JPH1129582A - ジフルオロメチレンオキシ基を有する新規液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
ジフルオロメチレンオキシ基を有する新規液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子Info
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
きな比抵抗値あるいは高い電圧保持率)、それらの小さ
な温度依存性、広い液晶相温度範囲、優れた相溶性、低
粘性、を有する液晶性化合物、および低いしきい値電
圧、高い電気絶縁性、低い粘性を実現できる液晶組成物
および液晶表示素子を提供すること。 【解決手段】 一般式(1)で表される液晶性化合物、
該液晶性化合物を含有する液晶組成物、及びこの液晶組
成物を用いて構成した液晶表示素子。 【化1】
Description
および液晶組成物に関し、さらに詳しくは、シラシクロ
ヘキサン環とジフルオロメチレンオキシ基を同時に有す
る液晶性化合物、この化合物を含有する液晶組成物およ
びこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関す
る。
物なる用語は、液晶相を示す化合物および液晶相を示さ
ないが液晶組成物の構成成分として有用である化合物の
総称として用いられる。)を用いた表示素子は、時計、
電卓、ワープロ等のディスプレイやモニター等に広く利
用されている。液晶表示素子に用いる液晶組成物には、
低電圧駆動を実現するために低いしきい値電圧を有し、
また良好な表示品位を実現するために高い電気絶縁性
(大きな比抵抗値あるいは高い電圧保持率)を有し、か
つ、それらの特性の温度依存性が小さく、広い液晶相温
度範囲を有し、他の液晶材料との相溶性に優れ、低粘性
であること等の物性が求められている。特に低いしきい
値電圧を有する液晶組成物を提供するためには、大きな
誘電率異方性値を持つ液晶性化合物をその構成要素に使
用することが望ましい。上記の諸特性、すなわち大きな
誘電率異方性値、高い電気絶縁性(大きな比抵抗値ある
いは高い電圧保持率)、低粘性、それらの小さな温度依
存性、広い液晶相温度範囲、優れた相溶性、を実現する
ことを目標に、シラシクロヘキサン環を有する液晶性化
合物が特開平7−70148号、特開平7−25227
3号、特開平7−173176号等に開示されている。
誘電率異方性値はいまだ十分大きくなく、しかも他の液
晶化合物との相溶性が悪く、かつ高い粘性を示すもので
あった。
の要求特性に鑑み、大きな誘電率異方性値および高い電
気絶縁性(大きな比抵抗値あるいは高い電圧保持率)を
持ち、それらの温度依存性が極めて小さく、他の液晶材
料との相溶性に優れ、かつ極めて低い粘性を示す液晶性
化合物、これを含有する液晶組成物および該液晶組成物
を用いて構成した液晶表示素子を提供することにある。
の解決のため鋭意研究の結果、一般式(1)
は分岐アルキル基を示し、これらのアルキル基中の任意
のメチレン基は−O−、−S−、−CO−、−CS−、
−CH=CH−、−C≡C−、−SiR3R4−、シクロ
プロパン−1,2−ジイル、シクロブタン−1,3−ジ
イル、またはビシクロ[1.1.1]ペンタン−1,3
−ジイルで置換されていてもよいが、−O−および−S
−が連続することはなく、R1中の1つ以上の水素原子
は、ハロゲン原子、またはシアノ基で置換されていても
よく;R2は水素原子がハロゲン原子またはシアノ基で
置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基、ハ
ロゲン原子、またはシアノ基を示し、このアルキル基中
の任意のメチレン基は−O−、−S−、−CO−、−C
S−、−CH=CH−、または−C≡C−で置換されて
もよいが、−O−および−S−が連続することはなく;
環A1、環A2、環A3および環A4は各々独立してシラシ
クロヘキサン環、1,4−シクロヘキシレン、1,4−
フェニレン、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−
2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはビシ
クロ[1.1.1]ペンタン−1,3−ジイルを示す
が、これらの環中の任意の1個または2個の水素原子は
ハロゲン原子で置換されていてもよく;Z1、Z2および
Z3は各々独立して単結合、または基中の水素原子の1
つ以上がハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1
〜4のアルキレン基を示し、このアルキレン基中の任意
のメチレン基は−O−、−S−、−CO−、−CS−、
−CH=CH−、−C≡C−、または−SiR3R4−で
置換されていてもよいが、−O−、−S−が連続するこ
とはなく;R3およびR4は水素原子、ハロゲン原子、炭
素数1〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のアルコ
キシ基を示し;mおよびnは各々独立して0または1を
示し;但し、A1、A2、A3およびA4のうち少なくとも
1つはシラシクロヘキサン環であり、かつ、Z1、Z2お
よびZ3のうち少なくとも1つは−CF2O−または−O
CF2−であり;また、これらの化合物を構成する原子
は、その同位体で置換されてもよい。)で表される液晶
性化合物が所望の特性を満足することを見いだした。
シラシクロヘキサン環は一般式(2−1)〜(2−4)
で表されるが、低い粘性および高い電気絶縁性(高い比
抵抗値あるいは高い電圧保持率)を発現するには、一般
式(2−1)または(2−2)で表される構造が特に好
ましい。また、シラシクロヘキサン環上のR5およびR6
は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜3の
アルキル基、または炭素数1〜3のアルコキシ基である
が、高い電気絶縁性(高い比抵抗値あるいは高い電圧保
持率)を発現するには、水素原子または炭素数1〜3の
アルキル基が好ましく、また低い粘性を発現するには、
水素原子またはメチル基がより好ましい。
30の直鎖のまたは分岐のアルキル基である。具体的に
は、直鎖アルキル基として、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、デシル、
ペンタデシル、イコシル等を、また分岐アルキル基とし
て、イソプロピル、sec−ブチル、tert−ブチ
ル、2−メチルブチル、イソペンチル、イソヘキシル、
3−エチルオクチル、3,8−ジメチルテトラデシル、
5−エチル−5−メチルノナデシル等を示すことができ
る。これらのアルキル基は−O−および−S−が連続し
ない限り、基中の任意のメチレン基が−O−、−S−、
−CO−、−CS−、−CH=CH−、−C≡C−、−
SiR3R4−、シクロプロパン−1,2−ジイル、シク
ロブタン−1,3−ジイル、またはビシクロ[1.1.
