JPH11295342A - Probe card and its manufacture - Google Patents

Probe card and its manufacture

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Publication number
JPH11295342A
JPH11295342A JP10111465A JP11146598A JPH11295342A JP H11295342 A JPH11295342 A JP H11295342A JP 10111465 A JP10111465 A JP 10111465A JP 11146598 A JP11146598 A JP 11146598A JP H11295342 A JPH11295342 A JP H11295342A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
guide plate
conductive pattern
intermediate substrate
probe card
Prior art date
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Pending
Application number
JP10111465A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Okubo
昌男 大久保
Kazumasa Okubo
和正 大久保
Hiroshi Iwata
浩 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Electronic Materials Corp
Original Assignee
Japan Electronic Materials Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Electronic Materials Corp filed Critical Japan Electronic Materials Corp
Priority to JP10111465A priority Critical patent/JPH11295342A/en
Publication of JPH11295342A publication Critical patent/JPH11295342A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure elasticity with a margin of a probe and to make the probe easily exchangeable, by forming a wiring pattern in a main substrate to which a guide plate and an intermediate substrate are detachably installed and connecting the wiring pattern and a conductive pattern. SOLUTION: A guide plate 200 is constituted of material comprising a coefficient of thermal expansion close to the material of an LSI chip 800, which is a semiconductor integrated circuit of an object to be inspected. A probe 100 is installed to the guide plate 200 according to the arrangement of the electrode pad 810 of the LSI chip 800. An intermediate substrate 300 is installed to the upper surface of the guide plate 200, and the probe 100 and the conductive pattern 310 of the intermediate substrate 300 is connected by a bonding wire 400. The guide plate 200 and the intermediate substrate 300 are detachably installed to the lower side of a main substrate 500, and the wiring pattern 530 formed on the main substrate 500 and the conductive pattern 310 are connected by a contact 600. By this, it is possible to remove the guide plate 200 and the intermediate substrate 300 from the main substrate 500.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIチップ等の
半導体集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられ
るプローブカードと、その製造方法とに関する。
The present invention relates to a probe card used for measuring various electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit such as an LSI chip, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプローブカードには、大別してカ
ンチレバー型と呼ばれる横型タイプと、垂直型と呼ばれ
る縦型タイプとがある。前者の横型タイプのプローブカ
ードは、多くの点で優れているが、近年のLSIチップ
の高集積化とテスターの多重化に伴う多チップ同時測定
には適していない点がある。これに対して、縦型のプロ
ーブカードは、より多くのプローブ(数百本〜数千本)
を使用でき、しかもプローブの配置の自由度が高いの
で、多チップ同時測定に適している。
2. Description of the Related Art Conventional probe cards are roughly classified into a horizontal type called a cantilever type and a vertical type called a vertical type. The former horizontal type probe card is excellent in many respects, but is not suitable for simultaneous multi-chip measurement due to recent high integration of LSI chips and multiplexing of testers. In contrast, a vertical probe card requires more probes (hundreds to thousands).
It is suitable for multi-chip simultaneous measurement because it can be used and the degree of freedom of probe arrangement is high.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、縦型の
プローブカードは、LSIチップの電極パッドとプロー
ブとの適切な接触圧を確保するために、プローブの中腹
部に横方向に突出した湾曲部を形成しているため、個々
のプローブの交換が困難であるという問題点がある。か
かる問題を解消するプローブカードとして、プローブの
一部を細くして、この細くなった部分の弾性限界内での
座屈を利用するものがある。このタイプでは、プローブ
を1本ずつ引き抜けるので、個々のプローブの交換は容
易である。
However, the vertical probe card has a curved portion protruding in the lateral direction at the middle part of the probe in order to secure an appropriate contact pressure between the electrode pad of the LSI chip and the probe. Since it is formed, there is a problem that it is difficult to replace individual probes. As a probe card for solving such a problem, there is a probe card in which a part of a probe is made thinner and buckling of the thinned portion within an elastic limit is used. In this type, since the probes are pulled out one by one, replacement of each probe is easy.

【0004】しかしながら、この個々のプローブの交換
を可能にしたものは、プローブの座屈する部分が弾性限
界に近いため、時として塑性変形を起こす可能性があ
り、信頼性に欠ける点は否定できない。
[0004] However, in the one that allows replacement of individual probes, since the buckling portion of the probe is close to the elastic limit, there is a possibility that plastic deformation sometimes occurs, and it is undeniable that reliability is lacking.

