JP2001100063A - Optical switching device and optical transmission and reception device, and manufacturing method thereof - Google Patents

Optical switching device and optical transmission and reception device, and manufacturing method thereof

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JP2001100063A
JP2001100063A JP27633699A JP27633699A JP2001100063A JP 2001100063 A JP2001100063 A JP 2001100063A JP 27633699 A JP27633699 A JP 27633699A JP 27633699 A JP27633699 A JP 27633699A JP 2001100063 A JP2001100063 A JP 2001100063A
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light
optical
optical waveguide
incident
region
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Japanese (ja)
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Takeshi Ogawa
剛 小川
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical switching device and an optical transmission and reception device, which can transmit and receive light signals to and from an optical transmission line and can be made small-sized and thin, and the manufacturing method thereof. SOLUTION: A received light signal L1 which has been propagated in an optical fiber 1 enters an optical waveguide 15 from an end surface 15a and is propagated in the optical waveguide 15 to reach an end surface 15b. The received signal L1 is almost totally reflected here and guided to a photodetection part 13 provided below a sealing layer 14 through the sealing layer 14. A transmit light signal L2 which is projected on the opposite side form a semiconductor substrate 11 from the main surface of a light emission part 12 enters the optical waveguide 15 from its end surface which is in contact with the sealing layer 14 through the sealing layer 14 and is propagated in the optical waveguide 15 to reach an optical path converting mirror 16. The transmit light signal L2 has its optical path converted by the optical path converting mirror 16 in the direction of the optical fiber 1 and is propagated in the optical waveguide 15 and then projected from the end surface 15a. Further, the transmit light signal L2 is guided into the optical fiber 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバなどの
光伝送手段と組み合わせて用いられる光転轍装置および
この光転轍装置を用いた光送受信装置、ならびにそれら
の製造方法に関する。The present invention relates to an optical switching device used in combination with an optical transmission means such as an optical fiber, an optical transmitting / receiving device using the optical switching device, and a method of manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＩＣ（Integrated Circuit；集積回路）
やＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit；大規模集
積回路）における技術の進歩により、それらの動作速度
や集積規模が向上し、例えばマイクロプロセッサの高性
能化やメモリチップの大容量化が急速に達成されてい
る。従来、機器内のボード間、あるいはボード内のチッ
プ間など比較的短距離間の情報伝達は、主に、電気信号
により行われてきた。今後、集積回路の性能をさらに向
上させるためには、信号の高速化や信号配線の高密度化
が必要となるが、電気信号配線においては、それら高速
化および高密度化が困難であると共に、配線のＣＲ
（Ｃ：配線の静電容量、Ｒ：配線の抵抗）時定数による
信号遅延が問題となってしまう。また、電気信号の高速
化や電気信号配線の高密度化は、ＥＭＩ（Electromagne
tic Interference）ノイズの原因となるため、その対策
も不可欠となる。2. Description of the Related Art IC (Integrated Circuit)
Advances in technology for large scale integrated circuits (LSIs) and large scale integrated circuits (LSIs) have increased their operating speeds and integration scales. For example, the performance of microprocessors and the capacity of memory chips have been rapidly increased. I have. Conventionally, information transmission over a relatively short distance, such as between boards in a device or between chips in a board, has been performed mainly by electric signals. In the future, in order to further improve the performance of integrated circuits, it is necessary to increase the speed of signals and increase the density of signal wiring. However, it is difficult to increase the speed and density of electric signal wiring, Wiring CR
(C: capacitance of wiring, R: resistance of wiring) Signal delay due to time constant becomes a problem. In addition, to increase the speed of electrical signals and increase the density of electrical signal wiring, EMI (Electromagne
tic Interference) Because it causes noise, countermeasures are also indispensable.

【０００３】そこで、これらの問題を解消するものとし
て、光配線（光インターコネクション）が注目されてい
る。光配線は、機器間、機器内のボード間、あるいはボ
ード内のチップ間など種々の箇所に適用可能であると考
えられている。例えば、機器間の光配線としては、コア
径が大きく接続が容易なプラスチック光ファイバを使用
した光リンクの利用が提案されている。また、機器内の
配線としては、例えばフレキシブルな光導波路を光伝送
路として使用した光リンクの利用が提案されている。さ
らに、ボード内のチップ間の接続においては、光導波路
やフリースペースによる光配線などの利用が提案されて
いる。In order to solve these problems, attention has been paid to optical wiring (optical interconnection). Optical wiring is considered to be applicable to various places, such as between devices, between boards in a device, or between chips in a board. For example, as optical wiring between devices, use of an optical link using a plastic optical fiber having a large core diameter and easy connection has been proposed. Further, as a wiring in a device, for example, use of an optical link using a flexible optical waveguide as an optical transmission line has been proposed. Further, for connection between chips in a board, use of an optical waveguide or optical wiring using free space has been proposed.

【０００４】プラスチック光ファイバを使用した光リン
ク装置の構成は、例えば特開平７−９９３４０号公報に
開示されている。この光リンク装置は、発光素子チップ
を封止した送信用パッケージと受光素子チップを封止し
た受信用パッケージとを別々に用いて構成されている。
この光リンク装置では、送信用および受信用の２個のパ
ッケージによって構成されているため、その体積が大き
くなってしまい、かつ１つの光リンクの構成に送信用お
よび受信用の２本の光ファイバが必要であった。A configuration of an optical link device using a plastic optical fiber is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-99340. This optical link device is configured by separately using a transmitting package in which a light emitting element chip is sealed and a receiving package in which a light receiving element chip is sealed.
In this optical link device, since it is constituted by two packages for transmission and reception, its volume becomes large, and two optical fibers for transmission and reception are combined into one optical link. Was needed.

【０００５】そこで、特開平９−１８１６７５号公報や
特開平９−３１８８５３号公報などにおいて、１つの光
リンクが１本の光ファイバのみを使用し、かつこの１本
の光ファイバを用いてデータの送信および受信を行うよ
うにした光送受信装置が提案されている。これらの光送
受信装置では、レーザカップラなどのハイブリッド光素
子で受発光を行うようになっている。Therefore, in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 9-181675 and Hei 9-318853, one optical link uses only one optical fiber, and data is transmitted using this one optical fiber. An optical transmitting and receiving device that performs transmission and reception has been proposed. In these optical transmitting and receiving apparatuses, light is received and emitted by a hybrid optical element such as a laser coupler.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−１８１６７５号公報および特開平９−３１８８５３
号公報に開示された光送受信装置では、光ファイバと光
素子とを高精度に固定しなければならないことに加え
て、全体の封止構造などが複雑であるために、高い信頼
性を有する光リンクを低コストで実現することが困難で
あるという問題があった。また、光ファイバに対する光
信号の送受信を、光送受信装置の基体平面の法線方向に
沿って行っているため、発光素子の駆動ＩＣなどの送信
回路や受光素子のインピーダンス変換ＩＣなどの受信回
路を光送受信装置に付随させて１つのパッケージを構成
した場合に、このパッケージの薄型化が困難であるとい
う問題もあった。However, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 9-181675 and Hei 9-318853 disclose the method.
In the optical transmitting and receiving device disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. H11-27138, in addition to the fact that the optical fiber and the optical element must be fixed with high accuracy, since the entire sealing structure and the like are complicated, high reliability There is a problem that it is difficult to realize a link at low cost. In addition, since transmission and reception of optical signals to and from the optical fiber are performed along the normal direction of the base plane of the optical transmission and reception device, transmission circuits such as driving ICs for light emitting elements and reception circuits such as impedance conversion ICs for light receiving elements are required. When one package is configured to be attached to the optical transceiver, there is also a problem that it is difficult to reduce the thickness of the package.

【０００７】一般に、上述したようなパッケージを機器
内に内蔵する場合には、そのパッケージ自体が小型化お
よび薄型化されていることが望ましい。小型化および薄
型化のためには、光信号の送受信を、この光送受信装置
の基体平面と平行な方向に沿って行うことが望まれる。
また、高密度化や小型化のためには、機器内のボード間
を結ぶ光リンクやチップ間を結ぶ光配線などにおいて
も、単一の光伝送路に対して光信号の送信および受信の
双方を行うことができる光送受信装置の実現が望まれ
る。In general, when a package as described above is built in a device, it is desirable that the package itself be reduced in size and thickness. In order to reduce the size and thickness, it is desirable to transmit and receive optical signals along a direction parallel to the plane of the base of the optical transceiver.
In addition, in order to increase the density and reduce the size of the optical signal, both optical signal transmission and reception to a single optical transmission line is required for an optical link connecting boards in an apparatus and an optical wiring connecting chips. It is desired to realize an optical transmitting and receiving device capable of performing the above.

【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、光伝送路との間で光信号の送受
信を行うことができ、かつ小型化・薄型化を実現するこ
とができる光転轍装置および光送受信装置ならびにそれ
らの製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to realize transmission and reception of an optical signal to and from an optical transmission line, and to realize a reduction in size and thickness. It is an object of the present invention to provide an optical switching device, an optical transmitting / receiving device, and a method for manufacturing the same.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明による光転轍装置
は、入射してきた第１の光を所定の方向に出射させるよ
うに導く光導波路と、光導波路の内部に設けられ、第１
の光の入射方向とは異なる方向から光導波路の内部に入
射した第２の光の伝搬方向を、第１の光の入射方向に対
して逆行する方向に変換する光路変換手段とを備えたも
のである。ここで、光転轍装置の「光転轍」とは、光導
波路などの内部を伝播する光が、その伝播方向に応じて
異なる経路へ導かれるようにすることを意味する。SUMMARY OF THE INVENTION An optical switching device according to the present invention is provided with an optical waveguide for guiding an incoming first light so as to be emitted in a predetermined direction, and provided inside the optical waveguide.
Optical path converting means for converting the propagation direction of the second light incident into the optical waveguide from a direction different from the incident direction of the light into a direction opposite to the incident direction of the first light. It is. Here, the “light switch” of the light switch device means that light propagating inside an optical waveguide or the like is guided to a different path depending on the propagation direction.

【００１０】本発明による光送受信装置は、光を受光す
るための受光部と、入射してきた第１の光を受光部に導
く光導波路と、第１の光の入射方向とは異なる方向に向
けて第２の光を出射する発光部と、光導波路の内部に設
けられ、発光部から出射されて光導波路の内部に入射し
た第２の光の伝搬方向を、第１の光の入射方向に対して
逆行する方向に変換する光路変換手段とを備えたもので
ある。An optical transmitting and receiving apparatus according to the present invention has a light receiving section for receiving light, an optical waveguide for guiding the first light that has entered the light receiving section, and a light guide that is directed in a direction different from the incident direction of the first light. A light emitting unit that emits the second light through the light guide, and a propagation direction of the second light that is provided inside the optical waveguide and is emitted from the light emitting unit and enters the inside of the optical waveguide, in a direction in which the first light is incident. Optical path conversion means for converting the light in a direction opposite to that of the light path.

【００１１】本発明による光転轍装置の製造方法は、入
射してきた第１の光を所定の方向に出射させるように導
く光導波路と、光導波路の内部に設けられ、第１の光の
入射方向とは異なる方向から光導波路の内部に入射した
第２の光の伝搬方向を、第１の光の入射方向に対して逆
行する方向に変換する光路変換手段と、光導波路を支持
する支持基体とを備えた光転轍装置の製造方法であっ
て、支持基体上の所定の領域に、剥離層を選択的に形成
する工程と、支持基体および剥離層を覆うように、光導
波路の一部となる下部領域を形成する工程と、下部領域
の少なくとも端部以外の箇所に光路変換手段を設ける工
程と、光路変換手段および下部領域を覆うように、光導
波路の一部となる上部領域を形成する工程と、光導波路
が形成されるべき領域と剥離層が形成された領域との境
界に沿って、上部領域および下部領域に、少なくとも剥
離層まで達する切り込みを入れる工程と、剥離層を除去
することにより、剥離層と接している下部領域およびそ
の上に形成された上部領域を選択的に除去して、光導波
路のパターンを形成する工程とを含むようにしたもので
ある。According to the method of manufacturing an optical switching device of the present invention, an optical waveguide for guiding incident first light so as to be emitted in a predetermined direction, and an optical waveguide provided inside the optical waveguide and receiving the first light are provided. An optical path converting means for converting the propagation direction of the second light incident on the inside of the optical waveguide from a direction different from the direction to a direction opposite to the incident direction of the first light, and a support base supporting the optical waveguide A method for manufacturing an optical switching device, comprising: a step of selectively forming a release layer in a predetermined region on a support base; and a part of the optical waveguide so as to cover the support base and the release layer. Forming a lower region, and providing an optical path conversion unit at least at a position other than the end of the lower region; and forming an upper region that becomes a part of the optical waveguide so as to cover the optical path conversion unit and the lower region. And the area where the optical waveguide is to be formed Along the boundary between the region where the release layer is formed and the upper region and the lower region, a step of making a cut reaching at least the release layer, and by removing the release layer, the lower region and the lower region in contact with the release layer Selectively removing an upper region formed thereon to form a pattern of an optical waveguide.

