JP2002006161A - Optical wiring substrate and optical wiring module and their manufacturing method - Google Patents

Optical wiring substrate and optical wiring module and their manufacturing method

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JP2002006161A
JP2002006161A JP2000183441A JP2000183441A JP2002006161A JP 2002006161 A JP2002006161 A JP 2002006161A JP 2000183441 A JP2000183441 A JP 2000183441A JP 2000183441 A JP2000183441 A JP 2000183441A JP 2002006161 A JP2002006161 A JP 2002006161A
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insulating layer
signal
electric
electrode
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Takeshi Ogawa
剛 小川
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring substrate and a wiring substrate module which make it possible to rapidly transmit signals and effectively prevent a damage caused by external factors, and their manufacturing method. SOLUTION: The electric wiring element 10 having electric wiring patterns 12a-12g formed on an insulating substrate 11 and an insulating layer 20 covering the electric wiring element 10 are provided, and an optical waveguide 30 as an optical wiring is provided in the insulating layer 20. A luminous element 40 and a light receiving element 50 are provided in the insulating layer 20, and IC chips 61 and 62 are provided on the opposite side to the electric wiring element 10 of the insulating layer 20. Since the optical waveguide 30 is provided in the insulating layer 20, the occurrence of the break of the optical wiring and an optical noise can be prevented, and the loss in optical propagation can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、情報伝達信号の高
速化を可能にする光配線基板および光配線モジュール並
びにそれらの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical wiring board, an optical wiring module, and a method for manufacturing the same, which can increase the speed of information transmission signals.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC(Integrated Circuit;集積回路)
やLSI(Large Scale Integrated Circuit;大規模集
積回路)における技術の進歩により、それらの動作速度
や集積規模が向上し、例えばマイクロプロセッサの高性
能化やメモリチップの大容量化が急速に達成されてい
る。従来、機器内のボード間、あるいはボード内のチッ
プ間など比較的短距離間の情報伝達は、主に、電気信号
により行われてきた。今後、集積回路の性能を更に向上
させるためには、信号の高速化や信号配線の高密度化が
必要となるが、電気信号配線(電気配線)においては、
それら高速化および高密度化が困難であると共に、配線
のCR(C:配線の静電容量、R:配線の抵抗)時定数
による信号遅延が問題となってしまう。また、電気信号
の高速化や電気配線の高密度化は、EMI(Electromag
netic Interference)ノイズやチャンネル間のクロスト
ークの原因となるため、その対策も不可欠となる。
2. Description of the Related Art IC (Integrated Circuit)
Advances in technology for large scale integrated circuits (LSIs) and large scale integrated circuits (LSIs) have increased their operating speeds and integration scales. For example, the performance of microprocessors and the capacity of memory chips have been rapidly increased. I have. Conventionally, information transmission over a relatively short distance, such as between boards in a device or between chips in a board, has been performed mainly by electric signals. In the future, in order to further improve the performance of integrated circuits, it is necessary to increase the speed of signals and the density of signal wiring, but in the case of electric signal wiring (electric wiring),
It is difficult to increase the speed and increase the density, and the signal delay due to the CR (C: capacitance of the wiring, R: resistance of the wiring) time constant becomes a problem. In addition, high-speed electric signals and high-density electric wiring have been developed by using EMI (Electromag
netic Interference) Because it causes noise and crosstalk between channels, countermeasures are also indispensable.

【0003】そこで、これらの問題を解消するものとし
て、光配線(光信号配線,光インターコネクション)が
注目されている。光配線は、機器間、機器内のボード
間、あるいはボード内のチップ間など種々の箇所に適用
可能であると考えられている。中でも、チップ間のよう
な短距離間の信号の伝送には、チップが搭載されている
基板上に光導波路を形成し、これを伝送路とした光伝送
・通信システムを構築することが好適であると考えられ
る。
In order to solve these problems, optical wiring (optical signal wiring, optical interconnection) has been receiving attention. Optical wiring is considered to be applicable to various places, such as between devices, between boards in a device, or between chips in a board. Above all, for signal transmission over a short distance such as between chips, it is preferable to form an optical waveguide on a substrate on which the chip is mounted and to construct an optical transmission / communication system using this as a transmission path. It is believed that there is.

【0004】このような光伝送・通信システムにおいて
は、電気信号を光信号に変換するための発光素子、光信
号を電気信号に変換するための受光素子、および発光素
子や受光素子との間で電気信号の授受を行うためのIC
チップなどを装備する必要があり、これらの素子への電
力の供給や比較的低速の各種のコントロール信号などの
伝送は、依然として電気信号により行う必要がある。そ
のため、基板上あるいは基板に電気配線を形成すること
が必須である。
In such an optical transmission / communication system, a light emitting element for converting an electric signal to an optical signal, a light receiving element for converting an optical signal to an electric signal, and a light emitting element and a light receiving element. IC for sending and receiving electric signals
A chip or the like must be provided, and power supply to these elements and transmission of various control signals at a relatively low speed still need to be performed by electric signals. Therefore, it is essential to form an electric wiring on or on the substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】電気配線と光配線とを
備えたハイブリッド型の光配線基板は、例えば、シリコ
ン基板やガラス基板上に電気配線としての薄膜多層配線
を形成し、その上に光配線としての光導波路を形成する
ことにより得られると考えられる。また、通常のプリン
ト配線基板などの電気配線を有する基板の上に光導波路
を形成することによっても得られると考えられる。これ
らのハイブリッド型の光配線基板を作製する場合、光導
波路の材料に高分子化合物を用いて低温プロセスにより
形成することが考えられる。
A hybrid type optical wiring board having an electric wiring and an optical wiring is, for example, a thin film multilayer wiring as an electric wiring is formed on a silicon substrate or a glass substrate, and an optical wiring is formed thereon. It is considered that this is obtained by forming an optical waveguide as a wiring. It can also be obtained by forming an optical waveguide on a substrate having electric wiring such as a normal printed wiring board. In the case of manufacturing these hybrid type optical wiring substrates, it is conceivable to form them by a low-temperature process using a polymer compound as the material of the optical waveguide.

【0006】しかしながら、光導波路を基板上に露出さ
せて配置した場合には、その光導波路が機械的な損傷を
受けやすい。このため、光導波路の一部に、配線切れが
起こったり、光伝搬損失が生じたり、洩込光などによる
光学的な雑音が発生してしまうという問題がある。ま
た、基板の表面に光導波路が存在することから、光導波
路を避けるようにして半導体チップおよびその他のチッ
プ部品を実装しなければならず、配線基板全体としての
実装領域に制約が生じてしまうという問題もある。
However, when the optical waveguide is arranged so as to be exposed on the substrate, the optical waveguide is liable to be mechanically damaged. For this reason, there is a problem that a part of the optical waveguide is disconnected, a light propagation loss is generated, and optical noise due to leaked light is generated. In addition, since the optical waveguide is present on the surface of the substrate, the semiconductor chip and other chip components must be mounted so as to avoid the optical waveguide, which limits the mounting area of the entire wiring substrate. There are also problems.

【0007】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、信号の高速伝送を可能にすると共
に、外部要因による損傷を効果的に防止することを可能
とする光配線基板および光配線モジュール並びにそれら
の製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide an optical wiring board which enables high-speed transmission of signals and effectively prevents damage due to external factors. An object of the present invention is to provide an optical wiring module and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明による光配線基板
は、電気配線パターンを有する基体と、基体に内部に、
光信号を伝送可能に配置された光導波路とを備えたもの
である。
An optical wiring board according to the present invention comprises: a base having an electric wiring pattern;
And an optical waveguide arranged to transmit an optical signal.

【0009】本発明による光配線モジュールは、電気配
線パターンを有する基体と、基体に内部に、光信号を伝
送可能に配置された光導波路と、光信号を発信するため
の発光素子と、光信号を受信するための受光素子と、発
光素子または受光素子の少なくとも一方との間で電気信
号の授受を行う集積回路とを備えたものである。
An optical wiring module according to the present invention comprises: a base having an electric wiring pattern; an optical waveguide disposed inside the base so as to transmit an optical signal; a light emitting element for transmitting an optical signal; And an integrated circuit for transmitting and receiving an electric signal between at least one of the light emitting element and the light receiving element.

【0010】本発明による光配線基板の製造方法は、電
気配線パターンが形成された電気配線部の上に下部絶縁
層を形成する工程と、下部絶縁層の上に、光信号を伝送
することが可能な光導波路を形成する工程と、少なくと
も光導波路を覆うように上部絶縁層を形成する工程とを
含むものである。
In the method of manufacturing an optical wiring board according to the present invention, a step of forming a lower insulating layer on an electric wiring portion on which an electric wiring pattern is formed, and a step of transmitting an optical signal on the lower insulating layer. Forming a possible optical waveguide; and forming an upper insulating layer to cover at least the optical waveguide.

【0011】本発明による光配線モジュールの製造方法
は、電気配線パターンが形成された電気配線部の上に下
部絶縁層を形成する工程と、下部絶縁層の上に、光信号
を伝送することが可能な光導波路を形成する工程と、少
なくとも光導波路を覆うように上部絶縁層を形成する工
程と、光信号を発信するための発光素子および光信号を
受信するための受光素子を形成する工程と、上部絶縁層
の上に、発光素子または受光素子の少なくとも一方との
間で電気信号の授受を行う集積回路を形成する工程とを
含むものである。
In the method of manufacturing an optical wiring module according to the present invention, a step of forming a lower insulating layer on an electric wiring portion on which an electric wiring pattern is formed, and a step of transmitting an optical signal on the lower insulating layer. Forming a possible optical waveguide; forming an upper insulating layer so as to cover at least the optical waveguide; and forming a light emitting element for transmitting an optical signal and a light receiving element for receiving the optical signal. Forming an integrated circuit for transmitting and receiving an electric signal to and / or from at least one of the light emitting element and the light receiving element on the upper insulating layer.

【0012】本発明による光配線基板または光配線モジ
ュールでは、基体に設けられた電気配線により電気信号
が伝送され、基体内部の光導波路により光信号が伝送さ
れる。
In the optical wiring board or the optical wiring module according to the present invention, the electric signal is transmitted by the electric wiring provided on the base, and the optical signal is transmitted by the optical waveguide inside the base.

【0013】本発明による光配線基板の製造方法または
光配線モジュールの製造方法では、電気配線部の上に形
成された下部絶縁層の上に光導波路が形成され、この光
導波路を覆うように上部絶縁層が形成される。
In the method of manufacturing an optical wiring board or the method of manufacturing an optical wiring module according to the present invention, an optical waveguide is formed on a lower insulating layer formed on an electric wiring portion, and an upper portion is formed so as to cover the optical waveguide. An insulating layer is formed.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】[第1の実施の形態]まず、本実施の第1
の実施の形態に係る光配線基板および光配線モジュール
の構成について説明する。
[First Embodiment] First, a first embodiment of the present invention will be described.
Configurations of the optical wiring board and the optical wiring module according to the embodiment will be described.

