JPH11251040A - Ceramic heater and its manufacture - Google Patents
Ceramic heater and its manufactureInfo
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- JPH11251040A JPH11251040A JP10048354A JP4835498A JPH11251040A JP H11251040 A JPH11251040 A JP H11251040A JP 10048354 A JP10048354 A JP 10048354A JP 4835498 A JP4835498 A JP 4835498A JP H11251040 A JPH11251040 A JP H11251040A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック体中に
帯状の抵抗発熱体により構成される発熱パターンを有す
るセラミックヒータに関するものであり、例えば、各種
燃焼機器の点火用ヒータ、各種加熱機器や測定機器の加
熱用ヒータとして使用されるものであり、特に、半導体
装置の製造工程におけるプラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、
光ＣＶＤ、ＰＶＤなどの成膜装置やプラズマエッチン
グ、光エッチングなどのエッチング装置に使用される半
導体ウエハを加熱するための加熱用ヒータとして好適な
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic heater having a heating pattern composed of a belt-shaped resistance heating element in a ceramic body, for example, an ignition heater for various combustion equipment, various heating equipment and measurement equipment. It is used as a heater for equipment, particularly, plasma CVD, low pressure CVD,
It is suitable as a heater for heating a semiconductor wafer used in a film forming apparatus such as photo CVD and PVD and an etching apparatus such as plasma etching and photo etching.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、セラミックヒータとしてアルミナ
セラミックスや窒化珪素質セラミックスなどのセラミッ
ク体中にタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）など
の高融点金属やＴｉＮなどの導電性セラミックスよりな
る抵抗発熱体を埋設したものが知られており、これらの
セラミックヒータは、耐熱性、電気絶縁性、耐食性、耐
摩耗性に優れることから一般的に広く使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a ceramic heater, a resistance heating element made of a refractory metal such as tungsten (W) or molybdenum (Mo) or a conductive ceramic such as TiN is placed in a ceramic body such as alumina ceramics or silicon nitride ceramics. Embedded ceramic heaters are known, and these ceramic heaters are generally widely used because of their excellent heat resistance, electrical insulation, corrosion resistance, and wear resistance.
【０００３】また、近年、特殊な用途向けとして窒化ア
ルミニウム質セラミックスを用いたセラミックヒータも
提案されている。In recent years, ceramic heaters using aluminum nitride ceramics have been proposed for special applications.
【０００４】例えば、半導体装置の製造工程で使用され
るプラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＰＶＤなど
の成膜装置や、プラズマエッチング、光エッチングなど
のエッチング装置においては、被加熱物である半導体ウ
エハ（以下、ウエハと称す。For example, in a film forming apparatus such as a plasma CVD, a low pressure CVD, an optical CVD, and a PVD used in a manufacturing process of a semiconductor device, and an etching apparatus such as a plasma etching and an optical etching, a semiconductor wafer to be heated is used. (Hereinafter, it is called a wafer.
【０００５】）を支持しつつ各種処理温度に加熱するた
めの加熱用ヒータとして上記セラミックヒータが使用さ
れており、その中も成膜装置やエッチング装置で使用さ
れるフッ素系や塩素系等のハロゲン系腐食性ガス下で優
れた耐プラズマ性を有するとともに高熱伝導特性を備え
た窒化アルミニウム質セラミックスを用いたものが注目
されている。The above-mentioned ceramic heater is used as a heater for heating to various processing temperatures while supporting the above. Among them, halogen such as fluorine-based or chlorine-based halogen used in a film forming apparatus or an etching apparatus is used. Attention has been paid to those using aluminum nitride ceramics having excellent plasma resistance and high thermal conductivity under a corrosive gas.
