる。このとき、論理回路部1
2にもメイン電源の電流が供給されるが、例えば、スタ
ンバイ信号SSTによって論理回路部12の動作を停止さ
せる回路構成としておけば、論理回路部12における実
質的な消費電力の増大を抑制することは可能である。
The operation of the first embodiment will be described with reference to the timing chart of the operation shown in FIG. During a normal operation in which the standby signal SST is at a low level, the first switch circuit SW1 is connected to the main power supply. Therefore, regardless of the switching state of the second switch circuit SW2, the current from the main power supply is always supplied to the internal power supply line V0, and the normal operation of the refresh circuit 13 and the logic circuit unit 12 is ensured. You. When the standby signal SST goes high, the first switch circuit SW1
Is switched to the sub power supply side. At this time, when the refresh timing signal SRT is not input, since the second switch circuit SW2 is connected to the sub power supply side, the current from the sub power supply is supplied to the internal power supply line V0, and the refresh circuit 13 and logic circuit unit 1
2 is in a standby state, and power consumption in the logic circuit unit 12 and the refresh circuit 13 is reduced. When the refresh timing signal SRT from the refresh signal output circuit 15 goes high and is supplied to the second switch circuit SW2, the second switch circuit SW2 is switched to the main power supply side. Therefore, the current from the main power supply is supplied to the internal power supply line V0, and the DRAM 11 in the refresh circuit 13
Can be refreshed. At this time, the logic circuit unit 1
2, the current of the main power supply is also supplied. For example, if a circuit configuration for stopping the operation of the logic circuit unit 12 by the standby signal SST is used, a substantial increase in power consumption in the logic circuit unit 12 can be suppressed. Is possible.

【0011】このように、前記第1の実施形態では、ス
タンバイ時にはリフレッシュ回路13及び論理回路部1
2にはサブ電源を供給する一方で、スタンバイ時におけ
るリフレッシュ時にはリフレッシュ回路13及び論理回
路部12にメイン電源を供給するので、DRAM11の
リフレッシュ動作を確保でき、データの消失が防止され
る。これにより、少なくともリフレッシュ時以外におけ
る消費電力を低減することが可能となる。
As described above, in the first embodiment, the refresh circuit 13 and the logic circuit unit 1 are in standby mode.
2, the main power is supplied to the refresh circuit 13 and the logic circuit unit 12 at the time of refreshing during standby, so that the refresh operation of the DRAM 11 can be ensured and data loss is prevented. This makes it possible to reduce power consumption at least during times other than refreshing.

【0012】図3は本発明の第2の実施形態のブロック
回路図である。この第2の実施形態においても、電子回
路装置として、データを記憶するためのDRAM11
と、記憶されたデータに基づいて所要の論理演算を行う
ための論理回路部12とを混載した電子回路装置に本発
明を適用した例を示している。前記DRAM11には、
記憶したデータを保持するためのリフレッシュを行うた
めのリフレッシュ回路13が接続されており、第1の内
部電源線V1により電源選択回路14に接続されてい
る。また、前記論理回路部12は、第2の内部電源線V
2により前記電源選択回路14に接続されている。さら
に、リフレッシュタイミング信号SRTを出力するリフレ
ッシュ信号出力回路15が設けられている。
FIG. 3 is a block circuit diagram of a second embodiment of the present invention. Also in the second embodiment, a DRAM 11 for storing data is used as an electronic circuit device.
An example is shown in which the present invention is applied to an electronic circuit device in which a logic circuit unit 12 for performing a required logical operation based on stored data is mounted. The DRAM 11 includes:
A refresh circuit 13 for performing refresh for holding stored data is connected, and is connected to a power selection circuit 14 via a first internal power line V1. Further, the logic circuit section 12 includes a second internal power supply line V
2 is connected to the power supply selection circuit 14. Further, a refresh signal output circuit 15 for outputting a refresh timing signal SRT is provided.

