JPH11281797A

JPH11281797A - 荷電粒子線照射装置

Info

Publication number: JPH11281797A
Application number: JP10085415A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Kanematsu; 伸幸兼松
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-03-31
Filing date: 1998-03-31
Publication date: 1999-10-15

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の荷電粒子線照射装置では、荷電粒子ビ
ームが、荷電粒子線照射装置を構成する各装置、及び患
者の体内を経ることにより、ビーム拡散装置や飛程変調
装置での調整に加えて更なる散乱効果が加えられ、その
照射野の境界があいまいになっていた。このため、患者
の患部以外の部分に荷電粒子線が照射されるという問題
があった。【解決手段】荷電粒子線を射出する照射部と、上記荷
電粒子線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒
子線に平行な磁場を発生させる磁場発生部と、上記磁場
を経た荷電粒子線が照射される被照射体の被照射部とを
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は荷電粒子線を被照
射体に照射する荷電粒子線照射装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】このような荷電粒子線照射装置の例とし
ては、被照射体をがんを患う患者とし、被照射部を治療
が必要な患部とした荷電粒子線治療装置に応用されてい
る。この荷電粒子線治療装置の例としては、図６に示し
たものがある。この図６は、従来の荷電粒子線治療装置
の構成を示す構成図である。

【０００３】図６において、１は荷電粒子ビームであ
る。２はビーム拡大装置であり、荷電粒子ビーム１が入
射される。３は飛程変調装置であり、ビーム拡大装置２
から射出された荷電粒子ビーム１が入射される。４は飛
程調整装置であり、飛程変調装置３から射出された荷電
粒子ビーム１が入射される。６は飛程補償装置であり、
飛程調整装置４から射出された荷電粒子ビーム１が、照
射野限定装置５を経て、入射される。７は被照射体であ
る患者であり、飛程補償装置６から射出された荷電粒子
ビーム１が入射される。８は被照射部である患部であ
り、患者７に入射された荷電粒子ビーム１が照射され
る。

【０００４】次に、図６に示す従来の荷電粒子線治療装
置の動作について説明する。まず、照射機器から荷電粒
子線である荷電粒子ビーム１が射出される。なお、この
荷電粒子ビーム１は単一エネルギーのものである。そし
て、この荷電粒子ビーム１は、ビーム拡大装置２に入射
される。そして、この荷電粒子ビーム１は拡大され出力
される。次に、ビーム拡大装置２から出力された荷電粒
子ビーム１は、飛程変調装置３に入射される。この飛程
変調装置３は、入射された荷電粒子ビーム１を患部８の
厚さに則した体内飛程分布を有するように調整し出力す
る。なお、患部８の厚さは、患部８に関する図６中のｚ
軸方向の所定の幅を指す。

【０００５】そして、飛程変調装置３から出力された荷
電粒子ビーム１は、飛程調整装置４に入射される。この
飛程調整装置４は、飛程調整装置３で調整された荷電粒
子ビーム１の体内飛程分布が、患部８全体の位置と適合
するように調整する。この飛程調整装置４の例としては
レンジシフタがある。そして、飛程調整装置３から出力
された荷電粒子ビーム１は、照射野限定装置５により、
その照射野が設定される。この照射野とは、患部８のｘ
−ｙ二次元投影形状に合わせて設定されるものであり、
この照射野限定装置５の例としてはコリメータがある。
照射野限定装置５を経た荷電粒子ビーム１は、飛程補償
装置６に入射される。この飛程補償装置６は、患部８の
三次元形状に合わせて荷電粒子ビーム１の体内飛程分布
を調整し、患部８以外への照射を抑制する。この飛程補
償装置６の例としてはボーラスがある。この飛程補償装
置６を経て出力された荷電粒子ビーム１は、患者７の患
部８を照射する。

