JPH1125420A - 薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気記録再生装置Info
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- JPH1125420A JPH1125420A JP17678197A JP17678197A JPH1125420A JP H1125420 A JPH1125420 A JP H1125420A JP 17678197 A JP17678197 A JP 17678197A JP 17678197 A JP17678197 A JP 17678197A JP H1125420 A JPH1125420 A JP H1125420A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】飽和磁束密度及び保磁力を損なわず、高電気抵
抗率なめっき膜を用いた薄膜磁気ヘッドとその製造方法
及び磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】上部磁性膜あるいは下部磁性膜の少なくと
も一部を、フレームめっき法により形成されたＣｏ，Ｎ
ｉ，Ｆｅより選ばれる２種以上とＰ２〜１０ａｔ％を含
有する軟磁性膜で形成した記録ヘッド。この軟磁性膜は
２価のＣｏ，Ｎｉ及びＦｅイオンの濃度範囲がそれぞれ
６〜１５ｇ／ｌ，４〜２０ｇ／ｌ，０.７〜１５ｇ／ｌ
であり、応力緩和剤，界面活性剤及び緩衝剤としてクエ
ン酸を含むめっき浴によって形成される。
抗率なめっき膜を用いた薄膜磁気ヘッドとその製造方法
及び磁気記録再生装置を提供する。 【解決手段】上部磁性膜あるいは下部磁性膜の少なくと
も一部を、フレームめっき法により形成されたＣｏ，Ｎ
ｉ，Ｆｅより選ばれる２種以上とＰ２〜１０ａｔ％を含
有する軟磁性膜で形成した記録ヘッド。この軟磁性膜は
２価のＣｏ，Ｎｉ及びＦｅイオンの濃度範囲がそれぞれ
６〜１５ｇ／ｌ，４〜２０ｇ／ｌ，０.７〜１５ｇ／ｌ
であり、応力緩和剤，界面活性剤及び緩衝剤としてクエ
ン酸を含むめっき浴によって形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な薄膜磁気ヘ
ッドとその製造法及び磁気記録再生装置に係り、特にそ
の磁気ヘッド用磁気コアとそれを用いた高記録密度用記
録再生分離型磁気ヘッドの記録ヘッドに用いる薄膜磁気
ヘッドとその製造法に関する。
ッドとその製造法及び磁気記録再生装置に係り、特にそ
の磁気ヘッド用磁気コアとそれを用いた高記録密度用記
録再生分離型磁気ヘッドの記録ヘッドに用いる薄膜磁気
ヘッドとその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の高記録密度化
に伴って、記録媒体の高保磁力化が進み、高保磁力媒体
に記録できる薄膜磁気ヘッドが要求されている。そのた
めには、磁気ヘッドの磁気コア材料に、高飽和磁束密度
を有し、かつ高周波特性に優れた材料を用いる必要があ
る。現在の薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアは、フレーム
めっき法で作製される。その材料として、７８ｗｔ％Ｎ
ｉ−Ｆｅ（パーマロイ）が公知であるが、飽和磁束密度
は１.０Ｔ、電気抵抗率も２０μΩcmと低い。
に伴って、記録媒体の高保磁力化が進み、高保磁力媒体
に記録できる薄膜磁気ヘッドが要求されている。そのた
めには、磁気ヘッドの磁気コア材料に、高飽和磁束密度
を有し、かつ高周波特性に優れた材料を用いる必要があ
る。現在の薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアは、フレーム
めっき法で作製される。その材料として、７８ｗｔ％Ｎ
ｉ−Ｆｅ（パーマロイ）が公知であるが、飽和磁束密度
は１.０Ｔ、電気抵抗率も２０μΩcmと低い。
【０００３】その他の材料として、特開昭62−256989号
あるいは特開平6−5423 号にみられるようなＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ合金，Ｃｏ−Ｆｅ合金が挙げられる。これらは飽
和磁束密度が約１.５Ｔ と高いが、電気抵抗率が約２０
μΩcmと低いために高周波での透磁率が低下するという
問題がある。
あるいは特開平6−5423 号にみられるようなＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ合金，Ｃｏ−Ｆｅ合金が挙げられる。これらは飽
