JPH11297694A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】化学的機械研磨による層間絶縁膜の平坦化プロ
セスにおいて、配線層の設計自由度を損なうことなく、
比較的簡易にかつ安価にグローバル段差を低減できる半
導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板上に所定のパターンに形成され
た配線層１４を覆うように絶縁膜１５を形成し、絶縁膜
１５上に塗布膜１６を形成し、絶縁膜１５の配線層形成
領域Ａと配線層非形成領域Ｂとの間に形成される段差Ｄ
を構成する段差高部および段差低部のうち、段差高部上
に形成された塗布膜のみを選択的に除去し、段差低部に
残存した塗布膜をマスクとして絶縁膜にエッチング処理
を施して、段差高部を段差低部の高さまで除去し、塗布
膜および絶縁膜に対して一連の化学的機械研磨を施し
て、当該塗布膜を除去し、かつ絶縁膜を平坦化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に、層間絶縁膜を成膜した後に化学的機
械研磨にて平坦化する層間絶縁膜の平坦化プロセスに好
適な半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年における半導体装置の設計ルールの
微細化に伴って、リソグラフィーの解像度を上げる努力
がなされているが、解像度を上げることにより焦点深度
いわゆるＤＯＦ（Depth Of Focus）は低下してきてい
る。このＤＯＦを改善するためには、レジストの性能改
善が必要であるが、レジスト性能の改善に対する要求よ
り、微細化に対する要求の方が先行しているのが現状で
ある。このため、デバイス構造の高低差をできるだけ低
減することでこの焦点深度の不足を補い、微細なパター
ンを焦点ズレさせずに確実に解像させる方法が検討され
ている。

【０００３】デバイス構造の高低差を平坦化する方法と
して、最近では、シリコンウェハの鏡面加工を応用した
化学的機械研磨方法が採用されている。図１０は、化学
的機械研磨を行うための化学的機械研磨装置の一例を示
す概略図である。図１０に示す化学的機械研磨装置は、
回転する研磨プレート回転軸１に支承された表面に研磨
パッド２が接着された研磨プレート３と、ダイア１０２
等を金属板に電着形成した、研磨パッド２の表面を目立
てするためのドレッサ１０１と、層間絶縁膜が形成され
た被処理基板４（以下、ウェハと称する）をバッキング
フィルム１２を介して保持するキャリア５と、研磨スラ
リーを研磨パッド上２に供給するノズル６を有する研磨
スラリ供給装置７とを有している。研磨パッド２をドレ
ッサ１０１によりドレッシング（研削）した後に、研磨
プレート回転軸１およびキャリア回転軸８を回転させ、
ノズル６から研磨パッド２の中央部に研磨スラリ１０を
供給しながら、研磨圧力調整機構９によりウェハ４を研
磨パッド２上に押圧させてウェハ４の研磨を行うもので
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の化学
的機械研磨方法では、ウェハ４に形成された配線層上に
層間絶縁膜層を形成する時に発生する段差のうち、配線
の側方の段差である、いわゆるローカル段差の解消は容
易であるが、配線密度の差による大きな面積領域間に生
じる段差である、いわゆるグローバル段差の解消は難し
い。このため、リソグラフィー技術からの要請に十分に
答えるだけのグローバル平坦化性能が得られるに至って
おらず、化学的機械研磨の大きな課題となっている。

【０００５】このため、従来においては、配線層の形成
密度を粗密差のないようにウェハ面内において揃えるこ
とにより、化学的機械研磨においてグローバル平坦化の
必要がなくてすむ方法を採ってきた。しかしながら、こ
の方法では設計的に負担が大きいことと、設計ルール上
の制約により設計自由度が少なく、チップサイズの縮小
の妨げとなることがあるという不利益が存在した。

【０００６】また、グローバル段差を解消する他の方法
として、グローバル段差を有する層間絶縁膜うち、高さ
の高い領域のみをレジストマスクを形成して選択的に除
去した後に当該マスクを除去し、その後に化学的機械研
磨を行う方法も知られている。しかしながら、この方法
では、レジストマスクに合わせずれが生じてもよいよう
に、レジストマスクの合わせズレ領域を見込むため、こ
の合わせズレ領域に化学的機械研磨によってグローバル
段差を生じる可能性があるという不利益が存在する。