【0016】図1は、本実施の形態に係る光配線基板の
断面構造を表すものである。この光配線基板は、電気配
線部10と、この電気配線部10を覆うように設けられ
た絶縁層20とを備えている。絶縁層20の内部には、
光配線としての光導波路30、発光素子40および受光
素子50が埋設されている。ここで、電気配線部10と
絶縁層20とを合わせたものが、本発明の「基体」の一
具体例に対応している。
FIG. 1 shows a sectional structure of an optical wiring board according to the present embodiment. The optical wiring board includes an electric wiring section 10 and an insulating layer 20 provided so as to cover the electric wiring section 10. Inside the insulating layer 20,
An optical waveguide 30, a light emitting element 40, and a light receiving element 50 as optical wiring are embedded. Here, the combination of the electric wiring portion 10 and the insulating layer 20 corresponds to a specific example of the “base” of the present invention.

【0017】電気配線部10は、絶縁性を有する基板1
1と、この基板11の表面および内部に設けられ、例え
ば銅(Cu)などの導電材料からなる複数の電気配線パ
ターン12a〜12gとを含んでいる。電気配線パター
ン12a〜12dは基板11の内部に形成され、電気配
線パターン12e〜12gは基板11の一方の表面(図
1では裏面側)に形成されている。電気配線パターン1
2cと電気配線パターン12dとは、例えば同一階層
(以下、第1階層という。)に形成されているが、両者
間は電気的に絶縁されている。また、電気配線パターン
12aおよび電気配線パターン12dは、例えば第1階
層とは異なる2つの階層にそれぞれ形成されている。す
なわち、ここでは、電気配線パターン12a〜12g
は、多層化されている。
The electric wiring section 10 is a substrate 1 having an insulating property.
1 and a plurality of electric wiring patterns 12 a to 12 g provided on the surface and inside of the substrate 11 and made of a conductive material such as copper (Cu). The electric wiring patterns 12a to 12d are formed inside the substrate 11, and the electric wiring patterns 12e to 12g are formed on one surface (the back surface in FIG. 1) of the substrate 11. Electric wiring pattern 1
The 2c and the electric wiring pattern 12d are formed, for example, on the same level (hereinafter, referred to as a first level), but are electrically insulated from each other. Further, the electric wiring patterns 12a and 12d are respectively formed in two layers different from the first layer, for example. That is, here, the electric wiring patterns 12a to 12g
Is multilayered.

【0018】電気配線パターン12aは、発光素子40
用の電源ラインであり、電気配線パターン12bは、受
光素子50用の電源ラインである。電気配線パターン1
2cは、後述するICチップ61(図3参照)用の電源
ラインであり、電気配線パターン12dは、後述するI
Cチップ62(図3参照)用の電源ラインである。ま
た、電源配線パターン12e〜12gは、図示しないそ
の他の素子間を電気的に接続するためのものである。
The electric wiring pattern 12a is
The electric wiring pattern 12b is a power supply line for the light receiving element 50. Electric wiring pattern 1
Reference numeral 2c denotes a power supply line for an IC chip 61 (see FIG. 3) described later, and an electric wiring pattern 12d denotes an I
This is a power supply line for the C chip 62 (see FIG. 3). The power supply wiring patterns 12e to 12g are for electrically connecting other elements (not shown).

【0019】基板11の他方の表面には、外部から電源
電圧が印加される電極14,15が設けられている。電
極14と電気配線パターン12aとの間には接続孔(ス
ルーホール)13aが形成されており、電極14は接続
孔13aに充填された銅などの導電体を介して電気配線
パターン12aに電気的に接続されている。電極15と
電気配線パターン12bとの間には接続孔13bが形成
されており、電極15は接続孔13bに充填された導電
体を介して電気配線パターン12bに電気的に接続され
ている。ここで、電極14が本発明における「第2の電
源電極」の一具体例に対応し、電極15が本発明におけ
る「第4の電源電極」の一具体例に対応している。
On the other surface of the substrate 11, electrodes 14 and 15 to which a power supply voltage is applied from the outside are provided. A connection hole (through hole) 13a is formed between the electrode 14 and the electric wiring pattern 12a. The electrode 14 is electrically connected to the electric wiring pattern 12a via a conductor such as copper filled in the connection hole 13a. It is connected to the. A connection hole 13b is formed between the electrode 15 and the electric wiring pattern 12b, and the electrode 15 is electrically connected to the electric wiring pattern 12b via a conductor filled in the connection hole 13b. Here, the electrode 14 corresponds to a specific example of the “second power supply electrode” in the present invention, and the electrode 15 corresponds to a specific example of the “fourth power supply electrode” in the present invention.

【0020】発光素子40は、電極14と対向して配設
されている。この発光素子40は、電源電圧を印加する
ための電源電極40aと、電気信号を印加するための信
号電極40bと、発光部40cとを有している。電源電
極40aは電極14に接触しているか、あるいは半田な
どにより接合されて電極14と電気的に接続されてい
る。ここで、電源電極40aが本発明の「第1の電源電
極」の一具体例に対応し、信号電極40bが本発明の
「第1の信号印加電極」の一具体例に対応している。
The light emitting element 40 is disposed to face the electrode 14. The light emitting element 40 has a power supply electrode 40a for applying a power supply voltage, a signal electrode 40b for applying an electric signal, and a light emitting section 40c. The power supply electrode 40a is in contact with the electrode 14, or is connected to the electrode 14 by soldering or the like and is electrically connected to the electrode 14. Here, the power supply electrode 40a corresponds to a specific example of the “first power supply electrode” of the present invention, and the signal electrode 40b corresponds to a specific example of the “first signal application electrode” of the present invention.

【0021】受光素子50は、電極15と対向して配設
されている。この受光素子50は、電源電圧を印加する
ための電源電極50aと、受信した光信号に応じた電気
信号を出力するための信号電極50bと、受光部50c
とを有している。電源電極50aは電極15に接触して
いるか、あるいは半田などにより接合されて電極15と
電気的に接続されている。ここで、電源電極50aが本
発明の「第3の電源電極」の一具体例に対応し、信号電
極50bが本発明の「第1の信号出力電極」の一具体例
に対応している。
The light receiving element 50 is provided to face the electrode 15. The light receiving element 50 includes a power supply electrode 50a for applying a power supply voltage, a signal electrode 50b for outputting an electric signal corresponding to a received optical signal, and a light receiving unit 50c.
And The power supply electrode 50a is in contact with the electrode 15 or is electrically connected to the electrode 15 by being joined by solder or the like. Here, the power supply electrode 50a corresponds to a specific example of the “third power supply electrode” of the present invention, and the signal electrode 50b corresponds to a specific example of the “first signal output electrode” of the present invention.

【0022】絶縁層20の表面(基板11側と反対側の
表面)には、例えば、外部から電気信号が印加される信
号電極16、外部へ電気信号を出力するための信号電極
17、外部から電源電圧が印加される電極18a,18
bおよびその他の電極19などが設けられている。信号
電極16と発光素子40の信号電極40bとの間には接
続孔13cが形成されており、信号電極16は接続孔1
3cに充填された導電体を介して信号電極40bに電気
的に接続されている。信号電極17と受光素子50の信
号電極50bとの間には接続孔13dが形成されてお
り、信号電極17は接続孔13dに充填された導電体を
介して信号電極50bに電気的に接続されている。電極
18aと電気配線パターン12cとの間には接続孔13
eが形成されており、電極18aは接続孔13eに充填
された導電体を介して電気配線パターン12cに電気的
に接続されている。また、電極18bと電気配線パター
ン12dとの間には接続孔13fが形成されており、電
極18bは接続孔13fに充填された導電体を介して電
気配線パターン12dに電気的に接続されている。ここ
で、信号電極16が本発明の「第2の信号印加電極」の
一具体例に対応し、信号電極17が本発明の「第2の信
号出力電極」の一具体例に対応している。
On the surface of the insulating layer 20 (surface opposite to the substrate 11), for example, a signal electrode 16 to which an electric signal is applied from the outside, a signal electrode 17 for outputting an electric signal to the outside, Electrodes 18a, 18 to which power supply voltage is applied
b and other electrodes 19 are provided. A connection hole 13c is formed between the signal electrode 16 and the signal electrode 40b of the light emitting element 40, and the signal electrode 16 is connected to the connection hole 1b.
It is electrically connected to the signal electrode 40b via a conductor filled in 3c. A connection hole 13d is formed between the signal electrode 17 and the signal electrode 50b of the light receiving element 50, and the signal electrode 17 is electrically connected to the signal electrode 50b via a conductor filled in the connection hole 13d. ing. A connection hole 13 is provided between the electrode 18a and the electric wiring pattern 12c.
e is formed, and the electrode 18a is electrically connected to the electric wiring pattern 12c via a conductor filled in the connection hole 13e. A connection hole 13f is formed between the electrode 18b and the electric wiring pattern 12d, and the electrode 18b is electrically connected to the electric wiring pattern 12d via a conductor filled in the connection hole 13f. . Here, the signal electrode 16 corresponds to a specific example of the “second signal applying electrode” of the present invention, and the signal electrode 17 corresponds to a specific example of the “second signal output electrode” of the present invention. .

【0023】光導波路30は、発光素子40と受光素子
50との間に配設されている。この光導波路30は、例
えば長手方向の両端部に、電気配線部10の主表面とな
す外角が鈍角(ここでは、略135°)である反射面3
0a,30bを有している。反射面30aは発光素子4
0の発光部40cと対向するように位置しており、発光
部40cから発せられた光信号を光導波路30内の長手
方向に反射するようになっている。反射面30bは受光
素子50の受光部50cと対向するように位置してお
り、光導波路30内をその長手方向に沿って伝搬してき
た光信号を受光部50cの方向に反射するようになって
いる。なお、光導波路30の電気配線部10の表面とな
す外角とは、光導波路30の光伝搬方向(長手方向)に
沿った断面が閉じた図形であると考えた場合におけるこ
の図形の外角のことを意味する。また、図1では、光導
波路30の下面と発光素子40および受光素子50の上
面との間がわずかに離れているが、これらは接していて
もよい。
The optical waveguide 30 is provided between the light emitting element 40 and the light receiving element 50. The optical waveguide 30 has, for example, a reflective surface 3 having an obtuse angle (here, approximately 135 °) with the main surface of the electric wiring portion 10 at both ends in the longitudinal direction.
0a and 30b. The reflection surface 30a is the light emitting element 4
The optical signal is emitted from the light emitting unit 40c in the longitudinal direction in the optical waveguide 30. The reflecting surface 30b is located so as to face the light receiving portion 50c of the light receiving element 50, and reflects an optical signal propagating along the longitudinal direction in the optical waveguide 30 toward the light receiving portion 50c. I have. The external angle formed by the optical waveguide 30 and the surface of the electric wiring section 10 is the external angle of the figure when the cross section along the light propagation direction (longitudinal direction) of the optical waveguide 30 is considered to be a closed figure. Means In FIG. 1, the lower surface of the optical waveguide 30 is slightly separated from the upper surfaces of the light emitting element 40 and the light receiving element 50, but they may be in contact with each other.

