JPH1126558A - Pre-alignment device - Google Patents

Pre-alignment device

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Publication number
JPH1126558A
JPH1126558A JP9196425A JP19642597A JPH1126558A JP H1126558 A JPH1126558 A JP H1126558A JP 9196425 A JP9196425 A JP 9196425A JP 19642597 A JP19642597 A JP 19642597A JP H1126558 A JPH1126558 A JP H1126558A
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JP
Japan
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light
signal
sensor
wafer
ccd sensor
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Application number
JP9196425A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Maekawa
一浩 前川
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH1126558A publication Critical patent/JPH1126558A/en
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Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pre-alignment device which can reduce the signal detection time when detecting a signal by using a CCD sensor. SOLUTION: This device has a CCD sensor 9 comprising a photoelectric conversion part 9a, a charge transfer part 9b, and a light source 13 with which light is irradiated on the CCD sensor 9. The device has a light-shading part 11 which is provided to a side farther from the signal output part of the CCD sensor 9 and shades a part of light irradiated from a light source, and a drive means 25 which drives the CCD sensor 9 so as to uptate the signal of the photoelectric conversion part 9a by transferring a signal stored in the photoelectric conversion part 9a to the charge transfer part 9b, without reading the signal of the light-shading part 11 after reading a signal stored in a part except for the light-shading part 11 of the CCD sensor 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリアライメント
装置に係わり、特に、一次元以上のCCDセンサを使用
して信号を検出する場合に、信号検出時間を短縮できる
プリアライメント装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pre-alignment apparatus, and more particularly to a pre-alignment apparatus capable of reducing a signal detection time when a signal is detected using a one-dimensional or more CCD sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来のプリアライメント装置の
構成を示す概略図である。図6は、図5に示すプリアラ
イメント装置におけるCCD(Charge Coupled Device)
センサの構成を示す断面図及びセンサに蓄積される電荷
量のプロフィールを示すグラフである。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional pre-alignment apparatus. FIG. 6 shows a CCD (Charge Coupled Device) in the pre-alignment apparatus shown in FIG.
It is the cross section which shows the constitution of the sensor and the graph which shows the profile of the electric charge which is accumulated in the sensor.

【0003】図5に示すように、プリアライメント装置
100はCCDセンサ109を有する。このCCDセン
サ109は図6に示すようにCCD等電荷転送手段(C
CDアレイ)109bの上面にCCD等光電変換手段
( photoセンサ)109aが設けられている。CCD等
電荷転送手段109bはCCD等駆動手段125により
駆動される。
As shown in FIG. 5, a pre-alignment apparatus 100 has a CCD sensor 109. This CCD sensor 109 is, as shown in FIG.
A photoelectric conversion means (photo sensor) 109a such as a CCD is provided on the upper surface of the (CD array) 109b. The charge transfer means 109b such as a CCD is driven by a drive means 125 such as a CCD.

【0004】また、CCDアレイ109bはウェハ等端
部検出手段119に接続されており、このウェハ等端部
検出手段119は端部位置情報蓄積手段121に接続さ
れている。端部位置情報蓄積手段121はウェハ等中
心、方位演算手段123に接続されている。
The CCD array 109b is connected to a wafer end detecting means 119, and the wafer end detecting means 119 is connected to an end position information storing means 121. The end position information storage means 121 is connected to the center and azimuth calculation means 123 for a wafer or the like.

【0005】photoセンサ109aの上方にはシリンド
リカルレンズ117が設けられており、このシリンドリ
カルレンズ117の上方にはコンデンサレンズ115が
設けられている。コンデンサレンズ115の上方には光
源(LED、ハロゲンランプ等)113が設けられてい
る。
[0005] Above the photo sensor 109a, a cylindrical lens 117 is provided, and above the cylindrical lens 117, a condenser lens 115 is provided. Above the condenser lens 115, a light source (LED, halogen lamp, etc.) 113 is provided.

【0006】CCDセンサ109の近傍には、 photoセ
ンサ109aとシリンドリカルレンズ117との間に半
導体ウェハ等103の端部(外周部)を位置させ且つ半
導体ウェハ等103の表面が photoセンサ109aに平
行に位置させるためのウェハ等把持手段105が設けら
れている。このウェハ等把持手段105の下部にはウェ
ハ等103を回転させるウェハ等回転手段107が設け
られている。
[0006] In the vicinity of the CCD sensor 109, an end portion (outer peripheral portion) of the semiconductor wafer or the like 103 is positioned between the photo sensor 109a and the cylindrical lens 117, and the surface of the semiconductor wafer or the like 103 is parallel to the photo sensor 109a. A gripping means 105 for positioning a wafer or the like is provided. Below the wafer holding means 105, a wafer rotating means 107 for rotating the wafer 103 is provided.