和磁束密度が約１.５Ｔ と高いが、電気抵抗率が約２０
μΩcmと低いために高周波での透磁率が低下するという
問題がある。
【０００４】特願平7−16666号には、４０〜６０ｗｔ％
Ｎｉ−Ｆｅ合金材料が開示されている。上記Ｎｉ−Ｆｅ
合金は、飽和磁束密度が１.４Ｔ 以上と高いが、電気抵
抗率が４０μΩcm程度とＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金に比較し
て高いが、高周波対応としてはまだ不十分である。
Ｎｉ−Ｆｅ合金材料が開示されている。上記Ｎｉ−Ｆｅ
合金は、飽和磁束密度が１.４Ｔ 以上と高いが、電気抵
抗率が４０μΩcm程度とＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金に比較し
て高いが、高周波対応としてはまだ不十分である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】高い磁気記録密度を有
する磁気ディスク装置に対応する薄膜磁気ヘッドに要求
される性能は、飽和磁束密度が高く高保磁力媒体に対し
て十分記録が可能であること、電気抵抗率が大きく高周
波領域において記録磁界強度が低下しないこと、保磁力
が小さいこと、耐熱性が良くヘッドプロセスに十分耐え
られることが挙げられる。さらに重要なことは、磁歪定
数が小さく、磁気コアの磁区構造が適正化されやすいこ
とである。
する磁気ディスク装置に対応する薄膜磁気ヘッドに要求
される性能は、飽和磁束密度が高く高保磁力媒体に対し
て十分記録が可能であること、電気抵抗率が大きく高周
波領域において記録磁界強度が低下しないこと、保磁力
が小さいこと、耐熱性が良くヘッドプロセスに十分耐え
られることが挙げられる。さらに重要なことは、磁歪定
数が小さく、磁気コアの磁区構造が適正化されやすいこ
とである。
【０００６】これらの要求を満たすために、Ｃｏ−Ｆｅ
合金，Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金などに第
３及び第４の元素を添加し、膜の高飽和磁束密度化，高
電気抵抗率化あるいは低磁歪化を図っている。しかし、
磁歪定数を低減するということは、膜の垂直異方性の寄
与が大きくなり、保磁力を小さくする点で難しい。
合金，Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金などに第
３及び第４の元素を添加し、膜の高飽和磁束密度化，高
電気抵抗率化あるいは低磁歪化を図っている。しかし、
磁歪定数を低減するということは、膜の垂直異方性の寄
与が大きくなり、保磁力を小さくする点で難しい。
【０００７】本発明の目的は、上部及び下部磁性膜の少
なくとも一部をＣｏ，Ｎｉ及びＦｅの２種以上の合金よ
りなり、特にめっき膜として高抵抗率で、かつ良好な磁
気特性を備えた薄膜磁気ヘッドとその製造法及び磁気記
録再生装置を提供することにある。
なくとも一部をＣｏ，Ｎｉ及びＦｅの２種以上の合金よ
りなり、特にめっき膜として高抵抗率で、かつ良好な磁
気特性を備えた薄膜磁気ヘッドとその製造法及び磁気記
録再生装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜磁気ヘッ
ドの上部磁性膜あるいは下部磁性膜の少なくとも一部
が、好ましくは、フレームめっき法により作製したＰ２
〜１０原子％を含み、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅ２種以上を主
成分とする軟磁性合金薄膜で形成することを特徴とす
る。
ドの上部磁性膜あるいは下部磁性膜の少なくとも一部
が、好ましくは、フレームめっき法により作製したＰ２
〜１０原子％を含み、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅ２種以上を主
成分とする軟磁性合金薄膜で形成することを特徴とす
る。
【０００９】本発明に係るフレームめっきに用いるめっ
き浴は、２価のＣｏ，Ｎｉ及びＦｅイオンの濃度範囲が
それぞれ６〜１５ｇ／ｌ，４〜２０ｇ／ｌ，０.７〜１
５.０ｇ／ｌであり、これらを２種以上含み、かつ応力
緩和剤，界面活性剤及び緩衝剤としてクエン酸を添加し
た溶媒を含み、ｐＨが２.０〜３.５であるめっき浴を用
いてフレームめっきすることを特徴とする製造法にあ
る。また、めっき浴の温度を２０〜３０℃に保持し、か
つ電流密度５〜２５ｍＡ／cm2 で磁界中でフレームめっ
きにより形成するのが好ましい。
き浴は、２価のＣｏ，Ｎｉ及びＦｅイオンの濃度範囲が
それぞれ６〜１５ｇ／ｌ，４〜２０ｇ／ｌ，０.７〜１
