JPH11273253A - Pulse width control circuit and disk recording control circuit - Google Patents

Pulse width control circuit and disk recording control circuit

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JPH11273253A
JPH11273253A JP10078790A JP7879098A JPH11273253A JP H11273253 A JPH11273253 A JP H11273253A JP 10078790 A JP10078790 A JP 10078790A JP 7879098 A JP7879098 A JP 7879098A JP H11273253 A JPH11273253 A JP H11273253A
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delay
circuit
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pulse width
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Koji Hayashi
浩二 林
Toru Akiyama
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a desired pulse waveform without using a high speed clock by selecting output signals of respective delay elements of a second delay circuit which inputs the output which is to be obtained by allowing a logical circuit to logically operate the input signal selected by a selection circuit and the delayed signal in which outputs of respective delay elements of a first delay circuit which makes the input signal its input is selected. SOLUTION: A delay circuit 10 inputs the output signal (EFMD)2 which is selected by a selection signal SW in a selecting circuit 23 and a selector 11 selects output signals of respective delay elements 40 in accordance with a select signal SEL1. An AND gate 12 logically operates the EFMD2 and the delayed signal selected by the selctor 11 to output the result to a delay circuit 30. A selector 31 selects output signals of respective delay elements 40 in accorance with a select signal SEL2 and an output signal WDAT in which the phase of a signal in which the pulse width of the input signal EFM is controlled is controlled is outputted. Thus, delay quantities are set highly accurately and proper recordings made to correspond to kinds of media and rotational speeds of the media are made possible.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、遅延素子を複数段
接続した遅延回路を用いて構成したパルス幅制御回路、
及びディスク記録装置においてこのパルス幅制御回路を
利用して記録マークの記録タイミングを調整可能なディ
スク記録制御回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse width control circuit comprising a delay circuit in which a plurality of delay elements are connected,
Also, the present invention relates to a disk recording control circuit capable of adjusting the recording timing of a recording mark using the pulse width control circuit in a disk recording device.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ディスク装置や光磁気ディスク装置に
おいては、データを再生するだけでなく書き込み可能な
ものがあり、このような装置では、データの変調信号に
対応する記録マークをレーザー装置でディスク上に記録
することによって、データの記録媒体への書き込みを行
っている。
2. Description of the Related Art Some optical disk devices and magneto-optical disk devices are capable of writing data as well as reproducing data. In such a device, a recording mark corresponding to a data modulation signal is formed on a disk by a laser device. The data is written on the recording medium by recording the data on the recording medium.

【0003】たとえば、CD−Rでは、まず、書き込も
うとするデータをEFMエンコーダでEFM信号に変調
し、このEFM信号をレーザー装置に送出してEFM信
号に対応する記録マークをディスクに記録するようにし
ている。ところが、データを記録するメディアの種類や
ディスクの回転速度によって記録状態が変化するため、
単純にEFM信号をレーザー装置に送出するだけでは、
所望の記録マークを記録することはできない。そこで、
EFM信号の立ち上がりや立ち下がりのタイミングを遅
延させることによって、所望の記録マークを記録する試
みが従来より行われていた。そして、このようにEFM
信号を遅延させるためには、一般に、クロックに同期し
て動作するDフリップフロップ等のロジック回路を複数
段接続して使用していた。
For example, in a CD-R, first, data to be written is modulated into an EFM signal by an EFM encoder, and the EFM signal is transmitted to a laser device so that a recording mark corresponding to the EFM signal is recorded on a disk. ing. However, since the recording state changes depending on the type of media on which data is recorded and the rotation speed of the disc,
By simply sending an EFM signal to the laser device,
The desired recording mark cannot be recorded. Therefore,
Attempts have been made to record a desired recording mark by delaying the rising and falling timings of the EFM signal. And like this, EFM
To delay a signal, generally, a plurality of logic circuits such as D flip-flops operating in synchronization with a clock are connected and used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】EFM信号は、EFM
クロックと呼ばれる基準信号に同期した信号であって、
このクロックの3〜11周期分のパルス幅を有してい
る。従って、上述の如くクロックに同期して動作するD
フリップフロップで遅延回路を構成する場合には、Dフ
リップフロップに印加するクロックとして、EFMクロ
ックより高速のクロックを用いなければならず、たとえ
ば、遅延回路の分解能を16段階とすればEFMクロッ
クの16倍の速さのクロックが必要となる。
The EFM signal is an EFM signal.
A signal synchronized with a reference signal called a clock,
It has a pulse width of 3 to 11 cycles of this clock. Therefore, as described above, D which operates in synchronization with the clock
When a delay circuit is constituted by flip-flops, a clock higher than the EFM clock must be used as a clock applied to the D flip-flop. A clock that is twice as fast is required.

【0005】しかしながら、このEFMクロックは元々
相当周波数の高いクロックであり、4倍速では「17.
28MHz」、8倍速では「34.56MHz」であ
る。従って、上記Dフリップフロップに印加するクロッ
クとしては、4倍速では「276.48MHz」、8倍
速では「552.96MHz」ときわめて高速となって
しまう。このため、実際にはこのような高速のクロック
を供給することは不可能であり、且つこのような高速ク
ロックに同期して安定して動作するロジック回路を作る
こともきわめて難しい。
[0005] However, this EFM clock is originally a clock having a considerably high frequency.
28 MHz "and" 34.56 MHz "at 8 × speed. Therefore, the clock applied to the D flip-flop is extremely high, ie, “276.48 MHz” at 4 × speed and “552.96 MHz” at 8 × speed. For this reason, it is actually impossible to supply such a high-speed clock, and it is extremely difficult to produce a logic circuit that operates stably in synchronization with such a high-speed clock.

【0006】更に、ロジック回路は、電源変動や温度変
化などの外的要因を受けやすいので、コントロールした
いパルス幅が非常に短い場合は、精度良くコントロール
することは困難である。
Further, since the logic circuit is susceptible to external factors such as power supply fluctuation and temperature change, it is difficult to control with high accuracy when the pulse width to be controlled is very short.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、入力信号を基
準クロックに従って所定期間遅延させるロジック回路
と、該ロジック回路の出力信号と前記入力信号との論理
演算出力信号を一端に入力し、他端に前記入力信号を入
力し、パルス幅の短縮/伸張を示す情報に応じていずれ
か一方を選択する選択回路と、遅延素子を複数段接続し
て入力信号を遅延させる第1及び第2の遅延回路と、第
1及び第2の遅延回路毎に各遅延素子段の出力信号のい
ずれかを選択して遅延信号として出力する第1及び第2
のセレクタと、前記第1の遅延回路の入力信号と第1の
セレクタの遅延信号との論理演算を行う論理回路とを有
し、前記選択回路で選択された信号を前記第1の遅延回
路の入力信号とし、且つ前記論理回路の出力信号を第2
の遅延回路の入力信号とするか、もしくは前記選択回路
で選択された信号を前記第2の遅延回路の入力信号と
し、且つ前記第2のセレクタからの遅延信号を第1の遅
延回路の入力信号として、パルス幅制御回路を構成する
ことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a logic circuit for delaying an input signal for a predetermined period according to a reference clock, a logic operation output signal of an output signal of the logic circuit and the input signal being input to one end, and A selection circuit that inputs the input signal to one end and selects one of them according to information indicating pulse width reduction / expansion, and first and second delay circuits that delay input signals by connecting a plurality of delay elements A delay circuit, and first and second output circuits for selecting one of the output signals of each delay element stage for each of the first and second delay circuits and outputting the selected signal as a delay signal
And a logic circuit for performing a logical operation on the input signal of the first delay circuit and the delay signal of the first selector, and the signal selected by the selection circuit is provided to the first delay circuit. An output signal of the logic circuit as a second input signal;
Or the signal selected by the selection circuit is used as the input signal of the second delay circuit, and the delay signal from the second selector is used as the input signal of the first delay circuit. As a pulse width control circuit.

