JPH11289100A - 光検出素子 - Google Patents
光検出素子Info
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- JPH11289100A JPH11289100A JP10091516A JP9151698A JPH11289100A JP H11289100 A JPH11289100 A JP H11289100A JP 10091516 A JP10091516 A JP 10091516A JP 9151698 A JP9151698 A JP 9151698A JP H11289100 A JPH11289100 A JP H11289100A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光検出素子（特に、赤外線検出素子）におい
て、画素の位置による入射光量の差を補正し、ダイナミ
ックレンジの低下を回避する。 【解決手段】 ＣｄＺｎＴｅ基板の上にｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層１１を形成し、ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層にｎ+ 型
不純物領域１２を形成する。ｎ+ 型不純物層１２はｐ型
ＨｇＣｄＴｅ層１１とｐｎ接合し、フォトダイオードが
構成される。ｎ+型不純物領域１２を囲むように電子排
出部１３を形成し、各電子排出部１３間に抵抗部１４を
形成する。そして、端子１５を介して電子排出部１３に
電圧を印加する。
て、画素の位置による入射光量の差を補正し、ダイナミ
ックレンジの低下を回避する。 【解決手段】 ＣｄＺｎＴｅ基板の上にｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層１１を形成し、ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層にｎ+ 型
不純物領域１２を形成する。ｎ+ 型不純物層１２はｐ型
ＨｇＣｄＴｅ層１１とｐｎ接合し、フォトダイオードが
構成される。ｎ+型不純物領域１２を囲むように電子排
出部１３を形成し、各電子排出部１３間に抵抗部１４を
形成する。そして、端子１５を介して電子排出部１３に
電圧を印加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｎ接合により光
を検出する光検出素子に関し、特に赤外線を検出する赤
外線検出素子に好適な構造の光検出素子に関する。
を検出する光検出素子に関し、特に赤外線を検出する赤
外線検出素子に好適な構造の光検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は赤外線検出装置を示す模式図、図
１０は赤外線検出素子５３の構成を示す断面図、図１１
は赤外線検出素子５３のｎ+ 型不純物領域６２の配列状
態を示す上面図である。赤外線を透過する窓５２を備え
た真空容器５１の内側には、赤外線を検出して電気信号
を発生する赤外線検出素子５３と、赤外線検出素子５３
から出力される信号を処理する電子回路が形成された電
子回路装置５４と、余分な背景光を除去する絞りとして
の機能を有するコールドシールド５５が配置されてい
る。赤外線検出素子５３はバンプ５８を介して電子回路
装置５４に接続されている。また、電子回路装置５４は
クーラーヘッド５７の上に搭載されている。更に、真空
容器５１の窓５２の外側には、赤外線を集光して赤外線
検出素子５３の表面に結像させるためのレンズ５６が配
置されている。なお、コールドシールド５５は、それ自
体から赤外線を放出することを防止するために低温に冷
却されるようになっている。
１０は赤外線検出素子５３の構成を示す断面図、図１１
は赤外線検出素子５３のｎ+ 型不純物領域６２の配列状
態を示す上面図である。赤外線を透過する窓５２を備え
た真空容器５１の内側には、赤外線を検出して電気信号
を発生する赤外線検出素子５３と、赤外線検出素子５３
から出力される信号を処理する電子回路が形成された電
子回路装置５４と、余分な背景光を除去する絞りとして
の機能を有するコールドシールド５５が配置されてい
る。赤外線検出素子５３はバンプ５８を介して電子回路
装置５４に接続されている。また、電子回路装置５４は
クーラーヘッド５７の上に搭載されている。更に、真空
容器５１の窓５２の外側には、赤外線を集光して赤外線
検出素子５３の表面に結像させるためのレンズ５６が配
置されている。なお、コールドシールド５５は、それ自
体から赤外線を放出することを防止するために低温に冷
却されるようになっている。
【０００３】赤外線検出素子５３は、図１０に示すよう
に構成されている。すなわち、ＣｄＺｎＴｅ基板６０は
赤外線透過性を有しており、このＣｄＺｎＴｅ基板６０
の上にはｐ型ＨｇＣｄＴｅ層６１が形成されている。ｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層６１の表層には複数のｎ+ 型不純物領
域６２が形成されている。これらのｎ+ 型不純物領域６
２は、例えば図１１に示すように相互に直交する２方向
に沿って配列されている。そして、各ｎ+ 型不純物領域
６２はｐ型ＨｇＣｄＴｅ層６１とｐｎ接合し、フォトダ
イオードを構成している。一つのフォトダイオードは一
つの画素に対応している。
に構成されている。すなわち、ＣｄＺｎＴｅ基板６０は
赤外線透過性を有しており、このＣｄＺｎＴｅ基板６０
の上にはｐ型ＨｇＣｄＴｅ層６１が形成されている。ｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層６１の表層には複数のｎ+ 型不純物領
域６２が形成されている。これらのｎ+ 型不純物領域６
２は、例えば図１１に示すように相互に直交する２方向
に沿って配列されている。そして、各ｎ+ 型不純物領域
６２はｐ型ＨｇＣｄＴｅ層６１とｐｎ接合し、フォトダ
イオードを構成している。一つのフォトダイオードは一
つの画素に対応している。
【０００４】ＨｇＣｄＴｅ層６１の上にはＺｎＳ等から
なる保護絶縁層６６が形成されている。この保護絶縁層
６６には各ｎ+ 型不純物領域６２に整合する位置にコン
タクトホール６６ａが開孔されており、ｎ+ 型不純物領
域６２の上にはコンタクトホール６６ａを介して各ｎ+
型不純物領域６２に接続されたバンプ６８が形成されて
いる。赤外線検出素子は、これらのバンプ６８を介して