５.０ｇ／ｌであり、これらを２種以上含み、かつ応力
緩和剤，界面活性剤及び緩衝剤としてクエン酸を添加し
た溶媒を含み、ｐＨが２.０〜３.５であるめっき浴を用
いてフレームめっきすることを特徴とする製造法にあ
る。また、めっき浴の温度を２０〜３０℃に保持し、か
つ電流密度５〜２５ｍＡ／cm2 で磁界中でフレームめっ
きにより形成するのが好ましい。
【００１０】前記軟磁性合金薄膜は原子比でＣｏ７０〜
８２％，Ｎｉ５〜１５％，Ｆｅ３〜１２％，Ｐ２〜１０
％からなる合金薄膜が好ましい。
８２％，Ｎｉ５〜１５％，Ｆｅ３〜１２％，Ｐ２〜１０
％からなる合金薄膜が好ましい。
【００１１】前記軟磁性合金薄膜は原子比で、Ｎｉ４０
〜８０％，Ｆｅ２０〜６０％，Ｐ２〜１０％からなる合
金薄膜が好ましい。
〜８０％，Ｆｅ２０〜６０％，Ｐ２〜１０％からなる合
金薄膜が好ましい。
【００１２】本発明は、下部磁性膜と、下部磁性膜上に
形成され一端が下部磁性膜の一端に接しており、他端が
下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気
回路を形成する上部磁性膜と、両磁性膜の間に電気的に
絶縁された膜を介して、磁気コアと交差する所定巻回数
のコイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁
性膜及び下部磁性膜の少なくとも一部が、Ｎｉ及びＦｅ
を含有するＣｏ合金からなり、電気抵抗率が３０〜６０
μΩcm，異方性磁界が１５〜３０Oe及び保磁力が１Ｏｅ
以下又は、Ｐ２〜１０原子％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合
金からなり、電気抵抗率が５０〜９０μΩcm及び保磁力
が１Ｏｅ以下であることを特徴とする。
形成され一端が下部磁性膜の一端に接しており、他端が
下部磁性膜の他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気
回路を形成する上部磁性膜と、両磁性膜の間に電気的に
絶縁された膜を介して、磁気コアと交差する所定巻回数
のコイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁
性膜及び下部磁性膜の少なくとも一部が、Ｎｉ及びＦｅ
を含有するＣｏ合金からなり、電気抵抗率が３０〜６０
μΩcm，異方性磁界が１５〜３０Oe及び保磁力が１Ｏｅ
以下又は、Ｐ２〜１０原子％を含有するＮｉ−Ｆｅ系合
金からなり、電気抵抗率が５０〜９０μΩcm及び保磁力
が１Ｏｅ以下であることを特徴とする。
【００１３】
（実施例１）基板は、下地膜としてＮｉ−Ｆｅ（８０ｎ
ｍ）／Ｃｒ（３０ｎｍ）膜を形成したガラス基板を用い
た。表１に示すめっき浴を用いて約３００Ｏｅの磁界中
でＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ膜を作製した。作製時における
めっき条件は、ｐＨは3.0,浴温度３０℃，電流密度は１
５ｍＡ／cm2 である。この時、Ｐを添加する前のＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成は７５Ｃｏ−１１Ｎｉ−１４Ｆｅ
（ａｔ％）であり、磁性特性はρ＝１５μΩcm，Ｈｋ＝
１２Ｏｅ，Ｈｃｈ＝１.０Ｏｅであった。
ｍ）／Ｃｒ（３０ｎｍ）膜を形成したガラス基板を用い
た。表１に示すめっき浴を用いて約３００Ｏｅの磁界中
でＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ膜を作製した。作製時における
めっき条件は、ｐＨは3.0,浴温度３０℃，電流密度は１
５ｍＡ／cm2 である。この時、Ｐを添加する前のＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成は７５Ｃｏ−１１Ｎｉ−１４Ｆｅ
（ａｔ％）であり、磁性特性はρ＝１５μΩcm，Ｈｋ＝
１２Ｏｅ，Ｈｃｈ＝１.０Ｏｅであった。
【００１４】
【表１】
【００１５】図１は、Ｐの添加量におけるめっき膜の組
成変化を示す。めっき膜にＰが添加されると、Ｎｉ組成
は増える傾向に、Ｃｏ及びＦｅ組成は減る傾向にある。
Ｐを０から７ａｔ％まで添加していくと、Ｆｅは１４か
ら５ａｔ％に低減し、Ｎｉは１１から１５ａｔ％に増大
し、Ｃｏは７５から７２ａｔ％に低減している。図２は
めっき膜のＰ含有量と電気抵抗率ρ及び図３はＰ含有率
と異方性磁界Ｈｋ及び保磁力Ｈｃｈの関係を示す線図で
ある。ρはＣｏＮｉＦｅの若干の組成変化に関係なくＰ
含有量に伴って直線的に大きくなり、Ｐ０％の１５μΩ
