JPH11271188A - ボロン薄膜標準試料 - Google Patents
ボロン薄膜標準試料Info
- Publication number
- JPH11271188A JPH11271188A JP7515298A JP7515298A JPH11271188A JP H11271188 A JPH11271188 A JP H11271188A JP 7515298 A JP7515298 A JP 7515298A JP 7515298 A JP7515298 A JP 7515298A JP H11271188 A JPH11271188 A JP H11271188A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- boron
- adhesive layer
- layer
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- Granted
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線分析装置の校正に用いるボロン標準試料
について、その基板とボロンからなる薄膜との密着性を
向上させる。 【解決手段】 シリコンを主成分とする基板２またはガ
ラスからなる基板２上に、炭素、クロームもしくはアル
ミニウムからなる接着層４を形成する。接着層４の上
に、ボロンからなる薄膜３を形成する。
について、その基板とボロンからなる薄膜との密着性を
向上させる。 【解決手段】 シリコンを主成分とする基板２またはガ
ラスからなる基板２上に、炭素、クロームもしくはアル
ミニウムからなる接着層４を形成する。接着層４の上
に、ボロンからなる薄膜３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光分光分析装置
や蛍光Ｘ線分析装置における校正用に用いられるボロン
薄膜標準試料に関するものである。
や蛍光Ｘ線分析装置における校正用に用いられるボロン
薄膜標準試料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記のような分析装置は、経時変化など
による測定条件の変化を補償するために、成分が既知の
標準試料を用いて定期的に校正して、所要の分析精度を
維持するよう管理されている。例えば、蛍光Ｘ線分析装
置では、標準試料からの蛍光Ｘ線強度を検出して、これ
と基準強度との比から装置定数を求め、この装置定数を
使用して校正を行っている。これら標準試料のうちのボ
ロン標準試料としては、主として、純ボロン若しくはボ
ロン化合物を固形状に成形したバルク型のものや、シリ
コンウエハー上にボロンを１μｍ程度の厚さに真空蒸着
した薄膜型のものが使用されている。近年では、ボロン
試料が高価であることから、少ない量ですむ薄膜型のも
のが多用されている。
による測定条件の変化を補償するために、成分が既知の
標準試料を用いて定期的に校正して、所要の分析精度を
維持するよう管理されている。例えば、蛍光Ｘ線分析装
置では、標準試料からの蛍光Ｘ線強度を検出して、これ
と基準強度との比から装置定数を求め、この装置定数を
使用して校正を行っている。これら標準試料のうちのボ
ロン標準試料としては、主として、純ボロン若しくはボ
ロン化合物を固形状に成形したバルク型のものや、シリ
コンウエハー上にボロンを１μｍ程度の厚さに真空蒸着
した薄膜型のものが使用されている。近年では、ボロン
試料が高価であることから、少ない量ですむ薄膜型のも
のが多用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜型のボロン標準試料は、シリコンウエハーまたはガ
ラスからなる基板にボロン薄膜を電子ビーム蒸着法によ
り直接的に成膜して形成されており、基板とボロン薄膜
との間に十分な密着性が得られない。そのため、従来の
薄膜標準試料は、ボロン薄膜が基板から剥離し易いため
に、製作時の歩留りが悪く、その寿命も短い。
薄膜型のボロン標準試料は、シリコンウエハーまたはガ
ラスからなる基板にボロン薄膜を電子ビーム蒸着法によ
り直接的に成膜して形成されており、基板とボロン薄膜
との間に十分な密着性が得られない。そのため、従来の
薄膜標準試料は、ボロン薄膜が基板から剥離し易いため
に、製作時の歩留りが悪く、その寿命も短い。
【０００４】そこで、本発明は、基板とボロンからなる
薄膜との密着性を著しく向上させたボロン薄膜標準試料
を提供することを目的とする。
薄膜との密着性を著しく向上させたボロン薄膜標準試料
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のボロン薄膜標準試料は、Ｘ線分析装置の校
正用に使用される標準試料であって、シリコンを主成分
とする基板またはガラスからなる基板上に、炭素、クロ
ームもしくはアルミニウムからなる接着層が形成され、
この接着層の上に、ボロンからなる薄膜が形成されてい
