JPH11298017A

JPH11298017A - 集積型薄膜光電変換装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11298017A
Application number: JP10102542A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Hayashi; 克彦林
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1998-04-14
Filing date: 1998-04-14
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】大面積の集積型薄膜光電変換装置を高い効率
と精度で製造し得る方法を提供する。【解決手段】集積型薄膜光電変換装置の製造方法にお
いて、絶縁基板上に順次積層された第１電極層、光電変
換層および第２電極層のうちの少なくとも１つの層を複
数の光電変換セルに対応して分割するために直線状に互
いに平行かつ等間隔Ｗに配置される複数の分割溝がレー
ザスクライブ法によって形成され、そのレーザスクライ
ブ法においては複数のレーザビーム１１〜１４が用いら
れ、隣り合うビーム間の間隔２１〜２３は分割溝の間隔
Ｗの２倍以上である整数倍に設定され、ビームと基板と
の間の相対的平行移動の間にビームの数に対応する数の
分割溝が同時に形成されていく。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、比較的大きな面積
の絶縁基板上に順次積層された第１電極層、半導体光電
変換層および第２電極層が複数の光電変換セルを形成す
るように複数の分割溝によって分割されかつそれら複数
のセルが電気的に直列接続される集積型薄膜光電変換装
置の製造方法に関し、特にレーザスクライブ法を利用し
て複数の分割溝を形成する工程を含む製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】太陽光のエネルギを直接電気エネルギに
変換する光電変換装置である太陽電池の実用化は近年本
格的に進められており、単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン等を利用した結晶系太陽電池は屋外の電力用太陽電池
として既に実用化されている。他方、非結晶シリコン系
の薄膜太陽電池は、その製造のための原材料が少なくて
すみかつ大面積の集積型太陽電池が絶縁基板上に直接作
製可能なことから、低コストの太陽電池として注目され
ている。しかし、非結晶系薄膜太陽電池は屋外用として
は総じて未だ開発段階にあり、既に普及している電卓な
どの民生機器の電源用途における実績をもとにして、屋
外用途に発展させるために研究開発が進められている。

【０００３】薄膜太陽電池の製造においては、ＣＶＤ法
やスパッタリング法などによる薄膜の堆積ステップとレ
ーザスクライブ法などによるパターニングステップの適
宜の繰返しや組合せを含む製造プロセスによって、所望
の構造が形成される。通常は１枚の絶縁基板上に複数の
光電変換セルが電気的に直列接続された集積型構造が採
用され、屋外用途のための電力用太陽電池ではたとえば
０．８ｍ×０．３ｍを超える大面積の基板が用いられ
る。

【０００４】図６は、このような集積型薄膜太陽電池の
構造を模式的な断面図で示している。なお、本願の各図
において、図面の明瞭化のために、寸法関係は実際の寸
法関係を反映してはいない。図６の集積型薄膜太陽電池
においては、絶縁基板１上に第１電極層２、非晶質シリ
コンなどからなる半導体光電変換層３および第２電極層
４が順次積層されており、パターニングによって半導体
層３に設けられた接続用開口溝６を介して、互いに左右
に隣接し合う光電変換セルが電気的に直列に接続されて
いる。第１電極層２としては一般に酸化スズ（ＳｎＯ
₂ ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）等の透明導電膜が用いられ、また、第２電極層４と
しては銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃ
ｒ）等の金属膜が用いられる。なお、第２電極層４とし
て、ＺｎＯ，ＩＴＯ等の透明導電膜とＡｇ，Ａｌ，Ｃｒ
等の金属膜との積層膜も用いられ得る。