【００１２】本発明による光送受信装置の製造方法は、
光を受光するための受光部と、入射してきた第１の光を
受光部に導く光導波路と、第１の光の入射方向とは異な
る方向に向けて第２の光を出射する発光部と、光導波路
の内部に設けられ、発光部から出射されて光導波路の内
部に入射した第２の光の伝搬方向を、第１の光の入射方
向に対して逆行する方向に変換する光路変換手段と、受
光部、発光部および光導波路を支持する基板とを備えた
光送受信装置の製造方法であって、基板上に、受光部お
よび発光部を形成する工程と、基板、受光部および発光
部を覆うように封止層を形成する工程と、封止層上の所
定の領域に、剥離層を選択的に形成する工程と、封止層
および剥離層を覆うように、光導波路の一部となる下部
領域を形成する工程と、下部領域の発光部に対応する領
域に光路変換手段を設ける工程と、光路変換手段および
下部領域を覆うように、光導波路の一部となる上部領域
を形成する工程と、光導波路が形成されるべき領域と剥
離層が形成された領域との境界に沿って、上部領域およ
び下部領域に、少なくとも剥離層まで達する切り込みを
入れる工程と、剥離層を除去することにより、剥離層と
接している下部領域およびその上に形成された上部領域
を選択的に除去して、光導波路のパターンを形成する工
程とを含むようにしたものである。A method for manufacturing an optical transceiver according to the present invention comprises:
A light receiving unit for receiving light, an optical waveguide for guiding the incident first light to the light receiving unit, and a light emitting unit for emitting the second light in a direction different from the incident direction of the first light; An optical path converting means provided inside the optical waveguide, for converting the propagation direction of the second light emitted from the light emitting section and entering the optical waveguide into a direction opposite to the incident direction of the first light; And a method for manufacturing an optical transceiver including a light receiving unit, a light emitting unit, and a substrate supporting the optical waveguide, comprising: a step of forming the light receiving unit and the light emitting unit on the substrate; Forming a sealing layer so as to cover the sealing layer, selectively forming a peeling layer in a predetermined region on the sealing layer, and forming a part of the optical waveguide so as to cover the sealing layer and the peeling layer. Forming a lower region to be a light path changing means in a region corresponding to the light emitting portion of the lower region. Providing a step of forming an upper region that becomes a part of the optical waveguide so as to cover the optical path conversion means and the lower region; and providing a boundary between the region where the optical waveguide is to be formed and the region where the release layer is formed. Along the upper region and the lower region, a step of making a cut reaching at least to the release layer, and by removing the release layer, the lower region in contact with the release layer and the upper region formed thereon are selectively formed. And forming a pattern of the optical waveguide.

【００１３】本発明による光転轍装置では、光導波路に
入射してきた第１の光は、この光導波路によって所定の
方向に出射するように導かれる。また、光導波路には、
第１の光とは異なる方向から第２の光が入射する。この
第２の光は、光導波路の内部に設けられた光路変換手段
によって、第１の光の入射方向に対して逆行する方向に
伝搬方向を変換され、その方向に出射するように導かれ
る。すなわち、光導波路に入射された第１の光および第
２の光は、それぞれの入射方向に応じて異なる経路へと
導かれ、結果的に光転轍が行われる。In the optical switching device according to the present invention, the first light incident on the optical waveguide is guided by the optical waveguide so as to exit in a predetermined direction. Also, in the optical waveguide,
The second light enters from a direction different from the first light. The propagation direction of the second light is changed in a direction opposite to the incident direction of the first light by the optical path changing means provided inside the optical waveguide, and the second light is guided to be emitted in that direction. That is, the first light and the second light incident on the optical waveguide are guided to different paths according to the respective incident directions, and as a result, light switching is performed.

【００１４】本発明による光送受信装置では、光導波路
に入射してきた第１の光は、この光導波路によって所定
の方向に出射するように導かれたのち、光導波路から出
射し、受光部によって受光される。また、発光部から第
１の光とは異なる方向に向けて出射された第２の光は、
光導波路内に入射し、光導波路の内部に設けられた光路
変換手段によって、第１の光の入射方向に対して逆行す
る方向に伝搬方向を変換され、その方向に出射するよう
に導かれる。In the optical transmitting and receiving apparatus according to the present invention, the first light incident on the optical waveguide is guided by the optical waveguide so as to be emitted in a predetermined direction, then emitted from the optical waveguide, and received by the light receiving unit. Is done. The second light emitted from the light emitting unit in a direction different from the first light is:
The light enters the optical waveguide, and the propagation direction is changed by the optical path changing means provided inside the optical waveguide in a direction opposite to the incident direction of the first light, and the first light is guided to exit in the direction.

【００１５】本発明による光転轍装置の製造方法または
光送受信装置の製造方法では、まず、支持基体上、また
は基板上の封止層の上に選択的に形成された剥離層を介
して、下部領域、光路変換手段および上部領域がこの順
で形成される。次に、上部領域および下部領域の所定の
領域に切り込みが入れられたのち、剥離層を溶解するこ
とにより剥離層の上に形成されている下部領域および上
部領域が除去されて光導波路のパターン形成が行われ
る。In the method for manufacturing an optical switching device or the method for manufacturing an optical transmitting / receiving device according to the present invention, first, via a release layer selectively formed on a support base or a sealing layer on a substrate, The lower region, the optical path changing means, and the upper region are formed in this order. Next, after a predetermined region of the upper region and the lower region is cut, the lower region and the upper region formed on the release layer are removed by dissolving the release layer, thereby forming a pattern of the optical waveguide. Is performed.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００１７】［第１の実施の形態］まず、図１ないし図
３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る光送受
信装置の構成について説明する。図１は本実施の形態に
係る光送受信装置１０の構成を表す平面図であり、図２
は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。また、図
３は図１および図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図
である。なお、本実施の形態に係る光転轍装置は、本実
施の形態に係る光送受信装置によって具現化されるの
で、以下併せて説明する。[First Embodiment] First, a configuration of an optical transmitting / receiving apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of an optical transceiver 10 according to the present embodiment.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG. 1. FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III in FIGS. 1 and 2. Note that the optical switch device according to the present embodiment is embodied by the optical transmitting and receiving device according to the present embodiment, and thus will be described together.

【００１８】光送受信装置１０は、例えば、光伝送路で
ある光ファイバ１からの受信光信号Ｌ１を受信し、光フ
ァイバ１に対して送信光信号Ｌ２を送信するようになっ
ている。ここで、受信光信号Ｌ１が本発明の「第１の
光」の一具体例に対応しており、送信光信号Ｌ２が本発
明の「第２の光」の一具体例に対応している。この光送
受信装置１０は、基板１１と、基板１１上に配設された
発光部１２および受光部１３と、これら発光部１２およ
び受光部１３を封止するように基板１１を覆う封止層１
４と、封止層１５の上に形成された光導波路１５とを備
えている。The optical transmission / reception device 10 receives, for example, a reception optical signal L1 from an optical fiber 1 which is an optical transmission line, and transmits a transmission optical signal L2 to the optical fiber 1. Here, the received optical signal L1 corresponds to a specific example of “first light” of the present invention, and the transmitted optical signal L2 corresponds to one specific example of “second light” of the present invention. . The optical transceiver 10 includes a substrate 11, a light emitting unit 12 and a light receiving unit 13 disposed on the substrate 11, and a sealing layer 1 covering the substrate 11 so as to seal the light emitting unit 12 and the light receiving unit 13.
4 and an optical waveguide 15 formed on the sealing layer 15.

【００１９】基板１１は、例えばシリコン（Ｓｉ）また
はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板により構成
されている。この基板１１の表面には、絶縁層を介し
て、発光部１２または受光部１３に電力を供給するため
の電極パターンが必要に応じて設けられる。ここで、基
板１１が、本発明の「支持基体」の一具体例に対応して
いる。The substrate 11 is formed of a semiconductor substrate such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs). An electrode pattern for supplying power to the light emitting unit 12 or the light receiving unit 13 is provided on the surface of the substrate 11 via an insulating layer as necessary. Here, the substrate 11 corresponds to a specific example of the “support base” of the present invention.

【００２０】発光部１２は、例えばＶＣＳＥＬ（Vertic
al Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光型の
レーザダイオードにより構成されている。なお、ここで
面発光型とは、主たる表面から光が出射される型のもの
のことをいう。面発光型の発光素子（ここでは、レーザ
ダイオード）は、出射光の広がり角度が５〜１５°程度
と小さく、通信用として好適である。The light emitting unit 12 is, for example, a VCSEL (Vertic
al Cavity Surface Emitting Laser). Here, the surface-emitting type refers to a type in which light is emitted from a main surface. A surface-emitting type light-emitting element (here, a laser diode) has a small spread angle of emitted light of about 5 to 15 °, and is suitable for communication.

【００２１】受光部１３は、例えばシリコン系のｐｉｎ
フォトダイオード、または例えばガリウム砒素系のＭＳ
Ｍ（Metal-Schottky-Metal）フォトダイオードにより構
成される。なお、これらのフォトダイオードは、主表面
によって光を受ける面受光型のものである。The light receiving section 13 is, for example, a silicon-based pin.
Photodiode or MS, for example gallium arsenide
It is constituted by an M (Metal-Schottky-Metal) photodiode. Note that these photodiodes are of a surface light receiving type that receives light by a main surface.

【００２２】封止層１４は、屈折率が光導波路１５より
も小さい材料により構成されている。具体的には、例え
ば、屈折率が約１．５０であり、受信光信号Ｌ１および
送信光信号Ｌ２の波長に対して透明なエポキシ樹脂、ア
クリル樹脂あるいはポリイミド樹脂などの高分子材料に
より構成されている。また、石英やその他のガラス材料
により形成されている場合もある。この封止層１４は、
光導波路１５のクラッドとして機能するようになってい
る。また、ここでは、光導波路１５と接している空気も
クラッドとして機能するようになっている。The sealing layer 14 is made of a material having a smaller refractive index than the optical waveguide 15. Specifically, for example, it is made of a polymer material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a polyimide resin having a refractive index of about 1.50 and transparent to the wavelengths of the reception optical signal L1 and the transmission optical signal L2. I have. Further, it may be formed of quartz or another glass material. This sealing layer 14
The optical waveguide 15 functions as a clad. Here, air in contact with the optical waveguide 15 also functions as a clad.

【００２３】光導波路１５は、光ファイバ１とそれぞれ
の中心軸が一致するように配置されている。この光導波
路１５は、いわゆるリッジ型のものであり、既に述べた
ように、封止層１４の構成材料よりも屈折率が大きな高
分子材料により構成されている。光導波路１５の屈折率
は１．５以上であることが好ましい。封止層１４の屈折
率よりも光導波路１５の屈折率を大きくするのは、光導
波路１５に入射した受信光信号Ｌ１が効率よく受光部１
３へと導かれるようにするためである。また、屈折率が
１．５６程度であれば、より好ましい。なお、封止層１
４および光導波路１５は、光導波路１５の屈折率が封止
層１４の屈折率より大きく、受信光信号Ｌ１および送信
光信号Ｌ２の波長に対して透明な材料であれば、他の材
料により構成されていてもよい。The optical waveguide 15 is arranged so that the central axes of the optical waveguide 1 and the optical fiber 1 coincide with each other. The optical waveguide 15 is of a so-called ridge type, and is made of a polymer material having a higher refractive index than the constituent material of the sealing layer 14 as described above. The refractive index of the optical waveguide 15 is preferably 1.5 or more. The reason that the refractive index of the optical waveguide 15 is set to be larger than the refractive index of the sealing layer 14 is that the received light signal L1 incident on the optical waveguide 15 can efficiently receive light 1
This is in order to be led to 3. Further, it is more preferable that the refractive index is about 1.56. In addition, the sealing layer 1
4 and the optical waveguide 15 are made of another material as long as the refractive index of the optical waveguide 15 is larger than the refractive index of the sealing layer 14 and is transparent to the wavelengths of the received optical signal L1 and the transmitted optical signal L2. It may be.

