JPH11271546A - Optical transmission and reception device - Google Patents

Optical transmission and reception device

Info

Publication number
JPH11271546A
JPH11271546A JP10072770A JP7277098A JPH11271546A JP H11271546 A JPH11271546 A JP H11271546A JP 10072770 A JP10072770 A JP 10072770A JP 7277098 A JP7277098 A JP 7277098A JP H11271546 A JPH11271546 A JP H11271546A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
conductive
optical
light
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10072770A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Terada
浩二 寺田
Takeshi Yamamoto
毅 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP10072770A priority Critical patent/JPH11271546A/en
Publication of JPH11271546A publication Critical patent/JPH11271546A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce crosstalk between a light emitting element and a photodetector mounted in a hybrid state on the same substrate by providing conductive resin applied over the substrate between the light emitting element and photodetector. SOLUTION: On the substrate 4 of Si, etc., an insulating layer 6 is formed. On a conductor pattern 8 formed on the insulating layer 6, a laser diode 12 is mounted and on the conductor pattern 16, a laser diode 20 is mounted. In the insulating layer 6, optical waveguide cores 24 and 26 are embedded. One end of the optical waveguide core 24 is coupled with the laser diode 12 and the other end is connected to an output port. One end of the optical waveguide core 26 is optically coupled with the photodiode 20 and the other end is coupled with an input port. On the insulating layer 6, an electrode 28 is formed and further grounded. The electrode 28 is coated with conductive resin 30 such as silver silicone, etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は同一基板上に発光素
子と受光素子とを実装した光送受信デバイスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical transmitting and receiving device in which a light emitting element and a light receiving element are mounted on the same substrate.

【0002】近年、加入者系の光化に向けた光デバイス
の開発が活発に進められている。STM−PON(シン
クロナス・トランスファー・モード−パッシブ・オプテ
ィカル・ネットワーク)及びATM−PON(アシンク
ロナス・トランスファー・モード−パッシブ・オプティ
カル・ネットワーク)などの波長分割多重技術を用いた
双方向光加入者系システムの開発が進められており、波
長フィルタを含めた光デバイスの低価格化が極めて重要
な課題となっている。
In recent years, the development of optical devices for the opticalization of subscriber systems has been actively promoted. Bidirectional optical subscriber system using wavelength division multiplexing technology such as STM-PON (Synchronous Transfer Mode-Passive Optical Network) and ATM-PON (Asynchronous Transfer Mode-Passive Optical Network) Is being developed, and it is extremely important to reduce the cost of optical devices including wavelength filters.

【0003】このような双方向光加入者系システムを実
現するためには、部品数の少ないコンパクトな光デバイ
スが必要であり、発光素子、受光素子及び波長フィルタ
等を1つの基板上にハイブリッド実装したデバイス形態
が期待されている。
In order to realize such a bidirectional optical subscriber system, a compact optical device having a small number of components is required, and a light emitting element, a light receiving element, a wavelength filter, and the like are hybrid mounted on one substrate. The expected device form is expected.

【0004】ATM−PONのように送信部と受信部が
非同期で動作するシステムでは、光モジュール内の送信
部から受信部への漏話が十分小さいことが必要であり、
本発明は発光素子及び受光素子がハイブリッド実装され
た光送受信デバイスにおいて、送信及び受信間の漏話を
抑制する構造を提供するものである。
In a system such as an ATM-PON in which a transmitting unit and a receiving unit operate asynchronously, it is necessary that crosstalk from the transmitting unit to the receiving unit in the optical module be sufficiently small.
The present invention provides a structure for suppressing crosstalk between transmission and reception in an optical transmitting and receiving device in which a light emitting element and a light receiving element are hybridly mounted.

【0005】[0005]

【従来の技術】近年、プレーナ・ライトウェイブ・サー
キット・プラットフォーム(PLCプラットフォーム)
と呼ばれる導波路付基板上に発光素子、受光素子及び波
長選択フィルタをハイブリッド実装した小型の光送受信
デバイスが開発されている。
2. Description of the Related Art In recent years, planar lightwave circuit platforms (PLC platforms) have been developed.
A small optical transmitting / receiving device has been developed in which a light emitting element, a light receiving element, and a wavelength selection filter are hybrid-mounted on a substrate with a waveguide called “waveguide”.

【0006】しかし、この光送受信デバイスは送信時間
と受信時間とを時分割したタイム・コンプレッション・
マルチプレキシング(TCM)伝送系への適用に止まっ
ている。その理由は、送信部から受信部へのクロストー
クの抑制が困難な点にある。
[0006] However, this optical transmitting / receiving device is a time-compression time-divided transmission time and a reception time.
The application is limited to a multiplexing (TCM) transmission system. The reason is that it is difficult to suppress crosstalk from the transmitting unit to the receiving unit.

【0007】送信部では発光素子を駆動するために数1
0mAの電流が流れるのに対し、受信部ではμAオーダ
ーかそれ以下の小さな受信電流が流れる。このため、送
信部からの漏話によって受信部に流れる電流は10nA
オーダーであることが求められる。
[0007] In the transmitting section, to drive the light emitting element,
While a current of 0 mA flows, a small receiving current of the order of μA or less flows in the receiving section. Therefore, the current flowing to the receiving unit due to the crosstalk from the transmitting unit is 10 nA.
It must be an order.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来のPLCモジュー
ルは同一基板上に送信部及び受信部が集積された小型な
モジュールであるため、送信部と受信部の間にシールド
が形成されていない。故に、送信受信配線間の浮遊容量
等のために十分に小さな漏話を実現することが困難であ
った。
Since the conventional PLC module is a small module in which the transmitting unit and the receiving unit are integrated on the same substrate, no shield is formed between the transmitting unit and the receiving unit. Therefore, it has been difficult to realize sufficiently small crosstalk due to stray capacitance between the transmission and reception wirings.

【0009】ATM−PON向けの光デバイスの小型化
を実現するためには、発光素子、受光素子及び波長選択
フィルタを同一基板上にハイブリッド実装すると共に、
送信受信間の漏話を低減することが必要である。
In order to realize the miniaturization of the optical device for the ATM-PON, the light emitting element, the light receiving element and the wavelength selection filter are hybrid mounted on the same substrate,
It is necessary to reduce crosstalk between transmission and reception.

【0010】よって、本発明の目的は、同一基板上にハ
イブリッド実装された発光素子と受光素子の間の漏話を
低減することが可能な光送受信デバイスを提供すること
である。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical transmitting and receiving device capable of reducing crosstalk between a light emitting element and a light receiving element hybrid-mounted on the same substrate.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明によると、光送受
信デバイスであって、基板と;該基板上に形成された絶
縁層と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第1
及び第2導体パターンと;前記絶縁層上に互いに隣接し
て形成された第3及び第4導体パターンと;前記第1導
体パターン上に実装された発光素子と;前記発光素子と
前記第2導体パターンを接続する第1ワイヤと;前記第
3導体パターン上に実装された受光素子と;前記受光素
子と前記第4導体パターンを接続する第2ワイヤと;前
記発光素子と前記受光素子の間の前記基板上に塗布され
た導電性樹脂と;前記導電性樹脂に接続された電位一定
の電極と;を具備したことを特徴とする光送受信デバイ
スが提供される。
According to the present invention, there is provided an optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; and first insulating layers formed on the insulating layer adjacent to each other.
And third and fourth conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; a light emitting element mounted on the first conductor pattern; and the light emitting element and the second conductor A first wire connecting the pattern; a light receiving element mounted on the third conductor pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductor pattern; An optical transmitting and receiving device comprising: a conductive resin applied on the substrate; and an electrode having a constant potential connected to the conductive resin.

