JPH11262821A - ワイヤ放電加工装置、ワイヤ放電加工方法、ワイヤ放電加工用ワイヤ電極及び押出成形用金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】厚みの大きいワークに対して、幅が狭くかつ深
さの大きい加工溝をワイヤ放電加工にて容易に形成でき
るようにする。 【解決手段】ワイヤ電極１３０をワークＷに対向させて
送給させるワイヤ駆動系１３２と、ワイヤ電極１３０に
電力を供給するための給電部１３４とを有し、ワイヤ電
極１３０とワークＷとの間に放電を行わせてワークＷを
任意の形状に加工するワイヤ放電加工装置１０におい
て、ワイヤ電極１３０は表面が絶縁被覆され、ワイヤ電
極１３０の送給経路のうち、給電部１３４の前段に、放
電加工の状態に応じて、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１
９２の一部を選択的に除去する被膜除去手段２００を設
けて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤ電極と被加
工物との間に放電を行わせて被加工物を任意の形状に加
工するワイヤ放電加工装置及びワイヤ放電加工方法と、
これらワイヤ放電加工装置及びワイヤ放電加工方法に使
用されるワイヤ電極と、これらワイヤ放電加工装置及び
ワイヤ放電加工方法によって作製される押出成形用金型
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、細いワイヤ電極による切抜き加
工方式の１つであるワイヤ放電加工は、放電現象をワイ
ヤ電極と被加工物の間に介在させるため、被加工物の強
度や硬度、じん性などの材料の特性値に関係なく加工が
できる利点があるほか、以下に示す利点も有する。 （１）油以外の不燃性加工液を有効に利用できる。 （２）電極の使い捨てが可能である。 （３）電極の消耗が加工精度に大きく影響しない。 （４）ＣＮＣ（コンピュータ数値制御化）機能を十分に
利用できる。

【０００３】また、ワイヤ放電加工は、加工の際に被加
工物にかかる機械的な力が比較的小さいため、薄い被加
工物、もろい材質のもの、きわめて小さい穴やスリット
などのような微細形状の加工にも有利である。

【０００４】ところで、上述のワイヤ放電加工におい
て、加工進行方向の放電効率を向上させ、更に、加工速
度を向上させるためには、ワイヤ電極と被加工物との加
工間隙である微小間隙に生じるスラッジ（加工粉）の排
出をよくすることが望ましい。

【０００５】そのためには、加工間隙に噴出させる加工
液の液圧を高くするなどの方法があるが、前記液圧を高
くすると、ワイヤ電極に振動を与える要因となり、加工
精度の低下、及び気泡の発生のためワイヤ電極切れを生
じるなどの欠点があった。

【０００６】そこで、従来では、特殊形状のワイヤ電極
を使用することで、効率よくスラッジを排出しながらワ
イヤ放電加工する方法が提案されている。例えば特開昭
５６−１５２５３１号公報には、表面に溝、突起、凹凸
を設けたワイヤを用いてスラッジを排出することが記載
され、実開昭６２−１１０８１６号公報には、断面形状
を三角、四角あるいは楕円形にし、回転させて送ること
によってスラッジを排出することが記載され、特開平１
−２２２８２１号公報には、平角断面ワイヤを螺旋状に
したワイヤを用いてスラッジを排出することが記載され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】一般に、ワイヤ放電加
工は、図２９に示すように、斜線で示す範囲ａが標準的
に加工ができる範囲であり、これを逸脱する条件では所
望の形状に加工できず、ワイヤの断線や加工溝幅の異常
な拡大を引き起こすという問題がある。例えば、厚みが
約２２０ｍｍのワークに対し、ワイヤ径が０．１０ｍｍ
以下のワイヤで４ｍｍの加工溝を形成する場合を考える
と、この条件は、図２９において、一点鎖線で示す範囲
ｂとなり、標準加工条件からかけ離れた条件となる。

【０００８】このような条件は、例えば自動車用触媒に
使用されるハニカムセラミックスを押出成形で作製する
ための金型、特に、ハニカムセラミックスのセルの開口
幅を決定付けるためのスリットを形成する場合などが挙
げられる。

【０００９】この場合、放電加工の初期の段階では、規
定の加工溝で放電加工を行うことができるが、加工溝が
深くなると、ワイヤ電極と加工溝との間にスラッジがた
まりやすくなり、加工溝の拡大やワイヤ電極の断線を引
き起こす。

【００１０】そこで、特殊形状が施されたワイヤ電極を
使用してワイヤ放電加工を行う方法が考えられるが、従
来の方法は、あくまでも標準加工条件での放電加工を良
好に行うことであり、前記のような標準加工条件を逸脱
した条件下での放電加工を想定していない。その理由
は、従来の方法では、放電加工の初期段階（標準加工条
件をほぼ満足する）から特殊形状のワイヤを使用するよ
うにしており、どうしても加工溝幅が広くなり、上述し
たハニカムセラミックスのセルの開口幅を決定付けるた
めのスリットを形成する場合には適さないからである。

【００１１】しかも、ワイヤ電極への給電方式として特
殊なものを使用する必要から、ワイヤ放電加工装置の構
成を大幅に変更しなければならず、製造コストの増大を
招くおそれもある。

【００１２】本発明はこのような課題を考慮してなされ
たものであり、ワイヤ放電加工の一般的な標準加工条件
を逸脱した条件、例えば厚みの大きいワークに対して、
幅が狭くかつ深さの大きい加工溝をワイヤ放電加工にて
容易に形成することができ、例えばハニカムセラミック
スのセルの開口幅を決定付けるためのスリットを設計通
りに作成することができるワイヤ放電加工装置及びワイ
ヤ放電加工方法を提供することを目的とする。

【００１３】また、本発明の他の目的は、例えば厚みの
大きいワークに対して、幅が狭くかつ深さの大きい加工
溝をワイヤ放電加工にて容易に形成させることができる
ワイヤ放電加工用ワイヤ電極を提供することにある。

【００１４】また、本発明の他の目的は、ハニカムセラ
ミックスを押出成形で容易に作製することができる押出
成形用金型を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、ワイヤ電極を
被加工物に対向させて送給させるワイヤ駆動系と、ワイ
ヤ電極に電力を供給するための給電部とを有し、前記ワ
イヤ電極と前記被加工物との間に放電を行わせて被加工
物を任意の形状に加工するワイヤ放電加工装置におい
て、前記ワイヤ電極は表面が絶縁被覆され、前記ワイヤ
電極の送給経路のうち、前記給電部の前段に、放電加工
の状態に応じて、前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一部を選
択的に除去する被膜除去手段を設けて構成する。

【００１６】これにより、まず、放電加工の初期段階に
おいては、放電加工の状態が良好であることから、ワイ
ヤ電極に被覆された絶縁被膜は被膜除去手段にてすべて
除去される。即ち、絶縁被膜がすべて除去されたワイヤ
電極にてワークが放電加工されることになる。

【００１７】放電加工が進行して、放電加工状態が悪化
する直前あるいは直後において、被膜除去手段は、ワイ
ヤ電極の絶縁被膜の全部ではなく一部を除去する。つま
り、ワイヤ電極は、その表面に絶縁被膜が一部残った状
態となる。その結果、ワークに形成されている加工溝と
ワイヤ電極との間に存在するスラッジ等が、ワイヤ電極
の表面に一部残存する絶縁被膜によって効率よく排出さ
れ、二次放電等の加工溝の拡大につながる要因が回避さ
れる。

【００１８】この状態から、更に放電加工が進行し、再
び放電加工状態が悪化する直前あるいは直後となった段
階で、被膜除去手段は、絶縁被膜の除去パターンを前回
のパターンとは異なったものとする。この場合、ワイヤ
電極に残存させる絶縁被膜のパターンとしては、スラッ
ジ等の排出を良好に行うことができるパターンとされ
る。

【００１９】このように、本発明においては、放電加工
の状態に応じて絶縁被膜の除去パターンを変えるように
しているため、ワイヤ放電加工の一般的な標準加工条件
を逸脱した条件、例えば厚みの大きいワークに対して、
幅が狭くかつ深さの大きい加工溝をワイヤ放電加工にて
容易に形成することができ、例えばハニカムセラミック
スのセルの開口幅を決定付けるためのスリットを設計通
りに作成することができる。

【００２０】そして、本発明においては、前記構成にお
いて、前記被膜除去手段に、前記ワイヤ電極の絶縁被膜
の一部を該ワイヤ電極に沿って連続的に除去する第１の
被膜除去手段と、放電加工の状態に応じて前記ワイヤ電
極の絶縁被膜の一部を選択的に除去する第２の被膜除去
手段を設けて構成するようにしてもよい。

【００２１】この場合、第１の被膜除去手段にて、絶縁
被膜の一部がワイヤ電極に沿って連続的に除去されるこ
とから、ワイヤ電極の長さ方向にワイヤ電極の本体（導
体部分）が連続的に露出した部分が形成されることにな
る。そのため、給電部でのワイヤ電極に対する給電を良
好に行うことができ、従来から用いられている給電部の
構成を踏襲させることができ、ワイヤ放電加工装置を新
たに特注しなければならないという不都合を回避するこ
とができる。これは、例えばハニカムセラミックスの製
造コストの低廉化につながる。

【００２２】また、前記構成において、前記第２の被膜
除去手段に、前記放電加工の状態を電気的に検出するセ
ンサと、前記センサからの電気信号に基づいて前記ワイ
ヤ電極の絶縁被膜の除去パターンを生成するパターン生
成回路と、生成された前記除去パターンに応じて前記ワ
イヤ電極の絶縁被膜を除去するデバイスとを設けて構成
してもよい。

【００２３】この場合、センサを通じて放電加工の状態
が電気的に検出されて電気信号として出力されることに
なる。パターン生成回路は、センサからの電気信号のレ
ベル（電流、電圧、周波数等）に基づいてワイヤ電極の
絶縁被膜の除去パターンを生成する。例えば、加工状態
に応じた除去パターンが２つ以上登録されたテーブルを
用意しておき、センサからの電気信号をデコードして、
前記テーブルのうち、前記デコード結果に応じたレコー
ドに格納された除去パターンを取り出して出力する手法
などを採用することができる。

【００２４】前記パターン生成回路から出力される除去
パターンは、後段のデバイスに入力され、該デバイスを
通じて、前記入力された除去パターンに応じてワイヤ電
極の絶縁被膜が除去される。

【００２５】これにより、加工状態に応じて絶縁被膜の
除去パターンを様々なパターンに変えることができ、ワ
イヤ放電加工の最適化を図ることができると共に、規定
の深さまで加工溝を良好に加工することができる。

【００２６】前記センサとしては、例えば被加工物に形
成される加工溝の深さに応じたレベルの電気信号を出力
するようにしてもよい。この場合、加工過程にある加工
溝の深さに応じて絶縁被膜の除去パターンが生成される
ことから、加工溝の拡大やワイヤ電極の断線を有効に防
止することができる。

【００２７】また、前記センサとしては、異常放電回避
のためのワイヤ電極の逆駆動動作を検出するようにして
もよい。これは、加工状態が悪化する直前で前記逆駆動
動作が行われることから、加工状態が悪化されると思わ
れる加工溝の深さをいちいち計算して求めておく必要が
なくなり、種々のワークをワイヤ放電加工に投入するま
での時間を短縮させることができ、ワークに関するスル
ープットの向上を図ることができる。

