JPH11283969A - ウェハ固定リング - Google Patents
ウェハ固定リングInfo
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- JPH11283969A JPH11283969A JP8352798A JP8352798A JPH11283969A JP H11283969 A JPH11283969 A JP H11283969A JP 8352798 A JP8352798 A JP 8352798A JP 8352798 A JP8352798 A JP 8352798A JP H11283969 A JPH11283969 A JP H11283969A
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- fixing ring
- hole
- etching
- edge
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングによってウェハから削られた小片
を確実に捕集できるウェハ固定リングを提供する。 【解決手段】 ウェハ固定リングＡは、エッチング装置
内のカソード電極３３に、エッチングすべきシリコンウ
ェハ３４を固定するためのものである。シリコンウェハ
３４を覆うための孔２を本体１に有している。孔２にお
ける縁部１ａは、エッチングによりシリコンウェハ３４
から削られた小片が付着しやすいように、細かな凹凸表
面になっている。
を確実に捕集できるウェハ固定リングを提供する。 【解決手段】 ウェハ固定リングＡは、エッチング装置
内のカソード電極３３に、エッチングすべきシリコンウ
ェハ３４を固定するためのものである。シリコンウェハ
３４を覆うための孔２を本体１に有している。孔２にお
ける縁部１ａは、エッチングによりシリコンウェハ３４
から削られた小片が付着しやすいように、細かな凹凸表
面になっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、エッチング装置
内の電極上にウェハを固定するためのウェハ固定リング
に関するものである。
内の電極上にウェハを固定するためのウェハ固定リング
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化に伴い、半導
体ウェハに形成する配線パターンの微細化はサブミクロ
ン領域まで進んできている。このような微細な配線パタ
ーンをウェハに形成するために、近年では、プラズマを
用いたエッチングが利用されている。
体ウェハに形成する配線パターンの微細化はサブミクロ
ン領域まで進んできている。このような微細な配線パタ
ーンをウェハに形成するために、近年では、プラズマを
用いたエッチングが利用されている。
【０００３】プラズマを用いてウェハをエッチングする
場合には、エッチング装置内に配置されている電極上に
ウェハ固定リングでウェハを確実に固定する必要があ
る。ウェハ固定リングの構造の一例、およびプラズマを
用いてウェハをエッチングする方法について、図面を参
照しつつ簡単に説明する。図３はプラズマを利用したエ
ッチング装置の一種である、リアクティブイオンエッチ
ング装置の一例を示す概略図、図６はウェハ固定リング
の一例を示す平面図、図７は図６のＩ−Ｉ線断面図であ
る。
場合には、エッチング装置内に配置されている電極上に
ウェハ固定リングでウェハを確実に固定する必要があ
る。ウェハ固定リングの構造の一例、およびプラズマを
用いてウェハをエッチングする方法について、図面を参
照しつつ簡単に説明する。図３はプラズマを利用したエ
ッチング装置の一種である、リアクティブイオンエッチ
ング装置の一例を示す概略図、図６はウェハ固定リング
の一例を示す平面図、図７は図６のＩ−Ｉ線断面図であ
る。
【０００４】図６、図７に示されるように、ウェハ固定
リングＢの本体６１は、光沢感を出すために表面全体が
平滑に仕上げられており、ウェハの側面を覆うための孔
６２を有している。孔６２は、径の異なる二つの孔６２
ａ，６２ｂで構成されている。孔６２ａの径は、エッチ
ングされるシリコンウェハ３４（図３参照）が置かれて
いるカソード電極３３の径よりも僅かに大きくなってお
り、孔６２ｂの径はシリコンウェハ３４の径よりも小さ
くなっている。
リングＢの本体６１は、光沢感を出すために表面全体が
平滑に仕上げられており、ウェハの側面を覆うための孔
６２を有している。孔６２は、径の異なる二つの孔６２
ａ，６２ｂで構成されている。孔６２ａの径は、エッチ