【０００５】図６に示されているような構造を有する集
積型薄膜太陽電池は、一般に次のような方法によって作
製される。まず、ガラス基板１上にＳｎＯ₂ ，ＺｎＯ，
ＩＴＯ等の透明導電膜が第１電極層２として堆積され、
その第１電極層２を複数の光電変換セルに対応した複数
の領域に分割するために、レーザスクライブ法によって
第１電極分割溝５が形成される。すなわち、これらの第
１電極分割溝５は、図６の紙面に直交する方向に直線状
に延びている。そして、複数の領域に分割された第１電
極層２を覆うように、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐｉ
ｎ接合等の半導体接合を含む非晶質シリコンの半導体光
電変換層３が堆積される。この半導体層３には、左右に
隣接する光電変換セルを電気的に直列接続するための接
続用開口溝としての半導体層分割溝６がレーザスクライ
ブ法によって形成される。これらの半導体層分割溝６
も、図６の紙面に垂直な方向に直線状に延びている。続
いて、これらの接続用溝６を埋めかつ半導体層３を覆う
ように、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｒ等の金属膜の単層または複層
が第２電極層４として堆積される。第１電極層２の場合
と同様に、第２電極層４を複数の光電変換セルに対応し
た複数の領域に分割するように、第２電極分割溝７がレ
ーザスクライブ法によって形成される。これらの第２電
極分割溝７も図６の紙面に直交する方向に直線状に延び
ており、かつ好ましくは第１電極層２に至る深さを有し
ている。このようにして、図６に示されているような集
積型薄膜太陽電池が形成される。

【０００６】図６に示されているような太陽電池はセル
形成領域全面にエポキシ樹脂等の適当なパッシベーショ
ン層が塗布形成され、さらにアルミフレームや端子ボッ
クス等が取付けられて、最終的な大面積の集積型薄膜太
陽電池に仕上げられる。

【０００７】ところで、このような集積型薄膜太陽電池
の従来の製造方法では、大面積の集積型太陽電池を作製
するためには、大きな基板サイズに対応した大きな相対
的移動範囲を有するレーザビームヘッドを備えたレーザ
スクライブ装置を必要とし、そのようなスクライブ装置
の駆動系は非常に高価なものになる。また、スクライブ
装置が唯一つのレーザビームヘッドを備えている場合、
そのレーザビームヘッドの駆動総延長距離が長くなり、
１枚の大きな基板を処理するのに長いタクトタイム（ヘ
ッドを振り動かす時間）がかかるという問題がある。そ
こで、レーザビームヘッドの駆動総延長距離を短くする
とともに、タクト時間を短くする試みとして、図７に示
されているように、複数のレーザビームヘッドで同時に
複数のスクライブを行なう方法が提案された。

【０００８】なお、１つのレーザビームヘッドが１つの
レーザ発振器を備えることも可能ではあるが、一般には
レーザビームヘッドの数とレーザ発振器の数とは必ずし
も一致するものではない。例えば１つのレーザ発振器か
ら射出されたレーザビームを少なくとも１つのハーフミ
ラーで複数のビームに分割した後に、それらの分割され
たビームをミラーや光ファイバを用いてレーザビームヘ
ッドに供給することが可能である。

【０００９】図７に示された集積型薄膜太陽電池の製造
方法では、基板１上の第１電極層２、光電変換層３およ
び第２電極層４の少なくともいずれかにおいて、等間隔
Ｗで配置される分割溝がレーザスクライブ法で形成され
る。このレーザスクライブ法では、３つのレーザビーム
１１，１２，１３がスクライブ線に直交する方向に等間
隔Ｗで並列に並べられる。第１、第２および第３のレー
ザビーム１１，１２，１３は、それぞれ、実線、破線お
よび一点鎖線で表わされたスクライブ溝を形成する。な
お、図７においては、３つのレーザビームが示されてい
るが、このビームの数は他の複数の数が用いられてもよ
い。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、図７に
示された製造方法では、複数のレーザビームは隣り合う
分割溝の間隔Ｗに対応して配置される。ここで、分割溝
の間隔Ｗは通常は約１ｃｍ程度であり、このように比較
的狭い間隔で複数のレーザビームを配列しかつそれらの
ビームを基板に対して精度よく相対的に移動させるのは
容易ではない。