【００２４】光導波路１５の内部には、発光部１２から
出射され、光導波路１５の内部に入射した送信光信号Ｌ
２の伝搬方向を例えば光ファイバ１の方向に変換させる
光路変換ミラー１６が設けられている。この光路変換ミ
ラー１６は、基板１１の主表面に対して光ファイバ１の
側にほぼ４５°の角度に傾斜するように設けられてい
る。光路変換ミラー１６は、送信光信号Ｌ２に対して高
い反射率を有していることが望ましく、アルミニウム
（Ａｌ）や金（Ａｕ）などよりなる金属膜あるいは二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）や五酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）などよりなる誘電体膜により構成されている。
なお、これらの金属膜あるいは誘電体膜は、１種類の膜
よりなってもよいし、複数種類の膜が順次堆積されてい
てもよい。光路変換ミラー１６の大きさは、できる限り
小さい方が好ましいが、実際には、発光部１２からの出
射光の広がり角度あるいは光ファイバ１および光導波路
１５の直径などに依存して決定される。例えば、光ファ
イバ１の直径が２００μｍ程度である場合には、光路変
換ミラー１６の径は５０μｍ程度とすることができる。
ここで、光路変換ミラー１６が、本発明の「光路変換手
段」の一具体例に対応している。また、光路変換ミラー
１６を含む光導波路１５が、本発明の「光転轍装置」の
一具体例に対応している。In the optical waveguide 15, the transmission optical signal L emitted from the light emitting section 12 and incident on the optical waveguide 15 is transmitted.
An optical path conversion mirror 16 for converting the propagation direction of the optical fiber 2 to the direction of the optical fiber 1 is provided. The optical path conversion mirror 16 is provided so as to be inclined at an angle of approximately 45 ° on the side of the optical fiber 1 with respect to the main surface of the substrate 11. The optical path conversion mirror 16 desirably has a high reflectance with respect to the transmission light signal L2, and includes a metal film made of aluminum (Al) or gold (Au), silicon dioxide (SiO 2 ), tantalum pentoxide, or the like. (Ta
2 O 5 ) and the like.
Note that these metal films or dielectric films may be composed of one type of film, or a plurality of types of films may be sequentially deposited. The size of the optical path conversion mirror 16 is preferably as small as possible, but is actually determined depending on the spread angle of the light emitted from the light emitting section 12 or the diameters of the optical fiber 1 and the optical waveguide 15. For example, when the diameter of the optical fiber 1 is about 200 μm, the diameter of the optical path conversion mirror 16 can be about 50 μm.
Here, the optical path conversion mirror 16 corresponds to a specific example of “optical path conversion means” of the present invention. The optical waveguide 15 including the optical path conversion mirror 16 corresponds to a specific example of the “optical switch device” of the present invention.

【００２５】また、光導波路１５は、光ファイバ１に対
向する端面１５ａと、この端面１５ａの反対の側に形成
された光路変換用の端面１５ｂとを有している。端面１
５ａは受信光信号Ｌ１の入射方向とほぼ垂直をなしてお
り、端面１５ｂは受信光信号Ｌ１の伝搬方向に対して例
えばほぼ４５°の角度をなす傾斜面となっている。光導
波路１５の屈折率が１．５以上である場合には、光導波
路１５の内部を伝搬する受信光信号Ｌ１は、端面１５ｂ
においてほぼ全反射して、効率よく受光部１３へと導か
れる。受光部１３へ導かれる送信光信号Ｌ２の強度をさ
らに高めるためには、端面１５ｂの外側に例えばアルミ
ニウムあるいは金などの金属や二酸化シリコンなどの誘
電体よりなる反射膜（図示せず）を設けるようにすれば
よい。ちなみに、この図示しない反射膜は、１種類の膜
よりなってもよいし、複数種類の膜が順次堆積されてい
てもよい。The optical waveguide 15 has an end face 15a facing the optical fiber 1, and an end face 15b for optical path conversion formed on the opposite side of the end face 15a. End face 1
5a is substantially perpendicular to the direction of incidence of the received optical signal L1, and the end face 15b is an inclined surface that forms an angle of, for example, approximately 45 ° with respect to the propagation direction of the received optical signal L1. When the refractive index of the optical waveguide 15 is 1.5 or more, the received optical signal L1 propagating inside the optical waveguide 15 is
, The light is almost totally reflected, and is efficiently guided to the light receiving unit 13. In order to further increase the intensity of the transmission light signal L2 guided to the light receiving unit 13, a reflection film (not shown) made of a metal such as aluminum or gold or a dielectric such as silicon dioxide is provided outside the end face 15b. What should I do? Incidentally, the reflection film (not shown) may be composed of one type of film, or a plurality of types of films may be sequentially deposited.

【００２６】なお、図１ないし図３に示した光送受信装
置１０では、発光部１２および受光部１３を半導体基板
１１上に設けて封止層１４により封止する構造とした
が、例えば図４に示したように、シリコンよりなる半導
体基板１１に、受光部１３としてのシリコン系ｐｉｎフ
ォトダイオードを埋め込む構造としてもよい。また、図
５に示したように、ガリウム砒素よりなる半導体基板１
１に、発光部１２としてのガリウム砒素系レーザダイオ
ードおよび受光部１３としてのガリウム砒素系ＭＳＭフ
ォトダイオードを埋め込む構造としてもよい。さらに、
図６に示したように、複数の凹部１１ａを有する半導体
基板１１の各凹部１１ａ，１１ｂ内に、発光部１２とし
てのレーザダイオードと受光部１３としてのフォトダイ
オードとをそれぞれ配設するようにしてもよい。図６に
示したような構造とすることにより、封止層１４の厚さ
を薄くすることができるので、光送受信装置１０全体を
より一層薄くすることができる。In the optical transmitting and receiving apparatus 10 shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting section 12 and the light receiving section 13 are provided on the semiconductor substrate 11 and are sealed by the sealing layer 14. As shown in (1), a structure in which a silicon-based pin photodiode as the light receiving unit 13 is embedded in the semiconductor substrate 11 made of silicon may be adopted. As shown in FIG. 5, a semiconductor substrate 1 made of gallium arsenide is used.
A structure in which a gallium arsenide-based laser diode serving as the light emitting unit 12 and a gallium arsenide-based MSM photodiode serving as the light receiving unit 13 may be embedded in FIG. further,
As shown in FIG. 6, a laser diode as a light-emitting unit 12 and a photodiode as a light-receiving unit 13 are arranged in each of the recesses 11a and 11b of the semiconductor substrate 11 having a plurality of recesses 11a. Is also good. With the structure shown in FIG. 6, the thickness of the sealing layer 14 can be reduced, so that the entire optical transceiver 10 can be further thinned.

【００２７】次に、光送受信装置１０の作用について説
明する。Next, the operation of the optical transceiver 10 will be described.

【００２８】この光送受信装置１０では、光ファイバ１
内を伝搬してきた受信光信号Ｌ１が、端面１５ａから光
導波路１５に入射し、光導波路１５の内部を伝搬して端
面１５ｂに到達する。受信光信号Ｌ１は、ここでほぼ全
反射して、封止層１４を介してその下方に設けられた受
光部１３へと導かれる。その結果、受光部１３は、受信
光信号Ｌ１を良好な感度で受信することができる。In this optical transmitting and receiving apparatus 10, the optical fiber 1
The received optical signal L1 propagating through the inside enters the optical waveguide 15 from the end face 15a, propagates inside the optical waveguide 15, and reaches the end face 15b. The received optical signal L1 is substantially totally reflected here, and is guided to the light receiving unit 13 provided thereunder via the sealing layer 14. As a result, the light receiving unit 13 can receive the received optical signal L1 with good sensitivity.

【００２９】一方、発光部１２の主表面から半導体基板
１１と反対側に出射された送信光信号Ｌ２は、封止層１
４を介して、封止層１４と接する光導波路１５の端面か
ら光導波路１５に入射し、光導波路１５の内部を伝搬し
て光路変換ミラー１６に到達する。送信光信号Ｌ２は、
光路変換ミラー１６によって光ファイバ１の方向へ光路
変換され、光導波路１５の内部を伝搬したのち、端面１
５ａから出射する。さらに、送信光信号Ｌ２は、光ファ
イバ１の内部を伝搬し、図示しない受信装置に到達し、
そこで受信される。On the other hand, the transmission light signal L2 emitted from the main surface of the light emitting section 12 to the side opposite to the semiconductor substrate 11 is
4, the light enters the optical waveguide 15 from the end face of the optical waveguide 15 that is in contact with the sealing layer 14, propagates inside the optical waveguide 15, and reaches the optical path conversion mirror 16. The transmission optical signal L2 is
The optical path is changed by the optical path conversion mirror 16 in the direction of the optical fiber 1, and after propagating inside the optical waveguide 15, the end face 1
Emitted from 5a. Further, the transmission optical signal L2 propagates inside the optical fiber 1 and reaches a receiving device (not shown).
It is received there.

【００３０】このように本実施の形態に係る光送受信装
置１０によれば、光導波路１５の内部に光路変換ミラー
１６を配設するようにしたので、光導波路１５を介して
発光部１２から出射した送信光信号Ｌ２を光ファイバ１
に送信することができる。また、光導波路１５に光路変
換用の端面１５ｂを設けるようにしたので、光ファイバ
１から発せられた受信光信号Ｌ１を受光部１３に導くこ
とができる。従って、１本の光ファイバ１を用いた簡易
な構成で光双方向通信を実現することができる。その結
果、光送受信装置１０の小型化および低コスト化が可能
になる。As described above, according to the optical transmitting and receiving apparatus 10 according to the present embodiment, since the optical path conversion mirror 16 is disposed inside the optical waveguide 15, the light is emitted from the light emitting unit 12 through the optical waveguide 15. The transmitted optical signal L2 is transmitted to the optical fiber 1
Can be sent to In addition, since the optical waveguide 15 is provided with the end face 15 b for optical path conversion, the received optical signal L 1 emitted from the optical fiber 1 can be guided to the light receiving unit 13. Therefore, optical bidirectional communication can be realized with a simple configuration using one optical fiber 1. As a result, the size and cost of the optical transceiver 10 can be reduced.

【００３１】さらに、本実施の形態に係る光送受信装置
１０によれば、半導体基板１１の上に、発光部１２およ
び受光部１３を覆うように封止層１４および光導波路１
５が形成されているので、半導体基板上において光導波
路１５，発光部１２および受光部１３が占める総配置面
積を小さくすることができ、その点からも光送受信装置
１０の小型化が可能になる。また、面発光型の発光素子
（ここでは、レーザダイオード）により発光部１２を構
成することができる。Further, according to the optical transmitting / receiving device 10 according to the present embodiment, the sealing layer 14 and the optical waveguide 1 are formed on the semiconductor substrate 11 so as to cover the light emitting portion 12 and the light receiving portion 13.
5, the total arrangement area occupied by the optical waveguide 15, the light emitting unit 12, and the light receiving unit 13 on the semiconductor substrate can be reduced, and in that respect, the size of the optical transceiver 10 can be reduced. . In addition, the light emitting unit 12 can be configured by a surface emitting type light emitting element (here, a laser diode).

【００３２】加えて、本実施の形態に係る光送受信装置
１０によれば、光ファイバ１の長手方向の中心軸と光導
波路１５の長手方向の中心軸とが、半導体基板１１の主
たる表面と平行な方向において、ほぼ一致しているの
で、光信号（受信光信号Ｌ１および送信光信号Ｌ２）が
半導体基板１１の表面と平行な方向に沿って伝搬する。
従って、光送受信装置１０の薄型化が可能になる。In addition, according to the optical transceiver 10 of the present embodiment, the central axis in the longitudinal direction of the optical fiber 1 and the central axis in the longitudinal direction of the optical waveguide 15 are parallel to the main surface of the semiconductor substrate 11. The optical signals (the received optical signal L1 and the transmitted optical signal L2) propagate in a direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 11 because the optical signals substantially coincide with each other.
Therefore, the thickness of the optical transceiver 10 can be reduced.

【００３３】次に、図７ないし図１５および先の図１な
いし図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る
光送受信装置１０の製造方法について説明する。図７な
いし図１５は、それぞれ本製造方法における主要な工程
を表すものである。これらの図で、（Ａ）は図２に示し
た断面に対応するものであり、（Ｂ）は図３に示した断
面に対応するものである。なお、本実施の形態に係る光
転轍装置の製造方法は、本実施の形態に係る光送受信装
置の製造方法によって具現化されるので、以下併せて説
明する。Next, a method for manufacturing the optical transceiver 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 15 and FIGS. 7 to 15 show main steps in the present manufacturing method, respectively. In these figures, (A) corresponds to the cross section shown in FIG. 2, and (B) corresponds to the cross section shown in FIG. The method for manufacturing the optical switch device according to the present embodiment is embodied by the method for manufacturing the optical transmitting and receiving device according to the present embodiment, and thus will be described together.