電子回路装置５４に接続される。なお、ｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層６１もバンプ６８を介して電子回路装置５４に電気
的に接続されるようになっている。
なる保護絶縁層６６が形成されている。この保護絶縁層
６６には各ｎ+ 型不純物領域６２に整合する位置にコン
タクトホール６６ａが開孔されており、ｎ+ 型不純物領
域６２の上にはコンタクトホール６６ａを介して各ｎ+
型不純物領域６２に接続されたバンプ６８が形成されて
いる。赤外線検出素子は、これらのバンプ６８を介して
電子回路装置５４に接続される。なお、ｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層６１もバンプ６８を介して電子回路装置５４に電気
的に接続されるようになっている。
【０００５】このように構成された赤外線検出素子にお
いて、ＣｄＺｎＴｅ基板６０を通過した赤外線が画素内
のｐ型ＨｇＣｄＴｅ層６１内で吸収されると一対のキャ
リア（電子及び正孔）が発生し、当該画素のバンプ６８
を介して電子回路装置５４に信号が出力される。電子回
路装置にはＣＣＤ（Charge Coupled Device ）等の電子
回路が形成されており、赤外線検出素子から出力された
信号を基に画像信号が生成される。
いて、ＣｄＺｎＴｅ基板６０を通過した赤外線が画素内
のｐ型ＨｇＣｄＴｅ層６１内で吸収されると一対のキャ
リア（電子及び正孔）が発生し、当該画素のバンプ６８
を介して電子回路装置５４に信号が出力される。電子回
路装置にはＣＣＤ（Charge Coupled Device ）等の電子
回路が形成されており、赤外線検出素子から出力された
信号を基に画像信号が生成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、映像
装置の高画質化が要望されており、赤外線検出素子にも
画素数の増加が要求されている。これに伴って、赤外線
検出素子が大型化される傾向がある。しかしながら、赤
外線検出素子が大型化されると、画素領域の中央部に配
置された画素に到達する光量と端部に配置された画素に
到達する光量とが異なるシェーディングといわれる現象
が問題になる。
装置の高画質化が要望されており、赤外線検出素子にも
画素数の増加が要求されている。これに伴って、赤外線
検出素子が大型化される傾向がある。しかしながら、赤
外線検出素子が大型化されると、画素領域の中央部に配
置された画素に到達する光量と端部に配置された画素に
到達する光量とが異なるシェーディングといわれる現象
が問題になる。
【０００７】図１２は、横軸に画素領域の中心からの距
離をとり、縦軸に入射光量をとって両者の関係を示す図
である。例えば、１個の画素の感光面積（有効面積）が
３０μｍ×３０μｍであり、画素が５０μｍのピッチで
一方向に２４０個並んだ画素領域のサイズが１２ｍｍの
赤外線検出素子を使用し、コールドシールドの高さが２
０ｍｍ、開口直径が１０ｍｍ（Ｆ／２．０）の場合、図
１１に示すように、赤外線検出素子の画素領域の中心に
配置された画素に入射する光量を１００とすると、中心
から４ｍｍ離れた位置に配置された画素に入射する光量
は９２、中心から６ｍｍ離れた位置に配置された画素に
入射する光量は８２と約２割近く減少する。
離をとり、縦軸に入射光量をとって両者の関係を示す図
である。例えば、１個の画素の感光面積（有効面積）が
３０μｍ×３０μｍであり、画素が５０μｍのピッチで
一方向に２４０個並んだ画素領域のサイズが１２ｍｍの
赤外線検出素子を使用し、コールドシールドの高さが２
０ｍｍ、開口直径が１０ｍｍ（Ｆ／２．０）の場合、図
１１に示すように、赤外線検出素子の画素領域の中心に
配置された画素に入射する光量を１００とすると、中心
から４ｍｍ離れた位置に配置された画素に入射する光量
は９２、中心から６ｍｍ離れた位置に配置された画素に
入射する光量は８２と約２割近く減少する。
【０００８】赤外線画像では、取り扱う信号電荷量が可
視光画像と比べて桁違いに多く、背景光の割合が信号光
よりも多いので、約２割の光量の違いは、信号処理回路
のダイナミックレンジを減少させる。特に、ハイビジョ
ン等の高画質が要求される用途に使用される赤外線検出
素子は画素数が多く素子のサイズが大型化するので、シ
ェーディングの影響は顕著になる。
視光画像と比べて桁違いに多く、背景光の割合が信号光
よりも多いので、約２割の光量の違いは、信号処理回路
のダイナミックレンジを減少させる。特に、ハイビジョ
ン等の高画質が要求される用途に使用される赤外線検出
素子は画素数が多く素子のサイズが大型化するので、シ
ェーディングの影響は顕著になる。
【０００９】本発明は、画素の位置による入射光量の
差、すなわちシェーディングを補正し、ダイナミックレ
ンジの低下を回避できる光検出素子を提供することを目
的とする。
差、すなわちシェーディングを補正し、ダイナミックレ
ンジの低下を回避できる光検出素子を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、光透過
性の基板と、前記基板上に形成された第１導電型半導体
層と、前記半導体層の表層に選択的に形成された第２導
電型不純物領域と、上から見たときに前記第２導電型不
純物領域を囲むように形成された導電体からなる電子排
出部と、前記電子排出部に接続された電極部とを有する
ことを特徴とする光検出素子により解決する。
性の基板と、前記基板上に形成された第１導電型半導体
層と、前記半導体層の表層に選択的に形成された第２導
電型不純物領域と、上から見たときに前記第２導電型不
純物領域を囲むように形成された導電体からなる電子排
出部と、前記電子排出部に接続された電極部とを有する
ことを特徴とする光検出素子により解決する。
【００１１】上記した課題は、光透過性の基板と、前記
基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記半導体
層の表層に一方向に配列して形成された複数の第２導電
型不純物領域と、上から見たときに各第２導電型不純物
領域をそれぞれ囲むように形成された導電体からなる複
数の電子排出部と、各電子排出部間を接続する抵抗体
と、前記複数の電子排出部のうち少なくとも両端の電子
排出部に接続された電極部とを有することを特徴とする
光検出素子により解決する。
基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記半導体
層の表層に一方向に配列して形成された複数の第２導電
型不純物領域と、上から見たときに各第２導電型不純物