【0012】好ましくは、一端が発光素子に光結合する
ように形成された第1光導波路と、一端が受光素子に光
結合するように形成された第2光導波路が設けられてい
る。好ましくは、電極は接地されている。
Preferably, there are provided a first optical waveguide having one end optically coupled to the light emitting element and a second optical waveguide having one end optically coupled to the light receiving element. Preferably, the electrodes are grounded.

【0013】本発明の他の側面によると、光送受信デバ
イスであって、基板と;該基板上に形成された絶縁層
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第1及び
第2導体パターンと;前記絶縁層上に互いに隣接して形
成された第3及び第4導体パターンと;前記第1導体パ
ターン上に実装された発光素子と;前記発光素子と前記
第2導体パターンを接続する第1ワイヤと;前記第3導
体パターン上に実装された受光素子と;前記受光素子と
前記第4導体パターンを接続する第2ワイヤと;一端が
前記発光素子に光結合するように前記基板上に形成され
た第1光導波路と;一端が前記受光素子に光結合するよ
うに前記基板上に形成された第2光導波路と;前記発光
素子、該発光素子と前記第1光導波路の光結合部及び前
記第1及び第2導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
樹脂と;前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と;前
記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と;を具備し
たことを特徴とする光送受信デバイスが提供される。
According to another aspect of the present invention, there is provided an optical transmitting / receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; and first and second layers formed adjacent to each other on the insulating layer. Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; connecting the light emitting element and the second conductive pattern A first wire to be connected; a light receiving element mounted on the third conductor pattern; a second wire connecting the light receiving element to the fourth conductor pattern; and the substrate such that one end is optically coupled to the light emitting element. A first optical waveguide formed thereon; a second optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light receiving element; and a light emitting element, and light emitted from the light emitting element and the first optical waveguide. Coupling part and the first and second conductors An optical transmission / reception device comprising: a transparent insulating resin covering a part of a turn; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a constant potential electrode connected to the conductive resin. A device is provided.

【0014】本発明の更に他の側面によると、光送受信
デバイスであって、基板と;該基板上に形成された絶縁
層と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第1及
び第2導体パターンと;前記絶縁層上に互いに隣接して
形成された第3及び第4導体パターンと;前記第1導体
パターン上に実装された発光素子と;前記発光素子と前
記第2導体パターンを接続する第1ワイヤと;前記第3
導体パターン上に実装された受光素子と;前記受光素子
と前記第4導体パターンを接続する第2ワイヤと;一端
が前記発光素子に光結合するように前記基板上に形成さ
れた第1光導波路と;一端が前記受光素子に光結合する
ように前記基板上に形成された第2光導波路と;前記受
光素子、該受光素子と前記第2光導波路の光結合部及び
前記第3及び第4導体パターンの一部を覆った透明絶縁
性樹脂と;前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と;
前記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と;を具備
したことを特徴とする光送受信デバイスが提供される。
According to still another aspect of the present invention, there is provided an optical transmitting / receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; and first and second layers formed adjacent to each other on the insulating layer. A second conductor pattern; third and fourth conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; a light emitting element mounted on the first conductor pattern; and a light emitting element and the second conductor pattern. A first wire to be connected;
A light receiving element mounted on a conductor pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductor pattern; a first optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light emitting element. A second optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light receiving element; an optical coupling portion between the light receiving element, the light receiving element and the second optical waveguide, and the third and fourth optical waveguides; A transparent insulating resin covering a part of the conductive pattern; a conductive resin covering the transparent insulating resin;
An electrode having a constant potential connected to the conductive resin;

【0015】本発明の更に他の側面によると、光送受信
デバイスであって、基板と;該基板上に形成された絶縁
層と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第1及
び第2導体パターンと;前記絶縁層上に互いに隣接して
形成された第3及び第4導体パターンと;前記第1導体
パターン上に実装された発光素子と;前記発光素子と前
記第2導体パターンを接続する第1ワイヤと;前記第3
導体パターン上に実装された受光素子と;前記受光素子
と前記第4導体パターンを接続する第2ワイヤと;前記
基板に実質上垂直に実装された波長選択フィルタと;前
記発光素子と前記波長選択フィルタとを光結合する前記
基板上に形成された第1光導波路と;前記受光素子と前
記波長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成さ
れた第2光導波路と;前記第1及び第2光導波路を伝搬
する光を光結合するように、前記波長選択フィルタと光
入出力ポートとの間の前記基板上に形成された第3光導
波路と;前記発光素子、該発光素子と前記第1光導波路
の光結合部及び前記第1及び第2導体パターンの一部を
覆った透明絶縁性樹脂と;前記透明絶縁性樹脂を覆った
導電性樹脂と;前記導電性樹脂に接続された電位一定の
電極と;を具備したことを特徴とする光送受信デバイス
が提供される。
According to still another aspect of the present invention, there is provided an optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; and first and second layers formed adjacent to each other on the insulating layer. A second conductor pattern; third and fourth conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; a light emitting element mounted on the first conductor pattern; and a light emitting element and the second conductor pattern. A first wire to be connected;
A light receiving element mounted on a conductor pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductor pattern; a wavelength selection filter mounted substantially vertically on the substrate; the light emitting element and the wavelength selection A first optical waveguide formed on the substrate for optically coupling a filter; a second optical waveguide formed on the substrate for optically coupling the light receiving element and the wavelength selection filter; A third optical waveguide formed on the substrate between the wavelength selection filter and the optical input / output port so as to optically couple light propagating through the two optical waveguides; the light emitting element, the light emitting element and the third optical waveguide; A transparent insulating resin covering an optical coupling portion of one optical waveguide and a part of the first and second conductive patterns; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a potential connected to the conductive resin. A certain electrode; Optical transceiver device, characterized in that there is provided.

【0016】好ましくは、基板は導電性基板であり、基
板上に電極が直接形成されている。導電性樹脂は電極を
介して導電性基板に電気的に接続されている。好ましく
は、導電性基板は接地されている。
Preferably, the substrate is a conductive substrate, and electrodes are directly formed on the substrate. The conductive resin is electrically connected to the conductive substrate via the electrode. Preferably, the conductive substrate is grounded.