【００３４】まず、図７（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、必要に応じて発光部１２または受光部１３に電力を
供給するための電極パターン（図示せず）が配設された
ウェハ状の半導体基板１１上の所定の領域に、例えば面
発光型のレーザダイオードよりなる発光部１２を形成す
る。また、半導体基板１１上の所定の領域に、例えば面
受光型のフォトダイオードよりなる受光部１３を形成す
る。First, as shown in FIGS. 7A and 7B, an electrode pattern (not shown) for supplying power to the light emitting section 12 or the light receiving section 13 is provided as necessary. A light emitting unit 12 formed of, for example, a surface emitting laser diode is formed in a predetermined region on a wafer-like semiconductor substrate 11. In a predetermined region on the semiconductor substrate 11, a light receiving portion 13 formed of, for example, a surface light receiving type photodiode is formed.

【００３５】次に、図８（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、基板１１の上に、発光部１２および受光部１３を封
止するように、例えばスピンコート法により例えば熱硬
化型のエポキシ樹脂を所定の厚さになるように塗布す
る。この封止用のエポキシ樹脂の厚みは発光部１２と受
光部１３の高さにより異なる。例えば発光部１２と受光
部１３の高さが１００μｍとすると封止用樹脂は例えば
２００μｍの厚みとするのが好ましい。次に加熱処理を
行なって樹脂を固化させ、例えば屈折率が１．５０であ
る封止層１４を形成する。ただし、封止用樹脂として光
（ＵＶ）硬化型樹脂を用いる場合には、光照射により硬
化させる。Next, as shown in FIGS. 8A and 8B, the light emitting section 12 and the light receiving section 13 are sealed on the substrate 11 by, for example, a thermosetting type by a spin coating method. Is applied so as to have a predetermined thickness. The thickness of the sealing epoxy resin differs depending on the height of the light emitting unit 12 and the light receiving unit 13. For example, when the height of the light emitting unit 12 and the light receiving unit 13 is 100 μm, the thickness of the sealing resin is preferably, for example, 200 μm. Next, heat treatment is performed to solidify the resin, thereby forming a sealing layer 14 having a refractive index of, for example, 1.50. However, when a light (UV) curable resin is used as the sealing resin, the resin is cured by light irradiation.

【００３６】次に、図９（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、封止層１４上の後述する光導波路１５を形成する領
域以外の領域に、例えばフォトレジストよりなる剥離層
２１を形成する。この剥離層２１は、後工程において溶
解することにより、その上面に形成された下部領域１５
Ａおよび上部領域１５Ｂ（図１４参照）の一部を剥離し
て除去するためのものである。なお、剥離層２１の材料
としては、パターニングおよび溶解を容易に行うことが
可能な材料であればフォトレジスト以外でもよい。その
ような材料としては、例えば、アルミニウムまたはクロ
ム（Ｃｒ）などの金属材料やドライフィルムなどの高分
子材料が挙げられる。Next, as shown in FIGS. 9A and 9B, a release layer 21 made of, for example, a photoresist is formed on the sealing layer 14 in a region other than a region where an optical waveguide 15 described later is formed. Form. The release layer 21 is dissolved in a later step to form the lower region 15 formed on the upper surface thereof.
A and a part of the upper region 15B (see FIG. 14) are peeled and removed. The material of the release layer 21 may be any material other than the photoresist as long as the material can easily perform patterning and dissolution. Examples of such a material include a metal material such as aluminum or chromium (Cr) and a polymer material such as a dry film.

【００３７】次に、図１０（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、封止層１４およびその上に形成された剥離層２１を
覆うように、例えばスピンコート法によりエポキシ樹脂
を例えば１５０μｍ程度の厚さになるように塗布したの
ち、上記と同様に加熱処理等を行なって樹脂を固化さ
せ、例えば屈折率が１．５６である光導波路の一部とな
る下部領域１５Ａを形成する。Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, an epoxy resin is applied to cover the sealing layer 14 and the peeling layer 21 formed thereon by, for example, a spin coat method to a thickness of 150 μm, for example. After application to such a thickness, heat treatment or the like is performed in the same manner as described above to solidify the resin, thereby forming a lower region 15A that becomes a part of an optical waveguide having a refractive index of, for example, 1.56.

【００３８】次に、図１１（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、下部領域１５Ａのうちの発光部１２が形成されてい
る領域に対応する部分に、例えば基板１１の主表面に対
して４５°の角度をなす２つの傾斜面によって構成され
るＶ字型の溝部１５Ａ1 を形成する。具体的には、例え
ばＶ字型のダイシングブレード（図示せず）を用いてダ
イシングを行うことにより、下部領域１５Ａの表面に、
斜面の長さが例えば５０μｍ程度の溝部１５Ａ1 を形成
する。このとき、溝部Ａ1 の溝方向は、光伝搬方向と直
交する方向とする。なお、ダイシングの代わりにＲＩＥ
（Reactive IonEtching）などのドライエッチングを行
うことにより溝部１５Ａ1 を形成することもできる。Next, as shown in FIGS. 11A and 11B, a portion of the lower region 15A corresponding to the region where the light emitting portion 12 is formed, for example, with respect to the main surface of the substrate 11. the two inclined surfaces forming the groove 15A 1 of configured V-shaped at an angle of 45 ° Te. Specifically, for example, by performing dicing using a V-shaped dicing blade (not shown), the surface of the lower region 15A is
The length of the slope forming the groove 15A 1 of about 50μm for example. In this case, the groove direction of the groove portions A 1 is a direction perpendicular to the light propagation direction. RIE instead of dicing
It is also possible to form the groove portions 15A 1 by dry etching such as (Reactive Ion Etching).

【００３９】次に、図１２（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、例えば蒸着法および通常のリソグラフィ技術を用い
て、Ｖ字型の溝部１５Ａ1 を構成する２つの傾斜面のう
ちの光導波路の端面１５ａ（図１および図２参照）が形
成される側の面に、例えば厚さ２００ｎｍのアルミニウ
ム膜よりなる光路変換ミラー１６を形成する。Next, as shown in FIG. 12 (A), (B) , for example, vapor deposition and using an ordinary lithography technique, of the two inclined surfaces forming a groove 15A 1 of the V-shaped An optical path conversion mirror 16 made of, for example, a 200-nm-thick aluminum film is formed on the surface on the side where the end surface 15a (see FIGS. 1 and 2) of the optical waveguide is formed.

【００４０】次に、図１３（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、光路変換ミラー１６が形成された下部領域１５Ａの
上に、下部領域１５Ａと同一の材料を用いて、例えば、
下部領域１５Ａの形成方法と同様の方法により厚さ５０
μｍの、光導波路の一部となる上部領域１５Ｂを形成す
る。これにより、光路変換ミラー１６は、光導波路の内
部に閉じ込められる構造となる。Next, as shown in FIGS. 13A and 13B, using the same material as the lower region 15A on the lower region 15A on which the optical path conversion mirror 16 is formed, for example,
The thickness 50 is formed by the same method as the method of forming the lower region 15A.
An upper region 15B of μm which becomes a part of the optical waveguide is formed. Thus, the optical path conversion mirror 16 has a structure that is confined inside the optical waveguide.

【００４１】なお、封止層１４、下部領域１５Ａおよび
上部領域１５Ｂは、それらの各下地層上に光硬化性樹脂
を塗布したのち、この光硬化性樹脂に対して光照射を行
って樹脂を硬化させることにより形成してもよい。ま
た、スピンコート法に代えてディップ法などを用いても
形成することができるが、封止層１４と下部領域１５Ａ
との界面をできる限り滑らかにすることが望ましいこと
を考慮に入れると、スピンコート法の方が好ましい。The sealing layer 14, the lower region 15A, and the upper region 15B are coated with a photocurable resin on each of the underlying layers and then irradiated with light to cure the resin. It may be formed by curing. Further, it can be formed by using a dip method or the like instead of the spin coating method, but the sealing layer 14 and the lower region 15A can be formed.
Taking into account that it is desirable to make the interface as smooth as possible, the spin coating method is preferred.

【００４２】次に、図１４（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、各々のチップ状基板への分割を行うと共に、例えば
ダイシングブレード（図示せず）を用いてダイシングを
行うことにより、上部領域１５Ｂおよび下部領域１５Ａ
の所定の箇所に、剥離層２１に達する切り込みを形成す
る。具体的には、まず、ウェハ状の半導体基板１１か
ら、封止層１４、下部領域１５Ａおよび上部領域１５Ｂ
が形成された、所定の大きさのチップ状基板を切り出
す。これと同時に、図１４（Ａ）に示したように、光導
波路の端面１５ａが形成される。次に、例えばダイシン
グあるいはフォトリソグラフィ技術を用いたＲＩＥなど
の異方性エッチングを行うことにより、少なくとも剥離
層２１に達する切り込み部１５ｃを設ける。これによ
り、光導波路の側面（長手方向の端面）が形成される。
そののち、例えばダイシングブレード（図示せず）を用
いてダイシングを行うことにより、受信光信号Ｌ１の伝
搬方向に対して例えばほぼ４５°の角度をなす傾斜面を
形成する。この傾斜面が、コア層における光路変換用の
端面１５ｂとなる。Next, as shown in FIGS. 14A and 14B, the wafer is divided into respective chip-shaped substrates and dicing is performed by using, for example, a dicing blade (not shown). Upper region 15B and lower region 15A
A cut reaching the release layer 21 is formed at a predetermined position. Specifically, first, the sealing layer 14, the lower region 15A, and the upper region 15B are formed from the wafer-shaped semiconductor substrate 11.
A chip-shaped substrate having a predetermined size on which is formed is cut out. At the same time, as shown in FIG. 14A, an end face 15a of the optical waveguide is formed. Next, by performing anisotropic etching such as RIE using a dicing or photolithography technique, a cut portion 15c reaching at least the release layer 21 is provided. Thereby, the side surface (end surface in the longitudinal direction) of the optical waveguide is formed.
Thereafter, dicing is performed using, for example, a dicing blade (not shown), thereby forming an inclined surface having an angle of, for example, approximately 45 ° with respect to the propagation direction of the received optical signal L1. This inclined surface becomes an end surface 15b for optical path conversion in the core layer.

【００４３】最後に、図１５（Ａ），（Ｂ）に示したよ
うに、例えば、アセトンなどの有機溶剤を用いて、発光
部１２、受光部１３、封止層１４および光導波路１５な
どに影響を及ぼさないようにフォトレジストよりなる剥
離層２１を溶解除去することにより、剥離層２１と接し
ている下部領域１５Ａおよび上部領域１５Ｂを選択的に
除去する（リフトオフ法）。これにより、光導波路１５
がパターン形成され、光導波路１５の内部に光路変換ミ
ラー１６が閉じ込められた構造を有する図１ないし図３
に示した光送受信装置が完成する。なお、剥離層２１が
アルミニウムやクロムなどの金属により形成されている
場合には、例えば酸性溶液やアルカリ性溶液を用いて剥
離層２１を溶解除去する。また、ドライフィルムにより
形成されている場合には、例えば水酸化ナトリウム（Ｎ
ａＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などのアルカリ性
溶液を用いて溶解除去する。Finally, as shown in FIGS. 15A and 15B, the light emitting portion 12, the light receiving portion 13, the sealing layer 14, the optical waveguide 15, and the like are formed by using an organic solvent such as acetone. The lower region 15A and the upper region 15B in contact with the release layer 21 are selectively removed by dissolving and removing the release layer 21 made of the photoresist so as not to affect (lift-off method). Thereby, the optical waveguide 15
1 to 3 having a structure in which an optical path conversion mirror 16 is confined inside an optical waveguide 15 in which a pattern is formed.
Is completed. If the release layer 21 is formed of a metal such as aluminum or chromium, the release layer 21 is dissolved and removed using, for example, an acidic solution or an alkaline solution. In the case of being formed by a dry film, for example, sodium hydroxide (N
aOH) or potassium hydroxide (KOH) for dissolution and removal.

【００４４】このように本実施の形態に係る光送受信装
置の製造方法によれば、封止層１４の上に選択的に形成
された剥離層２１を介して、下部領域１５Ａ，光路変換
ミラー１６および上部領域１５Ｂをこの順に形成するこ
とにより内部に光路変換ミラー１６を閉じ込め、さらに
光路変換用の端面１５ｂを設けたのち、剥離層２１を溶
解することにより剥離層２１の上に形成されている下部
領域１５Ａおよび上部領域１５Ｂを除去して光導波路１
５を形成するようにしたので、光送受信装置１０を容易
に製造することができる。As described above, according to the method of manufacturing the optical transmitting / receiving device according to the present embodiment, the lower region 15A and the optical path conversion mirror 16 are interposed via the release layer 21 selectively formed on the sealing layer 14. The upper surface 15B and the upper region 15B are formed in this order to confine the optical path conversion mirror 16 therein. Further, after the end surface 15b for optical path conversion is provided, the release layer 21 is melted to be formed on the release layer 21. By removing the lower region 15A and the upper region 15B, the optical waveguide 1
5, the optical transceiver 10 can be easily manufactured.