領域をそれぞれ囲むように形成された導電体からなる複
数の電子排出部と、各電子排出部間を接続する抵抗体
と、前記複数の電子排出部のうち少なくとも両端の電子
排出部に接続された電極部とを有することを特徴とする
光検出素子により解決する。
【００１２】上記した課題は、光透過性の基板と、前記
基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記半導体
層の表層に相互に直交する二方向に配列して形成された
複数の第２導電型不純物領域と、上から見たときに各第
２導電型不純物領域をそれぞれ囲むように形成された導
電体からなる複数の電子排出部と、各電子排出部間を接
続する抵抗体と、前記複数の電子排出部のうち端部に配
置された電子排出部にそれぞれ接続された電極部とを有
することを特徴とする光検出素子により解決する。
基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記半導体
層の表層に相互に直交する二方向に配列して形成された
複数の第２導電型不純物領域と、上から見たときに各第
２導電型不純物領域をそれぞれ囲むように形成された導
電体からなる複数の電子排出部と、各電子排出部間を接
続する抵抗体と、前記複数の電子排出部のうち端部に配
置された電子排出部にそれぞれ接続された電極部とを有
することを特徴とする光検出素子により解決する。
【００１３】以下、作用について説明する。本発明にお
いては、第１導電型半導体層の表層に第２導電型不純物
領域が選択的に形成されており、これらの半導体層と不
純物領域とのｐｎ接合によりフォトダイオードが構成さ
れる。光が半導体層で吸収されるとキャリアが発生し、
該キャリアが不純物領域に到達すると外部に信号として
出力される。
いては、第１導電型半導体層の表層に第２導電型不純物
領域が選択的に形成されており、これらの半導体層と不
純物領域とのｐｎ接合によりフォトダイオードが構成さ
れる。光が半導体層で吸収されるとキャリアが発生し、
該キャリアが不純物領域に到達すると外部に信号として
出力される。
【００１４】また、本発明においては、前記第１導電型
半導体層の表層又は前記第１導電型半導体層の上に導電
体からなる電子排出部が設けられている。例えば、電子
排出部に電極部を介して正の電圧を印加したとする。こ
の場合、前記不純物領域の近傍で発生した負のキャリア
は不純物領域に到達して、信号として出力される。しか
し、電子排出部の近傍で発生した負のキャリアは電子排
出部に捕捉され、外部には信号が出力されない。このよ
うに、電子排出部に正の電圧を印加した場合は、電子排
出部の近傍でキャリアが発生しても信号として出力され
ることはないので、電子排出部への電圧の印加によりフ
ォトダイオードの感光面積が減少したということができ
る。電子排出部でキャリアを捕捉する範囲は電子排出部
に印加する電圧の大きさに関係する。従って、電子排出
部に印加する電圧を変えることにより、電子排出部でキ
ャリアを捕捉する範囲を変えることができ、フォトダイ
オードの感光面積も変化する。
半導体層の表層又は前記第１導電型半導体層の上に導電
体からなる電子排出部が設けられている。例えば、電子
排出部に電極部を介して正の電圧を印加したとする。こ
の場合、前記不純物領域の近傍で発生した負のキャリア
は不純物領域に到達して、信号として出力される。しか
し、電子排出部の近傍で発生した負のキャリアは電子排
出部に捕捉され、外部には信号が出力されない。このよ
うに、電子排出部に正の電圧を印加した場合は、電子排
出部の近傍でキャリアが発生しても信号として出力され
ることはないので、電子排出部への電圧の印加によりフ
ォトダイオードの感光面積が減少したということができ
る。電子排出部でキャリアを捕捉する範囲は電子排出部
に印加する電圧の大きさに関係する。従って、電子排出
部に印加する電圧を変えることにより、電子排出部でキ
ャリアを捕捉する範囲を変えることができ、フォトダイ
オードの感光面積も変化する。
【００１５】このように、本発明においては、不純物領
域の周囲を囲むように電子排出部が形成されているの
で、例えば画素領域の中心部の画素の感光面積が小さ
く、端部側の画素の感光面積が大きくなるように各電子
排出部に印加する電圧を調整することにより、シェーデ
ィングによる光量の差を補正することができる。これに
より、ダイナミックレンジの低下が回避される。
域の周囲を囲むように電子排出部が形成されているの
で、例えば画素領域の中心部の画素の感光面積が小さ
く、端部側の画素の感光面積が大きくなるように各電子
排出部に印加する電圧を調整することにより、シェーデ
ィングによる光量の差を補正することができる。これに
より、ダイナミックレンジの低下が回避される。
【００１６】半導体層の表面に一方向又は相互に直交す
る二方向に沿って複数の不純物領域を配置した光検出素
子の場合、各不純物領域を囲むようにそれぞれ電子排出
部を配置し、各電子排出部の間を抵抗体で接続すること
が好ましい。これらの抵抗体に電流が流れると電圧降下
が発生し、隣り合う電子排出部に電圧の差が発生する。
例えば、一方向に沿って複数の不純物が配置されている
場合、中央部に配置された電子排出部に正の電圧を印加
し、両端に配置された電子排出部を接地電位とすると、
端部に近い電子排出部ほど電圧が低くなり、感光面積が
大きくなる。このように、各電子排出部の間を抵抗体に
より接続することにより、各電子排出部に印加する電圧
を個別的に調整する必要がなく、特別な回路を必要とし
ない。
る二方向に沿って複数の不純物領域を配置した光検出素
子の場合、各不純物領域を囲むようにそれぞれ電子排出
部を配置し、各電子排出部の間を抵抗体で接続すること
が好ましい。これらの抵抗体に電流が流れると電圧降下
が発生し、隣り合う電子排出部に電圧の差が発生する。
例えば、一方向に沿って複数の不純物が配置されている
場合、中央部に配置された電子排出部に正の電圧を印加
し、両端に配置された電子排出部を接地電位とすると、
端部に近い電子排出部ほど電圧が低くなり、感光面積が
大きくなる。このように、各電子排出部の間を抵抗体に
より接続することにより、各電子排出部に印加する電圧
を個別的に調整する必要がなく、特別な回路を必要とし
ない。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１実施の形態の
赤外線検出素子を示す上面図、図２は図１のＡ−Ａ線に
おける断面図である。但し、図１には保護絶縁層１６及
びバンプ１８の図示を省略している。