cmから６ａｔ％で６０μΩcmまで約４倍に増大する。Ｈ
ｃｈはＰ含有量６ａｔ％までは１Ｏｅ以下と小さい。一
方、ＨｋはＰ含有量と伴に増加し、６ａｔ％で約２５Ｏ
ｅである。このＨｋが大きいことは、磁気コアの磁区構
造を適正化する上で好ましい。Ｐを添加する前のＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅの膜組成を変えた場合の検討結果、ρは、Ｐ
の添加量で決まり、保磁力を増大させないＰの最大添加
量は、８ａｔ％であった。これらの膜を、フレームめっ
きして磁気コア形状にし、磁区構造を評価した。磁界中
熱処理なしでも磁気コアの磁化の向きがトラック幅方向
に向き、磁区構造は適正化される。
成変化を示す。めっき膜にＰが添加されると、Ｎｉ組成
は増える傾向に、Ｃｏ及びＦｅ組成は減る傾向にある。
Ｐを０から７ａｔ％まで添加していくと、Ｆｅは１４か
ら５ａｔ％に低減し、Ｎｉは１１から１５ａｔ％に増大
し、Ｃｏは７５から７２ａｔ％に低減している。図２は
めっき膜のＰ含有量と電気抵抗率ρ及び図３はＰ含有率
と異方性磁界Ｈｋ及び保磁力Ｈｃｈの関係を示す線図で
ある。ρはＣｏＮｉＦｅの若干の組成変化に関係なくＰ
含有量に伴って直線的に大きくなり、Ｐ０％の１５μΩ
cmから６ａｔ％で６０μΩcmまで約４倍に増大する。Ｈ
ｃｈはＰ含有量６ａｔ％までは１Ｏｅ以下と小さい。一
方、ＨｋはＰ含有量と伴に増加し、６ａｔ％で約２５Ｏ
ｅである。このＨｋが大きいことは、磁気コアの磁区構
造を適正化する上で好ましい。Ｐを添加する前のＣｏ−
Ｎｉ−Ｆｅの膜組成を変えた場合の検討結果、ρは、Ｐ
の添加量で決まり、保磁力を増大させないＰの最大添加
量は、８ａｔ％であった。これらの膜を、フレームめっ
きして磁気コア形状にし、磁区構造を評価した。磁界中
熱処理なしでも磁気コアの磁化の向きがトラック幅方向
に向き、磁区構造は適正化される。
【００１６】図４は、上記ＣｏＮｉＦｅＰめっき膜を用
いた磁気ヘッドを作製した薄膜磁気ヘッド１０の断面図
である。基板１１には、表面を十分に研磨，洗浄したセ
ラミック基板を用いた。基板１１に、下部磁性膜１２と
して、厚さ２.８μｍ の窒素を含んだパーマロイ（７８
ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎ）膜を高周波スパッタリング法で
作製した。このパーマロイ膜の特性はＨｃｈが０.５Ｏ
ｅ，Ｂｓが１.０Ｔ，λｓが−１.０×１０-7 である。
上記下部磁性膜１２をイオンミリングにより、所定の形
状にパターニング下後、Ａｌ2Ｏ3からなる磁気ギャップ
膜１３をスパッタし、イオンミリング法によりパターニ
ングした。次に、ホトレジストからなる絶縁膜１４を塗
布，露光，現像，熱処理により所定の形状にパターニン
グした後、絶縁膜１４上に、Ｃｕからなるコイル１５を
めっき法により作製し、さらに絶縁膜１４と同様に絶縁
膜１６を形成、パターニングした。絶縁膜１６上に、フ
レームめっき法を用いて、厚さ３μｍの上部磁性膜１７
を形成した。ここで、上部磁性膜の組成は、７４Ｃｏ−
１２Ｎｉ−８Ｆｅ−６Ｐ（ａｔ％）で膜のρは６０μΩ
cmである。めっき後の磁界中熱処理は施していない。最
後に、Ａｌ2Ｏ3からなる保護膜１８を形成し、薄膜磁気
ヘッド１０を作製した。
いた磁気ヘッドを作製した薄膜磁気ヘッド１０の断面図
である。基板１１には、表面を十分に研磨，洗浄したセ
ラミック基板を用いた。基板１１に、下部磁性膜１２と
して、厚さ２.８μｍ の窒素を含んだパーマロイ（７８
ｗｔ％Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎ）膜を高周波スパッタリング法で
作製した。このパーマロイ膜の特性はＨｃｈが０.５Ｏ
ｅ，Ｂｓが１.０Ｔ，λｓが−１.０×１０-7 である。
上記下部磁性膜１２をイオンミリングにより、所定の形
状にパターニング下後、Ａｌ2Ｏ3からなる磁気ギャップ
膜１３をスパッタし、イオンミリング法によりパターニ
ングした。次に、ホトレジストからなる絶縁膜１４を塗
布，露光，現像，熱処理により所定の形状にパターニン
グした後、絶縁膜１４上に、Ｃｕからなるコイル１５を
めっき法により作製し、さらに絶縁膜１４と同様に絶縁
膜１６を形成、パターニングした。絶縁膜１６上に、フ
レームめっき法を用いて、厚さ３μｍの上部磁性膜１７
を形成した。ここで、上部磁性膜の組成は、７４Ｃｏ−
１２Ｎｉ−８Ｆｅ−６Ｐ（ａｔ％）で膜のρは６０μΩ
cmである。めっき後の磁界中熱処理は施していない。最
後に、Ａｌ2Ｏ3からなる保護膜１８を形成し、薄膜磁気
ヘッド１０を作製した。
【００１７】上記薄膜磁気ヘッド１０を用いて、オーバ
