JPH1126505A - Semiconductor device and manufacture - Google Patents

Semiconductor device and manufacture

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Publication number
JPH1126505A
JPH1126505A JP9196438A JP19643897A JPH1126505A JP H1126505 A JPH1126505 A JP H1126505A JP 9196438 A JP9196438 A JP 9196438A JP 19643897 A JP19643897 A JP 19643897A JP H1126505 A JPH1126505 A JP H1126505A
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JP
Japan
Prior art keywords
inner lead
pellet
semiconductor device
solder resist
main surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP9196438A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Narisawa
明彦 成沢
Yoshiyuki Tanigawa
義之 谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH1126505A publication Critical patent/JPH1126505A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an inner lead from being cut during inner lead bonding. SOLUTION: A solder resist layer 27 is adhered to the main surface at the pellet side of an inner lead 24 prior to the inner lead bonding, an inner lead 24 is inner lead bonded to a pad 12 by a connecting portion 14 formed from a bump with a solder resist layer 27 being contacted to the main surface at the pad 12 side of a pellet 10. The inner lead 24 is reinforced by a solder resist layer 27, and the thickness of a contact portion 27b of the solder resist layer 27 becomes larger, and the inner lead 24 is not bent into S-shape, so that the breaking of the inner lead can be prevented. By so doing, the insulation of the inner lead is not degraded, even though it makes contact with the pellet and the solder resist layer is an insulation layer. The thickness of TCP-IC can be made much smaller, their quality and reliability can be enhanced, and the TCP-IC can be made thinner and integrated highly with a size reduced considerably.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、テープ・キャリア・パッケージ(以下、T
CPという。)を備えた半導体装置の製造技術に関し、
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の
製造に利用して有効なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly, to a tape carrier package (hereinafter referred to as T
Called CP. ) Regarding the manufacturing technology of the semiconductor device having
For example, the present invention relates to a device that is effective for use in manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC).

【0002】[0002]

【従来の技術】薄形で作業性の良好な実装を実現するた
めのTCPを備えたICとして、半導体ペレット(以
下、単にペレットという。)とキャリアテープとがテー
プ・オートメイテッド・ボンディング(Tape Au
tomataed Bonding:TAB)により機
械的かつ電気的に接続され、樹脂封止体がポッティング
法によって成形されているものがある。
2. Description of the Related Art A semiconductor pellet (hereinafter simply referred to as a pellet) and a carrier tape are tape-automated bonding (Tape Au) as an IC having a thin shape and having a TCP for realizing good workability.
Some are mechanically and electrically connected by a bonded bonding (TAB), and a resin sealing body is formed by a potting method.

【0003】すなわち、半導体集積回路が作り込まれた
ペレットの第1主面にはこの回路を外部に取り出すため
のパッドが複数個その外周辺部に配されて形成されてい
るとともに、各パッドの表面には金等の導体からなるバ
ンプがそれぞれ突設されている。他方、キャリアテープ
はポリイミド等の絶縁性樹脂からなるテープ本体の上に
インナリードおよびアウタリード群を形成されて構成さ
れている。そして、ペレットはキャリアテープに、各バ
ンプが各インナリードにそれぞれ整合するように配され
てバンプおよびインナリードをボンディング工具によっ
て同時にインナリードボンディングされることにより、
電気的かつ機械的に接続される。その後、封止樹脂がテ
ープ本体にペレットおよびインナリード群を封止するよ
うにポッティングされることにより、樹脂封止体が成形
される。
That is, a plurality of pads for taking out the circuit are formed on the first main surface of the pellet in which the semiconductor integrated circuit is formed and arranged on the outer peripheral portion thereof. The surface is provided with bumps made of a conductor such as gold, respectively. On the other hand, the carrier tape is formed by forming an inner lead and an outer lead group on a tape body made of an insulating resin such as polyimide. Then, the pellets are arranged on the carrier tape such that each bump is aligned with each inner lead, and the bumps and the inner leads are simultaneously subjected to inner lead bonding by a bonding tool,
Electrically and mechanically connected. Thereafter, a sealing resin is potted on the tape body so as to seal the pellets and the inner lead group, whereby a resin sealing body is formed.