【０００６】このようなセラミックヒータを製造する方
法としては、まず、セラミック体を構成する複数枚のセ
ラミックグリーンシートを用意するとともに、セラミッ
ク体中に埋設する抵抗発熱体として、高融点金属や導電
性セラミックスの粉末に溶媒とバインダーをそれぞれ添
加混練して抵抗発熱体用の導体ペーストを製作し、この
導体ペーストを所定の発熱パターンとなるようにスクリ
ーン印刷法などの手法によって前記セラミックグリーン
シートの１枚に敷設し、この導体ペーストを覆うように
残りのセラミックグリーンシートを積層してグリーンシ
ート積層体を形成したあと、脱脂し、次に所定の温度に
て焼成することにより帯状の抵抗発熱体からなる発熱パ
ターンを埋設してなるセラミック体を製作し、しかるの
ち、上記発熱パターンの一部を露出させ、そこにロウ材
を用いて給電端子を接合することによりセラミックヒー
タを製造するようにしたものがあった（特公平８−３４
１２３号公報参照）[0006] As a method of manufacturing such a ceramic heater, first, a plurality of ceramic green sheets constituting a ceramic body are prepared, and a high-melting point metal or a conductive material is embedded as a resistance heating element embedded in the ceramic body. A solvent paste and a binder are respectively added to and kneaded with ceramic powder to produce a conductor paste for a resistance heating element, and the conductor paste is coated with one of the ceramic green sheets by a method such as screen printing so as to have a predetermined heat generation pattern. A green sheet laminate is formed by laminating the remaining ceramic green sheets so as to cover the conductive paste, and then degreased, and then fired at a predetermined temperature to form a belt-shaped resistance heating element. A ceramic body in which the heat generation pattern is embedded is manufactured, and then the heat generation pattern Exposes a portion of the emissions, there is that so as to produce a ceramic heater by bonding the feeding terminal therein with a brazing material (KOKOKU 8-34
No.123)
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の製法では、以下のような課題があった。However, such a conventional manufacturing method has the following problems.
【０００８】導体ペーストを製作してスクリーン印刷法
により発熱パターンを敷設する方法では、発熱パターン
を構成する抵抗発熱体の厚みばらつきを抑えるのに限界
があり、この厚みばらつきによりセラミックヒータの発
熱面における温度分布をさらに均一にすることが難しか
った。In the method of producing a conductor paste and laying a heating pattern by a screen printing method, there is a limit in suppressing a thickness variation of a resistance heating element constituting the heating pattern, and the thickness variation causes a problem on a heating surface of a ceramic heater. It was difficult to make the temperature distribution even more uniform.
【０００９】即ち、導体ペーストを用いてスクリーン印
刷法により発熱パターンを敷設するには、セラミック体
を構成する１枚のセラミックグリーンシート上に、クリ
アランスを設けてスクリーンを設置し、このスクリーン
上で抵抗発熱体用の導体ペーストをスキージにより引き
延ばすことで導体ペーストが所定の発熱パターンに印刷
されるのであるが、導体ペーストを引き延ばす際にはス
キージに圧力をかけてスクリーン上を走査させることか
らスクリーンがたわみ、このたわみ量はスクリーンを支
持する枠から離れた中央部ほど大きくなるために、発熱
パターンの中央付近では印刷される導体ペーストの厚み
が薄くなり、周縁では導体ペーストの厚みが厚くなると
いうようにばらつきがあり、この厚みばらつきを３μｍ
以下に抑えることは困難であった。しかも、スキージへ
かける圧力が不均一であったり、導体ペーストの粘度が
部分的に異なっていると、局所的に抵抗発熱体の厚みが
ばらつく恐れもあった。That is, in order to lay a heat generation pattern by a screen printing method using a conductor paste, a screen is provided with a clearance provided on one ceramic green sheet constituting a ceramic body, and a resistance is provided on the screen. The conductor paste for the heating element is printed with a predetermined heating pattern by stretching the conductor paste with a squeegee.However, when the conductor paste is stretched, the screen is bent by applying pressure to the squeegee and scanning the screen. However, since the amount of deflection becomes larger in the center portion away from the frame supporting the screen, the thickness of the printed conductor paste becomes thinner near the center of the heating pattern, and the thickness of the conductor paste becomes thicker in the periphery. The thickness variation is 3 μm
It was difficult to keep below. In addition, when the pressure applied to the squeegee is not uniform or the viscosity of the conductive paste is partially different, the thickness of the resistance heating element may be locally varied.
【００１０】また、導体ペーストは粘度が小さいことか
ら、グリーンシート積層体の形成時における押圧力によ
っても塑性変形し易く、抵抗発熱体の厚みばらつきを生
じ易いといった課題もあった。[0010] Further, since the conductive paste has a low viscosity, there is also a problem that the conductive paste is liable to be plastically deformed even by a pressing force at the time of forming the green sheet laminate, and the thickness of the resistance heating element is apt to vary.