ーライト特性を評価した。図５は、オーバーライト特性
の周波数依存性を示す。磁気記録媒体には、残留磁束密
度２５００ＯｅのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッドのトラック幅は２.０μｍ とし
た。比較のために、上部磁性膜を従来の７５Ｃｏ−１１
Ｎｉ−１４Ｆｅ（ａｔ％）めっき膜（ρ＝１４μΩcm）
で形成した磁気ヘッドの特性を合わせて示す。図に示す
ように、本発明の薄膜磁気ヘッドは、１００ＭＨｚの高
周波においても高い記録磁界を有することを確認した。
ーライト特性を評価した。図５は、オーバーライト特性
の周波数依存性を示す。磁気記録媒体には、残留磁束密
度２５００ＯｅのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッドのトラック幅は２.０μｍ とし
た。比較のために、上部磁性膜を従来の７５Ｃｏ−１１
Ｎｉ−１４Ｆｅ（ａｔ％）めっき膜（ρ＝１４μΩcm）
で形成した磁気ヘッドの特性を合わせて示す。図に示す
ように、本発明の薄膜磁気ヘッドは、１００ＭＨｚの高
周波においても高い記録磁界を有することを確認した。
【００１８】（実施例２）基板は、下地膜としてＮｉ−
Ｆｅ（８０ｎｍ）／Ｃｒ（３０ｎｍ）膜を形成したガラ
ス基板を用いた。表２に示すめっき浴を用いて約３００
Ｏｅの磁界中でＮｉ−Ｆｅ−Ｐ膜を作製した。作製時に
おけるめっき条件は、ｐＨは３.０ ，浴温度３０℃，電
流密度は２０ｍＡ／cm2 である。この時、Ｐを添加する
前のＮｉ−Ｆｅ膜の組成は４４Ｎｉ−５６Ｆｅ(ａｔ％)
で、磁気特性は、ρ＝４２μΩcm，Ｈｋ＝１０Ｏｅ，Ｈ
ｃｈ=０.２Ｏｅである。
Ｆｅ（８０ｎｍ）／Ｃｒ（３０ｎｍ）膜を形成したガラ
ス基板を用いた。表２に示すめっき浴を用いて約３００
Ｏｅの磁界中でＮｉ−Ｆｅ−Ｐ膜を作製した。作製時に
おけるめっき条件は、ｐＨは３.０ ，浴温度３０℃，電
流密度は２０ｍＡ／cm2 である。この時、Ｐを添加する
前のＮｉ−Ｆｅ膜の組成は４４Ｎｉ−５６Ｆｅ(ａｔ％)
で、磁気特性は、ρ＝４２μΩcm，Ｈｋ＝１０Ｏｅ，Ｈ
ｃｈ=０.２Ｏｅである。
【００１９】
【表２】
【００２０】図６は、Ｐの添加量におけるめっき膜の組
成変化を示す。Ｐ含有量の増加に伴い、Ｎｉ組成は増加
し、Ｆｅ組成は減少する。Ｐを０から１０ａｔ％まで添
加していくと、Ｎｉは４２から７０ａｔ％に増大しＦｅ
は５６から１９ａｔ％に減少する。
成変化を示す。Ｐ含有量の増加に伴い、Ｎｉ組成は増加
し、Ｆｅ組成は減少する。Ｐを０から１０ａｔ％まで添
加していくと、Ｎｉは４２から７０ａｔ％に増大しＦｅ
は５６から１９ａｔ％に減少する。
【００２１】図７は、Ｐ含有量と電気抵抗率ρ、図８は
Ｐ含有量と異方性磁界Ｈｋ及び保磁力Ｈｃｈの関係を示
す。ρはＰ含有量の増加と共に大きくなりＰ０％の42μ
Ωcmから８ａｔ％で９０μΩcmまで約２倍に増大し、１
０ａｔ％含有されても僅かに増加するだけでほぼ飽和し
ている。
Ｐ含有量と異方性磁界Ｈｋ及び保磁力Ｈｃｈの関係を示
す。ρはＰ含有量の増加と共に大きくなりＰ０％の42μ
Ωcmから８ａｔ％で９０μΩcmまで約２倍に増大し、１
０ａｔ％含有されても僅かに増加するだけでほぼ飽和し
ている。
【００２２】ＨｃｈはＰ含有量によらず０.２Ｏｅ 程度
と小さい。したがって、Ｐの含有量は最大１０ａｔ％で
ある。
と小さい。したがって、Ｐの含有量は最大１０ａｔ％で
ある。
【００２３】これらの膜を、フレームめっきして磁気コ
ア形状にし、磁区構造を評価した。従来の４０〜６０ｗ
ｔ％Ｎｉ−Ｆｅめっき膜と比較して、低い熱処理温度で
磁気コアの磁化の向きがトラック幅方向に向き、磁区構
造は適正化される。
ア形状にし、磁区構造を評価した。従来の４０〜６０ｗ
ｔ％Ｎｉ−Ｆｅめっき膜と比較して、低い熱処理温度で
磁気コアの磁化の向きがトラック幅方向に向き、磁区構
造は適正化される。
【００２４】（実施例３）図９は、実施例１〜３に記載
の上部磁性膜及び下部磁性膜を用いた本発明の薄膜磁気
ヘッドを用いた記録再生分離型ヘッドの斜視図である。
図１０は、図９に示すヘッドが搭載された磁気記録再生
装置の概略図である。磁気記録再生装置は、磁気記録媒
体としての磁気ディスク３１を回転駆動する磁気記録媒
体駆動部３２と、記録再生分離型ヘッドが搭載されたヘ
ッドスライダ３３と、ヘッドスライダ３３を磁気ディス
ク３１に沿って移動させる磁気ヘッド駆動部３４と、記
録及び再生の信号処理を行う記録再生信号処理系３５な
どを備えて構成されている。
の上部磁性膜及び下部磁性膜を用いた本発明の薄膜磁気
ヘッドを用いた記録再生分離型ヘッドの斜視図である。