【００１１】また、図７においては３つのレーザビーム
１１，１２，１３が基板１に対して相対的にその基板の
左方端部から右方端部まで走査させられた後に再度左方
端部に戻されるが、こときに、たとえば第１のレーザビ
ーム１１は分割溝の間隔Ｗの３倍のシフト量３１だけ基
板１に対して相対的にシフトされなければならず、他の
ビームについても同様である。このようなレーザビーム
の１回のシフト量が大きくなればなるほど、基板に対す
るビームの相対的シフト量を高い精度で制御することが
困難となる。

【００１２】さらに、基板上でスクライブが完了するま
でに、たとえば第１のレーザビーム１１はほとんど基板
１の全範囲に近い領域４１内で走査させられなければな
らず、他のビームについても同様である。すなわち、３
つのビームの各々の移動範囲は単一のビームですべての
分割溝を形成する場合に比べてほとんど縮小されず、マ
ルチビームのレーザスクライブ装置であっても広範なビ
ーム可動範囲を維持しなければならない。

【００１３】さらにまた、形成されるべき分割溝の本数
がレーザビームの数で割切れない場合、図７の下部に示
された第３ビーム１３のように、スクライブの必要のな
い領域にビームを照射することが生じ、スクライブ装置
にダメージを与えたり、その不要なビーム照射により生
じた粉塵が太陽電池に混入するといいう問題をも生じ得
る。

【００１４】以上のような先行技術の状況に鑑み、本発
明は、大きな受光面積を有していても高い光電変換効率
と信頼性を有する集積型薄膜光電変換装置を低コストの
レーザスクライブ装置を用いて高いスループットと歩留
りで製造し得る方法を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板上に順次積層された第１電極層、半導体光電変換層お
よび第２電極層が複数の光電変換セルを形成するように
分割されかつそれら複数のセルが電気的に直列接続され
る集積型薄膜光電変換装置の製造方法は、それらの第１
電極層、光電変換層および第２電極層のうちの少なくと
も１つの層において、その層を複数のセルに対応して分
割するために直線状で互いに平行かつ等間隔Ｗに配置さ
れる複数の分割溝がレーザスクライブ法によって形成さ
れ、そのレーザスクライブ法においては複数のレーザビ
ームが用いられ、それら複数のレーザビームの隣り合う
ビーム間の間隔は分割溝の間隔Ｗの２倍以上である整数
倍に設定され、レーザビームと基板との間の相対的平行
移動の間にレーザビームの数に対応する数の分割溝が同
時に形成されていくことを特徴としている。

【００１６】このような製造方法においては、隣り合う
レーザビームの間隔が隣り合う分割溝の間隔Ｗの２倍以
上の広い間隔に設定されるので、複数のレーザビームの
並列配置が容易となり、基板に対する相対的移動の精度
を高めることもできる。また、各レーザビームの基板に
対する相対的移動範囲を縮小させることができ、レーザ
スクライブ装置の低コスト化も可能になる。

【００１７】本発明の製造方法においては、好ましく
は、複数のレーザビームの少なくとも一部は個別的に照
射と休止を選択可能にされている。

【００１８】これによって、スクライブの必要のないと
ころにレーザビームが照射されることによるスクライブ
装置の損傷を防止し得るとともに、不要なビーム照射に
よって生じる粉塵が太陽電池に混入するということを防
止でき、その結果として、高い光電変換効率と信頼性を
有する大面積の集積型薄膜光電変換装置を高歩留りで製
造することが可能になる。

【００１９】本発明による製造方法においては、複数の
レーザビームは基板の第１の端部から第２の端部に向か
う第１方向の走査が完了した後に、その第１方向に直交
する１方側に分割溝の間隔Ｗに対応する距離だけシフト
させられ、同様に第２の端部から第１の端部に戻る第２
方向の走査が完了した後に、その第２方向に直交する上
記１方側に分割溝の間隔Ｗに対応する距離だけシフトさ
せられ、このような第１方向と第２方向のレーザビーム
走査が交互に繰返されて、その間に分割溝は第１方向の
レーザビーム走査のみならずその逆方向である第２方向
のレーザビーム走査においても形成されていくことが好
ましい。

