JPH11266529A - マイクロ波回路ユニットの雷サージ保護回路 - Google Patents
マイクロ波回路ユニットの雷サージ保護回路Info
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- JPH11266529A JPH11266529A JP10068351A JP6835198A JPH11266529A JP H11266529 A JPH11266529 A JP H11266529A JP 10068351 A JP10068351 A JP 10068351A JP 6835198 A JP6835198 A JP 6835198A JP H11266529 A JPH11266529 A JP H11266529A
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- capacitor
- circuit unit
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子制御アンテナにおいて、アンテナ放射素
子に落雷した場合の高電流、高電圧の落雷電流による、
マイクロ波回路ユニット内に構成されている増幅器や移
相器等の半導体素子の破壊から保護する回路を得る。 【解決手段】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットの間に挿入する保護回路において、１／４波長の高
インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直列
に接続された第１のキャパシタと、一端が接地された１
／４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１／
４波長高インピーダンス線路と第一のキャパシタの接続
点に並列に接続する構成とすることを特徴とする保護回
路構成とする。
子に落雷した場合の高電流、高電圧の落雷電流による、
マイクロ波回路ユニット内に構成されている増幅器や移
相器等の半導体素子の破壊から保護する回路を得る。 【解決手段】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットの間に挿入する保護回路において、１／４波長の高
インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直列
に接続された第１のキャパシタと、一端が接地された１
／４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１／
４波長高インピーダンス線路と第一のキャパシタの接続
点に並列に接続する構成とすることを特徴とする保護回
路構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば電子制御
アンテナにおけるマイクロ波回路ユニット内に構成され
る半導体素子を落雷電流による破壊から保護するマイク
ロ波回路ユニットの雷サージ保護回路に関するものであ
る。
アンテナにおけるマイクロ波回路ユニット内に構成され
る半導体素子を落雷電流による破壊から保護するマイク
ロ波回路ユニットの雷サージ保護回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の電子制御アンテナを示すブ
ロック構成図である。１１はアンテナ放射素子、１２は
上記放射素子に接続される給電回路、１５は上記給電回
路１２に接続される増幅器、移相器、制御回路等の半導
体素子を用いて構成したマイクロ波回路ユニット、１８
は上記マイクロ波回路ユニット１５から出力される電気
信号である。
ロック構成図である。１１はアンテナ放射素子、１２は
上記放射素子に接続される給電回路、１５は上記給電回
路１２に接続される増幅器、移相器、制御回路等の半導
体素子を用いて構成したマイクロ波回路ユニット、１８
は上記マイクロ波回路ユニット１５から出力される電気
信号である。
【０００３】次に作用について説明する。従来の構成で
はアンテナ放射素子１１において到来する電波信号を受
信し、上記放射素子で受信された信号は１２の給電回路
を伝わり、マイクロ波回路ユニット１５に達し、上記マ
イクロ波回路ユニット１５において、受信信号を増幅器
や移相器等の半導体素子によって増幅や位相変化をさ
せ、電気信号１８を出力する。受信した信号を増幅させ
るため、アンテナ放射素子１１からマイクロ波回路ユニ
ット１５における損失を小さくなるように構成する必要
がある。
はアンテナ放射素子１１において到来する電波信号を受
信し、上記放射素子で受信された信号は１２の給電回路
を伝わり、マイクロ波回路ユニット１５に達し、上記マ
イクロ波回路ユニット１５において、受信信号を増幅器
や移相器等の半導体素子によって増幅や位相変化をさ
せ、電気信号１８を出力する。受信した信号を増幅させ
るため、アンテナ放射素子１１からマイクロ波回路ユニ
ット１５における損失を小さくなるように構成する必要
がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では放射素
子１１に落雷した場合、給電回路１２に落雷電流が流れ
る。上記落雷電流は高電流、高電圧であることより給電
回路は焼損する。さらに給電回路を流れた電流は、マイ
クロ波回路ユニット１５に達しマイクロ波回路ユニット
内に構成されている、増幅器や移相器等の半導体素子を
破壊するという問題点があった。また、上記半導体素子
は非常に高価であり、また破壊された半導体素子のみを
交換することが不可能であるため、マイクロ波回路ユニ
ットを交換しなければならないという問題点もあった。
また、一般的なツェナーダイオード、バリスタや避雷管
等を用いた雷サージ保護回路により電子回路部品や電子
機器を高電流、高電圧から保護することは知られている
が、このような保護回路は寸法が大きくアンテナ放射素
子とマイクロ波回路ユニット間に挿入すること、及びア
ンテナ受信信号の周波数での受信信号の伝送損失の増大
を招き電子制御アンテナの電子回路に用いることができ
ないという問題点もあった。
子１１に落雷した場合、給電回路１２に落雷電流が流れ