【0008】また、本発明では、前記遅延回路は、遅延
素子を複数段リング状に接続して構成され、各段の遅延
量が入力される制御電圧により制御されるVCOと、該
VCOの出力信号もしくはその分周信号と基準信号とを
入力し両信号の位相を比較する位相比較器と、該位相比
較器で検出された位相差に応じた前記制御電圧を発生す
るローパスフィルタと、前記VCOの遅延素子と同一構
成の遅延素子を複数段接続して構成され、入力信号を遅
延させて出力すると共に各段の遅延量が前記制御電圧に
より制御されるディレイラインとを備えたことを特徴と
する。
Further, in the present invention, the delay circuit is constituted by connecting a plurality of delay elements in a ring shape, and a VCO controlled by a control voltage to which a delay amount of each stage is input, and an output of the VCO. A phase comparator for inputting a signal or a frequency-divided signal thereof and a reference signal and comparing the phases of the two signals; a low-pass filter for generating the control voltage according to a phase difference detected by the phase comparator; A plurality of delay elements having the same configuration as the delay element are connected to each other, and a delay line is provided, which delays and outputs an input signal and controls the delay amount of each stage by the control voltage. I do.

【0009】更に、本発明では、ディスク記録制御回路
が上記パルス幅制御回路で構成され、入力信号として記
録すべき変調信号が供給され、メディアの種類及び/又
は回転速度に応じたセレクト信号が前記第1及び第2の
セレクタに入力され、前記変調信号に対応する記録マー
クをディスクに記録する記録装置へ出力信号を送出し
て、記録マークの記録タイミングを調整可能としたこと
を特徴とする。
Further, in the present invention, a disk recording control circuit is constituted by the pulse width control circuit, a modulation signal to be recorded is supplied as an input signal, and a select signal corresponding to the type and / or rotation speed of the medium is supplied to the disk recording control circuit. An output signal that is input to the first and second selectors and is sent to a recording device that records a recording mark corresponding to the modulation signal on a disc, so that the recording timing of the recording mark can be adjusted.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は、本発明によるパルス幅制
御回路の実施形態を示すブロック図であり、入力信号の
パルス幅を制御するためと、パルス幅制御された信号の
位相を制御するための2つの遅延回路10,30を用い
ている。各遅延回路10,30は、インバータよりなる
遅延素子40を複数段直列に接続して構成され、各段の
出力信号のいずれか一つをセレクト信号SEL1,SE
L2に応じて選択するセレクタ11,31が、各遅延回
路10,30に各々接続されている。更に、セレクタ1
1で選択された遅延信号と遅延回路10への入力信号を
入力するANDゲート12が設けられ、ANDゲート1
2の出力信号が遅延回路30の入力信号として供給され
ている。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a pulse width control circuit according to the present invention, in which a pulse width of an input signal is controlled and a phase of a pulse width-controlled signal is controlled. For example, two delay circuits 10 and 30 are used. Each of the delay circuits 10 and 30 is configured by connecting a plurality of delay elements 40 composed of inverters in series, and outputs one of the output signals of each stage to the select signals SEL1 and SE.
Selectors 11 and 31 that select according to L2 are connected to the delay circuits 10 and 30, respectively. Further, selector 1
1. An AND gate 12 for inputting the delay signal selected in 1 and an input signal to the delay circuit 10 is provided.
2 are supplied as input signals to the delay circuit 30.

【0011】ここで、各遅延回路10,30は、遅延素
子40が16段接続されて構成されており、1つの遅延
素子の遅延量dtは、基準クロックであるEFMCKの周期
Tの1/16に設定されている。また、遅延回路10の
前段には、入力されるEFM信号をEFMCKに同期して1T期
間遅延させるDフリップフロップ(以下D−FFとい
う)21と、このD−FF21の出力信号EFMD1とEFM信
号を入力するORゲート22と、ORゲート22の出力
をB端子に入力しA端子に信号EFMD1を入力し、選択信
号SWに応じてA,Bのいずれかの入力信号を選択する
選択回路23と、選択回路23の出力をEFMCKに同期さ
せ、その出力信号EFMD2を遅延回路10に送出するD−
FF24が接続されている。
Here, each of the delay circuits 10 and 30 is configured by connecting 16 stages of delay elements 40, and the delay amount dt of one delay element is 1/16 of the period T of EFMCK as a reference clock. Is set to A D flip-flop (hereinafter, referred to as D-FF) 21 for delaying the input EFM signal for 1T period in synchronization with EFMCK in the preceding stage of the delay circuit 10 and the output signals EFMD1 and EFM of the D-FF 21 An OR gate 22 to be input, a selection circuit 23 that inputs an output of the OR gate 22 to a B terminal, inputs a signal EFMD1 to an A terminal, and selects one of the input signals A and B according to the selection signal SW; The output of the selection circuit 23 is synchronized with EFMCK, and the output signal
The FF 24 is connected.

【0012】本実施形態は、入力されるEFM信号の立ち
上がりと立ち下がりを異なる量遅延させることが可能な
構成であり、立ち上がり遅延量Tdfが立ち下がり遅延
量Tdbより大きいときは、最終的な出力パルス幅PD
は短くなり、逆に立ち上がり遅延量Tdfが立ち下がり
遅延量Tdbより小さいときは、最終的な出力パルス幅
PDは長くなる。そこで、パルス幅を短縮するのか伸張
するのかを示す信号を選択信号SWとし、この信号SW
が短縮を示すときは選択回路23でA端子に入力された
信号EFMD1を選択し、伸張を示すときはB端子に入力さ
れたORゲート出力を選択するようにしている。
In this embodiment, the rising and falling of the input EFM signal can be delayed by different amounts. When the rising delay Tdf is larger than the falling delay Tdb, the final output is reduced. Pulse width PD
When the rising delay amount Tdf is smaller than the falling delay amount Tdb, the final output pulse width PD becomes longer. Therefore, a signal indicating whether the pulse width is to be reduced or expanded is set as a selection signal SW, and this signal SW
Indicates that the signal EFMD1 input to the A terminal is selected by the selection circuit 23, and the OR gate output input to the B terminal is selected when the signal indicates expansion.