【0017】本発明の更に他の側面によると、光送受信
デバイスであって、基板と;該基板上に形成された絶縁
層と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第1及
び第2導体パターンと;前記絶縁層上に互いに隣接して
形成された第3及び第4導体パターンと;前記第1導体
パターン上に実装された発光素子と;前記発光素子と前
記第2導体パターンを接続する第1ワイヤと;前記第3
導体パターン上に実装された受光素子と;前記受光素子
と前記第4導体パターンを接続する第2ワイヤと;前記
基板に実質上垂直に実装された波長選択フィルタと;前
記発光素子と前記波長選択フィルタとを光結合する前記
基板上に形成された第1光導波路と;前記受光素子と前
記波長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成さ
れた第2光導波路と;前記第1及び第2光導波路を伝搬
する光を光結合するように、前記波長選択フィルタと光
入出力ポートとの間の前記基板上に形成された第3光導
波路と;前記受光素子、該受光素子と前記第3光導波路
の光結合部及び前記第3及び第4導体パターンの一部を
覆った透明絶縁性樹脂と;前記透明絶縁性樹脂を覆った
導電性樹脂と;前記導電性樹脂に接続された電位一定の
電極と;を具備したことを特徴とする光送受信デバイス
が提供される。
According to still another aspect of the present invention, there is provided an optical transmitting / receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; and first and second layers formed adjacent to each other on the insulating layer. A second conductor pattern; third and fourth conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; a light emitting element mounted on the first conductor pattern; and a light emitting element and the second conductor pattern. A first wire to be connected;
A light receiving element mounted on a conductor pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductor pattern; a wavelength selection filter mounted substantially vertically on the substrate; the light emitting element and the wavelength selection A first optical waveguide formed on the substrate for optically coupling a filter; a second optical waveguide formed on the substrate for optically coupling the light receiving element and the wavelength selection filter; A third optical waveguide formed on the substrate between the wavelength selection filter and the optical input / output port so as to optically couple light propagating through the two optical waveguides; the light receiving element; the light receiving element; A transparent insulating resin covering the optical coupling portion of the three optical waveguides and a part of the third and fourth conductor patterns; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a potential connected to the conductive resin. A certain electrode; Optical transceiver device, characterized in that there is provided.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の数
多くの実施形態について説明する。各実施形態の説明に
おいて、実質的に同一構成部分については同一符号を付
して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A number of embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of each embodiment, substantially the same components will be denoted by the same reference numerals.

【0019】図1を参照すると、本発明第1実施形態の
光送受信デバイス2Aの断面図が示されている。Si基
板等の基板4上には絶縁層6が形成されている。基板4
がシリコンから形成される場合には、絶縁層6はSiO
2 から形成される。
Referring to FIG. 1, there is shown a sectional view of an optical transmitting / receiving device 2A according to a first preferred embodiment of the present invention. An insulating layer 6 is formed on a substrate 4 such as a Si substrate. Substrate 4
Is formed of silicon, the insulating layer 6 is made of SiO.
Formed from two .

【0020】絶縁層6の左側には一対の導体パターン
8,10が形成されており、右側には他の一対の導体パ
ターン16,18が形成されている。導体パターン8上
にはレーザダイオード12が実装されており、レーザダ
イオード12と導体パターン10とは金ワイヤ14でボ
ンディング接続されている。導体パターン16上にはフ
ォトダイオード20が実装されており、フォトダイオー
ド20と導体パターン18とは金ワイヤ22でボンディ
ング接続されている。
A pair of conductor patterns 8 and 10 are formed on the left side of the insulating layer 6, and another pair of conductor patterns 16 and 18 are formed on the right side. A laser diode 12 is mounted on the conductor pattern 8, and the laser diode 12 and the conductor pattern 10 are connected by bonding with gold wires 14. A photodiode 20 is mounted on the conductor pattern 16, and the photodiode 20 and the conductor pattern 18 are connected by bonding with gold wires 22.

【0021】絶縁層6中には2本の光導波路コア24,
26が埋設されている。光導波路コア24の一端はレー
ザダイオード12に光結合するように配置されており、
他端は図示しない出力ポートに接続されている。光導波
路コア26の一端はフォトダイオード20に光結合する
ように配置されており、他端は図示しない入力ポートに
接続されている。
In the insulating layer 6, two optical waveguide cores 24,
26 are buried. One end of the optical waveguide core 24 is disposed so as to be optically coupled to the laser diode 12,
The other end is connected to an output port (not shown). One end of the optical waveguide core 26 is disposed so as to be optically coupled to the photodiode 20, and the other end is connected to an input port (not shown).

【0022】絶縁層6上には電極28が形成されてお
り、電極28は接地されている。電極28上には銀シリ
コーン等の導電性樹脂30が塗布されている。電極28
を接地する代わりに、例えば3V,5V等の電位一定な
電源に接続するようにしてもよい。
An electrode 28 is formed on the insulating layer 6, and the electrode 28 is grounded. A conductive resin 30 such as silver silicone is applied on the electrode 28. Electrode 28
May be connected to a power supply having a constant potential, for example, 3 V, 5 V, or the like.

【0023】本実施形態によれば、レーザダイオード1
2とフォトダイオード20の間に導電性樹脂30が設け
られているので、レーザダイオード12とフォトダイオ
ード20との間の漏話を低減することができる。
According to this embodiment, the laser diode 1
Since the conductive resin 30 is provided between the laser diode 2 and the photodiode 20, crosstalk between the laser diode 12 and the photodiode 20 can be reduced.

【0024】図2を参照すると、本発明第2実施形態の
光送受信デバイス2Bの断面図が示されている。本実施
形態ではレーザダイオード12の周囲にシリコーン樹脂
等の透明絶縁性樹脂32が塗布されている。
Referring to FIG. 2, there is shown a sectional view of an optical transmitting / receiving device 2B according to a second preferred embodiment of the present invention. In this embodiment, a transparent insulating resin 32 such as a silicone resin is applied around the laser diode 12.

【0025】透明絶縁性樹脂32はレーザダイオード1
2と光導波路コア24との光結合部、ワイヤ14及び導
体パターン8,10の一部を覆っている。この透明絶縁
性樹脂32は光導波路コア24への光路を確保すると共
に、後で適用される導電性樹脂による導体パターン8,
10の短絡を防止する役割を有している。
The transparent insulating resin 32 is a laser diode 1
2 and a part of the optical coupling portion between the optical waveguide core 24, the wire 14 and the conductor patterns 8 and 10. The transparent insulating resin 32 secures an optical path to the optical waveguide core 24 and also forms a conductive pattern 8,
10 has a role of preventing short circuit.

【0026】透明絶縁性樹脂32上には銀シリコーン等
の導電性樹脂34が塗布されている。導電性樹脂34は
接地された電極36に接続されている。電極36を接地
する代わりに、電位一定の電源に接続するようにしても
よい。
On the transparent insulating resin 32, a conductive resin 34 such as silver silicone is applied. The conductive resin 34 is connected to a grounded electrode 36. Instead of grounding the electrode 36, it may be connected to a power supply having a constant potential.

【0027】本実施形態によれば、レーザダイオード1
2が透明絶縁性樹脂32及び導電性樹脂34で覆われて
いるため、レーザダイオード12からフォトダイオード
20等の他の回路部品への漏話を低減することができ
る。
According to the present embodiment, the laser diode 1
Since 2 is covered with the transparent insulating resin 32 and the conductive resin 34, crosstalk from the laser diode 12 to other circuit components such as the photodiode 20 can be reduced.

【0028】図3を参照すると、本発明第3実施形態の
光送受信デバイス2Cの断面図が示されている。本実施
形態では、フォトダイオード20の周囲にシリコーン樹
脂等の透明絶縁性樹脂38が塗布されている。透明絶縁
性樹脂38はフォトダイオード20と光導波路コア26
との光結合部、ワイヤ22及び導体パターン16,18
の一部を覆っている。
Referring to FIG. 3, there is shown a sectional view of an optical transmitting / receiving device 2C according to a third preferred embodiment of the present invention. In the present embodiment, a transparent insulating resin 38 such as a silicone resin is applied around the photodiode 20. The transparent insulating resin 38 includes the photodiode 20 and the optical waveguide core 26.
Optical coupling portion, wire 22, and conductor patterns 16, 18
Cover part of.

