JPH11278995A - Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッド - Google Patents
Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH11278995A JPH11278995A JP8457998A JP8457998A JPH11278995A JP H11278995 A JPH11278995 A JP H11278995A JP 8457998 A JP8457998 A JP 8457998A JP 8457998 A JP8457998 A JP 8457998A JP H11278995 A JPH11278995 A JP H11278995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- single crystal
- crystal ferrite
- ferrite material
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭｎＺｎ単結晶フェライト材料を磁気コアに
用いた磁気ヘッドにおいて、２０ＭＨｚ以上の高周波で
使用すると、透磁率の低下および渦電流損の増大によっ
て磁気ヘッドの記録・再生特性が劣化する。 【解決手段】 ＭｎＺｎ単結晶フェライト材料に酸化ニ
ッケルを１〜７重量％添加することによって、透磁率の
低下を抑制し、かつ比抵抗を高くして渦電流損の少ない
高周波用磁気ヘッドを提供する。
用いた磁気ヘッドにおいて、２０ＭＨｚ以上の高周波で
使用すると、透磁率の低下および渦電流損の増大によっ
て磁気ヘッドの記録・再生特性が劣化する。 【解決手段】 ＭｎＺｎ単結晶フェライト材料に酸化ニ
ッケルを１〜７重量％添加することによって、透磁率の
低下を抑制し、かつ比抵抗を高くして渦電流損の少ない
高周波用磁気ヘッドを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｎＺｎ単結晶フ
ェライトに関わるもので、特に高周波の磁気記録または
再生に対応したＨＤＤ用コンポジットヘッド、デジタル
テープヘッド等の磁気ヘッドに使用するＭｎＺｎ単結晶
フェライト材料に係わるものである。
ェライトに関わるもので、特に高周波の磁気記録または
再生に対応したＨＤＤ用コンポジットヘッド、デジタル
テープヘッド等の磁気ヘッドに使用するＭｎＺｎ単結晶
フェライト材料に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記憶装置の高容量化に伴って、媒体
に磁気的に記録あるいは再生する動作は高周波化されて
いる。ＶＴＲに代表される磁気テープの記録や再生に用
いられる磁気ヘッドについては、高周波化に応じてフェ
ライトが磁気コアの材料に用いられてきた。周波数が
０．１ＭＨｚ程度から、７〜１０Ｍｈｚ程度に高周波化
するに伴い、高い飽和磁束密度Ｂｓと透磁率μを有する
材料として、ＮｉＺｎ多結晶フェライト、ＭｎＺｎ多結
晶フェライト、ＭｎＺｎ単結晶フェライトの順にフェラ
イトも変遷していった。
に磁気的に記録あるいは再生する動作は高周波化されて
いる。ＶＴＲに代表される磁気テープの記録や再生に用
いられる磁気ヘッドについては、高周波化に応じてフェ
ライトが磁気コアの材料に用いられてきた。周波数が
０．１ＭＨｚ程度から、７〜１０Ｍｈｚ程度に高周波化
するに伴い、高い飽和磁束密度Ｂｓと透磁率μを有する
材料として、ＮｉＺｎ多結晶フェライト、ＭｎＺｎ多結
晶フェライト、ＭｎＺｎ単結晶フェライトの順にフェラ
イトも変遷していった。
【０００３】５〜１０ＭＨｚ程度の周波数の範囲で磁気
コアに利用できる磁性材料としては、特願平１−２９０
２０７号公報に開示された酸化物磁性材料（５ＭＨ
ｚ）、または特願平２−２１６０３号公報に開示された
磁気ヘッド用単結晶フェライト材料（７ＭＨｚ）などが
ある。
コアに利用できる磁性材料としては、特願平１−２９０
２０７号公報に開示された酸化物磁性材料（５ＭＨ
ｚ）、または特願平２−２１６０３号公報に開示された
磁気ヘッド用単結晶フェライト材料（７ＭＨｚ）などが
ある。
【０００４】また、記録媒体に磁気ディスクを用いて磁