【0005】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、プローブの余裕のある弾性を確保しつつ、プローブ
の交換作業時等をより簡単に行うことができるプローブ
カード及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a probe card and a method of manufacturing the probe card which can easily perform a probe replacement operation or the like while securing sufficient elasticity of the probe. It is intended to be.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係るプローブカ
ードは、被検査物たる半導体集積回路の材料と近い熱膨
張係数を有する素材からなるガイド板と、前記半導体集
積回路の電極パッドの配置に対応して前記ガイド板に取
り付けられるプローブと、前記ガイド板とは別体であ
り、前記ガイド板の上面に取り付けられた中間基板と、
前記プローブと中間基板の導電パターンとを接続するボ
ンディングワイヤと、前記ガイド板と中間基板とを着脱
可能に下側に取り付ける主基板と、この主基板に形成さ
れた配線パターンと前記導電パターンとを接続する接続
手段とを備えている。
A probe card according to the present invention has a guide plate made of a material having a thermal expansion coefficient close to the material of a semiconductor integrated circuit to be inspected and an arrangement of electrode pads of the semiconductor integrated circuit. A probe correspondingly attached to the guide plate, the guide plate is a separate body, an intermediate substrate attached to the upper surface of the guide plate,
Bonding wires for connecting the probe and the conductive pattern of the intermediate substrate, a main substrate for detachably mounting the guide plate and the intermediate substrate on the lower side, and a wiring pattern and the conductive pattern formed on the main substrate. Connection means for connection.

【0007】また、本発明に係るプローブカードの製造
方法は、被検査物たる半導体集積回路の材料と近い熱膨
張係数を有する素材からなるガイド板に、前記半導体集
積回路の電極パッドに対応して配置されて取り付けられ
たプローブと、前記ガイド板とは別体である中間基板の
導電パターンとをワイヤボンディングで接続する工程を
有している。
Further, according to the method of manufacturing a probe card according to the present invention, a guide plate made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of a semiconductor integrated circuit to be inspected is provided on a guide plate corresponding to an electrode pad of the semiconductor integrated circuit. The method further includes a step of connecting the arranged and attached probe and a conductive pattern of an intermediate substrate which is separate from the guide plate by wire bonding.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態に係る
プローブカードの要部の概略的断面図、図2は本発明の
実施の形態に係るプローブカードのプローブと導電パタ
ーンとを接続するボンディングワイヤ等の概略的斜視
図、図2は本発明の実施の形態に係るプローブカードの
プローブとボンディングワイヤとの接続の他の例を示す
概略的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a main part of a probe card according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a connection between a probe and a conductive pattern of the probe card according to the embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the connection between the probe and the bonding wire of the probe card according to the embodiment of the present invention.

【0009】本発明の実施の形態に係るプローブカード
は、被検査物たる半導体集積回路であるLSIチップ8
00の材料と近い熱膨張係数を有する素材からなるガイ
ド板200と、前記LSIチップ800の電極パッド8
10の配置に対応して前記ガイド板200に取り付けら
れるプローブ100と、前記ガイド板200とは別体で
あり、前記ガイド板200の上面に取り付けられた中間
基板300と、前記プローブ100と中間基板300の
導電パターン310とを接続するボンディングワイヤ4
00と、前記ガイド板200と中間基板300とを着脱
可能に下側に取り付ける主基板500と、この主基板5
00に形成された配線パターン530と前記導電パター
ン310とを接続する接続手段としての接触子600と
を有している。
A probe card according to an embodiment of the present invention has an LSI chip 8 as a semiconductor integrated circuit to be inspected.
A guide plate 200 made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of the material of the LSI chip 800;
10, a probe 100 attached to the guide plate 200 corresponding to the arrangement of the guide plate 200, the guide plate 200 is a separate body, and an intermediate substrate 300 attached to the upper surface of the guide plate 200; Bonding wire 4 for connecting the conductive pattern 310 to the conductive pattern 310
00, a main substrate 500 on which the guide plate 200 and the intermediate substrate 300 are detachably mounted on the lower side,
A contact 600 is provided as connecting means for connecting the wiring pattern 530 formed on the conductive pattern 310 to the conductive pattern 310.