【００４５】（変形例）次に、図１６ないし図１９を参
照して、本発明の第１の実施の形態の変形例について説
明する。本変形例に係る光送受信装置３０は、第１の実
施の形態のリッジ型の光導波路１５に代えて、埋め込み
型の光導波路３１を備えたことを除き、他は第１の実施
の形態と同一の構成を有している。図１６ないし図１９
において、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一
の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。な
お、図１６は、本変形例に係る光送受信装置３０の断面
構成を表し、図１７ないし図１９は、それぞれ本変形例
に係る製造方法における主要な工程を表すものである。
各図において、（Ａ）は図２に示した断面に対応するも
のであり、（Ｂ）は図３に示した断面に対応するもので
ある。(Modification) Next, a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The optical transmission / reception device 30 according to this modification is the same as the first embodiment except that a buried optical waveguide 31 is provided instead of the ridge-type optical waveguide 15 of the first embodiment. It has the same configuration. 16 to 19
, The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. FIG. 16 shows a cross-sectional configuration of the optical transceiver 30 according to the present modification, and FIGS. 17 to 19 each show main steps in a manufacturing method according to the present modification.
In each figure, (A) corresponds to the cross section shown in FIG. 2, and (B) corresponds to the cross section shown in FIG.

【００４６】本変形例における光導波路３１は、コアと
しての光導波路１５と、クラッド３２とを含んで構成さ
れている。クラッド３２は、光導波路１５の表面のう
ち、端面１５ａおよび光路変換用の端面１５ｂ以外の部
分を覆って、光導波路１５構成材料よりも屈折率が低い
材料より構成されている。この構造の光導波路３１で
は、低屈折率のクラッド３２により光導波路１５が被覆
されているので、高い光伝搬効率を維持しつつ、光導波
路１５の損傷を防止することができる。また、光導波路
１５の端面上にはクラッド３２が形成されていないの
で、光送受信装置１０の場合と同様に端面が屈折率１．
００である空気と接することとなり、全反射の臨界角を
小さくすることができると共に、端面１５ｂにおける光
損失を小さくすることができる。The optical waveguide 31 according to this modification includes an optical waveguide 15 as a core and a clad 32. The clad 32 covers a part of the surface of the optical waveguide 15 other than the end face 15a and the end face 15b for converting an optical path, and is made of a material having a lower refractive index than the constituent material of the optical waveguide 15. In the optical waveguide 31 having this structure, since the optical waveguide 15 is covered with the clad 32 having a low refractive index, damage to the optical waveguide 15 can be prevented while maintaining high light propagation efficiency. Since the cladding 32 is not formed on the end face of the optical waveguide 15, the end face has a refractive index of 1.10 as in the case of the optical transceiver 10.
Since it comes into contact with the air of 00, the critical angle of total reflection can be reduced, and the light loss at the end face 15b can be reduced.

【００４７】このような構造を有する光送受信装置３０
は、次のようにして製造することができる。The optical transmission / reception device 30 having such a structure
Can be manufactured as follows.

【００４８】まず、第１の実施の形態の図４〜図１３に
示した工程と同様にして、ウェハ状の半導体基板１１の
上に、発光部１２，受光部１３，封止層１４，剥離層２
１，下部領域１５Ａ，光路変換ミラー１６および上部領
域１５Ｂをそれぞれ形成する。そののち、図１７
（Ａ），（Ｂ）に示したように、例えばダイシングある
いはフォトリソグラフィ技術を用いたＲＩＥなどの異方
性ドライエッチングを行うことにより、少なくとも剥離
層２１に達する切り込み部１５ｃを設ける。これによ
り、コア層の側面（長手方向の端面）が形成される。First, in the same manner as the steps shown in FIGS. 4 to 13 of the first embodiment, a light emitting section 12, a light receiving section 13, a sealing layer 14, and a peeling layer are formed on a wafer-like semiconductor substrate 11. Layer 2
1, a lower region 15A, an optical path conversion mirror 16, and an upper region 15B are formed. After that, FIG.
As shown in (A) and (B), for example, by performing anisotropic dry etching such as RIE using dicing or photolithography technology, a cut portion 15c reaching at least the release layer 21 is provided. Thereby, the side surface (end surface in the longitudinal direction) of the core layer is formed.

【００４９】次に、上部領域１５Ｂおよび下部領域１５
Ａうちの、切り込み部１５ｃにより内部に光路変換ミラ
ー１６が閉じ込められた部分と離間した領域について、
例えばアセトンなどの有機溶剤を用いて、発光部１２、
受光部１３および封止層１４などに影響を及ぼさないよ
うに例えばフォトレジストよりなる剥離層２１を溶解除
去することにより、剥離層２１と接している下部領域１
５Ａおよび上部領域１５Ｂを選択的に除去する。続い
て、図１８（Ａ），（Ｂ）に示したように、例えば、上
部領域１５Ｂの上面および側面と下部領域１５Ａの側面
とを覆うように、下部領域１５Ａおよび上部領域１５Ｂ
の構成材料よりも屈折率が小さい材料を用いて、例えば
封止層１４の形成方法と同様の方法により厚さ５０μｍ
のクラッド３２を形成する。Next, the upper region 15B and the lower region 15
Of the area A, the area separated from the part where the optical path conversion mirror 16 is confined inside by the cutout part 15c is:
For example, using an organic solvent such as acetone,
By dissolving and removing the release layer 21 made of, for example, a photoresist so as not to affect the light receiving portion 13 and the sealing layer 14, the lower region 1 in contact with the release layer 21 is removed.
5A and the upper region 15B are selectively removed. Subsequently, as shown in FIGS. 18A and 18B, for example, the lower region 15A and the upper region 15B are covered so as to cover the upper surface and the side surface of the upper region 15B and the side surface of the lower region 15A.
Using a material having a smaller refractive index than the constituent material of the above, for example, a thickness of 50 μm
Is formed.

【００５０】次に、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、ウェハ状の基板１１から、封止層１４，下部領域１
５Ａ，上部領域１５Ｂおよびクラッド３２が形成され
た、所定の大きさのチップ状基板を切り出す。これと同
時に、図１９（Ａ）に示したように、光導波路３１の端
面１５ａが形成される。そののち、例えばダイシングブ
レード（図示せず）を用いてダイシングを行うことによ
り、受信光信号Ｌ１の伝搬方向に対して例えばほぼ４５
°の角度をなす傾斜面をクラッド３２、上部領域１５Ｂ
および下部領域１５Ａに連続的に形成する。この傾斜面
が、光路変換用の端面１５ｂとなる。Next, as shown in FIGS. 19A and 19B, the sealing layer 14 and the lower region 1 are removed from the wafer-like substrate 11.
A chip-shaped substrate having a predetermined size, on which 5A, the upper region 15B and the clad 32 are formed, is cut out. At the same time, as shown in FIG. 19A, the end face 15a of the optical waveguide 31 is formed. After that, by performing dicing using, for example, a dicing blade (not shown), for example, approximately 45 degrees with respect to the propagation direction of the received optical signal L1.
The inclined surface having an angle of ° is formed by the cladding 32 and the upper region 15B.
And in the lower region 15A. This inclined surface becomes the end surface 15b for optical path conversion.

【００５１】最後に、例えばアセトンなどの有機溶剤を
用いて、発光部１２、受光部１３および封止層１４など
に影響を及ぼさないように例えばフォトレジストよりな
る剥離層２１を溶解除去することにより、剥離層２１と
接している下部領域１５Ａおよび上部領域１５Ｂを選択
的に除去する。これにより、光導波路１５の内部に光路
変換ミラー１６が閉じ込められた構造を有する図１６
（Ａ），（Ｂ）に示した光送受信装置３０が完成する。Finally, the release layer 21 made of, for example, a photoresist is dissolved and removed by using an organic solvent such as acetone so as not to affect the light emitting portion 12, the light receiving portion 13, the sealing layer 14 and the like. Then, the lower region 15A and the upper region 15B that are in contact with the release layer 21 are selectively removed. As a result, the optical waveguide 15 has a structure in which the optical path conversion mirror 16 is confined inside, as shown in FIG.
The optical transceiver 30 shown in (A) and (B) is completed.

【００５２】このように本変形例に係る光送受信装置３
０によれば、光導波路３１のコア（光導波路１５）をク
ラッド３２によって覆うようにしたので、コアがクラッ
ド３３によって保護され、コアの損傷が防止される。As described above, the optical transceiver 3 according to the present modification example
According to No. 0, the core (optical waveguide 15) of the optical waveguide 31 is covered by the clad 32, so that the core is protected by the clad 33 and damage to the core is prevented.

【００５３】さらに、本発明の第１の実施の形態に係る
光送受信装置１０の応用例について説明する。Further, an application example of the optical transceiver 10 according to the first embodiment of the present invention will be described.

【００５４】（第１の応用例）図２０は、光送受信装置
１０の第１の応用例に係る双方向光伝送モジュールの断
面構造を表すものである。この双方向光伝送モジュール
は、プリント配線基板などの電気配線基板４１の上に、
電気配線基板４１の主表面と平行な方向に沿って光信号
が伝搬するように配置された光送受信装置１０と、光送
受信装置１０の近傍に配設された複数の半導体素子４２
とを備えている。半導体素子４２には、例えば、発光部
１２を駆動するための駆動ＩＣ（例えば、レーザダイオ
ードなどの駆動回路素子）、受光部１３のインピーダン
ス変換ＩＣや増幅ＩＣ（例えば、フォトダイオードの増
幅回路素子）などがある。各半導体素子４２と光送受信
装置１０の発光部１２および受光部１３との間は、例え
ば金、銅あるいはアルミニウムよりなるボンディングワ
イヤ４３によって、電気配線基板４１を介してそれぞれ
電気的に接続されている。(First Application Example) FIG. 20 shows a cross-sectional structure of a bidirectional optical transmission module according to a first application example of the optical transceiver 10. This bidirectional optical transmission module is mounted on an electric wiring board 41 such as a printed wiring board.
An optical transmission and reception device 10 arranged so that an optical signal propagates in a direction parallel to a main surface of the electric wiring board 41; and a plurality of semiconductor elements 42 arranged near the optical transmission and reception device 10
And The semiconductor element 42 includes, for example, a driving IC (for example, a driving circuit element such as a laser diode) for driving the light emitting unit 12, an impedance conversion IC and an amplifying IC (for example, a photodiode amplifying circuit element) of the light receiving unit 13. and so on. Each semiconductor element 42 and the light emitting unit 12 and the light receiving unit 13 of the optical transceiver 10 are electrically connected to each other via the electric wiring board 41 by bonding wires 43 made of, for example, gold, copper, or aluminum. .

【００５５】このような構成を有する双方向光伝送モジ
ュールでは、電気配線基板４１から供給された電力によ
って、発光部１２、受光部１３および各半導体素子４２
が動作可能な状態となる。この状態で、例えば半導体素
子４２から発光部１２に電気信号が出力されると、発光
部１２は、電気信号を送信光信号Ｌ２に変換して、送信
光信号Ｌ２を出射する。出射された送信光信号Ｌ２は、
封止層１４を介して、封止層１４と接する光導波路１５
の端面から光導波路１５に入射し、光導波路１５の内部
を伝搬して光路変換ミラー１６に到達する。送信光信号
Ｌ２は、光路変換ミラー１６によって、光ファイバ１の
方向へ光路変換され、光導波路１５の内部を伝搬したの
ち、端面１５ａから出射する。さらに、送信光信号Ｌ２
は、光ファイバ１の内部を伝搬し、図示しない受信装置
に到達し、そこで受信されたのち、電気信号に変換さ
れ、図示しない半導体素子に入力される。In the bidirectional optical transmission module having such a configuration, the light emitting unit 12, the light receiving unit 13, and each semiconductor element 42 are supplied by the power supplied from the electric wiring board 41.
Becomes operable. In this state, for example, when an electric signal is output from the semiconductor element 42 to the light emitting unit 12, the light emitting unit 12 converts the electric signal into a transmission optical signal L2 and emits the transmission optical signal L2. The emitted transmission optical signal L2 is
An optical waveguide 15 in contact with the sealing layer 14 via the sealing layer 14
The light enters the optical waveguide 15 from the end face thereof, propagates inside the optical waveguide 15, and reaches the optical path conversion mirror 16. The transmission optical signal L2 is optically path-converted by the optical path conversion mirror 16 in the direction of the optical fiber 1, propagates inside the optical waveguide 15, and emerges from the end face 15a. Further, the transmission optical signal L2
Propagates through the inside of the optical fiber 1, reaches a receiving device (not shown), is received there, is converted into an electric signal, and is input to a semiconductor device (not shown).

