JPH112579A - 静電容量型圧力センサ - Google Patents
静電容量型圧力センサInfo
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- JPH112579A JPH112579A JP17097397A JP17097397A JPH112579A JP H112579 A JPH112579 A JP H112579A JP 17097397 A JP17097397 A JP 17097397A JP 17097397 A JP17097397 A JP 17097397A JP H112579 A JPH112579 A JP H112579A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 キャビティ内流体の温度、湿度などの環境条
件の影響を受けにくく、正確な圧力検出を行うことので
きる感度の高い静電容量型圧力センサを得ること。 【解決手段】 第１の基板（ガラス基板）１２に対し
て、第２の基板（シリコン基板）１１と対向するように
圧力に応じて変形するダイアフラム部３２を有する第３
の基板３１を設けて基準圧力室１，２を形成せしめた静
電容量型圧力センサ。
件の影響を受けにくく、正確な圧力検出を行うことので
きる感度の高い静電容量型圧力センサを得ること。 【解決手段】 第１の基板（ガラス基板）１２に対し
て、第２の基板（シリコン基板）１１と対向するように
圧力に応じて変形するダイアフラム部３２を有する第３
の基板３１を設けて基準圧力室１，２を形成せしめた静
電容量型圧力センサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、住宅関連機器およ
び産業用機器に用いられる流体の圧力検出に用いられる
静電容量型圧力センサに関する。
び産業用機器に用いられる流体の圧力検出に用いられる
静電容量型圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の静電容量型圧力センサ
として、図２及び図３に示す圧力センサが知られてい
る。図２は、静電容量型圧力センサの内部構造を示す断
面図であり、図３は、外観斜視図である。
として、図２及び図３に示す圧力センサが知られてい
る。図２は、静電容量型圧力センサの内部構造を示す断
面図であり、図３は、外観斜視図である。
【０００３】図２に示す圧力センサは、静電容量型圧力
センサの１例であって、第１の基板であるガラス基板１
２上には、固定電極１６が形成され、第２の基板である
シリコン基板１１には、圧力に応じて変形するダイアフ
ラム部１３が形成されている。シリコン基板１１とガラ
ス基板１２とは、その外周部において接合されて、ダイ
アフラム部１３の下側にはキャビティ部１４が形成され
る。
センサの１例であって、第１の基板であるガラス基板１
２上には、固定電極１６が形成され、第２の基板である
シリコン基板１１には、圧力に応じて変形するダイアフ
ラム部１３が形成されている。シリコン基板１１とガラ
ス基板１２とは、その外周部において接合されて、ダイ
アフラム部１３の下側にはキャビティ部１４が形成され
る。
【０００４】シリコン基板１１及びガラス基板１２によ
ってセンサチップ１５が構成される。センサチップ１５
は、台座２３上に接着されている。また、センサチップ
１５を構成するガラス基板１２及びセンサチップ１５が
配置された台座２３に大気、または被測定流体と比較す
る圧力を有する流体を導入する為の貫通孔１９及び２０
が形成されている。
ってセンサチップ１５が構成される。センサチップ１５
は、台座２３上に接着されている。また、センサチップ
１５を構成するガラス基板１２及びセンサチップ１５が
配置された台座２３に大気、または被測定流体と比較す
る圧力を有する流体を導入する為の貫通孔１９及び２０
が形成されている。
【０００５】台座２３には、モールド成型時に同時にイ
ンサート成形されたリード端子２４が配置されており、
リード端子２４と固定電極１６とは、リード線１８によ
って電気的に接続されている。
ンサート成形されたリード端子２４が配置されており、
リード端子２４と固定電極１６とは、リード線１８によ
って電気的に接続されている。
【０００６】センサチップ１５には横穴が設けられ、前
記横穴を通って、固定電極１６が電気的に外部に引き出
される。その後、キャビティ部１４とセンサチップ外領