る。
に、本発明のボロン薄膜標準試料は、Ｘ線分析装置の校
正用に使用される標準試料であって、シリコンを主成分
とする基板またはガラスからなる基板上に、炭素、クロ
ームもしくはアルミニウムからなる接着層が形成され、
この接着層の上に、ボロンからなる薄膜が形成されてい
る。
【０００６】このボロン薄膜標準試料は、炭素、クロー
ムもしくはアルミニウムからなる接着層の存在により、
基板とボロン薄膜との密着性が著しく向上することが評
価試験により確認された。これは、基板およびボロン薄
膜の間に接着層を形成する炭素、クロームもしくはアル
ミニウムが、基板およびボロン薄膜の双方との界面に、
比較的厚い化合物層を形成して強固に密着する結果であ
ると推察される。
ムもしくはアルミニウムからなる接着層の存在により、
基板とボロン薄膜との密着性が著しく向上することが評
価試験により確認された。これは、基板およびボロン薄
膜の間に接着層を形成する炭素、クロームもしくはアル
ミニウムが、基板およびボロン薄膜の双方との界面に、
比較的厚い化合物層を形成して強固に密着する結果であ
ると推察される。
【０００７】本発明において、前記接着層および薄膜は
スパッタ法により形成することが好ましい。これによ
り、従来の電子ビーム蒸着法による形成に比較して、成
膜に要する時間を大幅に短縮してコストの低減を図るこ
とができるとともに、薄膜、接着層および基板の各々の
間の密着性が一層向上する。
スパッタ法により形成することが好ましい。これによ
り、従来の電子ビーム蒸着法による形成に比較して、成
膜に要する時間を大幅に短縮してコストの低減を図るこ
とができるとともに、薄膜、接着層および基板の各々の
間の密着性が一層向上する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について図面を参照しながら説明する。図２は、本発
明の一実施形態のボロン薄膜標準試料１を用いた一般的
な蛍光Ｘ線分析装置を示す概略構成図である。同図にお
いて、放射線源であるＸ線管７は、放射線の一種である
一次Ｘ線Ｂ１を出射して、試料台８上に保持されたボロ
ン薄膜標準試料１に一次Ｘ線Ｂ１を照射する。ボロン薄
膜標準試料１に照射された一次Ｘ線Ｂ１は、ボロン薄膜
標準試料１の原子を励起して、そのボロン特有の蛍光Ｘ
線Ｂ２を発生させる。ボロン薄膜標準試料１からの蛍光
Ｘ線Ｂ２は、分光器１１に入射角θで入射し、ブラッグ
の式を満足する波長の蛍光Ｘ線Ｂ２のみが、入射角θと
同一の回折角θで回析される。回析された蛍光Ｘ線Ｂ２
は、Ｘ線検出器１３に入射して検出される。このＸ線検
出器１３からの検出値は分析器１４に入力されて、その
強度が求められ、分析器１４に内蔵された校正手段１５
により、標準値と比較されて装置定数が求められ、この
装置定数に基づいて校正が行われる。
態について図面を参照しながら説明する。図２は、本発
明の一実施形態のボロン薄膜標準試料１を用いた一般的
な蛍光Ｘ線分析装置を示す概略構成図である。同図にお
いて、放射線源であるＸ線管７は、放射線の一種である
一次Ｘ線Ｂ１を出射して、試料台８上に保持されたボロ
ン薄膜標準試料１に一次Ｘ線Ｂ１を照射する。ボロン薄
膜標準試料１に照射された一次Ｘ線Ｂ１は、ボロン薄膜
標準試料１の原子を励起して、そのボロン特有の蛍光Ｘ
線Ｂ２を発生させる。ボロン薄膜標準試料１からの蛍光
Ｘ線Ｂ２は、分光器１１に入射角θで入射し、ブラッグ
の式を満足する波長の蛍光Ｘ線Ｂ２のみが、入射角θと
同一の回折角θで回析される。回析された蛍光Ｘ線Ｂ２
は、Ｘ線検出器１３に入射して検出される。このＸ線検
出器１３からの検出値は分析器１４に入力されて、その
強度が求められ、分析器１４に内蔵された校正手段１５
により、標準値と比較されて装置定数が求められ、この
装置定数に基づいて校正が行われる。
【０００９】図１は、この実施形態のボロン薄膜標準試
料１を示す縦断面図である。このボロン薄膜標準試料１
は、基板２上に炭素、クロームもしくはアルミニウムか
らなる接着層４が形成され、この接着層４の上に、ボロ
ンからなる薄膜３が形成されている。基板２は、シリコ
ンを主成分としたシリコンウエハーまたはガラス基板か
らなる。接着層４および薄膜３は共にスパッタ法により
形成されている。すなわち、接着層４の基板２への形成
は、Ａｒイオンを電界で加速して、このＡｒイオンで陰
極のターゲットから接着層４の形成材料をスパッタ蒸発
し、対向して置かれた基板２上に接着層４を膜状に付着
形成する。つぎに、この基板２に形成した接着層４上
に、上述と同様に、Ａｒイオンで陰極のターゲットから
薄膜３の膜形成材料（ボロン）をスパッタ蒸発し、対向
して置かれた基板２の接着層４の上に薄膜３を付着形成
する。
料１を示す縦断面図である。このボロン薄膜標準試料１
は、基板２上に炭素、クロームもしくはアルミニウムか
らなる接着層４が形成され、この接着層４の上に、ボロ
ンからなる薄膜３が形成されている。基板２は、シリコ