【0024】電気配線部10には、例えば、セラミック
多層配線基板、有機多層配線基板、ガラスエポキシ配線
基板、ビルトアップ多層配線基板およびプリント配線基
板などを用いることができる。ここで、セラミック多層
配線基板とは、基板11が、酸化アルミニウム(Al2
3 ),ガラスセラミック(例えば、低温焼成ガラスセ
ラミック),窒化アルミニウム(AlN)およびムライ
トからなる群のうちの少なくとも1種を含む無機材料に
より構成されたもののことをいう。有機多層配線基板と
は、基板11が、ガラスエポキシ樹脂,ポリイミド,B
T樹脂,PPE(Polyphenyl ether)樹脂,フェノール
樹脂およびポリオレフィン樹脂(例えばデュポン社製の
テフロン(登録商標))からなる群のうちの少なくとも
1種を含む有機材料により構成されたもののことをい
う。なお、有機多層配線基板のうちフィルム状のポリイ
ミドなどにより構成されたものは、フレキシブル多層配
線基板とも呼ばれている。ガラスエポキシ多層配線基板
とは、基板11が、FR−4などのガラスエポキシ樹脂
により構成されたもののことをいい、ビルトアップ多層
配線基板とは、通常のガラスエポキシ配線基板上に例え
ば感光性あるいは非感光性のエポキシ樹脂、感光性ある
いは非感光性のポリイミド、または感光性あるいは非感
光性のベンゾシクロブテン(BCB)などの樹脂を用い
たフォトリソグラフィ技術により高密度に電気配線パタ
ーンが形成されたもののことをいう。また、プリント配
線基板とは、例えば誘電体材料からなるコア基板上に電
気配線パターンが高密度に印刷された印刷基板が配設さ
れたもののことをいう。
As the electric wiring section 10, for example, a ceramic multilayer wiring board, an organic multilayer wiring board, a glass epoxy wiring board, a built-up multilayer wiring board, a printed wiring board and the like can be used. Here, the ceramic multilayer wiring board means that the substrate 11 is made of aluminum oxide (Al 2
O 3), glass ceramics (e.g., low temperature fired glass ceramic), it refers to those constituted of an inorganic material containing at least one kind selected from the group consisting of aluminum (AlN) and mullite nitride. An organic multilayer wiring board is a board made of glass epoxy resin, polyimide, B
It is made of an organic material containing at least one selected from the group consisting of T resin, PPE (Polyphenyl ether) resin, phenol resin, and polyolefin resin (for example, Teflon (registered trademark) manufactured by DuPont). Note that, among the organic multilayer wiring substrates, those formed of film-like polyimide or the like are also called flexible multilayer wiring substrates. The glass epoxy multilayer wiring board means that the substrate 11 is made of a glass epoxy resin such as FR-4, and the built-up multilayer wiring board is, for example, a photosensitive or non-photosensitive resin on a normal glass epoxy wiring board. Although a high-density electrical wiring pattern is formed by a photolithography technique using a resin such as a photosensitive epoxy resin, a photosensitive or non-photosensitive polyimide, or a photosensitive or non-photosensitive benzocyclobutene (BCB), That means. In addition, a printed wiring board refers to a printed circuit board on which electric wiring patterns are printed at a high density on a core substrate made of, for example, a dielectric material.

【0025】絶縁層20は、例えば、厚さ100μmの
エポキシ樹脂により構成されている。なお、光導波路3
0と発光素子40および受光素子50とが離間して配置
される場合には、絶縁層20を光信号に対して透明な材
料により形成することが好ましい。光信号が伝送される
際の光伝搬損失を抑制することができるからである。
The insulating layer 20 is made of, for example, an epoxy resin having a thickness of 100 μm. The optical waveguide 3
When 0 and the light emitting element 40 and the light receiving element 50 are arranged apart from each other, it is preferable that the insulating layer 20 is formed of a material transparent to an optical signal. This is because light propagation loss when an optical signal is transmitted can be suppressed.

【0026】光導波路30は、例えば、屈折率が1.5
4程度のビスフェノールを主材とするエポキシ樹脂によ
り構成されており、その厚さは例えば30μmである。
The optical waveguide 30 has, for example, a refractive index of 1.5.
It is composed of about 4 bisphenol-based epoxy resin, and its thickness is, for example, 30 μm.

【0027】なお、光導波路30は、図1に示したよう
な構造に限らず、他の構造であってもよい。例えば、図
2(A),(B)に示したように、コア層31、および
コア層31を囲むようにして形成されたクラッド層32
よりなる構造の光導波路30Aとしてもよい。ちなみ
に、図2(A)は図1と同様の方向において切断した光
導波路30Aの断面構造を表すものであり、図2(B)
は図2(A)のIIB −IIB 線に沿った断面に対応するも
のである。
The optical waveguide 30 is not limited to the structure shown in FIG. 1, but may have another structure. For example, as shown in FIGS. 2A and 2B, a core layer 31 and a cladding layer 32 formed so as to surround the core layer 31.
The optical waveguide 30 </ b> A having a structure having the above structure may be used. Incidentally, FIG. 2A shows a cross-sectional structure of the optical waveguide 30A cut in the same direction as FIG. 1, and FIG.
Corresponds to a section taken along the line IIB-IIB in FIG.

【0028】この光導波路30Aでは、コア層31は例
えば屈折率が1.54程度のビスフェノールを主材とす
るエポキシ樹脂により構成されており、その厚さは例え
ば30μmである。このコア層31は、例えば、長手方
向の両端部に反射面31a,31bを有している。クラ
ッド層32は、コア層31の構成材料よりも屈折率の小
さい材料、例えば屈折率が1.52程度のエポキシ樹脂
により構成されており、その厚さは例えば30μmであ
る。このように、光導波路30Aに屈折率差を設けた方
が、光伝搬損失が少ないので好ましい。なお、クラッド
層32およびコア層31は、コア層31の屈折率がクラ
ッド層32の屈折率よりも大きいという条件を満たすも
のであれば、ポリイミド、ポリメチルメタクリレートな
どのアクリル樹脂、ポリエチレンやポリスチレンなどの
ポリオレフィン樹脂、または合成ゴムなどの他の材料に
より構成するようにしてもよい。
In the optical waveguide 30A, the core layer 31 is made of, for example, an epoxy resin whose main material is bisphenol having a refractive index of about 1.54, and has a thickness of, for example, 30 μm. The core layer 31 has, for example, reflection surfaces 31a and 31b at both ends in the longitudinal direction. The cladding layer 32 is made of a material having a lower refractive index than the constituent material of the core layer 31, for example, an epoxy resin having a refractive index of about 1.52, and has a thickness of, for example, 30 μm. As described above, it is preferable to provide the optical waveguide 30A with a difference in the refractive index because the light propagation loss is small. Note that the cladding layer 32 and the core layer 31 may be made of acrylic resin such as polyimide, polymethyl methacrylate, polyethylene, polystyrene, or the like, as long as the condition that the refractive index of the core layer 31 is larger than that of the cladding layer 32 is satisfied. And other materials such as polyolefin resin or synthetic rubber.

【0029】発光素子40は、例えば面発光型の発光ダ
イオード(light emitting diode;LED)により構成
されている。ここで面発光型とは、素子の主表面(最も
大きい面積を有する表面)から光が出射されるもののこ
とをいう。また、受光素子50は、例えば面発光型のフ
ォトダイオードにより構成されている。ここで面受光型
とは、主表面によって光を受けるもののことをいう。
The light emitting element 40 is constituted by, for example, a surface emitting type light emitting diode (LED). Here, the surface-emitting type refers to an element in which light is emitted from the main surface (the surface having the largest area) of the element. In addition, the light receiving element 50 is configured by, for example, a surface-emitting type photodiode. Here, the term “surface light receiving type” refers to a type that receives light by a main surface.

【0030】このような構成を有する光配線基板は、例
えば図3に示したような光配線モジュールとして用いら
れる。この光配線モジュールは、例えば、図1に示した
光配線基板の絶縁層20の電気配線部10と反対側に、
ICチップ61,62が配設されたものである。ICチ
ップ61,62には、例えば信号処理回路やメモリ回路
などの電子回路がそれぞれ集積されている。ここで、I
Cチップ61,62が、本発明の「集積回路」の一具体
例に対応している。
The optical wiring board having such a configuration is used, for example, as an optical wiring module as shown in FIG. This optical wiring module is provided, for example, on the opposite side of the insulating layer 20 of the optical wiring board shown in FIG.
IC chips 61 and 62 are provided. Electronic circuits such as a signal processing circuit and a memory circuit are integrated in the IC chips 61 and 62, respectively. Where I
The C chips 61 and 62 correspond to a specific example of the “integrated circuit” of the present invention.

【0031】ICチップ61の光配線基板(絶縁層2
0)側には、ICチップ61と電気的に接続されたバン
プ(導電性突起)63,64がそれぞれ設けられてい
る。バンプ63は電極18aと接触しており、バンプ6
4は信号電極16と接触している。これにより、ICチ
ップ61は、バンプ63,電極18aおよび接続孔13
eに充填された導電体を介して電気配線パターン12c
に電気的に接続されると共に、バンプ64,信号電極1
6および接続孔13cに充填された導電体を介して発光
素子40の信号電極40bに電気的に接続されている。
The optical wiring board (insulating layer 2) of the IC chip 61
On the 0) side, bumps (conductive protrusions) 63 and 64 electrically connected to the IC chip 61 are provided. The bump 63 is in contact with the electrode 18a, and the bump 6
4 is in contact with the signal electrode 16. As a result, the IC chip 61 includes the bump 63, the electrode 18 a and the connection hole 13.
e through the electric conductor filled in the electric wiring pattern 12c
And the bumps 64, the signal electrodes 1
6 and a conductor filled in the connection hole 13c, and is electrically connected to the signal electrode 40b of the light emitting element 40.

【0032】一方、ICチップ62の光配線基板(絶縁
層20)側には、ICチップ62と電気的に接続された
バンプ65,66がそれぞれ設けられている。バンプ6
5は電極18bと接触しており、バンプ66は信号電極
17と接触している。これにより、ICチップ62は、
バンプ65,電極18bおよび接続孔13fに充填され
た導電体を介して電気配線パターン12dに電気的に接
続されると共に、バンプ66,信号電極17および接続
孔13dに充填された導電体を介して受光素子50の信
号電極50bに電気的に接続されている。
On the other hand, bumps 65 and 66 electrically connected to the IC chip 62 are provided on the side of the optical wiring board (insulating layer 20) of the IC chip 62, respectively. Bump 6
5 is in contact with the electrode 18b, and the bump 66 is in contact with the signal electrode 17. As a result, the IC chip 62
The bump 65, the electrode 18b, and the conductor filled in the connection hole 13f are electrically connected to the electric wiring pattern 12d, and the bump 66, the signal electrode 17, and the conductor filled in the connection hole 13d. It is electrically connected to the signal electrode 50b of the light receiving element 50.

【0033】次に、図4ないし図8を参照して、図3に
示した光配線モジュールの製造方法について説明する。
なお、図4ないし図8は、光配線モジュールの製造方法
の各製造工程をそれぞれ表すものである。
Next, a method of manufacturing the optical wiring module shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS.
4 to 8 respectively show the respective manufacturing steps of the method for manufacturing the optical wiring module.