ングされるシリコンウェハ３４（図３参照）が置かれて
いるカソード電極３３の径よりも僅かに大きくなってお
り、孔６２ｂの径はシリコンウェハ３４の径よりも小さ
くなっている。
【０００５】リアクティブイオンエッチング装置では、
図３に示されるように、アノード電極３２とカソード電
極３３とがエッチング室３１内で対向して配置されてお
り、カソード電極３３にウェハ固定リングＢでシリコン
ウェハ３４が固定されている。反応ガスの下、カソード
電極３３に高周波電力Ｐｅを印加してプラズマを発生さ
せ、シリコンウェハ３４をエッチングする。具体的な操
作は、以下のとおりである。
図３に示されるように、アノード電極３２とカソード電
極３３とがエッチング室３１内で対向して配置されてお
り、カソード電極３３にウェハ固定リングＢでシリコン
ウェハ３４が固定されている。反応ガスの下、カソード
電極３３に高周波電力Ｐｅを印加してプラズマを発生さ
せ、シリコンウェハ３４をエッチングする。具体的な操
作は、以下のとおりである。
【０００６】まず、アノード電極３２のガス注入口３６
より反応ガスを注入し、アノード電極３２の下面に設け
られた多数の噴出孔（図示略）から上記反応ガスを噴出
させる。メインバルブ３７、可変コンダクタンスバルブ
３８、メカニカルブースタポンプ３９および油圧回転ポ
ンプ４０を調節して、エッチング室３１内の圧力を一定
に保持しながら反応ガスを排出させる。ついで、カソー
ド電極３３に高周波電力Ｐｅを印加してプラズマを発生
させ、カソード電極３３上にウェハ固定リングＢで固定
されているシリコンウェハ３４をエッチングする。エッ
チングによってシリコンウェハ３４から削られた小片
は、ウェハ固定リングＢにおける孔６２の縁部６１ａに
付着するようになっている。
より反応ガスを注入し、アノード電極３２の下面に設け
られた多数の噴出孔（図示略）から上記反応ガスを噴出
させる。メインバルブ３７、可変コンダクタンスバルブ
３８、メカニカルブースタポンプ３９および油圧回転ポ
ンプ４０を調節して、エッチング室３１内の圧力を一定
に保持しながら反応ガスを排出させる。ついで、カソー
ド電極３３に高周波電力Ｐｅを印加してプラズマを発生
させ、カソード電極３３上にウェハ固定リングＢで固定
されているシリコンウェハ３４をエッチングする。エッ
チングによってシリコンウェハ３４から削られた小片
は、ウェハ固定リングＢにおける孔６２の縁部６１ａに
付着するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ンウェハ３４をウェハ固定リングＢで固定してからエッ
チングすると、以下の不具合が生じることがある。
ンウェハ３４をウェハ固定リングＢで固定してからエッ
チングすると、以下の不具合が生じることがある。
【０００８】既に述べたように、ウェハ固定リングＢ
は、光沢感を出すために本体６１の表面全体が平滑に仕
上げられている。ウェハ固定リングＢの表面があまりに
も平滑に仕上げられているので、エッチングによってシ
リコンウェハ３４から削られた小片が孔６２の縁部６１
ａに付着しないことがある。縁部６１ａに付着できなか
った上記小片は、微粒子となってしまい、微細な配線パ
ターンがウェハ上に形成されるのを妨げる要因になるこ
ともある。
は、光沢感を出すために本体６１の表面全体が平滑に仕
上げられている。ウェハ固定リングＢの表面があまりに
も平滑に仕上げられているので、エッチングによってシ
リコンウェハ３４から削られた小片が孔６２の縁部６１
ａに付着しないことがある。縁部６１ａに付着できなか
った上記小片は、微粒子となってしまい、微細な配線パ
ターンがウェハ上に形成されるのを妨げる要因になるこ
ともある。
【０００９】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、エッチングによってウェハから
削られた小片を確実に捕集できるウェハ固定リングを提
供することをその課題としている。
出されたものであって、エッチングによってウェハから
削られた小片を確実に捕集できるウェハ固定リングを提
供することをその課題としている。
【００１０】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【００１１】すなわち、本願発明のウェハ固定リング
は、エッチング装置内で対向して設置されている一対の
電極のうちの一の電極に、エッチングすべきウェハを固
定するためのウェハ固定リングであって、上記ウェハの
側面を覆うための孔を本体に有しており、上記孔の縁部
は、エッチングによりウェハから削られた小片が付着し