1]ペンタン−1,3−ジイルで置換されていてもよ
い。
アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、
アルカジエニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシア
ルケニル基、アルキニル基、アルキニルオキシ基、アル
コキシアルキニル基、シラニル基類、アルキルシリル
基、アルコキシシリル基、アルキルシリルアルキル基、
アルコキシシリルアルキル基、アルキルジシラニル基、
アルキルジシラニルアルキル基、アルキルトリシラニル
基等を示すことができる。また、これらの基中の1つ以
上の水素原子がハロゲン原子で置換されてもよく、その
例としてハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アルコ
キシ基、ハロゲン置換アルケニル基、ハロゲン置換アル
ケニルオキシ基、ハロゲン置換アルキニル基、ハロゲン
置換アルキニルオキシ基等を示すことができる。
る。基中の−CH2−が−O−で置換された基として、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチル
オキシ、ヘキシルオキシ、ノニルオキシ等のアルコキシ
基、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピ
ル、メトキシブチル、メトキシペンチル、メトキシオク
チル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロ
ピル、エトキシヘキシル、プロポキシメチル、プロポキ
シエチル、プロポキシプロピル、プロポキシペンチル、
ブトキシメチル、ブトキシエチル、ブトキシブチル、ペ
ンチルオキシメチル、ペンチルオキシブチル、ヘキシル
オキシメチル、ヘキシルオキシエチル、ヘキシルオキシ
プロピル、ヘプチルオキシメチル、オクチルオキシメチ
ル等のアルコキシアルキル基、2−メチルプロポキシ、
2−メチルペントキシ、1−メチルヘプトキシ等の分岐
アルコキシ基、を示すことができる。
として、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチ
ルチオ、ペンチルチオ基等を示すことができる。
された基として、ビニル、プロペニル、ブテニル、ペン
テニル、ヘキセニル、デセニル等のアルケニル基、メト
キシプロペニル、エトキシプロペニル、ペンチルオキシ
プロペニル、メトキシブテニル、エトキシブテニル、ペ
ンチルオキシブテニル、メトキシペンテニル、プロポキ
シペンテニル、メトキシヘキセニル、プロポキシヘキセ
ニル、メトキシヘプテニル、メトキシオクテニル等のア
ルコキシアルケニル基、プロペニルオキシ、ブテニルオ
キシ、ペンテニルオキシ、オクテニルオキシ、プロペニ
ルオキシメチル等のアルケニルオキシ基、プロペニルオ
キシエチル、プロペニルオキシブチル、ブテニルオキシ
メチル、ブテニルオキシエチル、ブテニルオキシペンチ
ル、ペンテニルオキシメチル、ペンテニルオキシプロピ
ル、ヘキセニルオキシメチル、ヘキセニルオキシエチ
ル、ヘプテニルオキシメチル、オクテニルオキシメチル
等のアルケニルオキシアルキル基、および、ブタジエニ
ル、ヘプタジエニル、ヘキサジエニル、ヘプタジエニ
ル、オクタジエニルおよびイコサジエニル等のアルカジ
エニル基、を示すことができる。
た基として、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチ
ニル、オクチニル等のアルキニル基、エチニルオキシ、
プロピニルオキシ、ブチニルオキシ、ペンチニルオキ
シ、テトラデシニルオキシ等のアルキニルオキシ基、お
よび、メトキシプロピニル、メトキシペンチニル、エト
キシブチニル、プロポキシプロピニル、ヘキシルオキシ
ヘプチニル、メトキシメチルブチニル、メトキシプロピ
ルエチニル、ブトキシメチルプロピニル等のアルコキシ
アルキニル基、を示すことができる。
された基として、メチルシリル、エチルシリル、プロピ
ルシリル、ブチルシリル、ペンチルシリル、ノニルシリ
ル等のアルキルシリル基、メチルシリルメチル、メチル
シリルエチル、メチルシリルプロピル、メチルシリルブ
チル、メチルシリルヘプチル、エチルシリルメチル、エ
チルシリルエチル、エチルシリルプロピル、エチルシリ
ルヘキシル、プロピルシリルメチル、プロピルシリルエ
チル、プロピルシリルプロピル、ブチルシリルメチル、
ブチルシリルエチル、ブチルシリルプロピル、ペンチル
シリルメチル、ヘキシルシリルメチル、ヘキシルシリル
エチル、ヘプチルシリルメチル、オクチルシリルメチル
等のアルキルシリルアルキル基、メトキシシリル、エト
キシシリル、プロポキシシリル、ブトキシシリル、ペン
チルオキシシリル、オクチルオキシシリル等のアルコキ
シシリル基、シラニル、ジシラニル、トリシラニル、テ
トラシラニル、ペンタシラニル、デカシラニル等のシラ
ニル基類、
ロピルジシラニル、ブチルジシラニル、ペンチルジシラ
ニル等のアルキルジシラニル基、メチルトリシラニル、
エチルトリシラニル、プロピルトリシラニル、ヘキシル
トリシラニル等のアルキルトリシラニル基、メチルノナ
シラニル、メチルジシラニルメチル、メチルジシラニル
エチル、メチルジシラニルペンチル、エチルジシラニル
メチル、エチルジシラニルエチル、エチルジシラニルブ
チル、エチルジシラニルヘキシル、プロピルジシラニル
メチル、ブチルジシラニルペンチル、ペンチルジシラニ
ルメチル、ヘキシルジシラニルエチル、ヘプチルジシラ
ニルメチル等のアルキルジシラニルアルキル基、メチル
トリシラニルメチル、メチルトリシラニルペンチル、エ
チルトリシラニルメチル、エチルトリシラニルプロピ
ル、プロピルトリシラニルメチル、プロピルトリシラニ