域との通気を遮断するため、横穴は封止材１７によって
封止される。そして、台座２３と被測定流体導入の為の
導入孔２１を設けたカバー部材としてのモールド材のキ
ャップ部２２とは、超音波溶着によってシールされる。
記横穴を通って、固定電極１６が電気的に外部に引き出
される。その後、キャビティ部１４とセンサチップ外領
域との通気を遮断するため、横穴は封止材１７によって
封止される。そして、台座２３と被測定流体導入の為の
導入孔２１を設けたカバー部材としてのモールド材のキ
ャップ部２２とは、超音波溶着によってシールされる。
【０００７】図２に示す静電容量型圧力センサでは、ダ
イアフラム部１３に圧力が加わると、キャビティ内圧力
との差圧の大きさに応じて可動電極を構成するダイアフ
ラム部１３が変形する。ダイアフラム部１３の変形によ
って、ダイアフラム部１３と固定電極１６との間のギャ
ップ幅が変化することになる。
イアフラム部１３に圧力が加わると、キャビティ内圧力
との差圧の大きさに応じて可動電極を構成するダイアフ
ラム部１３が変形する。ダイアフラム部１３の変形によ
って、ダイアフラム部１３と固定電極１６との間のギャ
ップ幅が変化することになる。
【０００８】ここで、ダイアフラム部１３と固定電極１
６との間には、ｃ＝ζ（Ａ／ｄ）の関係がある。なお、
ｃは静電容量、ζは流体の誘電率、Ａは電極面積、ｄは
電極間ギャップ幅である。
６との間には、ｃ＝ζ（Ａ／ｄ）の関係がある。なお、
ｃは静電容量、ζは流体の誘電率、Ａは電極面積、ｄは
電極間ギャップ幅である。
【０００９】従って、ギャップ幅の変化によって静電容
量が変化することになり、さらに、差圧とギャップとの
間には、一定の相関関係があるから、静電容量を検出す
ることによって圧力を知ることができる。
量が変化することになり、さらに、差圧とギャップとの
間には、一定の相関関係があるから、静電容量を検出す
ることによって圧力を知ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の静電容量型圧力センサでは、検出する圧力によ
って変化する静電容量は、１から２ｐＦと微小で、差圧
により測定しているので、キャビティ内圧力の温度、湿
度などの環境条件の影響を受けやすく、検出すべき圧力
以外の影響が大きく、正確な圧力を検出することが困難
であり、感度も低いという問題点がある。
た従来の静電容量型圧力センサでは、検出する圧力によ
って変化する静電容量は、１から２ｐＦと微小で、差圧
により測定しているので、キャビティ内圧力の温度、湿
度などの環境条件の影響を受けやすく、検出すべき圧力
以外の影響が大きく、正確な圧力を検出することが困難
であり、感度も低いという問題点がある。
【００１１】また、キャビティ内流体の湿度によって固
定電極が腐食する危険性もあり、信頼性上も問題があっ
た。
定電極が腐食する危険性もあり、信頼性上も問題があっ
た。
【００１２】そこで、本発明の課題は、キャビティ内流
体の温度、湿度などの環境条件の影響を受けにくく、正
確な圧力検出を行うことのできる感度の高い静電容量型
圧力センサを提供することにある。
体の温度、湿度などの環境条件の影響を受けにくく、正
確な圧力検出を行うことのできる感度の高い静電容量型
圧力センサを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、固定電極が形
成された第１の基板と、差圧に応じて変形するダイアフ
ラム部が形成された第２の基板とを有し、前記ダイアフ
ラム部と前記固定電極とがギャップをおいて互いに対向
する関係となるキャビティ部を設けて前記第１及び前記
第２の基板とが接合されたセンサチップを備え、前記ダ
イアフラム部に加わる被測定圧力とキャビティ内圧力と
の差圧に応じて前記ギャップのギャップ幅を変化させて
該ギャップ幅の変化による前記ダイアフラム部と前記固
定電極との間の静電容量の変化によって前記圧力を検出
するようにした静電容量型圧力センサにおいて、密閉さ
れた基準圧力室を設ける静電容量型圧力センサである。
成された第１の基板と、差圧に応じて変形するダイアフ
ラム部が形成された第２の基板とを有し、前記ダイアフ
ラム部と前記固定電極とがギャップをおいて互いに対向
する関係となるキャビティ部を設けて前記第１及び前記
第２の基板とが接合されたセンサチップを備え、前記ダ
イアフラム部に加わる被測定圧力とキャビティ内圧力と
の差圧に応じて前記ギャップのギャップ幅を変化させて