【0004】薄形で作業性の良好な実装を実現すること
ができるため、TCPを備えたIC(以下、TCP・I
Cという。)は液晶パネル駆動用のICとして広く使用
されている。一般に、液晶パネルは大形画面化が要求さ
れており、この要求に伴って、液晶パネル駆動用のIC
としてのTCP・ICに対しては、高集積化および相対
的に縮小化が要求されている。そこで、キャリアテープ
のテープ本体をインナリードが上側に配された状態でペ
レットのバンプ側の主面に載せて、インナリード群をバ
ンプ群にギャングボンディングしたTCP・ICが提案
されている。
[0004] Since it is possible to realize a thin mounting with good workability, an IC having a TCP (hereinafter referred to as a TCP / I
Called C. Is widely used as an IC for driving a liquid crystal panel. In general, a liquid crystal panel is required to have a large screen, and with this demand, an IC for driving the liquid crystal panel is required.
As for the TCP / IC, high integration and relatively miniaturization are required. Therefore, there has been proposed a TCP / IC in which the tape body of the carrier tape is mounted on the bump-side main surface of the pellet with the inner leads arranged on the upper side, and the inner leads are gang-bonded to the bumps.

【0005】なお、TAB技術が使用されたTCPを述
べてある例としては、1990年1月25日株式会社工
業調査会発行「TAB技術入門」P167〜P183、
がある。
[0005] Examples of the TCP using the TAB technology are described in "Introduction to TAB technology", P167-P183, published by the Industrial Research Institute on January 25, 1990.
There is.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記したキャ
リアテープのテープ本体をペレットの主面に載せてギャ
ングボンディングするTCP・ICの製造方法において
は、テープ本体の厚さ分だけインナリードがバンプから
遠ざかることにより、ボンディング時にインナリードが
S字形状に屈曲された状態になるため、インナリードが
切断し易くなるという問題点があることが本発明者によ
って明らかにされた。
However, in the method of manufacturing a TCP / IC in which the tape body of the carrier tape is mounted on the main surface of the pellet and gang-bonded, the inner leads are separated from the bumps by the thickness of the tape body. The present inventor has clarified that there is a problem that the inner lead is bent into an S-shape at the time of bonding by moving away, so that the inner lead is easily cut.

【0007】本発明の目的は、インナリードの切断を防
止することができる半導体装置の製造技術を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a technique for manufacturing a semiconductor device capable of preventing cutting of an inner lead.

【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0010】すなわち、インナリードボンディング以前
にインナリードのペレット側主面に絶縁層を被着し、こ
の絶縁層がペレットのパッド側主面に当接された状態で
インナリードをパッドにインナリードボンディングする
ことを特徴とする。
That is, before the inner lead bonding, an insulating layer is applied to the pellet-side main surface of the inner lead, and the inner lead is bonded to the pad while the insulating layer is in contact with the pad-side main surface of the pellet. It is characterized by doing.

【0011】前記した手段によれば、絶縁層がペレット
のパッド側主面に当接された状態でインナリードがパッ
ドにインナリードボンディングされることにより、イン
ナリードボンディングに際して、インナリードが絶縁層
によって補強されるため、インナリードが切断すること
は防止される。
According to the above-described means, the inner lead is bonded to the pad while the insulating layer is in contact with the pad-side main surface of the pellet. Since the inner leads are reinforced, the inner leads are prevented from being cut.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
TCP・ICを示しており、(a)は一部省略一部切断
平面図、(b)は一部省略正面断面図である。図2以降
はその製造方法を示す各説明図である。
1 shows a TCP IC according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a partially cutaway plan view, and FIG. 1 (b) is a front sectional view partially omitted. is there. FIG. 2 et seq. Are explanatory diagrams showing the manufacturing method.

【0013】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置はTCP・ICとして構成されている。このTCP
・IC29は液晶パネル駆動用の半導体集積回路(図示
せず)が作り込まれたペレット10およびキャリアテー
プ20を備えている。ペレット10のアクティブ・エリ
ア側である第1主面11には、半導体集積回路を外部に
取り出すためのパッド12が複数個形成されている。他
方、キャリアテープ20のテープ本体21にはインナリ
ード24およびアウタリード25が形成されており、各
パッド12と各インナリード24とがバンプによって形
成された接続部14を介してインナリードボンディング
されることにより、ペレット10がキャリアテープ20
に電気的かつ機械的に接続されている。ペレット10お
よびインナリード24群はテープ本体21におけるペレ
ット10の領域にポッティングによって成形された樹脂
封止体28によって樹脂封止されている。そして、イン
ナリード24群には絶縁層としてのソルダレジスト層2
7が全体的に被着されており、インナリード24の一部
である当接部27bはペレット10の第1主面11に当
接された状態になっている。このTCP・IC29は次
の製造方法によって製造されている。
In the present embodiment, the semiconductor device according to the present invention is configured as a TCP IC. This TCP
The IC 29 includes the pellet 10 and the carrier tape 20 in which a semiconductor integrated circuit (not shown) for driving a liquid crystal panel is built. On the first main surface 11 on the active area side of the pellet 10, a plurality of pads 12 for taking out the semiconductor integrated circuit to the outside are formed. On the other hand, an inner lead 24 and an outer lead 25 are formed on the tape main body 21 of the carrier tape 20, and each pad 12 and each inner lead 24 are subjected to inner lead bonding via a connection portion 14 formed by a bump. As a result, the pellet 10 is
Are electrically and mechanically connected to The pellet 10 and the group of inner leads 24 are resin-sealed by a resin sealing body 28 formed by potting in a region of the pellet 10 in the tape body 21. A solder resist layer 2 as an insulating layer is provided on the inner lead 24 group.
7, the contact portion 27b, which is a part of the inner lead 24, is in contact with the first main surface 11 of the pellet 10. This TCP IC 29 is manufactured by the following manufacturing method.