【００１１】そして、このような問題点は、セラミック
ヒータが大型化するにつれて顕著であり、特に、半導体
装置の製造工程で用いられる加熱用ヒータにおいては、
半導体ウエハの大型化に伴って直径が８インチ以上の大
型セラミックヒータが要求されており、スクリーン印刷
法により発熱パターンを形成したセラミックヒータでは
発熱面の均熱化が困難になりつつあった。[0011] Such a problem is remarkable as the size of the ceramic heater increases, and particularly, in a heating heater used in a manufacturing process of a semiconductor device,
With the increase in the size of semiconductor wafers, large-sized ceramic heaters having a diameter of 8 inches or more have been required, and it has become difficult to equalize the heating surface of a ceramic heater having a heating pattern formed by a screen printing method.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、帯状の抵抗発熱体により構成される発熱パタ
ーン領域のほぼ中心点を通る少なくとも２本の線分によ
り切断した切断面における各抵抗発熱体の厚みの最大値
と最小値の差が、全切断面における抵抗発熱体厚みの平
均値の１０％以内である発熱パターンを平板状のセラミ
ック体中に埋設してセラミックヒータを構成したもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems, the present invention has been made in consideration of the above-described problems, and has been made in consideration of the above problem. A ceramic heater was constructed by embedding a heating pattern in which the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of the resistance heating element within 10% of the average value of the thickness of the resistance heating element in all cut surfaces in a flat ceramic body. Things.
【００１３】特に、上記セラミック体を窒化アルミニウ
ム質セラミックスにより形成すれば、セラミックヒータ
の発熱面における温度分布をより均一にすることができ
好適である。In particular, it is preferable that the ceramic body is made of aluminum nitride ceramics, since the temperature distribution on the heat generating surface of the ceramic heater can be made more uniform.
【００１４】また、本発明は、セラミック体を構成する
複数枚のセラミックグリーンシートを製作する工程と、
高融点金属やそれらの合金あるいは導電性セラミックス
の粉末に溶媒とバインダーを添加混練してテープ成形法
により抵抗発熱体用のグリーンシートを製作する工程
と、該抵抗発熱体用のグリーンシートを上記セラミック
グリーンシートの少なくとも１枚に積層したあと金型に
より所定の発熱パターンに打ち抜く工程と、該所定の発
熱パターンに打ち抜いた抵抗発熱体用のグリーンシート
を覆うように残りのセラミックグリーンシートを積層し
てグリーンシート積層体を形成する工程と、該グリーン
シート積層体を脱脂し、しかるのち焼成する工程とから
セラミックヒータを製造したものである。Further, the present invention provides a method of manufacturing a plurality of ceramic green sheets constituting a ceramic body,
Adding a solvent and a binder to a powder of a high melting point metal or an alloy thereof or a conductive ceramic and kneading the mixture to form a green sheet for a resistance heating element by a tape molding method; A step of punching a predetermined heat generation pattern by a mold after laminating at least one of the green sheets, and laminating the remaining ceramic green sheets so as to cover the green sheet for the resistance heating element punched out of the predetermined heat generation pattern. A ceramic heater is manufactured from a step of forming a green sheet laminate and a step of degrease and then firing the green sheet laminate.
【００１５】即ち、本発明のセラミックヒータによれ
ば、セラミック体中の発熱パーンを構成する帯状の抵抗
発熱体の厚みばらつきを、従来のスクリーン印刷法では
得られないほど小さくしてあることから、セラミックヒ
ータを発熱させれば、発熱面の温度分布を極めて均一に
することができる。That is, according to the ceramic heater of the present invention, the thickness variation of the belt-shaped resistance heating element constituting the heating pan in the ceramic body is so small that it cannot be obtained by the conventional screen printing method. If the ceramic heater generates heat, the temperature distribution on the heating surface can be made extremely uniform.