【０００７】本発明は、上述の不利益を解消すべくなさ
れたものであって、化学的機械研磨による層間絶縁膜の
平坦化プロセスにおいて、配線層の設計自由度を損なう
ことなく、比較的簡易にかつ安価にグローバル段差を低
減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に所定のパターンに形成された配線層を覆うように絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に塗布膜を形成する
工程と、前記絶縁膜の前記配線層形成領域と配線層非形
成領域との間に生じる段差を形成する段差高部および段
差低部のうち、段差高部上に形成された塗布膜のみを選
択的に除去する工程と、前記段差低部に残存した前記塗
布膜をマスクとして前記絶縁膜にエッチング処理を施し
て、前記段差高部を前記段差低部の高さまで除去する工
程と、前記塗布膜および前記絶縁膜に対して一連の化学
的機械研磨を施して、当該塗布膜を除去し、かつ前記絶
縁膜を平坦化する工程とを有する。

【０００９】本発明では、配線層によって生じる絶縁膜
の段差のうち、段差の低い領域を選択的に塗布膜によっ
てカバーしておき、段差の高い領域を選択的にエッチン
グして配線層による段差を予め低減した後に、絶縁膜に
化学的機械研磨を施して平坦化を行なう。このため、配
線層によって生じるグローバル段差を解消でき、化学的
機械研磨の特徴であるローカル平坦化に優れた点と合わ
せて、配線層の配置になんら規制を加えることなく、安
価にかつ比較的簡易に配線層によるローカルおよびグロ
ーバル段差を共に解消することができる。また、塗布膜
をマスクとして絶縁膜の段差の高い領域を選択的にエッ
チングした状態では、絶縁膜上の段差部付近に突起状部
が形成されるが、この突起状部は、非常に小さな領域に
おいて形成されるため、化学的機械研磨を施することに
より、ローカル段差として容易に平坦化される。

【００１０】前記塗布膜は、前記絶縁膜よりも、エッチ
ング処理に対してはエッチング耐性を持ち、化学的機械
研磨に対しては高い研磨レートを有する材料で形成す
る。

【００１１】前記塗布膜を除去する工程では、直線状の
縁部を有する塗布膜除去部材を前記絶縁膜の段差高部面
に当接させ、当該段差高部面に沿って当該塗布膜除去部
材を摺動させて、前記塗布膜を選択的に除去する。

【００１２】本発明は、半導体基板上に所定のパターン
に形成された配線層を覆うように絶縁膜を形成する工程
と、犠牲膜を当該絶縁膜上に形成する工程と、前記犠牲
膜上に塗布膜を形成する工程と、前記犠牲膜上に形成さ
れた塗布膜の、前記絶縁膜の前記配線層形成領域と配線
層非形成領域との間に生じる段差を形成する段差高部お
よび段差低部のうち、段差高部上に形成された塗布膜の
みを選択的に除去する工程と、前記段差低部に残存した
前記塗布膜をマスクとして前記犠牲膜にエッチング処理
を施して当該犠牲膜を選択的に除去する工程と、前記残
存した塗布膜および犠牲膜をマスクとして前記絶縁膜に
エッチング処理を施して、当該絶縁膜の前記段差高部を
前記段差低部の高さまで除去する工程と、前記塗布膜、
前記犠牲膜および前記絶縁膜に対して一連の化学的機械
研磨を施して、当該塗布膜および犠牲膜を除去し、かつ
前記絶縁膜を平坦化する工程とを有する。

【００１３】本発明では、犠牲膜を塗布膜の下層に形成
することにより、犠牲膜は塗布膜を補助的に助ける役割
を果たし、塗布膜をマスクとして絶縁膜の段差高部を選
択的にエッチングする際に、塗布膜の下層の絶縁膜まで
エッチングされるのを防ぐ。

【００１４】前記塗布膜は、前記絶縁膜よりも、エッチ
ング処理に対してはエッチングレートが高く、かつ化学
的機械研磨に対しては高い研磨レートを有する材料で形
成する。