【0007】次に、プリアライメント装置100の動作
について説明する。先ず、光源113から photoセンサ
109aに垂直方向に下方に向けて発せられた光がコン
デンサレンズ115、シリンドリカルレンズ117を介
して photoセンサ109aに照射される。この際、光の
一部は半導体ウェハ103の外周及びその近傍により遮
られる。この時、ウェハで遮られない光がCCDセンサ
109の photoセンサ109aに入力され、この入力光
が光電変換されて光電流となり、この電流がキャパシタ
に蓄積されて信号電荷となる。この蓄積される電荷量の
プロフィールは例えば図6に示すようになる。
Next, the operation of the pre-alignment apparatus 100 will be described. First, light emitted downward from the light source 113 to the photo sensor 109a in the vertical direction is applied to the photo sensor 109a via the condenser lens 115 and the cylindrical lens 117. At this time, part of the light is blocked by the outer periphery of the semiconductor wafer 103 and its vicinity. At this time, light not blocked by the wafer is input to the photo sensor 109a of the CCD sensor 109, and the input light is photoelectrically converted into a photocurrent, and this current is accumulated in a capacitor to become a signal charge. The profile of the accumulated charge amount is as shown in FIG. 6, for example.

【0008】次に、蓄積された各画素の信号電荷は、C
CDアレイ109bにより図5中の下方に示す全画素数
相当の転送クロックとして転送され、CCDアレイ10
9bから出力される。この出力された信号はウェハ等端
部検出手段119に送られる。この端部検出手段119
において、半導体ウェハ103の端部(外周)の一点の
位置が検出される。次に、この検出された位置のデータ
は端部位置情報蓄積手段121に送られ蓄積される。
Next, the accumulated signal charge of each pixel is C
The data is transferred by the CD array 109b as a transfer clock corresponding to the total number of pixels shown in the lower part of FIG.
9b. The output signal is sent to the wafer and other end detecting means 119. This edge detection means 119
In, the position of one point of the end (outer periphery) of the semiconductor wafer 103 is detected. Next, the data of the detected position is sent to the end position information storage means 121 and stored.

【0009】上記のようなウェハ103の端部の位置検
出を、ウェハ等回転手段107によりウェハ103を回
転させながら3000〜10000回行う。これによ
り、ウェハ103の端部の軌跡が端部位置情報蓄積手段
121に蓄積される。
The detection of the position of the end of the wafer 103 as described above is performed 3000 to 10000 times while rotating the wafer 103 by the wafer or the like rotating means 107. As a result, the trajectory of the edge of the wafer 103 is stored in the edge position information storage unit 121.

【0010】次に、この蓄積されたデータがウェハ等中
心、方位演算手段123に送られ、この演算手段123
によりウェハ103の中心位置を算出する。
Next, the accumulated data is sent to the center / azimuth calculating means 123 for the wafer or the like.
Is used to calculate the center position of the wafer 103.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
プリアライメント装置においてCCDアレイセンサ10
9によりウェハの端部を検出する場合、上述したように
端部の位置検出を3000〜10000回行う必要があ
る。このため、1枚のウェハの中心位置を求める時間を
短縮するには、1回の位置検出に要する時間をできる限
り短くすることが必要となる。
In the above-mentioned conventional pre-alignment apparatus, the CCD array sensor 10
When the edge of the wafer is detected by the method 9, the position of the edge needs to be detected 3000 to 10000 times as described above. For this reason, in order to reduce the time required for finding the center position of one wafer, it is necessary to shorten the time required for one position detection as much as possible.

【0012】上述したようにCCDセンサ109の原理
上、1回の位置検出を行った後、次の位置検出を行うに
は、CCDアレイ109bの全ての画素の情報を読み取
った後でなければならない。即ち、図6に示すCCDセ
ンサ109では、当該センサの全ての領域が信号検出有
効部分Cとなるため、C領域全てについて情報を読み出
さなければ次の位置検出を行うことができない。従っ
て、1回の位置検出に要する時間を短くするには、CC
Dセンサの画素数が少ない方が良い。
As described above, according to the principle of the CCD sensor 109, after one position detection is performed, the next position detection must be performed after reading information of all the pixels of the CCD array 109b. . That is, in the CCD sensor 109 shown in FIG. 6, since the entire area of the sensor becomes the signal detection effective portion C, the next position detection cannot be performed unless information is read for all the C areas. Therefore, to shorten the time required for one position detection, it is necessary to use CC
It is better that the number of pixels of the D sensor is small.