【0014】以下、本発明の一実施形態であるTCP・
ICの製造方法を説明する。この説明により前記したT
CP・ICの構成の詳細が明らかにされる。
Hereinafter, the TCP / IP system according to an embodiment of the present invention will be described.
A method for manufacturing an IC will be described. According to this description, T
Details of the configuration of the CP IC will be clarified.

【0015】図2に示されているように、ペレット10
は平面視が長方形の薄い板形状の小片に形成されてい
る。すなわち、ICの製造工程における所謂前工程にお
いて、シリコンウエハ(図示せず)に半導体集積回路が
各ペレット部毎に作り込まれた後に、シリコンウエハが
各ペレット部毎にダイシングされることにより、ペレッ
ト10は平面視が長方形の薄い平板形状の小片に形成さ
れる。ペレット10の第1主面11にはパッド12が複
数個、ペレット10の長辺と平行の中心線上に互いに干
渉しない間隔をおいて一列に配されてそれぞれ開設され
ている。ペレット10の第1主面11に開設された各パ
ッド12の上には各バンプ13が、第1主面11から若
干突出するように金(Au)系材料が用いられて略半球
形状に形成されている。
[0015] As shown in FIG.
Is formed in a thin plate-shaped small piece having a rectangular shape in plan view. That is, in a so-called pre-process in an IC manufacturing process, after a semiconductor integrated circuit is formed for each pellet portion on a silicon wafer (not shown), the silicon wafer is diced for each pellet portion. 10 is formed in a thin plate-shaped small piece having a rectangular shape in plan view. A plurality of pads 12 are provided on the first main surface 11 of the pellet 10 and are arranged in a row on a center line parallel to the long side of the pellet 10 at intervals so as not to interfere with each other. Each bump 13 is formed in a substantially hemispherical shape using a gold (Au) -based material so as to slightly protrude from the first main surface 11 on each pad 12 formed on the first main surface 11 of the pellet 10. Have been.

【0016】キャリアテープ20は図3に示されている
ように構成されている。すなわち、キャリアテープ20
はTCP・ICのペレット10とインナリード群とをテ
ープ・オートメイテッド・ボンディング(TAB)によ
り機械的かつ電気的に接続させ得るように構成されてお
り、絶縁性を有するキャリアとしてのテープ本体21を
備えている。テープ本体21はポリイミド等の絶縁性樹
脂を用いられて、同一パターンが長手方向に連続するよ
うに一体成形されている。但し、説明および図示は一単
位だけについて行われている。これは他の構成要素につ
いても同様である。テープ本体21の幅方向の両側端辺
部にはピッチ送り等のための送り孔22が等ピッチに配
されて開設されている。また、テープ本体21の幅方向
の中央部にはペレット10を収容するためのペレット収
容孔23が等ピッチをもって1列に配されて開設されて
いる。各ペレット収容孔23はペレット10の外形に対
して若干大きめに相似する長方形に形成されている。
The carrier tape 20 is configured as shown in FIG. That is, the carrier tape 20
Is configured so that the TCP / IC pellet 10 and the inner lead group can be mechanically and electrically connected to each other by tape automated bonding (TAB), and a tape body 21 as a carrier having an insulating property is provided. Have. The tape body 21 is formed integrally using an insulating resin such as polyimide so that the same pattern is continuous in the longitudinal direction. However, the description and illustration are given for only one unit. This is the same for the other components. Feed holes 22 for pitch feeding and the like are arranged at equal pitches on both side edges in the width direction of the tape body 21. Further, pellet accommodation holes 23 for accommodating the pellets 10 are arranged in a row at a uniform pitch in a central portion in the width direction of the tape body 21. Each pellet accommodating hole 23 is formed in a rectangular shape slightly similar to the outer shape of the pellet 10.