ンを主成分としたシリコンウエハーまたはガラス基板か
らなる。接着層４および薄膜３は共にスパッタ法により
形成されている。すなわち、接着層４の基板２への形成
は、Ａｒイオンを電界で加速して、このＡｒイオンで陰
極のターゲットから接着層４の形成材料をスパッタ蒸発
し、対向して置かれた基板２上に接着層４を膜状に付着
形成する。つぎに、この基板２に形成した接着層４上
に、上述と同様に、Ａｒイオンで陰極のターゲットから
薄膜３の膜形成材料（ボロン）をスパッタ蒸発し、対向
して置かれた基板２の接着層４の上に薄膜３を付着形成
する。
【００１０】上記実施形態のボロン薄膜標準試料１にお
けるボロンの薄膜３の基板２に対する密着性を評価する
ために、基板２としてシリコンウエハーを用いて、この
基板２上に、スパッタ法により厚さ３０ｎｍの炭素およ
びクロームの薄膜からなる接着層４および厚さ１μｍの
ボロン薄膜３を順次成膜して、ボロン薄膜標準試料１を
作製した。また、比較のために、基板上に接着層を介在
せずにボロン薄膜を成膜した従来のボロン薄膜標準試料
の他に、基板上に厚さ３０ｎｍの鉄およびニッケルの薄
膜からなる接着層をそれぞれ介在してボロン薄膜を成膜
してなるボロン薄膜標準試料を作製した。上記の各ボロ
ン薄膜標準試料はそれぞれ２０枚ずつ作製した。
けるボロンの薄膜３の基板２に対する密着性を評価する
ために、基板２としてシリコンウエハーを用いて、この
基板２上に、スパッタ法により厚さ３０ｎｍの炭素およ
びクロームの薄膜からなる接着層４および厚さ１μｍの
ボロン薄膜３を順次成膜して、ボロン薄膜標準試料１を
作製した。また、比較のために、基板上に接着層を介在
せずにボロン薄膜を成膜した従来のボロン薄膜標準試料
の他に、基板上に厚さ３０ｎｍの鉄およびニッケルの薄
膜からなる接着層をそれぞれ介在してボロン薄膜を成膜
してなるボロン薄膜標準試料を作製した。上記の各ボロ
ン薄膜標準試料はそれぞれ２０枚ずつ作製した。
【００１１】上記の各ボロン薄膜標準試料を、１０枚ず
つ、それぞれ１ヵ月間大気中に放置および熱湯中に１時
間の間煮沸する２種の条件を与えたのちに、各々の密着
性の評価を行った。その評価の結果であるボロン薄膜の
剥離が発生した割合（％）を表１に示す。
つ、それぞれ１ヵ月間大気中に放置および熱湯中に１時
間の間煮沸する２種の条件を与えたのちに、各々の密着
性の評価を行った。その評価の結果であるボロン薄膜の
剥離が発生した割合（％）を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１から明らかなように、接着層を設けな
い試料では、２０枚のうちの殆どの薄膜に膜剥離が発生
している。これに対し、何らかの接着層を設けた試料で
は薄膜３の基板２に対する密着性が向上している。鉄お
よびニッケルの接着層の場合には薄膜の密着性は十分と
いえないが、炭素、クロームおよびアルミニウムの接着
層４を設けた場合には十分な密着性の向上が得られ、特
にクロームの接着層４を形成した場合には顕著な効果を
得ることができた。なお、基板２としてガラスを用いた
場合にもほぼ同様の結果を得ることができた。
い試料では、２０枚のうちの殆どの薄膜に膜剥離が発生
している。これに対し、何らかの接着層を設けた試料で
は薄膜３の基板２に対する密着性が向上している。鉄お
よびニッケルの接着層の場合には薄膜の密着性は十分と
いえないが、炭素、クロームおよびアルミニウムの接着
層４を設けた場合には十分な密着性の向上が得られ、特
にクロームの接着層４を形成した場合には顕著な効果を
得ることができた。なお、基板２としてガラスを用いた
場合にもほぼ同様の結果を得ることができた。
【００１４】上記の結果から、炭素、クロームおよびア
ルミニウムをそれぞれ用いて形成した接着層４は、基板
２およびボロン薄膜３の双方との界面に、鉄またはニッ
ケルの接着層を用いた場合よりも厚い化合物層を形成し
て、基板２およびボロン薄膜３の双方に強固に密着し、
それにより、基板２とボロン薄膜３との密着性が向上し
たものと考えられる。この密着性は、接着層４および薄
膜３をスパッタ法により形成したことによっても一層向
上していると推量される。また、スパッタ法により接着
層４および薄膜３を形成したことにより、従来の電子ビ
ーム蒸着法による形成に比較して、成膜に要する時間を
大幅に短縮してコストの低減を図ることができる。
ルミニウムをそれぞれ用いて形成した接着層４は、基板
２およびボロン薄膜３の双方との界面に、鉄またはニッ
ケルの接着層を用いた場合よりも厚い化合物層を形成し
て、基板２およびボロン薄膜３の双方に強固に密着し、
それにより、基板２とボロン薄膜３との密着性が向上し
たものと考えられる。この密着性は、接着層４および薄
膜３をスパッタ法により形成したことによっても一層向
上していると推量される。また、スパッタ法により接着
層４および薄膜３を形成したことにより、従来の電子ビ
ーム蒸着法による形成に比較して、成膜に要する時間を