ルブチル、ブチルトリシラニルメチル、ペンチルトリシ
ラニルメチル、ヘキシルトリシラニルメチル等のアルキ
ルトリシラニルアルキル基、
チルヘプタシラニルメチル、メチルオクタシラニルメチ
ル、2−フルオロエチルシリル、3,3−ジフルオロプ
ロピルシリル、1,2,3,3−テトラフルオロプロピ
ルシリル、トリメチルシリル、ジメチルエチルシリル、
ジメチルプロピルシリル、ジメチルブチルシリル、ジメ
チルペンチルシリル、およびトリメチルシリルメチル、
等の基を示すことができる。
−で置換された基として、メチルカルボニル、メチルチ
オカルボニル、エチルカルボニル、プロピルカルボニ
ル、プロピルチオカルボニル、メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカ
ルボニル、ヘプチルオキシカルボニル、2−オキソプロ
ピル、2−オキソブチル、3−オキソブチル、2−オキ
ソペンチル、4−オキソペンチル、3−オキソヘキシ
ル、5−オキソヘキシル、2−オキソヘプチル、3−オ
キソヘプチル、6−オキソヘプチル、2−オキソオクチ
ル、4−オキソオクチル、7−オキソオクチル、3−オ
キソノニル、6−オキソノニル、8−オキソノニル、2
−オキソデシル、5−オキソデシル、および9−オキソ
デシル、等の基を示すことができる。
原子またはシアノ基で置換されていてもよく、具体的に
は、フルオロメチル、2−フルオロエチル、2ークロロ
エチル、1,2−ジフルオロエチル、3−フルオロプロ
ピル、3−クロロプロピル、4−フルオロブチル、5−
フルオロペンチル、6−フルオロヘキシル、8,8−ジ
フルオロオクチル等のハロゲン置換アルキル基、2−シ
アノエチル、3−シアノプロピル等のシアノ基置換アル
キル基、フルオロメトキシ、2−フルオロエトキシ等の
ハロゲン置換アルコキシ基、および、3−フルオロプロ
ペニル、4−フルオロ−1−ブテニル、4−フルオロ−
2−ブテニル、5−フルオロ−1−ペンテニル、5−フ
ルオロ−2−ペンテニル、5−フルオロ−3−ペンテニ
ル、6−フルオロ−1−ヘキセニル、6−フルオロ−3
−ヘキセニル、7−フルオロ−5−ヘプテニル、3−フ
ルオロ−2−プロペニル、3−クロロ−1−プロペニ
ル、4−フルオロ−3−ブテニル,5,5−ジフルオロ
−4−ペンテニル、3,3−ジフルオロヘキセニル、
8,8−ジフルオロ−7−オクテニル等のハロゲン置換
アルケニル基、を示すことができる。
2−ジイル、シクロブタン−1,3−ジイル、またはビ
シクロ[1.1.1]ペンタンで置換された基として、
シクロプロピル、2−メチルシクロプロピル、2−シク
ロヘキシルエチル、3−シクロヘキシルプロピル、3−
(シクロプロピル)プロピル、3−メチルシクロブチ
ル、3−プロピルシクロブチル、3−プロピルビシクロ
[1.1.1]ペンチル、3−ブチルビシクロ[1.
1.1]ペンチル、等の基を示すことができる。
を発現させるには、R1としては上記の基の中で、アル
キル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケ
ニル基、アルコキシアルケニル基、アルキルシリル基、
ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アルコキシ基、
およびハロゲン置換アルケニル基が好ましく、中でもア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロ
ゲン置換アルキル基、およびハロゲン置換アルコキシ基
がさらに好ましい。一般式(1)において、R2は水素
原子がハロゲン原子またはシアノ基で置換されてもよい
炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、またはシ
アノ基であり、このアルキル基中の任意のメチレン基は
−O−、−S−、−CO−、−CS−、−CH=CH
−、または−C≡C−で置換されていてもよいが、−O
−および−S−が連続することはない。
電率異方性値を発現させる好ましいR2として、具体的
には、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、−CF3、−
OCF3、−SCF3、−COCF3、−CH2OCF3、
−C≡C−CF3、−CF2H、−OCF2H、−SCF2
H、−C≡C−CF2H、−CF2CF3、−OCF2CF
3、−SCF2CF3、−CFHCF3、−OCFHC
F3、−CH2CF3、−OCH2CF3、−CF2CF
2H、−OCF2CF2H、−SCF2CF2H、−CF2C
FH2、−OCF2CFH2、−CF2CF2CF3、−OC
F2CF2CF3、−SCF2CF2CF3、−CF2CFH
CF3、−OCF2CFHCF3、−SCF2CFHC
F3、−CF=CF2、−OCF=CF2、−OCF=C
FCF3、−C≡C−CN、−CH=CH−CN、−C
H=CF−CN、および−CH=CF2を示すことがで
きる。
低い粘性、高い電気絶縁性(高い比抵抗値あるいは高い
電圧保持率)を発現させるより好ましいR2として、フ
ッ素原子、塩素原子、−CF3、−OCF3、−SC
F3、−CH2OCF3、−CF2H、−OCF2H、−S
CF2H、−CF2CF3、−OCF2CF3、−SCF2C
F3、−CFHCF3、−OCFHCF3、−CH2C
F3、−OCH2CF3、−CF2CF2H、−OCF2CF
2H、−SCF2CF2H、−CF2CFH2、−OCF2C
FH2、−OCF2CFHCF3、−SCF2CFHC
F3、−OCF=CF2、−OCF=CFCF3、−OC
H2CF2H、−OCH=CF2、および−OC3F7を示
すことができる。
独立して、シラシクロヘキサン環、1,4−シクロヘキ
シレン、1,4−フェニレン、またはビシクロ[1.