る。上記落雷電流は高電流、高電圧であることより給電
回路は焼損する。さらに給電回路を流れた電流は、マイ
クロ波回路ユニット１５に達しマイクロ波回路ユニット
内に構成されている、増幅器や移相器等の半導体素子を
破壊するという問題点があった。また、上記半導体素子
は非常に高価であり、また破壊された半導体素子のみを
交換することが不可能であるため、マイクロ波回路ユニ
ットを交換しなければならないという問題点もあった。
また、一般的なツェナーダイオード、バリスタや避雷管
等を用いた雷サージ保護回路により電子回路部品や電子
機器を高電流、高電圧から保護することは知られている
が、このような保護回路は寸法が大きくアンテナ放射素
子とマイクロ波回路ユニット間に挿入すること、及びア
ンテナ受信信号の周波数での受信信号の伝送損失の増大
を招き電子制御アンテナの電子回路に用いることができ
ないという問題点もあった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、増幅器や移相器等の半導体
素子を有するマイクロ波回路ユニットを落雷電流から保
護することを目的としている。
ためになされたものであり、増幅器や移相器等の半導体
素子を有するマイクロ波回路ユニットを落雷電流から保
護することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明による雷サー
ジ保護回路は、１／４波長の高インピーダンス線路とキ
ャパシタを直列に接続し、一端が接地された低インピー
ダンス線路を１／４波長高インピーダンス線路とキャパ
シタの接続点に並列に接続した回路をアンテナ放射素子
とマイクロ波回路ユニットの間に有する構成としたもの
である。
ジ保護回路は、１／４波長の高インピーダンス線路とキ
ャパシタを直列に接続し、一端が接地された低インピー
ダンス線路を１／４波長高インピーダンス線路とキャパ
シタの接続点に並列に接続した回路をアンテナ放射素子
とマイクロ波回路ユニットの間に有する構成としたもの
である。
【０００７】また、第２の発明による雷サージ保護回路
は、金線によるヒューズとキャパシタを直列に接続し、
一端が接地された低インピーダンス線路を、金線とキャ
パシタの接続点に並列に接続した回路をアンテナ放射素
子とマイクロ波回路ユニットの間に有する構成としたも
のである。
は、金線によるヒューズとキャパシタを直列に接続し、
一端が接地された低インピーダンス線路を、金線とキャ
パシタの接続点に並列に接続した回路をアンテナ放射素
子とマイクロ波回路ユニットの間に有する構成としたも
のである。
【０００８】また、第３の発明による雷サージ保護回路
は、１／４波長の高インピーダンス線路と第１のキャパ
シタと１／４波長線路と第２のキャパシタを直列に接続
し、一端が接地された低インピーダンス線路を１／４波
長高インピーダンス線路と第１のキャパシタの接続点に
並列に接続した回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回
路ユニットの間に有する構成としたものである。
は、１／４波長の高インピーダンス線路と第１のキャパ
シタと１／４波長線路と第２のキャパシタを直列に接続
し、一端が接地された低インピーダンス線路を１／４波
長高インピーダンス線路と第１のキャパシタの接続点に
並列に接続した回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回
路ユニットの間に有する構成としたものである。
【０００９】また、第４の発明による雷サージ保護回路
は、１／４波長の高インピーダンス線路と１／４波長ギ
ャップキャパシタを直列に接続し、一端が接地された低
インピーダンス線路を１／４波長インピーダンス線路と
１／４波長ギャップキャパシタの接続点に並列に接続し
た回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの
間に有する構成としたものである。
は、１／４波長の高インピーダンス線路と１／４波長ギ
ャップキャパシタを直列に接続し、一端が接地された低
インピーダンス線路を１／４波長インピーダンス線路と
１／４波長ギャップキャパシタの接続点に並列に接続し
た回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの
間に有する構成としたものである。
【００１０】また、第５の発明による雷サージ保護回路
は、１／４波長の高インピーダンス線路とインターデジ
タルキャパシタを直列に接続し、一端が接地された低イ
ンピーダンス線路を１／４波長高インピーダンス線路と
インターデジタルキャパシタの接続点に並列に接続した
回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間
に有する構成としたものである。
は、１／４波長の高インピーダンス線路とインターデジ
タルキャパシタを直列に接続し、一端が接地された低イ
ンピーダンス線路を１／４波長高インピーダンス線路と
インターデジタルキャパシタの接続点に並列に接続した
回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間
に有する構成としたものである。
【００１１】また、第６の発明による雷サージ保護回路
は、１／４波長の高インピーダンス線路とキャパシタを
直列に接続し、−端が接地された低インピーダンス線路
を１／４波長高インピーダンス線路とキャパシタの接続
点に並列に接続した回路を複数個直列に接続し、アンテ
ナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に配置した構
成としたものである。
は、１／４波長の高インピーダンス線路とキャパシタを
直列に接続し、−端が接地された低インピーダンス線路
を１／４波長高インピーダンス線路とキャパシタの接続
点に並列に接続した回路を複数個直列に接続し、アンテ
ナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に配置した構
成としたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１を示す雷サージ保護回路の回路構成図であ
