JPH11274078A - 結晶シリコン膜の製造方法 - Google Patents
結晶シリコン膜の製造方法Info
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- JPH11274078A JPH11274078A JP7925698A JP7925698A JPH11274078A JP H11274078 A JPH11274078 A JP H11274078A JP 7925698 A JP7925698 A JP 7925698A JP 7925698 A JP7925698 A JP 7925698A JP H11274078 A JPH11274078 A JP H11274078A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の評価技術のようにポリシリコンの結晶粒
径の電子顕微鏡で観察する検査は、人為的な労力と測定
するまでに時間がかかるため、製造現場では不向きであ
る上、破壊検査で行っており、表面加工や処理を施し観
察するため実際の膜質が正確に測定されているとは限ら
ない。 【解決手段】本発明は、ＪＩＳＺ８７４１鏡面光沢度測
定方法を利用し、結晶粒径が最大で且つ顆粒が未発生状
態である時、電気伝導度が高くなり、エキシマレーザア
ニールされた薄膜表面の光沢度は最も低くなることか
ら、ポリシリコンの形成工程において、ポリシリコンの
光沢度を測定することにより、非破壊で結晶粒径を評価
して、結晶化の最適な条件を設定し、不良品の早期排除
やエネルギー密度の最適条件を設定する多結晶シリコン
の製造方法である。
径の電子顕微鏡で観察する検査は、人為的な労力と測定
するまでに時間がかかるため、製造現場では不向きであ
る上、破壊検査で行っており、表面加工や処理を施し観
察するため実際の膜質が正確に測定されているとは限ら
ない。 【解決手段】本発明は、ＪＩＳＺ８７４１鏡面光沢度測
定方法を利用し、結晶粒径が最大で且つ顆粒が未発生状
態である時、電気伝導度が高くなり、エキシマレーザア
ニールされた薄膜表面の光沢度は最も低くなることか
ら、ポリシリコンの形成工程において、ポリシリコンの
光沢度を測定することにより、非破壊で結晶粒径を評価
して、結晶化の最適な条件を設定し、不良品の早期排除
やエネルギー密度の最適条件を設定する多結晶シリコン
の製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコン膜
（ポリシリコン膜）の製造方法に係り、特にその結晶化
率を容易に判別を可能とするものである。
（ポリシリコン膜）の製造方法に係り、特にその結晶化
率を容易に判別を可能とするものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、トランジスタのキャリア（ｎチ
ャネルでは電子、ｐチャネルでは正孔）の動きやすさを
示す指数として「移動度」が知られている。この移動度
は、数値が大きいほどトランジスタの駆動能力が大きく
なり、高速に動作することを意味している。この数値
は、半導体の結晶の乱れや不純物により、キャリアの走
行が妨害されると移動度が低下する。シリコン中の電子
の場合、単結晶では約１０００の移動度があるが、ポリ
シリコンを用いた薄膜トランジスタでは、結晶の乱れに
より１０〜１００程度、アモルファスシリコンの薄膜ト
ランジスタではさらに、０．３〜１といわれている。
ャネルでは電子、ｐチャネルでは正孔）の動きやすさを
示す指数として「移動度」が知られている。この移動度
は、数値が大きいほどトランジスタの駆動能力が大きく
なり、高速に動作することを意味している。この数値
は、半導体の結晶の乱れや不純物により、キャリアの走
行が妨害されると移動度が低下する。シリコン中の電子
の場合、単結晶では約１０００の移動度があるが、ポリ
シリコンを用いた薄膜トランジスタでは、結晶の乱れに
より１０〜１００程度、アモルファスシリコンの薄膜ト
ランジスタではさらに、０．３〜１といわれている。
【０００３】このような中、ポリシリコンは単結晶とは
異なり、ガラス基板等の上にも形成できるため、特に液
晶表示装置（ＬＣＤ）の駆動回路部を構成する素子への
適用が試みられている。
異なり、ガラス基板等の上にも形成できるため、特に液
晶表示装置（ＬＣＤ）の駆動回路部を構成する素子への
適用が試みられている。
【０００４】例えば、ポリシリコンを一例とすると、図
３に示すような多数の結晶粒で形成され、平均結晶粒径
が大きくなる程、移動度が増大する。ここでいう平均結
晶粒径は、少なくとも２つ以上の結晶粒の平均値であ