1.1]ペンタン−1,3−ジイルであるが、本発明の
目的を達成するためには、環A1〜環A4の内少なくとも
1つはシラシクロヘキサン環である。
A1、環A2、環A3および環A4に適した環として、1,
4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、フルオロ
−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−1,4−
フェニレン、3,5−ジフルオロ−1,4−フェニレ
ン、クロロ−1,4−フェニレン、3,5−ジクロロ−
1,4−フェニレン、3−フルオロ−5−クロロフェニ
レン、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5
−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、およ
びテトラヒドロピラン−2,5−ジイルを示すことがで
きる。また、これらの六員環でシス−トランス異性体が
存在する場合には、環の立体構造がトランス型であるも
のが好ましい。
合、または基中の水素原子の1つ以上がハロゲン原子で
置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキレン基であ
り、アルキレン基中の任意のメチレン基は−O−、−C
O−、−CS−、−CH=CH−、−C≡C−または−
SiR3R4−で置換されていてもよいが、−O−が連続
することはない。本発明の目的を達成するためには、Z
1〜Z3のうち少なくとも1つはジフルオロメチレンオキ
シ基である。ジフルオロメチレンオキシ基以外では、Z
1、Z2およびZ3は、単結合、エチレンまたはブチレン
が好ましい。また、アルキレン基中のメチレン基が−O
−、−CO−、−CS−、−CH=CH−、−C≡C−
または−SiR3R4−で置換されている好ましい基とし
て、1,2−ジシランジイル、1,1,2,2−テトラ
メチルジシランジイル、テトラシラン−1,4−ジイ
ル、1−シラエチレン、1,1−ジメチル−1−シラエ
チレン、2−シラエチレン、2,2−ジメチル−2−シ
ラエチレン、1−シラ−1,4−ブチレン、2−シラ−
1,4−ブチレンおよび3−シラ−1,4−ブチレン等
の−SiR3R4−を有する基、オキシメチレン、メチレ
ンオキシ、1−オキサ−1,4−ブチレン、2−オキサ
−1,4−ブチレン、3−オキサ−1,4−ブチレン、
4−オキサ−1,4−ブチレン、およびエステル結合等
の−O−を有する基、ビニレン、1−ブテニレン、2−
ブテニレンおよび3−ブテニレン等の−CH=CH−を
有する基、
レンおよび3−ブチニレン等の−C≡C−を有する基、
並びに前記各基中の1個以上の水素原子がハロゲン原子
で置換された基、例えばフルオロメチレンオキシ、オキ
シフルオロメチレン、1,1−ジフルオロエチレン、
2,2−ジフルオロエチレン、1,2−ジフルオロビニ
レン、1−フルオロビニレン、1−クロロ−2−フルオ
ロビニレン、1,2−ジフルオロ−1−ブテニレン、
2,3−ジフルオロ−2−ブテニレン、3、4−ジフル
オロ−3−ブテニレン、その他3−オキサ−1−ブテニ
レンおよび4−オキサ−1−ブテニレン等を示すことが
できる。
1〜Z3の各々から選択される基の組み合わせからなる、
全ての本発明化合物は、本発明化合物固有の特性を有す
る好ましい化合物であるが、より好ましくはシラシクロ
ヘキサン環、ジフルオロメチルレンオキシ基をそれぞれ
1つづつ含む化合物である。このような化合物群のうち
格別に好ましい特性を有する一群の化合物は、以下の
(1−1)〜(1−160)に示される化合物である。
よびZ1〜Z3は前記と同様の意味を示す。) 上記の化合物群(1−1)〜(1−160)のうち、
(1−1)〜(1−8)は特に低い粘性を示し、(1−
65)〜(1−160)はネマチック−等方性液体相の
転移温度が高い。また、ジフルオロメチレンオキシ基が
−CF2O−である化合物は−OCF2−であるものに比
較し特に大きな誘電率異方性値を示す。本発明の一般式
(1)で示される液晶性化合物は、一般的な有機合成法
によって製造することができる。詳しくは、本発明の一
般式(1)で示される液晶性化合物の製造方法は、1)
シラシクロヘキサン環の構築と、2)ジフルオロメチレ
ンオキシ基の導入の2工程に大別される。シラシクロヘ
キサン環部位は R.West,J.Am.Chem.Soc.,76,6012(195
4)に記載された方法により構築することができる。
残基(メソジェン)を示し、R5、R6は前述と同様の意
味を示す。) すなわち、3−置換−1,5−ジブロモペンタン誘導体
(11)とマグネシウムとを反応させて得たグリニヤー
ル試薬に、クロロシラン誘導体(12)を作用させて閉
環し、化合物(13)(シラシクロヘキサン環が前述の
(2−1)および(2−2)である一般式(1)の化合
物)を製造することができる。クロロシラン誘導体(1
2)としてジクロロシラン誘導体(R5が水素原子であ
るもの)、トリクロロシラン誘導体(R5が塩素原子で
あるもの)、ジクロロフルオロシラン誘導体(R5がフ
ッ素原子であるもの)、およびアルキルジクロロシラン
誘導体(R5がアルキル基であるもの)を用いることに
よって、R5がそれぞれ水素原子、塩素原子、フッ素原
子、およびアルキル基である化合物(13)を製造する
ことができる。また、ジブロモペンタン誘導体(11)
にトリクロロシラン誘導体(14)を作用させて得たク
ロロシラシクロヘキサン環を持つ化合物(15)に、グ
リニヤール試薬(MG2−MgBr)またはリチウム試
薬(MG2−Li)を作用させて化合物(13)を製造
することもできる。
残基(メソジェン)を示し、R5、R6は前述と同様の意
味を示す。) 1,4−ジ置換−1,5−ジブロモペンタン誘導体(1
6)とマグネシウムとを反応させて得たグリニヤール試
薬に、ジクロロシラン誘導体(17)を作用させて閉環
し、化合物(18)(シラシクロヘキサン環が前述の
(2−3)および(2−4)である一般式(1)の化合
物)を製造することができる。
WO96/11897号に記載の方法に準じ、対応する
チオエステル化合物のチオカルボニル基を、適切なフッ
素化剤でジフルオロメチレン基に変換することで好適に
実施できる。
の意味を示す。) すなわち、ブロミド(19)にマグネシウムまたはリチ
ウムを作用させ、対応するグリニヤール試薬またはリチ
ウム試薬とし、これに二硫化炭素を作用させてジチオカ
ルボン酸誘導体(20)を得る。次いで、WO96/1
1897号に記載の方法に準じるか、または特願平08
−191530号に記載の方法に準じ、フェノールまた
はアルコール類(21)とジチオカルボン酸誘導体(2
0)との混合物に水素化ナトリウムを作用させ、それぞ
れナトリウム塩およびアルコラートに変換した後、ヨウ
素を作用させることで、チオン−O−エステル誘導体
(22)を得る。さらに、チオン−O−エステル誘導体
(22)にジエチルアミノサルファートリフルオリド