【0034】まず、図4に示したように、電気配線パタ
ーン12a〜12gが形成された基板11(すなわち、
電気配線部10),発光素子40および受光素子50を
それぞれ用意する。なお、電気配線部10としては、例
えば、その表面に、接続孔13aを介して電気配線パタ
ーン12aに電気的に接続された電極14および接続孔
13bを介して電気配線パターン12bに電気的に接続
された電極15が形成されたものを用意する。そのの
ち、発光素子40の電源電極40aと電気配線部10表
面の電源電極14とを例えば半田などにより接合して、
発光素子40を電気配線部10の上に実装する。また、
受光素子50の電源電極50aと電気配線部10表面の
電源電極15とを例えば半田などにより接合して、受光
素子50を電気配線部10の上に実装する。
First, as shown in FIG. 4, the substrate 11 on which the electric wiring patterns 12a to 12g are formed (ie,
An electric wiring section 10), a light emitting element 40 and a light receiving element 50 are prepared. The electric wiring portion 10 has, for example, an electrode 14 electrically connected to the electric wiring pattern 12a through the connection hole 13a and an electric connection to the electric wiring pattern 12b through the connection hole 13b. An electrode having the formed electrode 15 is prepared. After that, the power supply electrode 40a of the light emitting element 40 and the power supply electrode 14 on the surface of the electric wiring section 10 are joined by, for example, solder or the like.
The light emitting element 40 is mounted on the electric wiring section 10. Also,
The power supply electrode 50a of the light receiving element 50 and the power supply electrode 15 on the surface of the electric wiring section 10 are joined by, for example, solder, and the light receiving element 50 is mounted on the electric wiring section 10.

【0035】次に、図5に示したように、発光素子40
および受光素子50を覆うように、電気配線部10の上
に下部絶縁層20aを形成する。この下部絶縁層20a
の形成は、例えば、ロールコート法,カーテンコート
法,スピンコート法あるいはディップコート法によりエ
ポキシ樹脂を塗布し、熱処理することにより行う。これ
により、発光素子40および受光素子50が下部絶縁層
20aの内部に埋設される。下部絶縁層20aを形成し
たのち、下部絶縁層20a表面の平坦化処理を行う。
Next, as shown in FIG.
In addition, a lower insulating layer 20a is formed on the electric wiring section 10 so as to cover the light receiving element 50. This lower insulating layer 20a
Is formed, for example, by applying an epoxy resin by a roll coating method, a curtain coating method, a spin coating method or a dip coating method, and performing a heat treatment. Thereby, the light emitting element 40 and the light receiving element 50 are embedded in the lower insulating layer 20a. After forming the lower insulating layer 20a, the surface of the lower insulating layer 20a is planarized.

【0036】次に、図6に示したように、その長手方向
の一端部が発光素子40の発光部40cに対応し、他端
部が受光素子50の受光部50cに対応するように、例
えば以下のようにして光導波路30を形成する。
Next, as shown in FIG. 6, for example, one end in the longitudinal direction corresponds to the light emitting section 40c of the light emitting element 40, and the other end corresponds to the light receiving section 50c of the light receiving element 50. The optical waveguide 30 is formed as follows.

【0037】すなわち、光導波路30を形成する際に
は、まず、下部絶縁層20aの上に、例えばスピンコー
ト法により硬化後の屈折率が1.54程度の液状のエポ
キシ樹脂を30μm程度の厚さになるように塗布したの
ち、塗布したエポキシ樹脂上に図示しないフォトマスク
を位置合わせして配置する。フォトマスクとしては、例
えば、光導波路30に対応する開口が設けられた遮光膜
を備え、開口の長手方向に沿って遮光膜の厚さが漸次薄
くなることによって、遮光膜の開口の短辺近傍領域が遮
光膜の厚さに応じた光の量を透過させるグレースケール
領域として機能するようになっているものを用いること
ができる。
That is, when forming the optical waveguide 30, first, a liquid epoxy resin having a refractive index of about 1.54 after curing by, for example, spin coating is applied on the lower insulating layer 20a to a thickness of about 30 μm. After that, a photomask (not shown) is positioned and placed on the applied epoxy resin. The photomask includes, for example, a light-shielding film provided with an opening corresponding to the optical waveguide 30, and the thickness of the light-shielding film gradually decreases along the longitudinal direction of the opening, so that the vicinity of the short side of the opening of the light-shielding film is reduced. It is possible to use one in which the region functions as a gray scale region that transmits an amount of light according to the thickness of the light-shielding film.

【0038】フォトマスクを配置したのち、フォトマス
ク側から電気配線部10側に向けて光を照射する。この
光の照射は、例えば、超高圧水銀ランプを用いて、10
mW/cm2 程度の低い出力で長い時間(例えば、3分
間)をかけて行う。そののち、エポキシ樹脂のうち光が
照射されず未硬化の部分を例えば有機溶剤を用いて溶解
除去する。これにより、光導波路30が形成されると共
に、その両端部に反射面30a,30bが形成される。
After arranging the photomask, light is irradiated from the photomask side to the electric wiring section 10 side. This light irradiation is performed, for example, by using an ultra-high pressure mercury lamp for 10 minutes.
This is performed over a long time (for example, 3 minutes) at a low output of about mW / cm 2 . After that, the uncured portion of the epoxy resin that is not irradiated with light is dissolved and removed using, for example, an organic solvent. Thus, the optical waveguide 30 is formed, and the reflection surfaces 30a and 30b are formed at both ends.

【0039】なお、図2(A),(B)に示したような
コア層31とクラッド層32とを有する光導波路30A
を形成する場合には、次にようにすればよい。まず、下
部絶縁層20aの上に、例えばスピンコート法により硬
化後の屈折率が1.52程度の液状のエポキシ樹脂を3
0μm程度の厚さになるように塗布したのち、例えば熱
処理を行って樹脂を硬化させ、下部クラッド層32a
(図2(A)参照)を形成する。次いで、下部クラッド
層32aの上に、例えば上述した光導波路30の形成方
法と同様の方法を用いて、両端部に反射面31a,31
bを有するコア層31を形成する。続いて、下部クラッ
ド層32aの露出面およびコア層31の上に、例えばス
ピンコート法により硬化後の屈折率が1.52程度の液
状のエポキシ樹脂をコア層31の上部において30μm
程度の厚さになるように塗布したのち、熱処理を行って
樹脂を固化させ、上部クラッド層32bを形成する。
An optical waveguide 30A having a core layer 31 and a cladding layer 32 as shown in FIGS.
Is formed as follows. First, a liquid epoxy resin having a refractive index of about 1.52 after curing by, for example, spin coating is applied on the lower insulating layer 20a.
After being applied so as to have a thickness of about 0 μm, for example, heat treatment is performed to cure the resin, and the lower clad layer 32 a
(See FIG. 2A). Next, on the lower cladding layer 32a, for example, using the same method as the above-described method of forming the optical waveguide 30, the reflection surfaces 31a, 31 are formed on both ends.
The core layer 31 having b is formed. Subsequently, on the exposed surface of the lower cladding layer 32a and on the core layer 31, a liquid epoxy resin having a refractive index of about 1.52 after curing by, for example, spin coating is applied to the upper part of the core layer 31 to a thickness of 30 μm.
After being applied to a thickness of about the same, heat treatment is performed to solidify the resin, thereby forming the upper cladding layer 32b.

【0040】光導波路30を形成したのち、図7に示し
たように、光導波路30を覆うように、上部絶縁層20
bを形成する。上部絶縁層20bは、例えば、下部絶縁
層20aと同一の材料を用いて同一の方法により形成す
る。これにより、下部絶縁層20aおよび上部絶縁層2
0bよりなる絶縁層20が形成される。
After the formation of the optical waveguide 30, as shown in FIG.
b is formed. The upper insulating layer 20b is formed using, for example, the same material and the same method as the lower insulating layer 20a. Thereby, the lower insulating layer 20a and the upper insulating layer 2
0b is formed.

【0041】次に、図8に示したように、電気配線パタ
ーン12c,12dおよび信号電極40b,50bに対
応して絶縁層20に接続孔13c〜13fをそれぞれ形
成する。そののち、例えばめっき法あるいは印刷法によ
りこれらの接続孔13c〜13fに銅などの導電体を埋
め込むと共に、信号電極16,17および電極18a,
18bをそれぞれ形成する。なお、接続孔13c〜13
fの形成は、例えばレーザあるいはドリルを用いて行
う。また、絶縁層20を感光性を有する材料により形成
した場合には、フォトリソグラフィ技術を用いて接続孔
13c〜13fを形成することも可能である。
Next, as shown in FIG. 8, connection holes 13c to 13f are formed in the insulating layer 20 corresponding to the electric wiring patterns 12c and 12d and the signal electrodes 40b and 50b, respectively. Thereafter, a conductor such as copper is embedded in the connection holes 13c to 13f by, for example, a plating method or a printing method, and the signal electrodes 16, 17 and the electrodes 18a,
18b are formed respectively. The connection holes 13c to 13c
The formation of f is performed using, for example, a laser or a drill. When the insulating layer 20 is formed of a photosensitive material, the connection holes 13c to 13f can be formed using photolithography.

【0042】次に、ICチップ61にバンプ63,64
をそれぞれ取り付けると共に、ICチップ62にバンプ
65,66をそれぞれ取り付ける。そののち、ICチッ
プ61,62を例えばバンプ63〜66を利用したフリ
ップチップボンディング法によって絶縁層20の上に実
装する。これにより、図3に示した光配線モジュールが
完成する。
Next, bumps 63 and 64 are formed on the IC chip 61.
And bumps 65 and 66 are attached to the IC chip 62, respectively. After that, the IC chips 61 and 62 are mounted on the insulating layer 20 by, for example, a flip chip bonding method using the bumps 63 to 66. Thus, the optical wiring module shown in FIG. 3 is completed.

【0043】次に、この光配線モジュールの作用につい
て説明する。
Next, the operation of the optical wiring module will be described.

【0044】この光配線モジュールでは、外部から印加
された電源電圧が、電気配線部10の電気配線パターン
12aおよび電極14を介して発光素子40の電源電極
40aに印加されると、発光素子40が動作可能な状態
になる。また、外部から印加された電源電圧が、電気配
線パターン12bおよび電極15を介して受光素子50
の電源電極50aに印加されると、受光素子50が動作
可能な状態になる。さらに、電気配線パターン12c,
12d、電極18a,18bおよびバンプ63,65を
介してICチップ61,62に電源電圧が印加される
と、ICチップ61,62がそれぞれ動作可能な状態に
なる。
In this optical wiring module, when a power supply voltage applied from the outside is applied to the power supply electrode 40a of the light emitting element 40 via the electric wiring pattern 12a and the electrode 14 of the electric wiring section 10, the light emitting element 40 is turned on. Operable state. Further, the power supply voltage applied from the outside is applied to the light receiving element 50 via the electric wiring pattern 12b and the electrode 15.
Is applied to the power supply electrode 50a, the light receiving element 50 becomes operable. Further, the electric wiring patterns 12c,
When a power supply voltage is applied to the IC chips 61 and 62 via the electrode 12d, the electrodes 18a and 18b, and the bumps 63 and 65, the IC chips 61 and 62 become operable.