る。ＬＣＤにおいて、駆動素子となる薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の活性層となるポリシリコン膜の移動度の向
上は、その高微細化を達成する上で重要であり、またそ
の移動度のばらつきは、画質に大きな影響を与えている
ため、ポリシリコン膜の結晶粒径を均質に管理する必要
がある。
３に示すような多数の結晶粒で形成され、平均結晶粒径
が大きくなる程、移動度が増大する。ここでいう平均結
晶粒径は、少なくとも２つ以上の結晶粒の平均値であ
る。ＬＣＤにおいて、駆動素子となる薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）の活性層となるポリシリコン膜の移動度の向
上は、その高微細化を達成する上で重要であり、またそ
の移動度のばらつきは、画質に大きな影響を与えている
ため、ポリシリコン膜の結晶粒径を均質に管理する必要
がある。
【０００５】この管理方法としては、ポリシリコンの結
晶粒径そのものを測定するのが最も確実の手法である。
即ち、検査用のサンプルを最初や途中の製造ロットの中
に混ぜたり、製品を無作為に抜き取り、製造工程におい
て形成したポリシリコン膜の結晶粒径を電子顕微鏡によ
り直接観察して測定していた。
晶粒径そのものを測定するのが最も確実の手法である。
即ち、検査用のサンプルを最初や途中の製造ロットの中
に混ぜたり、製品を無作為に抜き取り、製造工程におい
て形成したポリシリコン膜の結晶粒径を電子顕微鏡によ
り直接観察して測定していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の評価技
術のようにポリシリコンの結晶粒径の電子顕微鏡で観察
する検査は、人為的な労力と測定結果がでるまでに時間
がかかるため、製造現場では不向きである。
術のようにポリシリコンの結晶粒径の電子顕微鏡で観察
する検査は、人為的な労力と測定結果がでるまでに時間
がかかるため、製造現場では不向きである。
【０００７】特に液晶用大型ガラス基板の場合は、電子
顕微鏡の試料台に載置できないため、割って小さくしな
ければならず、破壊検査となっている。また結晶粒径を
観察するためにポリシリコン膜の表面をエッチングした
り、特殊な処理を施すため、それらの影響をポリシリコ
ン膜が受けていることも想定され、電子顕微鏡により、
直接測定したとしても実際の膜質が正確に測定されてい
るとは限らない。
顕微鏡の試料台に載置できないため、割って小さくしな
ければならず、破壊検査となっている。また結晶粒径を
観察するためにポリシリコン膜の表面をエッチングした
り、特殊な処理を施すため、それらの影響をポリシリコ
ン膜が受けていることも想定され、電子顕微鏡により、
直接測定したとしても実際の膜質が正確に測定されてい
るとは限らない。
【０００８】そこで本発明は、上記問題点に鑑みて成さ
れたものであり、簡単な手法で多結晶シリコンの結晶化
率の評価を可能とし、これにより製造ばらつきのない、
または、製造歩留まりの高い多結晶シリコン膜の製造方
法を提供することを目的とする。
れたものであり、簡単な手法で多結晶シリコンの結晶化
率の評価を可能とし、これにより製造ばらつきのない、
または、製造歩留まりの高い多結晶シリコン膜の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、基板上に配置されたシリコン膜にエネルギ
ーを印加し、多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記
多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程と、前記鏡
面光沢に基づいて前記多結晶シリコン膜を選別する工程
とを備える多結晶シリコン膜の製造方法を提供する。
するために、基板上に配置されたシリコン膜にエネルギ
ーを印加し、多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記
多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程と、前記鏡
面光沢に基づいて前記多結晶シリコン膜を選別する工程
とを備える多結晶シリコン膜の製造方法を提供する。
【００１０】また前記シリコン膜は、非結晶シリコン膜
で形成され、エキシマレーザーのエネルギー照射によ
り、多結晶シリコン膜に形成され、その鏡面光沢をＪＩ
ＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に基づき測定する。
前記ＪＩＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に用いる光