気ヘッドを浮上させるＨＤＤ（ハードディスク装置）に
あっては、その記憶容量と記録・再生の周波数が急速に
向上しつつあり、高周波化に対応すべくＭｎＺｎ単結晶
フェライトが磁気ヘッドを構成する磁気コアの材料とし
て用いられている。
気ヘッドを浮上させるＨＤＤ（ハードディスク装置）に
あっては、その記憶容量と記録・再生の周波数が急速に
向上しつつあり、高周波化に対応すべくＭｎＺｎ単結晶
フェライトが磁気ヘッドを構成する磁気コアの材料とし
て用いられている。
【０００５】しかし、使用周波数をさらなる高周波領域
で使用すると、従来のＭｎＺｎ単結晶フェライトで十分
な磁気特性を得ることが困難となる。従来のＭｎＺｎ単
結晶フェライトの磁気コアを周波数１０ＭＨｚ程度まで
使用する分には問題がないが、周波数３０ＭＨｚを越え
て使用すると透磁率が１００程度まで低下してしまい、
記録・再生時の特性が劣化してしまう。
で使用すると、従来のＭｎＺｎ単結晶フェライトで十分
な磁気特性を得ることが困難となる。従来のＭｎＺｎ単
結晶フェライトの磁気コアを周波数１０ＭＨｚ程度まで
使用する分には問題がないが、周波数３０ＭＨｚを越え
て使用すると透磁率が１００程度まで低下してしまい、
記録・再生時の特性が劣化してしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来技術
は次のような課題を持っている。即ち、従来の組成のＭ
ｎＺｎ単結晶フェライトの磁気コアを、周波数３０ＭＨ
ｚ以上で使用した場合、磁気コアの透磁率が低下し、渦
電流損が増大して磁気記録動作の効率低下し、あるいは
磁気再生動作でＳ／Ｎ比が低下して信号を再生できなく
なるという問題を生じた。そこで、高周波領域で透磁率
が低下しにくく、かつ渦電流損を抑制することが可能な
単結晶フェライト材料が必要になった。
は次のような課題を持っている。即ち、従来の組成のＭ
ｎＺｎ単結晶フェライトの磁気コアを、周波数３０ＭＨ
ｚ以上で使用した場合、磁気コアの透磁率が低下し、渦
電流損が増大して磁気記録動作の効率低下し、あるいは
磁気再生動作でＳ／Ｎ比が低下して信号を再生できなく
なるという問題を生じた。そこで、高周波領域で透磁率
が低下しにくく、かつ渦電流損を抑制することが可能な
単結晶フェライト材料が必要になった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従来技術の課題を検討し
た結果、その解決手段を発見して本発明を想到したもの
である。その技術的思想は、ＭｎＺｎ単結晶フェライト
材料に酸化ニッケルを１〜７重量％の範囲で添加するこ
とにより、高周波側における透磁率の低下を抑制し、比
抵抗を増大させる。さらにこれを磁気コアに用いた場合
の渦電流損を低減するものである。
た結果、その解決手段を発見して本発明を想到したもの
である。その技術的思想は、ＭｎＺｎ単結晶フェライト
材料に酸化ニッケルを１〜７重量％の範囲で添加するこ
とにより、高周波側における透磁率の低下を抑制し、比
抵抗を増大させる。さらにこれを磁気コアに用いた場合
の渦電流損を低減するものである。
【０００８】また、本発明は、酸化鉄５０〜６０モル
％、酸化亜鉛５〜３０％モル、酸化マンガン１０〜４５
モル％からなる組成を主成分とするＭｎＺｎ単結晶フェ
ライトであって、残部として酸化ニッケルを１〜７重量
％の範囲で含有することを特徴とするＭｎＺｎ単結晶フ
ェライト材料である。ここで、望ましくは残部として酸
化ニッケルの範囲を３〜５重量％とする。
％、酸化亜鉛５〜３０％モル、酸化マンガン１０〜４５
モル％からなる組成を主成分とするＭｎＺｎ単結晶フェ
ライトであって、残部として酸化ニッケルを１〜７重量
％の範囲で含有することを特徴とするＭｎＺｎ単結晶フ
ェライト材料である。ここで、望ましくは残部として酸
化ニッケルの範囲を３〜５重量％とする。
【０００９】また本発明は、主成分として酸化鉄と酸化
亜鉛と酸化マンガンを合せて９３〜９９重量％含み、残
部として酸化ニッケルを１〜７重量％含み、組成の合計
が１００％であるＭｎＺｎ単結晶フェライトである。さ
らに望ましくは酸化鉄５０〜６０モル％、酸化亜鉛５〜
３０％モル、酸化マンガン１０〜４５モル％からなるＭ
ｎＺｎ単結晶フェライトであって、酸化ニッケルを１〜
７重量％の範囲で含有することを特徴とするＭｎＺｎ単