【００１６】また、このような発熱ムラの少ないセラミ
ックヒータを得るために本発明では、テープ成形法によ
って導体ペーストより塑性変形し難い抵抗発熱体用のグ
リーンシートを製作し、金型により所定の発熱パターン
に打ち抜いたものをセラミック体を構成するセラミック
グリーンシート間に挟み込んでグリーンシート積層体を
製作し、これを脱脂、焼成して製造するようにしたこと
から、大型のセラミックヒータにおいても発熱パターン
を構成する帯状の抵抗発熱体には厚みばらつきが殆どな
い状態でセラミック体中に埋設することができる。According to the present invention, a green sheet for a resistance heating element which is less likely to be plastically deformed than a conductive paste is manufactured by a tape forming method, and a predetermined heat generation is performed by a mold. The punched pattern was sandwiched between ceramic green sheets constituting a ceramic body to produce a green sheet laminate, which was degreased and fired, so that even large ceramic heaters could generate heat generation patterns. The belt-shaped resistance heating element can be embedded in the ceramic body with almost no thickness variation.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００１８】図１（ａ）は本発明のセラミックヒータを
半導体装置の製造工程で使用される加熱用ヒータとして
用いた例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ
線断面図である。FIG. 1A is a perspective view showing an example in which the ceramic heater of the present invention is used as a heater for use in a manufacturing process of a semiconductor device, and FIG.
It is a line sectional view.
【００１９】このセラミックヒータ１は、平面形状が円
形をした平板状のセラミック体２中に帯状の抵抗発熱体
４を埋設するとともに、上記セラミック体２の一方の主
面を半導体ウエハＷの支持と加熱のための発熱面３とし
てあり、セラミック体２の他方の主面には抵抗発熱体４
に通電するための給電端子５を接合してある。In the ceramic heater 1, a band-shaped resistance heating element 4 is embedded in a flat ceramic body 2 having a circular planar shape, and one main surface of the ceramic body 2 is used to support a semiconductor wafer W. A heating surface 3 for heating, and a resistance heating element 4 on the other main surface of the ceramic body 2
A power supply terminal 5 for energizing the power supply is connected.
【００２０】そして、発熱面３に半導体ウエハＷを載置
し、抵抗発熱体４に交流電圧を印加してセラミックヒー
タ１を発熱させることにより、発熱面３上に支持する半
導体ウエハＷを直接加熱するようになっている。Then, the semiconductor wafer W is placed on the heating surface 3 and an AC voltage is applied to the resistance heating element 4 to cause the ceramic heater 1 to generate heat, thereby directly heating the semiconductor wafer W supported on the heating surface 3. It is supposed to.
【００２１】なお、図１では平面形状が円形をしたセラ
ミックヒータ１の例を示したが、これ以外に平面形状が
楕円形、あるいは四角形や五角形など多角形をしたもの
などどのような形状をしたものであっても構わない。FIG. 1 shows an example of the ceramic heater 1 having a circular planar shape, but other shapes such as an elliptical planar shape or a polygonal shape such as a square or a pentagon may be used. It may be something.
【００２２】このようなセラミック体２を構成する材質
としては、アルミナセラミックス、窒化珪素質セラミッ
クス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化硼素質セ
ラミックス等を用いることができる。これらの中でも窒
化アルミニウム質セラミックスは成膜装置やエッチング
装置で使用されるハロゲン系腐食性ガス下において優れ
た耐プラズマ性を有するとともに、セラミックスの中で
も非常に高い熱伝導率を有することからセラミック体２
として好適に用いることができる。特に、純度が９９．
８％以上である高純度窒化アルミニウム質セラミックス
は、焼結体中に粒界が殆どなく、耐プラズマ性に優れる
ことから腐食摩耗が激しい時には最適であり、また、Ｙ
2 Ｏ3 やＥｒなどの希土類酸化物を１〜９重量％の範囲
で含有する窒化アルミニウム質セラミックスでは、熱伝
導率が１００Ｗ／ｍｋ以上、高いものでは１５０Ｗ／ｍ
ｋ以上、さらに高いものでは２００Ｗ／ｍｋ以上を有す
ることから発熱面４に載置した半導体ウエハＷの均熱化
をより一層高めることができるとともに、処理温度に加
熱するまでの時間や冷却時間を短くすることができる。As a material constituting such a ceramic body 2, alumina ceramics, silicon nitride ceramics, aluminum nitride ceramics, boron carbide ceramics and the like can be used. Among these, aluminum nitride ceramics have excellent plasma resistance under a halogen-based corrosive gas used in a film forming apparatus and an etching apparatus, and have extremely high thermal conductivity among ceramics.