【００１５】前記犠牲膜は、前記絶縁膜よりもエッチン
グ耐性を有する材料で形成する。

【００１６】前記犠牲膜は、前記絶縁膜と化学的機械研
磨に対して同等の研磨レートを有する材料で形成する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。第１実施形態 図１〜図５は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施
形態に係る製造工程を説明するための断面図である。以
下に、図１〜図５を参照して本実施形態に係る半導体装
置の製造プロセスにを説明する。

【００１８】まず、図１に示すように、たとえば、酸化
シリコンからなる層間絶縁膜１３上にたとえば、たとえ
ば、ポリシリコンやメタルなどの配線層となる導電膜を
形成した後に、この導電膜上に、たとえばフォトリソグ
ラフィ技術によってレジスト膜をパターニングし、この
レジスト膜をマスクとしてドライエッチなどのエッチン
グ技術を用いて選択的に除去することで配線層１４を形
成する。その後に、配線層１４を覆うように層間絶縁膜
１３上に、例えば、酸化シリコンからなる絶縁膜をＣＶ
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 法などによって堆積
し、層間絶縁膜１５を形成する。なお、層間絶縁膜１３
は、図示しない半導体基板上に一または複数の層を介し
て形成されており、また、ここまでの工程は、通常の半
導体デバイスの製造プロセスにしたがって行なわれる。

【００１９】図１に示すように、層間絶縁膜１５には、
配線層１４が形成された配線層形成領域Ａと配線層が形
成されていない配線層非形成領域Ｂとの境界部には、段
差部Ｄが形成される。この段差部Ｄががいわゆるグロー
バル段差である。従来の化学的機械研磨法による層間絶
縁膜１５においては、このグローバル段差の平坦化特性
を向上させることが課題である。一方、化学的機械研磨
法は、たとえば、層間絶縁膜１５の配線層形成領域Ａあ
るいは配線層非形成領域Ｂ上の段差、すなわち、ローカ
ル段差の平坦化特性は高いという特徴を有している。

【００２０】本実施形態では、図１に示す状態から、図
２に示すように、層間絶縁膜１５上に塗布膜１６を形成
する。塗布膜１６の形成は、まず、少なくとも層間絶縁
膜１３、配線層１４および層間絶縁膜１５が形成された
半導体基板としてのウェハをスピンコータに装着する。
次いで、塗布膜１６を形成するための塗布剤をウェハに
吐出した後に、当該ウェハを例えば３０００回転／分で
回転させる。これにより、図２に示すように、塗布膜１
６が層間絶縁膜１５の全面に形成される。

【００２１】なお、塗布膜１６は、層間絶縁膜１５のド
ライエッチ時にエッチング耐性があり、かつ化学的機械
研磨時には層間絶縁膜１５に比べてエッチングレートが
高い性能を有する膜とするのが好ましい。塗布膜１６と
しては、たとえば、ＳＯＧ（Spin-on-Glass)膜におい
て、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）の粉末を主成
分としこれにたとえば、窒化シリコン（ＳｉＮ）を混合
した材料からなる膜が望ましい。塗布膜１６は、スピン
コータにおいてウェハ上に吐出する際には、たとえばア
ルコールに酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）の粉末に窒化シリ
コン（ＳｉＮ）を混合した材料が分散されている。な
お、本実施形態の塗布膜１６に用いる他の材料として
は、たとえば、フォトレジスト、ＰＩＸまたはＡＰＬな
どの流動性無機物あるいは流動性有機物などの材料があ
る。

【００２２】次いで、直線状の縁部２１ａを有する塗布
膜除去部材２１を用いて、これを層間絶縁膜１５上に当
接させて、層間絶縁膜１５に沿って面状に摺動させなが
ら層間絶縁膜１５の配線層形成領域Ａ上に形成された塗
布膜１６を選択的に除去する。これにより、配線層形成
領域Ａ上に形成された塗布膜１６は除去され、配線層非
形成領域Ｂ上、すなわち、段差低部に充填された塗布膜
１６のみが残存することになる。塗布膜除去部材２１
は、直線状の縁部２１ａを有する板状、角棒状または丸
棒状の棒状体からなり、材質としては、たとえば、ステ
ンレスや鉄などの金属材料、硬質ゴムやシリコンゴムな
どのゴム材料、あるいはシリコンなどが使用可能であ
る。

