JPH11257972A - ファイバジャイロ用光集積回路 - Google Patents

ファイバジャイロ用光集積回路

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JPH11257972A
JPH11257972A JP8023298A JP8023298A JPH11257972A JP H11257972 A JPH11257972 A JP H11257972A JP 8023298 A JP8023298 A JP 8023298A JP 8023298 A JP8023298 A JP 8023298A JP H11257972 A JPH11257972 A JP H11257972A
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JP
Japan
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light
optical
optical waveguide
waveguide
mode
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JP8023298A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Yasuma
康浩 安間
Tomonori Ichikawa
智徳 市川
Junko Nakabayashi
淳子 中林
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FDK Corp
Original Assignee
FDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学系自体の小型化を図り、且つ原理的に光
パワー損失を少なくし、低ノイズ化、低コスト化を図
る。 【解決手段】 光導波路基板10に、光源12からの入
射光を分配する方向性結合型カプラ14と、光を左右両
回り光に分岐させるためのY分岐構造導波路18と、そ
の両分岐導波路に形成した光の位相を制御するための位
相変調器20とを設ける。方向性結合型カプラとY分岐
構造導波路との間の光導波路を切断するように溝32を
形成し、溝内にファラデー素子34と1/2波長板36
とを埋め込みTE−TMモード変換器16とする。方向
性結合型カプラは、その一方の光導波路がチタン拡散光
導波路26で、他方の光導波路がプロトン交換光導波路
28であり、その結合長は戻り光であるTEモード光又
はTMモード光のみが結合する完全結合長に一致するよ
うに構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバジャイ
ロシステムで用いる光集積回路に関し、更に詳しく述べ
ると、方向性結合型カプラの結合係数のモード依存性を
利用して、順方向の場合には光ファイバコイル側に結合
し、逆方向の場合には受光素子側に結合するようにする
と共に、順方向と逆方向のモード変換は、溝に1/2波
長板とファラデー素子を埋め込むことで実現したファイ
バジャイロ用光集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光ファイバを用いたセンシング技術とし
て、「閉じた光ループをそれぞれ逆回りに伝搬した2光
波間には回転に比例した位相差が生じる」というサニャ
ック効果を利用して回転角速度を検出する光ファイバジ
ャイロがある。この光ファイバジャイロの一形式として
干渉方式と呼ばれるものがある。これは、長尺の偏波面
保存ファイバ又は単一モード光ファイバをコイル状に巻
いてセンシングループとし、その中を逆回りに伝搬する
2光波の位相差(サニャックシフト)を干渉検出する方
式である。この位相差を効果的に検出する技術として、
例えば位相変調法が用いられている。
【0003】従来の光ファイバジャイロシステムに用い
られている光学系としては、全て光ファイバで構成した
全光ファイバ方式と、偏光子、光分岐・結合部、及び位
相変調部などを備えた光導波路基板を用いる光集積回路
方式とがある。後者の光ファイバジャイロ光学系の一例
を図4に示す。光源(LD:レーザダイオード)80か
らの放射光を3dBカプラ81で2等分配し、一方の光
を偏光子82によって直線偏光化して光分岐・結合部8
3で分岐させ、それぞれファイバコイル84の両端から
入射させる。2等分配した他方の光は捨てるか、あるい
はモニタ光として利用する。ファイバコイル84を互い
に逆向きに回った光は、光分岐・結合部83で結合し、
偏光子82を通り、3dBカプラ81で2等分配され、
一方が受光素子(PD:フォトダイオード)85に入っ
て電気信号として検出される。光分岐・結合部83と光
ファイバコイル84との間には、位相変調部86を設け
て光波に位相変調をかけるように構成する。
【0004】ここで光分岐・結合部83は、電気光学効
果を有する基板88に形成したY字状分岐部をもつ光導
波路であり、位相変調部86は、同じ基板88に形成し
た直線状の光導波路に並行に設けた複数個(ここでは4
個)の電極89からなる。基板材料としては、例えばニ