図１０は、図９に示すヘッドが搭載された磁気記録再生
装置の概略図である。磁気記録再生装置は、磁気記録媒
体としての磁気ディスク３１を回転駆動する磁気記録媒
体駆動部３２と、記録再生分離型ヘッドが搭載されたヘ
ッドスライダ３３と、ヘッドスライダ３３を磁気ディス
ク３１に沿って移動させる磁気ヘッド駆動部３４と、記
録及び再生の信号処理を行う記録再生信号処理系３５な
どを備えて構成されている。
【００２５】ヘッドスライダ３３には、図９に示すよう
に再生用ヘッド２８と記録用ヘッド２９が搭載されてい
る。再生用ヘッド２８には、磁気抵抗センサとして、基
板２１，下部シールド膜２２，磁気抵抗効果膜２３，一
対の電極２４を備えて構成されている。
に再生用ヘッド２８と記録用ヘッド２９が搭載されてい
る。再生用ヘッド２８には、磁気抵抗センサとして、基
板２１，下部シールド膜２２，磁気抵抗効果膜２３，一
対の電極２４を備えて構成されている。
【００２６】一方、記録用ヘッド２９は、下部磁性膜２
５，コイル２６，上部磁性膜２７を備えて構成されてお
り、下部磁性膜２５は漏れ磁界によるノイズが再生ヘッ
ド２８に混入するのを防止するためにシールド膜として
も機能している。この記録用ヘッド２９が本発明の薄膜
磁気ヘッドである。
５，コイル２６，上部磁性膜２７を備えて構成されてお
り、下部磁性膜２５は漏れ磁界によるノイズが再生ヘッ
ド２８に混入するのを防止するためにシールド膜として
も機能している。この記録用ヘッド２９が本発明の薄膜
磁気ヘッドである。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のめっき膜に比較して、飽和磁束密度及び保磁力を
損なわず、高電気抵抗率なめっき膜を得ることができ
る。したがって、高保磁力媒体に対しても、高周波領域
においても十分記録可能な記録ヘッドを提供することが
できる。上記記録ヘッドを用いることにより100ＭＨｚ
程度の高周波領域においても記録が可能な高性能磁気記
録再生装置を得ることができる。
従来のめっき膜に比較して、飽和磁束密度及び保磁力を
損なわず、高電気抵抗率なめっき膜を得ることができ
る。したがって、高保磁力媒体に対しても、高周波領域
においても十分記録可能な記録ヘッドを提供することが
できる。上記記録ヘッドを用いることにより100ＭＨｚ
程度の高周波領域においても記録が可能な高性能磁気記
録再生装置を得ることができる。
【図１】Ｐ添加量とＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｐ組成との関係
を示す線図。
を示す線図。
【図２】Ｐ含有量と電気抵抗率との関係を示す線図。
【図３】Ｐ含有量と異方性磁界及び保磁力との関係を示
す線図。
す線図。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの概略図。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドにおけるオーバーライ
トの周波数特性を示す線図。
トの周波数特性を示す線図。
【図６】Ｐ添加量とＮｉ，Ｆｅ，Ｐ組成との関係を示す
線図。
線図。
【図７】Ｐ含有量と電気低効率との関係を示す線図。
【図８】Ｐ含有量と異方性磁界及び保磁力との関係を示
す線図。
す線図。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドを用いた記録再生分離
型ヘッドの斜視図。
型ヘッドの斜視図。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録
再生装置の概略図。
再生装置の概略図。
１０…薄膜磁気ヘッド、１１，２１…基板、１２，２５
…下部磁性膜、１３…磁気ギャップ膜、１４，１６…絶
縁膜、１５，２６…コイル、１７，２７…上部磁性膜、
１８…保護膜、２２…下部シールド膜、２３…磁気抵抗
効果膜、２４…電極、２８…再生用ヘッド、２９…記録
用ヘッド、３１…磁気ディスク、３２…磁気記録媒体駆
動部、３３…ヘッドスライダ、３４…磁気ヘッド駆動
部、３５…記録再生信号処理系。
…下部磁性膜、１３…磁気ギャップ膜、１４，１６…絶
縁膜、１５，２６…コイル、１７，２７…上部磁性膜、
１８…保護膜、２２…下部シールド膜、２３…磁気抵抗
効果膜、２４…電極、２８…再生用ヘッド、２９…記録
用ヘッド、３１…磁気ディスク、３２…磁気記録媒体駆
動部、３３…ヘッドスライダ、３４…磁気ヘッド駆動