【0045】発光素子40、受光素子50およびICチ
ップ61,62が動作可能な状態で、例えばICチップ
61の図示しない信号パッドから電気信号が出力される
と、信号電極16を介して発光素子40の信号電極40
bへ電気信号が入力され、発光素子40は電気信号を光
信号に変換して発光部40cから光信号を出射する。出
射した光信号は、光導波路30に入射し、その反射面3
1aにおいて入射方向とほぼ垂直の方向に例えば全反射
してコア層31の内部に入射する。そののち、この光信
号は、コア層31内を伝搬し、反射面31bに到達す
る。ここで、光信号は、光伝搬方向とほぼ垂直の方向に
例えば全反射して、光導波路30の外部に出射し、受光
素子50の受光部50cに入射する。受光素子50に入
射した光信号は、電気信号に変換されて信号電極50b
から出力されて、信号電極17を介してICチップ62
の図示しない信号パッドに入力される。このようにし
て、ICチップ61とICチップ62との間で光信号が
高速伝送される。また、低速コントロール信号などの比
較的低速で伝送してもよい信号は、所定の電気配線パタ
ーンによって電気信号のまま伝送される。ここでは、光
導波路30が絶縁層20の内部に設けられているので、
光導波路30に対する損傷が防止されており、光伝搬損
失が少なくなっている。
When an electric signal is output from a signal pad (not shown) of the IC chip 61 in a state where the light emitting element 40, the light receiving element 50, and the IC chips 61 and 62 are operable, the light emitting element 40 is Signal electrode 40
b, an electric signal is input, the light emitting element 40 converts the electric signal into an optical signal, and emits an optical signal from the light emitting unit 40c. The emitted optical signal enters the optical waveguide 30 and its reflection surface 3
At 1a, the light is totally reflected, for example, in a direction substantially perpendicular to the incident direction and enters the inside of the core layer 31. After that, this optical signal propagates in the core layer 31 and reaches the reflection surface 31b. Here, the optical signal is totally reflected, for example, in a direction substantially perpendicular to the light propagation direction, exits the optical waveguide 30, and enters the light receiving unit 50 c of the light receiving element 50. The optical signal incident on the light receiving element 50 is converted into an electric signal and is converted into a signal electrode 50b.
From the IC chip 62 via the signal electrode 17
Are input to a signal pad (not shown). Thus, the optical signal is transmitted at high speed between the IC chip 61 and the IC chip 62. Also, signals that may be transmitted at a relatively low speed, such as low-speed control signals, are transmitted as electrical signals by a predetermined electrical wiring pattern. Here, since the optical waveguide 30 is provided inside the insulating layer 20,
Damage to the optical waveguide 30 is prevented, and light propagation loss is reduced.

【0046】このように本実施の形態に係る光配線基板
によれば、光配線としての光導波路30を絶縁層20の
内部に配設するようにしたので、衝撃などの外部要因に
よる光導波路30の損傷を効果的に防止することができ
る。従って、光配線の配線切れを防止することができ
る。また、光学的な雑音の影響を除去することができ
る。さらに、光伝搬損失を低減することができる。よっ
て、この光配線基板を用れば、光伝搬特性に優れた光配
線モジュールを構成することができる。また、信号の高
速伝送が可能になる。
As described above, according to the optical wiring board according to the present embodiment, the optical waveguide 30 as the optical wiring is disposed inside the insulating layer 20. Can be effectively prevented. Therefore, disconnection of the optical wiring can be prevented. In addition, the influence of optical noise can be eliminated. Further, light propagation loss can be reduced. Therefore, by using this optical wiring board, it is possible to configure an optical wiring module having excellent light propagation characteristics. Also, high-speed transmission of signals becomes possible.

【0047】さらに、発光素子40や受光素子50をも
絶縁層20の内部に配設すれば、これらについても保護
され、光伝搬特性をさらに向上させることができる。
Further, if the light emitting element 40 and the light receiving element 50 are also provided inside the insulating layer 20, they are also protected and the light propagation characteristics can be further improved.

【0048】また、本実施の形態に係る光配線基板を用
いて光配線モジュールを構成すれば、光配線が露出して
いる場合に比べて、光配線基板上にICチップ61,6
2などの電気部品あるいはその他のチップ部品を実装可
能な領域が増加するので、設計時の自由度が高くなると
共に、これらの実装を容易に行うことができる。
When an optical wiring module is formed using the optical wiring board according to the present embodiment, the IC chips 61 and 6 are formed on the optical wiring board as compared with the case where the optical wiring is exposed.
Since the area in which electrical components such as No. 2 or other chip components can be mounted increases, the degree of freedom at the time of design increases, and these components can be easily mounted.

【0049】(第1の変形例)図9は、本発明の第1の
実施の形態の第1の変形例に係る光配線モジュールの構
造を一部破断して表すものである。なお、以下の説明で
は、上記第1の実施の形態の構成要素と同一の部分には
同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略す
る。
(First Modification) FIG. 9 shows a partially cut away structure of an optical wiring module according to a first modification of the first embodiment of the present invention. In the following description, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0050】本変形例に係る光配線モジュールが第1の
実施の形態の光配線モジュールと大きく異なる点は、電
気配線部10の上に、光導波路30Bと発光素子40お
よび受光素子50とが電気配線部10側からこの順に配
置されていることである。従って、ここでは、光導波路
30Bは、例えば両端部に、電気配線部10の主表面と
なす外角が鋭角(ここでは、略45°)であるような反
射面30c,30dを有している。
The optical wiring module according to this modification is significantly different from the optical wiring module of the first embodiment in that the optical waveguide 30B, the light emitting element 40 and the light receiving element 50 are electrically connected on the electrical wiring section 10. That is, they are arranged in this order from the wiring section 10 side. Therefore, here, the optical waveguide 30B has, for example, reflection surfaces 30c and 30d at both ends where the outer angle with the main surface of the electric wiring portion 10 is an acute angle (here, approximately 45 °).

【0051】この光配線モジュールでは、絶縁層20の
表面に、信号電極16から電気信号が印加される信号電
極71、および信号電極17へ電気信号を出力するため
の信号電極72が設けられている。
In this optical wiring module, a signal electrode 71 to which an electric signal is applied from the signal electrode 16 and a signal electrode 72 for outputting an electric signal to the signal electrode 17 are provided on the surface of the insulating layer 20. .

【0052】信号電極71と信号電極16との間には接
続孔13gが形成されており、信号電極71と信号電極
16とは接続孔13gに充填された導電体を介して電気
的に接続されている。信号電極71の表面にはバンプ7
3が設けられており、信号電極71はバンプ73を介し
て発光素子40の信号電極40bに電気的に接続されて
いる。また、絶縁層20の表面には、外部から電源電圧
が印加される電極14Aが設けられている。電極14A
と発光素子40の電源電極40aとの間には接続孔13
hが形成されており、電極14Aは接続孔13hに充填
された導電体を介して電源電極40aに電気的に接続さ
れている。なお、電極14Aは、図示しない接続孔に充
填された導電体を介して電気配線パターン12aに電気
的に接続されている。
A connection hole 13g is formed between the signal electrode 71 and the signal electrode 16, and the signal electrode 71 and the signal electrode 16 are electrically connected via a conductor filled in the connection hole 13g. ing. A bump 7 is formed on the surface of the signal electrode 71.
3 are provided, and the signal electrode 71 is electrically connected to the signal electrode 40 b of the light emitting element 40 via the bump 73. An electrode 14A to which a power supply voltage is applied from the outside is provided on the surface of the insulating layer 20. Electrode 14A
Connection hole 13 between the power supply electrode 40a of the light emitting element 40
h is formed, and the electrode 14A is electrically connected to the power supply electrode 40a via a conductor filled in the connection hole 13h. The electrode 14A is electrically connected to the electric wiring pattern 12a via a conductor filled in a connection hole (not shown).

【0053】信号電極72と信号電極17との間には接
続孔13iが形成されており、信号電極72と信号電極
17とは接続孔13iに充填された導電体を介して電気
的に接続されている。信号電極72の表面にはバンプ7
4が設けられており、信号電極72はバンプ74を介し
て受光素子50の信号電極50bに電気的に接続されて
いる。また、絶縁層20の表面には、外部から電源電圧
が印加される電極15Aが設けられている。電極15A
と受光素子50の電源電極50aとの間には接続孔13
jが形成されており、電極15Aは接続孔13jに充填
された導電体を介して電源電極50aに電気的に接続さ
れている。なお、電極15Aは、図示しない接続孔に充
填された導電体を介して電気配線パターン12bに電気
的に接続されている。
A connection hole 13i is formed between the signal electrode 72 and the signal electrode 17, and the signal electrode 72 and the signal electrode 17 are electrically connected via a conductor filled in the connection hole 13i. ing. The bump 7 is formed on the surface of the signal electrode 72.
The signal electrode 72 is electrically connected to the signal electrode 50 b of the light receiving element 50 via the bump 74. An electrode 15A to which a power supply voltage is applied from the outside is provided on the surface of the insulating layer 20. Electrode 15A
Connection hole 13 between power supply electrode 50a of
j is formed, and the electrode 15A is electrically connected to the power supply electrode 50a via a conductor filled in the connection hole 13j. The electrode 15A is electrically connected to the electric wiring pattern 12b via a conductor filled in a connection hole (not shown).

【0054】このような構成を有する光配線モジュール
では、ICチップ61の図示しない信号パッドから電気
信号が出力されると、信号電極16および信号電極71
を介して発光素子40の信号電極40bへ電気信号が入
力される。また、受光素子50に入射した光信号は、電
気信号に変換されて信号電極50bから出力されて、信
号電極72および信号電極17を介してICチップ62
の信号パッドに入力される。なお、その他は第1の実施
の形態と同様に作用する。また、本変形例に係る光配線
モジュールは、第1の実施の形態と同様の効果を有す
る。
In the optical wiring module having such a configuration, when an electric signal is output from a signal pad (not shown) of the IC chip 61, the signal electrode 16 and the signal electrode 71 are output.
An electric signal is input to the signal electrode 40b of the light emitting element 40 via the. The optical signal incident on the light receiving element 50 is converted into an electric signal and output from the signal electrode 50b, and is transmitted through the signal electrode 72 and the signal electrode 17 to the IC chip 62.
Is input to the signal pad. The rest operates in the same manner as in the first embodiment. Further, the optical wiring module according to the present modification has the same effects as those of the first embodiment.

【0055】(第2の変形例)図10は、本発明の第1
の実施の形態の第2の変形例に係る光配線モジュールの
構造を一部破断して表すものである。なお、以下の説明
では、上記第1の実施の形態の構成要素と同一の部分に
は同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略す
る。
(Second Modification) FIG. 10 shows a first modification of the present invention.
13 shows a partially cutaway structure of an optical wiring module according to a second modification of the embodiment. In the following description, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0056】本変形例に係る光配線モジュールが第1の
実施の形態の光配線モジュールと大きく異なる点は、面
発光型の発光素子40および面受光型の受光素子50に
代えて、端面発光型の発光素子40Aおよび端面受光型
の受光素子50Aを備えていることである。従って、こ
こでは、光導波路30Cの両端部に反射面を設ける必要
がなく、光導波路30Cは例えば断面形状が矩形状とな
っている。また、光導波路30C,発光素子40Aおよ
び受光素子50Aは、光導波路30Cの一側面と発光素
子40Aの発光部40c、光導波路30Cの他の側面と
受光素子50Aの受光部50cとがそれぞれ対向するよ
うに配設されている。
The optical wiring module according to this modification is significantly different from the optical wiring module of the first embodiment in that an edge emitting type light emitting element 40 and a surface receiving type light receiving element 50 are used instead of the surface emitting type light emitting element 40 and the surface receiving type light receiving element 50. Is provided with the light emitting element 40A and the end face light receiving type light receiving element 50A. Therefore, here, it is not necessary to provide reflection surfaces at both ends of the optical waveguide 30C, and the optical waveguide 30C has, for example, a rectangular cross section. In the optical waveguide 30C, the light emitting element 40A, and the light receiving element 50A, one side surface of the optical waveguide 30C and the light emitting section 40c of the light emitting element 40A, and the other side surface of the optical waveguide 30C face the light receiving section 50c of the light receiving element 50A. It is arranged as follows.