オブ酸リチウム(LiNbO3 )結晶などを用いる。光
導波路は、チタン熱拡散法やプロトン交換法によって形
成する。通常、この種の光導波路素子では、偏光依存性
をもつために、取り扱う光は直線偏光となる。特に光フ
ァイバジャイロ用の光集積回路の場合には、要求される
特性上、高消光比の直線偏光が伝搬するように偏光子8
2による偏光調整機能を設けている。
【0005】サニャックシフトの検出は、例えば次のよ
うにして行う。位相変調部86の電極に正弦波発振回路
91から正弦波を印加して変調すると共に、鋸歯状波発
生回路92から鋸歯状波を供給して重畳する。鋸歯状波
の振幅を適当な値に設定すると、その周波数だけ光波周
波数をシフトさせたのと等価にできる。このようにする
と、2つの光導波路を通る両光はファイバコイル84中
を異なる周波数で伝搬することになり、受光素子85で
は位相差をもつ。受光素子85からの受光信号と正弦波
発振回路91からの参照信号とを用いて、デモジュレー
タ93により、前記の位相差でサニャックシフトを打ち
消すように、上記鋸歯状波の周波数に帰還をかける。そ
れによって入力回転角速度に比例した周波数が得られ、
それがジャイロ出力となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の光
学系では、全ファイバ型、光集積回路型のいずれにおい
ても、個別部品が光ファイバを介して接続されており、
光学系が大型化する欠点がある。また各部品は、個別に
パッケージング、気密封止対策が施されているために、
全体のコストが非常に高くなる。
【0007】更に、光学部品として、光を2等分配する
ための3dBカプラを用いているために、最終的に受光
素子に入射可能な光パワーは原理的に光源からの放射光
パワーの25%にまで低下してしまうため、光源のハイ
パワー化、受光素子の感度上昇、光部品の低損失化、光
源の戻り光対策などが必要となる。
【0008】本発明の目的は、光学系自体の小型化を図
り、且つ原理的に光パワー損失の少ない光学系をもつフ
ァイバジャイロ用光集積回路を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明では、方向性結合型カプラの結合係数のモ
ード依存性を利用し、順方向伝搬の場合は光ファイバコ
イル側に結合し、逆方向伝搬の場合は受光素子側に10
0%結合するように方向性結合型カプラを設計し、順
方向と逆方向のモード変換は、バーティカルフォトニク
スの概念を利用し、溝に1/2波長板及びファラデー素
子を埋め込む構成を採用する。
【0010】即ち本発明は、光導波路基板に、光源から
の入射光を分配する方向性結合型カプラと、光を左右両
回り光に分岐させるためのY分岐構造導波路と、その両
分岐導波路に形成した光の位相を制御するための位相変
調器とを設けたファイバジャイロ用光集積回路である。
本発明では、方向性結合型カプラとY分岐構造導波路と
の間の光導波路を切断するように溝を形成し、該溝内に
ファラデー素子と1/2波長板とを埋め込んだTE−T
Mモード変換器を設ける。また、前記方向性結合型カプ
ラは、その一方の光導波路がチタン拡散光導波路で、他
方の光導波路がプロトン交換光導波路であり、その結合
長は戻り光であるTEモード光又はTMモード光のみが
結合する完全結合長に一致するように構成する。
【0011】
【発明の実施の形態】光集積回路基板としては、特に二
オブ酸リチウム基板が好適である。ニオブ酸リチウム基
板を用いた場合に上記の構成例では、方向性結合型カプ
ラを構成する2光導波路のうち、光源に接続する方をチ
タン拡散光導波路とし、受光素子に接続する方をプロト
ン交換光導波路とする。そして光源に接続する光導波路
には偏光子を設ける。TE−TMモード変換器の構成要
素であるファラデー素子としては、例えば磁性鉄ガーネ
ット単結晶を用いる。ファラデー素子及び1/2波長板
を挿入する溝の前後で光導波路のコア径を拡大しておく
と、光伝搬の損失を少なくできるため好ましい。
【0012】前記方向性結合型カプラは、その光導波路
を全てチタン拡散光導波路によって構成し、TEモード
光とTMモード光とで完全結合長が2倍となるような構
成としてもよい。
【0013】
【実施例】図1は本発明に係るファイバジャイロ用光集
積回路の一実施例を示す説明図である。光導波路基板1
0に、光源(レーザダイオード)12からの放射光を分
配する方向性結合型カプラ14と、モード変換器16
と、光を左右両回り光に分岐させるためのY分岐構造導
波路18と、その両分岐導波路に形成した光の位相を制
御するための位相変調器20とを設けた構成である。こ
の光集積回路には、光学系として、前記光源12の他、
ファイバコイル22と受光素子(フォトダイオード)2
4が接続される。
【0014】光導波路基板10としては、例えばZカッ
トしたニオブ酸リチウム(LiNbO3 )結晶を用い
る。この光導波路基板10に方向性結合型カプラ14を
設けるが、その方向性結合型カプラ14は、その一方
(光源12に接続される方)の光導波路がチタン拡散光
導波路26で、他方(受光素子24に接続される方)の
光導波路がプロトン交換光導波路28であり、その結合
長は戻り光であるTMモード光のみが結合する完全結合