【0013】以下、図6を参照してパルス幅を伸張する
場合の動作を、また図7を参照してパルス幅を短縮する
場合の動作を説明する。まず、図6において、図6bに
示すように、D−FF21にEFMCK(図6a)6周期分
である6TのEFM信号が入力されたとすると、D−FF
21によりEFM信号は図6cに示すように1T期間遅延
される。ORゲート22では、この遅延信号EFMD1と入
力EFM信号の論理和がとられるので、その出力は図6d
に示すように、入力EFM信号より1T期間だけパルス幅
が伸張された信号となる。そこで、選択信号SWとして
パルス幅の伸張を示す「0」が入力されると、選択回路
23はORゲート22からの1T伸張された出力信号を
選択する。そして、この信号が次段のD−FF24でEF
MCKと同期がとられて信号EFMD2(図6e)となり、遅延
回路10に入力される。遅延回路10では各遅延素子が
入力されたEFMD2信号を順次T/16づつ遅延させてい
く。
The operation for expanding the pulse width will be described below with reference to FIG. 6 and the operation for shortening the pulse width will be described with reference to FIG. First, in FIG. 6, as shown in FIG. 6B, assuming that a 6T EFM signal corresponding to six periods of EFMCK (FIG. 6A) is input to the D-FF 21,
By 21 the EFM signal is delayed by 1T as shown in FIG. 6c. In the OR gate 22, the logical sum of the delayed signal EFMD1 and the input EFM signal is obtained, so that the output is shown in FIG.
As shown in (1), the input EFM signal is a signal whose pulse width is extended by 1T period. Therefore, when “0” indicating expansion of the pulse width is input as the selection signal SW, the selection circuit 23 selects the output signal expanded by 1T from the OR gate 22. Then, this signal is output to the next stage D-FF 24 at EF.
The signal EFMD2 (FIG. 6e) is synchronized with MCK and input to the delay circuit 10. In the delay circuit 10, each delay element sequentially delays the input EFMD2 signal by T / 16.

【0014】ここで、立ち上がり遅延量Tdfと立ち下
がり遅延量Tdbとの差分(絶対値)をTddとし、こ
のTddを1Tから減算した量をTdとすれば、セレク
タ11へのセレクト信号SEL1としては、この遅延量Td
に対応する遅延段数nを指定する信号が入力される。よ
って、セレクタ11では立ち上がりがTd遅れた遅延信
号EFMD3(図6f)が出力され、ANDゲート12に送
出される。ANDゲート12の他方の入力端には入力信
号EFMD2がそのまま印加されているので、ANDゲート
12の出力信号は、図6gに示すように、信号EFMD2に比
べてパルス幅がTdだけ短くなった信号となる。このEF
MD2信号のパルス幅は元々入力EFM信号のパルス幅より1
T伸張されているので、結局ANDゲート12の出力信
号はEFM信号よりTddだけ伸張された所望のパルス幅
PDとなる。
Here, if the difference (absolute value) between the rising delay amount Tdf and the falling delay amount Tdb is Tdd, and the amount obtained by subtracting this Tdd from 1T is Td, the select signal SEL1 to the selector 11 becomes , This delay amount Td
Is input. A signal designating the number of delay stages n corresponding to. Therefore, the selector 11 outputs the delay signal EFMD3 (FIG. 6f) whose rising is delayed by Td and sends it to the AND gate 12. Since the input signal EFMD2 is directly applied to the other input terminal of the AND gate 12, the output signal of the AND gate 12 is a signal having a pulse width shorter than the signal EFMD2 by Td as shown in FIG. Becomes This EF
The pulse width of the MD2 signal is 1 more than the pulse width of the input EFM signal.
Since the signal is expanded by T, the output signal of the AND gate 12 eventually has a desired pulse width PD expanded by Tdd from the EFM signal.

【0015】次に、ANDゲート出力は、次段の遅延回
路30の入力信号となる。遅延回路30においても遅延
回路10と同様、各遅延素子によりANDゲート12の
出力信号が順次T/16づつ遅延されてゆき、SEL2によ
り指定された段数nの遅延信号がセレクタ31で選択さ
れる。SEL2としては、立ち下がり遅延量Tdb即ち差分
Tddと立ち上がり遅延量Tdfの加算量に対応する遅
延段数nを指定する信号が入力されるので、図6gのA
NDゲート出力は、図6hに示すように、そのパルス幅
PDは変化せず位相のみが加算量(Tdd+Tdf)だ
けシフトされる。その結果、最終出力信号WDATとして、
EFMCKの立ち上がりタイミングt1からは、立ち上がり
がTdf遅延され、立ち下がりがTdb遅延されたパル
ス幅PDの所望のパルスが得られることとなる。
Next, the output of the AND gate becomes an input signal of the delay circuit 30 in the next stage. In the delay circuit 30, similarly to the delay circuit 10, the output signal of the AND gate 12 is sequentially delayed by T / 16 by each delay element, and the delay signal of the number n of stages specified by SEL2 is selected by the selector 31. As SEL2, a signal designating the number of delay stages n corresponding to the falling delay amount Tdb, that is, the addition amount of the difference Tdd and the rising delay amount Tdf, is input.
As shown in FIG. 6H, the pulse width PD of the ND gate output does not change, and only the phase is shifted by the added amount (Tdd + Tdf). As a result, as the final output signal WDAT,
From the rising timing t1 of the EFMCK, a desired pulse having a pulse width PD whose rising is delayed by Tdf and whose falling is delayed by Tdb is obtained.

【0016】今SEL1により指定された段数nが「10」
ならば、パルス幅PDは、EFM信号パルス幅6Tより、
(16−10)T/16=6T/16伸張されたパルス
幅となり、SEL2により指定された段数nが「10」であ
れば、立ち上がり遅延量Tdfは、Tdf=(10−
6)・T/16=4T/16に設定される。そして、立
ち下がり遅延量Tdbは、SEL2により指定された段数そ
のもののTdb=10T/16となる。
The number of stages n specified by SEL1 is "10".
Then, the pulse width PD is, from the EFM signal pulse width 6T,
(16-10) T / 16 = 6T / 16 The pulse width is expanded, and if the number of stages n specified by SEL2 is "10", the rising delay amount Tdf is Tdf = (10-
6) T / 16 = 4T / 16 is set. Then, the fall delay amount Tdb is Tdb = 10T / 16, which is the number of stages specified by SEL2.