【０００６】また、荷電粒子線照射装置の例としては、
被照射体を通過した荷電粒子線を検出し、この検出結果
に基づく被照射体の投影画像を作成する荷電粒子線撮像
装置に応用されている。この荷電粒子撮像装置の例とし
ては、図７に示したものがある。この図７は、従来の荷
電粒子線撮像装置の構成を示す構成図である。図７にお
いて、９は粒子検出器であり、照射機器から射出された
荷電粒子ビーム１が患者７の患部８を通過して入射され
る。粒子検出器９は、患者７の患部８を経て入射された
荷電粒子に関する位置、速度、エネルギー、残飛程等を
検出し、患者７を経て入射された荷電粒子のエネルギー
損失が算出され、当該荷電粒子が粒子検出器９に到るま
でに通過した患者７の物質厚が求められ、荷電粒子線投
影画像（以下、ラジオグラフィーと称する。）が得られ
る。なお、図７において、図６に示す従来例と同一又は
相当の部分には同一符号を付してその説明を省略し、図
６と相違する部分について説明した。

【０００７】次に、図７に示す従来の荷電粒子線撮像装
置の動作について説明する。照射機器から射出された荷
電粒子ビーム１は、患者７を通過して粒子検出器９に入
射される。荷電粒子ビーム１が入射された粒子検出器９
は、入射された荷電粒子に関する位置、速度、エネルギ
ー、残飛程等を検出し、荷電粒子のエネルギー損失を算
出し、当該荷電粒子が粒子検出器９に到るまでに通過し
た患者７の物質厚が求められる。そして、この粒子検出
器９により、当該患者７に関する荷電粒子線ラジオグラ
フィーが得られる。なお、図７において、図６に示す従
来例と同一又は相当の部分には同一符号を付してその説
明を省略し、図６と相違する部分について説明した。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したような荷電粒
子線照射装置においては、各種装置や患者７の体内を経
るごとに荷電粒子ビーム１が拡散し、荷電粒子ビームの
照射野の境界があいまいになる。これは、荷電粒子ビー
ム１が、荷電粒子線照射装置を構成する各装置、及び患
者７の体内を経ることにより、ビーム拡散装置２や飛程
変調装置３での調整に加えて更なる散乱効果が加えられ
るためである。このように、更なる散乱効果が加えられ
た荷電粒子ビーム１は、患者７に照射される時点で、ビ
ーム軸に対する直交方向の運動量成分を有することが多
くなる。なお、ビーム軸とは、荷電粒子ビーム１がビー
ム拡大装置２に入射する際の方向軸とする。このため、
患部８以外の不必要な部分に荷電粒子線の照射が行われ
る問題がある。

【０００９】また、荷電粒子線撮像装置においては、荷
電粒子ビーム１が拡散して荷電粒子ビームの照射野の境
界があいまいになるため、得られる画像の解像度が低い
という問題がある。

【００１０】本発明は、これらの問題に鑑みなされたも
のであり、荷電粒子ビーム１の拡散を抑え、荷電粒子ビ
ーム１の照射野の境界を明確にする荷電粒子線照射装置
を得ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる荷電粒
子線装置は、荷電粒子線を射出する照射部と、荷電粒子
線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に
平行な磁場を発生させる磁場発生部と、磁場を経た荷電
粒子線が照射される被照射体の被照射部とを有するもの
である。

【００１２】また、この発明にかかる荷電粒子線装置
は、荷電粒子線を射出する照射部と、荷電粒子線の調整
を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁
場を発生させる磁場発生部と、磁場の中に載置され、磁
場により進行方向が修正された荷電粒子線が照射される
被照射体の被照射部とを有するを有するものである。

【００１３】さらに、この発明にかかる荷電粒子線装置
は、荷電粒子線を射出する照射部と、荷電粒子線の調整
を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁
場を発生させる磁場発生部と、磁場を経て調整された荷
電粒子線が照射される被照射体と、被照射体を経た荷電
粒子線が入射される検出部とを有するものである。

【００１４】また、この発明にかかる荷電粒子線装置
は、荷電粒子線を射出する照射部と、荷電粒子線の調整
を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁
場を発生させる磁場発生部と、磁場の中に載置され、磁
場により進行方向が修正された荷電粒子線が照射される
被照射体と被照射体を経た荷電粒子線が入射される検出
部とを有するものである。