り、図２は電子制御アンテナのブロック図であり、１
１、１２、１５、１８は従来の電子制御アンテナと全く
同一のものである。
実施の形態１を示す雷サージ保護回路の回路構成図であ
り、図２は電子制御アンテナのブロック図であり、１
１、１２、１５、１８は従来の電子制御アンテナと全く
同一のものである。
【００１３】図１において、１は放射素子接続用パッ
ド、２は給電回路１２の出力インピーダンス値よりも高
いインピーダンス値である所要周波数の１／４波長高イ
ンピーダンス線路パターン、３はチップキャパシタ、４
はマイクロ波回路ユニット接続用パッド、５はマイクロ
波接続用金線、６は給電回路１２の出力インピーダンス
値よりも低いインピーダンス値である所要周波数の１／
４波長低インピーダンス線路パターン、７は接地用グラ
ンドパターン、８はバイアホール、９は誘電体基板、１
０は接地導体である。また図２において、１３は所要周
波数の１／４波長の高インピーダンス線路回路、１４は
キャパシタ、１６は所要周波数の１／４波長の低インピ
ーダンス線路回路、１７は低インピーダンス線路１６を
接地する接地導体、１９は落雷電流からマイクロ波回路
ユニットを保護する雷サージ保護回路である。
ド、２は給電回路１２の出力インピーダンス値よりも高
いインピーダンス値である所要周波数の１／４波長高イ
ンピーダンス線路パターン、３はチップキャパシタ、４
はマイクロ波回路ユニット接続用パッド、５はマイクロ
波接続用金線、６は給電回路１２の出力インピーダンス
値よりも低いインピーダンス値である所要周波数の１／
４波長低インピーダンス線路パターン、７は接地用グラ
ンドパターン、８はバイアホール、９は誘電体基板、１
０は接地導体である。また図２において、１３は所要周
波数の１／４波長の高インピーダンス線路回路、１４は
キャパシタ、１６は所要周波数の１／４波長の低インピ
ーダンス線路回路、１７は低インピーダンス線路１６を
接地する接地導体、１９は落雷電流からマイクロ波回路
ユニットを保護する雷サージ保護回路である。
【００１４】次に作用について説明する。図２において
アンテナ放射素子１１で受信した電波信号は、給電回路
１２を伝わり１／４波長高インピーダンス線路１３に伝
わる。線路長が１／４波長のため、給電回路と高インピ
ーダンス線路間でのインピーダンス不整合による反射成
分は打ち消しあい損失が少ない状態で受信信号を伝送す
る。また、１／４波長低インピーダンス線路１６はショ
ートスタブとなり、受信信号は第１のキャパシタ１４へ
伝送されキャパシタ１４に接続されるマイクロ波回路ユ
ニット１５にて増幅器や移相器等の半導体素子により増
幅や位相を変化しマイクロ波回路ユニットから電気信号
１８を出力する。この構成において、放射素子１１に落
雷した場合、給電回路１２を流れた落雷電流は雷サージ
保護回路１９へ流れる。図１において、上記落雷電流は
放射素子接続用パッド１を通り、１／４波長高インピー
ダンス線路パターン２に伝送され、パターン幅の細い高
インピーダンス線路パターンを焼損、溶断する。落雷電
流の周波数は電波信号の周波数より十分低いため、落雷
電流はチップキャパシタ３へ流れることなく、１／４波
長の低インピーダンス線路パターン６、接地用グランド
パターン７、バイアホール８を流れ接地導体１０へ放電
される。このため、マイクロ波回路ユニット１５を保護
する効果が得られる。
アンテナ放射素子１１で受信した電波信号は、給電回路
１２を伝わり１／４波長高インピーダンス線路１３に伝
わる。線路長が１／４波長のため、給電回路と高インピ
ーダンス線路間でのインピーダンス不整合による反射成
分は打ち消しあい損失が少ない状態で受信信号を伝送す
る。また、１／４波長低インピーダンス線路１６はショ
ートスタブとなり、受信信号は第１のキャパシタ１４へ
伝送されキャパシタ１４に接続されるマイクロ波回路ユ
ニット１５にて増幅器や移相器等の半導体素子により増
幅や位相を変化しマイクロ波回路ユニットから電気信号
１８を出力する。この構成において、放射素子１１に落
雷した場合、給電回路１２を流れた落雷電流は雷サージ
保護回路１９へ流れる。図１において、上記落雷電流は
放射素子接続用パッド１を通り、１／４波長高インピー
ダンス線路パターン２に伝送され、パターン幅の細い高
インピーダンス線路パターンを焼損、溶断する。落雷電
流の周波数は電波信号の周波数より十分低いため、落雷
電流はチップキャパシタ３へ流れることなく、１／４波
長の低インピーダンス線路パターン６、接地用グランド
パターン７、バイアホール８を流れ接地導体１０へ放電
される。このため、マイクロ波回路ユニット１５を保護
する効果が得られる。
【００１５】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示す構成図であり、金線によるヒューズ２０と直
列に接続された第１のキャパシタ３と、一端が接地され
た１／４波長低インピーダンス線路パターン６の他の一
端が、上記金線と第一のキャパシタの接続点に並列に接
続した構成とした場合について説明する。
態２を示す構成図であり、金線によるヒューズ２０と直
列に接続された第１のキャパシタ３と、一端が接地され
た１／４波長低インピーダンス線路パターン６の他の一
端が、上記金線と第一のキャパシタの接続点に並列に接
続した構成とした場合について説明する。
【００１６】この場合、落雷電流は金線ヒューズ２０を
溶断し、チップキャパシタ３へ流れることなく、１／４
波長の低インピーダンス線路パターン６、接地用グラン
ドパターン７、バイアホール８を流れ接地導体１０ヘ放
電される。このため、マイクロ波回路ユニット１５を保
護する効果が得られる。また、金線ヒューズを用いる構
成とすることにより、電波信号の周波数に関わらず、小
型な保護回路構成とする効果も得られる。
溶断し、チップキャパシタ３へ流れることなく、１／４
波長の低インピーダンス線路パターン６、接地用グラン
ドパターン７、バイアホール８を流れ接地導体１０ヘ放
電される。このため、マイクロ波回路ユニット１５を保
護する効果が得られる。また、金線ヒューズを用いる構
成とすることにより、電波信号の周波数に関わらず、小
型な保護回路構成とする効果も得られる。