(DAST)を作用させることにより、あるいは、特開
平5−255165号に記載の方法に準じて、N−ブロ
モスクシンイミド(NBS)または1,3−ジブロモ−
5,5−ジメチルヒダントイン(DBH)の存在下に、
チオン−O−エステル誘導体(22)に二水素三フッ化
テトラブチルアンモニウムまたはHF−ピリジン錯体を
作用させることにより、チオカルボニル基をジフルオロ
メチレン基に変換し、一般式(1)の化合物を製造する
ことができる。
基に変換することによっても、一般式(1)の化合物を
製造することができる。すなわち、常法によって製造で
きるエステル誘導体(23)にローソン試薬を作用させ
てチオエステル誘導体(22)を製造することができ
る。チオエステル誘導体(22)は前述の方法で一般式
(1)の化合物へと誘導することができる。
の意味を示す。) 目的とする化合物に応じて、前述の各種の反応を適宜に
組み合わせることにより、本発明の全ての化合物を製造
することができる。また、前述の反応は全て公知の方法
であるが、必要によりさらに他の既知反応を使用できる
ことは言うまでもない。
合物は、極めて大きな誘電率異方性値、極めて低い粘性
および高い電気絶縁性(大きな比抵抗値あるいは高い電
圧保持率)を有し、それらの温度依存性が極めて小さ
く、種々の液晶材料と容易に混合し、低温下でも非常に
優れた相溶性を有する。また、これらの本発明液晶性化
合物は、液晶表示素子が通常使用される条件下において
物理的および化学的に十分安定であり、ネマチック液晶
組成物の構成成分として極めて優れている。本発明の液
晶性化合物は、ツイステッド・ネマチック(TN)方
式、スーパーツイステッド・ネマチック(STN)方
式、薄膜トランジスター(TFT)方式およびその他の
表示方式用の液晶組成物において、その構成成分として
好適に使用することができる。
個の六員環を有する化合物は低い等方相転移温度と低い
粘性を示し、3個または4個の六員環を有する化合物は
高い等方相転移温度を示す。分子内にシクロヘキサン
環、ジオキサン環、テトラヒドロピラン環を多く有する
化合物は比較的小さな屈折率異方性値を示し、ベンゼン
環、ピリジン環またはピリミジン環を有する化合物は広
い液晶相温度範囲および大きな屈折率異方性値を示し、
中でもピリジン環、ピリミジン環またはジオキサン環を
有する化合物は大きな誘電率異方性値を示す。一般式
(1)で表される化合物はいずれも極めて大きな誘電率
異方性値を示すが、環構造中の水素原子をフッ素原子あ
るいは塩素原子に置換することによって、より大きな誘
電率異方性値とすることが可能であり、同時に相溶性も
改善され得る。この場合、低い粘性を発現させるために
は、置換する原子はフッ素原子が好ましい。
結合を有する化合物は、大きな弾性定数比K33/K
11(ベンド弾性定数/スプレイ弾性定数)およびとりわ
け低い粘性を示すので、STN用組成物の構成成分とし
て用いると、T−V曲線の透過率の変化が急峻な組成物
が得られ、高いコントラストの表示素子を提供すること
ができる。R1、R2および/またはZ1〜Z3中に三重結
合を含む化合物は大きな屈折率異方性値および低粘性を
示し、ジ置換シリル基(−SiR3R4−)を含む化合物
は低いしきい値電圧および低粘性を示す。R1が光学活
性基である化合物は、キラルドープ剤として特に有用で
ある。これらを用いることでリバース・ツイスト・ドメ
インの発生を防止することができる。また、本発明の化
合物は、その構成原子が同位体で置換された場合も全く
同様の特性を示すことから、同様に好ましいものといえ
る。
る。本発明の液晶組成物は、一般式(1)で表される化
合物の少なくとも1種を0.1〜99.9重量%含有す
ることが、優良な特性を発現せしめるために好ましく、
より好ましくは、その含有量は1〜80重量%、さらに
好ましくは1〜60重量%である。さらに詳しくは、本
発明で提供される液晶組成物は、一般式(1)で表され
る化合物を少なくとも1種含有する第一成分に加え、液
晶組成物の目的に応じて、一般式(3)〜(10)で表
される化合物群から選択される化合物を混合することに
より完成する。本発明の液晶組成物に用いられる一般式
(3)〜(5)で表される化合物の好ましい例として以
下の化合物を挙げることができる。
を示す。) 一般式(3)〜(5)で表される化合物は誘電率異方性
値が正の化合物であり、熱的安定性や化学的安定性が非
常に優れており、特に電圧保持率の高い、あるいは比抵
抗値の大きいといった高信頼性が要求されるTFT用の
液晶組成物を調製する場合に、極めて有用な化合物であ
る。
般式(3)〜(5)で表される化合物は、液晶組成物の
全重量に対して0.1〜99.9重量%の範囲で使用で
きるが、好ましくは10〜97重量%、より好ましくは
40〜95重量%である。STNまたはTN用の液晶組
成物を調製する場合にも一般式(3)〜(5)で表され
る化合物を使用することができるが、50重量%以下の
使用量が好ましい。本発明の液晶組成物に用いられる一
般式(6)および(7)で表される化合物の好ましい例
として以下の化合物を挙げることができる。
の意味を示す。)一般式(6)および(7)で表される
化合物は誘電率異方性値が正でその値が大きく、特に液
晶組成物のしきい値電圧を低くする目的で使用される。
また、屈折率異方性値の調整、透明点を高くする等のネ
マチックレンジを広げる目的にも使用される。さらに、
STNまたはTN用の液晶組成物の電圧−透過率特性の
急峻性を改良する目的にも使用される。一般式(6)お
よび(7)で表される化合物は、STNおよびTN用の
液晶組成物を調製する場合に特に有用な化合物である。
液晶組成物中に一般式(6)および(7)で表される化
合物の量が増加すると、液晶組成物のしきい値電圧は低
くなるが、粘度が上昇する。したがって、液晶組成物の
粘度が要求値を満足している限り、多量に使用した方が
低電圧駆動ができるので有利である。STNまたはTN
用の液晶組成物を調製する場合には、一般式(5)およ
び(6)で表される化合物は0.1〜99.9重量%の
範囲で使用できるが、好ましくは10〜97重量%、よ
り好ましくは40〜95重量%である。
(8)〜(10)で表される化合物の好ましい例として
以下の化合物を挙げることができる。
味を示す。) 一般式(8)〜(10)で表される化合物は、誘電率異
方性の絶対値が小さく、ゼロに近い化合物である。一般
式(8)で表される化合物は主として液晶組成物の粘度
調整または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。
また、一般式(9)および(10)で表される化合物は
透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的ま
たは屈折率異方性値の調整の目的にも使用される。液晶
組成物中に一般式(8)〜(10)で表される化合物の
量が増加すると、液晶組成物のしきい値電圧が高くな
り、粘度が小さくなる。したがって、液晶組成物のしき