【００２８】また、前記センサとしては、放電波形中の
高周波成分を抽出し、その高周波成分に応じたレベルの
電気信号に変換するようにしてもよい。この場合、放電
加工によって発生する放電波形に含まれる高周波成分に
応じて絶縁被膜の除去パターンが生成されることから、
加工溝の拡大やワイヤ電極の断線を有効に防止すること
ができる。

【００２９】一方、前記デバイスとしては、レーザ発振
装置と、前記除去パターンに応じて前記レーザ発振装置
をＯＮ／ＯＦＦ制御する光変調器とを有するものを採用
してもよい。この場合、前記パターン生成回路からの除
去パターンが光変調器に供給され、該光変調器は、入力
された前記除去パターンに応じてレーザ発振装置をＯＮ
／ＯＦＦ制御する。レーザ発振装置からは、除去パター
ンに応じてレーザが発振、出射され、送給過程にあるワ
イヤ電極の表面に形成された絶縁被膜のうち、レーザが
照射された部分のみが蒸発し、除去されることになる。

【００３０】このように、絶縁被膜を直接除去するデバ
イスとしてレーザ発振装置を用いるようにしたので、第
２の被膜除去手段の構成を簡単化することができ、従来
から使用されているワイヤ放電加工装置に簡単な設計変
更を行うだけで、本発明に係るワイヤ放電加工装置を構
成させることができる。

【００３１】これは、いままで不可能であった標準加工
条件を超えた条件での放電加工を安定して、かつ、高精
度に行うことができるワイヤ放電加工装置を簡単な構成
で実現できることにつながり、ワイヤ放電加工の普及を
促進させることができる。

【００３２】なお、レーザ発振装置としては、固体レー
ザ（ＹＡＧレーザやガラスレーザ等）、液体レーザ（色
素レーザ）、ガスレーザ、気体レーザ（アルゴンレー
ザ、炭素ガスレーザ、ヘリウム・ネオンレーザ等）や半
導体レーザを使用することができる。

【００３３】また、前記ワイヤ電極の絶縁被膜に砥粒を
混入させるようにしてもよい。この場合、例えばセラミ
ックスと金属の複合材料で構成されたワークを放電加工
する際に有効である。

【００３４】つまり、ワークのうち、ワイヤ電極と対向
する部分に金属成分が多い場合は、良好に放電が行われ
て加工が進行することになるが、セラミックス成分が多
い場合は放電が行われなくなり、加工の進度が遅くな
る、あるいは加工不能となる場合がある。しかし、ワイ
ヤ電極の絶縁被膜に砥粒を混入させておけば、砥粒によ
ってセラミックス成分を研削、研磨することができるた
め、放電加工の進度が遅くなることや放電加工が中断す
るという不都合を回避することができる。

【００３５】特に、規定の深さまで加工した後に、放電
を停止してワイヤ電極を送給させることにより、放電加
工にて形成された加工溝の表面を砥粒で研磨することが
可能となり、放電加工と研磨処理を連続して行うことが
でき、製造工程の簡略化、製造設備の簡素化並びに工数
の短縮化を有効に図ることができる。

【００３６】次に、本発明は、ワイヤ駆動系を通じてワ
イヤ電極を被加工物に対向させて送給させ、給電部を通
じて前記ワイヤ電極に電力を供給することにより、前記
ワイヤ電極と前記被加工物との間に放電を行わせて被加
工物を任意の形状に加工するワイヤ放電加工方法におい
て、前記ワイヤ電極として、表面に絶縁被覆が施された
ワイヤ電極を使用し、前記ワイヤ電極の送給経路のう
ち、前記給電部の前段において、放電加工の状態に応じ
て前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一部を選択的に除去する
ことを特徴とする。

【００３７】これにより、放電加工の状態に応じて絶縁
被膜の除去パターンを変えることができるため、ワイヤ
放電加工の一般的な標準加工条件を逸脱した条件、例え
ば厚みの大きいワークに対して、幅が狭くかつ深さの大
きい加工溝をワイヤ放電加工にて容易に形成することが
でき、例えばハニカムセラミックスのセルの開口幅を決
定付けるためのスリットを設計通りに作成することがで
きる。

【００３８】そして、前記ワイヤ電極の絶縁被膜の除去
処理として、前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一部を該ワイ
ヤ電極に沿って連続的に除去する第１の被膜除去処理
と、放電加工の状態に応じて前記ワイヤ電極の絶縁被膜
の一部を選択的に除去する第２の被膜除去処理とを含め
るようにしてもよい。

【００３９】この場合、前記第２の被膜除去処理とし
て、前記放電加工の状態を電気的に検出し、その検出信
号に基づいて前記ワイヤ電極の絶縁被膜の除去パターン
を生成し、生成された前記除去パターンに応じて前記ワ
イヤ電極の絶縁被膜を除去するようにしてもよい。

【００４０】そして、前記放電加工の状態の電気的な検
出を、前記被加工物に形成される加工溝の深さに応じた
レベルを有する電気信号の出力によって行うようにして
もよいし、異常放電回避のためのワイヤ電極の逆駆動動
作を検出することによって行うようにしてもよく、ま
た、放電波形中の高周波成分を抽出し、その高周波成分
に応じたレベルの電気信号に変換することよって行うよ
うにしてもよい。

【００４１】一方、前記除去パターンに応じた前記ワイ
ヤ電極の絶縁被膜の除去処理は、光変調器を通じてレー
ザ発振装置をＯＮ／ＯＦＦ制御することによって行うよ
うにしてもよい。なお、前記ワイヤ電極の絶縁被膜に砥
粒を混入させるようにしてもよい。

【００４２】次に、本発明は、ワイヤ電極と被加工物と
の間に放電を行わせて被加工物を任意の形状に加工する
ワイヤ放電加工処理に使用されるワイヤ電極において、
導体で構成されたワイヤ電極本体の表面に、絶縁被膜が
間欠的に形成された部分と、前記ワイヤ電極本体の一部
が軸線に沿って連続的に露出された部分とを含めるよう
にしてもよい。

【００４３】この場合、放電加工の際に、絶縁被膜が間
欠的に形成された部分でスラッジ等を良好に排出させる
ことができ、加工溝を高精度に加工することが可能とな
る。また、ワイヤ電極本体の一部が軸線に沿って連続的
に露出された部分を通じて給電部からの電力供給を良好
に行わせることができるため、従来から用いられている
給電部の構成を踏襲させることができ、ワイヤ放電加工
装置を新たに特注しなければならないという不都合を回
避することができる。これは、例えばハニカムセラミッ
クスの製造コストの低廉化につながる。

【００４４】なお、前記ワイヤ電極の絶縁被膜に砥粒を
混入させるようにしてもよい。この場合、例えばセラミ
ックスと金属の複合材料で構成されたワークを放電加工
する際に特に有効となる。

【００４５】次に、本発明は、前面に多数のスリットが
碁盤の罫状に穿設され、前記多数のスリットに坏土を供
給するための坏土導入孔が裏面側に多数設けられた押出
成形用金型において、前記多数のスリットを、表面が絶
縁被覆されたワイヤ電極の送給経路のうち、該ワイヤ電
極に電力を供給するための給電部の前段に、放電加工の
状態に応じて、前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一部を選択
的に除去しながら、前記ワイヤ電極と被加工物との間に
放電を行わせて前記被加工物を加工するワイヤ放電加工
によって形成して構成する。

【００４６】即ち、前記ワイヤ放電加工においては、放
電加工の状態に応じて絶縁被膜の除去パターンを変える
ようにしているため、ワイヤ放電加工の一般的な標準加
工条件を逸脱した条件、例えば厚みの大きいワークに対
して、幅が狭くかつ深さの大きい加工溝をワイヤ放電加
工にて容易に形成することができる。

【００４７】本発明は、前記ワイヤ放電加工を用いて金
型のスリットを作成するようにしているため、この発明
に係る金型を用いて例えばハニカムセラミックスを作製
する場合、セルの開口幅が非常に小さく、かつ、セルに
ついて型くずれのない例えばハニカムセラミックスを容
易に作製することができる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るワイヤ放電加
工装置を例えば自動車用触媒に使用されるハニカムセラ
ミックスを押出成形で作製するための金型、特に、ハニ
カムセラミックスのセルの開口幅を決定付けるためのス
リットを形成する場合に適用した実施の形態例（以下、
単に実施の形態に係るワイヤ放電加工装置と記す）を図
１〜図２９を参照しながら説明する。

【００４９】まず、本実施の形態に係るワイヤ放電加工
装置１０を説明する前に、該ワイヤ放電加工装置１０に
て作製される押出成形用金型１２と押出成形にて作製さ
れるハニカムセラミックス１４について図１〜図５を参
照しながら説明する。

【００５０】図１〜図４に示すように、押出成形用金型
１２は、前面に多数のスリット１６が碁盤の罫状（図４
参照）に穿設されたスリット部１８と、該スリット部１
８における多数のスリット１６に坏土を供給するための
坏土導入孔２０が裏面側に多数設けられた坏土導入部２
２とを有して構成されている。

【００５１】寸法は、一例として、スリット部１８にお
いては、直径ａが約６０ｍｍ、厚みｂが４ｍｍ、各スリ
ット１６の幅ｔ（図３及び図４参照）が５０μｍ〜１８
０μｍであり、坏土導入部２２においては、その直径ｃ
が約１２０ｍｍ、厚みｄが３５ｍｍ、各坏土導入孔２０
の径Ｄ（図３参照）が約２ｍｍである。

【００５２】坏土導入部２２における各坏土導入孔２０
は、配列ピッチＰが約３ｍｍでドリル加工によって形成
され、スリット部１８における各スリット１６は、配列
ピッチＰが約３ｍｍで後述するワイヤ放電加工により形
成されている。

【００５３】そして、この押出成形用金型１２を使用し
て図５に示すハニカムセラミックス１４を成形すること
により、該ハニカムセラミックス１４の各セル３０間の
隔壁３２の厚さも５０μｍ〜１８０μｍとなる。従っ
て、このハニカムセラミックス１４を焼成することによ
って得られる触媒担体も、そのセル間の隔壁の厚みを非
常に薄いものとすることができるため、例えば自動車の
排ガス浄化用として軽量で、かつ、エンジンの始動時の
温度上昇にも時間がかからないで、排ガスの浄化を支障
なく行うことができる。

【００５４】次に、ハニカムセラミックス１４における
各セル３０間の隔壁３２を５０μｍ〜１８０μｍに形成
することができる本実施の形態に係るワイヤ放電加工装
置１０について図６〜図２９を参照しながら説明する。

【００５５】このワイヤ放電加工装置１０は、図６及び
図７に示すように、ワイヤ放電加工装置１０の装置本体
１００が取り付けられたコラム１０２と、ワークＷ（正
確には後述する加工槽１１６）を水平方向（ＸＹ方向）
に移動させるＸＹテーブル１０４とが基台１０６の上面
に固定されて構成されている。