【0013】前記電源選択回路14には、第1及び第2
のスイッチ回路SW1,SW2が内蔵されており、これ
らスイッチ回路によりメイン電源とサブ電源とを選択し
て前記第1及び第2の各内部電源線V1,V2に接続可
能に構成されている。前記第1のスイッチ回路SW1は
メイン電源とサブ電源とを切替選択するスイッチ回路と
して構成されており、スタンバイ時にハイレベルとされ
るスタンバイ信号SSTによって切り替え動作される。ま
た、前記第2のスイッチ回路SW2は、前記第1のスイ
ッチ回路SW1の選択出力とメイン電源とを切替選択す
るスイッチ回路として構成され、リフレッシュ時にハイ
レベルとされるリフレッシュタイミング信号SRTによっ
て切替動作されるように構成されている。これら第1及
び第2のスイッチ回路SW1,SW2の構成は前記第1
の実施形態と同じであるが、この第2の実施形態では、
前記第2のスイッチ回路SW2の選択出力は前記第1の
内部電源線V1に接続され、前記第1のスイッチ回路S
W1の選択出力は前記第2の内部電源線V2に接続され
ている。
The power supply selection circuit 14 has first and second
Switch circuits SW1 and SW2 are built in, so that a main power supply and a sub power supply can be selected by these switch circuits and connected to the first and second internal power supply lines V1 and V2. The first switch circuit SW1 is configured as a switch circuit for selectively switching between a main power supply and a sub power supply, and is switched by a standby signal SST which is set to a high level during standby. Further, the second switch circuit SW2 is configured as a switch circuit for switching and selecting the selected output of the first switch circuit SW1 and the main power supply, and is switched by a refresh timing signal SRT which is set to a high level at the time of refresh. It is configured to: The configuration of the first and second switch circuits SW1 and SW2 is the first
Although the second embodiment is the same as the second embodiment,
The selection output of the second switch circuit SW2 is connected to the first internal power supply line V1, and the first switch circuit S2
The selected output of W1 is connected to the second internal power supply line V2.

【0014】以上の第2の実施形態の動作を図4に示す
動作のタイミング図を参照して説明する。スタンバイ信
号SSTがロウレベルの通常動作時には、第1のスイッチ
回路SW1はメイン電源側に接続されている。このた
め、第2のスイッチ回路SW2の切替状態にかかわらず
第1の内部電源線V1及び第2の内部電源線V2にはそ
れぞれメイン電源からの電流が供給されることになり、
リフレッシュ回路13及び論理回路部12における通常
の動作が確保される。スタンバイ信号SSTがハイレベル
になると、第1のスイッチ回路SW1がサブ電源側に切
り替えられる。このとき、リフレッシュタイミング信号
SRTが入力されないときには、第2のスイッチ回路SW
2はサブ電源側に接続されているため、第1の内部電源
線V1にはサブ電源からの電流が供給され、また同時に
第1のスイッチ回路SW1により第2の内部電源線V2
にはサブ電源からの電流が供給されることになり、リフ
レッシュ回路13及び論理回路部12はスタンバイ状態
とされ、電子回路装置における消費電力が低減される。
そして、リフレッシュ信号出力回路15からのリフレッ
シュタイミング信号SRTがハイレベルとなって第2のス
イッチ回路SW2に供給されると、第2のスイッチ回路
SW2はメイン電源側に切り替えられる。このため、第
1の内部電源線V1にはメイン電源からの電流が供給さ
れる状態となり、リフレッシュ回路13におけるDRA
M11のリフレッシュが可能となる。このとき、第1の
スイッチ回路SW1はリフレッシュタイミング信号SRT
によっても状態が変化されることがないため、第2の内
部電源線V2はサブ電源の電流が供給された状態のまま
であり、論理回路部12は継続してスタンバイ状態に保
持され、論理回路部12における消費電力の増大を抑制
されている。
The operation of the second embodiment will be described with reference to the timing chart of the operation shown in FIG. During a normal operation in which the standby signal SST is at a low level, the first switch circuit SW1 is connected to the main power supply. Therefore, regardless of the switching state of the second switch circuit SW2, the current from the main power supply is supplied to the first internal power supply line V1 and the second internal power supply line V2, respectively.
Normal operations in the refresh circuit 13 and the logic circuit unit 12 are ensured. When the standby signal SST becomes high level, the first switch circuit SW1 is switched to the sub power supply side. At this time, when the refresh timing signal SRT is not input, the second switch circuit SW
2 is connected to the sub power supply side, the current from the sub power supply is supplied to the first internal power supply line V1, and at the same time, the second internal power supply line V2 is supplied by the first switch circuit SW1.
Is supplied with a current from the sub-power supply, the refresh circuit 13 and the logic circuit unit 12 are in a standby state, and power consumption in the electronic circuit device is reduced.
Then, when the refresh timing signal SRT from the refresh signal output circuit 15 becomes high level and is supplied to the second switch circuit SW2, the second switch circuit SW2 is switched to the main power supply side. Therefore, the current from the main power supply is supplied to the first internal power supply line V1, and the DRA in the refresh circuit 13
M11 can be refreshed. At this time, the first switch circuit SW1 outputs the refresh timing signal SRT
Does not change, the second internal power supply line V2 remains in the state where the current of the sub power supply is supplied, and the logic circuit unit 12 is continuously held in the standby state. An increase in power consumption in the unit 12 is suppressed.