い値電圧が要求値を満足している限り、多量に使用する
ことが望ましい。TFT用の液晶組成物を調製する場合
には、一般式(8)〜(10)で表される化合物の使用
量は、好ましくは40重量%以下、より好ましくは35
重量%以下である。また、STNまたはTN用の液晶組
成物を調製する場合には、一般式(8)〜(10)で表
される化合物の使用量は、好ましくは70重量%以下、
より好ましくは60重量%以下である。
(Optically Compensated Bi
refringence)モード用液晶組成物等の特別
な場合を除き、液晶組成物のらせん構造を誘起して必要
なねじれ角を調整し、逆ねじれ(リバース・ツイスト)
を防ぐ目的で、通常、光学活性化合物を添加する。この
ような目的で公知のいずれの光学活性化合物も使用でき
るが、好ましい例として以下の光学活性化合物を挙げる
ことができる。
学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。
ねじれのピッチは、TFT用およびTN用の液晶組成物
であれば40〜200μmの範囲に調整するのが好まし
い。STN用の液晶組成物であれば6〜20μmの範囲
に調整するのが好ましい。双安定TN(Bistabl
e TN)モード用の場合は、1.5〜4μmの範囲に
調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調
整する目的で、2種以上の光学活性化合物を添加しても
よい。
される。一般には、種々の成分を高い温度で互いに溶解
させる方法がとられている。また、本発明の液晶組成物
は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン
系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、
およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホ
スト(GH)モード用の液晶組成物としても使用でき
る。あるいは、ネマチック液晶をマイクロカプセル化し
て作製したNCAPや液晶中に三次元網目状高分子を作
製したポリマーネットワーク液晶表示素子(PNLC
D)に代表されるポリマー分散型液晶表示素子(PDL
CD)用の液晶組成物としても使用できる。その他、複
屈折制御(ECB)モードや動的散乱(DS)モード用
の液晶組成物としても使用できる。
する。なお、各実施例中において、Cは結晶を、SAは
スメクチックA相を、SBはスメクチックB相を、SXは
相構造未解析のスメクチック相を、Nはネマチック相
を、Isoは等方性液体相を示し、相転移温度の単位は
全て℃である。
−4−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)フェニルジ
フルオロメトキシ)−1−トリフルオロメトキシベンゼ
ン(化合物No.2−117)の製造。
−1,5−ジブロモペンタンの製造 2−(3−フルオロフェニル)−1,3−プロパンジオ
ール(160mmol)、、キシレン50ml、および
臭化水素酸200mlの混合物を、生成する水を除去し
ながら、12時間加熱還流した。室温まで冷却した後、
トルエン150mlで抽出した。得られた有機層を希炭
酸水素ナトリウム水溶液で3回、水で3回洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去
して、粗製の2−(3−フルオロフェニル)−1,3−
ジブロモプロパン(160mmol、収率:定量的)を
得た。粗製の2−(3−フルオロフェニル)−1,3−
ジブロモプロパン(150mmol)、シアン化銅(3
30mmol)、ジメチルスルフォキシド(DMF)3
00mlの混合物を150℃で3時間加熱攪拌した。反
応終了後、水500mlを加え、トルエン500mlで
抽出した。有機層を水で3回洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去して、粗製の
2−(3−フルオロフェニル)−1,3−ジシアノプロ
パン(150mmol、収率:定量的)、を得た。
1,3−ジシアノプロパン(150mmol)、水酸化
ナトリウム(500mmol)、およびジエチレングリ
コール300mlの混合物を、攪拌しつつ徐々に加熱
し、190℃で8時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、
3N−塩酸1Lを徐々に加え、析出した結晶を濾取し水
洗した。得られた結晶を再結晶(溶媒:酢酸)により精
製し白色針状結晶の2−(3−フルオロフェニル)プロ
パン−1,3−ジカルボン酸(85ml、収率:57
%)を得た。2−(3−フルオロフェニル)プロパン−
1,3−ジカルボン酸(85mmol)、メタノール5
00ml、および硫酸15mlの混合物を3時間加熱還
流した。室温まで冷却した後、トルエン150mlで抽
出した。得られた有機層を希炭酸水素ナトリウム水溶液
で3回、水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。減圧下に溶媒を留去して、粗製のジエステル
(85mmol、収率:定量的)を得た。このものは精
製せずに次の反応に使用した。
ol)、およびテトラヒドロフラン(THF)50ml
の混合物に、上記の操作で得た粗製のジエステル(85
mmol)のTHF(200ml)溶液を、0℃以下を
保ちつつ滴下した。滴下終了後室温まで昇温し、同温度
で2時間攪拌した。反応液に2N−水酸化ナトリウム水
溶液200mlを、10℃以下で加え、40℃で20分
間攪拌し、白色の懸濁液を得た。生成した水酸化アルミ
ニウムを濾別し、濾液を減圧下に濃縮した。残留物をト
ルエンから再結晶して白色板状結晶の3−(3−フルオ
ロフェニル)−1,5−ペンタンジオール(79mmo
l、収率:93%)を得た。3−(3−フルオロフェニ
ル)−1,5−ペンタンジオール(75mmol)、キ
シレン20ml、および臭化水素酸100mlの混合物
を2時間加熱還流した。室温まで冷却した後、トルエン
100mlで抽出した。得られた有機層を希炭酸水素ナ
トリウム水溶液で3回、水で3回洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去して、残
査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:ト
ルエン/酢酸エチル=1/9(w/w))に付し、3−
(3−フルオロフェニル)−1,5−ジブロモペンタン
(65mmol、収率:87%)を得た。
−(3−フルオロフェニル)シラシクロヘキサンの製造 前段で得られた3−(3−フルオロフェニル)−1,5
−ジブロモペンタン(65mmol)のTHF(50m
l)溶液を、十分乾燥した金属マグネシウム(150m
mol)に添加し、1時間加熱還流した。室温まで冷却
し、1時間攪拌したのち、メチルペンチルジクロロシラ