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１実施の形態の
赤外線検出素子を示す上面図、図２は図１のＡ−Ａ線に
おける断面図である。但し、図１には保護絶縁層１６及
びバンプ１８の図示を省略している。
【００１８】ＣｄＺｎＴｅ基板１０は赤外線を透過する
性質を有している。このＣｄＺｎＴｅ基板１０上にはｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層１１が約１７μｍの厚さに形成されて
いる。このｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層には、上から
見たときに正方形（例えば、３０μｍ×３０μｍ）の複
数のｎ+ 型不純物領域１２が一方向に一定のピッチ（例
えば、５０μｍ）で配列されている。これらのｎ+ 型不
純物領域１２はｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１とｐｎ接合し、
それぞれフォトダイオードを構成している。一つのフォ
トダイオードが一つの画素に対応する。
性質を有している。このＣｄＺｎＴｅ基板１０上にはｐ
型ＨｇＣｄＴｅ層１１が約１７μｍの厚さに形成されて
いる。このｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層には、上から
見たときに正方形（例えば、３０μｍ×３０μｍ）の複
数のｎ+ 型不純物領域１２が一方向に一定のピッチ（例
えば、５０μｍ）で配列されている。これらのｎ+ 型不
純物領域１２はｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１とｐｎ接合し、
それぞれフォトダイオードを構成している。一つのフォ
トダイオードが一つの画素に対応する。
【００１９】また、ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層には、複
数のｎ+ 型電子排出部１３と、各電子排出部１３間を接
続するｎ+ 型抵抗部１４と、ｎ+ 型電極部１５とが形成
されている。電子排出部１３は、上から見たときにｎ+
型不純物領域１２を囲むように四角形の枠状に形成され
ている。また、電極部１５は、電子排出部１３のうち両
端に配置された電子排出部１３と中央に配置された電子
排出部１３とに接続されている。
数のｎ+ 型電子排出部１３と、各電子排出部１３間を接
続するｎ+ 型抵抗部１４と、ｎ+ 型電極部１５とが形成
されている。電子排出部１３は、上から見たときにｎ+
型不純物領域１２を囲むように四角形の枠状に形成され
ている。また、電極部１５は、電子排出部１３のうち両
端に配置された電子排出部１３と中央に配置された電子
排出部１３とに接続されている。
【００２０】ＨｇＣｄＴｅ層１１の上にはＺｎＳからな
る保護絶縁層１６が形成されている。この保護絶縁層１
６には、ｎ+ 型不純物領域１２及び電極部１５に整合す
る位置に、コンタクトホール１６ａが開孔されている。
そして、保護絶縁層１６上には、コンタクトホール１６
ａを介してｎ+ 型不純物領域１２及び電極部１５に接続
したバンプ１８が形成されている。このバンプ１８はイ
ンジウム（Ｉｎ）からなる。赤外線検出素子は、これら
のバンプ１８を介してＣＣＤ等の回路が形成された電子
回路装置（図示せず）に接続される。なお、ｐ型ＨｇＣ
ｄＴｅ層１１も図示しないバンプを介して信号処理回路
に電気的に接続される。
る保護絶縁層１６が形成されている。この保護絶縁層１
６には、ｎ+ 型不純物領域１２及び電極部１５に整合す
る位置に、コンタクトホール１６ａが開孔されている。
そして、保護絶縁層１６上には、コンタクトホール１６
ａを介してｎ+ 型不純物領域１２及び電極部１５に接続
したバンプ１８が形成されている。このバンプ１８はイ
ンジウム（Ｉｎ）からなる。赤外線検出素子は、これら
のバンプ１８を介してＣＣＤ等の回路が形成された電子
回路装置（図示せず）に接続される。なお、ｐ型ＨｇＣ
ｄＴｅ層１１も図示しないバンプを介して信号処理回路
に電気的に接続される。
【００２１】以下、上述のように構成された本実施の形
態の赤外線検出素子の動作について説明する。まず、電
子排出部１３に電圧が印加されていない場合について説
明する。ＣｄＺｎＴｅ基板１０を透過した赤外線がｐ型
ＨｇＣｄＴｅ層１１に吸収されると、正負一対のキャリ
ア（電子及び正孔）が発生する。このうち、負のキャリ
アがｎ+ 型不純物領域１２に到達すると、ｎ+ 型不純物
領域１２からバンプ１８を介して電子回路装置に電流
（信号）が流れる。
態の赤外線検出素子の動作について説明する。まず、電
子排出部１３に電圧が印加されていない場合について説
明する。ＣｄＺｎＴｅ基板１０を透過した赤外線がｐ型
ＨｇＣｄＴｅ層１１に吸収されると、正負一対のキャリ
ア（電子及び正孔）が発生する。このうち、負のキャリ
アがｎ+ 型不純物領域１２に到達すると、ｎ+ 型不純物
領域１２からバンプ１８を介して電子回路装置に電流
（信号）が流れる。
【００２２】次に、電子排出部１３に正の電圧を印加し
たとする。この場合、ｎ+ 型不純物領域１２の近傍で発
生した負のキャリアはｎ+ 型不純物領域１２に到達し、
バンプ１８を介して電子回路装置に信号が出力される。
しかし、電子排出部１３の近傍で発生した負のキャリア
は電気的な引力により電子排出部１３に向かって移動
し、電子排出部１３に捕捉されてしまう。この場合は、
電子回路装置に信号が出力されない。従って、電子排出
部１３に正の電圧を印加すると、画素の感光面積が縮小
するということができる。電子排出部１３に印加する電
圧を変化すると、、画素の感光面積も変化する。
たとする。この場合、ｎ+ 型不純物領域１２の近傍で発
生した負のキャリアはｎ+ 型不純物領域１２に到達し、
バンプ１８を介して電子回路装置に信号が出力される。
しかし、電子排出部１３の近傍で発生した負のキャリア
は電気的な引力により電子排出部１３に向かって移動
し、電子排出部１３に捕捉されてしまう。この場合は、
電子回路装置に信号が出力されない。従って、電子排出
部１３に正の電圧を印加すると、画素の感光面積が縮小
するということができる。電子排出部１３に印加する電
圧を変化すると、、画素の感光面積も変化する。
【００２３】図３は横軸にバイアス電圧をとり、縦軸に
光電流をとって、電子排出部１３に印加する電圧を−１
０ｍＶ、０ｍＶ、１０ｍＶ及び２０ｍＶとしたときのフ
ォトダイオードの電圧−電流特性を示す図である。この
図３に示すように、電子排出部１３に印加する電圧を変
化させることにより、フォトダイオードの電圧−電流特