【0017】ペレット10に形成された集積回路を電気
的に外部に引き出すためのインナリード24は複数本
が、テープ本体21の一方の主面(以下、第1主面とす
る。)の上におけるペレット収容孔23の両方の長辺に
配線されている。インナリード24は銅箔等の導電性材
料から成る薄板がテープ本体21の上面に溶着や接着等
の適当な固着手段により固着され、この薄板がリソグラ
フィー処理によって所望のパターンにエッチングされる
ことにより形成されている。インナリード24は複数本
宛がペレット収容孔23における両長辺に分けられて配
線されており、各インナリード24の先端部はペレット
収容孔23の長辺と平行の中心線迄それぞれ突出されて
いる。また、インナリード24は互いに電気的に非接続
になるように形成されている。さらに、インナリード2
4はペレット10におけるパッド12と同数設けられて
おり、各インナリード24の先端部は各パッド12のそ
れぞれに整合するように配置されている。
A plurality of inner leads 24 for electrically leading out the integrated circuit formed on the pellet 10 to the outside are provided on one main surface (hereinafter, referred to as a first main surface) of the tape body 21. It is wired on both long sides of the pellet accommodation hole 23. The inner lead 24 is formed by attaching a thin plate made of a conductive material such as a copper foil to the upper surface of the tape body 21 by an appropriate fixing means such as welding or bonding, and etching the thin plate into a desired pattern by lithography. Have been. The inner leads 24 are wired in such a manner that a plurality of the inner leads 24 are divided into both long sides of the pellet accommodating hole 23, and the tip of each inner lead 24 is protruded to a center line parallel to the long side of the pellet accommodating hole 23. I have. The inner leads 24 are formed so as to be electrically disconnected from each other. Furthermore, inner lead 2
4 are provided in the same number as the pads 12 of the pellet 10, and the tip of each inner lead 24 is arranged so as to match with each of the pads 12.

【0018】各インナリード24の外側には各アウタリ
ード25がそれぞれ一体的に連結されており、各アウタ
リード25の外側端部はテープ本体21の上面において
ペレット収容孔23の両方の長辺側外方にそれぞれ拡大
された状態で配線されている。テープ本体21における
ペレット収容孔23の両方の長辺の外側には長方形の長
孔26がそれぞれ開設されており、各アウタリード25
は両長孔26、26をそれぞれ横断している。インナリ
ード24およびアウタリード25の表面には、バンプ1
3と協働して後記する接続部を形成するための錫めっき
膜(図示せず)が被着されている。
The outer leads 25 are integrally connected to the outer sides of the inner leads 24. The outer ends of the outer leads 25 are formed on the upper surface of the tape body 21 on both sides of the long side of the pellet accommodating hole 23. Are wired in an enlarged state. Rectangular long holes 26 are respectively formed outside both long sides of the pellet accommodating holes 23 in the tape main body 21, and each outer lead 25 is formed.
Crosses both slots 26, 26, respectively. The bumps 1 are provided on the surfaces of the inner leads 24 and the outer leads 25.
3, a tin plating film (not shown) for forming a connection portion described later is applied.

【0019】本実施形態において、テープ本体21の第
1主面の上には絶縁層としてのソルダレジスト層27が
アウタリード25群を被覆するように被着されており、
ソルダレジスト層27の外側端部は長孔26の内側端辺
において堰止められた状態になっている。ソルダレジス
ト層27の内側端部は各インナリード24の基端部にそ
れぞれ延びた状態になっており、ソルダレジスト層27
におけるインナリード24への延長部27aはインナリ
ード24の第1主面と反対側の主面(以下、第2主面と
いう。)に回り込んで後述するペレット10との当接部
27bを形成した状態になっている。
In this embodiment, a solder resist layer 27 as an insulating layer is applied on the first main surface of the tape body 21 so as to cover the outer leads 25.
The outer end of the solder resist layer 27 is blocked at the inner end of the elongated hole 26. The inner end of the solder resist layer 27 extends to the base end of each of the inner leads 24.
The extension 27a extending to the inner lead 24 in FIG. 1 wraps around a main surface opposite to the first main surface of the inner lead 24 (hereinafter, referred to as a second main surface) to form a contact portion 27b with the pellet 10 described later. It is in a state where it has been done.

【0020】図4に示されているように、ペレット10
がキャリアテープ20にインナリードボンディングされ
る際に、キャリアテープ20はスプロケット(図示せ
ず)間に張設されて一方向に間欠送りされる。張設され
たキャリアテープ20の途中に配設されたボンディング
ステージ31において、ペレット10がペレット収容孔
23内に下方から収容されるとともに、各パッド12が
各インナリード24にそれぞれ整合される。この状態に
おいて、ソルダレジスト層27の当接部27bはペレッ
ト10の両長辺の上縁部に当接した状態になる。
As shown in FIG.
When the carrier tape 20 is inner-lead bonded to the carrier tape 20, the carrier tape 20 is stretched between sprockets (not shown) and is intermittently fed in one direction. In the bonding stage 31 provided in the middle of the stretched carrier tape 20, the pellets 10 are accommodated from below in the pellet accommodation holes 23, and the respective pads 12 are aligned with the respective inner leads 24. In this state, the contact portions 27b of the solder resist layer 27 are in contact with the upper edges of both long sides of the pellet 10.