【0029】透明絶縁性樹脂38上には銀シリコーン等
の導電性樹脂40が塗布されている。導電性樹脂40は
接地された電極42に接続されている。電極42を接地
する代わりに、電位一定の電源に接続するようにしても
よい。
On the transparent insulating resin 38, a conductive resin 40 such as silver silicone is applied. The conductive resin 40 is connected to the grounded electrode 42. Instead of the electrode 42 being grounded, it may be connected to a power supply having a constant potential.

【0030】透明絶縁性樹脂38は導波路コア26から
フォトダイオード20への光路を確保すると共に、塗布
された導電性樹脂40による導体パターン16,18の
短絡を防止する役割を有している。
The transparent insulating resin 38 has a role of securing an optical path from the waveguide core 26 to the photodiode 20 and preventing a short circuit of the conductive patterns 16 and 18 due to the applied conductive resin 40.

【0031】本実施形態によれば、レーザダイオード1
2からフォトダイオード20への漏話を有効に遮断でき
るばかりでなく、外部に設けられた駆動用ICなどの外
来雑音をも遮断する効果を期待できる。
According to the present embodiment, the laser diode 1
In addition to effectively blocking the crosstalk from the photodiode 2 to the photodiode 20, an effect of blocking external noise such as a driving IC provided outside can be expected.

【0032】図4を参照すると、本発明第4実施形態の
光送受信デバイス2Dの断面図が示されている。図5は
第4実施形態の平面図を示している。本実施形態では、
レーザダイオード12の周囲がシリコーン樹脂等の透明
絶縁性樹脂32で覆われていると共に、透明絶縁性樹脂
32が銀シリコーン等の導電性樹脂34で覆われてい
る。
Referring to FIG. 4, there is shown a sectional view of an optical transceiver 2D according to a fourth preferred embodiment of the present invention. FIG. 5 shows a plan view of the fourth embodiment. In this embodiment,
The periphery of the laser diode 12 is covered with a transparent insulating resin 32 such as silicone resin, and the transparent insulating resin 32 is covered with a conductive resin 34 such as silver silicone.

【0033】また、フォトダイオード20の周囲もシリ
コーン樹脂等の透明絶縁性樹脂38で覆われており、透
明絶縁性樹脂38は銀シリコーン等の導電性樹脂40で
覆われている。
The periphery of the photodiode 20 is also covered with a transparent insulating resin 38 such as silicone resin, and the transparent insulating resin 38 is covered with a conductive resin 40 such as silver silicone.

【0034】更に、本実施形態では、Si基板4に溝4
6が形成されており、この溝46中に波長選択フィルタ
48が挿入され、透明接着剤50で固定されている。図
5に示されるように、Si基板4上にはレーザダイオー
ド12と波長選択フィルタ48とを光結合する第1光導
波路コア54と、フォトダイオード20と波長選択フィ
ルタ48とを光結合する第2光導波路コア56が形成さ
れている。
Further, in this embodiment, the grooves 4 are formed in the Si substrate 4.
The wavelength selection filter 48 is inserted into the groove 46 and fixed with a transparent adhesive 50. As shown in FIG. 5, on the Si substrate 4, a first optical waveguide core 54 for optically coupling the laser diode 12 and the wavelength selection filter 48, and a second optical waveguide core for optically coupling the photodiode 20 and the wavelength selection filter 48 are provided. An optical waveguide core 56 is formed.

【0035】Si基板4上には更に、第1及び第2光導
波路コア54,56を伝搬する光を光結合するように、
波長選択フィルタ48と光入出力ポート59との間に第
3光導波路コア58が形成されている。
On the Si substrate 4, light propagating through the first and second optical waveguide cores 54 and 56 is further optically coupled.
A third optical waveguide core 58 is formed between the wavelength selection filter 48 and the optical input / output port 59.

【0036】波長選択フィルタ48の周囲は銀シリコー
ン等の導電性樹脂52で覆われている。Si基板4上に
は基板コンタクト電極64,66,68,70が直接形
成されている。
The periphery of the wavelength selection filter 48 is covered with a conductive resin 52 such as silver silicone. Substrate contact electrodes 64, 66, 68, 70 are directly formed on the Si substrate 4.

【0037】Si基板4の裏面には裏面電極72が形成
されている。裏面電極72は接地されている。裏面電極
72を接地する代わりに、電位一定の電源に接続するよ
うにしてもよい。
On the back surface of the Si substrate 4, a back electrode 72 is formed. The back electrode 72 is grounded. Instead of grounding the back electrode 72, it may be connected to a power supply having a constant potential.

【0038】Si基板4は導電性であるから、導電性樹
脂34は基板コンタクト電極64、Si基板4、裏面電
極72を介して接地される。同様に、導電性樹脂40は
基板コンタクト電極66、Si基板4及び裏面電極72
を介して接地される。更に、導電性樹脂52は基板コン
タクト電極68,70,Si基板4及び裏面電極72を
介して接地される。
Since the Si substrate 4 is conductive, the conductive resin 34 is grounded via the substrate contact electrode 64, the Si substrate 4, and the back electrode 72. Similarly, the conductive resin 40 includes the substrate contact electrode 66, the Si substrate 4, and the back surface electrode 72.
Grounded. Further, the conductive resin 52 is grounded via the substrate contact electrodes 68, 70, the Si substrate 4, and the back surface electrode 72.

【0039】本実施形態によれば、レーザダイオード1
2が透明絶縁性樹脂32を介して導電性樹脂34で覆わ
れ、フォトダイオード20が透明絶縁性樹脂38を介し
て導電性樹脂40で覆われている。更に、レーザダイオ
ード12とフォトダイオード20の間に導電性樹脂52
が設けられている。
According to this embodiment, the laser diode 1
2 is covered with a conductive resin 34 via a transparent insulating resin 32, and the photodiode 20 is covered with a conductive resin 40 via a transparent insulating resin 38. Further, a conductive resin 52 is provided between the laser diode 12 and the photodiode 20.
Is provided.

【0040】よって、レーザダイオード12とフォトダ
イオード20との間の漏話を有効に遮断乃至低減できる
と共に、外部に設けられた駆動用IC等の外来雑音をも
有効に遮断又は低減することができる。その結果、小型
で非同期動作可能な光送受信デバイスの実現が可能であ
る。
Therefore, crosstalk between the laser diode 12 and the photodiode 20 can be effectively cut off or reduced, and external noise such as a driving IC provided outside can be cut off or reduced effectively. As a result, it is possible to realize a small-sized optical transmitting / receiving device that can operate asynchronously.

【0041】以下、図面を参照して第4実施形態の光送
受信デバイス2Dの製造プロセスを説明する。まず、図
6(A)に示すように、Si(100)基板74上に約
1μm程度の厚さのSiO2 膜76を例えば熱酸化等に
より形成する。
Hereinafter, the manufacturing process of the optical transceiver 2D according to the fourth embodiment will be described with reference to the drawings. First, as shown in FIG. 6A, an SiO 2 film 76 having a thickness of about 1 μm is formed on a Si (100) substrate 74 by, for example, thermal oxidation.