長に一致するように設計されている。チタン拡散光導波
路26の光源側には偏光子30を設ける。この偏光子3
0は、例えば、光導波路基板10の表面に金属膜を装荷
した構成でよい。
【0015】モード変換器16は、方向性結合型カプラ
14とY分岐構造導波路18との間の光導波路を切断す
るように溝32を形成し、該溝32内にファラデー素子
34と1/2波長板36とを光路方向に重ねて埋め込む
構造であり、非相反方式でTE−TMモード変換を行う
機能を果たす。ファラデー素子34に磁界を印加するた
めの永久磁石(図示せず)は、光導波路基板の外側に設
ける。但し、材料設計によっては、外部に永久磁石を設
けなくてもファラデー回転子を構成できる。
【0016】ここでは図2に示すように、光導波路基板
10に形成した溝32の前後の光導波路38は、そのコ
ア部を拡大した形状とする。これは光ファイバなどでも
用いられている技術であり、このようにコア部を拡大し
ておくと、モード変換器16での回折損失を極力少なく
することができるため好ましい。
【0017】位相変調器20は、Y分岐構造導波路18
の分岐した直線状の各光導波路に近接並行して設けた複
数個(ここでは3個)の電極40からなる。それらの電
極40に外部から電圧を印加することで、光導波路を伝
搬する光波に所望の変調をかけることができるようにな
っている。
【0018】この光集積回路は次のように動作する。ま
ず順方向(入射方向)では、光源12からの出射光はチ
タン拡散光導波路26に入る。Zカット基板のチタン拡
散光導波路ではTEモード光とTMモード光の両方が伝
搬するが、金属膜装荷型の偏光子30によってTMモー
ド光が減衰するため、TEモード光のみが方向性結合型
カプラ14に入射する。ここで、受光素子24に結合す
るプロトン交換光導波路28は異常光(TMモード光)
のみを導波するものであるために、上記TEモード光は
方向性結合型カプラ14をそのまま直進する。そして、
この後段に形成されているモード変換器16においてフ
ァラデー素子34と1/2波長板36とで偏波面が合計
90°回転してTMモード光に変換される。以降のY分
岐構造導波路20では、このTMモードが保持され、フ
ァイバコイル22を伝搬する。
【0019】次に逆方向(戻り方向)では、ファイバコ
イル22から戻ってきたTMモードの信号光は、Y分岐
構造導波路18で合波され干渉を起こし、モード変換器
16を通る。モード変換器16では、ファラデー素子3
4と1/2波長板36との偏波面の回転方向が打ち消さ
れるため、TMモード光のまま保持される。方向性結合
型カプラ14は、TMモード光に対して完全結合長に一
致するように設計されており、プロトン交換光導波路2
8がTMモード光のみを伝搬するものであるため、戻り
光は全てプロトン交換光導波路28に結合して、受光素
子24に入射する。
【0020】Xカットされた二オブ酸リチウム基板を用
いる場合には、チタン拡散光導波路はTEモード光とT
Mモード光の両方を導波するが、プロトン交換光導波路
はTEモード光のみ導波する。そこで例えば図1のよう
な構成(但し、金属膜装荷型の偏光子は設けない)で、
チタン拡散光導波路にTMモード光を入射すると、TM
モード光は方向性結合型カプラをそのまま直進し、その
後段のモード変換器で偏波面が合計90°回転してTE
モード光となる。以降のY分岐構造導波路では、このT
Eモードが保持され、ファイバコイルを伝搬する。逆方
向では、ファイバコイルから戻ってきたTEモードの信
号光は、Y分岐構造導波路で合波され干渉を起こし、モ
ード変換器を通るが、モード変換器ではTEモード光の
まま保持される。方向性結合型カプラは、TEモード光
に対して完全結合するように設計されているため、戻り
光は全てプロトン交換光導波路に結合して受光素子に入
射する。
【0021】いずれの結晶方位においても、順方向及び
逆方向どちらの方向でモード変換を起こす構成としても
よいが、位相変調器の低駆動電圧化を実現できる大きな
電気光学定数を利用できるモードをY分岐構造導波路内
に伝搬させる構成が望まれる。
【0022】図3は本発明に係るファイバジャイロ用光
集積回路の他の実施例を示す説明図である。基本的な構
成は図1に示すものと同様であるから、説明を簡略化す
るために、対応する部分には同一符号を付し、それらに
ついての説明は省略する。この実施例でも光導波路基板
10としてニオブ酸リチウム(LiNbO3 )結晶を用
いている。但し、光導波路は全てチタン熱拡散法により
形成し、方向性結合型カプラ44はTEモード光とTM
モード光とで完全結合長が2倍となるように設計する。
【0023】この光集積回路は次のように動作する。ま
ず順方向(入射方向)では、光源12から入射した光
は、偏光子30によりTEモードに保持されて方向性結
合型カプラ44に入射する。方向性結合型カプラ44
は、TEモードに対して完全結合長の2倍の結合長に設
定されているために、そのまま直進し、その後段に形成
されているモード変換器16ではファラデー素子34と
1/2波長板36とで偏波面の回転方向が打ち消し合う
ためTEモードのまま保持される(このモード変換器1
6では、図1の場合とファラデー素子に印加する磁界の