源及び受光器は、前記多結晶シリコン膜を形成する基板
の法線に対して、互いに対向した１５°〜３０°の範囲
内に設定される。
で形成され、エキシマレーザーのエネルギー照射によ
り、多結晶シリコン膜に形成され、その鏡面光沢をＪＩ
ＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に基づき測定する。
前記ＪＩＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に用いる光
源及び受光器は、前記多結晶シリコン膜を形成する基板
の法線に対して、互いに対向した１５°〜３０°の範囲
内に設定される。
【００１１】以上のような多結晶シリコンの製造方法
は、多結晶シリコンの製造工程で、非結晶シリコンへエ
キシマレーザを照射にして薄膜形成された多結晶シリコ
ン膜の光沢度をＪＩＳＺ８７４１で規定される光沢度の
測定方法に基づき測定する。この測定で、結晶粒径が大
きくなりかつ顆粒が発生していない状態であるとき、電
気伝導度は高くなっていき、且つエキシマレーザアニー
ルされた薄膜表面の光沢度が低くなり、つまり反射率が
低下してくる。
は、多結晶シリコンの製造工程で、非結晶シリコンへエ
キシマレーザを照射にして薄膜形成された多結晶シリコ
ン膜の光沢度をＪＩＳＺ８７４１で規定される光沢度の
測定方法に基づき測定する。この測定で、結晶粒径が大
きくなりかつ顆粒が発生していない状態であるとき、電
気伝導度は高くなっていき、且つエキシマレーザアニー
ルされた薄膜表面の光沢度が低くなり、つまり反射率が
低下してくる。
【００１２】この光沢度が最も低くなる状態が最も電気
伝導度が良くなることを利用して、鏡面光沢が減少する
範囲内でエネルギーの照射の最適条件を設定し、製造ば
らつきの低減や製造歩留まりを高める。
伝導度が良くなることを利用して、鏡面光沢が減少する
範囲内でエネルギーの照射の最適条件を設定し、製造ば
らつきの低減や製造歩留まりを高める。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。本発明による多結晶シ
リコン（ポリシリコン）の製造方法は、形成されたポリ
シリコン膜の鏡面光沢度を測定するものであり、例えば
ＪＩＳＺ８７４１に規定される鏡面光沢度測定方法を利
用するものである。
施形態について詳細に説明する。本発明による多結晶シ
リコン（ポリシリコン）の製造方法は、形成されたポリ
シリコン膜の鏡面光沢度を測定するものであり、例えば
ＪＩＳＺ８７４１に規定される鏡面光沢度測定方法を利
用するものである。
【００１４】本発明者による実施の結果、形成されたポ
リシリコンの結晶粒径が最も大きく且つ、顆粒が発生し
ていない状態であるとき、電気伝導度は高くなり、且つ
エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）された薄膜表面の光
沢度は最も低くなることが判明した。
リシリコンの結晶粒径が最も大きく且つ、顆粒が発生し
ていない状態であるとき、電気伝導度は高くなり、且つ
エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）された薄膜表面の光
沢度は最も低くなることが判明した。
【００１５】本実施形態では、この光沢度が最も低くな
る状態つまり、反射率が低くなる状態が最も電気伝導度
が良くなることを利用して、エキシマレーザアニールの
最適条件を求める。また測定結果に基づいて、不良品が
判別し、次の製造工程への流れ込みを阻止し、若しくは
ＥＬＡのエネルギー密度にフィードバックし、常に、最
適条件により、結晶化されたポリシリコンを製造するこ
とで製造歩留まりを向上させるものである。
る状態つまり、反射率が低くなる状態が最も電気伝導度
が良くなることを利用して、エキシマレーザアニールの
最適条件を求める。また測定結果に基づいて、不良品が
判別し、次の製造工程への流れ込みを阻止し、若しくは
ＥＬＡのエネルギー密度にフィードバックし、常に、最
適条件により、結晶化されたポリシリコンを製造するこ
とで製造歩留まりを向上させるものである。
【００１６】図１には、本発明による一実施形態に係る
ポリシリコン結晶化率の評価方法及び、それを利用した
ポリシリコンの製造方法を実現するための構成例を示す
図である。
ポリシリコン結晶化率の評価方法及び、それを利用した
ポリシリコンの製造方法を実現するための構成例を示す
図である。
【００１７】まず、５００mm×６００mm程度の大判のガ
ラス基板１上にプラズマＣＶＤ法により、少なくとも一
層以上に積層された薄膜の最上層にあるアモルファスシ
リコン膜にエキシマレーザを照射して結晶化し、平均結