【００１５】さらに、この発明にかかる荷電粒子線装置
は、調整部が入射された荷電粒子線の幅、飛程、照射
野、及び照射位置を調整するものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明における荷
電粒子治療装置の一実施形態を図１について用いて説明
する。図１は実施形態１の荷電粒子治療装置の断面を示
す断面図である。図１において、荷電粒子ビーム１は、
照射機器から射出され、ビーム拡大装置２及び飛程変調
装置３を経て出力される。１０は磁石であり、スリット
状の空間１１を有する。

【００１７】飛程変調装置３から出力された荷電粒子ビ
ーム１は、この磁石１０の空間１１を通過し、飛程調整
装置４に入射する。そして、飛程調整装置４から出力さ
れた荷電粒子ビーム１は、照射野限定装置５によりその
照射野が形成され、飛程補償装置６に入射する。この飛
程補償体６から出力された荷電粒子ビーム１は、患者７
の患部８を照射する。なお、患部８を有する患者７は、
磁石１０により発生した平行磁場の中に載置される。つ
まり、患者７が受ける磁場の方向と、ビーム拡大装置２
に入射される荷電粒子ビーム１のビーム軸の方向とは、
ほぼ平行である。

【００１８】また、磁石１０の設けられる位置は、飛程
変調装置３と飛程調整装置４との間以外でもよい。つま
り、飛程調整装置４と照射野限定装置５との間や、照射
野限定装置５と飛程補償装置６との間や、飛程補償装置
６の下流で飛程補償装置６から出力された荷電粒子ビー
ム１が平行磁場の中を通過して患者７に照射されるよう
にしてもよい。さらに、磁石１０による磁場の発生原理
や磁石１０の形状等は問わない。例えば、Ｕ字型やコの
字型の磁石１０の２端間に患者７を載置する。

【００１９】また、磁石１０による磁場の強度は一様で
なくてもよく、患者７が載置される照射領域内において
所定の磁場強度が得られればよい。この磁石１０として
は、例えば永久磁石や電磁石が用いられる。さらに、空
間１１は開放していても、密閉していてもよい。空間１
１を密閉する場合は、その密閉した空間１１にヘリウム
ガスを充填したり、真空にしてもよい。なお、空間１１
を密閉してヘリウムガスを充填したり真空にすることに
より、通過する荷電粒子ビーム１の散乱を抑えることが
できる。

【００２０】以下に、本実施形態の荷電粒子線治療装置
の動作を説明する。ビーム軸に対して直交方向の運動量
成分を有する荷電粒子を含む荷電粒子ビーム１が、ビー
ム拡大装置２、飛程変調装置３、飛程調整装置４、照射
野限定装置５、及び飛程補償装置６を経ることにより出
力される。なお、ビーム軸とは、荷電粒子ビーム１がビ
ーム拡大装置２に入射する際の方向軸とする。なお、こ
のビーム軸に対して直交方向を拡散方向とする。このビ
ーム軸に対して直交方向の運動量成分を有する荷電粒子
を含む荷電粒子ビーム１は、患者７に入射する前に、磁
石１０による上述のビーム軸に平行な磁場の中を通過す
る。

【００２１】この荷電粒子が有するビーム軸に対して直
交方向の運動量成分は、磁石１０の磁場によるローレン
ツ力により曲げられる。このように、荷電粒子のビーム
軸に対する直交方向の運動量成分が曲げられることによ
り、荷電粒子は螺旋運動をしながら上述のビーム軸にほ
ぼ平行に進行する。このように、荷電粒子が上述の磁場
の中を通過することにより、荷電粒子は上述のビーム軸
とほぼ平行に進行するように矯正されるため、荷電粒子
の拡散が抑えられる。なお、上述の磁石１０による磁場
の方向と、上述のビーム軸とは平行である。

【００２２】なお、荷電粒子が描く螺旋の大きさは、磁
場の強さＢと、荷電粒子の垂直方向運動量Ｐｔとによっ
て決まり、その螺旋の半径ｒの大きさは、以下の式によ
り求められる。なお、荷電粒子の垂直方向運動量Ｐｔ
は、磁場方向を基準とした荷電粒子の運動量の垂直成分
である。また、運動量の単位はＭｅＶ／ｃ、磁場の単位
はＴ、長さの単位はｃｍとする。ｒ＝Ｐｔ／（３Ｂ）