【００１７】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３を示す構成図であり、１／４波長の高インピーダン
ス線路パターン２に直列に接続された第１のキャパシタ
３ａと、一端が接地された１／４波長低インピーダンス
線路６の他の一端が、上記１／４波長高インピーダンス
線路２と第１のキャパシタ３ａの接続点に並列に接続さ
れ、上記第１のキャパシタ３ａと直列に１／４波長定イ
ンピーダンス線路２１を接続し上記１／４波長定インピ
ーダンス線路２１の他端に第２のキャパシタ３ｂを直列
に接続した構成とした場合について説明する。
態３を示す構成図であり、１／４波長の高インピーダン
ス線路パターン２に直列に接続された第１のキャパシタ
３ａと、一端が接地された１／４波長低インピーダンス
線路６の他の一端が、上記１／４波長高インピーダンス
線路２と第１のキャパシタ３ａの接続点に並列に接続さ
れ、上記第１のキャパシタ３ａと直列に１／４波長定イ
ンピーダンス線路２１を接続し上記１／４波長定インピ
ーダンス線路２１の他端に第２のキャパシタ３ｂを直列
に接続した構成とした場合について説明する。
【００１８】この場合、落雷電流は１／４波長高インピ
ーダンス線路パターン２を溶断し、第一のチップキャパ
シタ３ａへ流れることなく、１／４波長の低インピーダ
ンス線路パターン６、接地用グランドパターン７、バイ
アホール８を流れ接地導体１０ヘ放電される。このた
め、マイクロ波回路ユニット１５を保護する効果が得ら
れる。
ーダンス線路パターン２を溶断し、第一のチップキャパ
シタ３ａへ流れることなく、１／４波長の低インピーダ
ンス線路パターン６、接地用グランドパターン７、バイ
アホール８を流れ接地導体１０ヘ放電される。このた
め、マイクロ波回路ユニット１５を保護する効果が得ら
れる。
【００１９】また、第１のキャパシタ３ａと１／４波長
定インピーダンス線路２１と第２のキャパシタ３ｂを直
列に接続する構成とすることにより、電波信号の周波数
において、アンテナ入力インピーダンスを補償する効果
も得られる。
定インピーダンス線路２１と第２のキャパシタ３ｂを直
列に接続する構成とすることにより、電波信号の周波数
において、アンテナ入力インピーダンスを補償する効果
も得られる。
【００２０】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４を示す構成図であり、１／４波長の高インピーダン
ス線路パターン２と１／４波長ギャップキャパシタ２２
を直列に接続し、一端が接地された１／４波長低インピ
ーダンス線路６の他の一端が、上記１／４波長高インピ
ーダンス線路パターン２と１／４波長ギャップキャパシ
タ２２の接続点に並列に接続した構成とした場合につい
て説明する。
態４を示す構成図であり、１／４波長の高インピーダン
ス線路パターン２と１／４波長ギャップキャパシタ２２
を直列に接続し、一端が接地された１／４波長低インピ
ーダンス線路６の他の一端が、上記１／４波長高インピ
ーダンス線路パターン２と１／４波長ギャップキャパシ
タ２２の接続点に並列に接続した構成とした場合につい
て説明する。
【００２１】この場合、落雷電流は１／４波長高インピ
ーダンス線路パターン２を溶断し、１／４波長ギャップ
キャパシタ２２へ流れることなく、１／４波長低インピ
ーダンス線路パターン６、接地用グランドパターン７、
バイアホール８を流れ接地導体１０ヘ放電される。この
ため、マイクロ波回路ユニット１５を保護する効果が得
られる。また、１／４波長ギャップキャパシタ２２を直
列に接続する構成とすることにより、電波信号の周波数
において、アンテナ入力インピーダンスを補償すえる効
果も得られる。
ーダンス線路パターン２を溶断し、１／４波長ギャップ
キャパシタ２２へ流れることなく、１／４波長低インピ
ーダンス線路パターン６、接地用グランドパターン７、
バイアホール８を流れ接地導体１０ヘ放電される。この
ため、マイクロ波回路ユニット１５を保護する効果が得
られる。また、１／４波長ギャップキャパシタ２２を直
列に接続する構成とすることにより、電波信号の周波数
において、アンテナ入力インピーダンスを補償すえる効
果も得られる。
【００２２】また、誘電体基板９上にフィルムマスクを
用いるエッチング方法での製造のみでアンテナ装置の特
性を得ることが可能となる。また、本保護回路上に第２
の接地導体を有する第２の誘電体基板を乗せたトリプレ
ート線路構成でも同様の効果が得られる。
用いるエッチング方法での製造のみでアンテナ装置の特
性を得ることが可能となる。また、本保護回路上に第２
の接地導体を有する第２の誘電体基板を乗せたトリプレ
ート線路構成でも同様の効果が得られる。
【００２３】実施の形態５．図６はこの発明の実施の形
態５を示す構成図であり、１／４波長高インピーダンス
線路パターン２とインターデジタルキャパシタ２３を直
列に接続し、一端が接地された１／４波長低インピーダ
ンス線路パターン６の他の一端が、上記１／４波長高イ
ンピーダンス線路パターン２とインターデジタルキャパ
シタ２３の接続点に並列に接続した構成とした場合につ
いて説明する。
態５を示す構成図であり、１／４波長高インピーダンス
線路パターン２とインターデジタルキャパシタ２３を直
列に接続し、一端が接地された１／４波長低インピーダ
ンス線路パターン６の他の一端が、上記１／４波長高イ
ンピーダンス線路パターン２とインターデジタルキャパ
シタ２３の接続点に並列に接続した構成とした場合につ
いて説明する。
【００２４】この場合、落雷電流は１／４波長高インピ
ーダンス線路パターン２を溶断し、インターデジタルキ
ャパシタ２３ヘ流れることなく、１／４波長低インピー
ダンス線路パターン６、接地用グランドパターン７、バ
イアホール８を流れ接地導体１０ヘ放電される。このた
め、マイクロ波回路ユニット１５を保護する効果が得ら
れる。
ーダンス線路パターン２を溶断し、インターデジタルキ
ャパシタ２３ヘ流れることなく、１／４波長低インピー
ダンス線路パターン６、接地用グランドパターン７、バ
イアホール８を流れ接地導体１０ヘ放電される。このた
め、マイクロ波回路ユニット１５を保護する効果が得ら
れる。
【００２５】また、インターデジタルキャパシタ２３を