晶粒径の異なるポリシリコン膜２の試料を用意する。
ラス基板１上にプラズマＣＶＤ法により、少なくとも一
層以上に積層された薄膜の最上層にあるアモルファスシ
リコン膜にエキシマレーザを照射して結晶化し、平均結
晶粒径の異なるポリシリコン膜２の試料を用意する。
【００１８】本実施形態では、前記ガラス基板１上に窒
化膜及び酸化膜がそれぞれ１５０nm厚で積層された基板
を用いて、測定角度θを２０°と設定し、光沢度計３に
よる測定では、図２に示すような電子顕微鏡で測定した
平均結晶粒径と、ＥＬＡエネルギー密度（ mJ/cm2 ）即
ち光沢度との相関が得られた。
化膜及び酸化膜がそれぞれ１５０nm厚で積層された基板
を用いて、測定角度θを２０°と設定し、光沢度計３に
よる測定では、図２に示すような電子顕微鏡で測定した
平均結晶粒径と、ＥＬＡエネルギー密度（ mJ/cm2 ）即
ち光沢度との相関が得られた。
【００１９】図２によれば、ポリシリコンの結晶粒径が
最大のとき、光沢度は、極値をとる傾向があり、例え
ば、膜厚４０nm〜６０nmの範囲のポリシリコン膜で光沢
度約２００〜１６００が得られる。
最大のとき、光沢度は、極値をとる傾向があり、例え
ば、膜厚４０nm〜６０nmの範囲のポリシリコン膜で光沢
度約２００〜１６００が得られる。
【００２０】そして光沢度が極値をとる場合に電気伝導
度は高くなることから、本実施形態においては、ポリシ
リコンの膜厚４０nmで、ＥＬＡエネルギー密度が３７０
（ mJ/cm2 ）の時に、光沢度が極値となり、光沢度１２
００となる。また、ポリシリコンの膜厚６０nmで、ＥＬ
Ａエネルギー密度が３７０（ mJ/cm2 ）の時に、光沢度
が極値となり、光沢度２００となる。そしてＥＬＡエネ
ルギー密度が更に、２５（ mJ/cm2 ）上昇すると、顆粒
が発生する傾向がある。
度は高くなることから、本実施形態においては、ポリシ
リコンの膜厚４０nmで、ＥＬＡエネルギー密度が３７０
（ mJ/cm2 ）の時に、光沢度が極値となり、光沢度１２
００となる。また、ポリシリコンの膜厚６０nmで、ＥＬ
Ａエネルギー密度が３７０（ mJ/cm2 ）の時に、光沢度
が極値となり、光沢度２００となる。そしてＥＬＡエネ
ルギー密度が更に、２５（ mJ/cm2 ）上昇すると、顆粒
が発生する傾向がある。
【００２１】従って、光沢度が極値をとるように、レー
ザアニールの最適条件を確定し、ポリシリコンの結晶化
率を評価することにより、電気伝導度の最もよいポリシ
リコン膜を製造することができる。
ザアニールの最適条件を確定し、ポリシリコンの結晶化
率を評価することにより、電気伝導度の最もよいポリシ
リコン膜を製造することができる。
【００２２】実際の製造工程においては、本実施形態の
ポリシリコン結晶化率の評価方法による液晶ディスプレ
イの製造方法が非破壊及び非接触による検査で実施でき
ることから、従来のように製造ロットの中にサンプルを
入れる必要もなく、適宜、製品を抜き取って或いは全数
の評価を行うことができ、特に、レーザアニール装置に
光沢度計を備え付けることにより、装置外に取り出さず
に評価することができる。
ポリシリコン結晶化率の評価方法による液晶ディスプレ
イの製造方法が非破壊及び非接触による検査で実施でき
ることから、従来のように製造ロットの中にサンプルを
入れる必要もなく、適宜、製品を抜き取って或いは全数
の評価を行うことができ、特に、レーザアニール装置に
光沢度計を備え付けることにより、装置外に取り出さず
に評価することができる。
【００２３】例えば、予め求められた最適な光沢度を実
際の光沢度と比較し、最適な光沢度を１００以上上回っ
ている基板は、不良品と見なし、次の製造工程への流れ
込みを阻止する。また、この測定結果に基づいて、最適
な光沢度となるようにレーザアニールのエネルギー密度
を即座に調整し、製造歩留まりを向上させる。
際の光沢度と比較し、最適な光沢度を１００以上上回っ
ている基板は、不良品と見なし、次の製造工程への流れ
込みを阻止する。また、この測定結果に基づいて、最適
な光沢度となるようにレーザアニールのエネルギー密度
を即座に調整し、製造歩留まりを向上させる。
【００２４】本実施形態では、説明の関係から光沢度計
を１つとして１箇所の測定で説明しているが、実施する
場合には、ガラス基板の面内の均一性を見る必要がある
ため、ガラス基板を移動させて複数の箇所で測定を行う
か、複数の光沢度計を配置して、複数の箇所を測定する
ことが望ましい。
を１つとして１箇所の測定で説明しているが、実施する
場合には、ガラス基板の面内の均一性を見る必要がある
ため、ガラス基板を移動させて複数の箇所で測定を行う
か、複数の光沢度計を配置して、複数の箇所を測定する