【0042】次いで、フォトリソグラフィでパターニン
グして、テラス78を形成する領域以外のSiO2
(酸化膜)76を除去する。KOH溶液に浸し、SiO
2 膜76を除去した領域をエッチングする。このエッチ
ングの深さは導波路のアンダークラッドの厚さ程度、即
ち約20μm程度とする。
Next, patterning is performed by photolithography to remove the SiO 2 film (oxide film) 76 other than the region where the terrace 78 is formed. Soak in KOH solution,
The region where the second film 76 has been removed is etched. The depth of this etching is about the thickness of the under cladding of the waveguide, that is, about 20 μm.

【0043】次いで、図6(B)に示すように、火炎堆
積法等によりエッチングした深さだけ第1のアンダーク
ラッド80となるSiO2 を基板全面に堆積する。次い
で、図6(C)に示すように、テラス78の上面が露出
するまで研磨し、平坦化する。
Next, as shown in FIG. 6B, SiO 2 serving as the first under cladding 80 is deposited on the entire surface of the substrate to a depth etched by a flame deposition method or the like. Next, as shown in FIG. 6C, polishing and flattening are performed until the upper surface of the terrace 78 is exposed.

【0044】図7(D)に示すように、第2のアンダー
クラッド82となるSiO2 を下式で求められる厚さだ
け基板74の全面に堆積する。 堆積厚さ=(導体パターン厚)+(ハンダ厚)+(レー
ザダイオードの活性層高さ) この堆積厚さは約20μm程度である。次いで、ゲルマ
ニウム(Ge)等の屈折率を増加させる不純物をドープ
したコア層84を堆積し、導波部以外の不要な領域をフ
ォトリソグラフィによりパターニングして除去して、導
波路コアを形成する。次いで、基板全面にアンダークラ
ッド80,82と同程度の厚さSiO2を堆積し、オー
バークラッド86を形成する。
As shown in FIG. 7D, SiO 2 serving as the second under cladding 82 is deposited on the entire surface of the substrate 74 to a thickness determined by the following equation. Deposition thickness = (conductor pattern thickness) + (solder thickness) + (active layer height of laser diode) This deposition thickness is about 20 μm. Next, a core layer 84 doped with an impurity such as germanium (Ge) that increases the refractive index is deposited, and unnecessary regions other than the waveguide are removed by patterning by photolithography to form a waveguide core. Next, SiO 2 is deposited on the entire surface of the substrate at a thickness similar to that of the under claddings 80 and 82 to form an over cladding 86.

【0045】次いで、図7(E)に示すように、光素子
搭載部及び導体パターン形成部を含む領域をリアクティ
ブ・イオン・エッチング(RIE)でエッチングし、導
波路端面90,92を形成する。エッチングする深さは
テラス78の上面が丁度露出するまでとする。
Next, as shown in FIG. 7E, the region including the optical element mounting portion and the conductor pattern forming portion is etched by reactive ion etching (RIE) to form waveguide end faces 90 and 92. . The etching depth is set so that the upper surface of the terrace 78 is just exposed.

【0046】同様に、RIEでエッチングして、穴9
1,93,95,97を形成し、これらの穴中にSi基
板74と導通をとる基板コンタクト電極64,66,6
8,70を形成する。88はレジストである。
Similarly, the holes 9 were etched by RIE.
1, 93, 95, 97 are formed, and substrate contact electrodes 64, 66, 6 for conducting with the Si substrate 74 are formed in these holes.
8, 70 are formed. 88 is a resist.

【0047】次いで、図8及び図9に示すように、熱酸
化によりテラス78上に約0.5μm程度の薄いSiO
2 絶縁膜6を形成する。更に、ダイシングソーを使用し
て導波路コア54,56,58が合流する点を横断する
溝94を形成する。
Then, as shown in FIGS. 8 and 9, a thin SiO 2 layer of about 0.5 μm is formed on the terrace 78 by thermal oxidation.
(2) An insulating film 6 is formed. Further, a dicing saw is used to form a groove 94 which crosses the point where the waveguide cores 54, 56, 58 meet.

【0048】次いで、基板全面にTi,Ni,Auを順
次蒸着し、更にレジストを塗布する。導体パターン6,
8,16,18の部分を残してフォトリソグラフィ技術
によりレジストを除去し、エッチングをする。
Next, Ti, Ni, and Au are sequentially deposited on the entire surface of the substrate, and a resist is applied. Conductor pattern 6,
The resist is removed by a photolithography technique except for portions 8, 16, and 18, and etching is performed.

【0049】エッチングはRIEで行ってもよいし、基
板をエッチャントに浸してもよい。Ti及びNiに対し
ては硝酸系のエッチャントを使用し、Auには金エッチ
ャントを使用する。代替案として、リフトオフ法により
導体パターン6,8,16,18も形成することが可能
である。同様にして、基板74の裏面に裏面電極72を
形成する。
The etching may be performed by RIE, or the substrate may be immersed in an etchant. A nitric acid-based etchant is used for Ti and Ni, and a gold etchant is used for Au. As an alternative, the conductor patterns 6, 8, 16, 18 can also be formed by a lift-off method. Similarly, the back surface electrode 72 is formed on the back surface of the substrate 74.

【0050】次いで、基板上面全体に例えばポリイミド
樹脂をスピナーで塗布し、更にレジストを塗布する。レ
ジストをフォトリソグラフィ技術によりパターニングし
て、更に溶剤に浸漬し、少なくとも光素子搭載部、ワイ
ヤボンディング用のパッド部、導波路端面が露出するよ
うにポリイミド樹脂を除去する。
Next, for example, a polyimide resin is applied to the entire upper surface of the substrate by a spinner, and further a resist is applied. The resist is patterned by a photolithography technique and further immersed in a solvent, and the polyimide resin is removed so that at least the optical element mounting portion, the wire bonding pad portion, and the waveguide end surface are exposed.

【0051】これにより、図10に示すように導体パタ
ーニング8,10の一部がポリイミド絶縁層96で覆わ
れ、導体パターニング16,18の一部がポリイミド絶
縁層98で覆われる。次いで、ダイシングソーによりS
i基板74を各PLCプラットフォームに切断する。
As a result, as shown in FIG. 10, a part of the conductor patterning 8, 10 is covered with the polyimide insulating layer 96, and a part of the conductor patterning 16, 18 is covered with the polyimide insulating layer 98. Then, S
The i-substrate 74 is cut into each PLC platform.

【0052】次いで、図11に示すようにレーザダイオ
ード12及びフォトダイオード20を所定の位置にボン
ディングにより実装する。このボンディングは光素子1
2,20側にハンダバンプを形成して行ってもよいし、
PLCプラットフォーム側にハンダバンプ設けるように
してもよい。
Next, as shown in FIG. 11, the laser diode 12 and the photodiode 20 are mounted at predetermined positions by bonding. This bonding is the optical element 1
It may be performed by forming solder bumps on the 2, 20 side,
A solder bump may be provided on the PLC platform side.

【0053】レーザダイオード12及びフォトダイオー
ド20の実装後、レーザダイオード12と導体パターン
10とを金ワイヤ14でボンディング接続し、フォトダ
イオード20と導体パターン18とを金ワイヤ22でボ
ンディング接続する。更に、波長選択フィルタ48を溝
94中に挿入し、透明な接着剤50で波長選択フィルタ
48をPLCプラットフォーム(基板)4に固定する。
After mounting the laser diode 12 and the photodiode 20, the laser diode 12 and the conductor pattern 10 are bonded and connected by the gold wire 14, and the photodiode 20 and the conductor pattern 18 are bonded and connected by the gold wire 22. Further, the wavelength selection filter 48 is inserted into the groove 94, and the wavelength selection filter 48 is fixed to the PLC platform (substrate) 4 with a transparent adhesive 50.