【００５６】装置本体１００は、コラム１０２の上部か
らＸＹテーブル１０４の上方に向かって水平方向に延
び、図示しない第１の移動駆動機構によってコラム１０
２の軸方向に向かって上下に移動可能とされた上部アー
ム１０８と、該上部アーム１０８の下面のうち、コラム
１０２寄りの部分から下方に向かって延びる下部アーム
１１０とを有する。

【００５７】下部アーム１１０の上部前面（上部アーム
１０８に近接する部分）には上部アーム１０８と平行に
延び、図示しない第２の移動駆動機構によって下部アー
ム１１０の軸方向に向かって上下に移動可能とされた上
部支持板１１２が設けられ、下部アーム１１０の下部前
面（ＸＹテーブル１０４に近接する部分）には上部アー
ム１０８と平行に延びる下部支持板１１４が一体に設け
られている。

【００５８】前記ＸＹテーブル１０４の上面には加工槽
１１６が固定されている。この加工槽１１６内には、ワ
ークＷを保持固定するためのワーク保持機構１１８が取
り付けられ、更に、このワーク保持機構１１８にて保持
固定されたワークＷ全体が没するように加工液（例えば
水道水）１２０が注ぎ込まれている。

【００５９】また、この実施の形態に係るワイヤ放電加
工装置１０は、ワイヤ電極１３０をワークＷに対向させ
て送給させるワイヤ駆動系１３２と、ワイヤ電極１３０
に電力を供給するための給電部１３４が設けられてい
る。

【００６０】ワイヤ駆動系１３２は、上部アーム１０８
の側面に設けられたワイヤ供給部１３６と、下部アーム
１１０の側面に設けられたワイヤ巻取り部１３８とを有
して構成され、給電部１３４は、上部支持板１１２の端
部側面に設けられた上部給電ユニット１４０と、下部支
持板１１４の端部側面に設けられた下部給電ユニット１
４２とを有して構成されている。

【００６１】ワイヤ供給部１３６は、線状のワイヤ電極
１３０が多数ターン巻回されたワイヤ供給ボビン１５０
と、該ワイヤ供給ボビン１５０から導出されたワイヤ電
極１３０を上部給電ユニット１４０に導く第１〜第３の
プーリ１５２ａ〜１５２ｃと、第２及び第３のプーリ１
５２ｂ及び１５２ｃの間に設けられ、ワイヤ電極１３０
の送給速度を制御するブレーキローラ１５４と、該ブレ
ーキローラ１５４と第３のプーリ１５２ｃの間に設けら
れ、ワイヤ電極１３０に対して負荷をかけてワイヤ電極
１３０の張力調整を行うワイヤ押さえ１５６とを有して
構成されている。

【００６２】ワイヤ巻取り部１３８は、ワークＷに対す
る放電加工を終えた使用済みのワイヤ電極１３０（下部
給電ユニット１４２を通じて導出されたワイヤ電極１３
０）を巻き取るためのワイヤ巻取りボビン１６０と、下
部支持板１１４の端部下面近傍に設けられた第４のプー
リ１５２ｄと、使用済みのワイヤ電極１３０を前記第４
のプーリ１５２ｄの案内で下部アーム１１０側に導くワ
イヤ巻上げローラ１６２と、該ワイヤ巻上げローラ１６
２にて巻き上げられた使用済みワイヤ電極１３０をワイ
ヤ巻取りボビン１６０側に向けて搬送するピンチローラ
１６４と、使用済みワイヤ電極１３０をワイヤ巻取りボ
ビン１６０に整列させて巻回させるためのワイヤ整列巻
き装置１６６とを有して構成されている。

【００６３】また、上部支持板１１２には、ワイヤ放電
加工による加工部分の冷却のために、下方にワイヤ電極
１３０の送給方向に沿って加工液１２０を噴射させる上
部ノズル１７０が設けられ、下部支持板１１４にも、ワ
イヤ放電加工による加工部分の冷却のために、上方にワ
イヤ電極１３０の送給方向に沿って加工液１２０を噴射
させる下部ノズル１７２が設けられている。

【００６４】このワイヤ放電加工装置１０を使用する場
合は、まず、加工槽１１６内に設置されたワーク保持機
構１１８にワークＷを取り付けるために、図示しない第
１の移動駆動機構を通じて上部アーム１０８を上方に移
動させる。その後、ワークＷをワーク保持機構１１８に
保持させた後、加工槽１１６内に加工液１２０をワーク
Ｗが没するまで注入する。

【００６５】次いで、図示しない第１の移動駆動機構を
通じて上部アーム１０８を下方に移動させた後、図示し
ない第２の移動駆動機構を通じて上部支持板１１２をワ
ークＷの板厚Ｔに応じて上下に移動させる。

【００６６】その後、ワイヤ供給ボビン１５０からワイ
ヤ電極１３０を送給しながら、ＸＹテーブル１０４の駆
動によって加工槽１１６をワーク保持機構１１８にて保
持されたワークＷがワイヤ電極１３０に接近するように
移動させる。送給過程にあるワイヤ電極１３０がワーク
に対向し、かつ、近接した段階から放電が開始され、図
８に示すように、この放電によってワークＷに加工溝１
８０が形成されることになる。

【００６７】そして、この実施の形態に係るワイヤ放電
加工装置１０においては、ワイヤ電極１３０として、図
９に示すように、導体にて構成された線状の電極本体１
９０の表面全体に絶縁被膜１９２が形成されたものが使
用される。この場合、電極本体１９０としては、例えば
銅、Ｃｕ−Ｚｎやタングステンが使用され、絶縁被膜１
９２としては、例えばテフロン、ポリウレタン、ポリエ
ステル、その他の高分子材料、ガラス繊維等が使用され
る。

【００６８】また、本実施の形態に係るワイヤ放電加工
装置１０は、図６及び図７に示すように、ワイヤ電極１
３０の送給経路のうち、給電部１３４の前段に、放電加
工の状態に応じて、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２
の一部を選択的に除去する被膜除去手段２００が設けら
れている。本実施の形態では、上部アーム１０８の側面
のうち、第３のプーリ１５２ｃの下流側に被膜除去手段
２００を設けるようにしている。

【００６９】この被膜除去手段２００は、ワイヤ電極１
３０の絶縁被膜１９２の一部を該ワイヤ電極１３０に沿
って連続的に除去する第１の被膜除去手段２０２と、放
電加工の状態に応じて、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１
９２の一部を選択的に除去する第２の被膜除去手段２０
４とを有して構成されている。

【００７０】第１の被膜除去手段２０２は、図１０に示
すように、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２の除去パ
ターンを生成する第１のパターン生成回路２１０と、該
第１のパターン生成回路２１０にて生成された除去パタ
ーンに応じてワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２を除去
する第１のデバイス２１２とを有して構成されている。

【００７１】前記第１のデバイス２１２は、絶縁被膜１
９２に対してレーザ光Ｌ１を照射するための第１のレー
ザ発振装置２１４と、前記第１のパターン生成回路２１
０からの除去パターンに応じて第１のレーザ発振装置２
１４をＯＮ／ＯＦＦ制御する第１の光変調器２１６とを
有して構成されている。

【００７２】前記構成を有する第１の被膜除去手段２０
２は、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２のうち、ワー
クＷと対向しない部分の絶縁被膜１９２を除去すること
ができる位置、即ち、第１のレーザ発振装置２１４にお
けるレーザ光Ｌ１の出射部分が上部アーム１０８の前方
に向かい、かつ、ワイヤ電極１３０に対向する位置に配
設されている。

【００７３】一方、第２の被膜除去手段２０４は、図１
０に示すように、この実施の形態に係るワイヤ放電加工
装置１０の放電加工状態を電気的に検出するセンサ２２
０と、該センサ２２０からの検出信号Ｓｉに基づいてワ
イヤ電極１３０の絶縁被膜１９２の除去パターンを生成
する第２のパターン生成回路２２２と、該第２のパター
ン生成回路２２２にて生成された除去パターンに応じて
ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２を除去する第２のデ
バイス２２４とを有して構成されている。

【００７４】前記第２のデバイス２２４は、絶縁被膜１
９２に対してレーザ光Ｌ２を照射するための第２のレー
ザ発振装置２２６と、前記第２のパターン生成回路２２
２からの除去パターンに応じて第２のレーザ発振装置２
２６をＯＮ／ＯＦＦ制御する第２の光変調器２２８とを
有して構成されている。

【００７５】前記構成を有する第２の被膜除去手段２０
４は、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２のうち、ワー
クＷと対向する部分の絶縁被膜１９２を除去することが
できる位置、即ち、第２のレーザ発振装置２２６におけ
るレーザ光Ｌ２の出射部分が上部アーム１０８の後方に
向かい、かつ、ワイヤ電極１３０に対向する位置に配設
されている。

【００７６】センサ２２０としては、例えば図６に示す
ように、ワイヤ放電加工によってワークＷに形成される
加工溝１８０の深さｆ（図８参照）に応じたレベルの電
気信号を出力するもの、例えばハウジング２４０に１本
の接触子２４２が進退自在に取り付けられた電圧計（あ
るいは電流計）２４４を用いることができる。

【００７７】接触子２４２は、例えばばね等の弾性部材
にて常時外方に付勢された状態とされている。図６の例
では例えば電圧計２４４を用いた場合を示しており、こ
の電圧計２４４からは、接触子２４２の変位量に応じた
電圧レベルの検出信号Ｓｉが出力されるようになってい
る。

【００７８】例えば、接触子２４２が最も外方に突出し
ている段階では、電圧計２４４から例えば０Ｖが出力さ
れ、外方からの押圧（上部支持板１１２による押圧）に
よって接触子２４２がハウジング２４０側に変位するに
従い、電圧計２４４から出力される電圧がリニアに増加
するようになっている。

【００７９】また、このセンサ２２０は、そのハウジン
グ２４０の下部に図示しないアジャスタ機構を有する取
付部２４６が設けられている。

【００８０】そして、このセンサ２２０を使用する場合
は、まず、センサ２２０の取付部２４６を絶縁体２４８
を介して加工槽１１６の上縁に固定する。このとき、接
触子２４２の先端が上部支持板１１２の先端あるいは下
部アーム１１０に対向するように固定する。その後、取
付部２４６の図示しないアジャスタ機構を操作して、接
触子２４２の先端が上部支持板１１２の先端に対向する
ように位置決めする。

【００８１】なお、上部支持板１１２の先端には絶縁体
（緩衝材）２５０を設けることが好ましい。これは、放
電加工が進行して上部支持板１１２の先端が接触子２４
２に衝突した際に、前記センサ２２０に加わる衝撃（振
動）を抑えることができ、検出信号Ｓｉの急激なレベル
変化を抑圧することができるからである。

【００８２】第２のパターン生成回路２２２は、図１１
に示すように、センサ２２０から送出される検出信号Ｓ
ｉの電圧レベルをデコードして、その電圧レベルに応じ
た数値データに変換するデコーダ２６０と、加工状態に
応じた除去パターンが２つ以上登録されたテーブルＴＢ
Ｌ（図１３参照）が格納されたＲＯＭ２６２と、デコー
ダ２６０からの数値データを前記テーブルＴＢＬのレコ
ード番号として、該テーブルＴＢＬから除去パターンＤ
ｐを読み出すパターン読出し回路２６４と、該パターン
読出し回路２６４を通じて読み出された除去パターンＤ
ｐに応じたパルス波形に変換して第２のデバイス２２４
における第２の光変調器２２８にパルス信号Ｐｉとして
出力するパルス発生回路２６６を有して構成されてい
る。