【0013】しかしながら、CCDセンサ109を使用
する場合はデバイスメーカから供給される既製品(ライ
ンセンサで長手方向が4〜5cmのもの)を入手すること
になるが、時代の流れからか、そのCCDセンサの仕様
はかなり画素数の多いものとなっている。この既製品
は、実際の端部位置検出でセンサとして必要な画素数に
比べてもかなり多いものである。従って、これがウェハ
の端部の位置検出を行う上で大きな制約条件になってい
る。
However, when the CCD sensor 109 is used, a ready-made product (line sensor having a length of 4 to 5 cm in a longitudinal direction) supplied from a device maker is obtained. The specification of the sensor has a considerably large number of pixels. This ready-made product is considerably larger than the number of pixels required as a sensor in actual edge position detection. Therefore, this is a great constraint in detecting the position of the edge of the wafer.

【0014】つまり、ウェハの端部位置検出でセンサと
して必要な部分はごく一部であり、その他の部分は不要
でありながら、不要な部分の信号を読み取らなければな
らず、この不要な情報読取りの時間がセンサを使用する
電子回路の性能の妨げになっている。信号検出に不要な
情報の読取りの時間を省略できれば、これを使用する電
子回路の処理時間を短縮することができる。
That is, only a small part of the portion necessary as a sensor for detecting the position of the edge of the wafer is necessary, and the other portions are unnecessary. Time hinders the performance of electronic circuits using the sensor. If the time for reading unnecessary information for signal detection can be omitted, the processing time of an electronic circuit using the information can be reduced.

【0015】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、CCDセンサを使用して
信号を検出する場合に、信号検出時間を短縮できるプリ
アライメント装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a pre-alignment apparatus capable of reducing a signal detection time when detecting a signal using a CCD sensor. It is in.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るプリアライメント装置は、光電変換部
と電荷転送部からなるCCDセンサ及び該CCDセンサ
に光を照射する光源を有するプリアライメント装置であ
って、前記CCDセンサの信号出力部から遠い側に設け
られた、該光源から照射される光の一部を遮る遮光部
と、該CCDセンサの該遮光部以外の部分に蓄積された
信号を読み出した後、該遮光部の信号の読み出しを行う
ことなく、前記光電変換部に蓄積された信号を前記電荷
転送部に転送し前記光電変換部の信号検出を更新するよ
うに該CCDセンサを駆動させる駆動手段と、を具備す
ることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a pre-alignment apparatus according to the present invention comprises a pre-alignment device having a CCD sensor comprising a photoelectric conversion unit and a charge transfer unit, and a light source for irradiating the CCD sensor with light. A light-shielding portion provided on a side far from the signal output portion of the CCD sensor, the light-shielding portion blocking a portion of light emitted from the light source, and the light stored in a portion other than the light-shielding portion of the CCD sensor. After reading the signal, the CCD sensor is configured to transfer the signal stored in the photoelectric conversion unit to the charge transfer unit and update the signal detection of the photoelectric conversion unit without reading the signal of the light shielding unit. And driving means for driving the.

【0017】このプリアライメント装置では、CCDセ
ンサの信号出力部から遠い側に光の一部を遮る遮光部を
設けているため、CCDセンサの遮光部以外の部分に蓄
積された信号を読み出すと、遮光部の領域にあるセンサ
の状態が遮光部以外の部分に移動する。遮光部の領域は
信号電荷が蓄積されていない領域であるため、センサの
遮光部以外の部分の信号の読み出しが終了すると、CC
Dセンサを全ての領域で信号が検出されていない状態と
ほぼ同等の状態にすることができる。従って、駆動手段
によりすぐに前記光電変換部に蓄積された信号を前記電
荷転送部に転送し、前記光電変換部の検出を更新でき
る。
In this pre-alignment apparatus, a light-shielding portion that blocks a part of the light is provided on a side far from the signal output portion of the CCD sensor. Therefore, when a signal accumulated in a portion other than the light-shielding portion of the CCD sensor is read, The state of the sensor in the region of the light-shielding portion moves to a portion other than the light-shielding portion. Since the region of the light-shielding portion is a region in which no signal charge is accumulated, when the reading of the signal of the portion other than the light-shielding portion of the sensor is completed, CC
The D sensor can be set to a state substantially equivalent to a state where no signal is detected in all regions. Therefore, the signal stored in the photoelectric conversion unit by the driving unit can be immediately transferred to the charge transfer unit, and the detection of the photoelectric conversion unit can be updated.