【0054】次いで、図4及び図5に示すように、レー
ザダイオード12及びフォトダイオード20の周囲にシ
リコーン樹脂等の透明絶縁性樹脂32,38をポッティ
ングし、キュアする。
Next, as shown in FIGS. 4 and 5, transparent insulating resins 32 and 38 such as silicone resin are potted around the laser diode 12 and the photodiode 20 and cured.

【0055】必要によっては、レーザダイオード12及
びフォトダイオード20の周囲にシリカ等のフィラを混
入した粘度の高いシリコーン樹脂をダム状に塗布して、
透明なシリコーン樹脂の流れ止めとしてもよい。
If necessary, a high-viscosity silicone resin mixed with a filler such as silica is applied around the laser diode 12 and the photodiode 20 in a dam shape.
It may be used as a flow stopper for transparent silicone resin.

【0056】更に、透明絶縁性樹脂32,38の外側及
び波長選択フィルタ48の周囲を銀シリコーン樹脂等の
導電性樹脂34,40,52で覆う。このとき、導電性
樹脂34,40,52が基板コンタクト電極64,6
6,68及び70に接触するようにする。最後に導電性
樹脂34,40,52をキュアする。
Further, the outside of the transparent insulating resins 32 and 38 and the periphery of the wavelength selection filter 48 are covered with conductive resins 34, 40 and 52 such as silver silicone resin. At this time, the conductive resins 34, 40, 52 are
6, 68 and 70. Finally, the conductive resins 34, 40, and 52 are cured.

【0057】このようにして形成した第4実施形態の光
送受信デバイス2Dが図4及び図5に示されている。更
に、特に図示しないが光送受信デバイス2Dをプラスチ
ックモールド等によりパッケージングする。
The optical transmitting / receiving device 2D of the fourth embodiment thus formed is shown in FIGS. Further, although not particularly shown, the optical transmitting / receiving device 2D is packaged by a plastic mold or the like.

【0058】[0058]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同一基板上にハイブリッド実装された発光素子と受光素
子間の漏話を低減することのできる光送受信デバイスを
提供することができる。更に、コンパクト且つ非同期動
作が可能な光送受信デバイスの提供が可能となり、光加
入者系の普及に寄与することができる。
As described above, according to the present invention,
An optical transmitting and receiving device capable of reducing crosstalk between a light emitting element and a light receiving element hybrid-mounted on the same substrate can be provided. Further, it is possible to provide an optical transmitting and receiving device that is compact and can operate asynchronously, which can contribute to the spread of optical subscriber systems.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明第1実施形態の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明第2実施形態の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明第3実施形態の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明第4実施形態の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a fourth embodiment of the present invention.

【図5】第4実施形態の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a fourth embodiment.

【図6】製造プロセスを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a manufacturing process.

【図7】製造プロセスを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process.

【図8】製造プロセスを示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a manufacturing process.

【図9】製造プロセスを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a manufacturing process.

【図10】製造プロセスを示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a manufacturing process.

【図11】製造プロセスを示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a manufacturing process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 基板 8,10,16,18 導体パターン 12 発光素子 20 受光素子 24,26 光導波路 28,36,42 電極 30,34,40,52 導電性樹脂 32,38 透明絶縁性樹脂 64,66,68,70 基板コンタクト電極 4 Substrate 8, 10, 16, 18 Conductive pattern 12 Light emitting element 20 Light receiving element 24, 26 Optical waveguide 28, 36, 42 Electrode 30, 34, 40, 52 Conductive resin 32, 38 Transparent insulating resin 64, 66, 68 , 70 substrate contact electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/18 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H04B 10/18