やすいように、細かな凹凸表面になっていることを特徴
とするものである。
は、エッチング装置内で対向して設置されている一対の
電極のうちの一の電極に、エッチングすべきウェハを固
定するためのウェハ固定リングであって、上記ウェハの
側面を覆うための孔を本体に有しており、上記孔の縁部
は、エッチングによりウェハから削られた小片が付着し
やすいように、細かな凹凸表面になっていることを特徴
とするものである。
【００１２】本願発明のウェハ固定リングは、ウェハを
覆う孔の縁部が細かな凹凸表面になたものである。エッ
チングによってウェハから削られた小片は、ウェハ固定
リングにおける孔の縁部に到達する。孔の縁部は細かな
凹凸表面により粗くなっているので、ウェハから削られ
た小片は縁部に付着しやすくなる。
覆う孔の縁部が細かな凹凸表面になたものである。エッ
チングによってウェハから削られた小片は、ウェハ固定
リングにおける孔の縁部に到達する。孔の縁部は細かな
凹凸表面により粗くなっているので、ウェハから削られ
た小片は縁部に付着しやすくなる。
【００１３】本願発明に係るウェハ固定リングの好まし
い実施形態として、上記孔の縁部における細かな凹凸表
面は、ブラスト処理によって形成されたものとする。ブ
ラスト処理とは、加工面に固体金属や植物性の研磨剤を
高速で吹きつけ、加工面に凹凸をつける方法である。ウ
ェハ固定リングにおける孔の縁部のみに研磨剤を吹きつ
けてやれば、縁部のみに凹凸を形成でき、縁部以外の面
の光沢を維持することができる。
い実施形態として、上記孔の縁部における細かな凹凸表
面は、ブラスト処理によって形成されたものとする。ブ
ラスト処理とは、加工面に固体金属や植物性の研磨剤を
高速で吹きつけ、加工面に凹凸をつける方法である。ウ
ェハ固定リングにおける孔の縁部のみに研磨剤を吹きつ
けてやれば、縁部のみに凹凸を形成でき、縁部以外の面
の光沢を維持することができる。
【００１４】本願発明に係るウェハ固定リングの好まし
い実施形態として、上記凹凸表面の粗さは、２０〜４０
μｍになっている。粗さが上記範囲内にあると、エッチ
ングによってウェハから削られた小片が孔の縁部に付着
しやすくなる。粗さが２０μｍ未満の場合には、縁部の
表面がほとんど平滑になり、上記小片が縁部に付着しに
くくなってしまう。粗さが４０μｍを超えると、粗さが
大きくなっていっても、ウェハから削られた小片は、粗
さが大きくなった分、縁部に付着しやすくなるというこ
とはない。すなわち、縁部における凹凸表面を粗くした
だけの効果が発揮されない。
い実施形態として、上記凹凸表面の粗さは、２０〜４０
μｍになっている。粗さが上記範囲内にあると、エッチ
ングによってウェハから削られた小片が孔の縁部に付着
しやすくなる。粗さが２０μｍ未満の場合には、縁部の
表面がほとんど平滑になり、上記小片が縁部に付着しに
くくなってしまう。粗さが４０μｍを超えると、粗さが
大きくなっていっても、ウェハから削られた小片は、粗
さが大きくなった分、縁部に付着しやすくなるというこ
とはない。すなわち、縁部における凹凸表面を粗くした
だけの効果が発揮されない。
【００１５】上記本体は、セラミックスからなることが
好ましい。セラミックス製の本体は、エッチングの際に
使用する反応ガス（塩素ガス）に耐えることができる。
このため、ＴｉＯ2 コーティングやテトラフルオロエチ
レンコーティングを本体の表面に施す必要がなくなる。
好ましい。セラミックス製の本体は、エッチングの際に
使用する反応ガス（塩素ガス）に耐えることができる。
このため、ＴｉＯ2 コーティングやテトラフルオロエチ
レンコーティングを本体の表面に施す必要がなくなる。
【００１６】以上、説明したように、本願発明のウェハ
固定リングは、ウェハの側面を覆っている孔の縁部が細
かな凹凸表面になっており、エッチングでウェハから削
られた小片を上記縁部における凹凸表面で確実に捕集す
るものである。従来のウェハ固定リングにおける孔の縁
部の表面は余りに平滑なので、小片が孔の縁部に付着し
ないことがあったが、本願発明のウェハ固定リングでは
そのようなことはない。ウェハから削られた小片は、本
願発明のウェハ固定リングにおける孔の縁部に確実に付
着するので、微粒子としてウェハ上に残ることもない。
従って、本願発明のウェハ固定リングを使用すると、ウ
ェハから上記微粒子を取り除くという作業が必要なくな
るので、微細配線パターンをウェハに効率よく形成する
ことができる。
固定リングは、ウェハの側面を覆っている孔の縁部が細
かな凹凸表面になっており、エッチングでウェハから削