【0057】このような構成を有する光配線モジュール
では、第1の実施の形態の光配線モジュールと同様に作
用し、同様の効果を有する。また、上述したように光導
波路30Bの両端部に反射面を設ける必要がないので、
容易に製造することができるという利点を有する。
The optical wiring module having such a configuration operates and has the same effect as the optical wiring module of the first embodiment. Further, as described above, since it is not necessary to provide reflection surfaces at both ends of the optical waveguide 30B,
It has the advantage that it can be easily manufactured.

【0058】[第2の実施の形態]まず、本実施の第2
の実施の形態に係る光配線モジュールの構成について説
明する。なお、以下の説明では、上記第1の実施の形態
の構成要素と同一の部分には同一の符号を付し、ここで
はその詳細な説明を省略する。
[Second Embodiment] First, a second embodiment of the present invention will be described.
The configuration of the optical wiring module according to the embodiment will be described. In the following description, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0059】図11は、本実施の形態に係る光配線モジ
ュールの構造を一部破断して表すものである。この光配
線モジュールが第1の実施の形態に係る光配線モジュー
ルと大きく異なる点は、発光素子40および受光素子5
0が絶縁層20の内部に埋め込まれておらず、絶縁層2
0の外部に配設されていることである。
FIG. 11 shows the structure of the optical wiring module according to the present embodiment in a partially broken manner. This optical wiring module is largely different from the optical wiring module according to the first embodiment in that the light emitting element 40 and the light receiving element 5
0 is not embedded in the insulating layer 20 and the insulating layer 2
0.

【0060】発光素子40は、例えば、ICチップ61
の光配線基板(絶縁層20)に面した側に、その発光部
40cが光導波路30Bの反射面30cに対応するよう
に配置されている。発光素子40の信号電極40bは、
ICチップ61の図示しない信号パッドに接触している
か、あるいは半田などにより接合されてICチップ61
と電気的に接続されている。また、電源電極40aは、
図示しない接続孔に充填された導電体を介して電気配線
パターン12aに電気的に接続されている。
The light emitting element 40 is, for example, an IC chip 61
On the side facing the optical wiring substrate (insulating layer 20), the light emitting portion 40c is disposed so as to correspond to the reflection surface 30c of the optical waveguide 30B. The signal electrode 40b of the light emitting element 40
The IC chip 61 is in contact with a signal pad (not shown) of the IC chip 61 or is joined by solder or the like.
Is electrically connected to The power supply electrode 40a is
It is electrically connected to the electric wiring pattern 12a via a conductor filled in a connection hole (not shown).

【0061】一方、受光素子50は、例えば、ICチッ
プ62の光配線基板に面した側に、その受光部50cが
光導波路30Bの反射面30dに対応するように配置さ
れている。受光素子50の信号電極50bは、ICチッ
プ62の図示しない信号パッドに接触しているか、ある
いは半田などにより接合されてICチップ62と電気的
に接続されている。また、電源電極50aは、図示しな
い接続孔に充填された導電体を介して電気配線パターン
12bに電気的に接続されている。
On the other hand, the light receiving element 50 is arranged, for example, on the side of the IC chip 62 facing the optical wiring board so that the light receiving portion 50c corresponds to the reflection surface 30d of the optical waveguide 30B. The signal electrode 50b of the light receiving element 50 is in contact with a signal pad (not shown) of the IC chip 62, or is electrically connected to the IC chip 62 by being joined by solder or the like. The power supply electrode 50a is electrically connected to the electric wiring pattern 12b via a conductor filled in a connection hole (not shown).

【0062】このような構成を有する光配線モジュール
は、例えば、電気配線部10を用意し、第1の実施の形
態と同様にして、下部絶縁層,光導波路30B,上部絶
縁層を順次形成したのち、発光素子40を実装したIC
チップ61と、受光素子50を実装したICチップ62
とを実装することにより製造することができる。
In the optical wiring module having such a configuration, for example, the electric wiring section 10 is prepared, and the lower insulating layer, the optical waveguide 30B, and the upper insulating layer are sequentially formed in the same manner as in the first embodiment. Later, an IC mounting the light emitting element 40
Chip 61 and IC chip 62 on which light receiving element 50 is mounted
Can be manufactured by mounting.

【0063】このように発光素子40および受光素子5
0が絶縁層20の内部に埋め込まれていない場合であっ
ても、第1の実施の形態と同様に、光配線の配線切れお
よび光学的雑音の発生を防止できると共に、光伝搬損失
を低減することができる。
As described above, the light emitting element 40 and the light receiving element 5
Even when 0 is not embedded in the insulating layer 20, similarly to the first embodiment, disconnection of the optical wiring and generation of optical noise can be prevented, and light propagation loss can be reduced. be able to.

【0064】[第3の実施の形態]本実施の形態は、予
め別途形成した光導波路を電気配線部10の上に転写す
るようにした光配線基板の製造方法および光配線モジュ
ールの製造方法に関するものである。なお、図12およ
び図13は、光配線モジュールの製造方法の各製造工程
をそれぞれ表すものである。
[Third Embodiment] The present embodiment relates to a method for manufacturing an optical wiring board and a method for manufacturing an optical wiring module in which an optical waveguide formed separately in advance is transferred onto the electric wiring section 10. Things. FIGS. 12 and 13 show the respective manufacturing steps of the method for manufacturing the optical wiring module.

【0065】本実施の形態では、まず、図12に示した
ように、例えば、平坦性に優れた透明なダミー基板81
を用意し、このダミー基板81の上に、例えば、プラズ
マCVD(Chemical Vapor Deposition )法により厚さ
500nmの二酸化ケイ素(SiO2 )よりなる基板分
離層82を形成する。次に、基板分離層82の上に、例
えばスピンコート法により硬化後の屈折率が1.54程
度の液状のエポキシ樹脂を30μm程度の厚さになるよ
うに塗布したのち、塗布したエポキシ樹脂上に図示しな
いフォトマスクを位置合わせして配置する。フォトマス
クとしては、例えば第1の実施の形態で説明したもの同
様のものを用いることができる。
In this embodiment, first, as shown in FIG. 12, for example, a transparent dummy substrate 81 having excellent flatness is formed.
And a substrate separation layer 82 of 500 nm thick made of silicon dioxide (SiO 2 ) is formed on the dummy substrate 81 by, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, a liquid epoxy resin having a refractive index of about 1.54 after curing is applied to the substrate separation layer 82 so as to have a thickness of about 30 μm by, for example, a spin coating method. A photomask (not shown) is positioned and arranged. As the photomask, for example, a photomask similar to that described in the first embodiment can be used.

【0066】フォトマスクを配置したのち、フォトマス
ク側から電気配線部10側に向けて光を照射する。この
光の照射は、例えば、超高圧水銀ランプを用いて、10
mW/cm2 程度の出力で3分間行う。ここでは、光の
吸収量が少なく、透過性に優れたエポキシ樹脂を用いて
いるので、ダミー基板81の表面および裏面において反
射した光も露光に寄与すると考えられる。そのため、エ
ポキシ樹脂の露光された領域は裏面側から硬化して、基
板分離層82に固着する。なお、このとき、フォトマス
ク(具体的には、遮光膜)のグレースケール領域に対応
する部分は、下層側から硬化し、上層側は硬化しない。
光の照射を行ったのち、エポキシ樹脂のうち光が照射さ
れず未硬化の部分を例えば有機溶剤を用いて溶解除去す
る。これにより、光導波路30が形成されると共に、そ
の両端部にダミー基板81の表面となす外角が鋭角(こ
こでは、略45°)とされた反射面30a,30bが形
成される。
After arranging the photomask, light is irradiated from the photomask side to the electric wiring section 10 side. This light irradiation is performed, for example, by using an ultra-high pressure mercury lamp for 10 minutes.
The operation is performed for 3 minutes at an output of about mW / cm 2 . Here, since an epoxy resin having a small amount of light absorption and an excellent transmittance is used, light reflected on the front and back surfaces of the dummy substrate 81 is also considered to contribute to the exposure. Therefore, the exposed area of the epoxy resin is hardened from the back side and fixed to the substrate separation layer 82. At this time, the portion of the photomask (specifically, the light shielding film) corresponding to the gray scale region is cured from the lower layer side, and the upper layer side is not cured.
After the light irradiation, an uncured portion of the epoxy resin that is not irradiated with the light is dissolved and removed using, for example, an organic solvent. As a result, the optical waveguide 30 is formed, and reflection surfaces 30a and 30b are formed at both ends of the dummy substrate 81, the outer angles of which are acute angles (here, approximately 45 °).

【0067】次に、図13に示したように、ダミー基板
81上に形成された状態の光導波路30を、位置合わせ
を行いながら下部絶縁層20aの上に密着させる。この
とき、光導波路30と下部絶縁層20aとの間には、エ
ポキシ樹脂などよりなる接着層83を配するようにす
る。なお、図12と図13とでは、便宜上、光導波路3
0の縮尺を変えて示している。
Next, as shown in FIG. 13, the optical waveguide 30 formed on the dummy substrate 81 is brought into close contact with the lower insulating layer 20a while performing alignment. At this time, an adhesive layer 83 made of epoxy resin or the like is arranged between the optical waveguide 30 and the lower insulating layer 20a. 12 and 13, for convenience, the optical waveguide 3
0 is shown on a different scale.

【0068】続いて、下部絶縁層20aとダミー基板8
1および光導波路30とを密着させた状態で、例えば、
超高圧水銀ランプを用いて、ダミー基板81側から電気
配線部10側に向かって10mW/cm2 の出力で3分
間光を照射する。これにより、接着層83を構成するエ
ポキシ樹脂が硬化し、光導波路30は下部絶縁層20a
の所望の位置に固着される。なお、接着層83は、熱処
理により硬化させるようにしてもよい。
Subsequently, the lower insulating layer 20a and the dummy substrate 8
1 and the optical waveguide 30 in close contact with each other, for example,
Light is irradiated from the dummy substrate 81 side toward the electric wiring section 10 at an output of 10 mW / cm 2 for 3 minutes using an ultra-high pressure mercury lamp. As a result, the epoxy resin forming the adhesive layer 83 is cured, and the optical waveguide 30 is moved to the lower insulating layer 20 a
At a desired position. Note that the adhesive layer 83 may be cured by heat treatment.

【0069】次に、光導波路30に下部絶縁層20aが
固着されている状態で、ダミー基板81を、例えば薄い
フッ化水素(HF)溶液、または緩衝フッ化水素(BH
F;Buffered HF)溶液に浸す。これにより、ダミー
基板81と光導波路30との間に形成された基板分離層
82が溶解除去され、基板分離層82上のダミー基板8
1が光導波路30から分離された状態(リフトオフ)と
なり、光導波路30が電気配線部10側(具体的には、
下部絶縁層20a上)に転写される。それ以降の工程
は、第1の実施の形態と同様である。
Next, while the lower insulating layer 20a is fixed to the optical waveguide 30, the dummy substrate 81 is placed on a thin hydrogen fluoride (HF) solution or a buffered hydrogen fluoride (BH).
F; Buffered HF) Immerse in solution. Thereby, the substrate separation layer 82 formed between the dummy substrate 81 and the optical waveguide 30 is dissolved and removed, and the dummy substrate 8 on the substrate separation layer 82 is removed.
1 is separated from the optical waveguide 30 (lift-off), and the optical waveguide 30 is moved to the electrical wiring section 10 side (specifically,
Transferred onto the lower insulating layer 20a). The subsequent steps are the same as in the first embodiment.