接続する構成とすることにより、電波信号の周波数にお
けるアンテナ入力インピーダンス補償帯域を広帯域にす
ることが可能となる効果も得られる。
接続する構成とすることにより、電波信号の周波数にお
けるアンテナ入力インピーダンス補償帯域を広帯域にす
ることが可能となる効果も得られる。
【００２６】実施の形態６．図７はこの発明の実施の形
態６を示す構成図であり、第１の１／４波長の高インピ
ーダンス線路パターン２ａとキャパシタ３ａを接続用金
線５にて直列に接続し、一端が接地された１／４波長低
インピーダンス線路６の他の一端が、上記１／４波長高
インピーダンス線路パターン２とキャパシタ３ａの接続
点に並列に接続して構成された回路を複数直列に接続し
た構成とした場合について説明する。
態６を示す構成図であり、第１の１／４波長の高インピ
ーダンス線路パターン２ａとキャパシタ３ａを接続用金
線５にて直列に接続し、一端が接地された１／４波長低
インピーダンス線路６の他の一端が、上記１／４波長高
インピーダンス線路パターン２とキャパシタ３ａの接続
点に並列に接続して構成された回路を複数直列に接続し
た構成とした場合について説明する。
【００２７】この場合、落雷電流は第１の１／４波長高
インピーダンス線路パターン２ａを溶断し、第１の１／
４波長低インピーダンス線路パターン６ａ、接地用グラ
ンドパターン７ａ、バイアホール８ａを流れ接地導体１
０ヘ放電される。落雷電流が大きい場合、落雷電流の一
部は第１のキャパシタ３ａヘ流れ、第２の１／４波長高
インピーダンス線路パターン２ｂを溶断し、第２の１／
４波長低インピーダンス線路パターン６ｂ、接地用グラ
ンドパターン７ｂ、バイアホール８ａを流れ接地導体１
０ヘ放電される。各々の保護回路で落雷電流の放電を繰
り返すことにより、マイクロ波回路ユニット１５を保護
する効果が得られる。
インピーダンス線路パターン２ａを溶断し、第１の１／
４波長低インピーダンス線路パターン６ａ、接地用グラ
ンドパターン７ａ、バイアホール８ａを流れ接地導体１
０ヘ放電される。落雷電流が大きい場合、落雷電流の一
部は第１のキャパシタ３ａヘ流れ、第２の１／４波長高
インピーダンス線路パターン２ｂを溶断し、第２の１／
４波長低インピーダンス線路パターン６ｂ、接地用グラ
ンドパターン７ｂ、バイアホール８ａを流れ接地導体１
０ヘ放電される。各々の保護回路で落雷電流の放電を繰
り返すことにより、マイクロ波回路ユニット１５を保護
する効果が得られる。
【００２８】また、１／４波長の高インピーダンス線路
とキャパシタを直列に接続し、一端が接地された１／４
波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１／４波
長高インピーダンス線路とキャパシタの接続点に並列に
接続して構成された保護回路を複数直列に構成とするこ
とにより、落雷電流への耐電力を向上する効果も得られ
る。
とキャパシタを直列に接続し、一端が接地された１／４
波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１／４波
長高インピーダンス線路とキャパシタの接続点に並列に
接続して構成された保護回路を複数直列に構成とするこ
とにより、落雷電流への耐電力を向上する効果も得られ
る。
【００２９】
【発明の効果】第１の発明によれば、１／４波長の高イ
ンピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直列に
接続された第１のキャパシタと、一端が接地された１／
４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１／４
波長高インピーダンス線路と第一のキャパシタの接続点
に並列に接続することを特徴とする回路構成とすること
により、１／４波長の高インピーダンス線路より入力さ
れる落雷電流を地導体へ放電する。さらに、この回路を
アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に有す
ることにより半導体素子を有するマイクロ波回路ユニッ
トを保護する効果がある。
ンピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直列に
接続された第１のキャパシタと、一端が接地された１／
４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１／４
波長高インピーダンス線路と第一のキャパシタの接続点
に並列に接続することを特徴とする回路構成とすること
により、１／４波長の高インピーダンス線路より入力さ
れる落雷電流を地導体へ放電する。さらに、この回路を
アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に有す
ることにより半導体素子を有するマイクロ波回路ユニッ
トを保護する効果がある。
【００３０】また、第２の発明によれば、金線によるヒ
ューズと前記金線ヒューズに直列に接続された第１のキ
ャパシタと、一端が接地された１／４波長低インピーダ
ンス線路の他の一端が、上記金線ヒューズと第一のキャ
パシタの接続点に並列に接続することを特徴とする回路
構成とすることにより、１／４波長の高インピーダンス
線路より入力される落雷電流を地導体へ放電する。さら
に、この回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットの間に有することにより半導体素子を有するマイク
ロ波回路ユニットを保護する効果がある。また、電波信
号の周波数に関わらず、小型な保護回路構成とする効果
もある。
ューズと前記金線ヒューズに直列に接続された第１のキ
ャパシタと、一端が接地された１／４波長低インピーダ
ンス線路の他の一端が、上記金線ヒューズと第一のキャ
パシタの接続点に並列に接続することを特徴とする回路
構成とすることにより、１／４波長の高インピーダンス
線路より入力される落雷電流を地導体へ放電する。さら
に、この回路をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットの間に有することにより半導体素子を有するマイク
ロ波回路ユニットを保護する効果がある。また、電波信