【００２３】次いで、配線層非形成領域Ｂ上、すなわ
ち、段差低部に充填された塗布膜１６を分散している溶
剤を乾燥させて、塗布膜１６を固化したのち、図４に示
すように、塗布膜１６をマスクとして層間絶縁膜１５の
配線層形成領域Ａを所定の膜厚でエッチング加工する。
エッチングには、たとえば、反応性イオンエッチングな
どのドライエッチングを用いる。このエッチング加工で
は、塗布膜１６を構成するＳＯＧ中に窒化シリコンが含
有しており、層間絶縁膜１５が酸化シリコンからなるこ
とから、塗布膜１６にはエッチング耐性を有することに
なり、マスクとして機能する。

【００２４】配線層形成領域Ａにおける層間絶縁膜１５
のエッチング量は、層間絶縁膜１５の配線層非形成領域
Ｂの高さと等しくなるように設定する。このエッチング
加工により、層間絶縁膜１５には、平坦化された配線層
形成領域Ａおよび配線層非形成領域Ｂとの境界付近、す
なわち段差部Ｄ付近に突起部Ｅが形成される。

【００２５】次に、突起部Ｅが形成されされた層間絶縁
膜１５に対して化学的機械研磨を行なって、層間絶縁膜
１５を平坦化する。平坦化後の状態を図５に示す。ここ
で、塗布膜１６を構成するＳＯＧ膜は、層間絶縁膜１５
を構成するＣＶＤ法によって堆積された酸化シリコンよ
りも膜密度が小さい、いわゆるポーラスな膜となってい
る。したがって、この化学的機械研磨による平坦化工程
では、塗布膜１６の化学的機械研磨による研磨レート
が、層間絶縁膜１５を構成する酸化シリコン膜の研磨レ
ートに対して大きな値となっている。このため、層間絶
縁膜１５の段差低部（配線層非形成領域Ｂ）に選択的に
埋め込まれていた塗布膜１６は、化学的機械研磨によっ
て新たな段差増を生じることがない。また、層間絶縁膜
１５の突起部Ｅは、形成領域が小さいことから、現行の
化学的機械研磨によって新たなグローバル段差を生じる
ことなく、グローバル段差部Ｄの平坦化が可能となる。

【００２６】また、本実施形態によれば、層間絶縁膜１
５に存在したグローバル段差部Ｄは、図４において説明
したように、層間絶縁膜１５の段差高部（配線層形成領
域Ａ）をドライエッチングした際の層間絶縁膜１５のエ
ッチング後の配線層形成領域Ａの表出面の高さと、層間
絶縁膜１５の配線層非形成領域Ｂ、すなわち段差低部の
表出面（上面）の高さとが正確に一致するように、ドラ
イエッチングのエッチング量を正確に制御することで、
層間絶縁膜のグローバル段差を殆ど完全になくすことが
可能となる。

【００２７】なお、本実施形態では、図５において説明
した化学的機械研磨による平坦化工程において、塗布膜
１６と層間絶縁膜１５の一部を一連の化学的機械研磨に
よって除去するものとしたが、本発明はこれに限定され
ない。塗布膜１６を所定のエッチング処理によって選択
的に除去したのち、層間絶縁膜１５を化学的機械研磨に
よって平坦化する工程としても良い。

【００２８】第２実施形態 図６〜図９は、本発明の半導体装置の製造方法の第２の
実施形態に係る製造工程を説明するための断面図であ
る。以下、図６〜図９を参照して本実施形態に係る製造
方法について説明する。

【００２９】まず、図６に示すように、第１の実施形態
と同様に、層間絶縁膜１３上に配線層１４を形成し、そ
の上に層間絶縁膜１５を形成する。ここで、本実施形態
では、犠牲膜１７を層間絶縁膜１５上に形成する。犠牲
膜１７は、ドライエッチングあるいはウェットエッチン
グよるエッチング加工において、シリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜１５よりもエッチング耐性を有し、かつ化
学的機械研磨時の研磨レートは層間絶縁膜１５と同等で
ある膜とするのが好ましい。