【0017】一方、パルス幅を短縮するときは、選択信
号SWとして「1」が入力されるので、選択回路23で
は図7cに示すように、パルス幅が入力EFM信号と同一
で1T遅延された信号EFMD1が選択される。この信号は
更にD−FF24で1T遅延され図7dに示す信号EFMD
2となって遅延回路10に入力される。この場合、SEL1
としては、立ち上がり遅延量Tdfと立ち下がり遅延量
Tdbとの差分Tddに対応する遅延段数nを指定する
信号が入力される。よって、セレクタ11では立ち上が
りがTdd遅れた遅延信号EFMD3(図7e)が出力さ
れ、ANDゲート12に送出される。ANDゲート12
の他方の入力端には入力信号EFMD2がそのまま印加され
ているので、ANDゲート12の出力信号は、図6fに
示すように、信号EFMD2に比べてパルス幅がTddだけ
短くなった信号となる。つまり、ANDゲート12の出
力信号はEFM信号よりTddだけ短縮された所望のパル
ス幅PDとなる。
On the other hand, when shortening the pulse width, "1" is input as the selection signal SW, so that the selection circuit 23 has the same pulse width as the input EFM signal and is delayed by 1T as shown in FIG. 7c. The signal EFMD1 is selected. This signal is further delayed by 1T in the D-FF 24 and the signal EFMD shown in FIG.
It becomes 2 and is input to the delay circuit 10. In this case, SEL1
For example, a signal designating the number of delay stages n corresponding to the difference Tdd between the rising delay amount Tdf and the falling delay amount Tdb is input. Therefore, the selector 11 outputs the delay signal EFMD3 (FIG. 7e) whose rising edge is delayed by Tdd and sends it to the AND gate 12. AND gate 12
Since the input signal EFMD2 is applied as it is to the other input terminal, the output signal of the AND gate 12 is a signal whose pulse width is shorter than the signal EFMD2 by Tdd, as shown in FIG. 6F. That is, the output signal of the AND gate 12 has a desired pulse width PD shorter than the EFM signal by Tdd.

【0018】次に、ANDゲート出力は、次段の遅延回
路30の入力信号となる。遅延回路30においても遅延
回路10と同様、各遅延素子によりANDゲート12の
出力信号が順次T/16づつ遅延されてゆき、SEL2によ
り指定された段数nの遅延信号がセレクタ31で選択さ
れる。SEL2としては、立ち下がり遅延量Tdb即ち差分
Tddと立ち上がり遅延量Tdfの加算量に対応する遅
延段数nを指定する信号が入力されるので、図7fのA
NDゲート出力は、図7gに示すように、そのパルス幅
PDは変化せず位相のみがTdbだけシフトされる。そ
の結果、最終出力信号WDATとして、EFMCKの立ち上がり
タイミングt1からは、立ち上がりがTdf=(Tdd
+Tdb)遅延され、立ち下がりがTdb遅延されたパ
ルス幅PDの所望のパルスが得られることとなる。
Next, the output of the AND gate becomes an input signal of the delay circuit 30 in the next stage. In the delay circuit 30, similarly to the delay circuit 10, the output signal of the AND gate 12 is sequentially delayed by T / 16 by each delay element, and the delay signal of the number n of stages specified by SEL2 is selected by the selector 31. As SEL2, a signal designating the number of delay stages n corresponding to the fall delay amount Tdb, that is, the sum of the difference Tdd and the rise delay amount Tdf is input.
As shown in FIG. 7g, the pulse width PD of the ND gate output does not change, and only the phase is shifted by Tdb. As a result, as the final output signal WDAT, the rising edge becomes Tdf = (Tdd) from the rising timing t1 of EFMCK.
+ Tdb) A desired pulse having a pulse width PD which is delayed and whose fall is delayed by Tdb is obtained.

【0019】今SEL1により指定された段数nが「8」な
らば、パルス幅PDは、EFM信号パルス幅6Tより、8
T/16短縮されたパルス幅となり、SEL2により指定さ
れた段数nが「4」であれば、立ち上がり遅延量Tdf
は、Tdf=(8+4)・T/16=12T/16に設
定される。そして、立ち下がり遅延量Tdbは、SEL2に
より指定された段数そのもののTdb=4T/16とな
る。
If the number n of stages specified by SEL1 is "8", the pulse width PD is set to 8 from the EFM signal pulse width 6T.
If the pulse width is shortened by T / 16 and the number n of stages specified by SEL2 is “4”, the rising delay amount Tdf
Is set to Tdf = (8 + 4) .T / 16 = 12T / 16. Then, the fall delay amount Tdb is Tdb = 4T / 16, which is the number of stages specified by SEL2.

【0020】このように、立ち上がりと立ち下がりの遅
延量Tdf,Tdbは、セレクト信号SEL1,2により設定
することができる。尚、遅延回路30にEFMD2信号を入
力し、セレクタ31の遅延信号を遅延回路10に入力し
て、ANDゲート12の出力を最終的な出力信号WDATと
しても、図1と全く同様の出力を得ることができる。ま
た、遅延素子40としてインバータの代わりにコンパレ
ータを用いても良い。
As described above, the rising and falling delay amounts Tdf and Tdb can be set by the select signals SEL1 and SEL2. It should be noted that the same output as in FIG. 1 can be obtained by inputting the EFMD2 signal to the delay circuit 30, inputting the delay signal of the selector 31 to the delay circuit 10, and setting the output of the AND gate 12 as the final output signal WDAT. be able to. Further, a comparator may be used as the delay element 40 instead of the inverter.

【0021】次に、以上説明したパルス幅制御回路をC
D−R用のディスク記録制御回路に適用した例を、図8
を参照して説明する。図8は、CD−R用のディスク記
録装置全体の構成を示すブロック図であり、ディスク5
0に書き込むべきデータは、まずEFMエンコーダ51
でEFM信号に変調され、図1に示したパルス幅制御回路
52にEFMCKと共に供給される。ディスク記録制御回路
54は、このパルス幅制御回路52とレジスタ53と演
算回路500から成り、パルス幅制御回路52の出力信
号がレーザーピックアップ等のレーザー装置55に供給
され、ディスクにEFM信号に対応する記録マークが記録
される。また、ディスク記録装置全体をコントロールす
るマイコン56には、使用するディスクのメディア種別
及び回転速度を示す情報が入力されており、マイコン5
6に接続されたテーブル57には図9に示すように、メ
ディア種別及び回転速度に各々対応して、立ち上がり遅
延量Tdfと立ち下がり遅延量Tdbがあらかじめ記憶
されている。尚、記憶されている遅延量は、単位遅延量
T/16の何倍であるかを示す数値で記憶されている。
Next, the pulse width control circuit described above is referred to as C
FIG. 8 shows an example in which the present invention is applied to a disk recording control circuit for DR.
This will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the entire disc recording device for CD-R,
Data to be written to 0 is first sent to the EFM encoder 51.
And is supplied to the pulse width control circuit 52 shown in FIG. 1 together with EFMCK. The disk recording control circuit 54 includes the pulse width control circuit 52, the register 53, and the arithmetic circuit 500. The output signal of the pulse width control circuit 52 is supplied to a laser device 55 such as a laser pickup, and the disk corresponds to the EFM signal. A recording mark is recorded. In addition, information indicating the type of media and the rotation speed of the disk to be used is input to the microcomputer 56 for controlling the entire disk recording device.
9, a rising delay amount Tdf and a falling delay amount Tdb are stored in advance in the table 57 connected to the medium 6, as shown in FIG. Note that the stored delay amount is stored as a numerical value indicating how many times the unit delay amount T / 16.