【0070】このように本実施の形態では、光導波路3
0を平坦性に優れたダミー基板81上に形成したのち、
上部絶縁層20上に転写するようにしたので、光導波路
30Aを形成する際に下地(ここでは、下部絶縁層20
a)の表面に凹凸が存在する場合であっても、この凹凸
形状に影響されることなく、光伝搬損失の少ない光導波
路30を形成することができる。
As described above, in the present embodiment, the optical waveguide 3
0 is formed on the dummy substrate 81 having excellent flatness,
Since the transfer is performed on the upper insulating layer 20, when forming the optical waveguide 30A, the base (here, the lower insulating layer 20) is formed.
Even when the surface of (a) has irregularities, the optical waveguide 30 having a small light propagation loss can be formed without being affected by the irregularities.

【0071】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記第1および第3
の実施の形態では、発光素子40および受光素子50が
共に絶縁層20の内部に埋め込まれた場合について説明
し、上記第2の実施の形態では、発光素子40および受
光素子50が共に絶縁層20の外部に配設された場合に
ついて説明したが、受光素子40および発光素子50の
うちのいずれか一方のみが絶縁層20内に埋め込まれた
構成とするようにしてもよい。例えば図14に示したよ
うに、発光素子40を絶縁層20の内部に配設し、受光
素子50を絶縁層20の外部に配設する場合には、発光
部40cと対向し、電気配線部10の主表面となす外角
が鈍角(例えば、略135°)である反射面30aと、
受光部50cと対向し、電気配線部10の主表面となす
外角が鋭角(例えば、略45°)である反射面30dと
を長手方向の両端部に有する光導波路30Dを用いるよ
うにすればよい。
As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be variously modified. For example, the first and third
In the second embodiment, the case where both the light emitting element 40 and the light receiving element 50 are embedded in the insulating layer 20 will be described. In the second embodiment, both the light emitting element 40 and the light receiving element 50 will be Has been described, but only one of the light receiving element 40 and the light emitting element 50 may be embedded in the insulating layer 20. For example, as shown in FIG. 14, when the light emitting element 40 is provided inside the insulating layer 20 and the light receiving element 50 is provided outside the insulating layer 20, A reflecting surface 30a having an obtuse angle (eg, approximately 135 °) with respect to the main surface of the light-emitting device 10;
An optical waveguide 30D having a reflection surface 30d facing the light receiving portion 50c and having an acute angle (for example, approximately 45 °) with the main surface of the electric wiring portion 10 at both ends in the longitudinal direction may be used. .

【0072】また、上記第3の実施の形態では、コア層
のみにより構成された光導波路30を電気配線部10の
上に転写するようにしたが、図2に示したようなコア層
31およびクラッド層32よりなる光導波路30Aを転
写することも可能である。さらに、上記第3の実施の形
態では、上記第1の実施の形態と同様の構成を有する光
配線モジュールを作製する場合について説明したが、上
記第2の実施の形態と同様の構成を有する光配線モジュ
ールを作製する場合についても適用することができる。
Further, in the third embodiment, the optical waveguide 30 composed of only the core layer is transferred onto the electric wiring section 10, but the core layer 31 and the core layer 31 shown in FIG. It is also possible to transfer the optical waveguide 30A composed of the cladding layer 32. Further, in the third embodiment, a case has been described in which an optical wiring module having the same configuration as that of the first embodiment is manufactured. However, an optical module having the same configuration as that of the second embodiment is described. The present invention can be applied to a case where a wiring module is manufactured.

【0073】また、上記第1の実施の形態では、電気配
線部10と、光導波路30,発光素子40および受光素
子50が埋め込まれた絶縁層20とにより構成された光
配線基板について説明したが、光配線基板は必ずしも発
光素子40および受光素子50を備えている必要はな
い。その場合であっても、光導波路30を絶縁層20の
内部に配置したことによる効果は得られる。
Further, in the first embodiment, the optical wiring board constituted by the electric wiring section 10 and the insulating layer 20 in which the optical waveguide 30, the light emitting element 40 and the light receiving element 50 are embedded has been described. The optical wiring board does not necessarily need to include the light emitting element 40 and the light receiving element 50. Even in that case, the effect of disposing the optical waveguide 30 inside the insulating layer 20 can be obtained.

【0074】さらに、上記各実施の形態では、絶縁層2
0の上にICチップ61,62を実装する場合について
説明したが、他の回路や部品を実装することも可能であ
る。
In each of the above embodiments, the insulating layer 2
Although the case where the IC chips 61 and 62 are mounted on 0 has been described, other circuits and components can be mounted.

【0075】加えて、上記各実施の形態では、絶縁層2
0の内部に光導波路を1層のみ配設するようにしたが、
電気配線パターン12a〜12gの積層方向と同一の方
向に複数の光導波路を積層し、光配線の多層化を実現す
ることも可能である。
In addition, in each of the above embodiments, the insulating layer 2
0, only one optical waveguide is arranged inside.
It is also possible to laminate a plurality of optical waveguides in the same direction as the laminating direction of the electric wiring patterns 12a to 12g to realize a multilayer optical wiring.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上説明したように請求項1ないし請求
項14のいずれか1項に記載の光配線基板または請求項
15ないし請求項18のいずれか1項に記載の光配線モ
ジュールによれば、電気配線パターンを有する基体の内
部に光導波路を配置するようにしたので、光信号により
高速伝送が可能になると共に、外部からの衝撃による光
導波路の損傷を効果的に防止することができるという効
果を奏する。
As described above, according to the optical wiring board according to any one of claims 1 to 14, or the optical wiring module according to any one of claims 15 to 18, Since the optical waveguide is arranged inside the base having the electric wiring pattern, high-speed transmission by an optical signal is possible, and damage to the optical waveguide due to external impact can be effectively prevented. It works.

【0077】また、請求項19ないし請求項21のいず
れか1項に記載の光配線基板の製造方法または請求項2
2ないし請求項24のいずれか1項に記載の光配線モジ
ュールの製造方法によれば、下部絶縁層を形成し、その
上に光導波路を形成し、さらに光導波路を覆うように上
部絶縁層を形成することにより、光導波路を絶縁層の内
部に埋め込むようにしたので、本発明の光配線基板また
は光配線モジュールを容易に製造することができるとい
う効果を奏する。
A method for manufacturing an optical wiring board according to any one of claims 19 to 21 or claim 2.
According to the method for manufacturing an optical wiring module according to any one of claims 2 to 24, the lower insulating layer is formed, the optical waveguide is formed thereon, and the upper insulating layer is further formed so as to cover the optical waveguide. By forming, the optical waveguide is embedded in the insulating layer, so that the optical wiring board or the optical wiring module of the present invention can be easily manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る光配線基板の
構成を表す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an optical wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した光導波路の変形例を表す断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view illustrating a modification of the optical waveguide illustrated in FIG.

【図3】本発明の第1の実施の形態に係る光配線モジュ
ールの構成を一部破断して表す側面図である。
FIG. 3 is a side view showing a configuration of the optical wiring module according to the first embodiment of the present invention, partially cut away;

【図4】図3に示した光配線モジュールの製造方法を説
明するための断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the optical wiring module shown in FIG.

【図5】図4に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 4;

【図6】図5に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 5;

【図7】図6に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 6;

【図8】図7に続く工程を説明するための断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 7;

【図9】図3に示した光配線モジュールの第1の変形例
に係る光配線モジュール構成を一部破断して表す側面図
である。
FIG. 9 is a side view showing an optical wiring module configuration according to a first modification of the optical wiring module shown in FIG.

【図10】図3に示した光配線モジュールの第2の変形
例に係る光配線モジュール構成を一部破断して表す側面
図である。
FIG. 10 is a side view showing an optical wiring module configuration according to a second modification of the optical wiring module shown in FIG.

【図11】本発明の第2の実施の形態に係る光配線モジ
ュールの構成を一部破断して表す側面図である。
FIG. 11 is a partially cutaway side view illustrating a configuration of an optical wiring module according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第3の実施の形態に係る光配線モジ
ュールの製造方法を説明するための断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the optical wiring module according to the third embodiment of the present invention.

【図13】図12に続く工程を説明するための断面図で
ある。
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 12;

【図14】図3に示した光配線モジュールの他の変形例
に係る光配線モジュール構成を一部破断して表す側面図
である。
FIG. 14 is a partially cutaway side view showing an optical wiring module configuration according to another modification of the optical wiring module shown in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…電気配線部、11…基板、12a〜12g…電気
配線パターン、13a〜13j…接続孔、14,14
A,15,15A,18a,18b,19…電極、1
6,17,40b,50b,71,72…信号電極、2
0…絶縁層、20a…下部絶縁層、20b…上部絶縁
層、30,30A〜30D…光導波路、30a〜30
d,31a,31b…反射面、31…コア層、32…ク
ラッド層、40,40A…発光素子、40a,50a…
電源電極、40c…発光部、50,50A…受光素子、
50c…受光部、61,62…ICチップ、63〜6
6,73,74…バンプ、81…ダミー基板、82…基
板分離層、83…接着層
Reference numeral 10: electric wiring portion, 11: substrate, 12a to 12g: electric wiring pattern, 13a to 13j: connection holes, 14, 14
A, 15, 15A, 18a, 18b, 19 ... electrodes, 1
6, 17, 40b, 50b, 71, 72 ... signal electrodes, 2
0: insulating layer, 20a: lower insulating layer, 20b: upper insulating layer, 30, 30A to 30D: optical waveguide, 30a to 30
d, 31a, 31b: reflective surface, 31: core layer, 32: clad layer, 40, 40A: light emitting element, 40a, 50a ...
Power supply electrode, 40c: light emitting unit, 50, 50A: light receiving element,
50c: light receiving section, 61, 62: IC chip, 63-6
6, 73, 74: bump, 81: dummy substrate, 82: substrate separation layer, 83: adhesive layer

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 G02B 6/12 M H01L 31/02 C Fターム(参考) 2H047 KA03 MA07 PA02 PA22 PA24 PA28 QA05 5E346 AA42 AA43 BB02 BB03 BB16 BB20 CC08 CC09 CC10 CC13 CC16 DD03 DD32 EE31 FF18 FF45 HH40 5F088 AA02 BA13 BA18 DA01 FA09 FA11 FA20 JA01 JA05 JA11 JA20 5F089 AA06 AB03 AC02 AC05 AC08 AC09 AC10 AC16 AC18 CA20 EA10 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H05K 3/46 G02B 6/12 M H01L 31/02 C F term (reference) 2H047 KA03 MA07 PA02 PA22 PA24 PA28 QA05 5E346 AA42 AA43 BB02 BB03 BB16 BB20 CC08 CC09 CC10 CC13 CC16 DD03 DD32 EE31 FF18 FF45 HH40 5F088 AA02 BA13 BA18 DA01 FA09 FA11 FA20 JA01 JA05 JA11 JA20 5F089 AA06 AB03 AC02 AC05 AC08 AC09 AC10 AC16 AC18 CA20 EA10