結晶フェライト材料である。
亜鉛と酸化マンガンを合せて９３〜９９重量％含み、残
部として酸化ニッケルを１〜７重量％含み、組成の合計
が１００％であるＭｎＺｎ単結晶フェライトである。さ
らに望ましくは酸化鉄５０〜６０モル％、酸化亜鉛５〜
３０％モル、酸化マンガン１０〜４５モル％からなるＭ
ｎＺｎ単結晶フェライトであって、酸化ニッケルを１〜
７重量％の範囲で含有することを特徴とするＭｎＺｎ単
結晶フェライト材料である。
【００１０】また、上記本発明のＭｎＺｎ単結晶フェラ
イト材料では、酸化ニッケルの代わりに、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム、又は他の２価イオン元素のうち
少なくとも１種を含有することが望ましい。また、上記
本発明のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料では、飽和磁歪
定数が−１０×１０−６から２×１０−６の範囲内にあ
ることが好ましい。
イト材料では、酸化ニッケルの代わりに、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム、又は他の２価イオン元素のうち
少なくとも１種を含有することが望ましい。また、上記
本発明のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料では、飽和磁歪
定数が−１０×１０−６から２×１０−６の範囲内にあ
ることが好ましい。
【００１１】また、本発明は、磁気コアと、磁気ギャッ
プ膜を備える磁気ヘッドであって、前記磁気コアとして
上記のＭｎＺｎ単結晶フェライトを用いることを特徴と
する磁気ヘッドである。この磁気ヘッドはＶＴＲ用磁気
ヘッド、ＦＤＤ用磁気ヘッド等として用いることができ
る。
プ膜を備える磁気ヘッドであって、前記磁気コアとして
上記のＭｎＺｎ単結晶フェライトを用いることを特徴と
する磁気ヘッドである。この磁気ヘッドはＶＴＲ用磁気
ヘッド、ＦＤＤ用磁気ヘッド等として用いることができ
る。
【００１２】また、本発明は、磁気コアと、磁気ギャッ
プ膜と、磁気ギャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属膜
を備える磁気ヘッドであって、前記磁気コアとして上記
のＭｎＺｎ単結晶フェライトを用いることで十分な透磁
率を備え、前記磁気ヘッドを２０〜１００ＭＨｚの範囲
の周波数で用いても摺動ノイズを抑制できることを特徴
とする高周波用磁気ヘッドである。さらに、充分な再生
出力の大きさを確保するためには、周波数３０〜７０Ｍ
Ｈｚの範囲で用いることが望ましい。
プ膜と、磁気ギャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属膜
を備える磁気ヘッドであって、前記磁気コアとして上記
のＭｎＺｎ単結晶フェライトを用いることで十分な透磁
率を備え、前記磁気ヘッドを２０〜１００ＭＨｚの範囲
の周波数で用いても摺動ノイズを抑制できることを特徴
とする高周波用磁気ヘッドである。さらに、充分な再生
出力の大きさを確保するためには、周波数３０〜７０Ｍ
Ｈｚの範囲で用いることが望ましい。
【００１３】また、本発明は、磁気ギャップ膜と、磁気
ギャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属薄膜と、前記軟
磁性金属膜の反磁気ギャップ膜側に磁気コアを備えた磁
気ヘッドであって、前記磁気コアとして上記本発明のＭ
ｎＺｎ単結晶フェライト材料を用い、一方の磁気コアの
飽和磁歪定数の値が、他方の磁気コアの飽和磁歪定数の
値以上であり、前記軟磁性金属薄膜は飽和磁束密度が
１．３〜１．７Ｔの範囲内であり、周波数３０〜１００
ＭＨｚの範囲内で磁気情報を記録または再生することを
特徴とする。
ギャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属薄膜と、前記軟
磁性金属膜の反磁気ギャップ膜側に磁気コアを備えた磁
気ヘッドであって、前記磁気コアとして上記本発明のＭ
ｎＺｎ単結晶フェライト材料を用い、一方の磁気コアの
飽和磁歪定数の値が、他方の磁気コアの飽和磁歪定数の
値以上であり、前記軟磁性金属薄膜は飽和磁束密度が
１．３〜１．７Ｔの範囲内であり、周波数３０〜１００