部、３５…記録再生信号処理系。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 森尻 誠 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (8)
- 【請求項１】下部磁性膜と、下部磁性膜上に形成され一
端が下部磁性膜の一端に接しており、他端が下部磁性膜
の他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回路を形成
する上部磁性膜と、両磁性膜の間に電気的に絶縁された
膜を介して、磁気コアと交差する所定巻回数のコイルを
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜及び下部磁性膜の少なくとも一部が、Ｐ
２〜１０原子％を含有し、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅの２種以
上を主成分とする軟磁性合金薄膜からなることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】請求項１において、前記軟磁性合金薄膜は
原子比でＣｏ７０〜８２％，Ｎｉ５〜１５％，Ｆｅ３〜
１２％，Ｐ２〜１０％からなる合金薄膜からなることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】請求項１において、前記軟磁性合金薄膜は
原子比で、Ｎｉ４０〜８０％，Ｆｅ２０〜６０％，Ｐ２
〜１０％からなる合金薄膜からなることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】下部磁性膜と、下部磁性膜上に形成され一
端が下部磁性膜の一端に接しており、他端が下部磁性膜
の他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回路を形成
する上部磁性膜と、両磁性膜の間に電気的に絶縁された
膜を介して、磁気コアと交差する所定巻回数のコイルを
有する薄膜磁気ヘッドの製造法において、 前記上部磁性膜及び下部磁性膜の少なくとも一部が、Ｐ
２〜１０原子％を含有し、Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅの２種以
上を主成分とする軟磁性合金薄膜からなり、各々２価の
Ｃｏ，Ｎｉ及びＦｅイオンからなり、Ｃｏイオン６〜１
５ｇ／ｌ，Ｎｉイオン４〜２０ｇ／ｌ及びＦｅイオン
０.７〜１５.０ｇ／ｌの２種以上と、応力緩和剤，界面
活性剤及び緩衝剤としてクエン酸を添加した溶媒とを含
み、ｐＨが２.０〜３.５であるめっき浴を用いてめっき
によって形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造法。 - 【請求項５】請求項４において、めっき浴の温度を２０
〜３０℃、及び電流密度５〜２５mA／cm2 で磁界中でフ
レームめっきにより形成されることを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造法。 - 【請求項６】下部磁性膜と、下部磁性膜上に形成され一
端が下部磁性膜の一端に接しており、他端が下部磁性膜
の他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回路を形成
する上部磁性膜と、両磁性膜の間に電気的に絶縁された
膜を介して、磁気コアと交差する所定巻回数のコイルを
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜及び下部磁性膜の少なくとも一部がＮｉ
及びＦｅを含有するＣｏ合金からなり、電気抵抗率が３
０〜６０μΩcm及び保磁力が３Ｏｅ以下であることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】下部磁性膜と、下部磁性膜上に形成され一
端が下部磁性膜の一端に接しており、他端が下部磁性膜
の他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回路を形成
する上部磁性膜と、両磁性膜の間に電気的に絶縁された
膜を介して、磁気コアと交差する所定巻回数のコイルを
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜及び下部磁性膜の少なくとも一部が、Ｎ
ｉ−Ｆｅ系合金からなり、電気抵抗率が５０〜９０μΩ
cm及び保磁力が１Ｏｅ以下であることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項８】請求項１〜３，６及び７のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録
