JPH1127090A - Surface wave resonator - Google Patents
Surface wave resonatorInfo
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- JPH1127090A JPH1127090A JP17259097A JP17259097A JPH1127090A JP H1127090 A JPH1127090 A JP H1127090A JP 17259097 A JP17259097 A JP 17259097A JP 17259097 A JP17259097 A JP 17259097A JP H1127090 A JPH1127090 A JP H1127090A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板に高周波
信号を印加することで、弾性表面波を発生させるように
した表面波レゾネータに関する。The present invention relates to a surface acoustic wave resonator that generates a surface acoustic wave by applying a high-frequency signal to a piezoelectric substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の表面波レゾネータの概略構造は図
6に示す通りである。この表面波レゾネータは、水晶や
LiNbO3 等の圧電材料からなる圧電基板1の一方の
主面に、対向する一対の櫛歯状の電極2、2を備えたも
のである。2. Description of the Related Art A schematic structure of a conventional surface acoustic wave resonator is as shown in FIG. This surface acoustic wave resonator includes a pair of opposing comb-shaped electrodes 2 and 2 on one main surface of a piezoelectric substrate 1 made of a piezoelectric material such as quartz or LiNbO 3 .
【0003】この電極2は、対向する櫛歯部21とこれ
らを束ねるターミナル部22から成り、櫛歯部21の近
傍を振動部3としてある。このターミナル部22に、高
周波信号4を印加すると、圧電効果により隣合う櫛歯部
21間に互いに逆位相のひずみが生じて振動部3に表面
波が励起され、表面波レゾネータ(共振器)として作用
することができる。The electrode 2 is composed of opposing comb teeth 21 and a terminal 22 for bundling them, and the vicinator 3 is located near the comb teeth 21. When the high-frequency signal 4 is applied to the terminal portion 22, distortions of opposite phases are generated between the adjacent comb-tooth portions 21 due to the piezoelectric effect, and surface waves are excited in the vibrating portion 3 to serve as a surface wave resonator (resonator). Can work.
【0004】また、図示していないが、圧電基板1上に
一対の電極2、2を2組形成しておき、一方の電極2、
2に入力端子を、他方の電極2、2に出力端子を形成し
て、表面弾性波フィルタとすることもできる。Although not shown, two pairs of electrodes 2 and 2 are formed on the piezoelectric substrate 1 and one of the electrodes 2 and 2 is formed.
An input terminal can be formed on the second electrode 2 and an output terminal can be formed on the other electrodes 2 and 2 to provide a surface acoustic wave filter.
【0005】また、このような表面波レゾネータをパッ
ケージに封入する場合は、図7に示すように、リード電
極13とリード端子14を備えたベース11に、電極2
を備えた圧電基板1を載置し、電極2のターミナル部2
1とリード電極13の間をワイヤボンディング16で接
続した後、キャップ12で覆って封止するようになって
いる。When such a surface acoustic wave resonator is enclosed in a package, as shown in FIG. 7, an electrode 2 is provided on a base 11 having a lead electrode 13 and a lead terminal 14.
A piezoelectric substrate 1 provided with
After connecting between the lead electrode 13 and the lead electrode 13 by wire bonding 16, the lead electrode 13 is covered with a cap 12 and sealed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、図6に示す
表面波レゾネータでは、圧電基板1の一方の主面に全て
の電極2を形成してあるため、圧電基板1のうち一部分
しか振動部3として使用できなかった。However, in the surface acoustic wave resonator shown in FIG. 6, since all the electrodes 2 are formed on one main surface of the piezoelectric substrate 1, only a part of the piezoelectric substrate 1 vibrates. Could not be used.
【0007】そのため、振動部3の寸法よりも大きな圧
電基板1が必要となり、小型化が困難であった。また、
振動部3で発生する表面波が、周囲の部分によって拡
散、吸収されるため、表面波の発生効率が低いという問
題もあった。しかも、振動部3の耐久性を高めるため
に、保護膜を形成するような場合、ターミナル部22は
覆わずに振動部3のみを覆うように保護膜を形成するこ
とは困難であった。Therefore, a piezoelectric substrate 1 larger than the size of the vibrating section 3 is required, and it has been difficult to reduce the size. Also,
Since the surface wave generated in the vibrating section 3 is diffused and absorbed by the surrounding portion, there is a problem that the generation efficiency of the surface wave is low. In addition, when a protective film is formed to increase the durability of the vibrating portion 3, it is difficult to form the protective film so as to cover only the vibrating portion 3 without covering the terminal portion 22.