【００２０】こうすることによって、複数のレーザビー
ムがそれらの走査方向に直交する方向に基板に対して相
対的にシフトさせられる量が隣り合う分割溝の間隔Ｗに
一致するように小さくされるので、レーザビームのシフ
トの制御をより高精度で行なうことができる。また、複
数のレーザビームは基板の第１の端部から第２の端部に
向かう第１方向のみならず第２の端部から第１の端部に
戻る第２方向においても照射されるので、複数の分割溝
の形成の効率が高められる。したがって、大面積の集積
型薄膜光電変換装置を高精度でかつ高いスループットで
製造することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の種々の実
施の形態が図面を参照して説明される。

【００２２】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１による集積型薄膜光電変換装置の製造方法におけ
るレーザスクライブ工程を模式的な平面図で図解してい
る。このレーザスクライブにおいては、第１から第４の
レーザビーム１１，１２，１３，１４が用いられ、それ
ぞれのビームが実線１、破線、一点鎖線および二点鎖線
で表わされた分割溝を形成する。

【００２３】第１と第２のビーム１１，１２の間隔２１
は隣り合って形成されるべき分割溝の間隔Ｗの２倍であ
る２Ｗに設定され、第２と第３のビーム１２，１３の間
隔２２は分割溝の間隔Ｗの３倍である３Ｗに設定され、
そして、第３と第４のビーム１３，１４の間隔は分割溝
の間隔Ｗの４倍である４Ｗに設定されている。すなわ
ち、本発明の製造方法において利用されるレーザスクラ
イブ法においては、複数のレーザビームの隣り合うビー
ム間の間隔は分割溝の間隔Ｗの２倍以上である整数倍で
あればよく、複数のビームが必ずしも等間隔に配置され
る必要はない。

【００２４】点線の丸印で表わされた複数の初期レーザ
ビーム１１，１２，１３，１４は、基板１に関して左方
向端部から右方向端部に向かう第１の方向に相対的に走
査させられる。基板１の右方向端部においては、第１の
ビーム１１は走査方向に直交する方向にシフト量３１だ
けシフトさせられ、他のビームも同じ方向に同じ量だけ
シフトさせられる。このビームシフト量３１は、図７に
示された従来技術の場合のように隣り合う分割溝の間隔
Ｗの３倍である３Ｗではなくて、その溝の間隔Ｗに等し
い。すなわち、本発明におけるレーザビームスクライブ
法では、従来に比べてビームシフト量が小さいので、ビ
ームシフトをより高い精度で行なうことができる。

【００２５】基板１の右方端部で走査方向に直交する方
向に距離Ｗだけシフトさせられた４つのビーム１１，１
２，１３，１４はその右方端部から左方端部に戻る第２
の方向に走査させられる。そして、基板１の左方端部に
戻った４つのビームは、右方端部におけるシフトと同様
に、走査方向に直交する方向にＷだけシフトさせられ
る。このようにして、第１方向とその逆方向である第２
方向とのレーザビーム走査が交互に繰返されて、所望の
数の分割溝が形成される。

【００２６】ただし、図１の実施の形態においては、複
数のレーザビームの各々が個別的に照射と休止を選択し
得るようにされている。たとえば、第１レーザビーム１
１は、既に第２ビーム１２によって形成された分割溝を
再び照射する位置関係になったときに、×印１１ｘで表
わされているように、シャッタまたは駆動停止によって
その照射が中止させられる。同様に、第２レーザビーム
１２は、既に第３ビーム１３によって形成された分割溝
を再び照射する位置関係になったときに、×印１２ｘで
表わされているように、その照射が休止させられる。ま
た、第４レーザビーム１４は、基板１上の領域を外れて
スクライブ装置の一部を照射する位置関係になったとき
に×印１４ｘで表わされているように、その照射が休止
させられる。

【００２７】このように、本発明におけるレーザスクラ
イブ法では、望まれる場合には複数のレーザビームのう
ちの一部が休止させられるので、不要なビーム照射によ
って生じた粉塵が光電変換装置に混入してその特性や信
頼性を低下させるということを防止し得る。