該ギャップ幅の変化による前記ダイアフラム部と前記固
定電極との間の静電容量の変化によって前記圧力を検出
するようにした静電容量型圧力センサにおいて、密閉さ
れた基準圧力室を設ける静電容量型圧力センサである。
【００１４】さらに、本発明は、前記第１の基板に対し
て、前記第２の基板と対向するように圧力に応じて変形
するダイアフラム部を有する第３の基板を設けて、基準
圧力室を形成せしめる上記の静電容量型圧力センサであ
る。
て、前記第２の基板と対向するように圧力に応じて変形
するダイアフラム部を有する第３の基板を設けて、基準
圧力室を形成せしめる上記の静電容量型圧力センサであ
る。
【００１５】さらに、本発明は、前記第１の基板と前記
第２の基板とによる、第１の基準圧力室内圧力と、第１
の基板と第３の基板とによる第２の基準圧力室内圧力
が、同じ圧力になる構造にする上記の静電容量型圧力セ
ンサである。
第２の基板とによる、第１の基準圧力室内圧力と、第１
の基板と第３の基板とによる第２の基準圧力室内圧力
が、同じ圧力になる構造にする上記の静電容量型圧力セ
ンサである。
【００１６】又、本発明は、前記第１の基板と前記第２
の基板とによる、第１の基準圧力室内圧力と、第１の基
板と第３の基板とによる第２の基準圧力室内圧力が、異
なる内圧を有する上記の静電容量型圧力センサである。
の基板とによる、第１の基準圧力室内圧力と、第１の基
板と第３の基板とによる第２の基準圧力室内圧力が、異
なる内圧を有する上記の静電容量型圧力センサである。
【００１７】さらに、本発明は、前記基準圧力室に窒素
ガスを封入する上記の静電容量型圧力センサである。
ガスを封入する上記の静電容量型圧力センサである。
【００１８】又、本発明は、前記基準圧力室に不活性ガ
スを封入する上記の静電容量型圧力センサである。
スを封入する上記の静電容量型圧力センサである。
【００１９】さらに、本発明は、前記不活性ガスはアル
ゴンガスよりなる上記の静電容量型圧力センサである。
ゴンガスよりなる上記の静電容量型圧力センサである。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明では、第１の基板であるガ
ラス基板に第３の基板となるシリコン基板を対向させる
ことによって、密閉した基準圧力室を有する構造にして
いる。このようにして、キャビティである基準圧力室が
密閉構造を有することから、大気等が直接基準圧力室に
入ることはなく、基準圧力室内の流体の温度、湿度など
の環境条件の影響を受けなくなり、正確な圧力検出を行
う事が出来る。
ラス基板に第３の基板となるシリコン基板を対向させる
ことによって、密閉した基準圧力室を有する構造にして
いる。このようにして、キャビティである基準圧力室が
密閉構造を有することから、大気等が直接基準圧力室に
入ることはなく、基準圧力室内の流体の温度、湿度など
の環境条件の影響を受けなくなり、正確な圧力検出を行
う事が出来る。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明に係わる静電容量型圧力セン
サの実施例について、図面に基づき説明する。
サの実施例について、図面に基づき説明する。
【００２２】図１は、本発明による静電容量型圧力セン
サの一例を示す図で、図１（ａ）は静電容量型圧力セン
サの断面図、図１（ｂ）は静電容量型圧力センサチップ
の断面図である。図１に示すように、本発明の圧力セン
サのセンサチップ３４は、第１の基板であるガラス基板
１２と、第２の基板であるシリコン基板１１と、第３の
基板であるシリコン基板３１とで構成している。
サの一例を示す図で、図１（ａ）は静電容量型圧力セン
サの断面図、図１（ｂ）は静電容量型圧力センサチップ
の断面図である。図１に示すように、本発明の圧力セン
サのセンサチップ３４は、第１の基板であるガラス基板
１２と、第２の基板であるシリコン基板１１と、第３の
基板であるシリコン基板３１とで構成している。
【００２３】貫通孔２５を備えた固定電極１６及び３５
を有するガラス基板１２と、被測定流体の圧力により変
形する可動電極を構成するダイヤフラム部１３を有する
シリコン基板１１と、大気または被測定流体との比較と
なる流体の圧力により変形する可動電極を構成するダイ
アフラム部３２を有するシリコン基板３１とを、ガラス
基板１２をシリコン基板１１と３１とが挟むように接合
して、第１の基準圧力室１と第２の基準圧力室２を設け