ＭＨｚの範囲内で磁気情報を記録または再生することを
特徴とする。
【００１４】以上に述べた本発明は、ＭｎＺｎフェライ
トの材料に酸化ニッケルを１〜７重量％の範囲で添加し
た後に、熱処理して結晶成長させて単結晶としたものを
使用する。一方、ＭｎＺｎフェライト材料に酸化ニッケ
ルを１〜７重量％の範囲で含有させ、焼成または焼結し
て多結晶としたものは本発明の磁気特性を発揮すること
ができない。また、多結晶の状態でこれをテープヘッド
の磁気コアに用いると、摺動ノイズを抑制することがで
きないという問題もある。
トの材料に酸化ニッケルを１〜７重量％の範囲で添加し
た後に、熱処理して結晶成長させて単結晶としたものを
使用する。一方、ＭｎＺｎフェライト材料に酸化ニッケ
ルを１〜７重量％の範囲で含有させ、焼成または焼結し
て多結晶としたものは本発明の磁気特性を発揮すること
ができない。また、多結晶の状態でこれをテープヘッド
の磁気コアに用いると、摺動ノイズを抑制することがで
きないという問題もある。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明のＭｎＺｎ単結晶フ
ェライト材料に係わる実施形態を説明する。図１を用い
て、本発明と従来のＭｎＺｎ単結晶フェライトにおける
透磁率−周波数特性を説明する。図１はフェライト単結
晶の組成１および組成２に対して酸化ニッケルを添加し
た場合の周波数と透磁率の関係を示したものである。こ
こで、ＮｉＯ＝３、５ｗｔ％が本発明の組成を示し、
ＮｉＯ＝０ｗｔ％が従来の組成を示す。組成１および組
成２の組成（ｍｏｌ％）を次の表１に示す。尚、本発明
においては、酸化ニッケル等の添加量は、組成１又は組
成２の組成１００（ｍｏｌ％）に対してさらに添加した
重量％（ｗｔ％と表示）で示している。
ェライト材料に係わる実施形態を説明する。図１を用い
て、本発明と従来のＭｎＺｎ単結晶フェライトにおける
透磁率−周波数特性を説明する。図１はフェライト単結
晶の組成１および組成２に対して酸化ニッケルを添加し
た場合の周波数と透磁率の関係を示したものである。こ
こで、ＮｉＯ＝３、５ｗｔ％が本発明の組成を示し、
ＮｉＯ＝０ｗｔ％が従来の組成を示す。組成１および組
成２の組成（ｍｏｌ％）を次の表１に示す。尚、本発明
においては、酸化ニッケル等の添加量は、組成１又は組
成２の組成１００（ｍｏｌ％）に対してさらに添加した
重量％（ｗｔ％と表示）で示している。
【００１６】
【表１】
【００１７】図１によると、周波数が上がるにつれて従
来例および本発明ともに透磁率が低下している。しか
し、酸化ニッケルを添加した本発明のものは従来例に比
べて透磁率の低下が緩やかである。組成１については、
周波数２０ＭＨｚ以上で本発明のものが従来例より透磁
率が大きい。周波数１００ＭＨｚに至っては本発明の透
磁率は従来例の２倍以上である。さらにＮｉＯ＝５ｗｔ
％の組成では、周波数７０ＭＨｚ程度までは、透磁率１
００以上で使用できることが判る。一方、組成２につい
ては、３０ＭＨｚ以上で本発明のものが従来例より透磁
率が大きくなっている。本発明の材料を磁気コアに用い
る場合、磁気ギャップ膜を挟むように対向して配置した
軟磁性金属膜に飽和磁束密度Ｂｓの高い材料を用いる
と、透磁率の低下を抑制する効果は一層顕著なものとな
る。
来例および本発明ともに透磁率が低下している。しか
し、酸化ニッケルを添加した本発明のものは従来例に比
べて透磁率の低下が緩やかである。組成１については、
周波数２０ＭＨｚ以上で本発明のものが従来例より透磁
率が大きい。周波数１００ＭＨｚに至っては本発明の透
磁率は従来例の２倍以上である。さらにＮｉＯ＝５ｗｔ
％の組成では、周波数７０ＭＨｚ程度までは、透磁率１
００以上で使用できることが判る。一方、組成２につい
ては、３０ＭＨｚ以上で本発明のものが従来例より透磁
率が大きくなっている。本発明の材料を磁気コアに用い
る場合、磁気ギャップ膜を挟むように対向して配置した
軟磁性金属膜に飽和磁束密度Ｂｓの高い材料を用いる
と、透磁率の低下を抑制する効果は一層顕著なものとな
る。
【００１８】図２は酸化ニッケル添加量と比抵抗との関
係を説明する図である。ＮｉＯ添加量が０の場合が従来
例を示す。組成１又は組成２いずれの場合も、酸化ニッ
ケル添加量が増加すると比抵抗が増大し渦電流損を低減