号の周波数に関わらず、小型な保護回路構成とする効果
もある。
【００３１】また、第３の発明によれば、１／４波長の
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１のキャパシタと、一端が接地された
１／４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１
／４波長高インピーダンス線路と第１のキャパシタの接
続点に並列に接続され、上記第１のキャパシタと直列に
１／４波長線路を接続し上記１／４波長線路の他端に第
２のキャパシタを直列に接続して構成されたことを特徴
とする回路構成とすることにより、１／４波長の高イン
ピーダンス線路より入力される落雷電流を地導体へ放電
する。さらに、この回路をアンテナ放射素子とマイクロ
波回路ユニットの間に有することにより半導体素子を有
するマイクロ波回路ユニットを保護する効果がある。ま
た、電波信号の周波数において、アンテナ入力インピー
ダンスを補償する効果もある。
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１のキャパシタと、一端が接地された
１／４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１
／４波長高インピーダンス線路と第１のキャパシタの接
続点に並列に接続され、上記第１のキャパシタと直列に
１／４波長線路を接続し上記１／４波長線路の他端に第
２のキャパシタを直列に接続して構成されたことを特徴
とする回路構成とすることにより、１／４波長の高イン
ピーダンス線路より入力される落雷電流を地導体へ放電
する。さらに、この回路をアンテナ放射素子とマイクロ
波回路ユニットの間に有することにより半導体素子を有
するマイクロ波回路ユニットを保護する効果がある。ま
た、電波信号の周波数において、アンテナ入力インピー
ダンスを補償する効果もある。
【００３２】また、第４の発明によれば、１／４波長の
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１の１／４波長ギャップキャパシタ
と、一端が接地された１／４波長低インピーダンス線路
の他の一端が、上記１／４波長高インピーダンス線路と
第一の１／４波長ギャップキャパシタの接続点に並列に
接続して構成されたことを特徴とする回路構成とするこ
とにより、１／４波長の高インピーダンス線路より入力
される落雷電流を地導体へ放電する。さらに、この回路
をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に有
することにより半導体素子を有するマイクロ波回路ユニ
ットを保護する効果がある。また、電波信号の周波数に
おいて、アンテナ入力インピーダンスを補償する効果も
ある。また、誘電体基板上にフィルムマスクを用いるエ
ッチング方法による製造のみで電子制御アンテナの特性
を得る効果もある。また、本保護回路上に第２の接地導
体を有する第２の誘電体基板を乗せたトリプレート線路
構成でも同様の効果がある。
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１の１／４波長ギャップキャパシタ
と、一端が接地された１／４波長低インピーダンス線路
の他の一端が、上記１／４波長高インピーダンス線路と
第一の１／４波長ギャップキャパシタの接続点に並列に
接続して構成されたことを特徴とする回路構成とするこ
とにより、１／４波長の高インピーダンス線路より入力
される落雷電流を地導体へ放電する。さらに、この回路
をアンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に有
することにより半導体素子を有するマイクロ波回路ユニ
ットを保護する効果がある。また、電波信号の周波数に
おいて、アンテナ入力インピーダンスを補償する効果も
ある。また、誘電体基板上にフィルムマスクを用いるエ
ッチング方法による製造のみで電子制御アンテナの特性
を得る効果もある。また、本保護回路上に第２の接地導
体を有する第２の誘電体基板を乗せたトリプレート線路
構成でも同様の効果がある。
【００３３】また、第５の発明によれば、１／４波長の
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１のインターデジタルキャパシタと、
一端が接地された１／４波長低インピーダンス線路の他
の一端が、上記１／４波長高インピーダンス線路と第一
のインターデジタルキャパシタの接続点に並列に接続し
て構成されたことを特徴とする回路構成とすることによ
り、１／４波長の高インピーダンス線路より入力される
落雷電流を地導体へ放電する。さらに、この回路をアン
テナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に有するこ
とにより半導体素子を有するマイクロ波回路ユニットを
保護する効果がある。また、電波信号の周波数におい
て、アンテナ入力インピーダンスを広帯域で補償する効
果もある。また、誘電体基板上にフィルムマスクを用い
るエッチング方法による製造のみで電子制御アンテナの
特性を得る効果もある。
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１のインターデジタルキャパシタと、
一端が接地された１／４波長低インピーダンス線路の他
の一端が、上記１／４波長高インピーダンス線路と第一
のインターデジタルキャパシタの接続点に並列に接続し
て構成されたことを特徴とする回路構成とすることによ
り、１／４波長の高インピーダンス線路より入力される
落雷電流を地導体へ放電する。さらに、この回路をアン
テナ放射素子とマイクロ波回路ユニットの間に有するこ
とにより半導体素子を有するマイクロ波回路ユニットを
保護する効果がある。また、電波信号の周波数におい
て、アンテナ入力インピーダンスを広帯域で補償する効
果もある。また、誘電体基板上にフィルムマスクを用い
るエッチング方法による製造のみで電子制御アンテナの
特性を得る効果もある。
【００３４】また、第６の発明によれば、１／４波長の