ことが望ましい。
【００２５】本実施形態では、結晶粒径が最大のときに
光沢度が極値を取ったが、極値を取らなくても光沢度を
絶対値あるいは相対値により結晶粒径を判定することが
できればよい。また本実施形態では、光沢測定角度２０
°で測定したが、ポリシリコンの膜厚または下地膜の種
類や膜厚により、相関関係がとれる角度であればよく、
必ずしも２０°に限定されるものではない。しかしなが
ら、本発明等の実験によれば、１５°〜３０°の範囲が
適しており、特に２０°における相関が顕著であること
が確認されている。
光沢度が極値を取ったが、極値を取らなくても光沢度を
絶対値あるいは相対値により結晶粒径を判定することが
できればよい。また本実施形態では、光沢測定角度２０
°で測定したが、ポリシリコンの膜厚または下地膜の種
類や膜厚により、相関関係がとれる角度であればよく、
必ずしも２０°に限定されるものではない。しかしなが
ら、本発明等の実験によれば、１５°〜３０°の範囲が
適しており、特に２０°における相関が顕著であること
が確認されている。
【００２６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、光沢度からエキシマレーザアニールの最適照射条件
が非接触で確定することができた。また、上記結晶粒径
を評価して、不良品の早期排除または、エキシマレーザ
アニールの最適照射条件の設定により高い製造歩留まり
を確保することができる。
ば、光沢度からエキシマレーザアニールの最適照射条件
が非接触で確定することができた。また、上記結晶粒径
を評価して、不良品の早期排除または、エキシマレーザ
アニールの最適照射条件の設定により高い製造歩留まり
を確保することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、形
成されるポリシリコンの平均結晶粒径の大きさにより、
表面の光沢が異なることを利用し、光沢度計を用いて、
大型基板の実製品を非接触及び非破壊で評価し、製造ば
らつきの少なく、不良品の早期排除により製造歩留まり
の高い多結晶シリコン膜の製造方法を提供することがで
きる。
成されるポリシリコンの平均結晶粒径の大きさにより、
表面の光沢が異なることを利用し、光沢度計を用いて、
大型基板の実製品を非接触及び非破壊で評価し、製造ば
らつきの少なく、不良品の早期排除により製造歩留まり
の高い多結晶シリコン膜の製造方法を提供することがで
きる。
【図１】本発明によるポリシリコン結晶化率の評価方法
について説明するための構成を示す図である。
について説明するための構成を示す図である。
【図２】ＥＬＡエネルギー密度と光沢度の関係の実験結
果の一例を示す図である。
果の一例を示す図である。
【図３】ポリシリコンの結晶粒径の一例を示す図であ
る。
る。
１…ガラス基板 ２…ポリシリコン膜 ３…光沢度計
フロントページの続き (72)発明者 三橋 浩 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷電子工場内
Claims (13)
- 【請求項１】 基板上に配置されたシリコン膜にエネル
ギーを印加し、多結晶シリコン膜を形成する工程と、 前記多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程と、 前記鏡面光沢に基づいて前記多結晶シリコン膜を選別す
る工程と、 を具備することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の多結晶シリコン膜の製造
方法において、 前記シリコン膜は、非結晶シリコン膜であり、前記エネ
ルギーがエキシマレーザーの照射によることを特徴とす
る多結晶シリコン膜の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の多結晶シリコン膜の製造
方法において、 前記多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程が、Ｊ
ＩＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に基づくことを特
徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の多結晶シリコン膜の製造
方法において、 前記ＪＩＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に用いる光
源及び受光器が、前記多結晶シリコン膜を形成する基板
の法線に対して、互いに対向した１５°〜３０°の範囲
内に設定されることを特徴とする多結晶シリコン膜の製
