JPH1125876A - シャドウマスク形陰極線管 - Google Patents
シャドウマスク形陰極線管Info
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- JPH1125876A JPH1125876A JP17463897A JP17463897A JPH1125876A JP H1125876 A JPH1125876 A JP H1125876A JP 17463897 A JP17463897 A JP 17463897A JP 17463897 A JP17463897 A JP 17463897A JP H1125876 A JPH1125876 A JP H1125876A
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- JP
- Japan
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- shadow mask
- axis
- ray tube
- cathode ray
- electron beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度の低下がなく、かつ、地磁気の水平磁界
による他色打ち裕度の大きいシャドウマスク形陰極線管
を得る。 【解決手段】 シャドウマスク１に形成されている電子
ビーム通過孔２１〜２７の形状が楕円形ないし長円形で
あって、その長軸の、当該シャドウマスク１の中心点Ｏ
を通る垂直軸に対する傾き角θが、当該垂直軸上および
中心点Ｏを通る水平軸上では垂直方向であり、４隅のコ
ーナ部では前記中心点Ｏと当該コーナ部の通過孔２４を
通る直線方向であり、垂直軸上、水平軸上およびコーナ
部以外の面域では、前記コーナ部から前記垂直軸および
水平軸に近づくほど垂直方向に近づく傾き角となるよう
に形成した。
による他色打ち裕度の大きいシャドウマスク形陰極線管
を得る。 【解決手段】 シャドウマスク１に形成されている電子
ビーム通過孔２１〜２７の形状が楕円形ないし長円形で
あって、その長軸の、当該シャドウマスク１の中心点Ｏ
を通る垂直軸に対する傾き角θが、当該垂直軸上および
中心点Ｏを通る水平軸上では垂直方向であり、４隅のコ
ーナ部では前記中心点Ｏと当該コーナ部の通過孔２４を
通る直線方向であり、垂直軸上、水平軸上およびコーナ
部以外の面域では、前記コーナ部から前記垂直軸および
水平軸に近づくほど垂直方向に近づく傾き角となるよう
に形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、３つの電子銃
と、ドット形シャドウマスクを備えた陰極線管に関し、
詳しくは、電子ビーム利用率の改善を図ったシャドウマ
スク形陰極線管に関する。
と、ドット形シャドウマスクを備えた陰極線管に関し、
詳しくは、電子ビーム利用率の改善を図ったシャドウマ
スク形陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のドット形シャドウマスク
の電子ビーム通過孔の形状とその配置を示す模式図で、
第１象限に当たる１／４の面域を示している。図におい
て、１はドット形シャドウマスク（以下、「シャドウマ
スク」という）、２は円形の電子ビーム通過孔（以下、
「孔」という）で、一つの孔２とこれに隣接する各孔２
との間隔は、それぞれ同じ間隔に形成されており、各孔
２の配列は、シャドウマスク１の中心点Ｏを通る水平軸
（以下、「ｘ軸」という）に対して上下対称、および垂
直軸（以下、「ｙ軸」という）に対して左右対称に形成
されている。
の電子ビーム通過孔の形状とその配置を示す模式図で、
第１象限に当たる１／４の面域を示している。図におい
て、１はドット形シャドウマスク（以下、「シャドウマ
スク」という）、２は円形の電子ビーム通過孔（以下、
「孔」という）で、一つの孔２とこれに隣接する各孔２
との間隔は、それぞれ同じ間隔に形成されており、各孔
２の配列は、シャドウマスク１の中心点Ｏを通る水平軸
（以下、「ｘ軸」という）に対して上下対称、および垂
直軸（以下、「ｙ軸」という）に対して左右対称に形成
されている。
【０００３】図５は、図４のシャドウマスク１を備えた
陰極線管の、蛍光面３上の赤，緑，青の蛍光体４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂ（以下、「ドット」という）の形状と、その配