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１のキャパシタと、一端が接地された
１／４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１
／４波長高インピーダンス線路と第一のキャパシタの接
続点に並列に接続して構成された回路を複数直列に接続
したことを特徴とする回路構成とすることにより、１／
４波長の高インピーダンス線路より入力される落雷電流
を地導体へ放電する。さらに、この回路をアンテナ放射
素子とマイクロ波回路ユニットの間に有することにより
半導体素子を有するマイクロ波回路ユニットを保護する
効果がある。また、落雷電流への耐電力を向上する効果
が得られる。
高インピーダンス線路と前記高インピーダンス線路に直
列に接続された第１のキャパシタと、一端が接地された
１／４波長低インピーダンス線路の他の一端が、上記１
／４波長高インピーダンス線路と第一のキャパシタの接
続点に並列に接続して構成された回路を複数直列に接続
したことを特徴とする回路構成とすることにより、１／
４波長の高インピーダンス線路より入力される落雷電流
を地導体へ放電する。さらに、この回路をアンテナ放射
素子とマイクロ波回路ユニットの間に有することにより
半導体素子を有するマイクロ波回路ユニットを保護する
効果がある。また、落雷電流への耐電力を向上する効果
が得られる。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す雷サージ保護
回路の構成図である。
回路の構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す電子制御アン
テナのブロック構成図である。
テナのブロック構成図である。
【図３】 この発明の実施の形態２を示す雷サージ保護
回路の構成図である。
回路の構成図である。
【図４】 この発明の実施の形態３を示す雷サージ保護
回路の構成図である。
回路の構成図である。
【図５】 この発明の実施の形態４を示す雷サージ保護
回路の構成図である。
回路の構成図である。
【図６】 この発明の実施の形態５を示す雷サージ保護
回路の構成図である。
回路の構成図である。
【図７】 この発明の実施の形態６を示す雷サージ保護
回路の構成図である。
回路の構成図である。
【図８】 従来の電子制御アンテナのブロック構成図で
ある。
ある。
１ 放射素子接続用パッド、２ １／４波長高インピー
ダンス線路パターン、３ チップコンデンサ、４ マイ
クロ波回路ユニット接続用パッド、５ 接続用金線、６
１／４波長低インピーダンス線路パターン、７ 接続
用グランドパターン、８ バイアホール、９ 誘電体基
板、１０ 接地導体、１１ アンテナ放射素子、１２
給電回路、１３ 高インピーダンス線路回路、１４ キ
ャパシタ、１５ マイクロ波回路ユニット、１６ 低イ
ンピーダンス線路回路、１７ 接地導体、１８ 出力電
気信号、１９ 雷サージ保護回路、２０ 金線ヒュー
ズ、２１ 定インピーダンス線路パターン、２２ １／
４波長ギャップキャパシタ、２３ インターデジタルキ
ャパシタ。
ダンス線路パターン、３ チップコンデンサ、４ マイ
クロ波回路ユニット接続用パッド、５ 接続用金線、６
１／４波長低インピーダンス線路パターン、７ 接続
用グランドパターン、８ バイアホール、９ 誘電体基
板、１０ 接地導体、１１ アンテナ放射素子、１２
給電回路、１３ 高インピーダンス線路回路、１４ キ
ャパシタ、１５ マイクロ波回路ユニット、１６ 低イ
ンピーダンス線路回路、１７ 接地導体、１８ 出力電
気信号、１９ 雷サージ保護回路、２０ 金線ヒュー
ズ、２１ 定インピーダンス線路パターン、２２ １／
４波長ギャップキャパシタ、２３ インターデジタルキ
ャパシタ。
Claims (6)
- 【請求項１】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットとの間に挿入する雷サージ保護回路において、１／
４波長の高インピーダンス線路と、前記高インピーダン
ス線路に直列に接続されたキャパシタと、一端が接地さ
れ、他の一端が、上記１／４波長高インピーダンス線路
とキャパシタの接続点に接続された１／４波長低インピ
ーダンス線路とを具備したことを特徴とするマイクロ波
回路ユニットの雷サージ保護回路。 - 【請求項２】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットとの間に挿入する雷サージ保護回路において、金線
によるヒューズと、前記金線ヒューズに直列に接続され
たキャパシタと、一端が接地された他の一端が、上記金
線とキャパシタの接続点に接続された１／４波長低イン
ピーダンス線路とを具備したことを特徴とするマイクロ
波回路ユニットの雷サージ保護回路。 - 【請求項３】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットとの間に挿入する雷サージ保護回路において、１／
４波長の高インピーダンス線路と、前記高インピーダン
ス線路に直列に接続された第１のキャパシタと、一端が
接地され、他の一端が、上記１／４波長高インピーダン
ス線路と第１のキャパシタの接続点に接続された１／４
波長低インピーダンス線路と、上記第１のキャパシタと
直列に接続された１／４波長定インピーダンス線路と上
記１／４波長定インピーダンス線路の他端に直列に接続
された第２のキャパシタとを具備したことを特徴とする
マイクロ波回路ユニットの雷サージ保護回路。 - 【請求項４】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットとの間に挿入する雷サージ保護回路において、１／
４波長の高インピーダンス線路と、前記高インピーダン
ス線路に直列に接続された１／４波長ギャップキャパシ
タと、一端が接地され、他の一端が、上記１／４波長高
インピーダンス線路と１／４波長ギャップキャパシタの
接続点に接続された１／４波長低インピーダンス線路と
を具備したことを特徴とするマイクロ波回路ユニットの
雷サージ保護回路。 - 【請求項５】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットとの間に挿入する雷サージ保護回路において、１／