【0010】前記ガイド板200は、例えば窒化珪素か
らなる2枚の上側板210及び下側板220と、この両
板210、220の間に介在され空間を形成するスペー
サ230と、前記空間に充填された軟質シリコン樹脂2
40とを有している。前記上側板210には、電極パッ
ド810の配置に対応したスルーホール211が、下側
板220には、電極パッド810の配置に対応した貫通
孔221がそれぞれ開設されている。前記スルーホール
211及び貫通孔221は、後述するプローブ100が
貫通される部分であるので、プローブ100は電極パッ
ド810に対して垂直に接触することになる。
The guide plate 200 comprises two upper plates 210 and lower plates 220 made of, for example, silicon nitride, a spacer 230 interposed between the two plates 210 and 220 to form a space, and the space is filled. Soft silicone resin 2
40. The upper plate 210 has through holes 211 corresponding to the arrangement of the electrode pads 810, and the lower plate 220 has through holes 221 corresponding to the arrangement of the electrode pads 810. Since the through hole 211 and the through hole 221 are portions through which the probe 100 described later penetrates, the probe 100 comes into vertical contact with the electrode pad 810.

【0011】前記上側板210のスルーホール211の
周囲には、ランド212が形成されている。このランド
212は、スルーホール211の内周面に形成された導
電層123と一体に形成されている。
A land 212 is formed around the through hole 211 of the upper plate 210. This land 212 is formed integrally with the conductive layer 123 formed on the inner peripheral surface of the through hole 211.

【0012】一方の下側板220の貫通孔221には、
この種の導電性のパターンは形成されていない。しか
し、この下側板220には、上側板210にはない樹脂
注入穴222が開設されている。この樹脂注入穴222
は、前記空間に充填される軟質シリコン樹脂240を注
入する部分であって、空間の大きさ等に応じて適宜個、
適宜箇所に開設されている。
In the through hole 221 of the lower plate 220,
No conductive pattern of this kind is formed. However, the lower plate 220 has a resin injection hole 222 that is not provided in the upper plate 210. This resin injection hole 222
Is a portion into which the soft silicone resin 240 to be filled in the space is injected, and is appropriately formed according to the size of the space,
It is established where appropriate.

【0013】前記上側板210は、下側板220より大
きく形成されている。これは、ガイド板200を主基板
500に取り付けるためである。この点については、後
述する。
The upper plate 210 is formed larger than the lower plate 220. This is for attaching the guide plate 200 to the main board 500. This will be described later.

【0014】前記プローブ100は、タングステン等の
細線から形成されており、その先端の接触部110は先
鋭化されている。また、このプローブ100の中腹部分
は、弾性変形部120として他の部分より細く形成され
ている。すなわち、プローブ100が電極パッド810
に接触してオーバードライブを加えた時、この弾性変形
部120が弾性変形することにより、プローブ100と
電極パッド810との間の接触圧が好適になるようにす
るのである。なお、このプローブ100の長さ寸法は、
接触部110がガイド板200から突出するために、ガ
イド板200の厚さ寸法より大きく設定されていること
は勿論である。
The probe 100 is formed of a thin wire such as tungsten, and the contact portion 110 at the tip is sharpened. The middle portion of the probe 100 is formed as an elastically deformable portion 120 so as to be thinner than other portions. That is, the probe 100 is
When the overdrive is applied in contact with the, the elastic deformation portion 120 is elastically deformed, so that the contact pressure between the probe 100 and the electrode pad 810 becomes suitable. The length of the probe 100 is
Since the contact portion 110 protrudes from the guide plate 200, the contact portion 110 is of course set to be larger than the thickness dimension of the guide plate 200.

【0015】上記説明におけるオーバードライブとは、
プローブ100の接触部110がLSIチップ800の
電極パッド810に接触してからさらに加圧することを
いう。
The overdrive in the above description is
This means that pressure is further applied after the contact portion 110 of the probe 100 contacts the electrode pad 810 of the LSI chip 800.

【0016】前記中間基板300は、ガイド板200の
上面、すなわち上側板210の上面に取り付けられてい
る。しかも、この中間基板300は、スルーホール21
1を避けてガイド板200の外周縁部に取り付けられて
いる。
The intermediate substrate 300 is mounted on the upper surface of the guide plate 200, that is, on the upper surface of the upper plate 210. Moreover, the intermediate substrate 300 is
1 and is attached to the outer peripheral edge of the guide plate 200.

【0017】この中間基板300の上面には、ランド状
の導電パターン310が形成されている。この導電パタ
ーン310は、基本的には前記ランド212と一対一対
応で形成されている。この導電パターン310と前記ラ
ンド212とは、半導体集積回路素子の組立工程で多用
されるボンディングワイヤの手法を用いて接続される。
On the upper surface of the intermediate substrate 300, a land-shaped conductive pattern 310 is formed. The conductive pattern 310 is basically formed in one-to-one correspondence with the land 212. The conductive pattern 310 and the lands 212 are connected by using a bonding wire method frequently used in a process of assembling a semiconductor integrated circuit device.