造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の多結晶シリコン膜の製造
方法において、 前記基板上に形成された多結晶シリコン膜の膜厚が４０
mm〜６０mmの範囲で有ることを特徴とする多結晶シリコ
ン膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の多結晶シリコン膜の製造
方法において、 前記多結晶シリコン膜の光沢度が、０〜１４００の範囲
で形成されることを特徴とする多結晶シリコン膜の製造
方法。 - 【請求項７】 基板上に配置されたシリコン膜にエネル
ギーを印加し、多結晶シリコン膜を形成する工程と、 前記多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程と、 前記鏡面光沢に基づいて前記エネルギーを調整する工程
と、 を具備することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項５記載の多結晶シリコン膜の製造
方法において、 前記鏡面光沢が減少する範囲内で前記エネルギーを高め
ることを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７載の多結晶シリコン膜の製造方
法において、 前記シリコン膜非結晶シリコン膜であり、前記エネルギ
ーがエキシマレーザーの照射によることを特徴とする多
結晶シリコン膜の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７記載の多結晶シリコン膜の製
造方法において、 前記多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程が、Ｊ
ＩＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に基づくことを特
徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の多結晶シリコン膜の
製造方法において、 前記ＪＩＳＺ８７４１の鏡面光沢度測定方法に用いる光
源及び受光器が、前記多結晶シリコン膜を形成する基板
の法線に対して、互いに対向した１５°〜３０°の範囲
内に設定されることを特徴とする多結晶シリコン膜の製
造方法。 - 【請求項１２】 請求項７記載の多結晶シリコン膜の製
造方法において、 前記基板上に形成された多結晶シリコン膜の膜厚が４０
mm〜６０mmの範囲で有ることを特徴とする多結晶シリコ
ン膜の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の多結晶シリコン膜の
製造方法において、 前記多結晶シリコン膜の光沢度が０〜１４００の範囲で
形成されることを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07925698A JP4116141B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 結晶シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07925698A JP4116141B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 結晶シリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274078A true JPH11274078A (ja) | 1999-10-08 |
| JP4116141B2 JP4116141B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=13684784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07925698A Expired - Fee Related JP4116141B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 結晶シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4116141B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184715A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置 |
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