性が変化する。電子排出部１３に印加する電圧が０のと
きの画素の感光面積を１００とし、光電流の比から各電
圧（電子排出部１３に印加する電圧）における画素の感
光面積を計算した。その結果を下記表１に示す。但し、
バイアス電圧はいずれも０ｍＶである。
光電流をとって、電子排出部１３に印加する電圧を−１
０ｍＶ、０ｍＶ、１０ｍＶ及び２０ｍＶとしたときのフ
ォトダイオードの電圧−電流特性を示す図である。この
図３に示すように、電子排出部１３に印加する電圧を変
化させることにより、フォトダイオードの電圧−電流特
性が変化する。電子排出部１３に印加する電圧が０のと
きの画素の感光面積を１００とし、光電流の比から各電
圧（電子排出部１３に印加する電圧）における画素の感
光面積を計算した。その結果を下記表１に示す。但し、
バイアス電圧はいずれも０ｍＶである。
【００２４】
【表１】
【００２５】この表１に示すように、電子排出部１３に
印加する電圧を変えることにより、画素の感光面積を変
化させることができる。本実施の形態においては、図４
に示すように、一方向に並んだ複数の電子排出部１３の
うち、中央の電子排出部１３に正の電圧を印加し、両端
部の電子排出部１３を接地電位（０Ｖ）とする。各電子
排出部１３の間を接続する各抵抗部１４で電圧降下が発
生するので、中央部に配置された電子排出部１３に印加
される電圧が最も高く、端部に近い電子排出部１３ほど
印加電圧は低くなる。すなわち、画素の感光面積は中央
部に配置された画素が最も小さく、端部側に配置された
画素ほど大きくなる。
印加する電圧を変えることにより、画素の感光面積を変
化させることができる。本実施の形態においては、図４
に示すように、一方向に並んだ複数の電子排出部１３の
うち、中央の電子排出部１３に正の電圧を印加し、両端
部の電子排出部１３を接地電位（０Ｖ）とする。各電子
排出部１３の間を接続する各抵抗部１４で電圧降下が発
生するので、中央部に配置された電子排出部１３に印加
される電圧が最も高く、端部に近い電子排出部１３ほど
印加電圧は低くなる。すなわち、画素の感光面積は中央
部に配置された画素が最も小さく、端部側に配置された
画素ほど大きくなる。
【００２６】図５は、横軸は画素領域の中心からの距離
をとり、縦軸に画素の感光面積をとって、両者の関係を
示す図である。この図５に示すように、本実施の形態の
赤外線検出素子は、端部に近い画素ほど感光面積が大き
い。一方、画素に入射する光量は、図１２に示すよう
に、中央部の画素が最も多く、端部に近い画素ほど光量
は少なくなる。従って、本実施の形態の赤外線検出素子
では、シェーディングによる光量の減少が補正され、見
かけ上の感度特性が均一になる。これにより、ダイナミ
ックレンジの低下が回避されるという効果が得られる。
をとり、縦軸に画素の感光面積をとって、両者の関係を
示す図である。この図５に示すように、本実施の形態の
赤外線検出素子は、端部に近い画素ほど感光面積が大き
い。一方、画素に入射する光量は、図１２に示すよう
に、中央部の画素が最も多く、端部に近い画素ほど光量
は少なくなる。従って、本実施の形態の赤外線検出素子
では、シェーディングによる光量の減少が補正され、見
かけ上の感度特性が均一になる。これにより、ダイナミ
ックレンジの低下が回避されるという効果が得られる。
【００２７】以下、本実施の形態の赤外線検出素子の製
造方法を、図１，図２を参照して説明する。まず、Ｃｄ
ＺｎＴｅ基板１０上にｐ型ＨｇＣｄＴｅ混晶を液相エピ
タキシャル成長させて、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１を形成
する。このとき、ＨｇとＣｄとの組成比によりバンドギ
ャップが決まる。
造方法を、図１，図２を参照して説明する。まず、Ｃｄ
ＺｎＴｅ基板１０上にｐ型ＨｇＣｄＴｅ混晶を液相エピ
タキシャル成長させて、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１を形成
する。このとき、ＨｇとＣｄとの組成比によりバンドギ
ャップが決まる。
【００２８】次に、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層にボ
ロン（Ｂ）を選択的にイオン注入し、ｎ+ 型不純物領域
１２、ｎ+ 型電子排出部１３、ｎ+ 型抵抗部１４及びｎ
+ 型電極部１５を形成する。その後、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
層１１の上にＺｎＳを蒸着して、保護絶縁層１６を形成
する。次に、保護絶縁層１６を塩酸で選択的にエッチン
グし、ｎ+ 型不純物領域１２の上及び電極部１５の上を
開孔してコンタクトホール１６ａを形成する。そして、
リフトオフ法によりｎ+ 型不純物領域１２及び電極部１
５に接続するバンプ１８を形成する。すなわち、ｐ型Ｈ
ｇＣｄＴｅ層１１上の全面にレジスト膜を形成し、この
レジスト膜のコンタクトホール１６ａに整合する位置を
開口する。その後、上側全面にインジウムを蒸着した
後、レジスト膜を除去する。このとき、レジスト膜上に
被着したインジウムがレジスト膜とともに除去され、コ
ンタクトホール１６ａの内側及び近傍にインジウムの層
が残り、バンプ１８が形成される。これにより、本実施
の形態の赤外線検出素子が完成する。
ロン（Ｂ）を選択的にイオン注入し、ｎ+ 型不純物領域
１２、ｎ+ 型電子排出部１３、ｎ+ 型抵抗部１４及びｎ
+ 型電極部１５を形成する。その後、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
層１１の上にＺｎＳを蒸着して、保護絶縁層１６を形成
する。次に、保護絶縁層１６を塩酸で選択的にエッチン
グし、ｎ+ 型不純物領域１２の上及び電極部１５の上を
開孔してコンタクトホール１６ａを形成する。そして、
リフトオフ法によりｎ+ 型不純物領域１２及び電極部１
５に接続するバンプ１８を形成する。すなわち、ｐ型Ｈ
ｇＣｄＴｅ層１１上の全面にレジスト膜を形成し、この
レジスト膜のコンタクトホール１６ａに整合する位置を
開口する。その後、上側全面にインジウムを蒸着した
後、レジスト膜を除去する。このとき、レジスト膜上に
被着したインジウムがレジスト膜とともに除去され、コ
ンタクトホール１６ａの内側及び近傍にインジウムの層
が残り、バンプ１８が形成される。これにより、本実施
の形態の赤外線検出素子が完成する。
【００２９】なお、上述の実施の形態においてはＨｇＣ
ｄＴｅ層１１がｐ型の場合について説明したが、ＨｇＣ
ｄＴｅ層１１をｎ型とし、不純物領域１２、抵抗部１４