【００５６】一方、図示しない半導体素子から出力され
た電気信号が図示しない受信装置に到達し、そこで受信
光信号Ｌ１に変換されたのち、この受信光信号Ｌ１が光
ファイバ１内を伝搬して、端面１５ａから光導波路１５
に入射すると、受信光信号Ｌ１は光導波路１５の内部を
伝搬して端面１５ｂに到達し、ここでほぼ全反射して、
封止層１４を介してその下方に設けられた受光部１３へ
と導かれる。受光部１３に入射した受信光信号Ｌ１は、
例えば電気信号に変換されて半導体素子４２に入力され
る。On the other hand, an electric signal output from a semiconductor element (not shown) arrives at a receiving device (not shown), where it is converted into a received optical signal L 1, and the received optical signal L 1 propagates through the optical fiber 1. From the end face 15a to the optical waveguide 15
, The received optical signal L1 propagates inside the optical waveguide 15 and reaches the end face 15b, where it is almost totally reflected,
The light is guided through the sealing layer 14 to the light receiving portion 13 provided thereunder. The received light signal L1 incident on the light receiving unit 13 is
For example, it is converted into an electric signal and input to the semiconductor element 42.

【００５７】このようにして、半導体素子４２と図示し
ない半導体素子との間で高速に伝送すべき信号は、光信
号（受信光信号Ｌ１または送信光信号Ｌ２）として高速
伝送される。また、低速コントロール信号などの比較的
低速で伝送してもよい信号の伝送は電気配線基板４１の
電気配線によって電気信号として伝送される。In this way, a signal to be transmitted at high speed between the semiconductor element 42 and a semiconductor element (not shown) is transmitted at high speed as an optical signal (received optical signal L1 or transmitted optical signal L2). In addition, transmission of a signal that may be transmitted at a relatively low speed, such as a low-speed control signal, is transmitted as an electric signal through the electric wiring of the electric wiring board 41.

【００５８】本応用例では、半導体素子などの電子部品
が実装される電気配線基板４１の上に、電気配線基板４
１の主表面と平行な方向に沿って光信号が伝搬するよう
に配置された光送受信装置１０を配設するようにしたの
で、非常に薄型化および小型化された電子機器を実現す
ることができる。In this application example, the electric wiring board 4 is mounted on the electric wiring board 41 on which electronic parts such as semiconductor elements are mounted.
Since the optical transceiver 10 is arranged so that the optical signal propagates along the direction parallel to the main surface of the first electronic device 1, it is possible to realize a very thin and compact electronic device. it can.

【００５９】（第２の応用例）図２１は、光送受信装置
１０の第２の応用例に係るマルチチャネル光送受信装置
の平面構造を表すものである。このマルチチャネル光送
受信装置は、アレイ状に配置された複数の光ファイバ１
の各々に対応するように、電気配線基板４１上に所定の
間隔で複数の光送受信装置１０が配設されている。この
ような構成とすることにより、マルチチャネルの光リン
クを容易に構築することができる。(Second Application) FIG. 21 shows a planar structure of a multi-channel optical transmission / reception device according to a second application of the optical transmission / reception device 10. This multi-channel optical transmission / reception device includes a plurality of optical fibers 1 arranged in an array.
Are arranged on the electric wiring board 41 at a predetermined interval. With such a configuration, a multi-channel optical link can be easily constructed.

【００６０】［第２の実施の形態］図２２は本発明の第
２の実施の形態に係る光送受信装置５０の断面構造を表
すものである。この光送受信装置５０は、第１の実施の
形態における受光部１３に代えて受光部１３よりも受光
面積が小さい受光部５１を備えたこと、第１の実施の形
態における光導波路１５に代えて光導波路１５よりも受
信光信号Ｌ１が入射する端面５２ａの断面積が小さい光
導波路５２を備えたこと、および第１の実施の形態と同
様の光ファイバ１と光導波路５２との間にさらに光結合
用レンズ５３を備えたことを除き、他は第１の実施の形
態と同一の構成を有している。よって、第１の実施の形
態と同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではそ
の説明を省略する。ここで、光結合用レンズ５３が、本
発明の「集光手段」の一具体例に対応している。[Second Embodiment] FIG. 22 shows a sectional structure of an optical transceiver 50 according to a second embodiment of the present invention. This optical transceiver 50 includes a light receiving section 51 having a smaller light receiving area than the light receiving section 13 in place of the light receiving section 13 in the first embodiment, and replaces the optical waveguide 15 in the first embodiment. An optical waveguide 52 having a smaller cross-sectional area at an end face 52a on which the received optical signal L1 is incident than the optical waveguide 15 is provided, and further light is provided between the optical fiber 1 and the optical waveguide 52 as in the first embodiment. Except for having the coupling lens 53, the other configuration is the same as that of the first embodiment. Therefore, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Here, the optical coupling lens 53 corresponds to a specific example of the “light collecting unit” of the present invention.

【００６１】受光部５１は、例えば、受光径が数百μｍ
以下のフォトダイオードにより構成されている。受光部
５１の受光面積を小さくすることにより、送信光信号Ｌ
１が高速の信号であってもそれに追随でき、受光部５１
の応答性能を向上させることができる。The light receiving section 51 has, for example, a light receiving diameter of several hundred μm.
It is composed of the following photodiodes. By reducing the light receiving area of the light receiving section 51, the transmission light signal L
Even if the signal 1 is a high-speed signal, it can follow the signal.
Response performance can be improved.

【００６２】光導波路５２は、第１の実施の形態と同様
に、封止層１４よりも屈折率が大きい材料により構成さ
れている。この光導波路５２は、受光面積が小さい受光
部５１を使用した場合においても、入射した光をできる
限り多く受光し得るように、断面積が小さくなってい
る。光導波路５２の断面積は、光ファイバ１の断面積よ
りも小さい場合もある。The optical waveguide 52 is made of a material having a higher refractive index than that of the sealing layer 14, as in the first embodiment. The optical waveguide 52 has a small sectional area so that even when the light receiving section 51 having a small light receiving area is used, it can receive as much incident light as possible. The cross-sectional area of the optical waveguide 52 may be smaller than the cross-sectional area of the optical fiber 1 in some cases.

【００６３】光結合用レンズ５３は、光ファイバ１から
出射される受信光信号Ｌ１およびコア層５２から出射さ
れる送信光信号Ｌ２を集光させるためのものであり、例
えば通常の凸レンズにより構成されている。この光結合
用レンズ５３は、例えば、半導体基板１１に設けられた
溝部１１ｂによって固定されている。但し、凸レンズに
代えて、円筒の中心軸付近の屈折率は高く中心軸から遠
くなるに従って屈折率が低くなるという屈折率分布によ
って凸レンズ作用を発揮するロッドレンズを用いるよう
にしてもよい。The optical coupling lens 53 is for condensing the received optical signal L1 emitted from the optical fiber 1 and the transmitted optical signal L2 emitted from the core layer 52, and is composed of, for example, a normal convex lens. ing. The optical coupling lens 53 is fixed by, for example, a groove 11 b provided in the semiconductor substrate 11. However, instead of the convex lens, a rod lens that exhibits a convex lens function by a refractive index distribution in which the refractive index near the central axis of the cylinder is high and the refractive index decreases as the distance from the central axis decreases.

【００６４】本実施の形態では、結合用レンズ５３の作
用により、受光部５１に到達する光量が少なくなって受
信感度が低下することが防止される。なぜならば、光導
波路５２の断面積が光ファイバ１の断面積よりも小さい
場合にも、光ファイバ１から出射された送信光信号Ｌ１
のうちの一部が光導波路５２の内部に入射せず、外部に
漏れてしまうことが防止されるからである。従って、高
速の受信動作を行うことができ、同時に受信感度を改善
することもできる。また、光導波路５２から出射した送
信光信号Ｌ２も集光されて、光ファイバ１に効率よく導
かれる。In the present embodiment, the effect of the coupling lens 53 prevents the amount of light reaching the light receiving section 51 from being reduced and the receiving sensitivity from being reduced. This is because even when the cross-sectional area of the optical waveguide 52 is smaller than the cross-sectional area of the optical fiber 1, the transmission optical signal L1
Is prevented from entering the inside of the optical waveguide 52 and leaking to the outside. Therefore, a high-speed receiving operation can be performed, and at the same time, the receiving sensitivity can be improved. Further, the transmission optical signal L2 emitted from the optical waveguide 52 is also collected and guided to the optical fiber 1 efficiently.

【００６５】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものでは
なく、種々変形可能である。例えば、上記第２の実施の
形態では、光結合用レンズ５４を採用することにより、
受光面積が小さい受光部５１を用いて、高速の受信動作
を可能にすると同時に十分な受信感度を確保するように
したが、光結合用レンズ５４を用いない場合において
も、例えば図２３に示したような構造とすることによ
り、受光面積が小さい受光部５１を使用して高速動作が
可能な光送受信装置６０を構成することができる。すな
わち、この光送受信装置６０では、光導波路６２の光路
変換用の端面６２ｂを、平面ではなく、外側に向かって
凸形状をなす曲面とすることにより、受光面積が小さい
受光部５１に受信光信号Ｌ１を集光させることができ、
受光面積を小さくすることによる受光部５１の受光感度
の低下を補償することができる。なお、端面６２ｂを構
成する曲面は、球面などの回転対称曲面であってもよい
し、あるいはシリンドリカル面（円筒面）の一部であっ
てもよい。但し、球面とした場合の方が、受光部５１の
受光面積をより小さくすることができるので好ましい。As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be variously modified. For example, in the second embodiment, by employing the optical coupling lens 54,
The light receiving section 51 having a small light receiving area is used to enable high-speed reception operation and at the same time secure sufficient reception sensitivity. However, even when the optical coupling lens 54 is not used, for example, as shown in FIG. With such a structure, it is possible to configure the optical transmitting and receiving device 60 capable of high-speed operation using the light receiving unit 51 having a small light receiving area. That is, in the optical transmitting / receiving device 60, the end face 62b for optical path conversion of the optical waveguide 62 is not a flat surface but a curved surface having a convex shape toward the outside. L1 can be focused,
It is possible to compensate for a decrease in the light receiving sensitivity of the light receiving unit 51 due to a reduction in the light receiving area. The curved surface forming the end surface 62b may be a rotationally symmetric curved surface such as a spherical surface, or may be a part of a cylindrical surface (cylindrical surface). However, a spherical surface is preferable because the light receiving area of the light receiving unit 51 can be further reduced.

【００６６】また、上記各実施の形態では、支持基体と
して半導体基板１１を用いると共に、その表面に、必要
に応じて発光部１２または受光部１３，５１に電力を供
給するための電極パターンが設けられている場合につい
て説明したが、支持基体として、ビルトアップ基板など
の電気配線基板を用いるようにしてもよい。電気配線基
板を用いることにより、発光部１２、受光部１３，５１
あるいは半導体素子４２などとの位置合わせ精度を向上
させることができる。In each of the above embodiments, the semiconductor substrate 11 is used as a supporting base, and an electrode pattern for supplying electric power to the light emitting section 12 or the light receiving sections 13 and 51 is provided on the surface thereof as required. Although the description has been given of the case where the electric wiring board is provided, an electric wiring board such as a built-up board may be used as the supporting base. By using the electric wiring board, the light emitting unit 12, the light receiving units 13, 51
Alternatively, the alignment accuracy with the semiconductor element 42 or the like can be improved.

【００６７】さらに、上記各実施の形態では、光伝送路
が光ファイバ１により構成されている場合について説明
したが、基板により支持された他の光導波路により光伝
送路を構成するようにしてもよい。また、特別の光伝送
路を用いずに、空間を光伝送手段として利用するように
してもよい。Further, in each of the above embodiments, the case where the optical transmission line is constituted by the optical fiber 1 has been described, but the optical transmission line may be constituted by another optical waveguide supported by the substrate. Good. Further, the space may be used as an optical transmission unit without using a special optical transmission line.

【００６８】加えて、上記各実施の形態では、光導波路
１５，５２の内部に、光路変換手段として光路変換ミラ
ー１６のみを配置する構成としたが、このほか、さら
に、光導波路１５，５２をクラッドとする例えばＬ字型
の光導波路を設けると共に、そのＬ字の屈曲部に光路変
換ミラー１６を配置して、送信光信号Ｌ２を光ファイバ
１の方向へと導くようにすることも可能である。In addition, in each of the above-described embodiments, only the optical path conversion mirror 16 is disposed as the optical path conversion means inside the optical waveguides 15 and 52. In addition, the optical waveguides 15 and 52 are further provided. For example, an L-shaped optical waveguide serving as a clad may be provided, and an optical path conversion mirror 16 may be disposed at the L-shaped bent portion to guide the transmission optical signal L2 toward the optical fiber 1. is there.