【００２３】次に、所定の磁場の中を所定の運動量成分
を有する荷電粒子が進行することにより得られる効果に
ついて、図２(ａ)及び(ｂ)を用いて説明する。なお、所
定の運動量成分を有する荷電粒子とは、荷電粒子ビーム
１がビーム拡大装置２に入射する際の方向をビーム軸と
したそのビーム軸に対して直交成分の運動量成分を有し
た荷電粒子である。また、所定の磁場とは、荷電粒子ビ
ーム１がビーム拡大装置２に入射する際の方向をビーム
軸としたそのビーム軸に平行方向にかかる磁場である。

【００２４】図２(ａ)及び(ｂ)は、荷電粒子として電子
を用いた電子線治療装置において、電離効果、クーロン
散乱、制動輻射、コンプトン散乱、光電効果、対生成等
の物理過程が考慮されたモンテカルロシミュレーション
のシミュレーション結果である。このシミュレーション
結果には、運動エネルギーが３０ＭｅＶの電子線の水中
で通過したその軌跡が示される。なお、水中に電子線を
通過させるのは、水中を患者７の体内とみなしたためで
ある。

【００２５】図２(ａ)は、磁場の加えられていない水中
へ、５個の電子が射出された場合の各電子の飛跡のシミ
ュレーション結果である。また、図２(ｂ)は、電子の射
出軸と平行な３Ｔの磁場がかけられた水中へ、５個の電
子が射出された場合の各電子の飛跡のシミュレーション
結果である。なお、これらの図２(ａ)及び(ｂ)の中で示
された横軸ｚは、図１に示されたビーム拡大装置２から
飛程補償装置６への方向である深さ方向の位置座標であ
る。また、図２(ａ)及び(ｂ)の中で示された縦軸ｘは、
上述の深さ方向に直交する横方向の位置座標を示したも
のである。

【００２６】また、図２(ａ)及び(ｂ)中の、実線は電子
あるいは陽電子の飛跡であり、点線は光子の飛跡であ
る。これら図２(ａ)及び(ｂ)を比較することにより、図
２(ｂ)に示された電子の拡散状況が、図２(ａ)に示され
た電子の拡散状況よりも抑えられていることがわかる。
なお、これら拡散状況は、図中の任意の２つの電子間の
縦軸ｘ方向での広がり具合により判断される。

【００２７】このように、電子の射出方向とほぼ平行な
磁場がかけられたところに射出された電子の拡散状況
は、磁場のかけられていないところに射出された電子の
拡散状況よりも抑えられ、磁場中を進行する各電子の進
行方向は上述の射出方向の延長線上に収束する。なお、
図示されていないが、ｘ軸及びｚ軸に垂直なｙ軸につい
ても電子の拡散状況は同様である。また、荷電粒子線の
拡散が抑制できることから、本実施形態の荷電粒子線治
療装置は、荷電粒子線の照射野の境界を明確にすること
ができ、患部８以外の正常な組織への不要な照射を抑え
ることができ、荷電粒子線治療装置の照射精度が向上す
ると共に、治療精度も向上する。

【００２８】実施の形態２．本発明における荷電粒子撮
像装置の一実施形態を図３について用いて説明する。図
３は実施形態２の荷電粒子撮像装置の断面を示す断面図
である。この図３に示した実施形態２の荷電粒子撮像装
置は、従来例に示した撮像装置に、実施形態１に示した
磁石１０を設けたものであり、図７に示す従来例又は図
１に示す実施形態１と同一又は相当の部分には同一符号
を付してその説明を省略する。なお、本実施形態の荷電
粒子撮像装置と患者７とを相対的に回転させることで、
コンピュータライズドトモグラフィー(以下、ＣＴと称
する。)装置と同様に患者７に関する三次元情報が得ら
れる。

【００２９】次に、所定の磁場の中を所定の運動量成分
を有する荷電粒子が進行することにより得られる効果に
ついて、図４(ａ)及び(ｂ)を用いて説明する。なお、所
定の運動量成分を有する荷電粒子とは、荷電粒子ビーム
１がビーム拡大装置２に入射する際の方向をビーム軸と
したそのビーム軸に対して直交成分の運動量成分を有し
た荷電粒子である。また、所定の磁場とは、荷電粒子ビ
ーム１がビーム拡大装置２に入射する際の方向をビーム
軸としたそのビーム軸に平行方向にかかる磁場である。