及び電極部１５をｐ型としてもよい。ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
の場合はコンタクト金属としてＡｕ（金）を使用し、ｎ
型ＨｇＣｄＴｅの場合はコンタクト金属としてＩｎ（イ
ンジウム）を使用することが好ましい。
ｄＴｅ層１１がｐ型の場合について説明したが、ＨｇＣ
ｄＴｅ層１１をｎ型とし、不純物領域１２、抵抗部１４
及び電極部１５をｐ型としてもよい。ｐ型ＨｇＣｄＴｅ
の場合はコンタクト金属としてＡｕ（金）を使用し、ｎ
型ＨｇＣｄＴｅの場合はコンタクト金属としてＩｎ（イ
ンジウム）を使用することが好ましい。
【００３０】（第２の実施の形態）図６は本発明の第２
の実施の形態の赤外線検出素子を示す上面図、図７は図
６のＢ−Ｂ線における断面図である。なお、図６，図７
において、図１，図２と同一物には同一符号を付してそ
の詳しい説明は省略する。また、図７にはバンプ１８の
図示を省略している。
の実施の形態の赤外線検出素子を示す上面図、図７は図
６のＢ−Ｂ線における断面図である。なお、図６，図７
において、図１，図２と同一物には同一符号を付してそ
の詳しい説明は省略する。また、図７にはバンプ１８の
図示を省略している。
【００３１】本実施の形態においては、ｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層１１の表層に複数のｎ+ 型不純物領域１２が一方向
に並んで形成されている。そして、ＨｇＣｄＴｅ層１１
の上にはＺｎＳからなる保護絶縁層１６と、Ａｕからな
る電子排出部２３、抵抗部２４及び電極部２５とが形成
されている。電子排出部２３は、第１の実施の形態と同
様に、上から見たときにｎ+ 型不純物領域１２を囲むよ
うに四角形の枠状に形成されている。また、抵抗部２４
は、各電子排出部２３間を接続するように形成されてい
る。
ｅ層１１の表層に複数のｎ+ 型不純物領域１２が一方向
に並んで形成されている。そして、ＨｇＣｄＴｅ層１１
の上にはＺｎＳからなる保護絶縁層１６と、Ａｕからな
る電子排出部２３、抵抗部２４及び電極部２５とが形成
されている。電子排出部２３は、第１の実施の形態と同
様に、上から見たときにｎ+ 型不純物領域１２を囲むよ
うに四角形の枠状に形成されている。また、抵抗部２４
は、各電子排出部２３間を接続するように形成されてい
る。
【００３２】これらの電子排出部２３及び抵抗部２４
は、以下のようにリフトオフ法により形成する。すなわ
ち、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１上にＺｎＳにより保護絶縁
層１６を形成した後、保護絶縁層１６を塩酸で選択的に
エッチングする。その後、レジスト膜を被着し、このレ
ジスト膜の所定の領域、すなわち電子排出部２３、抵抗
部２４及び電極部２５を形成すべき領域を開口する。そ
の後、全面にＡｕを蒸着し、レジスト膜をその上に被着
したＡｕとともに除去して、レジスト膜の開口部にのみ
Ａｕを残す。これにより、Ａｕからなる電子排出部２
３、抵抗部２４及び電極部２５を形成することができ
る。
は、以下のようにリフトオフ法により形成する。すなわ
ち、ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層１１上にＺｎＳにより保護絶縁
層１６を形成した後、保護絶縁層１６を塩酸で選択的に
エッチングする。その後、レジスト膜を被着し、このレ
ジスト膜の所定の領域、すなわち電子排出部２３、抵抗
部２４及び電極部２５を形成すべき領域を開口する。そ
の後、全面にＡｕを蒸着し、レジスト膜をその上に被着
したＡｕとともに除去して、レジスト膜の開口部にのみ
Ａｕを残す。これにより、Ａｕからなる電子排出部２
３、抵抗部２４及び電極部２５を形成することができ
る。
【００３３】このように構成された本実施の形態の赤外
線検出素子においても、第１の実施の形態と同様に、画
素領域の中央部に配置された電子排出部２３に正の電圧
を印加し、両端部の電子排出部２３を接地電位に保持す
る。これにより、第１の実施の形態と同様に、シェーデ
ィングによる光量の差が補正され、各画素の見かけ上の
感度特性が均一になり、ダイナミックレンジの低下が回
避される。
線検出素子においても、第１の実施の形態と同様に、画
素領域の中央部に配置された電子排出部２３に正の電圧
を印加し、両端部の電子排出部２３を接地電位に保持す
る。これにより、第１の実施の形態と同様に、シェーデ
ィングによる光量の差が補正され、各画素の見かけ上の
感度特性が均一になり、ダイナミックレンジの低下が回
避される。
【００３４】（第３の実施の形態）図８は本発明の第３
の実施の形態の赤外線検出素子の上面図である。なお、
本実施の形態においては、ｎ+ 型不純物領域１２が２次
元方向（相互に直交する２つの方向）に配列されている
こと以外は基本的に第１の実施の形態と同様であるの
で、同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略
する。
の実施の形態の赤外線検出素子の上面図である。なお、
本実施の形態においては、ｎ+ 型不純物領域１２が２次
元方向（相互に直交する２つの方向）に配列されている
こと以外は基本的に第１の実施の形態と同様であるの
で、同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略
する。
【００３５】本実施の形態においては、ｐ型ＨｇＣｄＴ
ｅ層１１の表層に、複数のｎ+ 型不純物領域１２が相互
に直交する２つの方向に沿って配列されている。また、
ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層には、各ｎ+ 型不純物領域１
２を囲むようにして複数のｎ+ 電型子排出部３３が形成
されている。これらの電子排出部３３は、いずれも上か
ら見たときに四角形の枠状に形成されている。更に、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層１１の表層には、各電子排出部３３間を接
続するｎ+ 型抵抗部３４が形成されている。これらの電
子排出部３３及び抵抗部３４も、ＨｇＣｄＴｅ層１１の
表層にボロン等のｎ型不純物をイオン注入することによ
り形成されている。そして、２次元配列された複数のｎ
+ 型不純物領域１２のうち、最外側に配置された各ｎ+
型不純物領域１２は、ｎ+ 型端子部３５に電気的に接続
されている。
ｅ層１１の表層に、複数のｎ+ 型不純物領域１２が相互
に直交する２つの方向に沿って配列されている。また、