【００８３】デコーダ２６０は、例えば図１２に示すよ
うに、電源ライン２７０とＧＮＤ間に例えば４つの抵抗
Ｒ１〜Ｒ４が直列接続されて構成された抵抗分圧回路２
７２と、各非反転端子に入力端子φｉからの検出信号Ｓ
ｉが供給され、各反転端子に抵抗分圧回路２７２の各電
圧レベルに合わせた接点ａ１〜ａ４が接続された第１〜
第４のコンパレータ２７４ａ〜２７４ｄとを有して構成
されている。

【００８４】これにより、センサ２２０の電圧計２４４
から出力される検出信号Ｓｉの電圧レベルが上昇するに
従って高レベル信号が出力される出力端子の数が段階的
に増加することになる。

【００８５】後段のパターン読出し回路２６４は、高レ
ベル信号の入力数（デコーダ２６０からの高レベル信号
の出力数）に応じた数値データとして認識する。例え
ば、すべての出力端子φｏ１〜φｏ４から低レベル信号
が出力される場合は、数値データ「０」として認識し、
第１の出力端子φｏ１のみから高レベル信号が出力され
る場合は、数値データ「１」として認識し、第１及び第
２の出力端子φｏ１及びφｏ２から高レベル信号が出力
される場合は、数値データ「２」として認識し、第１〜
第３の出力端子φｏ１〜φｏ３から高レベル信号が出力
される場合は、数値データ「３」として認識し、すべて
の出力端子φｏ１〜φｏ４から高レベル信号が出力され
る場合は、数値データ「４」として認識する。

【００８６】テーブルＴＢＬに登録される除去パターン
Ｄｐとしては、例えば第２のレーザ発振装置２２６から
常時レーザ光Ｌ２を出射させるための初期段階用の除去
パターンＤｐ０と、放電加工が不安定になる深さとなっ
た時点以降の数種の加工安定化用の除去パターンＤｐ１
〜Ｄｐ４である。図１３の例では、テーブルＴＢＬの０
レコード目に初期段階用の除去パターンＤｐ０が登録さ
れ、テーブルＴＢＬの１レコード目から４レコード目に
それぞれ加工安定化用の除去パターンＤｐ１〜Ｄｐ４が
登録された場合を示している。

【００８７】加工安定化用の除去パターンＤｐ１〜Ｄｐ
４は、ワークＷの板厚Ｔ、放電条件、フラッシング条件
を固定し、加工溝１８０の深さｆ（図８参照）を変数と
して予めコンピュータでのシミュレーション等を用いて
作成される。この場合、加工溝１８０の深さｆに応じて
徐々に絶縁被膜１９２の残存率が高くなるような除去パ
ターンが作成される。

【００８８】ここで、前記第２の被膜除去手段２０４で
の処理動作を説明する。まず、例えば、センサ２２０の
接触子２４２が最も外方に突出している段階では、電圧
計２４４から例えば０Ｖがデコーダ２６０の入力端子φ
ｉに供給されることから、デコーダ２６０の第１〜第４
のコンパレータ２７４ａ〜２７４ｄの各出力端子φｏ１
〜φｏ４からはいずれも低レベル信号が出力され、この
場合、デコーダ２６０からの出力が後段のパターン読出
し回路２６４において数値データ「０」として認識さ
れ、テーブルＴＢＬの０レコード目から初期段階用の除
去パターンＤｐ０が読み出されて第２のデバイス２２４
に出力される。

【００８９】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、常時レーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３
０に被覆された絶縁被膜１９２のうち、ワークＷに対向
する部分の絶縁被膜１９２がすべて除去されることにな
る。このとき、第１のレーザ発振装置２１４からも常時
レーザ光Ｌ１が出射されて、ワークＷに対向しない部分
の絶縁被膜１９２もすべて除去されていることから、放
電加工の初期段階においては、ワイヤ電極１３０の電極
本体１９０がすべて露出された状態（図１４Ａ参照）で
行われることになる。

【００９０】ワークＷに対する放電加工が進み、加工溝
１８０の深さｆが第１の深さとなって、図１２に示すよ
うに、デコーダ２６０の入力端子φｉに供給される検出
信号Ｓｉの電圧レベルが第１の電圧Ｖ１を超えると、第
１の出力端子φｏ１のみから高レベル信号が出力され
る。この場合、デコーダ２６０からの出力が後段のパタ
ーン読出し回路２６４において数値データ「１」として
認識され、テーブルＴＢＬの１レコード目から加工安定
化用の第１の除去パターンＤｐ１が読み出されて第２の
デバイス２２４に出力される。

【００９１】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、前記第１の除去パターンＤｐ１に応じたタイミ
ングでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０に被
覆された絶縁被膜１９２のうち、レーザ光Ｌ２が照射さ
れた部分の絶縁被膜１９２が除去される。この場合、ワ
イヤ電極１３０は、図１４Ｂに示すように、ワークＷと
対向する部分に例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例え
ば４００ｍｍピッチで残存されたワイヤ電極１３０とさ
れる。

【００９２】ワークＷに対する放電加工が更に進み、加
工溝１８０の深さｆが第２の深さとなって、デコーダ２
６０の入力端子φｉに供給される検出信号Ｓｉの電圧レ
ベルが第２の電圧Ｖ２を超えると、第１及び第２の出力
端子φｏ１及びφｏ２から高レベル信号が出力される。
この場合、デコーダ２６０からの出力が後段のパターン
読出し回路２６４において数値データ「２」として認識
され、テーブルＴＢＬの２レコード目から加工安定化用
の第２の除去パターンＤｐ２が読み出されて第２のデバ
イス２２４に出力される。

【００９３】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、前記第２の除去パターンＤｐ２に応じたタイミ
ングでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、
図１４Ｃに示すように、ワークＷと対向する部分に例え
ば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば２００ｍｍピッチ
で残存されたワイヤ電極１３０とされる。

【００９４】ワークＷに対する放電加工が更に進み、加
工溝１８０の深さｆが第３の深さとなって、デコーダ２
６０の入力端子φｉに供給される検出信号Ｓｉの電圧レ
ベルが第３の電圧Ｖ３を超えると、第１〜第３の出力端
子φｏ１〜φｏ３から高レベル信号が出力される。この
場合、デコーダ２６０からの出力が後段のパターン読出
し回路２６４において数値データ「３」として認識さ
れ、テーブルＴＢＬの３レコード目から加工安定化用の
第３の除去パターンＤｐ３が読み出されて第２のデバイ
ス２２４に出力される。

【００９５】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、前記第３の除去パターンＤｐ３に応じたタイミ
ングでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、
図１４Ｄに示すように、ワークＷと対向する部分に例え
ば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば１００ｍｍピッチ
で残存されたワイヤ電極１３０とされる。

【００９６】ワークＷに対する放電加工が更に進み、加
工溝１８０の深さｆが第４の深さとなって、デコーダ２
６０の入力端子φｉに供給される検出信号Ｓｉの電圧レ
ベルが第４の電圧Ｖ４を超えると、すべての出力端子φ
ｏ１〜φｏ４から高レベル信号が出力される。この場
合、デコーダ２６０からの出力が後段のパターン読出し
回路２６４において数値データ「４」として認識され、
テーブルＴＢＬの４レコード目から加工安定化用の第４
の除去パターンＤｐ４が読み出されて第２のデバイス２
２４に出力される。

【００９７】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、前記第４の除去パターンＤｐ４に応じたタイミ
ングでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、
図１４Ｅに示すように、ワークＷと対向する部分に例え
ば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば６０ｍｍピッチで
残存されたワイヤ電極１３０とされる。

【００９８】このように、本実施の形態に係るワイヤ放
電加工装置１０においては、ワイヤ電極１３０の表面を
絶縁被覆し、ワイヤ電極１３０の送給経路のうち、給電
部１３４の前段に、放電加工の状態に応じて、ワイヤ電
極１３０の絶縁被膜１９２の一部を選択的に除去する被
膜除去手段２００を設けるようにしたので、ワークＷに
形成されている加工溝１８０とワイヤ電極１３０との間
に存在するスラッジ等が、ワイヤ電極１３０の表面に一
部残存する絶縁被膜１９２によって効率よく排出され、
二次放電等の加工溝１８０の拡大につながる要因が回避
される。

【００９９】従って、ワイヤ放電加工の一般的な標準加
工条件を逸脱した条件、例えば厚みの大きいワークＷに
対して、幅が狭くかつ深さｆの大きい加工溝１８０をワ
イヤ放電加工にて容易に形成することができ、例えば図
１に示す押出成形用金型１２のうち、図５に示すハニカ
ムセラミックス１４のセル３０の開口幅を決定付けるス
リット１６を設計通り（例えば５０μｍ〜１８０μｍ）
に作成することができる。

【０１００】従って、このハニカムセラミックス１４を
焼成することによって得られる触媒担体も、そのセル間
の隔壁の厚みを非常に薄いものとすることができ、例え
ば自動車の排ガス浄化用として軽量で、かつ、エンジン
の始動時の温度上昇にも時間がかからないで、排ガスの
浄化を支障なく行うことができる。

【０１０１】しかも、従来、スリット１６の形成後に行
っていたスリット１６の幅狭化のためのめっき工程を省
略することができ、製造工程の簡略化を図ることができ
る。

【０１０２】特に、本実施の形態においては、被膜除去
手段２００に、ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２の一
部を該ワイヤ電極１３０に沿って連続的に除去する第１
の被膜除去手段２０２と、放電加工の状態に応じて前記
ワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２の一部を選択的に除
去する第２の被膜除去手段２０４を設けるようにしてい
る。この場合、第１の被膜除去手段２０２にて、絶縁被
膜１９２の一部がワイヤ電極１３０に沿って連続的に除
去されることから、ワイヤ電極１３０の長さ方向にワイ
ヤ電極１３０の電極本体１９０が連続的に露出した部分
が形成されることになる。

【０１０３】そのため、給電部１３４でのワイヤ電極１
３０に対する給電を良好に行うことができ、従来から用
いられている給電部１３４の構成を踏襲させることがで
き、ワイヤ放電加工装置１０を新たに特注しなければな
らないという不都合を回避することができる。これは、
例えばハニカムセラミックス１４の製造コストの低廉化
につながる。

【０１０４】また、本実施の形態に係るワイヤ放電加工
装置１０においては、第２の被膜除去手段２０４に、放
電加工の状態を電気的に検出するセンサ２２０と、該セ
ンサ２２０からの検出信号Ｓｉに基づいてワイヤ電極１
３０の絶縁被膜１９２の除去パターンＤｐを生成する第
２のパターン生成回路２２２と、生成された除去パター
ンＤｐに応じてワイヤ電極１３０の絶縁被膜１９２を除
去する第２のデバイス２２４を設けるようにしたので、
加工状態に応じて絶縁被膜１９２の除去パターンを様々
なパターンに変えることができ、ワイヤ放電加工の最適
化を図ることができると共に、規定の深さｆまで加工溝
１８０を良好に加工することができる。