【0021】続いて、インナリード24群の上にボンデ
ィング工具32が押接されると、ボンディング工具32
とボンディングステージ31とによって各バンプ13が
各インナリード24の先端部にそれぞれ熱圧着されてギ
ャングボンディングされる。すなわち、インナリード2
4の表面に被着された錫めっき膜と、金系材料から成る
バンプ13との間において金−錫の共晶が形成されるた
め、各パッド12のバンプ13と各インナリード24の
先端部とは、バンプ13から成る接続部14によって電
気的かつ機械的に接続された状態になる。
Subsequently, when the bonding tool 32 is pressed onto the group of inner leads 24, the bonding tool 32
And the bonding stage 31, the bumps 13 are thermocompression-bonded to the tips of the inner leads 24, respectively, for gang bonding. That is, inner lead 2
Since a eutectic of gold-tin is formed between the tin plating film adhered on the surface of No. 4 and the bump 13 made of a gold-based material, the bump 13 of each pad 12 and the tip of each inner lead 24 are formed. Is in a state of being electrically and mechanically connected by the connection portion 14 composed of the bump 13.

【0022】このインナリードボンディングに際し、ソ
ルダレジスト層27の当接部27bがペレット10の第
1主面11に当接された状態で、インナリード24がバ
ンプ13に熱圧着されることにより、各インナリード2
4が当接部27bによって補強されるため、かつまた、
ソルダレジスト層27の当接部27bの厚さが薄くイン
ナリード24がS字形状に屈曲されないため、各インナ
リード24が切断することは防止される。また、当接部
27bは絶縁層であるソルダレジスト層27によって形
成されているため、ペレット10に当接してもインナリ
ード24の絶縁性を損なうことはない。
At the time of this inner lead bonding, the inner leads 24 are thermocompression-bonded to the bumps 13 while the contact portions 27b of the solder resist layer 27 are in contact with the first main surface 11 of the pellet 10, so that Inner lead 2
4 is reinforced by the contact portion 27b, and
Since the thickness of the contact portion 27b of the solder resist layer 27 is small and the inner leads 24 are not bent into an S-shape, the cutting of each inner lead 24 is prevented. Further, since the contact portion 27b is formed by the solder resist layer 27 which is an insulating layer, even if the contact portion 27b contacts the pellet 10, the insulating property of the inner lead 24 is not impaired.

【0023】テープ・オートメイテッド・ボンディング
されたペレット10とインナリード24群との周囲に
は、エポキシ・フェノール樹脂等の絶縁性樹脂をポッテ
ィングされて成る樹脂封止体28がペレット10および
インナリード24群を樹脂封止するように成形される。
すなわち、図5に示されているように、封止樹脂33は
ポッティング装置34によりキャリアテープ20の上方
からペレット収容孔23を中心に満遍無く塗布するよう
に供給される。このようにポッティングされた封止樹脂
33はペレット収容孔23の内周面とペレット10の外
周面との隙間を通ってテープ本体21の下面に回り込ん
で、ペレット10、インナリード24群およびソルダレ
ジスト層27を全体的に包囲する状態になるため、ペレ
ット10、インナリード24群およびソルダレジスト層
27を樹脂封止する樹脂封止体28がテープ本体21の
上面および下面にわたって成形された状態になる。
A resin sealing body 28 made by potting an insulating resin such as an epoxy phenol resin is formed around the pellet 10 and the inner leads 24 on which the tape automated bonding has been performed. The group is molded so as to be resin-sealed.
That is, as shown in FIG. 5, the sealing resin 33 is supplied from above the carrier tape 20 by the potting device 34 so as to be uniformly applied around the pellet accommodating holes 23. The sealing resin 33 thus potted goes around the lower surface of the tape main body 21 through the gap between the inner peripheral surface of the pellet accommodating hole 23 and the outer peripheral surface of the pellet 10, and the pellet 10, the inner leads 24, and the solder Since the whole of the resist layer 27 is surrounded, the resin sealing body 28 for sealing the pellet 10, the inner leads 24, and the solder resist layer 27 with resin is formed over the upper and lower surfaces of the tape body 21. Become.