【００３０】次いで、犠牲膜１７上に塗布膜１８を形成
する。塗布膜１８の形成は、上述の第１の実施形態と同
様の方法で形成する。ただし、本実施形態における塗布
膜１８は、層間絶縁膜１５よりも、化学的機械研磨時の
研磨レートが高く、層間絶縁膜１５のエッチングレート
よりも大きなエッチングレートを持つ膜とする。たとえ
ば、ＳＯＧにおいて、酸化シリコン粉を主成分としたも
のなどが好ましい。

【００３１】次いで、第１の実施形態と同様に、直線状
の縁部２１ａを有する塗布膜除去部材２１を用いて、こ
れを配線層形成領域Ａの犠牲膜１７上に当接させて、犠
牲膜１７に沿って面状に摺動させながら犠牲膜１７の配
線層形成領域Ａ上に形成された塗布膜１８を選択的に除
去する。これにより、配線層形成領域Ａ上に形成された
塗布膜１８は除去され、配線層非形成領域Ｂ上、すなわ
ち、段差低部に充填された塗布膜１８のみが残存するこ
とになる。

【００３２】その後、この段差低部に選択的に充填した
塗布膜１８をマスクにして、層間絶縁膜１５の段差高部
（配線層形成領域Ａ）のエッチングレートの低い犠牲膜
１７をドライエッチングする。この状態を図７に示す。
このエッチング処理によって、塗布膜１８の一部も除去
される。

【００３３】次に、選択的なエッチングによって、残存
した犠牲膜１７および段差低部に選択的に充填された塗
布膜１８をマスクにして、層間絶縁膜１５の段差高部
を、たとえばドライエッチングによりエッチングする。
この状態を図８に示す。このエッチング処理により、さ
らに、塗布膜１８の膜厚は減少するが、エッチング耐性
のある犠牲膜１７によって、段差低部（配線層非形成領
域Ｂ）の層間絶縁膜１５はエッチングされずに守られて
いる。この工程において、段差部Ｄの肩の部分に層間絶
縁膜の突起部Ｅが形成される。この突起部Ｅは、後の工
程における化学的機械研磨で容易に除去され、グローバ
ル段差にはなんら影響を与えない。

【００３４】化学的機械研磨工程の後の状態を図９に示
す。ここでは、ＳＯＧからなる塗布膜１８の化学的機械
研磨の研磨レートが層間絶縁膜１５よりも大きく、かつ
犠牲膜１７の化学的機械研磨の研磨レートは層間絶縁膜
１５とほぼ同等であることから、図９に示すような、ロ
ーカルおよびグローバルに平坦な層間絶縁膜１５が得ら
れる。

【００３５】以上のように、本実施形態によれば、第１
実施形態と同様に、層間絶縁膜１５の段差高部をドライ
エッチングした際に、段差低部の層間絶縁膜１５の上面
の高さと同じ高さとなるようにドライエッチング処理を
正確に制御することで、層間絶縁膜１５のグローバル段
差を殆ど完全になくすことが可能となる。

【００３６】なお、本実施形態では、図５において説明
した化学的機械研磨による平坦化工程において、塗布膜
１６と層間絶縁膜１５の一部を一連の化学的機械研磨に
よって除去するものとしたが、本発明はこれに限定され
ない。塗布膜１８および犠牲膜１７を所定のエッチング
処理によって選択的に除去したのち、層間絶縁膜１５を
化学的機械研磨によって平坦化する工程としても良い。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁膜の段差高部の選
択エッチングのためのマスク合わせが不要で、このマス
ク合わせの領域の幅に比べて遥かに狭い領域のみに層間
絶縁膜の突起が生じることで化学的機械研磨でのグロー
バル段差に与える影響を非常に小さくすることができ
る。このため、絶縁膜におけるグローバル段差も殆ど完
全になくすことが可能となる。また、塗布膜を形成する
ＳＯＧ等の塗布系材料の特性が一般的な材料に近いた
め、特殊なＳＯＧ等を合成する必要がないという利点が
ある。さらに、配線層の設計に制約を加える必要性がな
くなるため、設計での負担が低減され、設計期間の短縮
も可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態に
係る製造工程を説明するための断面図である。