Can be suitably used. In particular, the purity is 99.
High-purity aluminum nitride ceramics having a content of 8% or more has almost no grain boundaries in the sintered body and is excellent in plasma resistance, so that it is optimal when corrosive wear is severe.
Aluminum nitride ceramics containing rare earth oxides such as 2 O 3 and Er in the range of 1 to 9% by weight have a thermal conductivity of 100 W / mk or more, and a high thermal conductivity of 150 W / m.
k or more, and even higher, 200 W / mk or more, so that the semiconductor wafer W mounted on the heat generating surface 4 can be further uniformly heated, and the time required for heating to the processing temperature and the cooling time can be reduced. Can be shorter.
【００２３】また、これらのセラミック体２中に埋設す
る抵抗発熱体４の材質としては、タングステン（Ｗ）や
モリブデン（Ｍｏ）など周期律表第６ａ族やＴｉなどの
周期律表第４ａ族の高融点金属あるいはこれらの合金、
さらにはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮなどの導電性セラミック
スを用いることができる。これらの金属、合金、導電性
セラミックスは上記セラミック体２を構成するセラミッ
クスと同程度の熱膨張係数を有することから、製作時や
発熱時におけるセラミック体２の反りや破損を防ぐこと
ができるとともに、高温度に発熱させても断線すること
がない。The material of the resistance heating element 4 embedded in the ceramic body 2 is selected from the group 6a of the periodic table such as tungsten (W) and molybdenum (Mo) and the group 4a of the periodic table such as Ti. Refractory metals or their alloys,
Further, conductive ceramics such as WC, MoC, and TiN can be used. Since these metals, alloys, and conductive ceramics have the same thermal expansion coefficient as the ceramics constituting the ceramic body 2, warpage and breakage of the ceramic body 2 during manufacturing and heat generation can be prevented, There is no disconnection even when heated to a high temperature.
【００２４】さらに、上記セラミック体２中の抵抗発熱
体４へ通電するための給電端子５としては、タングステ
ン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）など
の金属や鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎ
ｉ）合金を用いることができ、特に耐酸化性が要求され
るような時にはニッケル（Ｎｉ）あるいは鉄（Ｆｅ）−
コバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を用いること
が良い。Further, as a power supply terminal 5 for energizing the resistance heating element 4 in the ceramic body 2, a metal such as tungsten (W), molybdenum (Mo), nickel (Ni), or iron (Fe) -cobalt is used. (Co) -nickel (N
i) An alloy can be used. Particularly, when oxidation resistance is required, nickel (Ni) or iron (Fe)-
It is preferable to use a cobalt (Co) -nickel (Ni) alloy.
【００２５】ところで、上記セラミック体２中に埋設す
る抵抗発熱体４の発熱パターンとしては、円形の発熱面
３を均一に加熱するために、図２（ａ）に示すような同
心円を構成するように配置された円弧状の抵抗発熱体４
ａと、隣合う円弧状の抵抗発熱体４ａ同士を接続する直
線状の抵抗発熱体４とからなり、中心部に延びる２本の
円弧状の抵抗発熱体４ａの端部を電極取り出し部４ｃと
してある。このような発熱パターンＳとすれば、中心を
通るどの部分で切断しても左右をほぼ同形状とすること
ができるため、発熱面３の温度分布を均一することがで
きる。The heating pattern of the resistance heating element 4 embedded in the ceramic body 2 has a concentric circle as shown in FIG. 2A in order to uniformly heat the circular heating surface 3. Arc-shaped resistance heating element 4 arranged in
a and the linear resistance heating elements 4 connecting the adjacent arc resistance heating elements 4a to each other, and the ends of the two arc resistance heating elements 4a extending to the center are defined as electrode extraction portions 4c. is there. With such a heating pattern S, the left and right sides can have substantially the same shape even when cut at any part passing through the center, so that the temperature distribution on the heating surface 3 can be uniform.