【００６９】[0069]

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項１１のいずれか１項に記載の光転轍装置あるいは請求
項１２ないし請求項１９のいずれか１項に記載の光送受
信装置によれば、第１の光を所定の方向に導く機能を有
する光導波路の内部に、第１の光の入射方向とは異なる
方向から光導波路の内部に入射した第２の光の伝搬方向
を、第１の光の入射方向に対して逆行する方向に変換す
る光路変換手段を設けるようにしたので、簡易かつ小型
の構成によって、双方向に伝播する光に対する転轍機能
を実現することができるという効果を奏する。As described above, according to the optical switch device according to any one of claims 1 to 11, or the optical transmission / reception device according to any one of claims 12 to 19, For example, inside the optical waveguide having a function of guiding the first light in a predetermined direction, the propagation direction of the second light incident on the inside of the optical waveguide from a direction different from the incident direction of the first light is changed to the second direction. Since the optical path changing means for converting the light in the direction opposite to the light incident direction is provided, the switch function for the light propagating in both directions can be realized with a simple and small configuration. Play.

【００７０】特に、請求項２または請求項３記載の光転
轍装置あるいは請求項１３記載の光送受信装置によれ
ば、第１の光および第２の光が支持基体の主表面と平行
な方向に伝搬するようにしたので、装置を薄型化するこ
とができるという効果を奏する。In particular, according to the optical switching device of the second or third aspect or the optical transmitting and receiving device of the thirteenth aspect, the first light and the second light are directed in a direction parallel to the main surface of the support base. Therefore, the device can be made thinner.

【００７１】また、請求項１０記載の光転轍装置あるい
は請求項１６記載の光送受信装置によれば、第１の光を
集光して光導波路の入射端面から入射させる集光手段を
備えるようにしたので、入射光束の断面が光導波路の入
射端面よりも大きい場合であっても、入射光を光導波路
の内部へと効率よく導くことができる。特に、請求項１
６記載の光送受信装置によれば、受光面積が小さい受光
部を用いた場合においても、受光部の受光量を大きくす
ることができるので、高速の受信動作を行うことがで
き、同時に受信感度を改善することもできるという効果
を奏する。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided an optical transmission / reception apparatus, comprising: a light condensing means for condensing the first light and causing the first light to enter from an incident end face of the optical waveguide. Therefore, even if the cross section of the incident light beam is larger than the incident end face of the optical waveguide, the incident light can be efficiently guided into the optical waveguide. In particular, claim 1
According to the optical transmitting and receiving apparatus described in Item 6, even when a light receiving unit having a small light receiving area is used, the amount of light received by the light receiving unit can be increased, so that a high-speed receiving operation can be performed, and at the same time, the receiving sensitivity can be improved. This has the effect that it can be improved.

【００７２】また、請求項１４記載の光送受信装置によ
れば、支持基体と光導波路との間に、受光部および発光
部を封止するための封止層を備え、光導波路が封止層を
介して受光部および発光部とオーバーラップするように
構成したので、支持基体上において、光導波路、受光部
および発光部が占める総配置面積を小さくでき、装置を
小型化することができるという効果を奏する。また、発
光部に、主たる表面から光が出射される発光素子を採用
することができるという効果も奏する。According to the optical transmitting and receiving device of the fourteenth aspect, a sealing layer for sealing the light receiving portion and the light emitting portion is provided between the support base and the optical waveguide, and the optical waveguide is formed of the sealing layer. And the light receiving unit and the light emitting unit are overlapped with each other, so that the total area occupied by the optical waveguide, the light receiving unit and the light emitting unit on the supporting base can be reduced, and the device can be downsized. To play. In addition, there is an effect that a light emitting element that emits light from a main surface can be used for the light emitting unit.

【００７３】さらに、請求項２０ないし請求項２９のい
ずれか１項に記載の光転轍装置の製造方法あるいは請求
項３０ないし請求項３４のいずれか１項に記載の光送受
信装置の製造方法によれば、支持基体あるいは封止層の
上に選択的に形成された剥離層を介して、下部領域，光
路変換手段および上部領域をこの順に形成することによ
り内部に光路変換手段を閉じ込め、光導波路が形成され
るべき領域と剥離層が形成された領域との境界に沿っ
て、前記上部領域および下部領域に、少なくとも剥離層
まで達する切り込みを入れたのち、剥離層を溶解するこ
とにより剥離層の上に形成されている下部領域および上
部領域を選択的に除去するようにしたので、本発明の光
転轍装置あるいは光送受信装置を容易に製造することが
できるという効果を奏する。Further, in the method for manufacturing an optical switching device according to any one of claims 20 to 29 or the method for manufacturing an optical transmission and reception device according to any one of claims 30 to 34. According to this method, the lower region, the optical path conversion means, and the upper region are formed in this order via a release layer selectively formed on the support base or the sealing layer, thereby confining the optical path conversion means inside the optical waveguide. Along the boundary between the region where the release layer is to be formed and the region where the release layer is formed, the upper region and the lower region are cut at least to reach the release layer, and then the release layer is dissolved by dissolving the release layer. Since the lower region and the upper region formed on the upper portion are selectively removed, the effect that the optical switch device or the optical transceiver device of the present invention can be easily manufactured can be obtained. To.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光送受信装置
の構成を表す平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of an optical transceiver according to a first embodiment of the present invention.

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.

【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図であ
る。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 1;

【図４】図１に示した光送受信装置の変形例に係る光送
受信装置の構成を表す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical transceiver according to a modification of the optical transceiver illustrated in FIG.

【図５】図１に示した光送受信装置の他の変形例に係る
光送受信装置の構成を表す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical transceiver according to another modified example of the optical transceiver illustrated in FIG.

【図６】図１に示した光送受信装置のさらに他の変形例
に係る光送受信装置の構成を表す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical transceiver according to still another modification of the optical transceiver illustrated in FIG.

【図７】図１に示した光送受信装置の製造方法の一工程
を説明するための断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining one step of the method for manufacturing the optical transceiver shown in FIG.

【図８】図７に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 7;

【図９】図８に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 8;

【図１０】図９に続く製造工程を説明するための断面図
である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 9;

【図１１】図１０に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 10;

【図１２】図１１に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 11;

【図１３】図１２に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 12;

【図１４】図１３に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 14 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 13;

【図１５】図１４に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 15 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 14;

【図１６】図１に示した光送受信装置のさらに他の変形
例に係る光送受信装置の構成を表す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical transceiver according to still another modification of the optical transceiver illustrated in FIG.

【図１７】図１６に示した光送受信装置の製造方法の一
工程を説明するための断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view for explaining one step of the method for manufacturing the optical transceiver shown in FIG.

【図１８】図１７に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 18 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 17;

【図１９】図１８に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing step following FIG. 18;

【図２０】図１に示した光送受信装置の第１の応用例に
係る双方向光伝送モジュールの構成を表す断面図であ
る。20 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a bidirectional optical transmission module according to a first application example of the optical transceiver illustrated in FIG.

【図２１】図１に示した光送受信装置の第２の応用例に
係るマルチチャネル光送受信装置の構成を表す断面図で
ある。21 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a multi-channel optical transceiver according to a second application example of the optical transceiver illustrated in FIG.

【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る光送受信装
置の構成を表す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical transceiver according to a second embodiment of the present invention.

【図２３】本発明に係る他の光送受信装置の構成を表す
断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a configuration of another optical transceiver according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０，３０，５０，６０…光送受信装置、１１…基板、
１２…発光部、１３，５１…受光部、１４…封止層、１
５，３１，５２，６２…光導波路、１６…光路変換ミラ
ー、２１…剥離層、３２…クラッド、４１…電気配線基
板、５３…光結合用レンズ、Ｌ１…送信光信号、Ｌ２…
送信光信号10, 30, 50, 60 ... optical transmitting and receiving device, 11 ... substrate,
12: light emitting unit, 13, 51: light receiving unit, 14: sealing layer, 1
5, 31, 52, 62: optical waveguide, 16: optical path conversion mirror, 21: release layer, 32: clad, 41: electric wiring board, 53: optical coupling lens, L1: transmission optical signal, L2:
Transmit optical signal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/12 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 CA38 CA39 DA03 DA06 2H047 KA04 LA09 PA02 PA24 QA05 RA08 TA05 TA31 TA42 TA43 TA44 5K002 AA05 AA07 BA02 BA07 BA13 BA21 BA31 FA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04B 10/12 F term (Reference) 2H037 AA01 BA02 BA11 CA38 CA39 DA03 DA06 2H047 KA04 LA09 PA02 PA24 QA05 RA08 TA05 TA31 TA42 TA43 TA44 5K002 AA05 AA07 BA02 BA07 BA13 BA21 BA31 FA01