た。
を有するガラス基板１２と、被測定流体の圧力により変
形する可動電極を構成するダイヤフラム部１３を有する
シリコン基板１１と、大気または被測定流体との比較と
なる流体の圧力により変形する可動電極を構成するダイ
アフラム部３２を有するシリコン基板３１とを、ガラス
基板１２をシリコン基板１１と３１とが挟むように接合
して、第１の基準圧力室１と第２の基準圧力室２を設け
た。
【００２４】また、第１の基準圧力室１と第２の基準圧
力室２とが同じ圧力になるように、貫通孔１９をガラス
基板１２に設けた。
力室２とが同じ圧力になるように、貫通孔１９をガラス
基板１２に設けた。
【００２５】センサチップ３４は、台座２３上に接着さ
れている。また、台座２３には、大気導入用、または被
測定流体と比較する圧力を有する流体を導入する為の貫
通孔２０を形成し、ダイアフラム部３２に圧力が加わる
ようにした。台座２３には、モールド成型時に同時にイ
ンサート成形したリード端子２４を配置してあり、リー
ド端子２４と固定電極１６及び３５とは、リード線１８
及び３７によって電気的に接続している。
れている。また、台座２３には、大気導入用、または被
測定流体と比較する圧力を有する流体を導入する為の貫
通孔２０を形成し、ダイアフラム部３２に圧力が加わる
ようにした。台座２３には、モールド成型時に同時にイ
ンサート成形したリード端子２４を配置してあり、リー
ド端子２４と固定電極１６及び３５とは、リード線１８
及び３７によって電気的に接続している。
【００２６】前記センサチップには、前記固定電極１６
及び３５からの電気的引き出しのために、シリコン基板
１１及び３１とガラス基板１２との間に横穴（図示せ
ず）が形成されている。センサチップ３４の横穴を通
し、固定電極１６及び３５が外部に電気的に引き出され
る。そして、第１の基準圧力室１と第２の基準圧力室２
とセンサチップ外領域との通気を遮断するため、前記横
穴は封止材１７及び３６によって封止される。封止材１
７及び３６を施す前記横穴の封止工程は、乾燥した窒素
雰囲気中で行い、第１の基準圧力室１よび第２の基準圧
力室２中に、気中水分等が入らないようにした。
及び３５からの電気的引き出しのために、シリコン基板
１１及び３１とガラス基板１２との間に横穴（図示せ
ず）が形成されている。センサチップ３４の横穴を通
し、固定電極１６及び３５が外部に電気的に引き出され
る。そして、第１の基準圧力室１と第２の基準圧力室２
とセンサチップ外領域との通気を遮断するため、前記横
穴は封止材１７及び３６によって封止される。封止材１
７及び３６を施す前記横穴の封止工程は、乾燥した窒素
雰囲気中で行い、第１の基準圧力室１よび第２の基準圧
力室２中に、気中水分等が入らないようにした。
【００２７】さらに、台座２３には、被測定流体導入の
為の導入孔２１を設けたカバー部材としてのモールド材
よりなるキャップ部２２を超音波溶着によって接合シー
ルしている。
為の導入孔２１を設けたカバー部材としてのモールド材
よりなるキャップ部２２を超音波溶着によって接合シー
ルしている。
【００２８】図１に示す静電容量型圧力センサでは、ダ
イアフラム部１３に圧力が加わると、第１の基準圧力室
１内流体との差圧の大きさに応じて可動電極を構成する
ダイアフラム部１３が変形する。ダイアフラム部１３の
変形によって、ダイアフラム部１３と固定電極１６との
間のギャップが変化することになる。ここで、ダイアフ
ラム部１３と固定電極１６との間には、Ｃ1＝ζ（Ａ1／
ｄ1）の関係がある。なお、Ｃ1は静電容量、ζは流体の
誘電率、Ａ1は電極面積、ｄ1は電極間ギャップ幅であ
る。
イアフラム部１３に圧力が加わると、第１の基準圧力室
１内流体との差圧の大きさに応じて可動電極を構成する
ダイアフラム部１３が変形する。ダイアフラム部１３の
変形によって、ダイアフラム部１３と固定電極１６との
間のギャップが変化することになる。ここで、ダイアフ
ラム部１３と固定電極１６との間には、Ｃ1＝ζ（Ａ1／
ｄ1）の関係がある。なお、Ｃ1は静電容量、ζは流体の
誘電率、Ａ1は電極面積、ｄ1は電極間ギャップ幅であ
る。
【００２９】また、ダイアフラム部３２に圧力が加わる
と、第２の基準圧力室２内流体との差圧の大きさに応じ
て、可動電極を構成するダイアフラム部３２が変形す
る。ダイアフラム部３２の変形によって、ダイアフラム
部３２と固定電極３５との間のギャップが変化すること
になる、ここで、ダイアフラム部３２と固定電極３５と