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;前記発光素子と前記受光
素子の間の前記基板上に塗布された導電性樹脂と;前記
導電性樹脂に接続された電位一定の電極と;を具備した
ことを特徴とする光送受信デバイス。
1. An optical transmitting / receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light receiving element mounted on a third conductive pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductive pattern; a conductive resin applied on the substrate between the light emitting element and the light receiving element And an electrode having a constant potential connected to the conductive resin.
【請求項2】 一端が前記発光素子に光結合するように
前記基板上に形成された第1光導波路と;一端が前記受
光素子に光結合するように前記基板上に形成された第2
光導波路とを更に具備した請求項1記載の光送受信デバ
イス。
A first optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light emitting element; and a second optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light receiving element.
The optical transmitting and receiving device according to claim 1, further comprising an optical waveguide.
【請求項3】 前記電極は接地されている請求項2記載
の光送受信デバイス。
3. The optical transmitting and receiving device according to claim 2, wherein the electrode is grounded.
【請求項4】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;一端が前記発光素子に光
結合するように前記基板上に形成された第1光導波路
と;一端が前記受光素子に光結合するように前記基板上
に形成された第2光導波路と;前記発光素子、該発光素
子と前記第1光導波路の光結合部及び前記第1及び第2
導体パターンの一部を覆った透明絶縁性樹脂と;前記透
明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と;前記導電性樹脂に
接続された電位一定の電極と;を具備したことを特徴と
する光送受信デバイス。
4. An optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light-receiving element mounted on a third conductor pattern; a second wire connecting the light-receiving element and the fourth conductor pattern; a first wire formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light-emitting element. An optical waveguide; a second optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light receiving element; an optical coupling part of the light emitting element, the light emitting element and the first optical waveguide; Second
A light, comprising: a transparent insulating resin covering a part of a conductive pattern; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a constant potential electrode connected to the conductive resin. Transmitting and receiving devices.
【請求項5】 前記電極は接地されている請求項4記載
の光送受信デバイス。
5. The optical transmitting and receiving device according to claim 4, wherein the electrode is grounded.
【請求項6】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;一端が前記発光素子に光
結合するように前記基板上に形成された第1光導波路
と;一端が前記受光素子に光結合するように前記基板上
に形成された第2光導波路と;前記受光素子、該受光素
子と前記第2光導波路の光結合部及び前記第3及び第4
導体パターンの一部を覆った透明絶縁性樹脂と;前記透
明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と;前記導電性樹脂に
接続された電位一定の電極と;を具備したことを特徴と
する光送受信デバイス。
6. An optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light-receiving element mounted on a third conductor pattern; a second wire connecting the light-receiving element and the fourth conductor pattern; a first wire formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light-emitting element. An optical waveguide; a second optical waveguide formed on the substrate such that one end is optically coupled to the light receiving element; an optical coupling portion between the light receiving element, the light receiving element and the second optical waveguide; 4th
A light, comprising: a transparent insulating resin covering a part of a conductive pattern; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a constant potential electrode connected to the conductive resin. Transmitting and receiving devices.
【請求項7】 前記電極は接地されている請求項6記載
の光送受信デバイス。
7. The optical transmitting and receiving device according to claim 6, wherein the electrode is grounded.
【請求項8】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;前記基板に実質上垂直に
実装された波長選択フィルタと;前記発光素子と前記波
長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
第1光導波路と;前記受光素子と前記波長選択フィルタ
とを光結合する前記基板上に形成された第2光導波路
と;前記第1及び第2光導波路を伝搬する光を光結合す
るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
間の前記基板上に形成された第3光導波路と;前記発光
素子、該発光素子と前記第1光導波路の光結合部及び前
記第1及び第2導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
樹脂と;前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と;前
記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と;を具備し
たことを特徴とする光送受信デバイス。
8. An optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light receiving element mounted on a third conductive pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductive pattern; a wavelength selection filter mounted substantially vertically on the substrate; A first optical waveguide formed on the substrate for optically coupling a wavelength selection filter; a second optical waveguide formed on the substrate for optically coupling the light receiving element and the wavelength selection filter; And second optical waveguide A third optical waveguide formed on the substrate between the wavelength selection filter and the optical input / output port so as to optically couple the propagating light; and a light-emitting element, and a light-emitting element and the first optical waveguide. A transparent insulating resin covering the optical coupling portion and a part of the first and second conductive patterns; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a constant potential electrode connected to the conductive resin. An optical transmitting and receiving device comprising:
【請求項9】 前記基板は導電性基板であり、前記電極
は前記導電性基板上に直接形成されており、前記導電性
樹脂と前記導電性基板とは前記電極を介して電気的に接
続されている請求項8記載の光送受信デバイス。
9. The substrate is a conductive substrate, the electrode is formed directly on the conductive substrate, and the conductive resin and the conductive substrate are electrically connected via the electrode. The optical transmitting and receiving device according to claim 8, wherein
【請求項10】 前記導電性基板は接地されている請求
項9記載の光送受信デバイス。
10. The optical transceiver according to claim 9, wherein the conductive substrate is grounded.
【請求項11】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;前記基板に実質上垂直に
実装された波長選択フィルタと;前記発光素子と前記波
長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
第1光導波路と;前記受光素子と前記波長選択フィルタ
とを光結合する前記基板上に形成された第2光導波路
と;前記第1及び第2光導波路を伝搬する光を光結合す
るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
間の前記基板上に形成された第3光導波路と;前記受光
素子、該受光素子と前記第2光導波路の光結合部及び前
記第3及び第4導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
樹脂と;前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と;前
記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と;を具備し
たことを特徴とする光送受信デバイス。
11. An optical transmitting / receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light receiving element mounted on a third conductive pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductive pattern; a wavelength selection filter mounted substantially vertically on the substrate; A first optical waveguide formed on the substrate for optically coupling a wavelength selection filter; a second optical waveguide formed on the substrate for optically coupling the light receiving element and the wavelength selection filter; And the second optical waveguide A third optical waveguide formed on the substrate between the wavelength selection filter and the optical input / output port so as to optically couple light propagating through the light receiving element; the light receiving element; the light receiving element; and the second optical waveguide A transparent insulating resin covering a part of the optical coupling portion and the third and fourth conductive patterns; a conductive resin covering the transparent insulating resin; and a constant potential electrode connected to the conductive resin. And an optical transmitting / receiving device comprising:
【請求項12】 前記基板は導電性基板であり、前記電
極は該導電性基板上に直接形成されており、前記導電性
樹脂は前記電極を介して前記導電性基板に電気的に接続
されている請求項11記載の光送受信デバイス。
12. The conductive substrate, wherein the substrate is a conductive substrate, the electrode is formed directly on the conductive substrate, and the conductive resin is electrically connected to the conductive substrate via the electrode. The optical transmitting and receiving device according to claim 11, wherein
【請求項13】 前記導電性基板は接地されている請求
項12記載の光送受信デバイス。
13. The optical transceiver according to claim 12, wherein the conductive substrate is grounded.
【請求項14】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;前記基板に実質上垂直に
実装された波長選択フィルタと;前記発光素子と前記波
長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
第1光導波路と;前記受光素子と前記波長選択フィルタ
とを光結合する前記基板上に形成された第2光導波路
と;前記第1及び第2光導波路を伝搬する光を光結合す
るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
間の前記基板上に形成された第3光導波路と;前記第
1、第2及び第3光導波路の光結合部を覆うように前記
波長選択フィルタを前記基板に固定する透明接着剤と;
前記波長選択フィルタを覆った導電性樹脂と;前記導電
性樹脂に接続された電位一定の電極と;を具備したこと
を特徴とする光送受信デバイス。
14. An optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light receiving element mounted on a third conductive pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductive pattern; a wavelength selection filter mounted substantially vertically on the substrate; A first optical waveguide formed on the substrate for optically coupling a wavelength selection filter; a second optical waveguide formed on the substrate for optically coupling the light receiving element and the wavelength selection filter; And the second optical waveguide A third optical waveguide formed on the substrate between the wavelength selection filter and the optical input / output port so as to optically couple light propagating through the optical waveguide; and light of the first, second, and third optical waveguides A transparent adhesive for fixing the wavelength selection filter to the substrate so as to cover the joint;
An optical transmission / reception device, comprising: a conductive resin covering the wavelength selection filter; and an electrode having a constant potential connected to the conductive resin.
【請求項15】 前記基板は導電性基板であり、前記電
極は前記導電性基板上に直接形成されており、前記導電
性樹脂は前記電極を介して前記導電性基板に電気的に接
続されている請求項14記載の光送受信デバイス。
15. The method according to claim 15, wherein the substrate is a conductive substrate, the electrode is formed directly on the conductive substrate, and the conductive resin is electrically connected to the conductive substrate via the electrode. The optical transmission / reception device according to claim 14, wherein
【請求項16】 前記導電性基板は接地されている請求
項15記載の光送受信デバイス。
16. The optical transmitting and receiving device according to claim 15, wherein the conductive substrate is grounded.
【請求項17】 光送受信デバイスであって、 基板と;該基板上に形成された絶縁層と;前記絶縁層上
に互いに隣接して形成された第1及び第2導体パターン
と;前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第3及び
第4導体パターンと;前記第1導体パターン上に実装さ
れた発光素子と;前記発光素子と前記第2導体パターン
を接続する第1ワイヤと;前記第3導体パターン上に実
装された受光素子と;前記受光素子と前記第4導体パタ
ーンを接続する第2ワイヤと;前記基板に実質上垂直に
実装された波長選択フィルタと;前記発光素子と前記波
長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
第1光導波路と;前記受光素子と前記波長選択フィルタ
とを光結合する前記基板上に形成された第2光導波路
と;前記第1及び第2光導波路を伝搬する光を光結合す
るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
間の前記基板上に形成された第3光導波路と;前記発光
素子、該発光素子と前記第1光導波路の光結合部及び前
記第1及び第2導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
第1樹脂と;前記透明絶縁性第1樹脂を覆った導電性第
2樹脂と;前記導電性第2樹脂に接続された電位一定の
第1電極と;前記受光素子、該受光素子と前記第2光導
波路の光結合部及び前記第3及び第4導体パターンの一
部を覆った透明絶縁性第3樹脂と;前記透明絶縁性第3
樹脂を覆った導電性第4樹脂と;前記導電性第4樹脂に
接続された電位一定の第2電極と;前記第1、第2及び
第3光導波路間の光結合部を含むように適用された前記
波長選択フィルタを前記基板に固定する透明接着剤と;
前記波長選択フィルタを覆った導電性第5樹脂と;前記
導電性第5樹脂に接続された電位一定の第3電極と;を
具備したことを特徴とする光送受信デバイス。
17. An optical transmitting and receiving device, comprising: a substrate; an insulating layer formed on the substrate; first and second conductor patterns formed adjacent to each other on the insulating layer; Third and fourth conductive patterns formed adjacent to each other on the light emitting element; a light emitting element mounted on the first conductive pattern; a first wire connecting the light emitting element and the second conductive pattern; A light receiving element mounted on a third conductive pattern; a second wire connecting the light receiving element and the fourth conductive pattern; a wavelength selection filter mounted substantially vertically on the substrate; A first optical waveguide formed on the substrate for optically coupling a wavelength selection filter; a second optical waveguide formed on the substrate for optically coupling the light receiving element and the wavelength selection filter; And the second optical waveguide A third optical waveguide formed on the substrate between the wavelength selection filter and the optical input / output port so as to optically couple light propagating through the light emitting device; the light emitting element; the light emitting element; and the first optical waveguide A transparent insulating first resin covering a part of the optical coupling portion and the first and second conductive patterns; a conductive second resin covering the transparent insulating first resin; and the conductive second resin A first electrode having a constant potential connected to the light-receiving element, a transparent insulating third resin covering a part of the light-receiving element, an optical coupling portion of the light-receiving element and the second optical waveguide, and a part of the third and fourth conductor patterns And the transparent insulating third
A conductive fourth resin covering the resin; a second electrode having a constant potential connected to the conductive fourth resin; and an optical coupling portion between the first, second, and third optical waveguides. A transparent adhesive for fixing the wavelength selective filter to the substrate;
An optical transmission / reception device, comprising: a conductive fifth resin covering the wavelength selection filter; and a third electrode having a constant potential connected to the conductive fifth resin.
【請求項18】 前記基板は導電性基板であり、前記第
1、第2及び第3電極は前記導電性基板上に直接形成さ
れており、前記第2導電性樹脂、第4導電性樹脂及び第
5導電性樹脂はそれぞれ前記第1、第2及び第3電極を
介して前記導電性基板に電気的に接続されている請求項
17記載の光送受信デバイス。
18. The method according to claim 18, wherein the substrate is a conductive substrate, the first, second, and third electrodes are formed directly on the conductive substrate, and the second conductive resin, the fourth conductive resin, The optical transmitting and receiving device according to claim 17, wherein the fifth conductive resin is electrically connected to the conductive substrate via the first, second, and third electrodes, respectively.
【請求項19】 前記導電性基板は接地されている請求
項18記載の光送受信デバイス。
19. The optical transceiver according to claim 18, wherein the conductive substrate is grounded.
JP10072770A 1998-03-20 1998-03-20 Optical transmission and reception device Withdrawn JPH11271546A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10072770A JPH11271546A (en) 1998-03-20 1998-03-20 Optical transmission and reception device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10072770A JPH11271546A (en) 1998-03-20 1998-03-20 Optical transmission and reception device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11271546A true JPH11271546A (en) 1999-10-08