できることがわかる。但し、酸化ニッケルを７ｗｔ％を
超えて添加すると結晶構造が多結晶になりやすく、これ
を磁気ヘッドの磁気コアに用いるとノイズ等のヘッド特
性を劣化させるので、高周波用磁気ヘッドには適さな
い。
係を説明する図である。ＮｉＯ添加量が０の場合が従来
例を示す。組成１又は組成２いずれの場合も、酸化ニッ
ケル添加量が増加すると比抵抗が増大し渦電流損を低減
できることがわかる。但し、酸化ニッケルを７ｗｔ％を
超えて添加すると結晶構造が多結晶になりやすく、これ
を磁気ヘッドの磁気コアに用いるとノイズ等のヘッド特
性を劣化させるので、高周波用磁気ヘッドには適さな
い。
【００１９】本発明のＭｎＺｎ単結晶フェライトを磁気
コアに用いた磁気ヘッドの出力特性を図３に示す。この
磁気ヘッドはコンポジットヘッドであり、磁気ギャップ
膜を挟んで対向する軟磁性金属膜に飽和磁束密度１．６
Ｔのセンダスト膜を用い、前記軟磁性金属膜を磁気コア
で挟み、この磁気コアにコイルを巻回させて磁気ヘッド
を構成するものである。従来例（ＮｉＯ＝０ｗｔ％）と
比較した場合、本発明の例（ＮｉＯ＝３ｗｔ％）は特に
高周波側において出力が向上している。
コアに用いた磁気ヘッドの出力特性を図３に示す。この
磁気ヘッドはコンポジットヘッドであり、磁気ギャップ
膜を挟んで対向する軟磁性金属膜に飽和磁束密度１．６
Ｔのセンダスト膜を用い、前記軟磁性金属膜を磁気コア
で挟み、この磁気コアにコイルを巻回させて磁気ヘッド
を構成するものである。従来例（ＮｉＯ＝０ｗｔ％）と
比較した場合、本発明の例（ＮｉＯ＝３ｗｔ％）は特に
高周波側において出力が向上している。
【００２０】また図４に、ＭｎＺｎ単結晶フェライトを
磁気コアに用いた磁気ヘッドの出力特性を示す。この磁
気ヘッドは、磁気ギャップ膜を挟んで対抗する軟磁性金
属膜に飽和磁束密度１．６Ｔのセンダスト膜を用いて、
各々の軟磁性金属膜の反磁気ギャップ膜側に磁気コアを
設けたコンポジットヘッドである。図４において、飽和
磁歪定数λｓ＝２×１０−６の磁気コアを用いた本発明
の磁気ヘッドは、飽和磁歪定数λｓ＝−１４×１０−６
の磁気コアを用いた磁気ヘッドに比べて高周波領域で出
力が向上している。特に２以上の磁気コアを有する磁気
ヘッドにおいて、一つの磁気コアの飽和磁歪定数を他の
磁気コアの飽和磁束定数以上の値とした本発明の磁気ヘ
ッドは、同一の飽和磁歪定数を有する磁気コアで構成し
た磁気ヘッドに比べて、磁気ヘッドが媒体に摺動する際
に発生する再生出力のノイズのレベルが低い。
磁気コアに用いた磁気ヘッドの出力特性を示す。この磁
気ヘッドは、磁気ギャップ膜を挟んで対抗する軟磁性金
属膜に飽和磁束密度１．６Ｔのセンダスト膜を用いて、
各々の軟磁性金属膜の反磁気ギャップ膜側に磁気コアを
設けたコンポジットヘッドである。図４において、飽和
磁歪定数λｓ＝２×１０−６の磁気コアを用いた本発明
の磁気ヘッドは、飽和磁歪定数λｓ＝−１４×１０−６
の磁気コアを用いた磁気ヘッドに比べて高周波領域で出
力が向上している。特に２以上の磁気コアを有する磁気
ヘッドにおいて、一つの磁気コアの飽和磁歪定数を他の
磁気コアの飽和磁束定数以上の値とした本発明の磁気ヘ
ッドは、同一の飽和磁歪定数を有する磁気コアで構成し
た磁気ヘッドに比べて、磁気ヘッドが媒体に摺動する際
に発生する再生出力のノイズのレベルが低い。
【００２１】
【発明の効果】本発明により、２０ＭＨｚ以上の高周波
で使用しても、透磁率の低下や渦電流損を抑制でき、充
分な大きさの再生出力を得る高周波用磁気ヘッドを提供
することができる。
で使用しても、透磁率の低下や渦電流損を抑制でき、充
分な大きさの再生出力を得る高周波用磁気ヘッドを提供
することができる。
【図１】本発明と従来のＭｎＺｎ単結晶フェライトおけ
る透磁率−周波数特性を説明する図。
る透磁率−周波数特性を説明する図。
【図２】酸化ニッケル添加量と比抵抗との関係を説明す
る図。
る図。
【図３】磁気ヘッドの出力特性を説明する図。
【図４】磁気ヘッドの出力特性を説明する図。
Claims (10)
- 【請求項１】 酸化ニッケルを１〜７重量％の範囲で含
有することを特徴とするＭｎＺｎ単結晶フェライト材
料。 - 【請求項２】 酸化鉄５０〜６０モル％、酸化亜鉛５〜
３０％モル、酸化マンガン１０〜４５モル％を含有する