【0022】マイコンは、メディア種別及び回転速度が
指定されると、テーブルから対応する立ち上がり及び立
ち下がりの遅延量Tdf,Tdbを読み出し、この数値
をレジスタ53にセットする。演算回路500は、レジ
スタ53にセットされた遅延量Tdf,Tdbについて
その差分(Tdf−Tdb)の演算を行い、Tdf<T
dbのとき、即ち図6に示すようにパルス幅を伸張する
ときは、選択信号SWとして「0」を出力し、差分Td
dを1Tから減算した遅延量Tdに対応する遅延段数n
を指定するセレクト信号SEL1を、パルス幅制御回路52
に出力する。一方、Tdf>Tdbのとき、即ち図7に
示すようにパルス幅を短縮するときは、選択信号SWと
して「1」を出力し、差分Tddに対応する遅延段数n
を指定するセレクト信号SEL1を、パルス幅制御回路52
に出力する。また、セレクト信号SEL2としては、いずれ
の場合も立ち下がり遅延量Tdbに対応する遅延段数n
を指定する信号をパルス幅制御回路52に出力する。
When the medium type and the rotation speed are designated, the microcomputer reads the corresponding rising and falling delay amounts Tdf and Tdb from the table, and sets these values in the register 53. The arithmetic circuit 500 calculates the difference (Tdf-Tdb) for the delay amounts Tdf and Tdb set in the register 53, and obtains Tdf <Tdf.
db, that is, when the pulse width is extended as shown in FIG. 6, "0" is output as the selection signal SW, and the difference Td
delay stage number n corresponding to delay amount Td obtained by subtracting d from 1T
Select signal SEL1 for specifying the pulse width control circuit 52
Output to On the other hand, when Tdf> Tdb, that is, when the pulse width is reduced as shown in FIG. 7, “1” is output as the selection signal SW, and the delay stage number n corresponding to the difference Tdd is output.
Select signal SEL1 for specifying the pulse width control circuit 52
Output to In each case, the number of delay stages n corresponding to the falling delay amount Tdb is used as the select signal SEL2.
Is output to the pulse width control circuit 52.

【0023】従って、パルス幅制御回路52では、上述
したように入力されたEFM信号のパルス幅が、SEL1によ
り指定された遅延量だけ遅延されることによって所望の
パルス幅に制御され、SEL2により指定された遅延量だけ
遅延させることによって、パルス幅が制御された信号を
所望の位相に制御することができる。そして、この出力
信号WDATがレーザー装置55に送出されるため、レーザ
ー装置55では、EFM信号の記録タイミングがメディア
の種別及び回転速度に応じて調整され、適切な記録マー
クが記録される。
Accordingly, in the pulse width control circuit 52, the pulse width of the EFM signal input as described above is controlled to a desired pulse width by being delayed by the delay amount specified by SEL1, and specified by SEL2. The signal whose pulse width is controlled can be controlled to a desired phase by delaying by the amount of delay that has been performed. Then, since this output signal WDAT is sent to the laser device 55, in the laser device 55, the recording timing of the EFM signal is adjusted according to the type and rotation speed of the medium, and an appropriate recording mark is recorded.

【0024】ところで、図1に示した遅延回路10,3
0を構成する遅延素子40は、製造ばらつきにより遅延
素子を構成するトランジスタの特性が均一にならないた
めに、遅延量にばらつきが生じる。そこで、遅延量を高
精度に設定したい場合は、遅延回路10,30として、
図2に示す遅延回路1を用いればよい。図2は示す遅延
回路1は、入力信号を遅延するためのディレイライン2
と、このディレイライン2の遅延量を制御するためのP
LL回路3から成る。PLL回路3は、入力される制御
電圧Vtにより出力信号周波数が変化するVCO4と、
VCO4の出力信号を1/Nに分周するプログラマブル
デバイダ5と、入力される基準信号RFCKを1/Mに分周
するリファレンスデバイダ6と、両デバイダ5,6の出
力信号の位相を比較する位相比較器7と、位相比較器7
により検出された位相差に応じた制御電圧VtをVCO
3に供給するローパスフィルタ8とを備えており、両デ
バイダ5,6とも分周比が変更可能なデバイダである。
また位相比較器7の出力段にはチャージポンプが設けら
れている。
Incidentally, the delay circuits 10, 3 shown in FIG.
In the delay element 40 constituting 0, since the characteristics of the transistors constituting the delay element are not uniform due to manufacturing variations, the delay amount varies. Therefore, when it is desired to set the delay amount with high accuracy, the delay circuits 10 and 30
The delay circuit 1 shown in FIG. 2 may be used. FIG. 2 shows a delay circuit 1 including a delay line 2 for delaying an input signal.
And P for controlling the delay amount of the delay line 2
The LL circuit 3 is provided. The PLL circuit 3 includes a VCO 4 whose output signal frequency changes according to the input control voltage Vt;
A programmable divider 5 for dividing the output signal of the VCO 4 by 1 / N, a reference divider 6 for dividing the input reference signal RFCK by 1 / M, and a phase for comparing the phases of the output signals of both dividers 5 and 6 Comparator 7 and phase comparator 7
Control voltage Vt corresponding to the phase difference detected by the VCO
3 and a low-pass filter 8 for supplying the power to the divider 3. Both dividers 5 and 6 are dividers whose division ratios can be changed.
The output stage of the phase comparator 7 is provided with a charge pump.

【0025】このPLL回路3中のVCO4は、図2に
示すように、遅延セル40を複数段直列に接続し、更に
最終段の遅延セル41の出力を初段に負帰還するリング
状の構成であって、最終段の出力をバッファ45を介し
てプログラマブルデバイダ5に送出している。また、各
遅延セルは第1及び第2の制御端子を有し、第1の制御
端子にバイアス回路46からの一定バイアスVbが供給
され、第2の制御端子にローパスフィルタ8からの制御
電圧Vtが供給されている。
As shown in FIG. 2, the VCO 4 in the PLL circuit 3 has a ring-shaped configuration in which a plurality of delay cells 40 are connected in series, and the output of the last delay cell 41 is negatively fed back to the first stage. Thus, the output of the last stage is sent to the programmable divider 5 via the buffer 45. Each of the delay cells has first and second control terminals. The first control terminal is supplied with a constant bias Vb from the bias circuit 46, and the second control terminal is supplied with the control voltage Vt from the low-pass filter 8. Is supplied.