Family

ID=13498953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10072770A Withdrawn JPH11271546A (en) 1998-03-20 1998-03-20 Optical transmission and reception device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11271546A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002061473A3 (en) * 2001-02-01 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Optoelectronic signal transmission semi-conductor element and method for producing a semi-conductor element of said type
JP2003107302A (en) * 2001-09-28 2003-04-09 Sony Corp Optical transmitter/receiver
US6731881B2 (en) 1999-12-01 2004-05-04 Nec Corporation Device for transmitting and receiving optical signals
KR100460840B1 (en) * 2002-08-09 2004-12-09 한국전자통신연구원 Optical modules for suppressing the optical and electrical crosstalk simultaneously
JP2009162883A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Cable Ltd Optical transmission assembly
JP2015184588A (en) * 2014-03-25 2015-10-22 日本電気株式会社 Photoelectric integrated circuit and optical interposer
CN105589140A (en) * 2014-11-06 2016-05-18 住友电气工业株式会社 Transmitter optical module implemented with a plurality of signal sources
CN108733159A (en) * 2017-04-13 2018-11-02 南亚科技股份有限公司 Casing assembly and memory device
JP2020079850A (en) * 2018-11-13 2020-05-28 富士通株式会社 Optical transmitter-receiver

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6731881B2 (en) 1999-12-01 2004-05-04 Nec Corporation Device for transmitting and receiving optical signals
WO2002061473A3 (en) * 2001-02-01 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Optoelectronic signal transmission semi-conductor element and method for producing a semi-conductor element of said type
JP2003107302A (en) * 2001-09-28 2003-04-09 Sony Corp Optical transmitter/receiver
WO2003029868A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-10 Sony Corporation Optical transmitter/receiver
KR100460840B1 (en) * 2002-08-09 2004-12-09 한국전자통신연구원 Optical modules for suppressing the optical and electrical crosstalk simultaneously
JP2009162883A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Cable Ltd Optical transmission assembly
JP2015184588A (en) * 2014-03-25 2015-10-22 日本電気株式会社 Photoelectric integrated circuit and optical interposer
CN105589140A (en) * 2014-11-06 2016-05-18 住友电气工业株式会社 Transmitter optical module implemented with a plurality of signal sources
CN108733159A (en) * 2017-04-13 2018-11-02 南亚科技股份有限公司 Casing assembly and memory device
JP2020079850A (en) * 2018-11-13 2020-05-28 富士通株式会社 Optical transmitter-receiver

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3100584B2 (en) Optoelectronic integrated circuit and method of manufacturing the same
US6579739B2 (en) Optical transmitting and receiving device and the manufacturing method
JP4688248B2 (en) Multilayer optoelectronic substrate having electrical interconnection and optical interconnection and method for manufacturing the same
JP3062884B2 (en) Method of manufacturing substrate for hybrid optical integrated circuit using SOI optical waveguide
KR100720854B1 (en) Photoelectric wiring board, packaging board, and photoelectric wiring board producing method
KR100661955B1 (en) Light guide apparatus and method of manufacturing the same
CN110945976A (en) Optical interconnect module based on glass substrate with polymer waveguides
JP3191729B2 (en) Optical semiconductor module and manufacturing method thereof
US7574084B2 (en) Photodetector coupled to a planar waveguide
JPH0734495B2 (en) Optoelectronic integrated circuit subassembly
WO2006084237A9 (en) Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components
JP3838164B2 (en) Optical communication element and method for manufacturing optical communication element
US20060126994A1 (en) Optical module and method of manufacturing the same
JP2823044B2 (en) Optical coupling circuit and method of manufacturing the same
JPH11271546A (en) Optical transmission and reception device
JPH08264748A (en) Optical waveguide integrated circuit device and its manufacture
JPH053748B2 (en)
JP2001100063A (en) Optical switching device and optical transmission and reception device, and manufacturing method thereof
EP1378777A2 (en) Optical waveguide device, manufacturing method thereof, and optical communication apparatus
JP4517461B2 (en) Manufacturing method of optical wiring module
JP2744309B2 (en) Coupling structure of optical waveguide and light receiving element
JP5047591B2 (en) Flexible optical waveguide and optical waveguide module
JP4487772B2 (en) Optical waveguide module
JP3718477B2 (en) Optical circuit
CN117096038B (en) Double-sided photoelectric interconnection packaging structure and preparation method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050607