【0018】また、上記遮光部の長さを制御する長さ可
変制御部をさらに含むことが好ましい。また、上記CC
Dセンサにより位置検出を行う前に、予備的な位置検出
を行う予備アライメント手段をさらに含むプリアライメ
ント装置であって、該予備アライメント手段により検出
した位置に応じて該長さ可変制御部により該遮光部の長
さを制御することが好ましい。
It is preferable that the apparatus further includes a variable length control section for controlling the length of the light shielding section. In addition, the above CC
What is claimed is: 1. A pre-alignment apparatus further comprising a pre-alignment unit for performing a preliminary position detection before performing a position detection by a D sensor, wherein said light-shielding unit is provided by said length variable control unit according to a position detected by said pre-alignment unit. It is preferred to control the length of the part.

【0019】予備アライメント手段により予備的な位置
検出を行うことにより、CCDセンサにより位置検出を
行う前にある程度の位置を決めることができるため、遮
光部の長さをさらに短くすることができる。
By performing preliminary position detection by the preliminary alignment means, it is possible to determine a certain position before performing position detection by the CCD sensor, so that the length of the light shielding portion can be further reduced.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明の第1の実施の形
態によるプリアライメント装置の構成を示す概略図であ
る。図2は、図1に示すプリアライメント装置における
CCDセンサの構成を示す断面図及びセンサに蓄積され
る電荷量のプロフィールを示すグラフである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a pre-alignment apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the CCD sensor in the pre-alignment apparatus shown in FIG. 1 and a graph showing a profile of the amount of charge accumulated in the sensor.

【0021】図1に示すように、プリアライメント装置
1はCCDセンサ9を有する。このCCDセンサ9は図
2に示すようにCCD等電荷転送手段(CCDアレイ)
9bの上面にCCD等光電変換手段( photoセンサ)9
aが設けられており、さらにこの photoセンサ9aの上
には遮光部11が設けられている。また、CCDアレイ
9bはCCD等駆動手段25により駆動される。
As shown in FIG. 1, the pre-alignment device 1 has a CCD sensor 9. The CCD sensor 9 is a charge transfer means such as a CCD (CCD array) as shown in FIG.
Photoelectric conversion means (photo sensor) 9 such as CCD on the upper surface of 9b
a, and a light shielding unit 11 is provided on the photo sensor 9a. The CCD array 9b is driven by a driving means 25 such as a CCD.

【0022】また、CCDアレイ9はウェハ等端部検出
手段19に接続されており、このウェハ等端部検出手段
19は端部位置情報蓄積手段21に接続されている。端
部位置情報蓄積手段21はウェハ等中心、方位演算手段
23に接続されている。
The CCD array 9 is connected to a wafer end detecting means 19, which is connected to an end position information storing means 21. The end position information storage means 21 is connected to the center and orientation calculation means 23 for a wafer or the like.

【0023】photoセンサ9aの上方にはシリンドリカ
ルレンズ17が設けられており、このシリンドリカルレ
ンズ17の上方にはコンデンサレンズ15が設けられて
いる。コンデンサレンズ15の上方には光源(LED、
ハロゲンランプ等)13が設けられている。
A cylindrical lens 17 is provided above the photo sensor 9a, and a condenser lens 15 is provided above the cylindrical lens 17. Above the condenser lens 15, a light source (LED,
13) are provided.

【0024】CCDセンサ9の近傍には、 photoセンサ
9aとシリンドリカルレンズ17との間に半導体ウェハ
等3の端部(外周部)を位置させ且つ半導体ウェハ等3
の表面が photoセンサ9aに平行に位置させるためのウ
ェハ等把持手段5が設けられている。このウェハ等把持
手段5の下部にはウェハ等3を回転させるウェハ等回転
手段7が設けられている。
In the vicinity of the CCD sensor 9, an end (outer peripheral portion) of the semiconductor wafer 3 is located between the photo sensor 9 a and the cylindrical lens 17.
There is provided a holding means 5 such as a wafer for positioning the surface of the photo sensor 9a in parallel with the photo sensor 9a. Below the gripping means 5 for wafers and the like, a rotating means 7 for wafers and the like for rotating the wafer 3 and the like is provided.