【0024】以上のようにして前記構成に係るTCP・
IC29が製造されたことになる。そして、樹脂封止体
28を成形されたTCP・IC29はキャリアテープ2
0に付設された状態のまま、または、所定の位置で切断
されてキャリアテープ20から個別に分離された状態に
おいて、液晶パネルの所定位置に配されてアウタリード
25とパネル側の端子および液晶パネルのコントローラ
(いずれも図示せず)とがアウタリードボンディングさ
れ電気的に接続される。
As described above, the TCP.
This means that the IC 29 has been manufactured. Then, the TCP / IC 29 in which the resin sealing body 28 is formed is the carrier tape 2.
0, or in a state where it is cut at a predetermined position and separated individually from the carrier tape 20, the outer lead 25 is disposed at a predetermined position of the liquid crystal panel, the terminal on the panel side and the liquid crystal panel. An outer lead bonding is performed with a controller (neither is shown) for electrical connection.

【0025】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 (1) インナリードボンディング以前にインナリード
のペレット側主面にソルダレジストを被着し、ソルダレ
ジスト層がペレットのバンプ側主面に当接された状態で
インナリードをバンプにインナリードボンディングする
ことにより、インナリードボンディングに際して、イン
ナリードがソルダレジスト層によって補強されるため、
かつまた、ソルダレジスト層の当接部の厚さが薄くイン
ナリードがS字形状に屈曲されないため、インナリード
の切断が発生するのを防止することができる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. (1) Solder resist is applied to the pellet-side main surface of the inner lead before the inner lead bonding, and the inner lead is bonded to the bump with the solder resist layer in contact with the bump-side main surface of the pellet. Therefore, at the time of inner lead bonding, the inner leads are reinforced by the solder resist layer,
Further, since the thickness of the contact portion of the solder resist layer is small and the inner lead is not bent into an S-shape, it is possible to prevent the inner lead from being cut.

【0026】(2) また、ソルダレジスト層は絶縁層
であるため、ペレットに当接してもインナリードの絶縁
性を損なうことを回避することができる。
(2) Since the solder resist layer is an insulating layer, it is possible to prevent the inner lead from being damaged even if it comes into contact with the pellet.

【0027】(3) 前記(1)および(2)により、
TCP・ICの厚さをより一層薄くすることができるば
かりでなく、その品質および信頼性を高めることができ
るとともに、TCP・ICの薄形化や高集積化および縮
小化をより一層促進させることができる。
(3) According to the above (1) and (2),
Not only can the thickness of the TCP / IC be further reduced, but also the quality and reliability thereof can be improved, and the thinning, high integration and miniaturization of the TCP / IC can be further promoted. Can be.

【0028】(4) 薄形で作業性の良好な実装を実現
することができるTCP・ICの薄形化や高集積化およ
び縮小化を促進することにより、これが液晶パネル駆動
用のTCP・ICとして使用された場合に、液晶パネル
の大形化を推進することができる。
(4) Thin TCP / IC capable of realizing mounting with good workability By promoting thinning, high integration and miniaturization of TCP / IC, this is a TCP / IC for driving a liquid crystal panel. When used as, a liquid crystal panel can be made larger.

【0029】図6は本発明の実施形態2であるTCP・
ICを示しており、(a)は一部省略一部切断平面図、
(b)は一部省略正面断面図である。
FIG. 6 is a diagram showing a TCP / IP system according to the second embodiment of the present invention.
3A shows an IC, and FIG.
(B) is a partially omitted front sectional view.

【0030】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、キャリアテープ20の第1主面側におけるソルダレ
ジスト層27がペレット10の第1主面11に当接され
た状態で、各インナリード24がパッド12に接続部1
4を介してインナリードボンディングされている点であ
る。
The second embodiment is different from the first embodiment in that the solder resist layer 27 on the first main surface side of the carrier tape 20 is in contact with the first main surface 11 of the pellet 10 and each inner Lead 24 is connected to pad 12 at connection 1
4 is that the inner lead bonding is performed.

【0031】本実施形態2においても、インナリードボ
ンディングに際して、インナリード24がソルダレジス
ト層27によって補強され、かつ、ソルダレジスト層2
7の厚さが薄いため、インナリード24の切断が発生す
るのを防止することができる。
Also in the second embodiment, at the time of inner lead bonding, the inner leads 24 are reinforced by the solder resist
Since the thickness of 7 is thin, it is possible to prevent the inner lead 24 from being cut.

【0032】図7は本発明の実施形態3であるTCP・
ICを示しており、(a)は一部省略一部切断平面図、
(b)は一部省略正面断面図である。
FIG. 7 is a view illustrating a TCP / IP system according to the third embodiment of the present invention.
3A shows an IC, and FIG.
(B) is a partially omitted front sectional view.

【0033】本実施形態3が前記実施形態1と異なる点
は、テープ本体21のペレット収容孔23がペレット1
0よりも小さく開設され、かつ、キャリアテープ20の
第1主面側におけるソルダレジスト層27がペレット1
0の第1主面11に当接された状態で、各インナリード
24がパッド12に接続部14を介してインナリードボ
ンディングされている点である。
The third embodiment is different from the first embodiment in that the pellet accommodating hole 23 of the tape body 21 is
0, and the solder resist layer 27 on the first main surface side of the carrier tape 20 has the pellet 1
In this state, the inner leads 24 are bonded to the pads 12 via the connection portions 14 in the state where the inner leads 24 are in contact with the first main surface 11.