【0018】すなわち、ワイヤボンダーを用いて導電パ
ターン310とランド212とを接続するが、ワイヤボ
ンダーのキャピラリは内側から外側に向かって動く点を
考えて、ランド212をファーストボンドとし、導電パ
ターン310をセカンドボンドとする。なお、この導電
パターン310とランド212とを接続するボンディン
グワイヤ400は金線である。
That is, the conductive pattern 310 and the land 212 are connected using a wire bonder. Considering that the capillary of the wire bonder moves from inside to outside, the land 212 is used as a first bond and the conductive pattern 310 is used as a bond. Second bond. The bonding wire 400 that connects the conductive pattern 310 and the land 212 is a gold wire.

【0019】前記主基板500は、前記導電パターン3
10に対応した貫通孔510が開設されている。この貫
通孔510は、主基板500に形成された配線パターン
530と前記導電パターン310とを接続する接続手段
としての接触子600が取り付けられる部分である。
The main substrate 500 includes the conductive pattern 3
A through hole 510 corresponding to 10 is opened. The through hole 510 is a portion to which a contact 600 as a connecting means for connecting the wiring pattern 530 formed on the main substrate 500 and the conductive pattern 310 is attached.

【0020】また、この主基板500の裏面には、窒化
珪素からなる裏打板520が取り付けられている。この
裏打板520にも前記貫通孔510に対応した貫通孔5
21が開設されている。
A backing plate 520 made of silicon nitride is attached to the back surface of the main substrate 500. The backing plate 520 also has through holes 5 corresponding to the through holes 510.
21 have been established.

【0021】前記接触子600は、上述したプローブ1
00と同様に、銅やベリリウム銅等の細線から形成され
ている。また、この接触子600の中腹部分は、弾性変
形部620として他の部分より細く形成されている。た
だし、この接触子600は、前記プローブ100とは違
ってその先端の接触部610は先鋭化されていない。す
なわち、この接触子600の接触部610は、プローブ
カードとして完成すれば、分解されないかぎり、導電パ
ターン310に接触し続けるものであり、プローブ10
0のように接触、離脱を繰り返すものではないからであ
る。
The contact 600 is the probe 1 described above.
As in the case of 00, it is formed from a fine wire such as copper or beryllium copper. The middle part of the contact 600 is formed as an elastically deformable part 620 thinner than other parts. However, unlike the probe 100, the contact portion 610 at the tip of the contact 600 is not sharpened. That is, when the contact portion 610 of the contact 600 is completed as a probe card, it keeps in contact with the conductive pattern 310 unless it is disassembled.
This is because the contact and separation are not repeated like 0.

【0022】このように形成された接触子600は、基
端を主基板500の上に若干突出させた状態で半田付け
される。これによって、接触子600は、主基板500
の配線パターン530に電気的に接続されることにな
る。
The contact 600 thus formed is soldered with its base end slightly protruding above the main board 500. As a result, the contact 600 is attached to the main substrate 500.
Is electrically connected to the wiring pattern 530 of FIG.

【0023】一方、この主基板500には、ガイド板2
00を取り付けるための取付部材700が取り付けられ
る。この取付部材700は、窒化珪素からなる取付アン
グル710と、この取付アングル710を主基板500
の裏側に固定するボルト・ナット720とを有してい
る。
On the other hand, the main board 500 includes the guide plate 2
The mounting member 700 for mounting 00 is mounted. The mounting member 700 includes a mounting angle 710 made of silicon nitride, and the mounting angle 710 connected to the main substrate 500.
And a bolt / nut 720 to be fixed to the back side.

【0024】前記取付アングル710は、断面視略L字
形状に形成されている。下端側から内側に向かって突出
した顎部711は、ガイド板200の上側板210の外
周縁部、すなわち下側板220より大きい部分を下から
支える部分である。また、顎部711から上側に延設さ
れた取付部712にはボルトが貫通するボルト孔が開設
されている。
The mounting angle 710 is formed in a substantially L-shape in cross section. The jaw 711 projecting inward from the lower end is a portion that supports the outer peripheral edge of the upper plate 210 of the guide plate 200, that is, a portion larger than the lower plate 220 from below. Further, a bolt hole through which a bolt penetrates is formed in a mounting portion 712 extending upward from the jaw portion 711.