【0025】次に、プリアライメント装置1の動作につ
いて説明する。先ず、光源13から photoセンサ9aに
垂直方向に下方に向けて発せられた光がコンデンサレン
ズ15、シリンドリカルレンズ17を介して photoセン
サ9aに照射される。この際、光の一部は半導体ウェハ
3の外周及びその近傍により遮られる。この時、ウェハ
3で遮られない光がCCDセンサ9の photoセンサ9a
に入力され、この入力光が光電変換されて光電流とな
り、この電流がキャパシタに蓄積されて信号電荷とな
る。この蓄積される電荷量のプロフィールは例えば図2
に示すようになる。つまり、遮光部(遮蔽物)11によ
り光が遮光される部分のA領域には電荷が蓄積されず、
非遮光部である信号検出有効部分のB領域のみに電荷が
蓄積される。尚、A領域はCCDセンサ9の信号出力部
から遠い側(信号の読み出しに遠い側)の領域であり、
B領域はCCDセンサ9の信号出力部から近い側(信号
の読み出しに近い側)の領域である。
Next, the operation of the pre-alignment apparatus 1 will be described. First, light emitted downward from the light source 13 to the photo sensor 9a in the vertical direction is applied to the photo sensor 9a via the condenser lens 15 and the cylindrical lens 17. At this time, part of the light is blocked by the outer periphery of the semiconductor wafer 3 and its vicinity. At this time, light that is not blocked by the wafer 3 is applied to the photo sensor 9a of the CCD sensor 9.
The input light is photoelectrically converted into a photocurrent, and this current is accumulated in a capacitor to become a signal charge. The profile of the accumulated charge amount is shown in FIG.
It becomes as shown in. That is, no charge is accumulated in the region A where light is shielded by the light shielding portion (shielding material) 11,
Electric charges are accumulated only in the B region of the signal detection effective portion, which is a non-shielding portion. The area A is an area farther from the signal output portion of the CCD sensor 9 (a side farther from the signal readout).
The area B is an area closer to the signal output unit of the CCD sensor 9 (closer to signal reading).

【0026】次に、B領域に蓄積された信号電荷は、図
1中の下方に示す非遮光部相当の転送クロックとして転
送され、CCDアレイ9bから出力される。この出力さ
れた信号はウェハ等端部検出手段19に送られる。この
端部検出手段19において、半導体ウェハ3の端部(外
周)の一点の位置が検出される。次に、この検出された
位置のデータは端部位置情報蓄積手段21に送られ蓄積
される。
Next, the signal charges accumulated in the region B are transferred as a transfer clock corresponding to a non-light-shielding portion shown in the lower part of FIG. 1 and output from the CCD array 9b. This output signal is sent to the wafer end detecting means 19. The edge detecting means 19 detects the position of one point of the edge (outer circumference) of the semiconductor wafer 3. Next, the data of the detected position is sent to the end position information storage means 21 and stored.

【0027】上述したB領域に蓄積された信号電荷がC
CDアレイ9bから出力されると、A領域の状態がB領
域に移動する。この後、A領域の信号電荷の出力を行わ
ずに、すぐにCCD等駆動手段25により photoセンサ
9aの電荷をCCDアレイ9bに転送し、 photoセンサ
の信号検出を更新する。
The signal charge accumulated in the above-mentioned B region is C
When output from the CD array 9b, the state of the area A moves to the area B. Thereafter, without outputting the signal charges in the region A, the charges of the photo sensor 9a are immediately transferred to the CCD array 9b by the driving means 25 such as a CCD, and the signal detection of the photo sensor is updated.

【0028】上記のようなウェハ3の端部の位置検出
を、ウェハ等回転手段7によりウェハ3を回転させなが
ら3000〜10000回行う。これにより、ウェハ3
の端部全体の位置が端部位置情報蓄積手段21に蓄積さ
れる。この端部位置情報からウェハ3の平面形状を判別
できる。
The detection of the position of the end of the wafer 3 as described above is performed 3000 to 10000 times while the wafer 3 is rotated by the wafer or the like rotating means 7. Thereby, the wafer 3
Are stored in the end position information storage means 21. The planar shape of the wafer 3 can be determined from the edge position information.

【0029】次に、この蓄積されたデータがウェハ等中
心、方位演算手段23に送られ、この演算手段23によ
りウェハ3の中心位置を算出する。
Next, the accumulated data is sent to the center and azimuth calculating means 23 for the wafer and the like, and the calculating means 23 calculates the center position of the wafer 3.