【0034】本実施形態3においても、インナリードボ
ンディングに際して、インナリード24がソルダレジス
ト層27によって補強され、かつ、ソルダレジスト層2
7の厚さが薄いため、インナリード24の切断が発生す
るのを防止することができる。
Also in the third embodiment, the inner lead 24 is reinforced by the solder resist layer 27 and the solder resist layer 2
Since the thickness of 7 is thin, it is possible to prevent the inner lead 24 from being cut.

【0035】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
The invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

【0036】例えば、絶縁層はソルダレジスト層によっ
て形成するに限らず、他の絶縁性を有する材料によって
形成してもよい。
For example, the insulating layer is not limited to being formed of the solder resist layer, but may be formed of another insulating material.

【0037】パッドとインナリードとをインナリードボ
ンディングするためのバンプは、パッド側に突設するに
限らず、インナリード側に突設してもよい。また、バン
プは金系材料によって形成するに限らず、はんだ材料等
のパッドとインナリードとを電気的かつ機械的に接続可
能な材料によって形成することができる。
The bump for bonding the pad and the inner lead to the inner lead is not limited to the protrusion on the pad side, but may be provided on the inner lead side. The bumps are not limited to being formed of a gold-based material, but may be formed of a material such as a solder material that can electrically and mechanically connect a pad and an inner lead.

【0038】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である液晶パ
ネル駆動用のTCP・ICに適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、サポートリン
グを有するTCP・IC等のTCPを備えた半導体装置
全般に適用することができる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a TCP / IC for driving a liquid crystal panel, which is a background application, has been described. However, the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to all semiconductor devices including TCP such as TCP / IC having a support ring.

【0039】[0039]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0040】インナリードボンディング以前にインナリ
ードのペレット側主面に絶縁層を被着し、絶縁層がペレ
ットのパッド側主面に当接された状態でインナリードを
パッドにインナリードボンディングすることにより、イ
ンナリードボンディングに際して、インナリードが絶縁
層によって補強されるため、かつまた、絶縁層の当接部
の厚さが薄くインナリードがS字形状に屈曲されないた
め、インナリードが切断するのを防止することができ
る。
Before the inner lead bonding, an insulating layer is applied to the pellet-side main surface of the inner lead, and the inner lead is bonded to the pad while the insulating layer is in contact with the pad-side main surface of the pellet. In the case of inner lead bonding, the inner lead is reinforced by the insulating layer, and the thickness of the contact portion of the insulating layer is so thin that the inner lead is not bent into an S shape, thereby preventing the inner lead from being cut. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態であるTCP・ICを示し
ており、(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は一
部省略正面断面図である。
FIGS. 1A and 1B show a TCP / IC according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a partially cutaway plan view with a part omitted, and FIG.

【図2】本発明の一実施形態であるTCP・ICの製造
方法に使用されるペレットを示しており、(a)は平面
図、(b)は正面断面図である。
FIGS. 2A and 2B show a pellet used in a method for manufacturing a TCP / IC according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG.

【図3】同じくキャリアテープを示しており、(a)は
一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面
図である。
3A and 3B also show a carrier tape, wherein FIG. 3A is a partially omitted plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line bb of FIG. 3A.

【図4】同じくインナリードボンディング工程を示して
おり、(a)は一部省略平面図、(b)は(a)のb−
b線に沿う断面図である。
4A and 4B also show an inner lead bonding step, wherein FIG. 4A is a partially omitted plan view, and FIG.
It is sectional drawing which follows the b line.

【図5】同じくパッケージング工程を示す縦断面図であ
る。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a packaging step.

【図6】本発明の実施形態2であるTCP・ICを示し
ており、(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は一
部省略正面断面図である。
6A and 6B show a TCP IC according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A is a partially cutaway plan view with a part omitted, and FIG. 6B is a front sectional view with a part omitted.