列（以下、「ドット配列」という）を示す図で、各ドッ
ト４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの形状は、それぞれ孔２と同じ円形
である。また、ドット配列は、シャドウマスクの孔２の
ピッチ、電子銃の構造、およびシャドウマスク１と蛍光
面３の間隔によって決定されるので上下および左右対称
であり、一つのドット４と、これに隣接する他のドット
４との間隔（以下、「ガードバンド」という）は、コー
ナ部においても、ラジアル方向のガードバンド５１と、
ラテラル方向のガードバンド５２は同じになる。
陰極線管の、蛍光面３上の赤，緑，青の蛍光体４Ｒ，４
Ｇ，４Ｂ（以下、「ドット」という）の形状と、その配
列（以下、「ドット配列」という）を示す図で、各ドッ
ト４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの形状は、それぞれ孔２と同じ円形
である。また、ドット配列は、シャドウマスクの孔２の
ピッチ、電子銃の構造、およびシャドウマスク１と蛍光
面３の間隔によって決定されるので上下および左右対称
であり、一つのドット４と、これに隣接する他のドット
４との間隔（以下、「ガードバンド」という）は、コー
ナ部においても、ラジアル方向のガードバンド５１と、
ラテラル方向のガードバンド５２は同じになる。
【０００４】一方、カラー陰極線管の管軸を通る地磁気
の水平方向の成分（以下、「水平磁界」という）による
電子ビームの移動方向は、コーナ部ではラテラル方向で
あり、ｙ軸上においてもｙ軸方向と垂直なラテラル方向
であって、その移動量は、他の方向の磁界による移動量
に比べて非常に大きい。このため、ラテラル方向のガー
ドバンド５２の大きさによって水平磁界による他色打ち
裕度が決定され、この他色打ち裕度を大きくするために
ドットの大きさを小さくすると、蛍光体の面積比率が低
下して輝度が低下するという問題点があった。
の水平方向の成分（以下、「水平磁界」という）による
電子ビームの移動方向は、コーナ部ではラテラル方向で
あり、ｙ軸上においてもｙ軸方向と垂直なラテラル方向
であって、その移動量は、他の方向の磁界による移動量
に比べて非常に大きい。このため、ラテラル方向のガー
ドバンド５２の大きさによって水平磁界による他色打ち
裕度が決定され、この他色打ち裕度を大きくするために
ドットの大きさを小さくすると、蛍光体の面積比率が低
下して輝度が低下するという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな問題点を解消するためになされたもので、輝度の低
下を伴うことなく、水平磁界による他色打ち裕度の大き
いシャドウマスク形陰極線管を得ることを目的とする。
うな問題点を解消するためになされたもので、輝度の低
下を伴うことなく、水平磁界による他色打ち裕度の大き
いシャドウマスク形陰極線管を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るシャドウ
マスク形陰極線管は、シャドウマスクに形成されている
電子ビーム通過孔の形状が楕円形ないし長円形であっ
て、その長軸の向きが、当該シャドウマスクの中心点を
通るｙ軸上およびｘ軸上ではｙ軸方向であり、コーナ部
では前記中心点と当該通過孔を結ぶ直線方向であり、そ
の余の面域においては、前記コーナ部から離れるほどｙ
軸方向に近づく傾き角に形成したものである。
マスク形陰極線管は、シャドウマスクに形成されている
電子ビーム通過孔の形状が楕円形ないし長円形であっ
て、その長軸の向きが、当該シャドウマスクの中心点を
通るｙ軸上およびｘ軸上ではｙ軸方向であり、コーナ部
では前記中心点と当該通過孔を結ぶ直線方向であり、そ
の余の面域においては、前記コーナ部から離れるほどｙ
軸方向に近づく傾き角に形成したものである。
【０００７】また、電子ビーム通過孔の形状を、中心点
からｘ軸端に近づくほど、およびｙ軸端からコーナ部に
至る線上からｘ軸端に近づくほど、長軸が短くなって円
形に近づく形状に形成したものである。
からｘ軸端に近づくほど、およびｙ軸端からコーナ部に
至る線上からｘ軸端に近づくほど、長軸が短くなって円
形に近づく形状に形成したものである。
【０００８】また、前記コーナ部における電子ビーム通
過孔の長軸のｙ軸に対する傾き角を、表示面の縦横比に