【0030】上記第1の実施の形態によれば、遮蔽物1
1によりCCDセンサ9のA領域上を遮蔽しているた
め、光電変換面に光源13からの光が照射されると、図
2に示すような信号プロフィールの電荷が蓄積される。
この状態で信号電荷を読み出すと、B領域に蓄積された
信号電荷が順次読み込まれ、信号電荷が蓄積されていな
いA領域の状態がB領域に移動してくる。A領域は信号
が検出されない領域なので、B領域の信号の読み込みが
終了すると、CCDセンサを全ての領域で信号が検出さ
れていない状態とほぼ同等の状態にすることができるた
め、すぐにCCD等駆動手段25によりCCDセンサの
検出を更新できる。したがって、従来のプリアライメン
ト装置のようにCCDセンサの全ての領域の信号電荷を
読み込むのに比べて、読み込み時間を短縮することがで
きる。
According to the first embodiment, the shield 1
Since the area A of the CCD sensor 9 is shielded by 1, when the light from the light source 13 irradiates the photoelectric conversion surface, charges having a signal profile as shown in FIG. 2 are accumulated.
When the signal charges are read out in this state, the signal charges accumulated in the B region are sequentially read, and the state of the A region where no signal charges are accumulated moves to the B region. Since the area A is an area where no signal is detected, when the reading of the signal in the area B is completed, the CCD sensor can be brought into a state almost equivalent to a state where no signal is detected in all areas. The drive unit 25 can update the detection of the CCD sensor. Therefore, the reading time can be reduced as compared with the case where the signal charges in all the regions of the CCD sensor are read as in the conventional pre-alignment apparatus.

【0031】つまり、仮にCCDセンサの半分を遮蔽物
11によりマスクした場合、読み込み時間を半分に短縮
することができる。例えば、2048画素の一次元CC
Dセンサを用いた場合、読み出しサイクルを5MHzと
仮定すると、全ての画素を読み出すのにかかる時間は4
09.6μ秒である。これに対して、この一次元CCD
センサの全画素数の半分の1024画素をマスクして用
いた場合、読み出しに必要な時間は204.8μ秒とな
る。この結果、光源13からCCDセンサ9に2倍の周
期で光を照射できるので、半導体ウェハ3の端部の位置
検出の時間を短縮できる。
That is, if half of the CCD sensor is masked by the shield 11, the reading time can be reduced to half. For example, one-dimensional CC of 2048 pixels
In the case of using the D sensor, assuming that the read cycle is 5 MHz, the time required to read all the pixels is 4
09.6 μs. In contrast, this one-dimensional CCD
When 1024 pixels, which is half of the total number of pixels of the sensor, are masked and used, the time required for reading is 204.8 μsec. As a result, light can be emitted from the light source 13 to the CCD sensor 9 at twice the period, so that the time for detecting the position of the edge of the semiconductor wafer 3 can be reduced.

【0032】図3は、本発明の第2の実施の形態による
プリアライメント装置の構成を示す概略図であり、図1
と同一部分には同一符号を付し異なる部分についてのみ
説明する。図4は、図3に示す予備アライメント手段を
示す構成図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a pre-alignment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
The same parts as those described above are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described. FIG. 4 is a configuration diagram showing the preliminary alignment means shown in FIG.

【0033】図3に示すプリアライメント装置10は予
備アライメント手段31を有する。この予備アライメン
ト手段31は、図4に示すように光電変換素子33及び
照明手段から構成されている。すなわち、ウェハキャリ
アからプリアライメント装置にウェハ3を搬送するウェ
ハ搬送路中には複数の光電変換素子33が設けられてい
る。この光電変換素子33の直上には、搬送路上を搬送
されているウェハ3を照明する図示せぬ照明手段が設け
られている。
The pre-alignment apparatus 10 shown in FIG. The pre-alignment means 31 includes a photoelectric conversion element 33 and an illumination means as shown in FIG. That is, a plurality of photoelectric conversion elements 33 are provided in the wafer transfer path for transferring the wafer 3 from the wafer carrier to the pre-alignment apparatus. Immediately above the photoelectric conversion element 33, an illuminating means (not shown) for illuminating the wafer 3 being carried on the carrying path is provided.

【0034】この予備アライメント手段31は、プリア
ライメント装置10によりウェハ3の中心位置を検出す
る前に、予備的にウェハ3の中心を検出するためのもの
である。具体的には、搬送路上をウェハがウェハ搬送方
向に送られている際、照明手段により搬送路上の光電変
換素子33に光が照射される。これにより、搬送中のウ
ェハ3の端面が各光電変換素子33上を通過する時刻の
差からウェハの中心位置を演算する。
The pre-alignment means 31 is for preliminarily detecting the center of the wafer 3 before the pre-alignment device 10 detects the center position of the wafer 3. Specifically, when the wafer is being sent on the transfer path in the wafer transfer direction, light is applied to the photoelectric conversion element 33 on the transfer path by the illumination unit. Thereby, the center position of the wafer 3 is calculated from the difference in the time when the end face of the wafer 3 being conveyed passes over each photoelectric conversion element 33.