【0026】一方、ディレイライン2は、VCO4を構
成する遅延セルと同一構成の遅延セル40を、複数段直
列に接続して構成され、VCO4とは異なり初段の遅延
セルには外部から入力信号SINが印加されている。そし
て、セレクタ20で各段の遅延セルからの出力のいずれ
か一つを選択し、遅延信号SOUTとして取り出すようにし
ている。このセレクタ20は、図1におけるセレクタ1
1,31に相当するセレクタである。尚、図2に示す回
路は同一チップ内の近傍に構成されており、このため遅
延セルの遅延特性は、VCO4とディレイラインとでほ
ぼ同一となる。
On the other hand, the delay line 2 is configured by connecting a plurality of delay cells 40 having the same configuration as the delay cells constituting the VCO 4 in series. Is applied. Then, one of the outputs from the delay cells in each stage is selected by the selector 20, and is taken out as a delay signal SOUT. This selector 20 corresponds to the selector 1 in FIG.
1 and 31 are selectors. The circuit shown in FIG. 2 is configured in the vicinity of the same chip, so that the delay characteristics of the delay cell are almost the same between the VCO 4 and the delay line.

【0027】ここで、図3を参照して、遅延セル40の
具体構成について説明する。遅延セル40は、基本的に
は、PチャンネルMOSトランジスタとNチャンネルM
OSトランジスタを縦続接続してなるインバータ10
1,102を2段直列に接続して構成されており、各イ
ンバータ101,102の後ろにバッファ103,10
4が接続されている。また、インバータ101,102
の電源電位との間には電流制御用のPチャンネルMOS
トランジスタ105,106が接続され、インバータ1
01,102の接地電位との間には電流制御用のNチャ
ンネルMOSトランジスタ107,108が接続されて
いる。この電流制御用のPチャンネルMOSトランジス
タ105のゲートは第1の制御端子110に接続され,
電流制御用のNチャンネルMOSトランジスタ107の
ゲートは第2の制御端子111に接続されている。尚、
109は寄生容量を示す。
Here, a specific configuration of the delay cell 40 will be described with reference to FIG. The delay cell 40 basically includes a P-channel MOS transistor and an N-channel M
Inverter 10 cascaded with OS transistors
1 and 102 are connected in series in two stages, and buffers 103 and 10 are provided behind each of the inverters 101 and 102.
4 are connected. In addition, inverters 101 and 102
P-channel MOS for current control between the power supply potential
The transistors 105 and 106 are connected, and the inverter 1
N-channel MOS transistors 107 and 108 for controlling current are connected between the ground potentials 01 and 102. The gate of the P-channel MOS transistor 105 for current control is connected to the first control terminal 110,
The gate of the current control N-channel MOS transistor 107 is connected to the second control terminal 111. still,
Reference numeral 109 denotes a parasitic capacitance.

【0028】そして、本実施形態においては、第1の制
御端子110にバイアス回路46からの一定バイアスV
bが供給され、第2の制御端子111にローパスフィル
タ8からの制御電圧Vtが供給されている。よって、制
御電圧Vtが大きくなるとインバータ101,102に
流れる電流が増加して入力信号INの遅延量dtは減少
し、制御電圧Vtが小さくなるとインバータ101,1
02に流れる電流が減少して入力信号INの遅延量dtは
増加する。このように、遅延セル40の遅延量dtは制
御電圧Vtの大きさに応じて変化する。
In this embodiment, a constant bias V from the bias circuit 46 is applied to the first control terminal 110.
b, and the control voltage Vt from the low-pass filter 8 is supplied to the second control terminal 111. Therefore, when the control voltage Vt increases, the current flowing through the inverters 101 and 102 increases, and the delay dt of the input signal IN decreases. When the control voltage Vt decreases, the inverters 101 and 1 decrease.
02 decreases, and the delay dt of the input signal IN increases. Thus, the delay amount dt of the delay cell 40 changes according to the magnitude of the control voltage Vt.

【0029】ところで、VCO4の最終段は負帰還をか
けるために、遅延セル40の前半部分のみ、即ちインバ
ータ101,バッファ103,制御用トランジスタ10
5,107で構成されており、インバータ101の出力
がVCO4の初段の遅延セル40に入力されている。以
下、図2に示す実施形態の動作を説明する。
The final stage of the VCO 4 applies only negative feedback to the first half of the delay cell 40, that is, the inverter 101, the buffer 103, and the control transistor 10 in order to apply negative feedback.
The output of the inverter 101 is input to the delay cell 40 at the first stage of the VCO 4. Hereinafter, the operation of the embodiment shown in FIG. 2 will be described.

【0030】まず、VCO4の出力信号周波数f1はプ
ログラマブルデバイダ5によって1/Nに分周されf1
/Nになり、基準信号周波数f0はリファレンスデバイ
ダ6により分周されf0/Mになる。これらの分周信号
は位相比較器7でその位相が比較され、ローパスフィル
タ8からは位相差に応じた制御電圧VtがVCO4に供
給される。これによって、両デバイダの出力信号の位相
差をなくすようにPLL回路3が動作し、PLLがロッ
クすると式(1)が成り立つ。
First, the output signal frequency f1 of the VCO 4 is divided by the programmable divider 5 into 1 / N and f1
/ N, and the reference signal frequency f0 is divided by the reference divider 6 to f0 / M. The phase of these frequency-divided signals is compared by a phase comparator 7, and a control voltage Vt corresponding to the phase difference is supplied from a low-pass filter 8 to the VCO 4. As a result, the PLL circuit 3 operates so as to eliminate the phase difference between the output signals of the two dividers, and when the PLL is locked, Expression (1) holds.

【0031】[0031]

【数1】 (Equation 1)

【0032】一方、VCO4では、上述したようにロー
パスフィルタ8からの制御電圧Vtにより各遅延セルの
遅延量dtが決定され、初段の遅延セル40に入力され
た信号dt0は、図4に示すように各遅延セル40で順
次dtづつ遅延されていく。そして、最終段の遅延セル
41では信号が反転され、この反転信号が折り返し遅延
dαの後に初段に帰還される。つまり、折り返し遅延d
αがdtに比べて十分小さいとすれば、VCO4の周期
Tの半周期T/2は、遅延量dtを遅延セル40の段数
D分だけ加算した長さとなる。従って、遅延量dtは式
(2)で表される。
On the other hand, in the VCO 4, the delay amount dt of each delay cell is determined by the control voltage Vt from the low-pass filter 8 as described above, and the signal dt0 input to the first-stage delay cell 40 is as shown in FIG. Are sequentially delayed by dt in each delay cell 40. The signal is inverted in the final stage delay cell 41, and the inverted signal is fed back to the first stage after the return delay dα. That is, the return delay d
Assuming that α is sufficiently smaller than dt, the half cycle T / 2 of the cycle T of the VCO 4 has a length obtained by adding the delay amount dt by the number of stages D of the delay cells 40. Therefore, the delay amount dt is represented by the equation (2).