Claims (34)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 入射してきた第１の光を所定の方向に出
射させるように導く光導波路と、 前記光導波路の内部に設けられ、前記第１の光の入射方
向とは異なる方向から前記光導波路の内部に入射した第
２の光の伝搬方向を、前記第１の光の入射方向に対して
逆行する方向に変換する光路変換手段とを備えたことを
特徴とする光転轍装置。An optical waveguide for guiding the incoming first light so as to be emitted in a predetermined direction; and an optical waveguide provided inside the optical waveguide, wherein the optical waveguide is provided from a direction different from an incident direction of the first light. An optical path switching device, comprising: an optical path conversion unit that converts a propagation direction of the second light incident on the inside of the wave path into a direction opposite to the incident direction of the first light. 【請求項２】 さらに、前記光導波路を支持する支持基
体を備え、 前記光路変換手段は、前記支持基体の方向から入射した
前記第２の光の伝搬方向を前記支持基体の主表面と平行
な方向に変換することを特徴とする請求項１記載の光転
轍装置。And a support base for supporting the optical waveguide, wherein the optical path changing means makes a propagation direction of the second light incident from a direction of the support base parallel to a main surface of the support base. The optical switching device according to claim 1, wherein the light is converted into a direction. 【請求項３】 前記所定の方向は、前記支持基体の方向
であることを特徴とする請求項２記載の光転轍装置。3. The optical switching device according to claim 2, wherein the predetermined direction is a direction of the support base. 【請求項４】 前記光路変換手段は、前記入射してきた
第２の光の伝搬方向に対して所定の傾斜角をなして設け
られた光路変換ミラーであることを特徴とする請求項１
記載の光転轍装置。4. The optical path changing means according to claim 1, wherein said optical path changing means is an optical path changing mirror provided at a predetermined inclination angle with respect to a propagation direction of said incident second light.
An optical switching device according to claim 1. 【請求項５】 前記光路変換ミラーは、金属よりなるこ
とを特徴とする請求項４記載の光転轍装置。5. An optical switching device according to claim 4, wherein said optical path conversion mirror is made of metal. 【請求項６】 前記光路変換ミラーは、誘電体よりなる
ことを特徴とする請求項４記載の光転轍装置。6. The optical switching device according to claim 4, wherein said optical path conversion mirror is made of a dielectric material. 【請求項７】 前記光導波路は、入射してきた前記第１
の光の伝搬方向を変換させるための他の光路変換手段を
有することを特徴とする請求項１記載の光転轍装置。7. The optical waveguide according to claim 1, wherein
2. The optical switch device according to claim 1, further comprising another optical path changing means for changing the propagation direction of the light. 【請求項８】 前記他の光路変換手段は、前記光導波路
の前記第１の光が入射する一端側とは反対側に形成され
た傾斜端面を含むことを特徴とする請求項７記載の光転
轍装置。8. The light according to claim 7, wherein the other optical path changing means includes an inclined end face formed on a side of the optical waveguide opposite to the one end on which the first light is incident. Switch device. 【請求項９】 前記他の光路変換手段は、さらに、前記
傾斜端面上に形成された反射膜を含むことを特徴とする
請求項８記載の光転轍装置。9. The optical switching device according to claim 8, wherein the other optical path changing means further includes a reflection film formed on the inclined end surface. 【請求項１０】 さらに、前記第１の光を集光して前記
光導波路の入射端面から入射させる集光手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１記載の光転轍装置。10. The optical switch device according to claim 1, further comprising a light condensing means for condensing the first light and making it incident from an incident end face of the optical waveguide. 【請求項１１】 前記光導波路は、高分子材料よりなる
ことを特徴とする請求項１記載の光転轍装置。11. The optical switching device according to claim 1, wherein the optical waveguide is made of a polymer material. 【請求項１２】 光を受光するための受光部と、 入射してきた第１の光を前記受光部に導く光導波路と、 前記第１の光の入射方向とは異なる方向に向けて第２の
光を出射する発光部と、 前記光導波路の内部に設けられ、前記発光部から出射さ
れて前記光導波路の内部に入射した前記第２の光の伝搬
方向を、前記第１の光の入射方向に対して逆行する方向
に変換する光路変換手段とを備えたことを特徴とする光
送受信装置。12. A light-receiving portion for receiving light, an optical waveguide for guiding incident first light to the light-receiving portion, and a second light-transmitting portion directed in a direction different from the incident direction of the first light. A light-emitting unit that emits light; and a light-emitting unit that is provided inside the optical waveguide and is configured to change the propagation direction of the second light that is emitted from the light-emitting unit and enters the inside of the optical waveguide by the incident direction of the first light. An optical path changing means for converting the light in a direction opposite to the optical transmission direction. 【請求項１３】 さらに、前記受光部、発光部および光
導波路を支持する支持基体を備え、 前記発光部は、前記支持基体とほぼ直交する方向に向け
て前記第２の光を出射して前記光導波路内に入射させ、
前記光路変換手段は、前記発光部から前記光導波路内に
入射してきた第２の光の伝搬方向を前記支持基体の主表
面と平行な方向に変換することを特徴とする請求項１２
記載の光送受信装置。13. A light-emitting device further comprising: a support base supporting the light-receiving unit, the light-emitting unit, and the optical waveguide, wherein the light-emitting unit emits the second light in a direction substantially orthogonal to the support base, and Into the optical waveguide,
13. The light path changing means for changing the propagation direction of the second light incident from the light emitting section into the optical waveguide to a direction parallel to the main surface of the support base.
The optical transmitting / receiving device as described in the above. 【請求項１４】 さらに、前記支持基体と前記光導波路
との間に、前記受光部および発光部を封止するための封
止層を備え、前記光導波路が前記封止層を介して前記受
光部および前記発光部とオーバーラップしていることを
特徴とする請求項１３記載の光送受信装置。And a sealing layer for sealing the light receiving portion and the light emitting portion between the support base and the optical waveguide, wherein the optical waveguide is provided with the light receiving portion via the sealing layer. 14. The optical transmitting and receiving device according to claim 13, wherein the optical transmitting and receiving device overlaps with the light emitting unit. 【請求項１５】 前記光導波路は、前記入射してきた第
１の光の伝搬方向を前記受光部の方向に変換するための
他の光路変換手段を有することを特徴とする請求項１２
記載の光送受信装置。15. The optical waveguide according to claim 12, wherein the optical waveguide has another optical path conversion unit for converting the propagation direction of the incident first light into the direction of the light receiving unit.
The optical transmitting / receiving device as described in the above. 【請求項１６】 さらに、前記第１の光を集光して前記
光導波路の入射端面から入射させる集光手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１２記載の光送受信装置。16. The optical transmitting and receiving apparatus according to claim 12, further comprising a condensing means for condensing the first light and causing the first light to enter from an incident end face of the optical waveguide. 【請求項１７】 前記発光部は、主たる表面から光が出
射される発光素子により構成されていることを特徴とす
る請求項１２記載の光送受信装置。17. The optical transmitting and receiving apparatus according to claim 12, wherein the light emitting section is formed by a light emitting element that emits light from a main surface. 【請求項１８】 前記発光部は、レーザダイオードによ
り構成されていることを特徴とする請求項１２記載の光
送受信装置。18. The optical transmitting and receiving apparatus according to claim 12, wherein said light emitting section is constituted by a laser diode. 【請求項１９】 前記受光部は、フォトダイオードによ
り構成されていることを特徴とする請求項１２記載の光
送受信装置。19. The optical transmitting and receiving apparatus according to claim 12, wherein said light receiving section is constituted by a photodiode. 【請求項２０】 入射してきた第１の光を所定の方向に
出射させるように導く光導波路と、前記光導波路の内部
に設けられ、前記第１の光の入射方向とは異なる方向か
ら前記光導波路の内部に入射した第２の光の伝搬方向
を、前記第１の光の入射方向に対して逆行する方向に変
換する光路変換手段と、前記光導波路を支持する支持基
体とを備えた光転轍装置の製造方法であって、 前記支持基体上の所定の領域に、剥離層を選択的に形成
する工程と、 前記支持基体および前記剥離層を覆うように、前記光導
波路の一部となる下部領域を形成する工程と、 前記下部領域の少なくとも端部以外の箇所に光路変換手
段を設ける工程と、 前記光路変換手段および前記下部領域を覆うように、前
記光導波路の一部となる上部領域を形成する工程と、 前記光導波路が形成されるべき領域と前記剥離層が形成
された領域との境界に沿って、前記上部領域および下部
領域に、少なくとも剥離層まで達する切り込みを入れる
工程と、 前記剥離層を除去することにより、前記剥離層と接して
いる前記下部領域およびその上に形成された前記上部領
域を選択的に除去して、前記光導波路のパターンを形成
する工程とを含むことを特徴とする光転轍装置の製造方
法。20. An optical waveguide which guides incoming first light so as to be emitted in a predetermined direction, and an optical waveguide provided inside the optical waveguide, wherein the light guide is provided from a direction different from the incident direction of the first light. A light comprising: an optical path conversion unit for converting the propagation direction of the second light incident on the inside of the wave path into a direction opposite to the incident direction of the first light; and a support base for supporting the optical waveguide. A method of manufacturing a switching device, comprising: a step of selectively forming a release layer in a predetermined region on the support base; and a part of the optical waveguide so as to cover the support base and the release layer. Forming a lower region, and providing an optical path conversion means at a location other than at least an end of the lower region; and an upper portion that becomes a part of the optical waveguide so as to cover the optical path conversion device and the lower region. Forming a region; Cutting at least the release layer along the boundary between the region where the waveguide is to be formed and the region where the release layer is formed; and removing the release layer. Selectively removing the lower region in contact with the release layer and the upper region formed thereon to form a pattern of the optical waveguide. Device manufacturing method. 【請求項２１】 前記光路変換手段を設ける工程は、 前記下部領域の少なくとも端部以外の箇所に、２つの斜
面により構成されるＶ字形状の溝部を選択的に形成する
工程と、 前記２つの斜面のうちの一方の斜面に光路変換ミラーを
形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２０記載
の光転轍装置の製造方法。21. A step of providing the optical path changing means, the step of: selectively forming a V-shaped groove formed by two slopes at a position other than at least an end of the lower region; 21. A method of manufacturing an optical switching device according to claim 20, further comprising: forming an optical path conversion mirror on one of the slopes. 【請求項２２】 前記剥離層を、前記光導波路が形成さ
れる領域以外の領域に形成することを特徴とする請求項
２１記載の光転轍装置の製造方法。22. The method according to claim 21, wherein the release layer is formed in a region other than a region where the optical waveguide is formed. 【請求項２３】 前記溝部をダイシングにより形成する
ことを特徴とする請求項２１記載の光転轍装置の製造方
法。23. The method according to claim 21, wherein the groove is formed by dicing. 【請求項２４】 前記光路変換ミラーを金属により形成
することを特徴とする請求項２１記載の光転轍装置の製
造方法。24. The method according to claim 21, wherein the optical path conversion mirror is formed of metal. 【請求項２５】 前記光路変換ミラーを誘電体により形
成することを特徴とする請求項２１記載の光転轍装置の
製造方法。25. The method according to claim 21, wherein the optical path conversion mirror is formed of a dielectric. 【請求項２６】 前記剥離層を、高分子材料により形成
することを特徴とする請求項２０記載の光転轍装置の製
造方法。26. The method according to claim 20, wherein the release layer is formed of a polymer material. 【請求項２７】 前記剥離層を、金属により形成するこ
とを特徴とする請求項２０記載の光転轍装置の製造方
法。27. The method according to claim 20, wherein the release layer is formed of a metal. 【請求項２８】 前記上部領域を形成する工程ののち、
さらに、前記上部領域および前記下部領域に、前記第１
の光の伝搬方向を変換させるための傾斜端面を形成する
工程を含むことを特徴とする請求項２０記載の光転轍装
置の製造方法。28. After the step of forming the upper region,
Further, the first region is provided in the upper region and the lower region.
21. The method according to claim 20, further comprising the step of forming an inclined end face for changing the propagation direction of the light. 【請求項２９】 さらに、入射してくる前記第１の光を
集光して前記光導波路の入射端面から入射させる集光手
段を設ける工程を含むことを特徴とする請求項２０記載
の光転轍装置の製造方法。29. The light conversion device according to claim 20, further comprising a step of providing light condensing means for converging the incident first light and making it incident from an incident end face of the optical waveguide. Manufacturing method of rut device. 【請求項３０】 光を受光するための受光部と、入射し
てきた第１の光を前記受光部に導く光導波路と、前記第
１の光の入射方向とは異なる方向に向けて第２の光を出
射する発光部と、前記光導波路の内部に設けられ、前記
発光部から出射されて前記光導波路の内部に入射した前
記第２の光の伝搬方向を、前記第１の光の入射方向に対
して逆行する方向に変換する光路変換手段と、前記受光
部、発光部および光導波路を支持する基板とを備えた光
送受信装置の製造方法であって、 前記基板上に、前記受光部および前記発光部を形成する
工程と、 前記基板、受光部および発光部を覆うように封止層を形
成する工程と、 前記封止層上の所定の領域に、剥離層を選択的に形成す
る工程と、 前記封止層および前記剥離層を覆うように、前記光導波
路の一部となる下部領域を形成する工程と、 前記下部領域の前記発光部に対応する領域に前記光路変
換手段を設ける工程と、 前記光路変換手段および前記下部領域を覆うように、前
記光導波路の一部となる上部領域を形成する工程と、 前記光導波路が形成されるべき領域と前記剥離層が形成
された領域との境界に沿って、前記上部領域および下部
領域に、少なくとも剥離層まで達する切り込みを入れる
工程と、 前記剥離層を除去することにより、前記剥離層と接して
いる前記下部領域およびその上に形成された前記上部領
域を選択的に除去して、前記光導波路のパターンを形成
する工程とを含むことを特徴とする光送受信装置の製造
方法。30. A light receiving portion for receiving light, an optical waveguide for guiding the first light incident thereon to the light receiving portion, and a second light guide directed in a direction different from the incident direction of the first light. A light emitting unit that emits light, and a propagation direction of the second light, which is provided inside the optical waveguide and is emitted from the light emitting unit and enters the inside of the optical waveguide, is defined as an incident direction of the first light. A method for manufacturing an optical transmitting and receiving device, comprising: a light path conversion unit that converts light in a direction reverse to the direction of the light transmitting unit; and a substrate that supports the light receiving unit, the light emitting unit, and the optical waveguide. A step of forming the light emitting section; a step of forming a sealing layer so as to cover the substrate, the light receiving section and the light emitting section; and a step of selectively forming a release layer in a predetermined region on the sealing layer. And the optical waveguide so as to cover the sealing layer and the release layer. Forming a lower region to be a part, providing the optical path conversion unit in a region of the lower region corresponding to the light emitting unit, and covering the optical path conversion unit and the lower region, Forming an upper region that becomes a part, and reaching the upper region and the lower region at least up to the release layer along a boundary between the region where the optical waveguide is to be formed and the region where the release layer is formed. Forming a notch, and removing the release layer, selectively removing the lower region in contact with the release layer and the upper region formed thereon to form the pattern of the optical waveguide. A method of manufacturing an optical transceiver. 【請求項３１】 前記剥離層を、前記光導波路が形成さ
れる領域以外の領域に形成することを特徴とする請求項
３０記載の光送受信装置の製造方法。31. The method according to claim 30, wherein the release layer is formed in a region other than a region where the optical waveguide is formed. 【請求項３２】 前記光路変換手段を形成する工程は、 前記下部領域の少なくとも端部以外の箇所に、２つの斜
面により構成されるＶ字形状の溝部を選択的に形成する
工程と、 前記２つの斜面のうちの一方の斜面に光路変換ミラーを
形成する工程とを含むことを特徴とする請求項３０記載
の光送受信装置の製造方法。32. The step of forming the optical path changing means, comprising the steps of: selectively forming a V-shaped groove formed by two slopes at least at a portion other than an end of the lower region; Forming an optical path conversion mirror on one of the two slopes. 【請求項３３】 前記発光部を、主たる表面から光が出
射される発光素子により形成することを特徴とする請求
項３０記載の光送受信装置の製造方法。33. The method according to claim 30, wherein the light emitting section is formed by a light emitting element that emits light from a main surface. 【請求項３４】 さらに、前記上部領域および前記下部
領域に、前記第１の光の伝搬方向を変換させるための傾
斜端面を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３
０記載の光送受信装置の製造方法。34. The method according to claim 3, further comprising a step of forming an inclined end face for changing a propagation direction of the first light in the upper region and the lower region.
0. A method of manufacturing an optical transmitting / receiving device according to 0.
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