４波長の高インピーダンス線路と、前記高インピーダン
ス線路に直列に接続されたインターデジタルキャパシタ
と、一端が接地され、他の一端が、上記１／４波長高イ
ンピーダンス線路とインターデジタルキャパシタの接続
点に接続された１／４波長低インピーダンス線路とを具
備したことを特徴とするマイクロ波回路ユニットの雷サ
ージ保護回路。 - 【請求項６】 アンテナ放射素子とマイクロ波回路ユニ
ットとの間に挿入する雷サージ保護回路において、１／
４波長の高インピーダンス線路と、前記高インピーダン
ス線路に直列に接続されたキャパシタと、一端が接地さ
れ、他の一端が、上記１／４波長高インピーダンス線路
とキャパシタの接続点に接続された１／４波長低インピ
ーダンス線路とを具備した回路を複数直列に接続したこ
とを特徴とするマイクロ波回路ユニットの雷サージ保護
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10068351A JPH11266529A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | マイクロ波回路ユニットの雷サージ保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10068351A JPH11266529A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | マイクロ波回路ユニットの雷サージ保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11266529A true JPH11266529A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13371329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10068351A Pending JPH11266529A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | マイクロ波回路ユニットの雷サージ保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11266529A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847511B2 (en) | 2001-07-05 | 2005-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit protecting against electrostatic discharge |
| WO2008060625A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Sibeam, Inc. | Transmission line filter for esd protection |
| JP2010165730A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波帯用ｅｓｄ保護回路 |
| EP2403056A1 (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-04 | Yokogawa Electric Corporation | Wireless explosion-proof apparatus |
| JP2012099953A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
| JP2014230330A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 三菱電機株式会社 | 雷サージ対策回路、プリント基板 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP10068351A patent/JPH11266529A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847511B2 (en) | 2001-07-05 | 2005-01-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit protecting against electrostatic discharge |
| WO2008060625A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Sibeam, Inc. | Transmission line filter for esd protection |
| JP2010165730A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波帯用ｅｓｄ保護回路 |
| EP2403056A1 (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-04 | Yokogawa Electric Corporation | Wireless explosion-proof apparatus |
| US8860624B2 (en) | 2010-06-29 | 2014-10-14 | Yokogawa Electric Corporation | Wireless explosion-proof apparatus |
| JP2012099953A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
| JP2014230330A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 三菱電機株式会社 | 雷サージ対策回路、プリント基板 |
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