応じて６０〜３５度の範囲内としたものである
過孔の長軸のｙ軸に対する傾き角を、表示面の縦横比に
応じて６０〜３５度の範囲内としたものである
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明をその実施の形態
を示す図面に基づいて具体的に説明する。 実施の形態１．図１は、この発明のドット形シャドウマ
スクの電子ビーム通過孔の形状とその配列を示す模式図
で、第１象限に当たる１／４の面域を示している。図に
おいて、１はシャドウマスク、２１〜２７は電子ビーム
通過孔（以下、「孔」という）で、同じ大きさ、形状の
楕円形ないし長円形に形成されており、ｙ軸上の孔２１
およびｘ軸上の孔２２，２３の長軸はｙ軸方向であり、
４隅のコーナ部に形成されている孔２４の長軸は、シャ
ドウマスク１の中心点Ｏと当該孔２４を通る直線と同じ
傾き角であり、ｘ軸上、ｙ軸上およびコーナ部以外の面
域の孔２５〜２７の長軸は、それぞれコーナ部からｘ軸
およびｙ軸に近づくほどｙ軸方向に近づく傾き角に形成
されている。また、シャドウマスク１の第２〜第４象限
に当たる面域は、シャドウマスク１の中心点Ｏを通るｘ
軸に対して上下対称、およびｙ軸に対して左右対称に形
成されている。
を示す図面に基づいて具体的に説明する。 実施の形態１．図１は、この発明のドット形シャドウマ
スクの電子ビーム通過孔の形状とその配列を示す模式図
で、第１象限に当たる１／４の面域を示している。図に
おいて、１はシャドウマスク、２１〜２７は電子ビーム
通過孔（以下、「孔」という）で、同じ大きさ、形状の
楕円形ないし長円形に形成されており、ｙ軸上の孔２１
およびｘ軸上の孔２２，２３の長軸はｙ軸方向であり、
４隅のコーナ部に形成されている孔２４の長軸は、シャ
ドウマスク１の中心点Ｏと当該孔２４を通る直線と同じ
傾き角であり、ｘ軸上、ｙ軸上およびコーナ部以外の面
域の孔２５〜２７の長軸は、それぞれコーナ部からｘ軸
およびｙ軸に近づくほどｙ軸方向に近づく傾き角に形成
されている。また、シャドウマスク１の第２〜第４象限
に当たる面域は、シャドウマスク１の中心点Ｏを通るｘ
軸に対して上下対称、およびｙ軸に対して左右対称に形
成されている。
【００１０】次に、実施の形態１の孔２５〜２７の長軸
のｙ軸に対する傾き角（以下、「傾き角」という）θの
変化の態様を説明する。シャドウマスク１の中心点Ｏの
座標を（ｘ0，ｙ0）、ｘ軸端の孔２３の座標を（ｘm，
ｙ0）、ｙ軸端の孔２１の座標を（ｘ0，ｙn）、コーナ
部の孔２４の座標を（ｘm，ｙn）、孔２４の傾き角をθ
mn、第１象限のほぼ中央部の孔２５の座標を（ｘi，
ｙj）とすると、孔２５の傾き角θij、座標（ｘi，
ｙn）の孔２６の傾き角θin、および座標（ｘm，ｙj）
の孔２７の傾き角θmjは、 θij＝θmn（ｘi＊ｙj）／（ｘm＊ｙn） ・・・（１） θin＝θmn（ｘi＊ｙj）／（ｘm＊ｙn） ・・・（２） θmj＝θmn（ｘm＊ｙj）／（ｘm＊ｙn） ・・・（３） で表され、θij＜θin＜θmn、θij＜θmj＜θmnとな
る。
のｙ軸に対する傾き角（以下、「傾き角」という）θの
変化の態様を説明する。シャドウマスク１の中心点Ｏの
座標を（ｘ0，ｙ0）、ｘ軸端の孔２３の座標を（ｘm，
ｙ0）、ｙ軸端の孔２１の座標を（ｘ0，ｙn）、コーナ
部の孔２４の座標を（ｘm，ｙn）、孔２４の傾き角をθ
mn、第１象限のほぼ中央部の孔２５の座標を（ｘi，
ｙj）とすると、孔２５の傾き角θij、座標（ｘi，
ｙn）の孔２６の傾き角θin、および座標（ｘm，ｙj）
の孔２７の傾き角θmjは、 θij＝θmn（ｘi＊ｙj）／（ｘm＊ｙn） ・・・（１） θin＝θmn（ｘi＊ｙj）／（ｘm＊ｙn） ・・・（２） θmj＝θmn（ｘm＊ｙj）／（ｘm＊ｙn） ・・・（３） で表され、θij＜θin＜θmn、θij＜θmj＜θmnとな
る。
【００１１】なお、コーナ部の孔２４の傾き角θmnは、
カラー陰極線管の表示面の縦横比によって最適の角度が
異なり、６０〜３５度の範囲内となる。また、各孔２５
〜２７の傾き角は、厳密に前記（１）〜（３）式のよう
な１次式に限定されるものではなく、１．５乗の係数を
もつ算式など、前記のような傾向でもって傾き角が変化
するものであれば、同等の作用効果が得られる。また、
各孔２１〜２７の大きさは、全て同じでなくても前記の
ような楕円形ないし長円形の形状で傾き角を有していれ
ば同等の効果が得られる。