られた小片を上記縁部における凹凸表面で確実に捕集す
るものである。従来のウェハ固定リングにおける孔の縁
部の表面は余りに平滑なので、小片が孔の縁部に付着し
ないことがあったが、本願発明のウェハ固定リングでは
そのようなことはない。ウェハから削られた小片は、本
願発明のウェハ固定リングにおける孔の縁部に確実に付
着するので、微粒子としてウェハ上に残ることもない。
従って、本願発明のウェハ固定リングを使用すると、ウ
ェハから上記微粒子を取り除くという作業が必要なくな
るので、微細配線パターンをウェハに効率よく形成する
ことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施形態につい
て、図面を参照しつつ説明する。図１は本願発明に係る
ウェハ固定リングの一実施例を示す平面図、図２は図１
のＩ−Ｉ線断面図、図３はリアクティブイオンエッチン
グ装置の一例を示す概略図、図４は本願発明に係るウェ
ハ固定リングによって、シリコンウェハをエッチング装
置内の電極上に固定した状態を示す要部断面図である。
て、図面を参照しつつ説明する。図１は本願発明に係る
ウェハ固定リングの一実施例を示す平面図、図２は図１
のＩ−Ｉ線断面図、図３はリアクティブイオンエッチン
グ装置の一例を示す概略図、図４は本願発明に係るウェ
ハ固定リングによって、シリコンウェハをエッチング装
置内の電極上に固定した状態を示す要部断面図である。
【００１８】これらの図に示されるように、ウェハ固定
リングＡの本体１には孔２が開けられており、孔２の縁
部１ａは、シリコンウェハ３４から削り取られた小片が
付着しやすいように、細かな凹凸表面を有している。孔
２は、２段構造になっており、径の異なる二つの孔２
ａ，２ｂから構成されている。孔２ａの径は、エッチン
グされるシリコンウェハ３４が置かれているカソード電
極３３の径よりも僅かに大きくなっており、孔２ｂの径
はシリコンウェハ３４の径よりも小さくなっている。
リングＡの本体１には孔２が開けられており、孔２の縁
部１ａは、シリコンウェハ３４から削り取られた小片が
付着しやすいように、細かな凹凸表面を有している。孔
２は、２段構造になっており、径の異なる二つの孔２
ａ，２ｂから構成されている。孔２ａの径は、エッチン
グされるシリコンウェハ３４が置かれているカソード電
極３３の径よりも僅かに大きくなっており、孔２ｂの径
はシリコンウェハ３４の径よりも小さくなっている。
【００１９】縁部１ａにおける細かな凹凸表面は、ブラ
スト処理によって研磨剤が吹きつけられて形成されたも
のである。縁部１ａに吹きつけられる研磨剤としては、
固体金属、鉱物性または植物性の研磨剤が挙げられる。
凹凸表面の粗さは、エッチングによってシリコンウェハ
３４から削られた小片が付着しやすいように、２０〜４
０μｍの範囲内に設定されている。
スト処理によって研磨剤が吹きつけられて形成されたも
のである。縁部１ａに吹きつけられる研磨剤としては、
固体金属、鉱物性または植物性の研磨剤が挙げられる。
凹凸表面の粗さは、エッチングによってシリコンウェハ
３４から削られた小片が付着しやすいように、２０〜４
０μｍの範囲内に設定されている。
【００２０】本体１は、セラミックスによって形成され
ている。セラミックスはエッチングする際に使用する塩
素ガス等の反応ガスに耐えることができるので、本体１
の表面にはＴｉＯ2 やテトラフルオロエチレン等のコー
ティング膜は形成されてはいない。セラミックスは特に
限定されるものではないが、電気的特性を考慮すると、
アルミナセラミックスが最適な素材である。
ている。セラミックスはエッチングする際に使用する塩
素ガス等の反応ガスに耐えることができるので、本体１
の表面にはＴｉＯ2 やテトラフルオロエチレン等のコー
ティング膜は形成されてはいない。セラミックスは特に
限定されるものではないが、電気的特性を考慮すると、
アルミナセラミックスが最適な素材である。
【００２１】シリコンウェハ３４は、図３に示されるリ
アクティブイオンエッチング装置内でエッチングされ
る。同図に示されるように、エッチング室３１内でアノ
ード電極３２とカソード電極３３とが対向して配置さ
れ、カソード電極３３にはウェハ固定リングＡによりシ
リコンウェハ３４が固定されている。アノード電極３２
およびカソード電極３３には冷却水を流すためのチュー
ブ３５が挿入されており、アノード電極３２には反応ガ
スを流すための注入口３６が挿入されている。アノード
電極３２の下面には、反応ガスを噴出させるための噴出
孔（図示略）が多数開けられている。エッチング室３１
には排気管５０が繋がれており、排気管５０にはメイン