【００２８】以下において、図１のみならず図６をも参
照しながら、実施の形態１による集積型薄膜光電変換装
置の製造方法をさらに説明する。まず、ガラス基板１上
に、ＳｎＯ₂，ＺｎＯ，ＩＴＯ等の透明導電膜が、第１
電極層２として堆積される。この第１電極層２は、複数
の光電変換セルに対応する複数の領域に分割されるよう
にレーザスクライブ法によって加工され、複数の第１電
極分割溝５が形成される。この際に、図１に示されてい
るようなレーザスクライブ法を用いることができる。

【００２９】第１電極層２上には、それを覆う半導体光
電変換層３として、プラズマＣＶＤ法によってｐｉｎ接
合などの半導体接合を含む水素化非晶質シリコン層が堆
積される。この半導体層はあくまで一例であり、たとえ
ば第１電極層２側から見てｎｉｐ接合を含んでもよく、
複数の光電変換ユニット層が積層されたタンデム型構造
を含んでもよい。半導体層の主たる材料としても、水素
化非晶質シリコンだけでなく、非晶質、多結晶、または
微結晶、あるいはこれらの組合せを用いてもよく、シリ
コン以外にもシリコンカーバイド、シリコンゲルマニウ
ム、ゲルマニウム、３−５族化合物、２−６族化合物、
１−３−６族化合物、さらにはこれらの組合せを用いる
こともできる。

【００３０】このような半導体層３は、レーザスクライ
ブ法によって加工され、複数の半導体分割溝６が形成さ
れる。この際に、図１に示されているようなレーザスク
ライブ法を利用することができる。これらの半導体分割
溝６は、複数の光電変換セルに対応して半導体層３を複
数の領域に分割するとともに、隣接するセル間の電気的
な直列接続を可能にするための接続用開口溝の働きをも
兼ねる。

【００３１】半導体層３上には、接続用開口溝６を埋め
ながら第２電極層４がスパッタリング法によって堆積さ
れる。第２電極層４の材料としては、ＺｎＯ，Ｓｎ
Ｏ₂，ＩＴＯ等の透明導電材料、またはＡｌ，Ａｇ，Ｃ
ｒ等の金属材料を用いることができ、さらにはこれらの
積層体を用いてもよい。

【００３２】このような第２電極層４はレーザスクライ
ブ法によって加工され、複数の第２電極分割溝７が形成
される。第２電極分割溝７は複数の光電変換セルに対応
して第２電極層４を複数の領域に分割することを目的と
するが、その溝の深さは少なくとも半導体層３に含まれ
る比較的導電性の良好なｎ型層を貫通する深さであるこ
とが好ましく、最も好ましくは第２電極層２に至る深さ
を有することが好ましい。

【００３３】このようにして、基板１上に複数の細長い
帯状の光電変換セルが形成され、隣接する光電変換セル
は接続用開口６を介して互いに電気的に直列接続されて
いることになる。このようにして形成された図６に示さ
れているような集積型薄膜光電変換装置の上面は、エポ
キシ樹脂等の適当なパッシベーション層（図示せず）に
よって覆われて保護される。

【００３４】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２による集積型薄膜光電変換装置の製造方法におけ
るレーザスクライブ工程を模式的な平面図で図解してい
る。図２に示されているレーザスクライブ法は図１のも
のに類似しているが、図２においては４つのレーザビー
ム１１，１２，１３，１４が等間隔に配置されている。
すなわち、４つのレーザビームにおいて互いに隣り合う
いずれの２つのレーザビームの間隔も分割溝の間隔Ｗの
４倍である４Ｗに設定されている。このような図２の実
施の形態を図１の場合と比較すれば、図１においては４
つのレーザビームを用いて第１の方向とその逆方向であ
る第２の方向とを含めて合計で４回のビーム走査によっ
て１２本の分割溝が形成されているが、図２の場合にお
いては同じ４つのレーザビームによる４回の走査によっ
て１６本の分割溝が形成される。しかも、図１と図２に
おいて合計シフト量４１で表わされているように、各レ
ーザビームが基板上で走査すべき領域は同じである。