カラー陰極線管の表示面の縦横比によって最適の角度が
異なり、６０〜３５度の範囲内となる。また、各孔２５
〜２７の傾き角は、厳密に前記（１）〜（３）式のよう
な１次式に限定されるものではなく、１．５乗の係数を
もつ算式など、前記のような傾向でもって傾き角が変化
するものであれば、同等の作用効果が得られる。また、
各孔２１〜２７の大きさは、全て同じでなくても前記の
ような楕円形ないし長円形の形状で傾き角を有していれ
ば同等の効果が得られる。
【００１２】図２は、この実施の形態１のシャドウマス
クを備えたカラー陰極線管の、蛍光面のコーナ部におけ
る各ドット４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの形状とその配列、および
各ドット間のガードバンドを示す図である。図から明ら
かなように、ラジアル方向のガードバンド５１より、ラ
テラル方向のガードバンド５２の方が大きくなる。さら
に、破線で示した電子ビームスポット６と各ドット４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂとのラジアル方向の間隔６１よりも、ラ
テラル方向の間隔６２の方が大きくなるので、従来の円
形ドットのものより、水平磁界による他色打ち裕度が大
きくなる。
クを備えたカラー陰極線管の、蛍光面のコーナ部におけ
る各ドット４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの形状とその配列、および
各ドット間のガードバンドを示す図である。図から明ら
かなように、ラジアル方向のガードバンド５１より、ラ
テラル方向のガードバンド５２の方が大きくなる。さら
に、破線で示した電子ビームスポット６と各ドット４
Ｒ，４Ｇ，４Ｂとのラジアル方向の間隔６１よりも、ラ
テラル方向の間隔６２の方が大きくなるので、従来の円
形ドットのものより、水平磁界による他色打ち裕度が大
きくなる。
【００１３】実施の形態２．図３は、この発明の実施の
形態２に係るシャドウマスクの電子ビーム通過孔の形状
とその配列を示す模式図で、第１象限に当たる１／４の
面域を示している。図において、図１と同一符号はそれ
ぞれ同一部分または相当部分を示している。
形態２に係るシャドウマスクの電子ビーム通過孔の形状
とその配列を示す模式図で、第１象限に当たる１／４の
面域を示している。図において、図１と同一符号はそれ
ぞれ同一部分または相当部分を示している。
【００１４】この実施の形態２の各孔２１〜２７の傾き
角θは、実施の形態１と同様に形成されており、孔の形
状が、短軸の長さは同じで、長軸の長さが、中心点から
ｘ軸端に近づくほど、およびｙ軸端からコーナ部に至る
線上からｘ軸端に近づくほど短くなって短軸に近づき、
ｘ軸端で円形となるように形成されている。すなわち、
ｙ軸上の孔２１、およびｙ軸端からコーナ部に至る線上
の孔２６，２４は同じ大きさの楕円形であり、ｘ軸端の
孔２３は円形、ｘ軸上の孔２２は、その長軸が孔２１と
２３の間の長さの楕円形、孔２５は、その長軸が孔２６
と２２の間の長さの楕円形、孔２７は、その長軸が孔２
４と２３の間の長さの楕円形に形成されている。
角θは、実施の形態１と同様に形成されており、孔の形
状が、短軸の長さは同じで、長軸の長さが、中心点から
ｘ軸端に近づくほど、およびｙ軸端からコーナ部に至る
線上からｘ軸端に近づくほど短くなって短軸に近づき、
ｘ軸端で円形となるように形成されている。すなわち、
ｙ軸上の孔２１、およびｙ軸端からコーナ部に至る線上
の孔２６，２４は同じ大きさの楕円形であり、ｘ軸端の
孔２３は円形、ｘ軸上の孔２２は、その長軸が孔２１と
２３の間の長さの楕円形、孔２５は、その長軸が孔２６
と２２の間の長さの楕円形、孔２７は、その長軸が孔２
４と２３の間の長さの楕円形に形成されている。
【００１５】この実施の形態２の各孔２１〜２７の長軸
の長さは、各孔２１〜２７の座標を図１と同じとし、中
心点Ｏの孔２１の長軸の長さをａx0y0とすると、各孔２
１〜２７の長軸の長さａxiyiは、次式で与えられる。 ａxiyi＝ａx0y0 −Ｋ＊ｘi＊（ｙn−ｙi） ・・・（４） ただし、Ｋは定数 ｉは中心点Ｏの座標を０としたｘ軸上の距離 ｊは中心点Ｏの座標を０としたｙ軸上の距離
の長さは、各孔２１〜２７の座標を図１と同じとし、中
心点Ｏの孔２１の長軸の長さをａx0y0とすると、各孔２