【0025】なお、取付アングル710と主基板500
の裏側の裏打板520との間には、寸法調節のためのス
ペーサ730が適宜介在される。
The mounting angle 710 and the main board 500
A spacer 730 for adjusting the size is appropriately interposed between the backing plate 520 on the back side and the backing plate 520.

【0026】次に、上述したプローブカードの製造手順
について説明する。まず、ガイド板200にプローブ1
00を取り付ける。プローブ100をガイド板200の
スルーホール211及び貫通孔221に挿入し、後端側
を上側板210から若干突出した状態で保持する。この
とき、各プローブ100の先端の接触部110が同一高
さにあるようにすることが重要なポイントの一つであ
る。
Next, a procedure for manufacturing the above-described probe card will be described. First, the probe 1 is placed on the guide plate 200.
00 is attached. The probe 100 is inserted into the through-hole 211 and the through-hole 221 of the guide plate 200, and the rear end side is held while slightly protruding from the upper plate 210. At this time, it is one of the important points that the contact portions 110 at the tips of the probes 100 are at the same height.

【0027】次に、ガイド板200の下側板220の樹
脂注入穴222から、上側板210と下側板220との
間の空間に軟質シリコン樹脂240を注入する。軟質シ
リコン樹脂240が硬化することによって、プローブ1
00はガイド板200に取り付けられたことになる。な
お、プローブ100の基端側はランド212に半田付け
されるのは勿論である。
Next, the soft silicon resin 240 is injected into the space between the upper plate 210 and the lower plate 220 from the resin injection hole 222 of the lower plate 220 of the guide plate 200. When the soft silicone resin 240 is cured, the probe 1
00 is attached to the guide plate 200. The base end of the probe 100 is of course soldered to the land 212.

【0028】また、プローブ100がガイド板200に
取り付けられた後に、上側板210に形成されたランド
212に半田付けする。これによって、プローブ100
が取り付けられたガイド板200が完成する。
After the probe 100 is attached to the guide plate 200, it is soldered to a land 212 formed on the upper plate 210. Thereby, the probe 100
The guide plate 200 to which is attached is completed.

【0029】次に、このガイド板200に中間基板30
0を取り付ける。この中間基板300の取り付けは、エ
ポキシ樹脂系の接着剤等で行う。
Next, the intermediate substrate 30 is
0 is attached. The attachment of the intermediate substrate 300 is performed with an epoxy resin adhesive or the like.

【0030】次に、図2に示すように、前記ランド21
2と中間基板300の導電パターン310とをボンディ
ングワイヤ400で接続する。このボンディングワイヤ
400による接続は、上述したように、ランド212を
ファーストボンドとし、導電パターン310をセカンド
ボンドとする。これは、ワイヤボンダのキャピラリは内
側から外側に向かって動く点を考慮したものである。そ
して、ボンディングワイヤ400の表面に絶縁性樹脂を
適宜な方法でコーティングする。
Next, as shown in FIG.
2 and the conductive pattern 310 of the intermediate substrate 300 are connected by a bonding wire 400. As described above, the connection by the bonding wire 400 uses the land 212 as the first bond and the conductive pattern 310 as the second bond. This takes into account that the capillary of the wire bonder moves from inside to outside. Then, the surface of the bonding wire 400 is coated with an insulating resin by an appropriate method.

【0031】一方、主基板500には接触子600を取
り付ける。すなわち、接触子600の基端を主基板50
0の上に若干突出させた状態で配線パターン530に半
田付けするのである。これで、接触子600は電気的に
は配線パターン530に接続され、構造的には主基板5
00に固定されたことになる。
On the other hand, the contact 600 is attached to the main substrate 500. That is, the base end of the contact 600 is
The solder is soldered to the wiring pattern 530 while slightly protruding above the zero. Thus, the contact 600 is electrically connected to the wiring pattern 530, and structurally, the main substrate 5
This is fixed at 00.

【0032】次に、プローブ100が取り付けられたガ
イド板200を取付部材700の取付アングル710に
セットする。すなわち、ガイド板002の上側板210
の外周縁部を取付アングル710の顎部711に載せる
のである。この際、より強固にするために、ガイド板2
00を取付アングル710に接着してもよい。
Next, the guide plate 200 on which the probe 100 is mounted is set on the mounting angle 710 of the mounting member 700. That is, the upper plate 210 of the guide plate 002
Is mounted on the jaw 711 of the mounting angle 710. At this time, the guide plate 2
00 may be adhered to the mounting angle 710.