【0033】[0033]

【数2】 (Equation 2)

【0034】ここで、周期Tは1/f1であって、上述
したようにPLL回路3がロックすると式(1)が成立
するので、ロック状態では、遅延量dtは式(3)で表
される。
Here, the period T is 1 / f1, and when the PLL circuit 3 locks as described above, the equation (1) holds. Therefore, in the locked state, the delay amount dt is expressed by the equation (3). You.

【0035】[0035]

【数3】 (Equation 3)

【0036】つまり、VCOの遅延セル段数Dと分周比
M,Nを決定すれば、遅延セル40の遅延量dtは、基
準信号RFCKの周波数f0のみに依存する一定値となる。
ところで、図2に示す回路では、上述したようにディレ
イライン2を構成する遅延セルはVCO4の遅延セルと
全く同一の構成であり、しかもディレイライン2中の遅
延セルに供給される制御電圧もVCO4の遅延セル40
に供給される制御電圧Vtと全く同一である。このた
め、ディレイライン2中の遅延セルの遅延量は、VCO
4の遅延セル40の遅延量dtと全く同一となり、PL
Lのロック時には基準信号周波数f0に依存した一定値
となる。
That is, if the number of delay cell stages D of the VCO and the division ratios M and N are determined, the delay amount dt of the delay cell 40 becomes a constant value that depends only on the frequency f0 of the reference signal RFCK.
By the way, in the circuit shown in FIG. 2, as described above, the delay cells constituting the delay line 2 have exactly the same configuration as the delay cells of the VCO 4, and the control voltage supplied to the delay cells in the delay line 2 is also VCO 4 Delay cell 40
Is exactly the same as the control voltage Vt supplied to Therefore, the delay amount of the delay cell in the delay line 2 is VCO
4 is exactly the same as the delay amount dt of the delay cell 40, and PL
When L is locked, it has a constant value depending on the reference signal frequency f0.

【0037】ディレイライン2は、入力信号SINを遅延
セル40で順次遅延して、セレクタ20により所望の段
の遅延出力を選択して、遅延信号SOUTとして出力する構
成であり、この各遅延セル段の遅延量dtがPLLロッ
ク時には一定値となるので、ディレイライン2において
セレクタ20から出力する遅延信号の遅延量も所望の一
定値となる。つまり、このディレイライン2では、製造
時の調整は不要となり、且つPLL回路3で保証される
精度で遅延量を設定でき、このためpsecオーダーでの高
精度の設定が可能となる。しかも、PLLでは電源変動
や温度変動に対しても保証されるので、ディレイライン
2の遅延量もこれら変動の影響を受けなくなる。
The delay line 2 has a configuration in which the input signal SIN is sequentially delayed by the delay cell 40, a delay output of a desired stage is selected by the selector 20, and is output as the delay signal SOUT. Is constant when the PLL is locked, so that the delay amount of the delay signal output from the selector 20 in the delay line 2 also has a desired constant value. In other words, the delay line 2 does not require adjustment at the time of manufacture, and can set the delay amount with the accuracy guaranteed by the PLL circuit 3, so that it is possible to set a high accuracy in the order of psec. Moreover, since the PLL is guaranteed against power supply fluctuations and temperature fluctuations, the delay amount of the delay line 2 is not affected by these fluctuations.

【0038】また、基準信号RFCKの周波数f0や分周比
M,Nを変更するだけで、遅延量dtを用意に変更でき
るので、ディレイライン2の分解能の設定が容易とな
る。たとえば、VCO4の段数Dが「16段」である場
合、分周比M,Nを各々「2」とし、f0を「17.2
8MHz」とすれば、式(3)より遅延量dtは「1.
81nsec」となる。そして、分周比M,Nを各々「4」
に変更し、f0を「34.56MHz」に変更すれば、
式(3)より遅延量dtは「0.90nsec」とpsecオー
ダーの分解能となる。
Further, the delay amount dt can be easily changed only by changing the frequency f0 of the reference signal RFCK and the frequency division ratios M and N, so that the resolution of the delay line 2 can be easily set. For example, when the number of stages D of the VCO 4 is “16 stages”, the frequency division ratios M and N are each “2”, and f0 is “17.2”.
8 MHz ”, the delay amount dt is“ 1.
81 nsec. " Then, the dividing ratios M and N are each set to “4”.
If you change f0 to "34.56 MHz",
From Expression (3), the delay amount dt is “0.90 nsec”, which is a resolution on the order of psec.

【0039】更に、図5のVCO特性に示すように、P
LLがロックする周波数範囲は広く、この範囲内で遅延
セルの遅延量dtを変更できるので、ディレイライン2
の遅延量可変範囲を広帯域とすることができる。以上説
明した実施形態は、遅延セル内の遅延素子をインバータ
で構成する例を示したが、インバータの代わりにコンパ
レータを用いる構成でも良い。また、遅延セル内の一方
の電流制御用トランジスタ105,106には一定バイ
アスを印加し、他方の電流制御用トランジスタ107,
108のみにローパスフィルタ8からの制御電圧Vtを
供給するようにしたが、双方の電流制御用トランジスタ
に制御電圧Vtを供給するようにしてもよい。
Further, as shown in the VCO characteristics of FIG.
The frequency range in which the LL locks is wide, and the delay amount dt of the delay cell can be changed within this range.
Can be widened. In the embodiment described above, an example is described in which the delay element in the delay cell is configured by an inverter. However, a configuration in which a comparator is used instead of the inverter may be used. A constant bias is applied to one of the current control transistors 105 and 106 in the delay cell, and the other current control transistor 107 and
Although the control voltage Vt from the low-pass filter 8 is supplied to only 108, the control voltage Vt may be supplied to both current control transistors.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、高速のクロックを用い
ることなく所望のパルス波形を得ることが可能となり、
特に、PLL回路を用いた場合には遅延量を高精度で設
定できるようになる。また、ディスク記録装置に適用す
れば、メディア種別や回転速度に対応した適切な記録を
実現できるようになる。
According to the present invention, a desired pulse waveform can be obtained without using a high-speed clock.
In particular, when a PLL circuit is used, the delay amount can be set with high accuracy. Further, if the present invention is applied to a disk recording device, it becomes possible to realize appropriate recording corresponding to the media type and the rotation speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるパルス幅制御回路の実施形態を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a pulse width control circuit according to the present invention.

【図2】遅延回路の他の実施形態を示すブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram illustrating another embodiment of a delay circuit.