【００２６】なお、発熱パターンＳの形状としては図２
（ａ）に示したものだけに限定されるものではなく、セ
ラミック体２の構造や発熱面３の形状に合わせて適宜設
計すれば良い。ただし、図１のセラミックヒータ１のよ
うに発熱面３が円形をしたものである場合には図２
（ａ）に示す発熱パターンＳや電極取り出し部４ｃが最
外周にある図２（ｂ）に示すようなパターン形状を有す
るものが好ましい。The shape of the heat generation pattern S is shown in FIG.
The structure is not limited to the one shown in FIG. 2A, and may be appropriately designed according to the structure of the ceramic body 2 and the shape of the heat generating surface 3. However, when the heating surface 3 has a circular shape like the ceramic heater 1 of FIG.
It is preferable that the heat generating pattern S and the electrode take-out portion 4c shown in FIG. 2A have the pattern shape as shown in FIG.
【００２７】そして、本発明のセラミックヒータ１によ
れば、上記発熱パターン領域のほぼ中心点を通る少なく
とも２本の線分により切断した切断面における各抵抗発
熱体４の厚みの最大値と最小値の差が、全切断面におけ
る抵抗発熱体４厚みの平均値の１０％以内であることを
特徴とする。According to the ceramic heater 1 of the present invention, the maximum value and the minimum value of the thickness of each resistance heating element 4 on the cut surface cut by at least two line segments passing substantially the center point of the heating pattern region. Is within 10% of the average value of the thickness of the resistance heating element 4 in all cut surfaces.
【００２８】ここで、発熱パターン領域のほぼ中心点を
通る少なくとも２本の線分により切断した切断面におけ
る各抵抗発熱体４の厚みの最大値と最小値の差が、全切
断面における抵抗発熱体４厚みの平均値の１０％以内で
あるとは、例えば図３に示すように発熱パターン領域の
中心を通る４本の線分により４５°間隔でセラミック体
２を８等分に切断し、これらの切断面に現れる各抵抗発
熱体４の厚みｔを測定してその最大値と最小値を求める
とともに、全切断面に現れる抵抗発熱体４の厚みｔの平
均値を算出する。なお、厚みｔの測定に際しては各抵抗
発熱体４において最も厚い部分を抵抗発熱体４の厚みｔ
として算出する。そして、切断面における各抵抗発熱体
４の厚みｔの最大値と最小値との差が、全切断面におけ
る抵抗発熱体４の厚みｔの平均値の１０％以内となって
いることを言う。Here, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of each resistance heating element 4 on the cut surface cut by at least two line segments passing substantially the center point of the heat generation pattern region is the resistance heat generation on the entire cut surface. To be within 10% of the average value of the thickness of the body 4 means that the ceramic body 2 is cut into eight equal parts at 45 ° intervals by four line segments passing through the center of the heat generation pattern area as shown in FIG. The thickness t of each resistance heating element 4 appearing on these cut surfaces is measured to determine the maximum value and the minimum value thereof, and the average value of the thickness t of the resistance heating elements 4 appearing on all the cut surfaces is calculated. When measuring the thickness t, the thickest part of each resistance heating element 4 is determined by the thickness t of the resistance heating element 4.
Is calculated as The difference between the maximum value and the minimum value of the thickness t of each resistance heating element 4 on the cut surface is within 10% of the average value of the thickness t of the resistance heating element 4 on all the cut surfaces.
【００２９】このように本発明では発熱パターンＳを構
成する帯状の抵抗発熱体４の厚みばらつきが極めて小さ
いことから、発熱面４の温度分布を均一にすることがで
き、また、構造上の問題から熱引け等によって局所的に
発熱ムラを生じるような場合でも発熱パターンＳを構成
する帯状の抵抗発熱体４の厚みばらつきが極めて小さい
ことから、発熱ムラのある箇所における抵抗発熱体４の
幅を変更するだけで抵抗値を容易に調整することがで
き、発熱面３の発熱ムラを簡単に制御することができ
る。As described above, in the present invention, since the thickness variation of the belt-shaped resistance heating element 4 constituting the heating pattern S is extremely small, the temperature distribution on the heating surface 4 can be made uniform, and the structural problem is also raised. Even when heat generation unevenness occurs locally due to heat shrinkage or the like, since the thickness variation of the belt-shaped resistance heating element 4 forming the heat generation pattern S is extremely small, the width of the resistance heating element 4 at a location where the heat generation unevenness is present is reduced. The resistance value can be easily adjusted only by changing the value, and the heat generation unevenness of the heat generation surface 3 can be easily controlled.