バルブ３７、可変コンダクタンスバルブ３８、メカニカ
ルブースタポンプ３９および油圧回転ポンプ４０が取り
付けられている。
アクティブイオンエッチング装置内でエッチングされ
る。同図に示されるように、エッチング室３１内でアノ
ード電極３２とカソード電極３３とが対向して配置さ
れ、カソード電極３３にはウェハ固定リングＡによりシ
リコンウェハ３４が固定されている。アノード電極３２
およびカソード電極３３には冷却水を流すためのチュー
ブ３５が挿入されており、アノード電極３２には反応ガ
スを流すための注入口３６が挿入されている。アノード
電極３２の下面には、反応ガスを噴出させるための噴出
孔（図示略）が多数開けられている。エッチング室３１
には排気管５０が繋がれており、排気管５０にはメイン
バルブ３７、可変コンダクタンスバルブ３８、メカニカ
ルブースタポンプ３９および油圧回転ポンプ４０が取り
付けられている。
【００２２】シリコンウェハ３４は、図４に示されるよ
うに、ウェハ固定リングＡによってカソード電極３３上
に固定される。詳しく説明すると、カソード電極３３上
にシリコンウェハ３４を置き、このシリコンウェハ３４
をウェハ固定リングＡにおける孔２で覆うことによって
固定する。シリコンウェハ３４を覆うときには、孔２ａ
を下側にしてウェハ固定リングＡをシリコンウェハ３４
に被せてやる。カソード電極３３の先端部およびシリコ
ンウェハ３４が孔２ａ内に治められ、シリコンウェハ３
４は孔２ａ，２ｂの内壁面によって押されて、カソード
電極３３に固定されることになる。
うに、ウェハ固定リングＡによってカソード電極３３上
に固定される。詳しく説明すると、カソード電極３３上
にシリコンウェハ３４を置き、このシリコンウェハ３４
をウェハ固定リングＡにおける孔２で覆うことによって
固定する。シリコンウェハ３４を覆うときには、孔２ａ
を下側にしてウェハ固定リングＡをシリコンウェハ３４
に被せてやる。カソード電極３３の先端部およびシリコ
ンウェハ３４が孔２ａ内に治められ、シリコンウェハ３
４は孔２ａ，２ｂの内壁面によって押されて、カソード
電極３３に固定されることになる。
【００２３】以下、上記装置によりシリコンウェハ３４
をエッチングする工程について、図３、４を参照しつつ
説明する。まず、アノード電極３２のガス注入口３６よ
り反応ガスを注入し、アノード電極３２の下面に設けら
れた多数の噴出孔（図示略）から上記反応ガスを噴出さ
せる。メインバルブ３７、可変コンダクタンスバルブ３
８、メカニカルブースタポンプ３９および油圧回転ポン
プ４０を調節して、エッチング室３１内の圧力を一定に
保持しながら反応ガスを排出する。カソード電極３３に
高周波電力Ｐｅを印加してプラズマを発生させ、カソー
ド電極３３上にウェハ固定リングＡで固定されているシ
リコンウェハ３４をエッチングする。エッチングにより
シリコンウェハ３４から削られた小片は、ウェハ固定リ
ングＡの孔２の縁部１ａに付着するようになっている。
をエッチングする工程について、図３、４を参照しつつ
説明する。まず、アノード電極３２のガス注入口３６よ
り反応ガスを注入し、アノード電極３２の下面に設けら
れた多数の噴出孔（図示略）から上記反応ガスを噴出さ
せる。メインバルブ３７、可変コンダクタンスバルブ３
８、メカニカルブースタポンプ３９および油圧回転ポン
プ４０を調節して、エッチング室３１内の圧力を一定に
保持しながら反応ガスを排出する。カソード電極３３に
高周波電力Ｐｅを印加してプラズマを発生させ、カソー
ド電極３３上にウェハ固定リングＡで固定されているシ
リコンウェハ３４をエッチングする。エッチングにより
シリコンウェハ３４から削られた小片は、ウェハ固定リ
ングＡの孔２の縁部１ａに付着するようになっている。
【００２４】図５は、エッチングによりシリコンウェハ
３４から削られた小片３４ａがウェハ固定リングＡに捕
集された状態を示す一部拡大断面図である。同図に示さ
れるように、エッチングによりシリコンウェハ３４から
削られた小片３４ａは、孔２の縁部１ａにおける細かな
凹凸表面に付着する。凹凸表面によって、小片３４ａが
縁部１ａに付着しやすくなるので、微粒子として小片３
４ａがシリコンウェハ３４上に残ることもない。このた
め、シリコンウェハ３４から上記微粒子を取り除くとい
う作業が必要なくなり、微細配線パターンをシリコンウ
ェハ３４に効率よく形成できるようになる。
３４から削られた小片３４ａがウェハ固定リングＡに捕
集された状態を示す一部拡大断面図である。同図に示さ
れるように、エッチングによりシリコンウェハ３４から