ン(70mmol)を0℃以下で滴下し、室温で2時間
攪拌した。反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液10
0ml中に注ぎ、ヘプタン100mlで抽出した。得ら
れた有機層を水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去した後、残査をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:トルエン)
に付し1−メチル−1−ペンチル−4−(3−フルオロ
フェニル)シラシクロヘキサン(43mmol、収率:
66%)を得た。
ル)シラシクロヘキサン(43mmol)のTHF(9
0ml)溶液中に、sec−ブチルリチウム、シクロヘ
キサン(1.06M)溶液(43mmol相当)を−6
0℃以下を保ちながら滴下し、同温度で1時間攪拌し
た。次いで、反応混合物中に二硫化炭素(80mmo
l)を添加して2時間攪拌した。反応終了後、水50m
lを加え、ジエチルエーテル50mlで抽出した。得ら
れた有機層を水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した。減圧下に溶媒を留去し、赤色油状物
(粗製の2−フルオロ−4−(4−メチル−4−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)フェニルジチオカルボン
酸:15mmol、収率:34%)を得た。粗製の2−フ
ルオロ−4−(4−メチル−4−ペンチル−4−シラシ
クロヘキシル)フェニルジチオカルボン酸(15mmo
l)に塩化チオニル(15mmol)を加え、50℃で
1時間攪拌し、褐色溶液を得た。ここに乾燥トルエン5
0ml、ピリジン50ml、および3−フルオロ−4−
トリフルオロメトキシフェノール(30mmol)を順
次加えた後、50℃で5時間攪拌した。反応液にトルエ
ン50ml、および水100mlを加え十分に攪拌した
後、有機層を分取し、水で3回洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去した後、残
査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液:ト
ルエン)に付し、対応するチオン−O−エステル体(7
mmol、収率:46%)を得た。
(7mmol)のジクロロメタン(20ml)溶液に、
0℃以下で、DAST(9mmol)を加え、同温度で
5時間攪拌した。反応液にトルエン50ml、および水
50mlを加え、十分に攪拌した後、有機層を分取し、
水で3回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。減圧下に溶媒を留去した後、残査をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(溶出液:ヘプタン)、次いで再
結晶(溶媒:エタノール)に付し標題化合物(3.5m
mol、収率:50%)を得た。各種スペクトルデータ
は良くその構造を支持した。19 F−NMR:δ(ppm):−66.1(2F) MS:M+:523(7%)
を製造することができる。
として用いた場合の実施例(使用例)を示す。なお、組
成物例および後述の実施例中の化合物は、以下に示した
定義によって記号化して表記した。
トランスー1,4−シクロヘキシレンの水素原子が、Q
1、Q2およびQ3の位置で重水素原子で置換された場合
には、記号:H[1D,2D,3D]と表記し、また
Q5、Q6およびQ7の位置で置換された場合は、記号:H
[5D,6D,7D]と表記して、[ ]内の番号で重
水素置換位置を示した。
特に断りのない限り「%」は「重量%」を示し、化合物
にシス−トランス異性体が存在する場合には、その化合
物はトランス型である。
化合物(C−1)を合成した。
(A)を調製した。ネマチック液晶組成物(A)のネマ
チック相−等方相転移温度は71.7℃、Δεは11.
0、Δnは0.137、20℃における粘度は27.0
mPa・sであった。
と化合物(C−1)の15重量%とからなるネマチック
液晶組成物(B)を調製した。ネマチック液晶組成物
(B)のネマチック相−等方相転移温度、Δε、Δn、
20℃における粘度は、それぞれ68.7℃、11.
1、0.128、35.6mPa・sであった。
と本発明の化合物(化合物No.2−15)の15重量
%とからなるネマチック液晶組成物(C)を調製した。
ネマチック液晶組成物(C)のネマチック相−等方相転
移温度、Δε、Δn、20℃における粘度は、それぞれ
69.9℃、16.8 、0.135、22.8mPa
・sであった。
ε、極めて低い粘性、高い電気絶縁性(高い電圧比抵抗
値あるいは高い電圧保持率)を有し、それらの温度依存
性が極めて小さい上、他の液晶材料との相溶性が改善さ
れている。また、本発明の液晶性化合物は置換基を適当
に選択することにより、所望の物性を有する新たな液晶
性化合物を提供することができる。従って 、本発明の
液晶性化合物を液晶組成物の成分として用いることによ
り、極めて低いしきい値電圧、高い電圧保持率を有し、
その温度依存性が極めて小さく、他の液晶材料との相溶
性に優れている新たな液晶組成物を提供することがで
き、これを用いた優れた液晶表示素子を提供することが
できる。
Claims (9)
- 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、R1は炭素数1〜30の直鎖または分岐アルキ
ル基を示し、これらのアルキル基中の任意のメチレン基
は−O−、−S−、−CO−、−CS−、−CH=CH
−、−C≡C−、−SiR3R4−、シクロプロパン−
1,2−ジイル、シクロブタン−1,3−ジイル、また
はビシクロ[1.1.1]ペンタン−1,3−ジイルで
置換されていてもよいが、−O−および−S−が連続す
ることはなく、R1中の1つ以上の水素原子は、ハロゲ
ン原子またはシアノ基で置換されていてもよく;R2は
水素原子がハロゲン原子またはシアノ基で置換されても
よい炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン原子、また
はシアノ基を示し、これらの基中の任意のメチレン基は
−O−、−S−、−CO−、−CS−、−CH=CH
−、または−C≡C−で置換されていてもよいが、−O
−および−S−が連続することはなく;環A1、環A2、
環A3および環A4は各々独立してシラシクロヘキサン
環、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、
ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイ
ル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、テトラヒド
ロピラン−2,5−ジイル、またはビシクロ[1.1.