の間には、Ｃ2＝ζ（Ａ2／ｄ2）の関係がある。なお、
Ｃ2は静電容量、ζは流体の誘電率、Ａ2は電極面積、ｄ
2は電極間ギャップ幅である。
と、第２の基準圧力室２内流体との差圧の大きさに応じ
て、可動電極を構成するダイアフラム部３２が変形す
る。ダイアフラム部３２の変形によって、ダイアフラム
部３２と固定電極３５との間のギャップが変化すること
になる、ここで、ダイアフラム部３２と固定電極３５と
の間には、Ｃ2＝ζ（Ａ2／ｄ2）の関係がある。なお、
Ｃ2は静電容量、ζは流体の誘電率、Ａ2は電極面積、ｄ
2は電極間ギャップ幅である。
【００３０】従って、ギャップ幅の変化によって静電容
量が変化することになり、さらに、差圧とギャップとの
間には一定の相関関係があり、第１の基準圧力室１と第
２の基準圧力室２とは同じ圧力なので、回路上で演算処
理を行い、Ｃ＝Ｃ1ーＣ2と静電容量の差を検出すること
によって、被測定流体の圧力と大気導入用または被測定
流体の比較となる、流体の圧力との差を知ることができ
る。
量が変化することになり、さらに、差圧とギャップとの
間には一定の相関関係があり、第１の基準圧力室１と第
２の基準圧力室２とは同じ圧力なので、回路上で演算処
理を行い、Ｃ＝Ｃ1ーＣ2と静電容量の差を検出すること
によって、被測定流体の圧力と大気導入用または被測定
流体の比較となる、流体の圧力との差を知ることができ
る。
【００３１】上記のようにして、キャビティ内流体の温
度・湿度などの状態の影響を受けにくく、正確な圧力検
出を行うことのできる静電容量型圧力センサが得られ
た。
度・湿度などの状態の影響を受けにくく、正確な圧力検
出を行うことのできる静電容量型圧力センサが得られ
た。
【００３２】また、貫通孔１９のないガラス基板を用い
て、第１の基準圧力室と第２の基準圧力室との通気を遮
断して密閉し、第１の基準圧力室には被測定流体圧近傍
の圧力のアルゴンガスを、第２の基準圧力室には１気圧
の窒素ガスを、封入した。封入時の圧力および温度は厳
密に測定し、演算処理の初期条件とした。また、ダイア
フラム部の柔軟性を強化した。このようにして、さらに
感度が高く、温度、湿度などの環境条件の影響を受けに
くく、正確な圧力検出を行うことのできる静電容量型圧
力センサが得られた。
て、第１の基準圧力室と第２の基準圧力室との通気を遮
断して密閉し、第１の基準圧力室には被測定流体圧近傍
の圧力のアルゴンガスを、第２の基準圧力室には１気圧
の窒素ガスを、封入した。封入時の圧力および温度は厳
密に測定し、演算処理の初期条件とした。また、ダイア
フラム部の柔軟性を強化した。このようにして、さらに
感度が高く、温度、湿度などの環境条件の影響を受けに
くく、正確な圧力検出を行うことのできる静電容量型圧
力センサが得られた。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、キャビティ内流体の温
度・湿度などの状態の影響を受けにくく、正確な圧力検
出を行うことのできる、感度の高い静電容量型圧力セン
サが得られる。
度・湿度などの状態の影響を受けにくく、正確な圧力検
出を行うことのできる、感度の高い静電容量型圧力セン
サが得られる。
【図１】本発明の静電容量型圧力センサの一例を示す
図。図１（ａ）は本発明の静電容量型圧力センサの一例
を示す断面図、図１（ｂ）は本発明の静電容量型圧力セ
ンサの一例のセンサチップを示す断面図。
図。図１（ａ）は本発明の静電容量型圧力センサの一例
を示す断面図、図１（ｂ）は本発明の静電容量型圧力セ
ンサの一例のセンサチップを示す断面図。
【図２】従来の静電容量型圧力センサの一例を示すＡー
Ａ（図３）断面図。
Ａ（図３）断面図。
【図３】静電容量型圧力センサの一例を示す外観斜視
図。
図。
１ 第１の基準圧力室 ２ 第２の基準圧力室 １１ シリコン基板（第２の基板） １２ ガラス基板（第１の基板） １３ ダイアフラム部 １４ キャビティ部 １５ センサチップ １６ 固定電極 １７ 封止材 １８ リード線 １９ （ガラス基板の）貫通孔 ２０ （台座の）貫通孔 ２１ 導入孔 ２２ キャップ部 ２３ 台座 ２４ リード端子 ２５ 貫通孔 ３１ （本発明の第３の基板の）シリコン基板 ３２ （本発明の第３の基板の）ダイアフラム部 ３４ （本発明の）センサチップ ３５ （本発明のガラス基板の）固定電極 ３６ 封止材 ３７ リード線
Claims (7)
- 【請求項１】 固定電極が形成された第１の基板と、差