ＭｎＺｎ単結晶フェライトであって、酸化ニッケルを３
〜５重量％の範囲で含有することを特徴とするＭｎＺｎ
単結晶フェライト材料。 - 【請求項３】 前記酸化ニッケルの代わりに、酸化カル
シウム、酸化マグネシウム、又は他の２価イオン元素の
うち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項
１又は２に記載のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料。 - 【請求項４】 請求項１、２または３のいずれかにおい
て、前記ＭｎＺｎ単結晶フェライト材料の飽和磁歪定数
が−１０×１０−６から２×１０−６の範囲内にあるこ
とを特徴とするＭｎＺｎ単結晶フェライト材料。 - 【請求項５】 主成分として酸化鉄と酸化亜鉛と酸化マ
ンガンを合せて９３〜９９重量％含み、残部として酸化
ニッケルを１〜７重量％含み、組成の合計が１００％で
あり、飽和磁歪定数が−１０×１０−６から２×１０−
６の範囲内であることを特徴とするＭｎＺｎ単結晶フェ
ライト材料。 - 【請求項６】 磁気コアと、磁気ギャップ膜とを備えた
磁気ヘッドであって、前記磁気コアとして請求項１乃至
５のいずれかに記載のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料を
用いることを特徴とする高周波用磁気ヘッド。 - 【請求項７】 磁気コアと、磁気ギャップ膜と、磁気ギ
ャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属薄膜を備えた磁気
ヘッドであって、前記磁気コアとして請求項１乃至５の
いずれかに記載のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料を用い
ることを特徴とする高周波用磁気ヘッド。 - 【請求項８】 磁気コアと、磁気ギャップ膜と、磁気ギ
ャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属薄膜を備えた磁気
ヘッドであって、前記磁気コアとして請求項１乃至５の
いずれかに記載のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料を用
い、前記軟磁性金属薄膜は飽和磁束密度が１．３〜１．
７Ｔの範囲内であり、周波数２０〜１００ＭＨｚの範囲
内で磁気情報を記録または再生することを特徴とする高
周波用磁気ヘッド。 - 【請求項９】 磁気コアと、磁気ギャップ膜と、磁気ギ
ャップ膜を挟んで対向する軟磁性金属薄膜を備えた磁気
ヘッドであって、前記磁気コアとして請求項１乃至５の
いずれかに記載のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料を用
い、前記軟磁性金属薄膜は飽和磁束密度が１．３〜１．
７Ｔの範囲内であり、周波数３０〜７０ＭＨｚの範囲内
で磁気情報を記録または再生することを特徴とする高周
波用磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 磁気ギャップ膜と、磁気ギャップ膜を
挟んで対向する軟磁性金属薄膜と、前記軟磁性金属膜の
反磁気ギャップ膜側に磁気コアを備えた磁気ヘッドであ
って、前記磁気コアとして請求項４または５のいずれか
に記載のＭｎＺｎ単結晶フェライト材料を用い、一方の
磁気コアの飽和磁歪定数の値が他方の磁気コアの飽和磁
歪定数の値以上であり、前記軟磁性金属薄膜は飽和磁束
密度が１．３〜１．７Ｔの範囲内であり、周波数３０〜
１００ＭＨｚの範囲内で磁気情報を記録または再生する
ことを特徴とする高周波用磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8457998A JPH11278995A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8457998A JPH11278995A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11278995A true