【0015】したがって、第2の実施形態においては、
スタンバイ時にはリフレッシュ回路13及び論理回路部
12にはサブ電源を供給する一方で、スタンバイ中のリ
フレッシュ時にはリフレッシュ回路13のみにメイン電
源を供給しているので、DRAM11のリフレッシュ動
作を確保でき、データの消失が防止される。これによ
り、少なくともリフレッシュ時以外における消費電力を
低減することが可能となり、しかもこの第2の実施形態
では、前記第1の実施形態に比較してリフレッシュ時に
おける論理回路部12での消費電力の低減を図ることも
可能となる。
Therefore, in the second embodiment,
At the time of standby, the sub-power is supplied to the refresh circuit 13 and the logic circuit unit 12, while at the time of refresh during standby, the main power is supplied only to the refresh circuit 13, so that the refresh operation of the DRAM 11 can be ensured, and the data loss. Is prevented. This makes it possible to reduce power consumption at least at times other than refreshing. In the second embodiment, the power consumption of the logic circuit unit 12 at the time of refreshing is reduced as compared with the first embodiment. It is also possible to achieve.

【0016】なお、前記各実施形態においては、図1及
び図3において、第1及び第2のスイッチ回路として切
替接点式のスイッチで図示しているが、このスイッチ回
路はトランジスタ等の素子で構成される電子スイッチ、
あるいは論理ゲートの組み合わせで構成される論理ゲー
トスイッチとして構成してもよいことは言うまでもな
い。また、前記リフレッシュタイミング信号としては、
特に限定はしていないが、従来から行われているリフレ
ッシュ動作で用いられる各種信号を利用することも可能
である。
In each of the above embodiments, the first and second switch circuits are shown as switching contact type switches in FIGS. 1 and 3, but this switch circuit is composed of elements such as transistors. Electronic switch,
Alternatively, it is needless to say that the logic gate switch may be constituted by a combination of logic gates. Further, as the refresh timing signal,
Although not particularly limited, it is also possible to use various signals used in a conventional refresh operation.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、DRAM
及び前記DRAMをリフレッシュするためのリフレッシ
ュ回路を混載する電子回路に対して通常動作にはメイン
電源を、スタンバイ時にはサブ電源をそれぞれ切り替え
て供給するとともに、スタンバイ時には少なくとも前記
リフレシッシュ回路に対してメイン電源にを供給するよ
うに構成する電源選択回路を備えることにより、電子回
路装置のスタンバイ時には、電源選択回路により電子回
路にはサブ電源が供給され、またスタンバイ時のリフレ
ッシュ時にのみ、少なくともリフレッシュ回路にメイン
電源が供給されることで、スタンバイ時におけるDRA
Mのリフレッシュを確保する一方で、DRAMを混成し
た電子回路装置におけるスタンバイ動作を実現し、電子
回路装置全体の消費電力を低減することができる。
As described above, the present invention relates to a DRAM.
A main power supply is switched to a main power supply for normal operation and a sub power supply is switched and supplied to the electronic circuit in which a refresh circuit for refreshing the DRAM is mounted in standby mode, and at least a main power supply is supplied to the refresh circuit in standby mode. A sub-power supply to the electronic circuit by the power supply selection circuit when the electronic circuit device is on standby, and a main power supply to at least the refresh circuit only when the standby circuit is refreshed. Is supplied, the DRA during standby
While ensuring the refresh of M, the standby operation in the electronic circuit device mixed with the DRAM is realized, and the power consumption of the entire electronic circuit device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態のブロック回路図であ
る。
FIG. 1 is a block circuit diagram according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施形態の動作を説明するためのタイミ
ング図である。
FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment.

【図3】本発明の第2の実施形態のブロック回路図であ
る。
FIG. 3 is a block circuit diagram according to a second embodiment of the present invention.