【０１０５】センサ２２０として、例えばワークＷに形
成される加工溝１８０の深さｆに応じたレベルの検出信
号Ｓｉを出力するようにしたので、加工過程にある加工
溝１８０の深さｆに応じて絶縁被膜１９２の除去パター
ンＤｐを後段の回路系にて容易に生成することが可能と
なり、加工溝１８０の拡大やワイヤ電極１３０の断線を
有効に防止することができる。

【０１０６】絶縁被膜１９２を直接除去する第１及び第
２のデバイス２１２及び２２４として第１及び第２のレ
ーザ発振装置２１４及び２２６を用いるようにしたの
で、第１及び第２の被膜除去手段２０２及び２０４の構
成をそれぞれ簡単化することができ、従来から使用され
ているワイヤ放電加工装置に簡単な設計変更を行うだけ
で、本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置１０を構成
させることができる。

【０１０７】これは、いままで不可能であった標準加工
条件を超えた条件での放電加工を安定して、かつ、高精
度に行うことができるワイヤ放電加工装置１０を簡単な
構成で実現できることにつながり、ワイヤ放電加工の普
及を促進させることができる。

【０１０８】次に、第２の被膜除去手段２０４の２つの
変形例について図１５及び図１６を参照しながら説明す
る。

【０１０９】まず、第１の変形例に係る第２の被膜除去
手段２０４ａは、異常放電回避のためのワイヤ電極の逆
駆動動作を検出するように構成したもので、基本的に
は、図１１に示す第２の被膜除去手段２０４の構成とほ
ぼ同じであるが、図１５に示すように、第２のパターン
生成回路２２２が以下のように異なる。即ち、図１１の
デコーダ２６０に代えて、センサ２２０からの検出信号
Ｓｉを所定時間τだけ遅延させる遅延回路２８０と、セ
ンサ２２０からの現在の検出信号Ｓｉのレベルと前記遅
延回路２８０からの遅延信号ｄＳｉのレベルとを比較す
るコンパレータ２８２と、該コンパレータ２８２からの
出力を一定時間保持する例えばＳＲフリップフロップか
らなるラッチ回路２８４と、該ラッチ回路２８４の出力
が高レベルになるたびに計数値を１つずつカウントアッ
プするカウンタ２８６とを有する。

【０１１０】コンパレータ２８２とラッチ回路２８４
は、コンパレータ２８２の出力が直接ラッチ回路２８４
のセット端子Ｓに入力されるように配線接続され、コン
パレータ２８２の出力がインバータ２８８を介してラッ
チ回路２８４のリセット端子Ｒに入力されるように配線
接続されている。カウンタ２８６は、ラッチ回路２８４
の出力端子Ｑのレベルが低レベルから高レベルに移行し
たときにのみ計数値を更新する。

【０１１１】パターン読出し回路２６４は、前記カウン
タ２８６からの計数値をテーブルＴＢＬのレコード番号
として、該テーブルＴＢＬから除去パターンを読み出す
ように構成されている。

【０１１２】次に、前記第１の変形例に係る第２の被膜
除去手段２０４ａの処理動作について説明する。

【０１１３】まず、例えば、図１６に示すように、ワイ
ヤ電極１３０によるワークＷに対する放電加工が開始さ
れ、最初の放電不安定状態が検出されるまでの期間Ｔ１
は、センサ２２０から放電加工の進行に伴って（時間の
経過に伴って）、電圧レベルが直線的に増加する検出信
号Ｓｉが出力されることになる。

【０１１４】これにより、コンパレータ２８２からは低
レベルの比較結果信号Ｓｃが出力されて、ラッチ回路２
８４のリセット端子Ｒに高レベル信号が入力され、カウ
ンタ２８６の計数値は「０」の状態が維持されることに
なる。

【０１１５】従って、前記期間Ｔ１においては、後段の
パターン読出し回路２６４においてテーブルＴＢＬの０
レコード目から初期段階用の除去パターンＤｐ０が読み
出されて第２のデバイス２２４に出力され、これによ
り、放電加工は、ワイヤ電極１３０の電極本体１９０が
すべて露出された状態（図１４Ａ参照）で行われること
になる。

【０１１６】ワークＷに対する放電加工が進み、最初の
放電不安定状態が検出されると、ＸＹテーブル１０４に
よるワークＷの搬送動作が逆方向となって、ワイヤ電極
１３０が相対的にワークＷから離間することになるた
め、センサ２２０からは、図１６の期間Ｔ２に示すよう
に、時間の経過に伴って電圧レベルが直線的に低下する
検出信号Ｓｉが出力されることになる。

【０１１７】これにより、コンパレータ２８２からは高
レベルの比較結果信号Ｓｃが出力されて、ラッチ回路２
８４のセット端子Ｓに高レベル信号が入力され、カウン
タ２８６の計数値は「１」となる。

【０１１８】従って、前記期間Ｔ２においては、後段の
パターン読出し回路２６４においてテーブルＴＢＬの１
レコード目から加工安定化用の第１の除去パターンＤｐ
１が読み出されて第２のデバイス２２４に出力され、こ
れにより、第２のレーザ発振装置２２６からは、前記第
１の除去パターンＤｐ１に応じたタイミングでレーザ光
Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、例えば図１４Ｂ
に示すように、ワークＷと対向する部分に例えば２ｍｍ
長の絶縁被膜１９２が例えば４００ｍｍピッチで残存さ
れたワイヤ電極１３０とされる。

【０１１９】この段階から、ＸＹテーブル１０４による
ワークＷの搬送動作が再びワイヤ電極１３０に向かい、
ワイヤ電極１３０が相対的にワークＷに接近することと
なって、ワークＷに対する放電加工が再開されることに
なる。この放電加工は、次の不安定状態が検出されるま
での期間Ｔ３にわたって行われる。このとき、カウンタ
２８６での計数値は「１」が維持されることから、放電
加工が再開されてもワイヤ電極１３０は、ワークＷと対
向する部分に例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば
４００ｍｍピッチで残存されたワイヤ電極１３０とされ
る。

【０１２０】ワークＷに対する放電加工が進み、２回目
の放電不安定状態が検出されると、ＸＹテーブル１０４
によるワークＷの搬送動作が逆方向となって、ワイヤ電
極１３０が相対的にワークＷから離間することになるた
め（図１６の期間Ｔ４参照）、カウンタ２８６の計数値
は「２」となり、後段のパターン読出し回路２６４にお
いてテーブルＴＢＬの２レコード目から加工安定化用の
第２の除去パターンＤｐ２が読み出されることになる。

【０１２１】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、第２の除去パターンＤｐ２に応じたタイミング
でレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、例え
ば図１４Ｃに示すように、ワークＷと対向する部分に例
えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば２００ｍｍピッ
チで残存されたワイヤ電極１３０とされる。

【０１２２】この段階から、ワークＷに対する放電加工
が再開され、次の不安定状態が検出される期間Ｔ５にわ
たって放電加工が行われることになる。この場合も、カ
ウンタの計数値は「２」が維持される。

【０１２３】以下、同様に、３回目及び４回目の放電不
安定状態が検出されると、それぞれにおいて、ＸＹテー
ブル１０４によるワークＷの搬送動作が逆方向となっ
て、ワイヤ電極１３０が相対的にワークＷから離間する
ことになるため（図１６の期間Ｔ８及び期間Ｔ１０参
照）、カウンタ２８６の計数値は「３」及び「４」とな
り、後段のパターン読出し回路２６４においてテーブル
ＴＢＬの３レコード目及び４レコード目から加工安定化
用の第３及び第４の除去パターンＤｐ３及びＤｐ４が読
み出されることになる。

【０１２４】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、第３及び第４の除去パターンＤｐ３及びＤｐ４
に応じたタイミングでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ
電極１３０は、例えば図１４Ｄ及び図１４Ｅに示すよう
に、第３の除去パターンＤｐ３に対しては、ワークＷと
対向する部分に例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例え
ば１００ｍｍピッチで残存されたワイヤ電極１３０とさ
れ、第４の除去パターンＤｐ４に対しては、ワークＷと
対向する部分に例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例え
ば６０ｍｍピッチで残存されたワイヤ電極１３０とされ
る。

【０１２５】このように、第１の変形例に係る第２の被
膜除去手段２０４ａにおいては、加工状態が悪化する直
前でＸＹテーブル１０４の逆駆動動作が行われることか
ら、加工状態が悪化されると思われる加工溝１８０の深
さｆをいちいち計算して求めておく必要がなくなり、種
々のワークＷをワイヤ放電加工に投入するまでの時間を
短縮させることができ、ワークＷに関するスループット
の向上を図ることができる。

【０１２６】次に、第２の変形例に係る第２の被膜除去
手段２０４ｂについて図１７及び図１８を参照しながら
説明する。

【０１２７】この第２の変形例に係る第２の被膜除去手
段２０４ｂは、放電波形中の高周波成分を抽出し、その
高周波成分に応じたレベルの電気信号に変換するように
構成したものである。

【０１２８】基本的には、図１１に示す構成とほぼ同じ
であるが、図１７に示すように、センサ２２０の代わり
にワイヤ電極１３０とワークＷ間に発生する放電波形を
検出する放電波形検出回路３００が使用されている点
と、第２のパターン生成回路２２２のデコーダ２６０
（図１１参照）に代えて以下の回路が組み込まれている
点で異なる。

【０１２９】即ち、図１１のデコーダ２６０に代えて、
前記放電波形検出回路３００からの放電波形から高周波
成分を抽出するＦＦＴ等の周波数解析装置３０２と、該
周波数解析装置３０２にて抽出された周波数としきい値
とを比較する比較回路３０４と、該比較回路３０４から
の出力を一定時間保持する例えばＳＲフリップフロップ
からなるラッチ回路３０６と、該ラッチ回路３０６の出
力が高レベルになるたびに計数値を１つずつカウントア
ップするカウンタ３０８を設けて構成する。

【０１３０】前記周波数解析装置３０２は、前記放電波
形検出回路３００にて検出された放電加工時に生じるパ
ルス波形を数１００ｍｓ間隔で観察し、高周波成分を抽
出して電圧信号Ｓｆとして出力する。比較回路３０４
は、前記周波数解析装置３０２にて検出された周波数が
放電状態が悪化したときに生じる周波数帯域（数ＭＨ
ｚ）であるかどうかを比較する。

【０１３１】具体的には、比較回路３０４は、図１８に
示すように、周波数解析装置３０２からの電圧信号Ｓｆ
のレベルと放電状態が悪化したときに生じる周波数帯域
の下限周波数に相当する電圧レベル（下限レベル）Ｖａ
とを比較する第１のコンパレータ３１０と、周波数解析
装置３０２からの電圧信号Ｓｆのレベルと放電状態が悪
化したときに生じる周波数帯域の上限周波数に相当する
電圧レベル（上限レベル）Ｖｂとを比較する第２のコン
パレータ３１２と、第１及び第２のコンパレータ３１０
及び３１２からの各出力に対して排他的論理和演算（Ex
clusive-OR）を行って比較結果信号Ｓｃとして出力する
論理回路３１４とを有して構成されている。