JPH11278995A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13834597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8457998A Withdrawn JPH11278995A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11278995A (ja) |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8457998A patent/JPH11278995A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0206658A2 (en) | Magnetic head | |
| JPH10338600A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッド | |
| GB2148944A (en) | Magnetic recording medium | |
| KR910007871B1 (ko) | 페라이트 코어를 가진 자기헤드 | |
| US4568993A (en) | Magnetic head | |
| JPH11278995A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライト材料および高周波用磁気ヘッド | |
| US4609593A (en) | Magnetic recording medium | |
| KR890003043B1 (ko) | 자기헤드 | |
| JPH03131006A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61194609A (ja) | 複合磁気ヘツド | |
| JP2775770B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| KR880001197B1 (ko) | 자기헤드 | |
| JP2764428B2 (ja) | 単結晶フェライト | |
| KR100260807B1 (ko) | 다결정 MnZn 페로페라이트 코어부를 가진 마그네틱 헤드 | |
| JP2521922B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH07326014A (ja) | 磁気ヘッド用接合フェライト材料及び磁気ヘッド | |
| JPH05128423A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6139226A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0696414A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS62119713A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH08236334A (ja) | ロータリートランス | |
| JPH05128420A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH09134818A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録装置 | |
| JPH0765315A (ja) | 積層型磁気ヘッド | |
| JPH02189906A (ja) | 軟磁性薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20040205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040223 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20040310 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060913 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061024 |