【0035】また、CCDセンサ9の photoセンサ9a
の上には遮光部11aが設けられており、この遮光部1
1aは例えばECD、液晶等で構成されている。また、
遮光部11aとしては機械的シャッターを用いることも
可能である。
The photo sensor 9a of the CCD sensor 9
Is provided with a light shielding portion 11a.
1a is composed of, for example, an ECD, a liquid crystal, or the like. Also,
It is also possible to use a mechanical shutter as the light shielding part 11a.

【0036】遮光部11aには長さ可変制御部11bが
設けられている。この長さ可変制御部11bは、予備ア
ライメント手段31により検出されたウェハ3の中心位
置に応じて必要部分以外の光電変換面を遮光するように
遮光部11aを制御するものである。また、CCD等駆
動手段25も遮光部11aの長さ変化に対応した駆動方
法に変更するようになっている。
The light shielding section 11a is provided with a variable length control section 11b. The variable length control unit 11b controls the light shielding unit 11a so as to shield the photoelectric conversion surface other than the necessary part from light in accordance with the center position of the wafer 3 detected by the preliminary alignment unit 31. The driving means 25 such as a CCD is also changed to a driving method corresponding to a change in the length of the light shielding portion 11a.

【0037】尚、ウェハ3の搬送速度の制御が十分にな
されていないこと、得られる端面のデータ数が少ないこ
となどの理由から、予備アライメント手段31により検
出される中心位置の精度は良くないが、上述したように
遮光部11aの長さを決定するには十分な精度といえ
る。
Note that the accuracy of the center position detected by the preliminary alignment means 31 is not good because of the insufficient control of the transfer speed of the wafer 3 and the small number of end face data obtained. As described above, it can be said that the accuracy is sufficient to determine the length of the light shielding portion 11a.

【0038】上記第2の実施の形態においても第1の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
In the second embodiment, the same effects as those in the first embodiment can be obtained.

【0039】さらに、予備アライメント手段31により
ウェハ3の中心位置を予備的に検出することにより、こ
の中心位置からウェハ3の端部の位置をある程度の誤差
はあるものの判定することができる。そして、この判定
した端部の位置に応じて遮光部11aの長さを長さ可変
制御部11bによって調整することにより、CCDセン
サ9の必要部分以外を遮光することができる。この結
果、プリアライメント装置10におけるCCDセンサ9
の必要部分を第1の実施の形態の場合より短くすること
ができる。したがって、第1の実施の形態によるプリア
ライメント装置のように予備アライメント手段31を用
いない場合に比べて、読み込み時間をさらに短縮するこ
とができる。
Further, by preliminarily detecting the center position of the wafer 3 by the pre-alignment means 31, the end position of the wafer 3 can be determined from this center position although there is some error. Then, by adjusting the length of the light shielding portion 11a by the variable length control portion 11b in accordance with the determined position of the end portion, it is possible to shield the portions other than the necessary portion of the CCD sensor 9 from light. As a result, the CCD sensor 9 in the pre-alignment device 10
Can be made shorter than in the first embodiment. Therefore, the reading time can be further reduced as compared with the case where the pre-alignment unit 31 is not used as in the pre-alignment apparatus according to the first embodiment.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、C
CDセンサの信号出力部から遠い側に光の一部を遮る遮
光部を設けている。したがって、CCDセンサを使用し
て信号を検出する場合に、信号検出時間を短縮できるプ
リアライメント装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, C
A light-shielding portion that blocks a part of light is provided on a side far from the signal output portion of the CD sensor. Therefore, it is possible to provide a pre-alignment apparatus capable of shortening the signal detection time when detecting a signal using the CCD sensor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態によるプリアライメ
ント装置の構成を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a pre-alignment apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すプリアライメント装置におけるCC
Dセンサの構成を示す断面図及びセンサに蓄積される電
荷量のプロフィールを示すグラフである。
FIG. 2 shows a CC in the pre-alignment apparatus shown in FIG.
It is the cross section which shows the constitution of D sensor and the graph which shows the profile of the electric charge which is accumulated in the sensor.

【図3】本発明の第2の実施の形態によるプリアライメ
ント装置の構成を示す概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of a pre-alignment apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図3に示す予備アライメント手段を示す構成図
である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing a preliminary alignment unit shown in FIG. 3;

【図5】従来のプリアライメント装置の構成を示す概略
図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional pre-alignment apparatus.