削られた小片３４ａは、孔２の縁部１ａにおける細かな
凹凸表面に付着する。凹凸表面によって、小片３４ａが
縁部１ａに付着しやすくなるので、微粒子として小片３
４ａがシリコンウェハ３４上に残ることもない。このた
め、シリコンウェハ３４から上記微粒子を取り除くとい
う作業が必要なくなり、微細配線パターンをシリコンウ
ェハ３４に効率よく形成できるようになる。
【００２５】以上、本願発明の実施形態を説明してきた
が、本願発明はこれらに限定されずに、以下に述べるよ
うに種々変形することが可能である。
が、本願発明はこれらに限定されずに、以下に述べるよ
うに種々変形することが可能である。
【００２６】上記実施形態では、ウェハ固定リングＡに
よってカソード電極３３にシリコンウェハ３４を固定し
ているが、本願発明に係るウェハ固定リングＡは、他の
素材からなるウェハ、例えばゲルマニウムウェハ、ガリ
ウムヒ素ウェハ、インジウムリンウェハをカソード電極
３３上に固定する際にも適用できる。
よってカソード電極３３にシリコンウェハ３４を固定し
ているが、本願発明に係るウェハ固定リングＡは、他の
素材からなるウェハ、例えばゲルマニウムウェハ、ガリ
ウムヒ素ウェハ、インジウムリンウェハをカソード電極
３３上に固定する際にも適用できる。
【００２７】上記実施形態においては、凹凸表面は、ブ
ラスト処理によって縁部１ａに形成されたものである
が、凹凸表面の形成方法はブラスト処理に限定されるも
のではない。孔２の縁部１ａの表面を部分的に圧縮し、
縁部１ａに凹凸表面を形成しても差し支えない。
ラスト処理によって縁部１ａに形成されたものである
が、凹凸表面の形成方法はブラスト処理に限定されるも
のではない。孔２の縁部１ａの表面を部分的に圧縮し、
縁部１ａに凹凸表面を形成しても差し支えない。
【００２８】上記実施形態では、リアクティブイオンエ
ッチング装置内のカソード電極３３上にシリコンウェハ
３４を固定しているが、本願発明は、リアクティブイオ
ンエッチング装置のみに適用するものではない。ウェハ
固定リングＡは、プラズマエッチング装置、スパッタエ
ッチング装置やリアクティブイオンビームエッチング装
置にも適用することもできる。
ッチング装置内のカソード電極３３上にシリコンウェハ
３４を固定しているが、本願発明は、リアクティブイオ
ンエッチング装置のみに適用するものではない。ウェハ
固定リングＡは、プラズマエッチング装置、スパッタエ
ッチング装置やリアクティブイオンビームエッチング装
置にも適用することもできる。
【００２９】以上に限らず、本願発明は特許請求の範囲
内に含まれる範囲内で種々の変形を施すことも可能であ
り、その中には各構成要素を均等物で置換したものも含
まれる。
内に含まれる範囲内で種々の変形を施すことも可能であ
り、その中には各構成要素を均等物で置換したものも含
まれる。
【図１】本願発明に係るウェハ固定リングの一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線断面図である。
【図３】リアクティブイオンエッチング装置の一例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図４】本願発明に係るウェハ固定リングによって、シ
リコンウェハをエッチング装置内の電極上に固定した状
態を示す要部断面図である。
リコンウェハをエッチング装置内の電極上に固定した状
態を示す要部断面図である。
【図５】本願発明に係るウェハ固定リングに、エッチン
グによってシリコンウェハから削られた小片が捕集され
た状態を示す一部拡大断面図である。
グによってシリコンウェハから削られた小片が捕集され
た状態を示す一部拡大断面図である。
【図６】従来のウェハ固定リングの一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図７】図６のＩ−Ｉ線断面図である。
１ 本体 １ａ 縁部 ２ 孔 ３１ エッチング室 ３２ アノード電極 ３３ カソード電極 ３４ シリコンウェハ ３７ メインバルブ ３８ コンダクタンスバルブ ３９ メカニカルブースタポンプ ４０ 油圧回転ポンプ Ａ，Ｂ ウェハ固定リング
Claims (4)
- 【請求項１】 エッチング装置内で対向して設置されて
いる一対の電極のうちの一の電極に、エッチングすべき
ウェハを固定するためのウェハ固定リングであって、 上記ウェハの側面を覆うための孔を本体に有しており、 上記孔の縁部は、エッチングによりウェハから削られた
小片が付着しやすいように、細かな凹凸表面になってい
ることを特徴とする、ウェハ固定リング。 - 【請求項２】 上記孔の縁部における細かな凹凸表面
は、ブラスト処理によって形成されていることを特徴と
する、請求項１に記載のウェハ固定リング。 - 【請求項３】 上記凹凸表面の粗さは、２０〜４０μｍ
であることを特徴とする、請求項１または２に記載のウ
ェハ固定リング。 - 【請求項４】 上記本体は、セラミックスからなること
を特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のウェハ
固定リング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8352798A JPH11283969A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | ウェハ固定リング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8352798A JPH11283969A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | ウェハ固定リング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283969A true JPH11283969A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13804970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8352798A Pending JPH11283969A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | ウェハ固定リング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11283969A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367964A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2005104203A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-03 | Fujitsu Limited | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| KR100791532B1 (ko) | 2006-07-19 | 2008-01-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 기판처리 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| JP2008085027A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用シリコン電極板 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8352798A patent/JPH11283969A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367964A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2005104203A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-03 | Fujitsu Limited | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| KR100791532B1 (ko) | 2006-07-19 | 2008-01-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 기판처리 장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| JP2008085027A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用シリコン電極板 |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040913 |
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