１〜２７の長軸の長さａxiyiは、次式で与えられる。 ａxiyi＝ａx0y0 −Ｋ＊ｘi＊（ｙn−ｙi） ・・・（４） ただし、Ｋは定数 ｉは中心点Ｏの座標を０としたｘ軸上の距離 ｊは中心点Ｏの座標を０としたｙ軸上の距離
【００１６】なお、各孔２５〜２７の形状は、厳密に前
記（４）式のような１次式に限定されるものではなく、
１．５乗の係数をもつ算式など、前記のような傾向でも
って孔の形状が変化するものであれば、同等の作用効果
が得られる。
記（４）式のような１次式に限定されるものではなく、
１．５乗の係数をもつ算式など、前記のような傾向でも
って孔の形状が変化するものであれば、同等の作用効果
が得られる。
【００１７】この実施の形態２によれば、前記電子ビー
ム通過孔の形状を、中心点からｘ軸端に近づくほど、お
よびｙ軸端からコーナ部に至る線上からｘ軸端に近づく
ほど長軸が短くなって円形に近づく形状に形成したの
で、ｘ軸端における孔のラテラル方向はｙ軸方向である
ため、ｘ軸端、およびその近傍の面域における水平磁界
による他色打ち裕度を、前記実施の形態１よりも大きく
することができる。
ム通過孔の形状を、中心点からｘ軸端に近づくほど、お
よびｙ軸端からコーナ部に至る線上からｘ軸端に近づく
ほど長軸が短くなって円形に近づく形状に形成したの
で、ｘ軸端における孔のラテラル方向はｙ軸方向である
ため、ｘ軸端、およびその近傍の面域における水平磁界
による他色打ち裕度を、前記実施の形態１よりも大きく
することができる。
【００１８】なお、前記実施の形態１および２では、孔
２１〜２７の形状を楕円形としたが、長円形であっても
同様の作用効果が得られる。
２１〜２７の形状を楕円形としたが、長円形であっても
同様の作用効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００２０】シャドウマスクの電子ビーム通過孔の形状
を、楕円形ないし長円形に形成するとともに、その長軸
の当該シャドウマスクの中心点を通る垂直軸に対する傾
き角を、垂直軸上および水平軸上では垂直方向、コーナ
部においては、前記中心点と当該電子ビーム通過孔を通
る直線の方向、その余の面域においては、水平軸および
垂直軸に近づくほど順次垂直方向に近づくように形成し
たものであるから、蛍光面上に形成される蛍光体の面積
を小さくすることなく、ラテラル方向のガードバンドを
大きくでき、水平磁界による他色打ち裕度を大きくでき
るとともに、輝度の低下のないシャドウマスク形陰極線
管が得られる効果がある。
を、楕円形ないし長円形に形成するとともに、その長軸
の当該シャドウマスクの中心点を通る垂直軸に対する傾
き角を、垂直軸上および水平軸上では垂直方向、コーナ
部においては、前記中心点と当該電子ビーム通過孔を通
る直線の方向、その余の面域においては、水平軸および
垂直軸に近づくほど順次垂直方向に近づくように形成し
たものであるから、蛍光面上に形成される蛍光体の面積
を小さくすることなく、ラテラル方向のガードバンドを
大きくでき、水平磁界による他色打ち裕度を大きくでき
るとともに、輝度の低下のないシャドウマスク形陰極線
管が得られる効果がある。
【００２１】また、電子ビーム通過孔の形状を、中心点
から水平軸端に近づくほど、および垂直軸端からコーナ
部に至る線上から水平軸端に近づくほど長軸が短くなっ
て円形に近づくように構成したので、水平軸端付近にお
ける他色打ち裕度が、更に大きいシャドウマスク形陰極
線管が得られる効果がある。
から水平軸端に近づくほど、および垂直軸端からコーナ
部に至る線上から水平軸端に近づくほど長軸が短くなっ
て円形に近づくように構成したので、水平軸端付近にお
ける他色打ち裕度が、更に大きいシャドウマスク形陰極
線管が得られる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１に係るシャドウマス
クの電子ビーム通過孔の形状とその配列を示す図であ
る。
クの電子ビーム通過孔の形状とその配列を示す図であ
る。
【図２】 実施の形態１の蛍光体ドットの形状とその配
列、および各ドット間のガードバンドを示す図である。
列、および各ドット間のガードバンドを示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係るシャドウマス
クの電子ビーム通過孔の形状とその配列を示す図であ
る。
クの電子ビーム通過孔の形状とその配列を示す図であ
る。
【図４】 従来のシャドウマスクの電子ビーム通過孔の