【図6】図5に示すプリアライメント装置におけるCC
Dセンサの構成を示す断面図及びセンサに蓄積される電
荷量のプロフィールを示すグラフである。
FIG. 6 shows a CC in the pre-alignment apparatus shown in FIG.
It is the cross section which shows the constitution of D sensor and the graph which shows the profile of the electric charge which is accumulated in the sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…プリアライメント装置 3…半導体ウェ
ハ等 5…ウェハ等把持手段 7…ウェハ等回
転手段 9…CCDセンサ 9a…CCD等光電変換手段( photoセンサ) 9b…CCD等電荷転送手段(CCDアレイ) 11…遮光部 11a…遮光部 11b…長さ可変制御部 13…光源 15…コンデンサレンズ 17…シリンド
リカルレンズ 19…ウェハ等端部検出手段 21…端部位置
情報蓄積手段 23…ウェハ等中心、方位演算手段 25…CCD等駆動手段 31…予備アラ
イメント手段 33…光電変換素子 100…プリアラ
イメント装置 103…半導体ウェハ等 105…ウェハ
等把持手段 107…ウェハ等回転手段 109…CCD
センサ 109a…CCD等光電変換手段( photoセンサ) 109b…CCD等電荷転送手段(CCDアレイ) 113…光源 115…コンデ
ンサレンズ 117…シリンドリカルレンズ 119…ウェハ
等端部検出手段 121…端部位置情報蓄積手段 123…ウェハ
等中心、方位演算手段 125…CCD等駆動手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pre-alignment apparatus 3 ... Semiconductor wafer etc. 5 ... Wafer etc. holding means 7 ... Wafer etc. rotation means 9 ... CCD sensor 9a ... Photoelectric conversion means (photo sensor) such as CCD 9b ... Charge transfer means such as CCD (CCD array) 11 ... Light shielding part 11a ... Light shielding part 11b ... Variable length control part 13 ... Light source 15 ... Condenser lens 17 ... Cylindrical lens 19 ... Wafer and other edge detecting means 21 ... Edge position information accumulating means 23 ... Wafer and other center / direction calculating means 25 ... CCD driving means 31 ... Preliminary alignment means 33 ... Photoelectric conversion element 100 ... Pre-alignment device 103 ... Semiconductor wafer etc. 105 ... Wafer holding means 107 ... Wafer rotation means 109 ... CCD
Sensor 109a: Photoelectric conversion means such as CCD (photo sensor) 109b: Charge transfer means such as CCD (CCD array) 113: Light source 115: Condenser lens 117: Cylindrical lens 119: Wafer edge detection means 121: Edge position information storage means 123 ... Center and azimuth calculation means for wafer etc. 125 ... Drive means for CCD etc.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // G01N 21/27 H01L 27/14 D Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // G01N 21/27 H01L 27/14 D

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光電変換部と電荷転送部からなるCCD
センサ及び該CCDセンサに光を照射する光源を有する
プリアライメント装置であって;前記CCDセンサの信
号出力部から遠い側に設けられた、該光源から照射され
る光の一部を遮る遮光部と、 該CCDセンサの遮光部以外の部分に蓄積された信号を
読み出した後、該遮光部の信号の読み出しを行うことな
く前記光電変換部に蓄積された信号を前記電荷転送部に
転送することにより、前記光電変換部の信号検出を更新
するように該CCDセンサを駆動させる駆動手段と、 を具備することを特徴とするプリアライメント装置。
1. A CCD comprising a photoelectric conversion unit and a charge transfer unit
A pre-alignment device having a sensor and a light source for irradiating light to the CCD sensor; a light shielding unit provided on a side far from a signal output unit of the CCD sensor, for shielding a part of light emitted from the light source; After reading the signal stored in a portion other than the light-shielding portion of the CCD sensor, the signal stored in the photoelectric conversion portion is transferred to the charge transfer portion without reading the signal of the light-shielding portion. And a driving unit for driving the CCD sensor so as to update the signal detection of the photoelectric conversion unit.
【請求項2】 上記遮光部の長さを制御する長さ可変制
御部をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のプリ
アライメント装置。
2. The pre-alignment apparatus according to claim 1, further comprising a variable length control unit for controlling a length of the light shielding unit.
【請求項3】 上記CCDセンサにより位置検出を行う
前に、予備的な位置検出を行う予備アライメント手段を
さらに含むプリアライメント装置であって;該予備アラ
イメント手段により検出した位置に応じて該長さ可変制
御部により該遮光部の長さを制御することを特徴とする
請求項2記載のプリアライメント装置。
3. A pre-alignment apparatus further comprising preliminary alignment means for performing preliminary position detection before position detection by said CCD sensor; said length according to the position detected by said preliminary alignment means. 3. The pre-alignment apparatus according to claim 2, wherein the length of the light shielding unit is controlled by a variable control unit.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008065738A (en) * 2006-09-11 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Imaging device and imaging method
KR20220032724A (en) * 2020-09-08 2022-03-15 (주)에디슨이브이 System for inspecting defect of edge with enhanced contrast ratio

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