【0008】また、この表面波レゾネータをパッケージ
に封入する場合、図7に示すようにワイヤボンディング
を行う必要があり、製造工程が煩雑になるという問題も
あった。Further, when the surface acoustic wave resonator is sealed in a package, it is necessary to perform wire bonding as shown in FIG. 7, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、圧電基
板の表面に、櫛歯部とターミナル部からなる一対の電極
を対向して備えてなる表面波レゾネータにおいて、圧電
基板の一方の主面に互いに対向する櫛歯部からなる振動
部を形成し、他方の主面に上記櫛歯部と連続する一対の
ターミナル部を形成したことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a surface acoustic wave resonator having a pair of electrodes, each having a comb-teeth portion and a terminal portion, opposed to each other on the surface of a piezoelectric substrate. A vibrating portion comprising a comb tooth portion facing each other, and a pair of terminal portions continuous with the comb tooth portion are formed on the other main surface.
【0010】即ち、圧電基板の両面を利用し、一方の主
面は櫛歯部からなる振動部とすることによって、この主
面のほぼ全面を振動部として利用できるため、小型化が
可能で、発生した表面波が周囲の部分で拡散、吸収され
ることを防止できる。That is, by using both sides of the piezoelectric substrate and making one main surface a vibrating portion comprising a comb tooth portion, almost the entire main surface can be used as a vibrating portion. It is possible to prevent the generated surface wave from being diffused and absorbed in the surrounding area.
【0011】また、圧電基板の他方の主面(裏面)には
一対のターミナル部を形成することによって、パッケー
ジに封入する場合、ワイヤボンディングを行う必要がな
く、通常の表面実装と同様に半田リフロー等で容易に接
合することができる。Further, by forming a pair of terminals on the other main surface (back surface) of the piezoelectric substrate, it is not necessary to perform wire bonding when enclosing the piezoelectric substrate in a package. And so on.
【0012】また、本発明は、上記の表面波レゾネータ
において、振動部を形成した主面上に絶縁保護膜を形成
したことを特徴とする。According to the present invention, in the above-mentioned surface acoustic wave resonator, an insulating protective film is formed on the main surface on which the vibrating portion is formed.
【0013】即ち、ターミナル部を裏面に形成したこと
によって、振動部を形成した主面の全面を保護膜で覆う
ことができ、容易に保護膜を形成することができる。That is, since the terminal portion is formed on the back surface, the entire main surface on which the vibrating portion is formed can be covered with the protective film, and the protective film can be easily formed.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
よって説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0015】図1に示す表面波レゾネータは、圧電基板
1の表面に櫛歯部21とターミナル部22からなる一対
の電極2を形成してなるものである。The surface acoustic wave resonator shown in FIG. 1 has a structure in which a pair of electrodes 2 each having a comb portion 21 and a terminal portion 22 are formed on the surface of a piezoelectric substrate 1.
【0016】そして、図1(a)に示すように、圧電基
板1の一方の主面1aには対向する櫛歯部21、21の
みが形成され、各櫛歯部21、21は、側面を経由して
もう一方の主面(裏面)1bまで連続している。また、
図1(b)にもう一方の主面(裏面)1bを示すよう
に、この主面1bには、上記主面1aに連続する櫛歯部
21の一部と、各櫛歯部21を束ねる一対のターミナル
部22、22が形成されている。As shown in FIG. 1A, only opposing comb teeth 21, 21 are formed on one main surface 1a of the piezoelectric substrate 1, and each comb tooth 21, 21 has a side surface. Via the other main surface (back surface) 1b. Also,
As shown in FIG. 1B, the other main surface (back surface) 1b is formed by bundling a part of the comb teeth 21 continuous with the main surface 1a and the comb teeth 21 on the main surface 1b. A pair of terminal portions 22, 22 are formed.
【0017】そして、主面1b側に備えた一対のターミ
ナル部22、22間に高周波信号4を印加すれば、主面
1a側の櫛歯部21、21部分で表面波を発生させるこ
とができ、表面波レゾネータとして作用させることがで
きる。If a high-frequency signal 4 is applied between the pair of terminal portions 22 provided on the main surface 1b, a surface wave can be generated at the comb teeth 21 on the main surface 1a. , Can act as a surface wave resonator.