【００３５】すなわち、図２の実施の形態は、形成され
るべき分割溝の数ｍが１６本であってレーザビームの数
ｎが４つの場合であり、ｍ÷ｎ＝４として割切れる最も
効率のよいスクライブの場合である。

【００３６】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３による集積型薄膜光電変換装置の製造方法におけ
るレーザスクライブ工程を模式的な平面図で図解してい
る。図３の実施の形態においては、図２の場合に類似し
て４つのレーザビーム１１，１２，１３，１４が等間隔
に配置されている。しかし、図２の場合にはレーザビー
ムの等間隔が分割溝の間隔Ｗの４倍である４Ｗに設定さ
れているのに対して、図３においては４つのビーム間の
等間隔が分割溝Ｗの３倍である３Ｗに設定されている。
なお、図３中の×印は、図１中の×印と同様に休止され
ているレーザビームを表わしている。図３の実施の形態
においては、形成されるべき溝の本数はｍ＝１３であっ
て、レーザビームの数はｎ＝４であり、レーザビームの
走査回数は４回である。このようなレーザスクライブ法
を一般化して式で表わせば、ｍ＝ｎ×ｋ＋１であって、
等間隔であるビーム間隔はｋ×Ｗで表わされ、ｋは２以
上の整数である。

【００３７】（実施の形態４）図４は、本発明の実施の
形態４による集積型薄膜光電変換装置の製造方法におけ
るレーザスクライブ工程を模式的な平面図で図解してい
る。図４の実施の形態においては、図２の場合と同様に
４つのレーザビーム１１，１２，１３，１４が４Ｗの等
間隔で配置されているが、形成されるべき溝の数は１４
である。すなわち、溝の数はｍ＝１４であって、レーザ
ビームの数はｎ＝４であり、ビームの走査回数は４回で
ある。これをより一般的な式で表わせば、ｍ＝（ｎ−
１）×ｋ＋２であり、等間隔のビーム間隔はｋ×ｗで表
わされる。すなわち、この実施の形態４による方法で
は、（ｎ−１）×ｋ＋１≦ｍ≦ｎ×ｋ＋１を満たす範囲
内にあるｍ本の分割溝を形成することができる。

【００３８】（実施の形態５）図５は本発明の実施の形
態５による集積型薄膜光電変換装置の製造方法における
レーザスクライブ工程を模式的な平面図で図解してい
る。図５の実施の形態においては、４つのレーザビーム
１１，１２，１３，１４が配置されているが、それらの
間隔の一部が変化させられている。

【００３９】すなわち、第１と第２のレーザビームの間
隔２１は４Ｗに設定され、第２と第３のレーザビーム１
２，１３の間隔２３も４Ｗに設定されているが、第３と
第４のレーザビーム１３，１４の間隔２３は３Ｗに設定
されている。このように配置された４つのレーザビーム
によって、１４本の分割溝が形成される。すなわち、図
５の実施の形態においては、形成されるべき溝の数はｍ
＝１４であってレーザビームの数はｎ＝４であり、４回
のビーム走査によってそれらの分割溝が形成される。一
般に表現すれば、ｋが３以上の整数として、第１と第２
のビーム１１，１２の間隔２１はｋ×ｗであり、第２と
第３のビーム１２，１３の間隔２２もｋ×ｗであり、第
３と第４のビーム１３，１４の間隔２３は（ｋ−１）×
ｗである。このような図５の実施の形態によれば、ｎ×
（ｋ−１）＋１≦ｍ≦ｎ×ｋ＋１を満たす範囲内のｍ本
の分割溝が形成され得る。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、大きな
受光面積を有していても高い光電変換効率と信頼性を有
する集積型薄膜光電変換装置を低コストのレーザスクラ
イブ装置を用いて高いスループットと歩留りで製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による集積型薄膜光電変
換装置の製造方法を説明するための模式的な平面図であ
る。