【図3】実施形態における遅延セルの具体構成を示す回
路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific configuration of a delay cell in the embodiment.

【図4】実施形態におけるVCOの動作を説明するため
のタイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the VCO in the embodiment.

【図5】実施形態におけるVCO特性及び遅延特性を示
す特性図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a VCO characteristic and a delay characteristic in the embodiment.

【図6】図1に示す実施形態においてパルス幅を伸張す
る場合の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。
FIG. 6 is a timing chart for explaining an operation when a pulse width is extended in the embodiment shown in FIG. 1;

【図7】図1に示す実施形態においてパルス幅を縮小す
る場合の動作を説明するためのタイミングチャートであ
る。
FIG. 7 is a timing chart for explaining an operation when the pulse width is reduced in the embodiment shown in FIG. 1;

【図8】本発明によるディスク記録制御回路の実施形態
を示すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing an embodiment of a disk recording control circuit according to the present invention.

【図9】実施形態におけるテーブルの記憶内容を示す説
明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing storage contents of a table in the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、10、30 遅延回路 2 ディレイライン 3 PLL回路 4 VCO 5 プログラマブルデバイダ 6 リファレンスデバイダ 7 位相比較器 8 ローパスフィルタ 12 ANDゲート 20、11、31 セレクタ 21、24 D−FF 22,32 ORゲート 23 選択回路 40 遅延セル 50 ディスク 51 EFMエンコーダ 52 パルス幅制御回路 54 ディスク記録制御回路 55 レーザー装置 101、102 インバータ 105、106、107、108 電流制御用トランジ
スタ 110 第1制御端子 111 第2制御端子 500 演算回路
1, 10, 30 delay circuit 2 delay line 3 PLL circuit 4 VCO 5 programmable divider 6 reference divider 7 phase comparator 8 low-pass filter 12 AND gate 20, 11, 31 selector 21, 24 D-FF 22, 32 OR gate 23 selection Circuit 40 Delay cell 50 Disk 51 EFM encoder 52 Pulse width control circuit 54 Disk recording control circuit 55 Laser device 101, 102 Inverter 105, 106, 107, 108 Current control transistor 110 First control terminal 111 Second control terminal 500 Arithmetic circuit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号を基準クロックに従って所定期
間遅延させるロジック回路と、該ロジック回路の出力信
号と前記入力信号との論理演算出力信号を一端に入力
し、他端に前記入力信号を入力し、パルス幅の短縮/伸
張を示す情報に応じていずれか一方を選択する選択回路
と、遅延素子を複数段接続して入力信号を遅延させる第
1及び第2の遅延回路と、第1及び第2の遅延回路毎に
各遅延素子段の出力信号のいずれかを選択して遅延信号
として出力する第1及び第2のセレクタと、前記第1の
遅延回路の入力信号と第1のセレクタの遅延信号との論
理演算を行う論理回路とを有し、前記選択回路で選択さ
れた信号を前記第1の遅延回路の入力信号とし、且つ前
記論理回路の出力信号を第2の遅延回路の入力信号とす
るか、もしくは前記選択回路で選択された信号を前記第
2の遅延回路の入力信号とし、且つ前記第2のセレクタ
からの遅延信号を第1の遅延回路の入力信号とすること
を特徴とするパルス幅制御回路。
1. A logic circuit for delaying an input signal for a predetermined period according to a reference clock, a logic operation output signal of an output signal of the logic circuit and the input signal being input to one end, and the input signal being input to the other end. A selection circuit for selecting one of them in accordance with information indicating reduction / expansion of a pulse width, a first and a second delay circuit for connecting a plurality of delay elements to delay an input signal, First and second selectors for selecting one of the output signals of each delay element stage for each of the two delay circuits and outputting the selected signal as a delay signal; input signals of the first delay circuit and delays of the first selector A logic circuit for performing a logical operation with a signal, a signal selected by the selection circuit being an input signal of the first delay circuit, and an output signal of the logic circuit being an input signal of a second delay circuit. Or the selection A pulse width control circuit, wherein a signal selected by the selection circuit is used as an input signal of the second delay circuit, and a delay signal from the second selector is used as an input signal of the first delay circuit.
【請求項2】 最終出力信号の立ち上がり遅延量と立ち
下がり遅延量との差分もしくは該差分を前記所定期間か
ら減算した遅延量に対応する第1のセレクト信号を前記
第1のセレクタに供給し、前記立ち下がり遅延量に対応
する第2のセレクト信号を前記第2のセレクタに供給す
ることを特徴とする請求項1記載のパルス幅制御回路。
2. A first select signal corresponding to a difference between a rising delay amount and a falling delay amount of a final output signal or a delay amount obtained by subtracting the difference from the predetermined period is supplied to the first selector. 2. The pulse width control circuit according to claim 1, wherein a second select signal corresponding to the fall delay amount is supplied to the second selector.
【請求項3】 前記遅延回路は、遅延素子を複数段リン
グ状に接続して構成され、各段の遅延量が入力される制
御電圧により制御されるVCOと、該VCOの出力信号
もしくはその分周信号と基準信号とを入力し両信号の位
相を比較する位相比較器と、該位相比較器で検出された
位相差に応じた前記制御電圧を発生するローパスフィル
タと、前記VCOの遅延素子と同一構成の遅延素子を複
数段接続して構成され、入力信号を遅延させて出力する
と共に各段の遅延量が前記制御電圧により制御されるデ
ィレイラインとを備えたことを特徴とする請求項1記載
のパルス幅制御回路。
3. A delay circuit comprising a plurality of delay elements connected in a ring shape in a plurality of stages, a VCO controlled by a control voltage to which a delay amount of each stage is input, and an output signal of the VCO or a corresponding output signal. A phase comparator that receives the frequency signal and the reference signal and compares the phases of the two signals; a low-pass filter that generates the control voltage according to the phase difference detected by the phase comparator; a delay element of the VCO; 2. A delay line comprising a plurality of delay elements having the same configuration connected to each other, the delay line outputting an input signal delayed and controlling the delay amount of each stage by the control voltage. The described pulse width control circuit.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載のパル
ス幅制御回路で構成され、入力信号として記録すべき変
調信号が供給され、メディアの種類及び/又は回転速度
に応じたセレクト信号が前記第1及び第2のセレクタに
入力され、前記変調信号に対応する記録マークをディス
クに記録する記録装置へ出力信号を送出して、記録マー
クの記録タイミングを調整可能としたことを特徴とする
ディスク記録制御回路。
4. A pulse width control circuit according to claim 1, wherein a modulation signal to be recorded is supplied as an input signal, and a select signal corresponding to the type and / or rotation speed of the medium is supplied. An output signal that is input to the first and second selectors and is sent to a recording device that records a recording mark corresponding to the modulation signal on a disk, so that the recording timing of the recording mark can be adjusted. Disk recording control circuit.
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