【０１３２】また、図１７に示すように、比較回路３０
４とラッチ回路３０６は、論理回路３１４の出力が直接
ラッチ回路３０６のセット端子Ｓに入力されるように配
線接続され、比較回路３０４の出力がインバータ３１６
を介してラッチ回路３０６のリセット端子Ｒに入力され
るように配線接続されている。カウンタ３０８は、ラッ
チ回路３０６の出力端子Ｑのレベルが低レベルから高レ
ベルに移行したときにのみ計数値を更新する。

【０１３３】パターン読出し回路２６４は、カウンタ３
０８からの計数値をテーブルＴＢＬのレコード番号とし
て、該テーブルＴＢＬから除去パターンＤｐを読み出す
ように構成されている。

【０１３４】次に、前記第２の変形例に係る第２の被膜
除去手段２０４ｂの処理動作について説明する。

【０１３５】まず、例えば、ワイヤ電極１３０によるワ
ークＷに対する放電加工が開始され、最初の放電不安定
状態が検出されるまでの期間は、周波数解析装置３０２
から下限レベルＶａよりも低い電圧レベルあるいは上限
レベルＶｂよりも高い電圧レベルの電圧信号Ｓｆが出力
されることになる。

【０１３６】これにより、比較回路３０４における第１
及び第２のコンパレータ３１０及び３１２からはそれぞ
れ低レベルの信号が出力され、論理回路３１４からは低
レベルの比較結果信号Ｓｃが出力されることとなる。そ
の結果、ラッチ回路３０６のリセット端子Ｒに高レベル
信号が入力され、カウンタ３０８の計数値は「０」の状
態が維持されることになる。

【０１３７】従って、前記期間においては、後段のパタ
ーン読出し回路２６４においてテーブルＴＢＬの０レコ
ード目から初期段階用の除去パターンＤｐ０が読み出さ
れて第２のデバイス２２４に出力され、これにより、放
電加工は、ワイヤ電極１３０の電極本体１９０がすべて
露出された状態（図１４Ａ参照）で行われることにな
る。

【０１３８】ワークＷに対する放電加工が進み、放電加
工状態が不安定となった段階で、周波数解析装置３０２
からは電圧レベルが下限レベルＶａ以上で、かつ、上限
レベルＶｂ以下の電圧信号Ｓｆが出力されることにな
る。

【０１３９】これにより、比較回路３０４における第１
のコンパレータ３１０から高レベル信号が出力され、第
２のコンパレータ３１２から低レベル信号が出力され、
論理回路３１４からは高レベルの比較結果信号Ｓｃが出
力されることとなる。その結果、ラッチ回路３０６のセ
ット端子Ｓに高レベル信号が入力され、カウンタ３０８
の計数値は「１」となる。

【０１４０】つまり、放電加工状態が不安定となった段
階で、後段のパターン読出し回路２６４を通じてテーブ
ルＴＢＬの１レコード目から加工安定化用の第１の除去
パターンＤｐ１が読み出されて第２のデバイス２２４に
出力され、これにより、第２のレーザ発振装置２２６か
らは、前記第１の除去パターンＤｐ１に応じたタイミン
グでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、例
えば図１４Ｂに示すように、ワークＷと対向する部分に
例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば４００ｍｍピ
ッチで残存されたワイヤ電極１３０とされる。

【０１４１】この段階から、再び放電加工が安定化し、
周波数解析装置３０２からは電圧レベルが下限レベルＶ
ａ未満あるいは上限レベルＶｂを超えた電圧信号Ｓｆが
出力され、論理回路３１４から低レベルの比較結果信号
Ｓｃが出力されるが、カウンタ３０８での計数値は
「０」に戻らず、そのまま「１」が維持されることにな
る。

【０１４２】ワークＷに対する放電加工が進み、２回目
の放電不安定状態が検出されると、再び比較回路３０４
から高レベルの比較結果信号Ｓｃが出力されることにな
るため、カウンタ３０８の計数値は「２」となり、後段
のパターン読出し回路２６４においてテーブルＴＢＬの
２レコード目から加工安定化用の第２の除去パターンＤ
ｐ２が読み出されることになる。

【０１４３】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、第２の除去パターンＤｐ２に応じたタイミング
でレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ電極１３０は、例え
ば図１４Ｃに示すように、ワークＷと対向する部分に例
えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例えば２００ｍｍピッ
チで残存されたワイヤ電極１３０とされる。

【０１４４】この段階から、再び放電加工が安定化し、
周波数解析装置３０２からは電圧レベルが下限レベルＶ
ａ未満あるいは上限レベルＶｂを超えた電圧信号Ｓｆが
出力され、論理回路３１４から低レベルの比較結果信号
Ｓｃが出力されるが、カウンタ３０８での計数値はその
まま「２」が維持されることになる。

【０１４５】以下、同様に、３回目及び４回目の放電不
安定状態が検出されると、それぞれにおいて、比較回路
３０４から高レベルの比較結果信号Ｓｃが出力されるこ
とになるため、カウンタ３０８の計数値は「３」及び
「４」となり、後段のパターン読出し回路２６４におい
てテーブルＴＢＬの３レコード目及び４レコード目から
加工安定化用の第３及び第４の除去パターンＤｐ３及び
Ｄｐ４が読み出されることになる。

【０１４６】これにより、第２のレーザ発振装置２２６
からは、第３及び第４の除去パターンＤｐ３及びＤｐ４
に応じたタイミングでレーザ光Ｌ２が出射され、ワイヤ
電極１３０は、例えば図１４Ｄ及び図１４Ｅに示すよう
に、第３の除去パターンＤｐ３に対しては、ワークＷと
対向する部分に例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例え
ば１００ｍｍピッチで残存されたワイヤ電極１３０とさ
れ、第４の除去パターンＤｐ４に対しては、ワークＷと
対向する部分に例えば２ｍｍ長の絶縁被膜１９２が例え
ば６０ｍｍピッチで残存されたワイヤ電極１３０とされ
る。

【０１４７】このように、第２の変形例に係る第２の被
膜除去手段２０４ｂにおいては、放電加工によって発生
する放電波形に含まれる高周波成分に応じて絶縁被膜１
９２の除去パターンＤｐが生成されることから、加工溝
１８０の拡大やワイヤ電極１３０の断線を有効に防止す
ることができる。

【０１４８】図１１に示す第２の被膜除去手段２０４、
図１５に示す第１の変形例に係る第２の被膜除去手段２
０４ａ及び図１７に示す第２の変形例に係る第２の被膜
除去手段２０４ｂは、いずれも１つの初期段階用の除去
パターンＤｐ０と４つの加工安定化用の除去パターンＤ
ｐ１〜Ｄｐ４を用意して、放電加工の状態に応じて除去
パターンを順次変えるようにしていたが、その他、１つ
の初期段階用の除去パターンＤｐ０と１つの加工安定化
用の除去パターン（例えば図１４Ｃに示す第２の除去パ
ターンＤｐ２）を用意するようにしてもよい。

【０１４９】この場合、図１１の第２の被膜除去手段２
０４においては、デコーダ２６０の代わりに１つのコン
パレータを接続するだけで済み、回路構成を非常に簡単
化することができる。図１５に示す第１の変形例に係る
第２の被膜除去手段２０４ａ及び図１７に示す第２の変
形例に係る第２の被膜除去手段２０４ｂにおいては、そ
れぞれカウンタ２８６及び３０８を省略させることがで
きる。

【０１５０】また、センサ２２０として、接触子２４２
を用いた接触式の変位センサとしたが、その他、非接触
式のセンサ、例えば、レーザ光による三角測距方式によ
るレーザ変位センサ、平行度の高いレーザ光を対象物体
に照射することにより変位を測定するレーザ走査方式の
センサ、ＣＣＤカメラを用いて変位を測定するＣＣＤカ
メラ方式のセンサ、渦電流を利用した渦電流式センサ、
平行板コンデンサの原理を用いた静電容量式センサ等を
用いることができる。

【０１５１】次に、ワイヤ電極１３０の変形例について
図１９〜図２９を参照しながら説明する。この変形例に
係るワイヤ電極１３０ａは、図１９に示すように、図９
に示すワイヤ電極１３０とほぼ同じ構成を有するが、絶
縁被膜１９２内に砥粒３１８が混入されている点で異な
る。ワイヤ放電加工装置は、本実施の形態に係るワイヤ
放電加工装置１０と同じものを使用することができる。

【０１５２】この場合、本実施の形態に係るワイヤ放電
加工装置１０における第２の被膜除去手段２０４として
は、放電状態が不安定となった時点をリアルタイムに検
出して迅速に対応できるものが好ましく、例えば図１５
に示す第１の変形例に係る第２の被膜除去手段２０４
ａ、あるいは図１７に示す第２の変形例に係る第２の被
膜除去手段２０４ｂを用いることが好ましい。

【０１５３】そして、この変形例に係るワイヤ電極１３
０ａにおいては、例えばセラミックスと金属の複合材料
で構成されたワークＷを放電加工する際に有効である。

【０１５４】つまり、ワークＷのうち、ワイヤ電極１３
０ａと対向する部分に金属成分が多い場合は、良好に放
電が行われて加工が進行することになるが、セラミック
ス成分が多い場合は放電が行われなくなり、加工の進度
が遅くなる、あるいは加工不能となる場合がある。

【０１５５】しかし、この変形例に係るワイヤ電極１３
０ａでは、絶縁被膜１９２に砥粒３１８を混入させるよ
うにしているため、砥粒３１８によってセラミックス成
分を研削、研磨することができ、上述した放電加工の進
度が遅くなることや放電加工が中断するという不都合を
有効に回避することができる。

【０１５６】特に、加工溝１８０を規定の深さｆまで加
工した後に、放電を停止してワイヤ電極１３０ａを送給
させることにより、放電加工にて形成された加工溝１８
０の表面を砥粒３１８で研磨することが可能となる。即
ち、この変形例に係るワイヤ電極１３０ａを用いれば、
放電加工と研磨処理を連続して行うことができ、製造工
程の簡略化、製造設備の簡素化並びに工数の短縮化を有
効に図ることができる。

【０１５７】また、この変形例に係るワイヤ電極１３０
ａを用いることにより、次のような複合材料で構成され
たワークＷに対して放電加工を行うことが可能となり、
ワイヤ放電加工にて加工できる材料の選択の幅を広げる
ことができる。

【０１５８】即ち、複合材料としては、例えば銅の熱膨
張率よりも低い熱膨張率をもつ多孔質体を予備焼成して
ネットワーク化することによって得られる多孔質焼結体
に銅又は銅合金が含浸されて構成された複合材料が挙げ
られる。

【０１５９】例えばＳｉＣからなる多孔質焼結体の開気
孔部（オープンポア部）に銅又は銅合金が含浸されて構
成された複合材料を例にとった場合、以下に示す条件の
複合材料を最適に放電加工することができる。 （１）ＳｉＣの気孔率（銅又は銅合金の含浸率とほぼ同
じ）が２０ｖｏｌ％〜７０ｖｏｌ％であること。 （２）ＳｉＣの平均開気孔径（気孔径）の値が０．５μ
ｍ〜５０μｍであること。 （３）ＳｉＣの平均開気孔に関する分布（気孔分布）が
０．５μｍ〜５０μｍに９０％以上分布していること。 （４）ＳｉＣの曲げ強度が１０ＭＰａ以上であること。