ＨｇＣｄＴｅ層１１の表層には、各ｎ+ 型不純物領域１
２を囲むようにして複数のｎ+ 電型子排出部３３が形成
されている。これらの電子排出部３３は、いずれも上か
ら見たときに四角形の枠状に形成されている。更に、Ｈ
ｇＣｄＴｅ層１１の表層には、各電子排出部３３間を接
続するｎ+ 型抵抗部３４が形成されている。これらの電
子排出部３３及び抵抗部３４も、ＨｇＣｄＴｅ層１１の
表層にボロン等のｎ型不純物をイオン注入することによ
り形成されている。そして、２次元配列された複数のｎ
+ 型不純物領域１２のうち、最外側に配置された各ｎ+
型不純物領域１２は、ｎ+ 型端子部３５に電気的に接続
されている。
【００３６】本実施の形態の赤外線検出素子において
は、各端子部３５に負の電圧を印加する。電子排出部３
３に補足されたキャリア（正孔）により抵抗部３４に電
流が流れ、各抵抗部３３で電圧降下が発生する。従っ
て、画素領域の中央部に配置された電子排出部３３の電
位は、端部に配置された電子排出部３３の電位よりも高
くなる。これにより、中央部の画素の感光面積が端部側
に配置された画素の感光面積よりも小さくなる。従っ
て、シェーディングによる中央部と端部との光量の差が
補正され、ダイナミックレンジの広い高性能の赤外線検
出素子が得られる。
は、各端子部３５に負の電圧を印加する。電子排出部３
３に補足されたキャリア（正孔）により抵抗部３４に電
流が流れ、各抵抗部３３で電圧降下が発生する。従っ
て、画素領域の中央部に配置された電子排出部３３の電
位は、端部に配置された電子排出部３３の電位よりも高
くなる。これにより、中央部の画素の感光面積が端部側
に配置された画素の感光面積よりも小さくなる。従っ
て、シェーディングによる中央部と端部との光量の差が
補正され、ダイナミックレンジの広い高性能の赤外線検
出素子が得られる。
【００３７】なお、第３の実施の形態においては電子排
出部３３がＨｇＣｄＴｅ層１１の表層に形成されている
場合について説明したが、第２の実施の形態と同様に、
電子排出部を金属により形成し、ＨｇＣｄＴｅ層１１の
上に配置してもよい。また、上記第１〜第３の実施の形
態においてはいずれも赤外線検出素子の場合について説
明したが、これにより本発明が赤外線検出素子に限定さ
れるものではなく、光により半導体層内にキャリアが発
生する構造であれば赤外線以外の光の検出素子に本発明
を適用することも可能である。
出部３３がＨｇＣｄＴｅ層１１の表層に形成されている
場合について説明したが、第２の実施の形態と同様に、
電子排出部を金属により形成し、ＨｇＣｄＴｅ層１１の
上に配置してもよい。また、上記第１〜第３の実施の形
態においてはいずれも赤外線検出素子の場合について説
明したが、これにより本発明が赤外線検出素子に限定さ
れるものではなく、光により半導体層内にキャリアが発
生する構造であれば赤外線以外の光の検出素子に本発明
を適用することも可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１導電型半導体層の表層に形成された第２導電型不純
物領域を囲むように形成された導電体からなる電子排出
部と、該電子排出部に接続された電極部とを有している
ので、電子排出部に印加する電圧を変化させると、画素
の感光面積が変化する。例えば、第１導電型半導体層の
表層に複数の第２導電型不純物領域と各第２導電型不純
物領域を囲むように形成された複数の電子排出部とを有
する光検出素子において、各電子排出部に印加する電圧
を調整することにより、各画素の感光面積を調整し、シ
ェーディングによる光量の差を補正することができる。
これにより、ダイナミックレンジの低下が回避される。
第１導電型半導体層の表層に形成された第２導電型不純
物領域を囲むように形成された導電体からなる電子排出
部と、該電子排出部に接続された電極部とを有している
ので、電子排出部に印加する電圧を変化させると、画素
の感光面積が変化する。例えば、第１導電型半導体層の
表層に複数の第２導電型不純物領域と各第２導電型不純
物領域を囲むように形成された複数の電子排出部とを有
する光検出素子において、各電子排出部に印加する電圧
を調整することにより、各画素の感光面積を調整し、シ
ェーディングによる光量の差を補正することができる。
これにより、ダイナミックレンジの低下が回避される。
【図１】本発明の第１の実施の形態の赤外線検出素子を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】電子排出部に印加する電圧を変化させたときの
フォトダイオードの電圧−電流特性を示す図である。
フォトダイオードの電圧−電流特性を示す図である。
【図４】第１の実施の形態における電圧の印加方法を示
す模式図である。
す模式図である。
【図５】画素領域の中心からの距離と感光面積との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の赤外線検出素子を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の赤外線検出素子の
上面図である。
上面図である。
【図９】赤外線検出装置を示す模式図である。
【図１０】同じくその赤外線装置の赤外線検出素子の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１１】同じくその赤外線検出素子のｎ+ 型不純物領
域の配列状態を示す上面図である。
域の配列状態を示す上面図である。
【図１２】画素領域の中心からの距離と入射光量との関
係を示す図である。
係を示す図である。
１０，６０ ＣｄＺｎＴｅ基板、 １１，６１ ｐ型ＨｇＣｄＴｅ層、 １２，６２ ｎ+ 型不純物領域、 １３，２３，３３ 電子排出部、 １４，２４，３４ 抵抗部、 １５，２５，３５ 端子部、 １６，６６ 保護絶縁層、 １８，５８，６８ バンプ、 ５１ 真空容器、 ５２ 窓、 ５３ 赤外線検出素子、 ５４ 電子回路装置、 ５５ コールドシールド ５７ クーラーヘッド。
Claims (7)
- 【請求項１】 光透過性の基板と、 前記基板上に形成された第１導電型半導体層と、 前記半導体層の表層に選択的に形成された第２導電型不
純物領域と、 上から見たときに前記第２導電型不純物領域を囲むよう
に形成された導電体からなる電子排出部と、 前記電子排出部に接続された電極部とを有することを特
徴とする光検出素子。 - 【請求項２】 前記第１導電型半導体層がＨｇＣｄＴｅ
からなることを特徴とする請求項１に記載の光検出素
子。 - 【請求項３】 前記電子排出部は、前記半導体層の表層