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気配線パターンを有する基体と、 前記基体の内部に、光信号を伝送可能に配置された光導
波路とを備えたことを特徴とする光配線基板。
1. An optical wiring board comprising: a base having an electric wiring pattern; and an optical waveguide disposed inside the base so as to transmit an optical signal.
【請求項2】 さらに、 光信号を発信するための発光素子と、 光信号を受信するための受光素子とを備えたことを特徴
とする請求項1記載の光配線基板。
2. The optical wiring board according to claim 1, further comprising a light emitting element for transmitting an optical signal and a light receiving element for receiving the optical signal.
【請求項3】 前記基体は、 電気配線パターンが形成された電気配線部と、 この電気配線部を覆う絶縁層とを含むことを特徴とする
請求項1記載の光配線基板。
3. The optical wiring board according to claim 1, wherein the base includes an electric wiring portion on which an electric wiring pattern is formed, and an insulating layer covering the electric wiring portion.
【請求項4】 前記光導波路は、前記絶縁層の内部に配
設されていることを特徴とする請求項3記載の光配線基
板。
4. The optical wiring board according to claim 3, wherein the optical waveguide is provided inside the insulating layer.
【請求項5】 さらに、 光信号を発信するための発光素子と、 光信号を受信するための受光素子とを備え、 前記発光素子または前記受光素子の少なくとも一方が、
前記絶縁層の内部に配設されていることを特徴とする請
求項4記載の光配線基板。
5. A light-emitting element for transmitting an optical signal, and a light-receiving element for receiving an optical signal, wherein at least one of the light-emitting element and the light-receiving element includes:
The optical wiring board according to claim 4, wherein the optical wiring board is provided inside the insulating layer.
【請求項6】 前記発光素子は、電気信号を印加するた
めの第1の信号印加 電極を有し、前記絶縁層の表面には、外部から電気信号
が印加される第2の信号印加電極が配設され、 前記第1の信号印加電極と前記第2の信号印加電極とが
電気的に接続されていることを特徴とする請求項5記載
の光配線基板。
6. The light emitting element has a first signal applying electrode for applying an electric signal, and a second signal applying electrode to which an electric signal is applied from the outside is provided on a surface of the insulating layer. The optical wiring board according to claim 5, wherein the first signal applying electrode and the second signal applying electrode are electrically connected.
【請求項7】 前記発光素子は、電源電圧を印加するた
めの第1の電源電極をさらに有し、 前記電気配線部は、外部から電源電圧が印加される第2
の電源電極を有し、 前記第1の電源電極と前記第2の電源電極とが電気的に
接続されていることを特徴とする請求項6記載の光配線
基板。
7. The light emitting element further includes a first power supply electrode for applying a power supply voltage, and the electric wiring unit has a second power supply voltage applied from the outside.
7. The optical wiring board according to claim 6, further comprising: a first power supply electrode and the second power supply electrode.
【請求項8】 前記受光素子は、受信した光信号に応じ
た電気信号を出力するための第1の信号出力電極を有
し、 前記絶縁層の表面には、外部へ電気信号を出力するため
の第2の信号出力電極が配設され、 前記第1の信号出力電極と前記第2の信号出力電極とが
電気的に接続されていることを特徴とする請求項5記載
の光配線基板。
8. The light receiving element has a first signal output electrode for outputting an electric signal corresponding to a received optical signal, and on the surface of the insulating layer, for outputting an electric signal to the outside. 6. The optical wiring board according to claim 5, wherein a second signal output electrode is disposed, and the first signal output electrode and the second signal output electrode are electrically connected.
【請求項9】 前記受光素子は、電源電圧を印加するた
めの第3の電源電極をさらに有し、 前記電気配線部は、外部から電源電圧が印加される第4
の電源電極を有し、 前記第3の電源電極と前記第4の電源電極とが電気的に
接続されていることを特徴とする請求項8記載の光配線
基板。
9. The light receiving element further includes a third power supply electrode for applying a power supply voltage, and the electric wiring unit has a fourth power supply voltage to which a power supply voltage is externally applied.
9. The optical wiring board according to claim 8, wherein the third power electrode and the fourth power electrode are electrically connected. 10.
【請求項10】 前記光導波路は、 光を伝搬させるコア層と、 このコア層の周囲を包むクラッド層とを含むことを特徴
とする請求項1記載の光配線基板。
10. The optical wiring board according to claim 1, wherein the optical waveguide includes a core layer for transmitting light, and a clad layer surrounding the core layer.
【請求項11】 前記光導波路は、ポリイミド,エポキ
シ樹脂,アクリル樹脂,ポリオレフィン樹脂および合成
ゴムからなる群のうちの少なくとも1種を含む材料より
なることを特徴とする請求項1記載の光配線基板。
11. The optical wiring board according to claim 1, wherein said optical waveguide is made of a material containing at least one of a group consisting of polyimide, epoxy resin, acrylic resin, polyolefin resin and synthetic rubber. .
【請求項12】 前記電気配線部は、複数層の電気配線
パターンを含むことを特徴とする請求項3記載の光配線
基板。
12. The optical wiring board according to claim 3, wherein said electric wiring portion includes a plurality of electric wiring patterns.
【請求項13】 前記電気配線部は、酸化アルミニウ
ム、ガラスセラミック、窒化アルミニウムおよびムライ
トからなる群のうちの少なくとも1種を含む無機材料に
より構成された基板に電気配線パターンが形成されてな
ることを特徴とする請求項3記載の光配線基板。
13. The electric wiring part according to claim 1, wherein the electric wiring pattern is formed on a substrate made of an inorganic material containing at least one of a group consisting of aluminum oxide, glass ceramic, aluminum nitride, and mullite. The optical wiring board according to claim 3, wherein:
【請求項14】 前記電気配線部は、ガラスエポキシ樹
脂,ポリイミド,BT樹脂,PPE(Polyphenyl ethe
r)樹脂,フェノール樹脂およびポリオレフィン樹脂か
らなる群のうちの少なくとも1種を含む有機材料により
構成された基板に電気配線パターンが形成されてなるこ
とを特徴とする請求項3記載の光配線基板。
14. The electric wiring part is made of glass epoxy resin, polyimide, BT resin, PPE (Polyphenyl ether).
4. The optical wiring board according to claim 3, wherein an electrical wiring pattern is formed on a substrate made of an organic material containing at least one of a group consisting of resin, phenol resin and polyolefin resin.
【請求項15】 電気配線パターンを有する基体と、 前記基体の内部に、光信号を伝送可能に配置された光導
波路と、 光信号を発信するための発光素子と、 光信号を受信するための受光素子と、 前記発光素子または前記受光素子の少なくとも一方との
間で電気信号の授受を行う集積回路とを備えたことを特
徴とする光配線モジュール。
15. A base having an electric wiring pattern, an optical waveguide disposed inside the base so as to transmit an optical signal, a light emitting element for transmitting an optical signal, and a light emitting element for receiving an optical signal. An optical wiring module comprising: a light receiving element; and an integrated circuit that transmits and receives an electric signal between at least one of the light emitting element and the light receiving element.
【請求項16】 前記基体は、 電気配線パターンが形成された電気配線部と、 この電気配線部を覆う絶縁層とを含むことを特徴とする
請求項15記載の光配線モジュール。
16. The optical wiring module according to claim 15, wherein the base includes an electric wiring portion on which an electric wiring pattern is formed, and an insulating layer covering the electric wiring portion.
【請求項17】 前記光導波路は、前記絶縁層の内部に
配設されていることを特徴とする請求項16記載の光配
線モジュール。
17. The optical wiring module according to claim 16, wherein said optical waveguide is provided inside said insulating layer.
【請求項18】 前記発光素子または前記受光素子の少
なくとも一方が、前記絶縁層の内部に配設されているこ
とを特徴とする請求項16記載の光配線モジュール。
18. The optical wiring module according to claim 16, wherein at least one of said light emitting element and said light receiving element is disposed inside said insulating layer.
【請求項19】 電気配線パターンが形成された電気配
線部の上に下部絶縁層を形成する工程と、 前記下部絶縁層の上に、光信号を伝送することが可能な
光導波路を形成する工程と、 少なくとも前記光導波路を覆うように上部絶縁層を形成
する工程とを含むことを特徴とする光配線基板の製造方
法。
19. A step of forming a lower insulating layer on an electric wiring portion on which an electric wiring pattern is formed, and a step of forming an optical waveguide capable of transmitting an optical signal on the lower insulating layer. And a step of forming an upper insulating layer so as to cover at least the optical waveguide.
【請求項20】 前記光導波路を形成する工程は、 前記光導波路を所定のダミー基板上に形成する工程と、 前記ダミー基板上に形成された光導波路を前記上部絶縁
層の上に転写する工程とを含むことを特徴とする請求項
19記載の光配線基板の製造方法。
20. The step of forming the optical waveguide includes: forming the optical waveguide on a predetermined dummy substrate; and transferring the optical waveguide formed on the dummy substrate onto the upper insulating layer. 20. The method for manufacturing an optical wiring board according to claim 19, comprising:
【請求項21】 前記上部絶縁層または前記下部絶縁層
により覆われるように、発光素子または受光素子の少な
くとも一方を形成する工程をさらに含むことを特徴とす
る請求項19記載の光配線基板の製造方法。
21. The method of claim 19, further comprising forming at least one of a light emitting element and a light receiving element so as to be covered by the upper insulating layer or the lower insulating layer. Method.
【請求項22】 電気配線パターンが形成された電気配
線部の上に下部絶縁層を形成する工程と、 前記下部絶縁層の上に、光信号を伝送することが可能な
光導波路を形成する工程と、 少なくとも前記光導波路を覆うように上部絶縁層を形成
する工程と、 光信号を発信するための発光素子および光信号を受信す
るための受光素子を形成する工程と、 前記上部絶縁層の上に、前記発光素子または前記受光素
子の少なくとも一方との間で電気信号の授受を行う集積
回路を形成する工程とを含むことを特徴とする光配線モ
ジュールの製造方法。
22. A step of forming a lower insulating layer on an electric wiring portion having an electric wiring pattern formed thereon, and a step of forming an optical waveguide capable of transmitting an optical signal on the lower insulating layer. Forming an upper insulating layer so as to cover at least the optical waveguide; forming a light emitting element for transmitting an optical signal and a light receiving element for receiving the optical signal; Forming an integrated circuit for transmitting and receiving an electric signal to and from at least one of the light emitting element and the light receiving element.
【請求項23】 前記発光素子または前記受光素子の少
なくとも一方を、前記上部絶縁層または前記下部絶縁層
の内部に埋設されるように形成することを特徴とする請
求項22記載の光配線モジュールの製造方法。
23. The optical wiring module according to claim 22, wherein at least one of the light emitting element and the light receiving element is formed so as to be embedded in the upper insulating layer or the lower insulating layer. Production method.
【請求項24】 前記発光素子および前記受光素子を、
前記上部絶縁層の上に形成することを特徴とする請求項
22記載の光配線モジュールの製造方法。
24. The light-emitting element and the light-receiving element,
The method according to claim 22, wherein the optical wiring module is formed on the upper insulating layer.
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