【０１６０】なお、複合材料には、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｎｉを１種類以上含み、かつ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｇ
ｅ、Ｒｈ、Ｓｂ、Ｉｒ、Ｃｏ、Ａｓ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｓ
ｎ、Ｍｎ、Ｐ、Ｐｂ等の不可避の不純物、ガス成分を含
んでいてもよい。

【０１６１】ここで、変形例に係るワイヤ電極１３０ａ
の作り方について図２０〜図２９を参照しながら説明す
る。

【０１６２】まず、底部に複数のプロペラスクリュー３
２０からなる撹拌手段３２２が配置された槽３２４内
に、砥粒３１８と樹脂液との混合液３２６を投入し、該
槽３２４内の混合液３２６を前記撹拌手段３２２にて十
分に撹拌する。撹拌手段３２２としては、上述のプロペ
ラスクリュー３２０のほかに、図２１に示すように、横
型のスクリュー３２８を用いるようにしてもよい。

【０１６３】その後、十分に撹拌されている混合液３２
６内を線状の電極本体（芯線）１９０を走行させ、電極
本体１９０の表面に混合液３２６を付着させた後、該電
極本体１９０をガイド部３３０に通して、最終的なワイ
ヤ電極１３０ａの外径を規定する。その後、冷却水３３
２が入れられた槽３３４内にワイヤ電極１３０ａを走行
させて砥粒付きの絶縁被膜１９２を完全に固化させる。
この場合、前記水冷を行う前に空冷装置３３６を用いて
冷却風３３８による乾燥処理を行うようにしてもよい。

【０１６４】前記ガイド部３３０は、一次ガイド３４０
と二次ガイド３４２からなり、二次ガイド３４２にて最
終的な外径寸法が規定されるようになっている。これ
は、砥粒３１８が電極本体１９０の表面に付着している
ため、ガイド部３３０の摩耗に伴う該ガイド部３３０の
寸法変化の影響をなるべく抑えるためである。なお、必
要に応じて三次ガイド以降も設置するようにしてもよ
い。

【０１６５】一次ガイド３４０は、熱膨張率が小さく、
かつ、硬い材料、例えばＡｌ₂ Ｏ₃やＺｒＯ₂ 等のセラ
ミックスにて構成されている。そして、この一次ガイド
３４０は、例えば図２２及び図２３に示すように、電極
本体１９０の搬送方向に沿って電極本体１９０の挿通孔
３５０が形成され、外形ほぼ円錐台の形状を有する。挿
通孔３５０の後方開口（電極本体１９０が導入される側
の開口）３５０ａの径は、非常に大きく設定されて、表
面に混合液３２６が付着された中間段階の電極本体１９
０を容易に一次ガイド３４０の挿通孔３５０内に導入で
きるようになっている。

【０１６６】挿通孔３５０の前方開口（電極本体１９０
が導出される側の開口）３５０ｂの径は、最終的なワイ
ヤ電極１３０ａの外径よりも１０μｍほど大きく設定さ
れて、表面に付着された混合液３２６のうち、余分な混
合液３２６（あるいは半乾燥状態の余分な砥粒付き絶縁
被膜１９２）をある程度除去できるようになっている。

【０１６７】また、この一次ガイド３４０は、その下部
に切欠き３５２が複数設けられ、一次ガイド３４０に付
着した混合液３２６が容易に下方に落ちるように構成さ
れている。

【０１６８】二次ガイド３４２は、例えば図２４及び図
２５に示すように、全体的に円筒状に形成され、ワイヤ
電極１３０ａの走行方向のほぼ中央部分に配された規定
部３６０と、該規定部３６０の後方及び前方に配された
導入部３６２及び導出部３６４とを有して構成されてい
る。

【０１６９】規定部３６０は、例えばダイヤモンドにて
構成され、中央に最終的なワイヤ電極１３０ａの外径と
同じ径の孔３６６が設けられたリング状の形状を有す
る。導入部３６２及び導出部３６４は、共に一次ガイド
３４０と同じ材質の材料で構成され、導入部３６２の内
壁はワイヤ電極１３０ａの搬送方向に向かって徐々に径
が小さくなるテーパ面３６２ａとして形成され、導出部
３６４の内壁はワイヤ電極１３０ａの搬送方向に向かっ
て徐々に径が大きくなるテーパ面３６４ａとして形成さ
れている。

【０１７０】特に、導入部３６２の下部には切欠き３６
８が設けられ、規定部３６０にて除去された余分な混合
液３２６（あるいは半乾燥状態の余分な砥粒付き絶縁被
膜１９２）が容易に下方に落ちるように構成されてい
る。

【０１７１】ガイド部３３０（一次ガイド３４０及び／
又は二次ガイド３４２）に混合液３２６又は半乾燥状態
の砥粒付き絶縁被膜１９２の付着が激しい場合は、ガイ
ド部３３０を適当な温度（二次ガイド３４２の場合、ダ
イヤモンドで構成された規定部３６０に影響が少ない６
００℃未満）に加熱することが望ましい。

【０１７２】混合液３２６の樹脂液として硬化速度が速
い材料を用いた場合は、以下のような不都合が生じるこ
とがある。 （１）電極本体１９０がガイド部３３０に到達するまで
に、表面に付着した混合液３２６が乾燥し、ガイド部３
３０を通過した際に、電極本体１９０の表面がささくれ
状態になる。 （２）電極本体１９０がガイド部３３０に到達するまで
に表面に付着した混合液３２６が完全に乾燥し、ガイド
部３３０で余分な絶縁被膜１９２を除去できない。 （３）電極本体１９０がひっかかり断線する。 （４）混合液３２６がガイド部３３０の直前で完全に固
化すると、ガイド部３３０を砥粒３１８により傷つける
可能性がある。

【０１７３】このように、硬化速度が速い材料で構成さ
れた樹脂液に砥粒３１８が混入した混合液３２６による
絶縁被膜１９２のうち、余分な絶縁被膜１９２をスムー
ズに除去し、かつ、除去後の絶縁被膜１９２の表面を滑
らかにし、ガイド部３３０を砥粒３１８で傷つけないた
めに、ガイド部３３０（一次ガイド３４０及び／又は二
次ガイド３４２）をヒータで加熱することが望ましい。
図２６は一次ガイド３４０に加熱用のヒータ３７０を設
けた例を示す。もちろん混合液３２６が付着した電極本
体１９０をガイド部３３０の直前でヒータ３７０で加熱
するようにしてもよい。

【０１７４】また、ガイド部３３０をヒータ３７０で加
熱することにより、ガイド部３３０で除去された絶縁被
膜１９２を再溶融させて該ガイド部３３０から容易に除
去することができ、走行してくる電極本体１９０にその
絶縁被膜１９２を再付着させることも可能である。

【０１７５】前記ガイド部３３０にて外径が規定された
ワイヤ電極１３０ａは、図２７に示すように、表面に形
成された絶縁被膜１９２中に砥粒３１８が混入した状態
とされているが、砥粒３１８が完全に絶縁被膜１９２中
に埋め込まれた状態となる可能性がある。

【０１７６】このような場合、砥粒３１８によるワーク
Ｗの研磨効果を十分に発揮できなくなるおそれがあるた
め、図２０に示すように、水冷用の槽３３４の前段に、
複数のレーザ発振装置３８０及び３８２を設置し、これ
らレーザ発振装置３８０及び３８２から出射されるレー
ザ光をワイヤ電極１３０ａに照射させることにより、図
２８に示すように、絶縁被膜１９２の表面を薄く除去し
て、砥粒３１８の一部を絶縁被膜１９２の表面より突き
出させるようにしてもよい。

【０１７７】なお、この発明に係るワイヤ放電加工装
置、ワイヤ放電加工方法、ワイヤ放電加工用ワイヤ電極
及び押出成形用金型は、上述の実施の形態に限らず、こ
の発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得
ることはもちろんである。

【０１７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るワイ
ヤ放電加工装置及びワイヤ放電加工方法によれば、ワイ
ヤ放電加工の一般的な標準加工条件を逸脱した条件、例
えば厚みの大きいワークに対して、幅が狭くかつ深さの
大きい加工溝をワイヤ放電加工にて容易に形成すること
ができ、例えばハニカムセラミックスのセルの開口幅を
決定付けるためのスリットを設計通りに作成することが
できる。

【０１７９】また、本発明に係るワイヤ放電加工用ワイ
ヤ電極によれば、例えば厚みの大きいワークに対して、
幅が狭くかつ深さの大きい加工溝をワイヤ放電加工にて
容易に形成させることができる。

【０１８０】また、本発明に係る押出成形用金型によれ
ば、ハニカムセラミックスを押出成形で容易に作製する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置にて作
製される押出成形用金型（本実施の形態に係る押出成形
用金型と記す）を示す縦断面図である。

【図２】本実施の形態に係る押出成形用金型を示す平面
図である。

【図３】本実施の形態に係る押出成形用金型を一部拡大
して示す縦断面図である。

【図４】本実施の形態に係る押出成形用金型を一部拡大
して示す平面図である。

【図５】本実施の形態に係る押出成形用金型を用いて作
製されるハニカムセラミックスの構成を示す斜視図であ
る。

【図６】本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置を一部
破断して示す側面図である。

【図７】本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置を示す
斜視図である。

【図８】放電加工によりワークに形成される加工溝の形
状を示す斜視図である。

【図９】本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置にて使
用されるワイヤ電極を一部省略して示す斜視図である。

【図１０】本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置に設
置される被膜除去手段を示す構成図である。

【図１１】第２の被膜除去手段の構成を示すブロック図
である。

【図１２】第２の被膜除去手段内におけるデコーダの構
成を示す回路図である。

【図１３】第２の被膜除去手段内のＲＯＭに登録された
テーブルの内訳を示す説明図である。

【図１４】図１４Ａは初期段階の除去パターンに応じた
ワイヤ電極の構成を示す説明図であり、図１４Ｂは加工
安定化用の第１の除去パターンに応じたワイヤ電極の構
成を示す説明図であり、図１４Ｃは加工安定化用の第２
の除去パターンに応じたワイヤ電極の構成を示す説明図
であり、図１４Ｄは加工安定化用の第３の除去パターン
に応じたワイヤ電極の構成を示す説明図であり、図１４
Ｅは加工安定化用の第４の除去パターンに応じたワイヤ
電極の構成を示す説明図である。