【0033】ガイド板200が取り付けられた取付アン
グル710をボルト・ナット720を利用して主基板5
00に取り付ける。これによって、接触子600の先端
が導電パターン310に圧接されて、導電パターン31
0と配線パターン530とが電気的に接続される。すな
わち、プローブ100→ランド212→ボンディングワ
イヤ400→導電パターン310→接触子600→配線
パターン530という順序で電気的に接続されるのであ
る。
The mounting angle 710, to which the guide plate 200 is mounted, is attached to the main board 5 by using bolts and nuts 720.
Attach to 00. As a result, the tip of the contact 600 is pressed against the conductive pattern 310 and the conductive pattern 31 is pressed.
0 and the wiring pattern 530 are electrically connected. That is, the electrical connection is made in the order of the probe 100 → land 212 → bonding wire 400 → conductive pattern 310 → contact 600 → wiring pattern 530.

【0034】なお、前記接触子600には弾性変形部6
20が設けられているため、接触子600が多少長くて
も、弾性変形部620の変形によって吸収される。
The contact 600 has an elastically deformable portion 6.
Since the contact 20 is provided, even if the contact 600 is slightly longer, the contact 600 is absorbed by the deformation of the elastic deformation portion 620.

【0035】上述した実施の形態では、中間基板300
の導電パターン310にボンディングワイヤ400が接
続されるとしたが、ボンディングワイヤ400は、図3
に示すように、プローブ100の基端に直接接続されて
もよい。
In the above embodiment, the intermediate substrate 300
The bonding wire 400 is connected to the conductive pattern 310 of FIG.
As shown in FIG. 6, the probe 100 may be directly connected to the proximal end.

【0036】このようにして製造されたプローブカード
によるLSIチップ800の電気的諸特性の測定につい
て説明する。図示しないプローブカード支持機構にプロ
ーブカードを取り付ける。そして、下方にある吸着テー
ブル850にウエハ状のLSIチップ800を載置す
る。
The measurement of the electrical characteristics of the LSI chip 800 using the probe card manufactured as described above will be described. The probe card is attached to a probe card support mechanism (not shown). Then, the wafer-shaped LSI chip 800 is placed on the suction table 850 below.

【0037】次に、プローブカードと吸着テーブル85
0とを相対的に移動させて、プローブ100の接触部1
10をLSIチップ800の電極パッド810に接触さ
せる。さらに、オーバードライブを加えてプローブ10
0の電極パッド810に対する接触圧を適正なものにす
る。この際、プローブ100の弾性変形部120は弾性
変形してオーバードライブを吸収する。
Next, the probe card and the suction table 85
0 relative to the contact portion 1 of the probe 100.
10 is brought into contact with the electrode pad 810 of the LSI chip 800. Furthermore, the probe 10
The contact pressure on the zero electrode pad 810 is made appropriate. At this time, the elastic deformation portion 120 of the probe 100 elastically deforms to absorb the overdrive.

【0038】この状態で図外の検査装置と信号を遣り取
りしてLSIチップ800の電気的諸特性を測定する。
In this state, signals are exchanged with an inspection device (not shown) to measure various electrical characteristics of the LSI chip 800.

【0039】このようにして複数個のLSIチップ80
0の電気的諸特性を繰り返して測定する。
As described above, a plurality of LSI chips 80
The electrical characteristics of 0 are repeatedly measured.

【0040】また、測定すべきLSIチップ800の電
極パッド810の配置が変更になった場合には、新たな
電極パッド810の配置に対応したプローブ100が取
り付けられたガイド板200を交換して対応する。
When the arrangement of the electrode pads 810 of the LSI chip 800 to be measured is changed, the guide plate 200 on which the probe 100 corresponding to the new arrangement of the electrode pads 810 is replaced is replaced. I do.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明に係るプローブカードは、被検査
物たる半導体集積回路の材料と近い熱膨張係数を有する
素材からなるガイド板と、前記半導体集積回路の電極パ
ッドの配置に対応して前記ガイド板に取り付けられるプ
ローブと、前記ガイド板とは別体であり、前記ガイド板
の上面に取り付けられた中間基板と、前記プローブと中
間基板の導電パターンとを接続するボンディングワイヤ
と、前記ガイド板と中間基板とを着脱可能に下側に取り
付ける主基板と、この主基板に形成された配線パターン
と前記導電パターンとを接続する接続手段とを備えてい
る。
According to the probe card of the present invention, the guide plate made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of the semiconductor integrated circuit as the object to be inspected and the electrode pads of the semiconductor integrated circuit corresponding to the arrangement of the electrode pads are provided. A probe mounted on the guide plate, the guide plate being a separate body, an intermediate substrate mounted on an upper surface of the guide plate, a bonding wire connecting the probe to a conductive pattern of the intermediate substrate, and the guide plate A main board for detachably mounting the main board and the intermediate board on the lower side; and a connecting means for connecting a wiring pattern formed on the main board to the conductive pattern.