形状とその配列を示す図である。
形状とその配列を示す図である。
【図５】 従来の蛍光面の蛍光体の形状とその配列を示
す図である。
す図である。
１ ドット形シャドウマスク、３ 蛍光面、４ 蛍光
体、６ 電子ビームスポット、２１〜２７ 電子ビーム
通過孔、５１，５２ ガードバンド、６１，６２ 電子
ビームスポットと蛍光体の間隔。
体、６ 電子ビームスポット、２１〜２７ 電子ビーム
通過孔、５１，５２ ガードバンド、６１，６２ 電子
ビームスポットと蛍光体の間隔。
Claims (3)
- 【請求項１】 ３つの電子銃と、ドット形シャドウマス
クとを備え、 前記シャドウマスクに形成されている電子ビーム通過孔
の形状が楕円形ないし長円形であって、その長軸の向き
が、 当該シャドウマスクの中心点を通る垂直軸上および水平
軸上では垂直方向であり、 コーナ部では前記中心点と当該通過孔を結ぶ直線方向で
あり、 その余の面域では前記コーナ部から前記垂直軸および水
平軸に近づくほど垂直方向に近づく傾き角となるように
形成されているシャドウマスク形陰極線管。 - 【請求項２】 電子ビーム通過孔の形状が、中心点から
水平軸端に近づくほど、および垂直軸端からコーナ部に
至る線上から水平軸端に近づくほど長軸が短くなって円
形に近づく形状に形成されていることを特徴とする請求
項１に記載のシャドウマスク形陰極線管。 - 【請求項３】 コーナ部における電子ビーム通過孔の長
軸の垂直軸に対する傾き角が、表示面の縦横比に応じて
６０〜３５度の範囲内に形成されている請求項１または
請求項２に記載のシャドウマスク形陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463897A JPH1125876A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | シャドウマスク形陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463897A JPH1125876A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | シャドウマスク形陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125876A true JPH1125876A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15982098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17463897A Pending JPH1125876A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | シャドウマスク形陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1125876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1367624A2 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-03 | LG Philips Displays Korea Co., Ltd. | Shadow mask for color cathode ray tube |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP17463897A patent/JPH1125876A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1367624A2 (en) * | 2002-05-31 | 2003-12-03 | LG Philips Displays Korea Co., Ltd. | Shadow mask for color cathode ray tube |
| EP1367624A3 (en) * | 2002-05-31 | 2005-03-30 | LG Philips Displays Korea Co., Ltd. | Shadow mask for color cathode ray tube |
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