1]ペンタン−1,3−ジイルを示すが、これらの環中
の任意の1個または2個の水素原子はハロゲン原子で置
換されていてもよく;Z1、Z2およびZ3は各々独立し
て単結合または基中の水素原子の1つ以上がハロゲン原
子で置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキレン基
を示し、このアルキレン基中の任意のメチレン基は−O
−、−S−、−CO−、−CS−、−CH=CH−、−
C≡C−または−SiR3R4−で置換されていてもよい
が、−O−および−S−が連続することはなく;R3お
よびR4は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素
数1〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のアルコキ
シ基を示し;mおよびnは各々独立して0または1を示
し;但し、A1、A2、A3およびA4のうち少なくとも1
つはシラシクロヘキサン環であり、かつ、Z1、Z2およ
びZ3のうち少なくとも1つは−CF2O−ないし−OC
F2−であり;また、これらの化合物を構成する原子
は、その同位体で置換されてもよい。)で表される液晶
性化合物。 - 【請求項2】 シラシクロヘキサン環が、一般式(2−
1)〜(2−4)のいずれかである請求項1の液晶性化
合物 【化2】 (式中、R5、R6は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1
〜3のアルキル基、または炭素数1〜3のアルコキシ基
を示す。) - 【請求項3】 第一成分として、請求項1および2のい
ずれか1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1種含有
し、第二成分として、一般式(3)、(4)および
(5)からなる化合物群から選択される化合物を少なく
とも1種含有することを特徴とする液晶組成物。 【化3】 (式中、R7は炭素数1〜10のアルキル基を示し、こ
のアルキル基中の相隣接しない任意のメチレン基は−O
−または−CH=CH−で置換されていてもよく、ま
た、この基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換され
てもよく;X1はフッ素原子、塩素原子、−OCF3、−
OCF2H、−CF3、−CF2H、−CFH2、−OCF
2CF2H、または−OCF2CFHCF3を示し;L1お
よびL2は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示
し;Z4およびZ5は各々独立して1,2−エチレン、
1,4−ブチレン、−COO−、−CF2O−、−OC
F2−、−CH=CH−、または単結合を示し;環Bは
トランス−1,4−シクロヘキシレン、1,3−ジオキ
サン−2,5−ジイル、または水素原子がフッ素原子で
置換されていてもよい1,4−フェニレンを示し;環C
はトランスー1,4−シクロヘキシレン、または水素原
子がフッ素原子で置換されていてもよい1,4−フェニ
レンを示し;また、これらの化合物を構成する原子は、
その同位体で置換されていてもよい。) - 【請求項4】 第一成分として、請求項1および2のい
ずれか1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1種含有
し、第二成分として、一般式(6)および(7)からな
る化合物群から選択される化合物を少なくとも1種含有
することを特徴とする液晶組成物。 【化4】 (式中、R8およびR9は各々独立して炭素数1〜10の
アルキル基を示し、これらのアルキル基中の相隣接しな
い任意のメチレン基は−O−または−CH=CH−で置
換されていてもよく、また、これらのアルキル基中の任
意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく;X
2は−CN基または−C≡C−CNを示し;環Dはトラ
ンスー1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレ
ン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、またはピリ
ミジン−2,5−ジイルを示し;環Eはトランスー1,
4−シクロヘキシレン、水素原子がフッ素原子で置換さ
れていてもよい1,4−フェニレン、またはピリミジン
−2,5−ジイルを示し;環Fはトランスー1,4−シ
クロヘキシレンまたは1,4−フェニレンを示し;Z6
は1,2−エチレン、−COO−、または単結合を示
し;L3、L4およびL5は各々独立して水素原子または
フッ素原子を示し;b、cおよびdは各々独立して0ま
たは1を示し;また、これらの化合物を構成する原子
は、その同位体で置換されていてもよい。) - 【請求項5】 第一成分として、請求項1および2のい
ずれか1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1種含有
し、第二成分として、前記一般式(3)、(4)および
(5)からなる化合物群から選択される化合物を少なく
とも1種含有し、第三成分として、一般式(8)、
(9)および(10)からなる化合物群から選択される
化合物を少なくとも1種含有することを特徴とする液晶
組成物。 【化5】 (式中、R10およびR11は各々独立して炭素数1〜10
のアルキル基を示し、このアルキル基中の相隣接しない
任意のメチレン基は−O−または−CH=CH−で置換
されていてもよく、また、このアルキル基中の任意の水
素原子はフッ素原子で置換されていてもよく;環G、環
Iおよび環Jは各々独立して、トランスー1,4−シク
ロヘキシレン、ピリミジン−2,5−ジイル、または水
素原子がフッ素原子で置換されていてもよい1,4−フ
ェニレンを示し;Z7およびZ8は各々独立して、1,2
−エチレン、−C≡C−、−COO−、−CH=CH
−、または単結合を示し;また、これらの化合物を構成
する原子は、その同位体で置換されていてもよい。) - 【請求項6】 第一成分として、請求項1および2のい
ずれか1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1種含有
し、第二成分として、前記一般式(6)および(7)か
らなる化合物群から選択される化合物を少なくとも1種
含有し、第三成分として、前記一般式(8)、(9)お
よび(10)からなる化合物群から選択される化合物を
少なくとも1種含有することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項7】 第一成分として、請求項1および2のい
ずれか1項に記載の液晶性化合物を少なくとも1種含有
し、第二成分として、前記一般式(3)、(4)および
(5)からなる化合物群から選択される化合物を少なく
とも1種含有し、第三成分として、前記一般式(6)お
よび(7)からなる化合物群から選択される化合物を少
なくとも1種含有し、第四成分として、前記一般式
(8)、(9)および(10)からなる化合物群から選
択される化合物を少なくとも1種含有することを特徴と
する液晶組成物。 - 【請求項8】 請求項3〜7のいずれか1項に記載の液
晶組成物に、さらに1種以上の光学活性化合物を添加し
たことを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項9】 請求項3〜8のいずれか1項に記載の液
晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
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JP20227197A JP4075105B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | ジフルオロメチレンオキシ基を有する新規液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
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JPH1129582A true JPH1129582A (ja) | 1999-02-02 |
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JP2011207782A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Dic Corp | シクロヘキサン化合物 |
JP2017137240A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | Jnc株式会社 | 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP20227197A patent/JP4075105B2/ja not_active Expired - Fee Related
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