【0042】このプローブカードによると、容易に主基
板からガイド板と中間基板とを取り外すことができるの
で、プローブの交換を容易に行うことができる。また、
プローブと中間基板の導電パターンとをボンディングワ
イヤで接続しているので、従来からあるワイヤボンダー
を利用してプローブカードを製造することができるとと
もに、従来のように基板に形成される導電パターンのみ
で対応してきたものより、より多くのプローブに対応す
ることがでる。特に、ボンディングワイヤと従来の導電
パターンとを併用することよって、より多密度のプロー
ブに対応することが可能になる。
According to this probe card, the guide plate and the intermediate substrate can be easily removed from the main substrate, so that the probe can be easily replaced. Also,
Since the probe and the conductive pattern of the intermediate board are connected by bonding wires, the probe card can be manufactured using a conventional wire bonder, and only the conductive pattern formed on the board as in the past is used. More probes can be accommodated than those that have been accommodated. In particular, by using a bonding wire and a conventional conductive pattern together, it becomes possible to cope with a probe with a higher density.

【0043】その上、このプローブカードは、ガイド板
が半導体集積回路の材料と近い熱膨張係数を有する素
材、例えば窒化珪素から構成されているので、バーンイ
ンテストと呼ばれる半導体集積回路を加熱して行うテス
トにも対応することができる。すなわち、バーンインテ
ストでは、半導体集積回路の加熱によって、プローブカ
ードを加熱されるが、半導体集積回路とプローブカード
との熱膨張係数が異なるために、室温ではプローブが電
極パッドの配置に正確に対応していたとしても、熱膨張
によってずれることがあったが、熱膨張係数が近いと熱
膨張の影響を最小限に抑制することができる。
In addition, in this probe card, the guide plate is made of a material having a thermal expansion coefficient close to the material of the semiconductor integrated circuit, for example, silicon nitride. It can respond to testing. That is, in the burn-in test, the probe card is heated by heating the semiconductor integrated circuit. However, at room temperature, the probe accurately corresponds to the arrangement of the electrode pads at room temperature because the coefficient of thermal expansion between the semiconductor integrated circuit and the probe card is different. Even if it does, it may shift due to thermal expansion, but if the thermal expansion coefficient is close, the influence of thermal expansion can be minimized.

【0044】また、前記ガイド板は、プローブの基端側
が貫通するスルーホールと、この当該スルーホールの周
囲に形成されたランドとを有しており、前記ランドにボ
ンディングワイヤが接続されるようにすると、ボンディ
ングワイヤを形成する際にプローブにはワイヤボンダー
のキャピラリが直接当たらないので、ワイヤボンディン
グの際のプローブの位置ずれが発生しにくい。
The guide plate has a through hole through which the base end of the probe penetrates, and a land formed around the through hole, so that a bonding wire is connected to the land. Then, since the capillary of the wire bonder does not directly hit the probe when forming the bonding wire, displacement of the probe during wire bonding hardly occurs.

【0045】さらに、前記ガイド板は、プローブの基端
側が貫通するスルーホールとを有しており、前記ボンデ
ィングワイヤは、プローブの基端に接続されるようにす
ると、より小さな面積により多くのプローブを配置する
ことができる。ただし、プローブを予め強固にガイド板
に固定しておくことが、キャピラリの接触による位置ず
れの予防のために重要である。
Further, the guide plate has a through hole through which the base end of the probe penetrates. When the bonding wire is connected to the base end of the probe, the bonding wire has a smaller area and more probe. Can be arranged. However, it is important to firmly fix the probe to the guide plate in advance to prevent displacement due to contact with the capillary.