【図7】本発明の実施形態3であるTCP・ICを示し
ており、(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は一
部省略正面断面図である。
7A and 7B show a TCP / IC according to a third embodiment of the present invention, in which FIG. 7A is a partially cutaway plan view with a part omitted, and FIG. 7B is a front sectional view with a part omitted.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ペレット、11…第1主面、12…パッド、13
…バンプ、14…接続部、20…キャリアテープ、21
…テープ本体、22…送り孔、23…ペレット収容孔、
24…インナリード、25…アウタリード、26…長
孔、27…ソルダレジスト層(絶縁層)、27a…延長
部、27b…当接部、28…樹脂封止体、29…TCP
・IC(半導体装置)、31…ボンディングステージ、
32…ボンディング工具、33…封止樹脂、34…ポッ
ティング装置。
10: pellet, 11: first main surface, 12: pad, 13
... bumps, 14 ... connection parts, 20 ... carrier tape, 21
... Tape body, 22 ... Feed hole, 23 ... Pellet accommodation hole,
Reference numeral 24: inner lead, 25: outer lead, 26: elongated hole, 27: solder resist layer (insulating layer), 27a: extended portion, 27b: contact portion, 28: resin sealing body, 29: TCP
・ IC (semiconductor device), 31 ... bonding stage,
32: bonding tool, 33: sealing resin, 34: potting device.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子回路が作り込まれている半導体ペレ
ットの第1主面にこの電子回路を電気的に外部に取り出
すためのパッドが複数個形成されており、他方、キャリ
アテープのテープ本体にインナリードおよびアウタリー
ドが形成されており、各パッドと各インナリードとがイ
ンナリードボンディングされてペレットがキャリアテー
プに電気的かつ機械的に接続されており、ペレットおよ
びインナリード群がテープ本体におけるペレットの領域
に形成された樹脂封止体によって樹脂封止されている半
導体装置において、 前記インナリード群のうち少なくとも一部のものの少な
くともペレット側の主面に絶縁層が被着されており、こ
の絶縁層が前記ペレットの主面に当接されていることを
特徴とする半導体装置。
1. A plurality of pads for electrically taking out an electronic circuit are formed on a first main surface of a semiconductor pellet in which an electronic circuit is formed, and a plurality of pads are formed on a tape body of a carrier tape. Inner leads and outer leads are formed, each pad and each inner lead are subjected to inner lead bonding, and the pellet is electrically and mechanically connected to the carrier tape. In a semiconductor device resin-sealed by a resin sealing body formed in a region, an insulating layer is applied to at least a main surface on a pellet side of at least a part of the inner lead group. Is in contact with the main surface of the pellet.
【請求項2】 前記インナリードの全てのそれぞれに絶
縁層が被着されていることを特徴とする請求項1に記載
の半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein an insulating layer is applied to all of the inner leads.
【請求項3】 前記インナリード群のうち必要なものだ
けに絶縁層が被着されていることを特徴とする請求項1
に記載の半導体装置。
3. An insulating layer is applied only to a necessary one of the inner lead group.
3. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項4】 前記テープ本体が前記インナリード群よ
りも前記ペレット側に配置されていることを特徴とする
請求項1、2または3に記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the tape main body is disposed closer to the pellet than the inner lead group.
【請求項5】 前記テープ本体が前記インナリード群を
挟んで前記ペレットと反対側に配置されていることを特
徴とする請求項1、2または3に記載の半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the tape main body is disposed on the opposite side of the inner lead group from the pellet.
【請求項6】 前記絶縁層がソルダレジスト層によって
形成されていることを特徴とする請求項1、2、3、4
または5に記載の半導体装置。
6. The semiconductor device according to claim 1, wherein said insulating layer is formed by a solder resist layer.
Or the semiconductor device according to 5.
【請求項7】 請求項1に記載の半導体装置の製造方法
であって、 前記絶縁層が前記インナリードボンディング以前に前記
インナリードに被着され、この絶縁層が前記ペレットの
主面に当接された状態でインナリードボンディングされ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the insulating layer is applied to the inner lead before the inner lead bonding, and the insulating layer contacts a main surface of the pellet. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein inner lead bonding is performed in a state of being performed.
【請求項8】 前記テープ本体が前記インナリード群よ
りも前記ペレット側に配置された状態で、前記キャリア
テープと前記ペレットとがインナリードボンディングさ
れることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製
造方法。
8. The semiconductor according to claim 7, wherein the carrier tape and the pellet are subjected to inner lead bonding in a state where the tape main body is disposed on the pellet side with respect to the inner lead group. Device manufacturing method.
【請求項9】 前記テープ本体が前記インナリード群を
挟んで前記ペレットと反対側に配置された状態で、前記
キャリアテープと前記ペレットとがインナリードボンデ
ィングされることを特徴とする請求項7に記載の半導体
装置の製造方法。
9. The carrier tape and the pellet are subjected to inner lead bonding in a state where the tape main body is disposed on the opposite side of the pellet with respect to the inner lead group. The manufacturing method of the semiconductor device described in the above.
【請求項10】 前記絶縁層がソルダレジスト層によっ
て形成されることを特徴とする請求項7、8または9に
記載の半導体装置の製造方法。
10. The method according to claim 7, wherein the insulating layer is formed by a solder resist layer.
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