圧に応じて変形するダイアフラム部が形成された第２の
基板とを有し、前記ダイアフラム部と前記固定電極とが
ギャップをおいて互いに対向する関係となるキャビティ
部を設けるように前記第１の基板と前記第２の基板とが
接合されたセンサチップを備え、前記ダイアフラム部に
加わる被測定流体圧力とキャビティ内圧力との差圧に応
じて前記ギャップのギャップ幅を変化させて該ギャップ
幅の変化による前記ダイアフラム部と前記固定電極との
間の静電容量の変化によって圧力を検出するようにした
静電容量型圧力センサにおいて、密閉された基準圧力室
を設けることを特徴とする静電容量型圧力センサ。 - 【請求項２】 前記第１の基板に対して、前記第２の基
板と対向するように圧力に応じて変形するダイアフラム
部を有する第３の基板を設けて、基準圧力室を形成せし
めることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力セ
ンサ。 - 【請求項３】 前記第１の基板と前記第２の基板とによ
る、第１の基準圧力室内圧力と、第１の基板と第３の基
板とによる第２の基準圧力室内圧力が、同じ圧力になる
構造にすることを特徴とする請求項１または２記載の静
電容量型圧力センサ。 - 【請求項４】 前記第１の基板と前記第２の基板とによ
る、第１の基準圧力室内圧力と、第１の基板と第３の基
板とによる第２の基準圧力室内圧力が、異なることを特
徴とする請求項１または２記載の静電容量型圧力セン
サ。 - 【請求項５】 前記基準圧力室に窒素ガスを封入するこ
とを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の静
電容量型圧力センサ。 - 【請求項６】 前記基準圧力室に不活性ガスを封入する
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の
静電容量型圧力センサ。 - 【請求項７】 前記不活性ガスはアルゴンガスよりなる
ことを特徴とする請求項６記載の静電容量型圧力セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17097397A JPH112579A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 静電容量型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17097397A JPH112579A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 静電容量型圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH112579A true JPH112579A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15914798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17097397A Pending JPH112579A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 静電容量型圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH112579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4660888A (en) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | Tachikawa Spring Co. | Seat cover |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP17097397A patent/JPH112579A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4660888A (en) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | Tachikawa Spring Co. | Seat cover |
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