【0046】一方、本発明に係るプローブカードの製造
方法では、被検査物たる半導体集積回路の材料と近い熱
膨張係数を有する素材からなるガイド板に、前記半導体
集積回路の電極パッドに対応して配置されて取り付けら
れたプローブと、前記ガイド板とは別体である中間基板
の導電パターンとをワイヤボンディングで接続する工程
を備えている。
On the other hand, in the method of manufacturing a probe card according to the present invention, a guide plate made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of a semiconductor integrated circuit to be inspected is provided on a guide plate corresponding to the electrode pad of the semiconductor integrated circuit. The method further comprises a step of connecting the arranged and attached probe and a conductive pattern of an intermediate substrate which is separate from the guide plate by wire bonding.

【0047】このため、この方法によると、従来からあ
るワイヤボンダーを流用してより多くのプローブを配置
したプローブカードを製造することができる。しかも、
この方法によれば、従来のような手作業での接続作業が
減少するので、生産性の向上にも寄与する。
Therefore, according to this method, a probe card in which more probes are arranged can be manufactured by using a conventional wire bonder. Moreover,
According to this method, manual connection work as in the related art is reduced, which contributes to improvement in productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るプローブカードの要
部の概略的断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a main part of a probe card according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態に係るプローブカードのプ
ローブと導電パターンとを接続するボンディングワイヤ
等の概略的斜視図である。
FIG. 2 is a schematic perspective view of a bonding wire and the like connecting a probe and a conductive pattern of the probe card according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態に係るプローブカードのプ
ローブとボンディングワイヤとの接続の他の例を示す概
略的断面図である。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of the connection between the probe and the bonding wire of the probe card according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 プローブ 200 ガイド板 300 中間基板 400 ボンディングワイヤ 500 主基板 600 接触子(接続手段) 800 LSIチップ REFERENCE SIGNS LIST 100 probe 200 guide plate 300 intermediate substrate 400 bonding wire 500 main substrate 600 contact (connection means) 800 LSI chip

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査物たる半導体集積回路の材料と近
い熱膨張係数を有する素材からなるガイド板と、前記半
導体集積回路の電極パッドの配置に対応して前記ガイド
板に取り付けられるプローブと、前記ガイド板とは別体
であり、前記ガイド板の上面に取り付けられた中間基板
と、前記プローブと中間基板の導電パターンとを接続す
るボンディングワイヤと、前記ガイド板と中間基板とを
着脱可能に下側に取り付ける主基板と、この主基板に形
成された配線パターンと前記導電パターンとを接続する
接続手段とを具備したことを特徴とするプローブカー
ド。
A guide plate made of a material having a thermal expansion coefficient close to a material of a semiconductor integrated circuit to be inspected; a probe attached to the guide plate corresponding to an arrangement of electrode pads of the semiconductor integrated circuit; The guide plate is a separate body, an intermediate substrate attached to the upper surface of the guide plate, a bonding wire connecting the probe to the conductive pattern of the intermediate substrate, and the guide plate and the intermediate substrate being detachably attached. A probe card, comprising: a main board attached to a lower side; and connection means for connecting a wiring pattern formed on the main board to the conductive pattern.
【請求項2】 前記ガイド板は、プローブの基端側が貫
通するスルーホールと、この当該スルーホールの周囲に
形成されたランドとを有しており、前記ランドにボンデ
ィングワイヤが接続されることを特徴とする請求項1記
載のプローブカード。
2. The guide plate has a through-hole through which the base end of the probe penetrates, and a land formed around the through-hole. A guide wire is connected to the land. The probe card according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記ガイド板は、プローブの基端側が貫
通するスルーホールとを有しており、前記ボンディング
ワイヤは、プローブの基端に接続されていることを特徴
とする請求項1記載のプローブカード。
3. The probe according to claim 1, wherein the guide plate has a through hole through which a base end of the probe penetrates, and the bonding wire is connected to a base end of the probe. Probe card.
【請求項4】 被検査物たる半導体集積回路の材料と近
い熱膨張係数を有する素材からなるガイド板に、前記半
導体集積回路の電極パッドに対応して配置されて取り付
けられたプローブと、前記ガイド板とは別体である中間
基板の導電パターンとをワイヤボンディングで接続する
工程を具備したことを特徴とするプローブカードの製造
方法。
4. A probe mounted on a guide plate made of a material having a thermal expansion coefficient close to that of a material of a semiconductor integrated circuit to be inspected, corresponding to an electrode pad of the semiconductor integrated circuit; A method for manufacturing a probe card, comprising a step of connecting a conductive pattern of an intermediate substrate separate from a plate by wire bonding.
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