向きが逆に設定してある)。以降のY分岐構造導波路1
8では、このTEモードが保持され、ファイバコイル2
2を伝搬する。
【0024】次に逆方向(戻り方向)では、ファイバコ
イル22から戻ってきたTEモードの信号光は、Y分岐
構造導波路18で合波され干渉を起こし、モード変換器
16を通る。モード変換器16では、ファラデー素子3
4と1/2波長板36とで偏波面が合計90°回転する
ため、TMモード光に変換される。方向性結合型カプラ
44は、TMモード光に対して完全結合長に一致するよ
うに設計されているので、戻り光は全て受光素子24に
結合することになる。
【0025】なお本発明において、使用する光波のモー
ドは、基板結晶の利用方位や電気光学定数の考慮などに
より変更可能である。
【0026】
【発明の効果】本発明は上記のように、方向性結合型カ
プラの結合係数のモード依存性を利用し、またTE−T
Mモード変換には溝に1/2波長板とファラデー素子を
埋め込む構成を採用したファイバジャイロ用光集積回路
であるから、受光素子に結合する光パワーを増大するこ
とが可能となり、低損失化、低ノイズ化を図ることがで
きる。その結果、必ずしも光源のハイパワー化、受光素
子の高感度化を図らなくても良好な特性を発揮させるこ
とができる。
【0027】また完全な光集積回路化が可能なため、個
別部品が要らず、小型化でき、総合的なコストを低減で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るファイバジャイロ用光集積回路の
一実施例を示す説明図。
【図2】そのTE−TMモード変換器の近傍の拡大説明
図。
【図3】本発明に係るファイバジャイロ用光集積回路の
他の実施例を示す説明図。
【図4】従来のファイバジャイロシステムの一例を示す
説明図。
【符号の説明】
10 光集積回路基板 12 光源 14 方向性結合型カプラ 16 モード変換器 18 Y分岐構造導波路 20 位相変調器 22 ファイバジャイロ 24 受光素子 34 ファラデー素子 36 1/2波長板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光導波路基板に、光源からの入射光を分
    配する方向性結合型カプラと、光を左右両回り光に分岐
    させるためのY分岐構造導波路と、その両分岐導波路に
    形成した光の位相を制御するための位相変調器とを設け
    たファイバジャイロ用光集積回路において、 方向性結合型カプラとY分岐構造導波路との間の光導波
    路を切断するように溝が形成され、該溝内にファラデー
    素子と1/2波長板とを埋め込んだTE−TMモード変
    換器が設けられていて、 前記方向性結合型カプラは、その一方の光導波路がチタ
    ン拡散光導波路で、他方の光導波路がプロトン交換光導
    波路であり、その結合長は戻り光であるTEモード光又
    はTMモード光のみが結合する完全結合長に一致してい
    るファイバジャイロ用光集積回路。
  2. 【請求項2】 光導波路基板に、光源からの入射光を分
    配する方向性結合型カプラと、光を左右両回り光に分岐
    させるためのY分岐構造導波路と、その両分岐導波路に
    形成した光の位相を制御するための位相変調器とを設け
    たファイバジャイロ用光集積回路において、 方向性結合型カプラとY分岐構造導波路との間の光導波
    路を切断するように溝が形成され、該溝内にファラデー
    素子と1/2波長板とを埋め込んだTE−TMモード変
    換器が設けられていて、 前記方向性結合型カプラは、その光導波路がチタン拡散
    光導波路からなり、TEモード光とTMモード光とで完
    全結合長が2倍となっているファイバジャイロ用光集積
    回路。
  3. 【請求項3】 光導波路基板に形成した溝の前後の光導
    波路は、そのコア部が拡大された形状をなしている請求
    項1又は2記載のファイバジャイロ用光集積回路。
  4. 【請求項4】 光導波路基板がニオブ酸リチウム基板で
    ある請求項1乃至3記載のファイバジャイロ用光集積回
    路。
  5. 【請求項5】 ファラデー素子が磁性鉄ガーネット単結
    晶からなる請求項1乃至4記載のファイバジャイロ用光
    集積回路。
JP8023298A 1998-03-12 1998-03-12 ファイバジャイロ用光集積回路 Pending JPH11257972A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112965271A (zh) * 2021-02-05 2021-06-15 中国电子科技集团公司第四十四研究所 铌酸锂薄膜双y分支光波导相位调制器

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112965271A (zh) * 2021-02-05 2021-06-15 中国电子科技集团公司第四十四研究所 铌酸锂薄膜双y分支光波导相位调制器

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