【0018】このとき、圧電基板1の主面1a側は、全
面を振動部3とすることができるため、圧電基板1の寸
法を有効利用することができ、表面波レゾネータを小型
化することができる。また、発生した表面波が周囲の部
分で拡散、吸収されることがないため、表面波発生効率
を高くできる。At this time, since the entire surface of the main surface 1a of the piezoelectric substrate 1 can be the vibrating portion 3, the dimensions of the piezoelectric substrate 1 can be effectively used, and the size of the surface acoustic wave resonator can be reduced. it can. Further, since the generated surface wave is not diffused and absorbed in the surrounding portion, the surface wave generation efficiency can be increased.
【0019】次に、本発明の表面波レゾネータの他の実
施形態を図2に示すように、圧電基板1の一方の主面1
aに櫛歯部21とターミナル部22の一部を形成してお
き、もう一方の主面1bにはターミナル部22のみを形
成することもできる。Next, another embodiment of the surface acoustic wave resonator of the present invention is shown in FIG.
A part of the comb tooth part 21 and the terminal part 22 may be formed in a, and only the terminal part 22 may be formed on the other main surface 1b.
【0020】また、図3(a)に他の実施形態を示すよ
うに、基板1にスルーホール23を形成しておき、主面
1aに形成した櫛歯部21と、主面1b側に形成したタ
ーミナル部22の間をスルーホール23に充填した導電
材で接続した構造とすることもできる。Further, as shown in FIG. 3A, a through hole 23 is formed in the substrate 1 and a comb tooth portion 21 formed on the main surface 1a and a through hole 23 formed on the main surface 1b side. The terminal portions 22 may be connected by a conductive material filled in the through holes 23.
【0021】さらに、図3(b)に他の実施形態を示す
ように、振動部3側の主面1aに絶縁保護膜5を形成し
て、電極2の櫛歯部21の耐久性を向上させることもで
きる。即ち、本発明の表面波レゾネータでは、振動部3
の保護膜5は、圧電基板1の主面1aの全面に形成すれ
ば良いことから、容易に形成することができるのであ
る。Further, as shown in another embodiment in FIG. 3B, an insulating protective film 5 is formed on the main surface 1a on the vibrating portion 3 side to improve the durability of the comb teeth portion 21 of the electrode 2. It can also be done. That is, in the surface acoustic wave resonator of the present invention, the vibrating section 3
Since the protective film 5 described above may be formed on the entire main surface 1a of the piezoelectric substrate 1, it can be easily formed.
【0022】以上に示す本発明の表面波レゾネータは、
高周波信号4を印加することによって表面弾性波を発生
できることから、表面波を使った圧電アクチュエータ
や、発振子、フィルタやデュプレクサ等に利用すること
ができる。The above-described surface acoustic wave resonator of the present invention comprises:
Since a surface acoustic wave can be generated by applying the high-frequency signal 4, it can be used for a piezoelectric actuator using a surface wave, an oscillator, a filter, a duplexer, and the like.
【0023】この他、図4に示すように、圧電基板1上
に形成する一対の電極2、2を2組備え、一方の電極
2、2側に入力端子を、他方の電極2、2側に出力端子
をそれぞれ接続すれば、表面弾性波フィルタとして使用
することができる。In addition, as shown in FIG. 4, two pairs of electrodes 2 and 2 formed on the piezoelectric substrate 1 are provided, and one of the electrodes 2 and 2 has an input terminal, and the other has a pair of electrodes 2 and 2. Can be used as a surface acoustic wave filter by connecting the output terminals to the filter.
【0024】また、以上に示す表面波レゾネータをパッ
ケージに封入する場合は、図5に示すように、リード電
極13とリード端子14を備えたベース11に、電極2
を備えた圧電基板1を載置し、圧電基板1の一方の主面
1bに形成したターミナル部22とリード電極13の間
を半田15で接続した後、キャップ12で覆って封止す
れば良い。When the above-described surface acoustic wave resonator is encapsulated in a package, as shown in FIG.
After mounting the piezoelectric substrate 1 provided with the above and connecting the terminal portion 22 and the lead electrode 13 formed on the one main surface 1b of the piezoelectric substrate 1 with the solder 15, it may be covered with the cap 12 and sealed. .