【図２】図１に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図３】図２に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図４】図３に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図５】図４に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図６】本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施形
態に係る製造工程を説明するための断面図である。

【図７】図６に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図８】図７に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図９】図８に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図１０】化学的機械研磨装置の構造の一例を示す概略
断面図。

【符号の説明】

１３…層間絶縁膜、１４…配線層、１５…層間絶縁膜、
１６…塗布膜、２１…塗布膜除去部材、２１ａ…縁部、
Ａ…配線層形成領域、Ｂ…配線層非形成領域、Ｄ…段差
部、Ｅ…突起部。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板上に所定のパターンに形成され
   た配線層を覆うように絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に塗布膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の前記配線層形成領域と配線層非形成領域と
   の間に生じる段差を形成する段差高部および段差低部の
   うち、段差高部上に形成された塗布膜のみを選択的に除
   去する工程と、 前記段差低部に残存した前記塗布膜をマスクとして前記
   絶縁膜にエッチング処理を施して、前記段差高部を前記
   段差低部の高さまで除去する工程と、 前記塗布膜および前記絶縁膜に対して一連の化学的機械
   研磨を施して、当該塗布膜を除去し、かつ前記絶縁膜を
   平坦化する工程とを有する半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】半導体基板上に所定のパターンに形成され
   た配線層を覆うように絶縁膜を形成する工程と、 犠牲膜を当該絶縁膜上に形成する工程と、 前記犠牲膜上に塗布膜を形成する工程と、 前記犠牲膜上に形成された塗布膜の、前記絶縁膜の前記
   配線層形成領域と配線層非形成領域との間に生じる段差
   を形成する段差高部および段差低部のうち、段差高部上
   に形成された塗布膜のみを選択的に除去する工程と、 前記段差低部に残存した前記塗布膜をマスクとして前記
   犠牲膜にエッチング処理を施して当該犠牲膜を選択的に
   除去する工程と、 前記残存した塗布膜および犠牲膜をマスクとして前記絶
   縁膜にエッチング処理を施して、当該絶縁膜の前記段差
   高部を前記段差低部の高さまで除去する工程と、 前記塗布膜、前記犠牲膜および前記絶縁膜に対して一連
   の化学的機械研磨を施して、当該塗布膜および犠牲膜を
   除去し、かつ前記絶縁膜を平坦化する工程とを有する半
   導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】前記絶縁膜を平坦化する工程の前工程とし
   て、前記塗布膜を除去する工程をさらに有する請求項１
   に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】前記絶縁膜を平坦化する工程の前工程とし
   て、前記塗布膜および犠牲膜を除去する工程をさらに有
   する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記塗布膜は、前記絶縁膜よりも、エッチ
   ング処理に対してはエッチング耐性を有し、かつ、化学
   的機械研磨に対しては高い研磨レートを有する材料で形
   成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記塗布膜を除去する工程では、直線状の
   縁部を有する塗布膜除去部材を前記絶縁膜の段差高部面
   に当接させ、当該段差高部面に沿って当該塗布膜除去部
   材を摺動させて、前記塗布膜を選択的に除去する請求項
   １に記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記塗布膜除去部材は、金属、石英、シリ
   コン、シリコンゴム、硬質プラスチックのいずれかの材
   料から形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方
   法。
8. 【請求項８】前記塗布膜は、前記絶縁膜よりも、エッチ
   ング処理に対してはエッチングレートが高く、かつ化学
   的機械研磨に対しては高い研磨レートを有する材料で形
   成する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】前記犠牲膜は、前記絶縁膜よりも、エッチ
   ング処理に対してはエッチング耐性を有する材料で形成
   する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】前記犠牲膜は、前記絶縁膜と化学的機械
    研磨に対して同等の研磨レートを有する材料で形成する
    請求項２に記載の半導体装置の製造方法。