に不純物を導入して形成されたものであることを特徴と
する請求項１に記載の光検出素子。 - 【請求項４】 前記電子排出部は金属からなり、前記半
導体層の上に形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の光検出素子。 - 【請求項５】 光透過性の基板と、 前記基板上に形成された第１導電型半導体層と、 前記半導体層の表層に一方向に配列して形成された複数
の第２導電型不純物領域と、 上から見たときに各第２導電型不純物領域をそれぞれ囲
むように形成された導電体からなる複数の電子排出部
と、 各電子排出部間を接続する抵抗体と、 前記複数の電子排出部のうち少なくとも両端の電子排出
部に接続された電極部とを有することを特徴とする光検
出素子。 - 【請求項６】 光透過性の基板と、 前記基板上に形成された第１導電型半導体層と、 前記半導体層の表層に相互に直交する二方向に配列して
形成された複数の第２導電型不純物領域と、 上から見たときに各第２導電型不純物領域をそれぞれ囲
むように形成された導電体からなる複数の電子排出部
と、 各電子排出部間を接続する抵抗体と、 前記複数の電子排出部のうち端部に配置された電子排出
部にそれぞれ接続された電極部とを有することを特徴と
する光検出素子。 - 【請求項７】 前記抵抗体は前記半導体層の表層に不純
物を導入して形成されたものであることを特徴とする請
求項５又は６に記載の光検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09151698A JP3939430B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 光検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09151698A JP3939430B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 光検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289100A true JPH11289100A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3939430B2 JP3939430B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=14028583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09151698A Expired - Fee Related JP3939430B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | 光検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3939430B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038923A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| JP2008205256A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 裏面照射型固体撮像素子 |
| EP2237317A1 (en) * | 2008-01-30 | 2010-10-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imager and x-ray ct apparatus including same |
| US8084836B2 (en) | 2006-12-21 | 2011-12-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photodetector and radiation detecting apparatus |
| CN108922898A (zh) * | 2018-08-20 | 2018-11-30 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器 |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP09151698A patent/JP3939430B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US9099599B2 (en) | 2003-10-20 | 2015-08-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US9431567B2 (en) | 2003-10-20 | 2016-08-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US10908302B2 (en) | 2003-10-20 | 2021-02-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
| US7170143B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-01-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation apparatus |
| WO2005038923A1 (ja) * | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| CN100433345C (zh) * | 2003-10-20 | 2008-11-12 | 浜松光子学株式会社 | 半导体光检测元件和放射线检测装置 |
| JP4727422B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2011-07-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子及び放射線検出装置 |
| US8592934B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus |
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