【0025】このように、本発明の表面波レゾネータ
は、振動部3と反対側の主面(裏面)1bにターミナル
部22が存在するため、通常の表面実装と同様に半田リ
フロー等で容易にハンダ15で接続できるため、ワイヤ
ボンディング等の必要がなく、製造工程を簡略化でき
る。As described above, in the surface acoustic wave resonator according to the present invention, since the terminal portion 22 exists on the main surface (back surface) 1b opposite to the vibrating portion 3, the terminal portion 22 is easily formed by solder reflow or the like as in normal surface mounting. Since the connection can be made by the solder 15, there is no need for wire bonding or the like, and the manufacturing process can be simplified.
【0026】上記圧電基板1は、水晶、LiTaO3 、
LiNbO3 、Bi12GeO20、Li2 B4 O7 、PZ
T、ZnO、AlN等の圧電材料からなるものであり、
それぞれ公知の方法で製造した後、製品寸法に切断加工
し、蒸着やスパッタ加工を加えることによって得られ
る。The piezoelectric substrate 1 is made of quartz, LiTaO 3 ,
LiNbO 3 , Bi 12 GeO 20 , Li 2 B 4 O 7 , PZ
It is made of a piezoelectric material such as T, ZnO, AlN, etc.
Each of them is manufactured by a known method, cut into a product size, and then subjected to vapor deposition or sputter processing.
【0027】また、電極2は、クロム、アルミニウム、
金等からなり、蒸着等の薄膜手法により圧電基板1上に
形成する。この時、圧電基板1の主面1a、1b及び側
面にそれぞれ所定形状のマスクを設置しておいて、蒸着
することにより、所定形状の電極2を形成することがで
きる。The electrode 2 is made of chromium, aluminum,
It is made of gold or the like and is formed on the piezoelectric substrate 1 by a thin film method such as vapor deposition. At this time, a predetermined-shaped mask is provided on each of the main surfaces 1a, 1b and side surfaces of the piezoelectric substrate 1, and the electrodes 2 having a predetermined shape can be formed by vapor deposition.
【0028】さらに、図3に示す保護膜5を形成する場
合は、保護膜5の材質はアルミナ等の誘電体膜やフッ素
樹脂等の有機膜等を用い、スパッタリングや容射等で形
成し、その厚みは1μm以下でできる限り薄くすること
が好ましい。When the protective film 5 shown in FIG. 3 is formed, the material of the protective film 5 is a dielectric film such as alumina or an organic film such as a fluororesin, and is formed by sputtering or spraying. It is preferable that the thickness is 1 μm or less and as thin as possible.
【0029】[0029]
【実施例】圧電基板1としてLiNbO3 を用い、電極
2はクロム(Cr)を用い、保護膜5としてアルミナを
厚み5000Åに形成して、図1に示す本発明実施例の
表面波レゾネータを作製した。また、同様の材質を用い
て、図6に示す比較例の表面波レゾネータも作製した。EXAMPLE A LiNbO 3 was used as the piezoelectric substrate 1, chromium (Cr) was used as the electrode 2, and alumina was formed to a thickness of 5000 mm as the protective film 5 to produce the surface acoustic wave resonator according to the embodiment of the present invention shown in FIG. did. In addition, a surface acoustic wave resonator of a comparative example shown in FIG. 6 was manufactured using the same material.
【0030】いずれも、同程度の特性を有するように作
製したところ、比較例では、圧電基板1の寸法が3×2
×0.5mmであったのに対し、本発明実施例では、圧
電基板1の寸法が3×1×0.2mmとなり、半分の大
きさとできることがわかった。In all of the comparative examples, the dimensions of the piezoelectric substrate 1 were 3 × 2.
In contrast, the size of the piezoelectric substrate 1 was 3 × 1 × 0.2 mm in the example of the present invention, which was × 0.5 mm.
【0031】また、表面波の発生効率としてQ値を比較
したところ、本発明実施例では比較例に比べて2.5倍
となり、発生効率が高いことも確認できた。Further, when the Q value was compared as the generation efficiency of the surface wave, it was confirmed that the example of the present invention was 2.5 times as large as that of the comparative example, and the generation efficiency was high.