【図4】第2の実施形態の動作を説明するためのタイミ
ング図である。
FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 DRAM 12 論理回路部 13 リフレッシュ回路 14 電源選択回路 15 リフレッシュ信号出力回路 16 クロック発生回路 17 カウンタ回路 SW1 第1のスイッチ回路 SW2 第2のスイッチ回路 V0 内部電源線 V1 第1の内部電源線 V2 第2の内部電源線 Reference Signs List 11 DRAM 12 Logic circuit section 13 Refresh circuit 14 Power supply selection circuit 15 Refresh signal output circuit 16 Clock generation circuit 17 Counter circuit SW1 First switch circuit SW2 Second switch circuit V0 Internal power supply line V1 First internal power supply line V2 First 2 internal power lines

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子回路装置を構成する電子回路の一部
としてDRAM及び前記DRAMをリフレッシュするた
めのリフレッシュ回路を混載する電子回路装置におい
て、前記電子回路に供給する電源を通常動作時とスタン
バイ時とで切り替える電源選択回路を備え、前記電源選
択回路は、前記電子回路に対して通常動作にはメイン電
源を、スタンバイ時にはサブ電源をそれぞれ切り替えて
供給するとともに、スタンバイ時には少なくとも前記リ
フレシッシュ回路に対してメイン電源にを供給するよう
に構成したことを特徴とするDRAM混載電子回路装
置。
1. An electronic circuit device in which a DRAM and a refresh circuit for refreshing the DRAM are mounted as a part of an electronic circuit constituting the electronic circuit device, a power supply to the electronic circuit is supplied during a normal operation and a standby time. And a power supply selection circuit that switches between a main power supply for normal operation and a sub power supply during standby for the electronic circuit, and at least to the refreshment circuit during standby. An electronic circuit device with embedded DRAM, wherein the electronic circuit device is configured to supply power to a main power supply.
【請求項2】 前記電源選択回路は、メイン電源とサブ
電源のいずれかを選択でき、スタンバイ信号を受けてサ
ブ電源を選択する第1のスイッチ回路と、前記第1のス
イッチ回路の選択出力とメイン電源のいずれかを選択で
き、リフレッシュタイミング信号を受けてメイン電源を
選択する第2のスイッチ回路とを備え、前記第2のスイ
ッチ回路の選択出力を前記電子回路に供給するように構
成されている請求項1に記載のDRAM混成電子回路装
置。
2. The power supply selection circuit can select one of a main power supply and a sub power supply, receives a standby signal and selects a sub power supply, and a selection output of the first switch circuit. A second switch circuit that can select one of the main power supplies and selects a main power supply in response to a refresh timing signal, and is configured to supply a selection output of the second switch circuit to the electronic circuit. 2. The DRAM hybrid electronic circuit device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記電源選択回路は、メイン電源とサブ
電源のいずれかを選択でき、スタンバイ信号を受けてサ
ブ電源を選択する第1のスイッチ回路と、前記第1のス
イッチ回路の選択出力とメイン電源のいずれかを選択で
き、リフレッシュタイミング信号を受けてメイン電源を
選択する第2のスイッチ回路とを備え、前記第2のスイ
ッチ回路の選択出力を前記リフレッシュ回路に供給し、
前記第1のスイッチ回路の選択出力を前記リフレッシュ
回路以外の電子回路に供給するように構成されている請
求項1に記載のDRAM混成電子回路装置。
3. The power supply selection circuit can select either a main power supply or a sub power supply, receives a standby signal and selects a sub power supply, and a selection output of the first switch circuit. A second switch circuit that can select one of the main power supplies and selects a main power supply in response to a refresh timing signal, and supplies a selection output of the second switch circuit to the refresh circuit;
2. The DRAM hybrid electronic circuit device according to claim 1, wherein the selected output of the first switch circuit is supplied to an electronic circuit other than the refresh circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6414894B2 (en) 2000-05-24 2002-07-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with reduced current consumption in standby state
US6992946B2 (en) 2003-01-30 2006-01-31 Renesas Technology Corp. Semiconductor device with reduced current consumption in standby state
CN100412757C (en) * 2002-04-05 2008-08-20 三菱电机株式会社 Backup Memory control unit for reducing current consumption

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6414894B2 (en) 2000-05-24 2002-07-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with reduced current consumption in standby state
US6597617B2 (en) 2000-05-24 2003-07-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with reduced current consumption in standby state
US6868029B2 (en) 2000-05-24 2005-03-15 Renesas Technology Corp. Semiconductor device with reduced current consumption in standby state
CN100412757C (en) * 2002-04-05 2008-08-20 三菱电机株式会社 Backup Memory control unit for reducing current consumption
US6992946B2 (en) 2003-01-30 2006-01-31 Renesas Technology Corp. Semiconductor device with reduced current consumption in standby state

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