大幅に短縮してコストの低減を図ることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明のボロン薄膜標準
試料によれば、基板およびボロン薄膜の間に、炭素、ク
ロームもしくはアルミニウムを用いて接着層を形成した
ので、接着層が基板およびボロン薄膜の双方との界面に
比較的厚い化合物層を形成して強固に接合する結果、基
板とボロン薄膜との密着性が著しく向上し、製作時の歩
留りの向上および十分な寿命の確保が可能となった。
試料によれば、基板およびボロン薄膜の間に、炭素、ク
ロームもしくはアルミニウムを用いて接着層を形成した
ので、接着層が基板およびボロン薄膜の双方との界面に
比較的厚い化合物層を形成して強固に接合する結果、基
板とボロン薄膜との密着性が著しく向上し、製作時の歩
留りの向上および十分な寿命の確保が可能となった。
【図１】本発明の一実施形態に係るボロン薄膜標準試料
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図２】図１のボロン薄膜標準試料を用いて校正を行う
蛍光Ｘ線分析装置を示す概略構成図である。
蛍光Ｘ線分析装置を示す概略構成図である。
１…ボロン薄膜標準試料、２…基板、３…ボロン薄膜、
４…接着層。
４…接着層。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線分析装置の校正用に使用される標準
試料であって、 シリコンを主成分とする基板またはガラスからなる基板
上に、炭素、クロームもしくはアルミニウムからなる接
着層が形成され、 この接着層の上に、ボロンからなる薄膜が形成されてな
るボロン薄膜標準試料。 - 【請求項２】 請求項１において、前記接着層および薄
膜はスパッタ法により形成されているボロン薄膜標準試
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7515298A JP2922883B1 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | ボロン薄膜標準試料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7515298A JP2922883B1 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | ボロン薄膜標準試料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2922883B1 JP2922883B1 (ja) | 1999-07-26 |
| JPH11271188A true JPH11271188A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=13567957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7515298A Expired - Fee Related JP2922883B1 (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | ボロン薄膜標準試料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2922883B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045411A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-12 | Agilent Technol Inc | 半導体コンデンサ内の強誘電性材料と貴金属電極との試験方法 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP7515298A patent/JP2922883B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045411A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-12 | Agilent Technol Inc | 半導体コンデンサ内の強誘電性材料と貴金属電極との試験方法 |
| JP4607435B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2011-01-05 | アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 半導体コンデンサ内の強誘電性材料と貴金属電極との試験方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2922883B1 (ja) | 1999-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |