JPH11260616A - 軟質磁性材料箔の製造方法 - Google Patents

軟質磁性材料箔の製造方法

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JPH11260616A
JPH11260616A JP10191866A JP19186698A JPH11260616A JP H11260616 A JPH11260616 A JP H11260616A JP 10191866 A JP10191866 A JP 10191866A JP 19186698 A JP19186698 A JP 19186698A JP H11260616 A JPH11260616 A JP H11260616A
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    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 インゴットを形成する必要性がなく、微細粒
子が混在しない良好な箔片形状を有する軟質磁性材料箔
を製造する。 【解決手段】 軟質磁性材料の箔片を製造するに際し、
Fe−Si−Al系合金の溶湯を溶製したのち、合金溶
湯を水アトマイズにより粉化し、得られた水アトマイズ
粉を再結晶温度以上の温度で加熱処理して結晶粒を粗大
化することにより機械的破砕性を高め、そのあと機械的
に破砕して箔化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透磁率が大である
と共に保磁力が小さく、軟質磁性材料としての磁気特性
に優れた軟質磁性材料箔の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】軟質磁性材料としては、けい素鉄,Fe
−Si−Al系合金,17%Cr電磁ステンレス,PB
パーマロイ,PCパーマロイなど、数多くの種類のもの
があって、電磁石,鉄芯,継鉄,磁気ヘッドチップ,磁
気シールド,電磁波シールド,電磁駆動用プランジャな
どの幅広い用途に使用されている。
【0003】これらのうち、Fe−Si−Al系合金
は、初透磁率(μ)および最大透磁率(μ)が最も
大きくかつ保磁力(Hc)が最も小さい軟質磁性材料に
属する。
【0004】このような軟質磁性材料において、これを
基材表面に薄く形成する場合には、軟質磁性材料の偏平
状微粉末を樹脂や溶剤などと共にスラリー化し、このス
ラリーを基材表面に塗布したのち乾燥して膜状に薄く形
成する手法が採用されていることがある。
【0005】そこで、このようなFe−Si−Al系合
金の偏平状微粉末を得るに際しては、Fe−Si−Al
系合金の溶湯を溶製したのち、鋳造して例えば50〜2
00kg程度の大きさのインゴットとし、このインゴッ
トの外皮を削除し、溶体化処理後に磁性焼鈍を行って高
透磁率材料を得たあと、アトライタ,ジョークラッシ
ャ,ボールミルなどの機械的粉砕機により破砕し、粒径
が0.01〜100μm,厚みが0.01〜50μm程
度の偏平状になるまで粉砕およびすりつぶし工程を繰り
返す方法があった(例えば、特開昭58−59268
号)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方法では、大きなインゴットから数多くの工
程を経て偏平状微細粉末を得ることとなり、例えば、イ
ンゴットの外皮を削除すること、合金素材は硬くてつぶ
しにくい性質を有していることから粉砕のためには大き
なエネルギが必要であること、粉砕工程に長時間を必要
とするためコストが高くつくこと、偏平状の粉末中に微
細粒子が混在しやすいこと、微細粒子が混在した場合に
連続した磁界が形成されがたいこと、などといった問題
点があり、このような問題点を解決することが課題とし
てあった。
【0007】
【発明の目的】本発明は、このような従来の課題にかん
がみてなされたものであって、インゴットを形成する必
要性がなく、破砕および箔化が著しく容易であり、微細
粒子が発生しないため例えば基材表面に層状に塗布形成
したのちにおいて連続した磁界を形成させることが可能
である軟質磁性材料箔の製造方法を提供することを目的
としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる軟質磁性
材料箔の製造方法は、請求項1に記載しているように、
Fe−Si−Al系合金の溶湯を溶製したのち、合金溶
湯を水やガスなどを用いたアトマイズにより粉化し、得
られたアトマイズ粉を再結晶温度以上の温度で加熱処理
して結晶粒を粗大化したあと機械的に破砕して箔化する
ようにしたことを特徴としている。
【0009】そして、本発明に係わる軟質磁性材料箔の
製造方法の実施態様においては、請求項2に記載してい
るように、Fe−Si−Al系合金は、Si:8.5〜
10.5重量%、Al:4.5〜6.5重量%、場合に
よってはさらに遷移金属のうちから選ばれる1種または
2種以上:8重量%以下を含み、残部Feおよび不純物
からなるものとすることができる。
【0010】同じく、本発明に係わる軟質磁性材料箔の
製造方法の実施態様においては、請求項3に記載してい
るように、合金溶湯をアトマイズにより粉化するに際し
て水アトマイズを用いるようになすことができる。
【0011】同じく、本発明に係わる軟質磁性材料箔の
製造方法の実施態様においては、請求項4に記載してい
るように、アトマイズ粉の加熱処理温度を650℃以上
1000℃以下とするようになすことができる。
【0012】同じく、本発明に係わる軟質磁性材料箔の
製造方法の実施態様においては、請求項5に記載してい
るように、加熱処理により粗大化した結晶粒の粒径を5
μm以上20μm以下とするようになすことができる。
【0013】同じく、本発明に係わる軟質磁性材料箔の
製造方法の実施態様においては、請求項6に記載してい
るように、箔化して得られる軟質磁性材料箔のアスペク
ト比を10以上50以下とするようになすことができ
る。
【0014】
【発明の作用】本発明による軟質磁性材料箔の製造方法
は、上述した構成を有するものであり、Fe−Si−A
l系合金としては、例えば、Si:8.5〜10.5重
量%、Al:4.5〜6.5重量%、C:0.15重量
%以下、残部実質的にFeよりなるものが使用される。
【0015】この場合、Si含有量およびAl含有量を
上記した範囲とすることによって、鋳造のままで、初透
磁率(μ)を約35,000以上、最大透磁率
(μ)を約70,000以上の高透磁率のものにする
ことができると共に、保磁力(Hc)を約0.03Oe
以下の低保磁力のものとすることができる。
【0016】このような特に望ましい成分組成をもつF
e−Si−Al系合金の溶湯を溶製したのち、この合金
溶湯をアトマイズによって粉化することにより粒径が5
0〜150μm程度の粉末とする。
【0017】この場合、アトマイズとしては、水アトマ
イズおよびガスアトマイズのいずれをも適用することが
可能であるが、ガスアトマイズでは水アトマイズに比較
して冷却速度が遅いことから粉末の結晶粒径は粗いもの
となり、この後に実施する結晶粒粗大化のための加熱処
理を省略したり軽減したりすることも可能ではあるが、
ガスアトマイズは水アトマイズに比較して高価なものに
つくため、コスト的には水アトマイズの方が良い。
【0018】次いで、得られたアトマイズ粉を再結晶温
度以上の温度で加熱処理することによって結晶粒を粗大
化する。
【0019】この場合、再結晶温度以上の温度として6
50℃以上とすることが好ましいが、温度が高すぎると
凝集ないしは焼結状態となってしまうので、1000℃
以下とすることが望ましい。
【0020】ところで、加熱処理を施さない場合、すな
わち、アトマイズ粉に対する結晶粒の粗大化処理を行わ
ないで(つまり、結晶粒径が1μm前後のアトマイズ粉
のままで)次の破砕化工程に移った場合には、粒径が1
μm前後の箔化しない微細粒子が発生することがあり、
例えば、基材表面に塗布形成したのちにおいてこの微細
粒子が連続した磁界形成の際の邪魔になることもありう
るので、結晶粒粗大化のための加熱処理を施し、水アト
マイズ粉の結晶粒径が1μm前後であるものを加熱処理
によって結晶粒径が例えば5μm以上20μm以下程度
となったものとし、この後の破砕工程における破砕性
(例えば、アトライタ破砕性)が良好なものとなるよう
にすることが望ましい。
【0021】次いで、加熱処理により結晶粒径が5μm
以上20μm以下程度に粗大化した粉末をアトライタ,
スタンプミル,振動ミル等の機械的粉砕手段により機械
的に破砕し相互につぶして箔化することによって、幅が
10μm以上30μm以下程度、厚さが0.6μm以上
1.2μm以下程度であって、アスペクト比(幅/厚
さ)が10以上50以下程度の軟質磁性材料箔とする。
【0022】ここで、加熱処理を施すことによる作用に
ついてさらに詳細に説明すると、アトライタ等による破
砕の前に加熱処理を施した場合、加熱処理温度の選定に
よって、図1および図2に示すように、破砕したときの
箔の平均粒径(幅)に変動がある。特に、塗料用などに
使う場合は、塗布性をも考慮すると、箔の平均粒径
(幅)は20μm以下がより望ましい。
【0023】加熱処理温度が低いと、結晶粒径が微細の
ままであるため、破壊に対する抵抗が大きいので、その
結果として、破砕が進まず、粒径(幅)が大きい箔片
や、粒径が1μm前後の箔化しない微細粒子が存在する
こととなる。これは、図2において、D10が小さく、
D90が大きいことを意味し、箔の粒径の変動が大きく
塗布性が悪いものとなる。
【0024】他方、磁気特性については、加熱処理温度
を上げると、結晶粒が粗大化して結晶粒径が大きくなる
ため、図3および図4に示すように、保磁力や透磁率な
どの軟質磁性体としての磁気特性が向上する。
【0025】さらに、アトマイズ時の急冷凝固によって
存在する不規則相Bが規則相D0に変態するため、
磁気特性が向上する。
【0026】箔片の粒径(幅)を小さくするためには、
破砕性(D50が小さい)および箔粒径の均一性(D1
0とD90の差が小さい)を重視した650〜700℃
程度の加熱処理温度とするのが良く、磁気特性を考慮す
る場合は1000℃に近い方が良好である。
【0027】したがって、破砕性と磁気特性の両方を考
慮した場合には、破砕前の加熱処理温度を650〜10
00℃程度とすることがより望ましい。
【0028】なお、上述の説明において、D10は粒度
分布によって求められた粒径の小さい方から重量を累計
して10%になったときの粒径を示し、D50は50%
になったときの粒径を示し、D90は90%になったと
きの粒径を示す。
【0029】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこのような実施例のみに限定されないことはい
うまでもない。
【0030】(実施例1)まず、Si:9.7重量%、
Al:5.6重量%、C:0.01重量%、残部実質的
にFeよりなるFe−Si−Al系合金の溶湯を溶製し
たのち、この合金溶湯を水アトマイズにより粉化した。
【0031】この水アトマイズ粉の粒径はおよそ40〜
60μmであり、結晶粒径はおよそ1μm前後であっ
た。
【0032】次いで、水アトマイズ粉に対し830℃×
3Hrの加熱を行うことによって結晶粒を粗大化するた
めの加熱処理を施した。
【0033】この加熱処理後の粉末における結晶粒径は
およそ8〜15μmであった。
【0034】続いて、加熱処理後の粉末をアトライタに
より機械的に約12〜15時間破砕することによって、
厚さ約0.9〜1.1μm,幅の平均約18〜22μm
のFe−Si−Al系軟質磁性材料の図5に示したごと
き箔を得た。
【0035】図5に示すように、ここで得られた軟質磁
性材料箔は、良好に箔状化したものとなっており、粒径
1μm前後の微細粒子は含まれていないものとなってい
た。
【0036】そこで、この軟質磁性材料箔を結合剤樹脂
および溶剤等と共に混合してペースト化したのち、基材
表面に厚さ約10μmで塗布形成したところ、箔状の軟
質磁性材料を層状に形成することができ、粒径1μm前
後の微細粒子の存在によって磁界が遮断されることがな
い(すなわち、磁場が乱されることがない)連続した磁
界を形成できるものとなっていた。
【0037】(実施例2)実施例1と同様に、Si:
9.7重量%、Al:5.6重量%、C:0.01重量
%、残部実質的にFeよりなるFe−Si−Al系合金
の溶湯を用意したのち、この合金溶湯を水アトマイズに
より粉化した。
【0038】この水アトマイズ粉の粒径はおよそ40〜
60μmであり、結晶粒径はおよそ1μm前後であっ
た。
【0039】次いで、水アトマイズ粉に対し700℃×
3Hrの加熱を行うことによって結晶粒を粗大化するた
めの加熱処理を施した。
【0040】この加熱処理後の粉末における結晶粒径は
およそ5〜10μmであった。
【0041】続いて、加熱処理後の粉末をアトライタに
より機械的に約12〜15時間破砕することによって、
厚さ約0.9〜1.1μm,幅の平均約15〜22μm
のFe−Si−Al系軟質磁性材料の図5に示したごと
き箔を得た。
【0042】図5に示すように、ここで得られた軟質磁
性材料箔は、良好に箔状化したものとなっており、粒径
1μm前後の微細粒子は含まれていないものとなってい
た。
【0043】そこで、この軟質磁性材料箔を結合剤樹脂
および溶剤等と共に混合してペースト化したのち、基材
表面に厚さ約10μmで塗布形成したところ、箔状の軟
質磁性材料を層状に形成することができ、粒径1μm前
後の微細粒子の存在によって磁界が遮断されることがな
い(すなわち、磁場が乱されることがない)連続した磁
界を形成できるものとなっていた。
【0044】
【発明の効果】本発明による軟質磁性材料の製造方法で
は、請求項1に記載しているように、Fe−Si−Al
系合金の溶湯を溶製したのち、合金溶湯をアトマイズに
より粉化し、得られたアトマイズ粉を再結晶温度以上の
温度で加熱処理して結晶粒を粗大化したあと機械的に破
砕して箔化するようにしたから、従来のようにいったん
インゴットに形成する必要性がなく、破砕および箔化が
著しく容易であり、微細粒子が混在しないため例えば基
材表面に層状に塗布形成したのちにおいて連続した磁界
を形成させることができる軟質磁性材料を製造すること
が可能であるという著しく優れた効果がもたらされる。
【0045】そして、請求項2に記載しているように、
Fe−Si−Al系合金は、Si:8.5〜10.5重
量%、Al:4.5〜6.5重量%、残部Feおよび不
純物からなるものとすることによって、透磁率が高くか
つ保磁力が低い軟質磁性材料としての磁気特性に優れた
軟質磁性材料を製造することが可能であるという著大な
る効果がもたらされる。
【0046】また、請求項3に記載しているように、合
金溶湯をアトマイズにより粉化するに際して水アトマイ
ズを用いるようになすことによって、軟質磁性材料箔を
低コストで製造することが可能であるという著しく優れ
た効果がもたらされる。
【0047】さらに、請求項4に記載しているように、
アトマイズ粉の加熱処理温度を650℃以上1000℃
以下とすることによって、アトマイズ粉における結晶粒
の粗大化を良好に行うことが可能であるという著しく優
れた効果がもたらされる。
【0048】さらにまた、請求項5に記載しているよう
に、加熱処理により粗大化した結晶粒の粒径を5μm以
上20μm以下とすることによって、機械的破砕性の良
好な破砕加工前粉末とすることが可能であるという著し
く優れた効果がもたらされる。
【0049】さらにまた、請求項6に記載しているよう
に、箔化して得られる軟質磁性材料箔のアスペクト比を
10以上50以下とするようになすことによって、この
軟質磁性材料箔を例えば基材表面に層状に塗布形成した
のちにおいて連続した磁界を容易に形成させることが可
能であるという著しく優れた効果がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
【図1】加熱処理温度によるアトライタ時間(破砕時
間)と平均粒径との関係の変動を例示するグラフであ
る。
【図2】加熱処理温度と平均粒径との関係を例示するグ
ラフである。
【図3】加熱処理温度によるアトライタ時間(破砕時
間)と保磁力との関係の変動を例示するグラフである。
【図4】加熱処理温度と保磁力との関係を例示するグラ
フである。
【図5】本発明の実施例で得た軟質磁性材料箔の外観を
示す説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // C22C 38/00 303 C22C 38/00 303T 38/06 38/06

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Fe−Si−Al系合金の溶湯を溶製し
    たのち、合金溶湯をアトマイズにより粉化し、得られた
    アトマイズ粉を再結晶温度以上の温度で加熱処理して結
    晶粒を粗大化したあと機械的に破砕して箔化することを
    特徴とする軟質磁性材料箔の製造方法。
  2. 【請求項2】 Fe−Si−Al系合金は、Si:8.
    5〜10.5重量%、Al:4.5〜6.5重量%、残
    部Feおよび不純物からなる請求項1に記載の軟質磁性
    材料箔の製造方法。
  3. 【請求項3】 合金溶湯をアトマイズにより粉化するに
    際して水アトマイズを用いる請求項1または2に記載の
    軟質磁性材料箔の製造方法。
  4. 【請求項4】 アトマイズ粉の加熱処理温度を650℃
    以上1000℃以下とする請求項1ないし3のいずれか
    に記載の軟質磁性材料箔の製造方法。
  5. 【請求項5】 加熱処理により粗大化した結晶粒の粒径
    を5μm以上20μm以下とする請求項1ないし4のい
    ずれかに記載の軟質磁性材料箔の製造方法。
  6. 【請求項6】 箔化して得られる軟質磁性材料箔のアス
    ペクト比を10以上50以下とする請求項1ないし5の
    いずれかに記載の軟質磁性材料箔の製造方法。
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