【００３０】図４(ａ)及び(ｂ)は、荷電粒子として電子
を用いた電子線撮像装置において、電離効果、クーロン
散乱、制動輻射、コンプトン散乱、光電効果、対生成等
の物理過程が考慮されたモンテカルロシミュレーション
のシミュレーション結果である。このシミュレーション
結果には、運動エネルギーが１００ＭｅＶの電子線が患
者７にみなした厚さ３０ｃｍの水を通過し、さらに２０
ｃｍ離された位置に載置された粒子検出器９に検出され
るまでの、電子線の軌跡が示される。

【００３１】図４(ａ)は、磁場の加えられていない領域
へ、５個の電子が射出された場合の各電子の飛跡のシミ
ュレーション結果である。また、図４(ｂ)は、電子の射
出軸と平行な３Ｔの磁場がかけられた領域へ、５個の電
子が射出された場合の各電子の飛跡のシミュレーション
結果である。なお、これらの図４(ａ)及び(ｂ)の中で示
された横軸ｚは、図３に示されたビーム拡大装置２から
飛程補償装置６への方向である深さ方向の位置座標であ
る。また、図４(ａ)及び(ｂ)の中で示された縦軸ｘは、
上述の深さ方向に直交する横方向の位置座標を示したも
のである。また、図４(ａ)及び(ｂ)中の、実線は電子あ
るいは陽電子の飛跡であり、点線は光子の飛跡である。

【００３２】これら図４(ａ)及び(ｂ)を比較することに
より、図４(ｂ)に示された電子の拡散状況が、図４(ａ)
に示された電子の拡散状況よりも抑えられていることが
わかる。なお、これら拡散状況は、図中の任意の２つの
電子間の縦軸ｘ方向での広がり具合により判断される。
この効果は特に、荷電粒子が長距離の飛跡を描く場合に
大きな差が現われる。このように、電子の射出方向とほ
ぼ平行な磁場がかけられた領域に射出された電子の拡散
状況は、磁場のかけられていない領域に射出された電子
の拡散状況よりも抑えられ、磁場中を進行する各電子の
進行方向は上述の射出方向の延長線上に収束する。な
お、図示されていないが、ｘ軸及びｚ軸に垂直なｙ軸に
ついても電子の拡散状況は同様である。

【００３３】なお、図５は粒子検出器９で検出される荷
電粒子の分布状態を示す分布図である。図５中の実線は
所定の平行磁場３Ｔの中に荷電粒子ビーム１を照射した
場合のものであり、点線は磁場がかけられていない中に
荷電粒子ビーム１を照射した場合のものである。なお、
図５の横軸はｘ軸でもｙ軸でも同様の結果が得られる。
この図５の実線の描く形状により、平行磁場のかけられ
た領域内に射出された荷電粒子は、粒子検出器９上の所
定の位置であるビーム軸の近傍を中心に検出される。な
お、ビーム軸とは照射機器から射出された荷電粒子ビー
ム１の射出方向の延長線であり、平行磁場とは上述のビ
ーム軸に平行な方向にかけられた磁場である。

【００３４】一方、図５の点線の描く形状により、磁場
のかけられていない領域内に射出された荷電粒子は、粒
子検出器９上の任意の位置で万遍なく検出される。この
図５の分布図から、荷電粒子の通過領域に平行磁場をか
けることにより荷電粒子の拡散が抑えられることがわか
る。なお、この図５では、荷電粒子の通過領域に平行磁
場をかけることにより、位置分解能（ＲＭＳ）が１．５
ｃｍにまで向上した。このように、荷電粒子線の拡散が
抑制できることから、本実施形態の荷電粒子線撮像装置
は、荷電粒子線の照射野の境界を明確にすることがで
き、撮像する画像の解像度を向上させることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、この発明にかかる荷電粒
子線装置は、荷電粒子線を射出する照射部と、荷電粒子
線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に
平行な磁場を発生させる磁場発生部と、磁場を経た荷電
粒子線が照射される被照射体の被照射部とを有するもの
であり、この荷電粒子線を構成する荷電粒子は、その拡
散方向の運動量成分が磁場によるローレンツ力を受け、
螺旋運動しながら磁場の方向に沿って進行し、荷電粒子
線の拡散が抑制される。そして、この荷電粒子線の拡散
を抑制できることから、荷電粒子線の照射野の境界を明
確にすることができ、荷電粒子線治療装置においては、
患部８以外の正常な組織へ不要な荷電粒子線の照射を抑
えることができ、荷電粒子線治療装置の照射精度が向上
すると共に、治療精度も向上する。