【0032】したがって、本発明の表面波レゾネータ
は、小型化することができ、しかも表面波の発生効率を
向上できることがわかる。Therefore, it can be seen that the surface acoustic wave resonator of the present invention can be downsized and the efficiency of generating surface acoustic waves can be improved.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、圧電基
板の表面に、櫛歯部とターミナル部からなる一対の電極
を対向して備えてなる表面波レゾネータにおいて、圧電
基板の一方の主面に、互いに対向する櫛歯部からなる振
動部を形成し、他方の主面に、上記櫛歯部と連続する一
対のターミナル部を形成したことによって、一方の主面
のほぼ全面を振動部として利用できるため、小型化が可
能で、発生した表面波が周囲の部分で拡散、吸収される
ことを防止できる。As described above, according to the present invention, in a surface acoustic wave resonator having a pair of electrodes each having a comb-teeth portion and a terminal portion opposed to each other on the surface of a piezoelectric substrate, one side of the piezoelectric substrate is provided. By forming a vibrating portion composed of comb teeth opposing each other on the main surface and forming a pair of terminal portions continuous with the comb tooth on the other main surface, almost the entire surface of one main surface vibrates. Since it can be used as a part, it is possible to reduce the size and prevent the generated surface wave from being diffused and absorbed in the surrounding part.
【0034】また、圧電基板の他方の主面(裏面)には
一対のターミナル部を形成することによって、パッケー
ジに封入する場合、ワイヤボンディングを行う必要がな
く、通常の表面実装と同様に半田リフロー等で容易に接
合することができる。Further, by forming a pair of terminals on the other main surface (back surface) of the piezoelectric substrate, when encapsulating in a package, wire bonding is not required, and solder reflow is performed in the same manner as in normal surface mounting. And so on.
【0035】さらに、本発明は、上記の表面波レゾネー
タにおいて、振動部を形成した主面上に絶縁保護膜を形
成したことによって、振動部を形成した主面の全面を保
護膜で覆うことができ、容易に保護膜を形成することが
できる。Further, according to the present invention, in the surface acoustic wave resonator described above, by forming an insulating protective film on the main surface on which the vibrating portion is formed, the entire surface of the main surface on which the vibrating portion is formed can be covered with the protective film. Thus, a protective film can be easily formed.
【0036】したがって、本発明によれば、小型で表面
波発生効率の高い表面波レゾネータを容易に製造するこ
とが可能となる。Therefore, according to the present invention, it is possible to easily manufacture a small surface acoustic wave resonator having high surface acoustic wave generation efficiency.
【図1】(a)(b)は本発明の表面波レゾネータを示
す斜視図である。FIGS. 1A and 1B are perspective views showing a surface acoustic wave resonator of the present invention.
【図2】(a)(b)は本発明の表面波レゾネータの他
の実施形態を示す斜視図である。FIGS. 2A and 2B are perspective views showing another embodiment of the surface acoustic wave resonator of the present invention.
【図3】(a)(b)は本発明の表面波レゾネータの他
の実施形態を示す断面図である。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views showing another embodiment of the surface acoustic wave resonator of the present invention.
【図4】本発明の表面波レゾネータをフィルタに応用し
た実施形態を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an embodiment in which the surface acoustic wave resonator of the present invention is applied to a filter.
【図5】本発明の表面波レゾネータのパッケージへの収
納構造を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a structure for housing the surface acoustic wave resonator of the present invention in a package.
【図6】従来の表面波レゾネータを示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a conventional surface acoustic wave resonator.
【図7】従来の表面波レゾネータのパッケージへの収納
構造を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a structure for accommodating a conventional surface acoustic wave resonator in a package.
1:圧電基板 2:電極 21:櫛歯部 22:ターミナル部 3:振動部 4:高周波信号 5:保護膜 1: Piezoelectric substrate 2: Electrode 21: Comb 22: Terminal 3: Vibration 4: High frequency signal 5: Protective film
Claims (1)
からなる一対の電極を対向して備えてなる表面波レゾネ
ータにおいて、上記圧電基板の一方の主面に、互いに対
向する櫛歯部からなる振動部を形成し、他方の主面に上
記櫛歯部と連続する一対のターミナル部を形成したこと
を特徴とする表面波レゾネータ。1. A surface acoustic wave resonator comprising a pair of electrodes each comprising a comb-shaped portion and a terminal portion provided on a surface of a piezoelectric substrate so as to face each other. A surface acoustic wave resonator comprising: a vibrating portion formed of a pair of terminals; and a pair of terminals connected to the comb tooth portion formed on the other main surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17259097A JP3439951B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Surface wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17259097A JP3439951B2 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | Surface wave resonator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1127090A true JPH1127090A (en) | 1999-01-29 |
JP3439951B2 JP3439951B2 (en) | 2003-08-25 |
Family
ID=15944677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3439951B2 (en) |
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---|---|
JP3439951B2 (en) | 2003-08-25 |
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