【図２】本発明の実施の形態２による集積型薄膜光電変
換装置の製造方法を説明するための模式的な平面図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態３による集積型薄膜光電変
換装置の製造方法を説明するための模式的な平面図であ
る。

【図４】本発明の実施の形態４による集積型薄膜光電変
換装置の製造方法を説明するための模式的な平面図であ
る。

【図５】本発明の実施の形態５による集積型薄膜光電変
換装置の製造方法を説明するための模式的な平面図であ
る。

【図６】集積型薄膜光電変換装置の構造を説明するため
の模式的な断面図である。

【図７】先行技術による集積型薄膜光電変換装置の製造
方法を説明するための模式的な平面図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２透明な第１電極層３半導体光電変換層４金属層を含む第２電極層５第１電極層分割溝６半導体層分割溝７第２電極層分割溝１１〜１４レーザビーム１１ｘ〜１４ｘ休止されたレーザビーム２１〜２３レーザビーム間隔３１レーザビームの１回のシフト量４１１つのレーザビームが走査すべき範囲

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に順次積層された第１電極
層、半導体光電変換層および第２電極層が複数の光電変
換セルを形成するように分割されかつそれら複数のセル
が電気的に直列接続される集積型薄膜光電変換装置の製
造方法であって、前記第１電極層、前記光電変換層および前記第２電極層
のうちの少なくとも１つの層において、その層を前記複
数のセルに対応して分割するために直線状で互いに平行
かつ等間隔Ｗに配置される複数の分割溝がレーザスクラ
イブ法によって形成され、前記レーザスクライブ法においては複数のレーザビーム
が用いられ、前記複数のレーザビームの隣り合うビーム
間の間隔は前記分割溝の間隔Ｗの２倍以上である整数倍
に設定され、前記レーザビームと前記基板との間の相対
的平行移動の間に前記レーザビームの数に対応する数の
前記分割溝が同時に形成されていくことを特徴とする集
積型薄膜光電変換装置の製造方法。
【請求項２】前記複数のレーザビームの少なくとも一
部は個別的に照射と休止を選択し得ることを特徴とする
請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】前記複数のレーザビームは、前記基板の
第１の端部から第２の端部に向かう第１方向の走査が完
了した後に、前記第１方向に直交する１方側に前記分割
溝の間隔Ｗに対応する距離だけシフトさせられ、同様に
前記第２の端部から前記第１の端部に戻る第２方向の走
査が完了した後に、前記第２方向に直交する前記１方側
に前記分割溝の間隔Ｗに対応する距離だけシフトさせら
れ、このような第１方向と第２方向のレーザビームの走
査が交互に繰返されて、その間に前記分割溝は前記第１
方向のレーザビーム走査のみならずその逆方向である前
記第２方向のレーザビーム走査においても形成されてい
くことを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方
法。
【請求項４】前記複数のレーザビームは等間隔ｋＷに
配置された３以上のビームを含み、ここでｋは２以上の
一定の整数であることを特徴とする請求項１から３のい
ずれかの項に記載の製造方法。
【請求項５】前記複数のレーザビームは３以上のビー
ムを含み、かつ隣り合うビームの間隔として（ｋ−１）
×Ｗの間隔とｋ×Ｗの間隔を含み、ここでｋは３以上の
一定の整数であることを特徴とする請求項１から３のい
ずれかの項に記載の製造方法。
【請求項６】形成されるべき前記複数の分割溝の数が
ｍであって、前記複数のレーザビームの数がｎである場
合に、（ｎ−１）×ｋ＋１≦ｍ≦ｎ×ｋ＋１を満たすよ
うにｎとｋが定められることを特徴とする請求項４に記
載の製造方法。
【請求項７】形成されるべき前記複数の分割溝の数が
ｍであって、前記複数のレーザビームの数がｎである場
合に、ｎ（ｋ−１）＋１≦ｍ≦ｎ×ｋ＋１を満たすよう
にｎとｋが定められることを特徴とする請求項５に記載
の製造方法。