【００３６】さらに、この発明にかかる荷電粒子線装置
は、荷電粒子線を射出する照射部と、荷電粒子線の調整
を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁
場を発生させる磁場発生部と、磁場を経て調整された荷
電粒子線が照射される被照射体と、被照射体を経た荷電
粒子線が入射される検出部とを有するものであり、この
荷電粒子線を構成する荷電粒子は、その拡散方向の運動
量成分が磁場によるローレンツ力を受け、螺旋運動しな
がら磁場の方向に沿って進行し、荷電粒子線の拡散が抑
制される。そして、この荷電粒子線の拡散を抑制できる
ことから、荷電粒子線の照射野の境界を明確にすること
ができ、荷電粒子線撮像装置においては、撮像する画像
の解像度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における実施形態１の荷電粒子治療装
置の断面を示す断面図である。

【図２】本発明における実施形態1の荷電粒子撮像装
置で、荷電粒子が射出された場合の荷電粒子の飛跡に関
するシミュレーション結果である、(ａ)は磁場がかけら
れていない領域へ荷電粒子が射出された場合であり、
(ｂ)は磁場のかけられた領域へ荷電粒子が射出された場
合である。

【図３】本発明における実施形態２の荷電粒子撮像装
置の断面を示す断面図である。

【図４】本発明における実施形態２の荷電粒子撮像装
置で、荷電粒子が射出された場合の荷電粒子の飛跡に関
するシミュレーション結果である、(ａ)は磁場がかけら
れていない領域へ荷電粒子が射出された場合であり、
(ｂ)は磁場のかけられた領域へ荷電粒子が射出された場
合である。

【図５】本発明における実施形態２の荷電粒子撮像装
置の粒子検出器９で検出される荷電粒子の分布状態を示
す分布図である。

【図６】従来の荷電粒子線治療装置の構成を示す構成
図である。

【図７】従来の荷電粒子線撮像装置の構成を示す構成
図である。

【符号の説明】

１荷電粒子ビーム、２ビーム拡大装置、３飛程変
調装置、４飛程調整装置、５照射野限定装置、６
飛程補償装置、７患者、８患部、９粒子検出器、
１０磁石、１１スリット状の空間。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子線を射出する照射部と、上記荷電粒子線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁場を発生させる磁
場発生部と、上記磁場を経た荷電粒子線が照射される被照射体の被照
射部とを有することを特徴とする荷電粒子線照射装置。
【請求項２】荷電粒子線を射出する照射部と、上記荷電粒子線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁場を発生させる磁
場発生部と、上記磁場の中に載置され、上記磁場により進行方向が修
正された荷電粒子線が照射される被照射体の被照射部と
を有することを特徴とする荷電粒子線照射装置。
【請求項３】荷電粒子線を射出する照射部と、上記荷電粒子線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁場を発生させる磁
場発生部と、上記磁場を経て上記調整された荷電粒子線が照射される
被照射体と、上記被照射体を経た荷電粒子線が入射される検出部とを
有することを特徴とする荷電粒子線照射装置。
【請求項４】荷電粒子線を射出する照射部と、上記荷電粒子線の調整を行う調整部と、この調整された荷電粒子線に平行な磁場を発生させる磁
場発生部と、上記磁場の中に載置され、上記磁場により進行方向が修
正された荷電粒子線が照射される被照射体と上記被照射
体を経た荷電粒子線が入射される検出部とを有すること
を特徴とする荷電粒子線照射装置。
【請求項５】調整部は、入射された荷電粒子線の幅、飛
程、照射野、及び照射位置を調整することを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒子線照射装置。