再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17678197A JPH1125420A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17678197A JPH1125420A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125420A true JPH1125420A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16019738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17678197A Pending JPH1125420A (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 薄膜磁気ヘッドとその製造法及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1125420A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638596B1 (en) * | 1999-06-22 | 2003-10-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head using soft magnetic film having soft magnetic characteristics of high resistivity, low coercive force, and high saturation magnetic flux density |
| US6791794B2 (en) | 2000-09-28 | 2004-09-14 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| US8737022B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-05-27 | Tdk Corporation | Multilayer film, magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing apparatus and method for manufacturing multilayer film |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP17678197A patent/JPH1125420A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638596B1 (en) * | 1999-06-22 | 2003-10-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head using soft magnetic film having soft magnetic characteristics of high resistivity, low coercive force, and high saturation magnetic flux density |
| US7023659B2 (en) | 1999-09-30 | 2006-04-04 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| US6791794B2 (en) | 2000-09-28 | 2004-09-14 | Nec Corporation | Magnetic head having an antistripping layer for preventing a magnetic layer from stripping |
| US8737022B2 (en) | 2012-07-13 | 2014-05-27 | Tdk Corporation | Multilayer film, magnetic head, magnetic head device, magnetic recording/reproducing apparatus and method for manufacturing multilayer film |
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