【図１５】第１の変形例に係る第２の被膜除去手段の構
成を示すブロック図である。

【図１６】異常放電回避のためのワイヤ電極の逆駆動動
作の検出に伴うセンサからの検出信号の推移を示す波形
図である。

【図１７】第２の変形例に係る第２の被膜除去手段の構
成を示すブロック図である。

【図１８】第２の変形例に係る第２の被膜除去手段内の
比較回路の構成を示す回路図である。

【図１９】変形例に係るワイヤ電極の構成を一部省略し
て示す斜視図である。

【図２０】変形例に係るワイヤ電極の製造ラインの一例
を示す構成図である。

【図２１】撹拌手段の他の例を示す斜視図である。

【図２２】一次ガイドの構成を示す斜視図である。

【図２３】一次ガイドの構成を示す縦断面図である。

【図２４】二次ガイドの構成を示す斜視図である。

【図２５】二次ガイドの構成を示す縦断面図である。

【図２６】一次ガイドにヒータを設けた場合の構成を示
す斜視図である。

【図２７】ガイド部にて外径が規定されたワイヤ電極を
一部省略して示す図である。

【図２８】レーザ光により絶縁被膜の表面を薄く除去し
て、砥粒の一部を絶縁被膜の表面から突き出させた状態
のワイヤ電極を一部省略して示す図である。

【図２９】ワイヤ放電加工の標準加工条件を示す特性図
である。

【符号の説明】

１０…ワイヤ放電加工装置 １２…押出成形用
金型 １４…ハニカムセラミックス １６…スリット １８…スリット部 ２０…坏土導入孔 ２２…坏土導入部 ３０…セル ３２…隔壁 １００…装置本体 １３０、１３０ａ…ワイヤ電極 １３２…ワイヤ駆
動系 １３４…給電部 １８０…加工溝 １９０…電極本体 １９２…絶縁被膜 ２００…被膜除去手段 ２０２…第１の被
膜除去手段 ２０４、２０４ａ、２０４ｂ…第２の被膜除去手段 ２１０…第１のパターン生成回路 ２１２…第１のデ
バイス ２１４…第１のレーザ発振装置 ２１６…第１の光
変調器 ２２０…センサ ２２２…第２のパ
ターン生成回路 ２２４…第２のデバイス ２２６…第２のレ
ーザ発振装置 ２２８…第２の光変調器 ３００…放電波形
検出回路 ３０２…周波数解析装置 ３１８…砥粒 Ｌ１、Ｌ２…レーザ光

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【手続補正書】

【提出日】平成１１年５月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６０】ワイヤ駆動系１３２は、上部アーム１０８
の側面に設けられたワイヤ供給部１３６と、下部アーム
１１０の側面に設けられたワイヤ巻取り部１３８とを有
して構成され、給電部１３４は、上部支持板１１２の端
部側面に設けられた上部給電ユニット１７０と、下部支
持板１１４の端部側面に設けられた下部給電ユニット１
７２とを有して構成されている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６１】ワイヤ供給部１３６は、線状のワイヤ電極
１３０が多数ターン巻回されたワイヤ供給ボビン１５０
と、該ワイヤ供給ボビン１５０から導出されたワイヤ電
極１３０を上部給電ユニット１７０に導く第１〜第３の
プーリ１５２ａ〜１５２ｃと、第２及び第３のプーリ１
５２ｂ及び１５２ｃの間に設けられ、ワイヤ電極１３０
の送給速度を制御するブレーキローラ１５４と、該ブレ
ーキローラ１５４と第３のプーリ１５２ｃの間に設けら
れ、ワイヤ電極１３０に対して負荷をかけてワイヤ電極
１３０の張力調整を行うワイヤ押さえ１５６とを有して
構成されている。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６２】ワイヤ巻取り部１３８は、ワークＷに対す
る放電加工を終えた使用済みのワイヤ電極１３０（下部
給電ユニット１７２を通じて導出されたワイヤ電極１３
０）を巻き取るためのワイヤ巻取りボビン１６０と、下
部支持板１１４の端部下面近傍に設けられた第４のプー
リ１５２ｄと、使用済みのワイヤ電極１３０を前記第４
のプーリ１５２ｄの案内で下部アーム１１０側に導くワ
イヤ巻上げローラ１６２と、該ワイヤ巻上げローラ１６
２にて巻き上げられた使用済みワイヤ電極１３０をワイ
ヤ巻取りボビン１６０側に向けて搬送するピンチローラ
１６４と、使用済みワイヤ電極１３０をワイヤ巻取りボ
ビン１６０に整列させて巻回させるためのワイヤ整列巻
き装置１６６とを有して構成されている。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６３】また、上部支持板１１２には、ワイヤ放電
加工による加工部分の冷却のために、下方にワイヤ電極
１３０の送給方向に沿って加工液１２０を噴射させる上
部ノズル１４０が設けられ、下部支持板１１４にも、ワ
イヤ放電加工による加工部分の冷却のために、上方にワ
イヤ電極１３０の送給方向に沿って加工液１２０を噴射
させる下部ノズル１４２が設けられている。

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ワイヤ電極を被加工物に対向させて送給さ
   せるワイヤ駆動系と、ワイヤ電極に電力を供給するため
   の給電部とを有し、前記ワイヤ電極と前記被加工物との
   間に放電を行わせて被加工物を任意の形状に加工するワ
   イヤ放電加工装置において、 前記ワイヤ電極は表面が絶縁被覆され、 前記ワイヤ電極の送給経路のうち、前記給電部の前段
   に、放電加工の状態に応じて、前記ワイヤ電極の絶縁被
   膜の一部を選択的に除去する被膜除去手段を有すること
   を特徴とするワイヤ放電加工装置。
2. 【請求項２】請求項１記載のワイヤ放電加工装置におい
   て、 前記被膜除去手段は、 前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一部を該ワイヤ電極に沿っ
   て連続的に除去する第１の被膜除去手段と、 放電加工の状態に応じて前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一
   部を選択的に除去する第２の被膜除去手段とを有するこ
   とを特徴とするワイヤ放電加工装置。
3. 【請求項３】請求項２記載のワイヤ放電加工装置におい
   て、 前記第２の被膜除去手段は、 前記放電加工の状態を電気的に検出するセンサと、 前記センサからの電気信号に基づいて前記ワイヤ電極の
   絶縁被膜の除去パターンを生成するパターン生成回路
   と、 生成された前記除去パターンに応じて前記ワイヤ電極の
   絶縁被膜を除去するデバイスとを有することを特徴とす
   るワイヤ放電加工装置。
4. 【請求項４】請求項３記載のワイヤ放電加工装置におい
   て、 前記センサは、 前記被加工物に形成される加工溝の深さに応じたレベル
   の電気信号を出力することを特徴とするワイヤ放電加工
   装置。
5. 【請求項５】請求項３記載のワイヤ放電加工装置におい
   て、 前記センサは、 異常放電回避のためのワイヤ電極の逆駆動動作を検出す
   ることを特徴とするワイヤ放電加工装置。
6. 【請求項６】請求項３記載のワイヤ放電加工装置におい
   て、 前記センサは、 放電波形中の高周波成分を抽出し、その高周波成分に応
   じたレベルの電気信号に変換することを特徴とするワイ
   ヤ放電加工装置。
7. 【請求項７】請求項３〜６のいずれか１項に記載のワイ
   ヤ放電加工装置において、 前記デバイスは、 レーザ発振装置と、 前記除去パターンに応じて前記レーザ発振装置をＯＮ／
   ＯＦＦ制御する光変調器とを有することを特徴とするワ
   イヤ放電加工装置。
8. 【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載のワイ
   ヤ放電加工装置において、 前記ワイヤ電極の絶縁被膜に、砥粒が混入されているこ
   とを特徴とするワイヤ放電加工装置。
9. 【請求項９】ワイヤ駆動系を通じてワイヤ電極を被加工
   物に対向させて送給させ、給電部を通じて前記ワイヤ電
   極に電力を供給することにより、前記ワイヤ電極と前記
   被加工物との間に放電を行わせて被加工物を任意の形状
   に加工するワイヤ放電加工方法において、 前記ワイヤ電極として、表面に絶縁被覆が施されたワイ
   ヤ電極を使用し、 前記ワイヤ電極の送給経路のうち、前記給電部の前段に
   おいて、放電加工の状態に応じて前記ワイヤ電極の絶縁
   被膜の一部を選択的に除去することを特徴とするワイヤ
   放電加工方法。
10. 【請求項１０】請求項９記載のワイヤ放電加工方法にお
    いて、 前記ワイヤ電極の絶縁被膜の除去処理は、 前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一部を該ワイヤ電極に沿っ
    て連続的に除去する第１の被膜除去処理と、 放電加工の状態に応じて前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一
    部を選択的に除去する第２の被膜除去処理とを有するこ
    とを特徴とするワイヤ放電加工方法。
11. 【請求項１１】請求項１０記載のワイヤ放電加工方法に
    おいて、 前記第２の被膜除去処理は、 前記放電加工の状態を電気的に検出し、 その検出信号に基づいて前記ワイヤ電極の絶縁被膜の除
    去パターンを生成し、 生成された前記除去パターンに応じて前記ワイヤ電極の
    絶縁被膜を除去することを特徴とするワイヤ放電加工方
    法。
12. 【請求項１２】請求項１０記載のワイヤ放電加工方法に
    おいて、 前記放電加工の状態の電気的な検出は、 前記被加工物に形成される加工溝の深さに応じたレベル
    を有する電気信号の出力によって行われることを特徴と
    するワイヤ放電加工方法。
13. 【請求項１３】請求項１０記載のワイヤ放電加工方法に
    おいて、 前記放電加工の状態の電気的な検出は、 異常放電回避のためのワイヤ電極の逆駆動動作を検出す
    ることによって行われることを特徴とするワイヤ放電加
    工方法。
14. 【請求項１４】請求項１０記載のワイヤ放電加工方法に
    おいて、 前記放電加工の状態の電気的な検出は、 放電波形中の高周波成分を抽出し、その高周波成分に応
    じたレベルの電気信号に変換することよって行われるこ
    とを特徴とするワイヤ放電加工方法。
15. 【請求項１５】請求項１０〜１４のいずれか１項に記載
    のワイヤ放電加工方法において、 前記除去パターンに応じた前記ワイヤ電極の絶縁被膜の
    除去処理は、 光変調器を通じてレーザ発振装置をＯＮ／ＯＦＦ制御す
    ることによって行われることを特徴とするワイヤ放電加
    工方法。
16. 【請求項１６】請求項９〜１５のいずれか１項に記載の
    ワイヤ放電加工方法において、 前記ワイヤ電極の絶縁被膜に、砥粒が混入されているこ
    とを特徴とするワイヤ放電加工方法。
17. 【請求項１７】ワイヤ電極と被加工物との間に放電を行
    わせて被加工物を任意の形状に加工するワイヤ放電加工
    処理に使用されるワイヤ電極において、 導体で構成されたワイヤ電極本体の表面に、絶縁被膜が
    間欠的に形成された部分と、前記ワイヤ電極本体の一部
    が軸線に沿って連続的に露出された部分とを有すること
    を特徴とするワイヤ放電加工用ワイヤ電極。
18. 【請求項１８】請求項１７記載のワイヤ電極において、 前記ワイヤ電極の絶縁被膜に、砥粒が混入されているこ
    とを特徴とするワイヤ放電加工用ワイヤ電極。
19. 【請求項１９】前面に多数のスリットが碁盤の罫状に穿
    設され、前記多数のスリットに坏土を供給するための坏
    土導入孔が裏面側に多数設けられた押出成形用金型にお
    いて、 前記多数のスリットは、 表面が絶縁被覆されたワイヤ電極の送給経路のうち、該
    ワイヤ電極に電力を供給するための給電部の前段に、放
    電加工の状態に応じて、前記ワイヤ電極の絶縁被膜の一
    部を選択的に除去しながら、前記ワイヤ電極と被加工物
    との間に放電を行わせて前記被加工物を加工するワイヤ
    放電加工によって形成されていることを特徴とする押出
    成形用金型。