【００３０】ところで、このようなセラミックヒータ１
を製作するには、まず、図４（ａ）に示すように、前記
セラミック体２を構成する複数枚のセラミックグリーン
シート２ａ，２ｂ，・・・を形成する。セラミックグリ
ーンシート２ａ，２ｂ，・・・は、前記セラミック粉末
に対して必要に応じて所定の助剤成分を添加するととも
に、溶媒とバインダーを添加混練して泥漿を作製したあ
と、ドクターブレード法、引き上げ法、カレンダ法、紙
鋳込み法、ペーパキャスティング法、ロールコンパクシ
ョン法等のテープ成形法により成形すれば良い。By the way, such a ceramic heater 1
First, as shown in FIG. 4A, a plurality of ceramic green sheets 2a, 2b,... Constituting the ceramic body 2 are formed. The ceramic green sheets 2a, 2b,... Are prepared by adding a predetermined auxiliary component to the ceramic powder as required, adding a solvent and a binder, and kneading the mixture to form a slurry. It may be formed by a tape forming method such as a pulling method, a calendar method, a paper casting method, a paper casting method, and a roll compaction method.
【００３１】一方、図４（ｂ）に示すように抵抗発熱体
４は、前記金属、合金、導電性セラミックスの粉末に対
して溶媒とバインダーを添加混練して泥漿を作製し、こ
の泥漿をドクターブレード法、引き上げ法、カレンダ
法、紙鋳込み法、ペーパキャスティング法、ロールコン
パクション法等のテープ成形法を用いて厚み幅が均一な
抵抗発熱体４用のグリーンシート４’を形成する。な
お、上記テープ成形法にてグリーンシート４’を成形し
た際に厚みの均一化が図れない時や、厚み幅ｔが厚すぎ
る時は、所定の均一なギャップを有するロール間を通過
させることにより、厚みをならし、均一化を図れば良
い。On the other hand, as shown in FIG. 4 (b), the resistance heating element 4 forms a slurry by adding and kneading a solvent and a binder to the powder of the metal, alloy and conductive ceramic, and forms the slurry by a doctor. The green sheet 4 'for the resistance heating element 4 having a uniform thickness and width is formed by using a tape forming method such as a blade method, a pulling method, a calendar method, a paper casting method, a paper casting method, and a roll compaction method. When the thickness cannot be made uniform when the green sheet 4 ′ is formed by the above-described tape forming method, or when the thickness width t is too large, the green sheet 4 ′ is passed between rolls having a predetermined uniform gap. The thickness may be smoothed and uniformized.
【００３２】そして、図４（ｃ）に示すように得られた
抵抗発熱体４用のグリーンシート４’を上記複数枚のセ
ラミックグリーンシート２ａ，２ｂ，・・・のうち例え
ば１枚のセラミックグリーンシート２ｈ上に積層する。
なお、発熱パターンＳを２層以上埋設する場合には、他
のセラミックグリーンシートに抵抗発熱体４用のグリー
ンシート４’を積層すれば良い。Then, as shown in FIG. 4 (c), the green sheet 4 'for the resistance heating element 4 is replaced with, for example, one of the ceramic green sheets 2a, 2b,. It is laminated on the sheet 2h.
When two or more layers of the heating pattern S are embedded, a green sheet 4 'for the resistance heating element 4 may be laminated on another ceramic green sheet.
【００３３】次に、図４（ｄ）に示すように、図２
（ａ）の発熱パターンＳと同形状の凸部を有する金型で
セラミックグリーンシート２ｈ上に積層した抵抗発熱体
４用のグリーンシート４’を打ち抜いたあと、図４
（ｅ）に示すように上記発熱パターンＳを覆うように残
りのセラミックグリーンシート２ａ，２ｂ，・・・を積
層してグリーンシート積層体８を製作する。Next, as shown in FIG.
After the green sheet 4 ′ for the resistance heating element 4 laminated on the ceramic green sheet 2 h is punched by a mold having a convex portion having the same shape as the heat generation pattern S in FIG.
As shown in (e), the remaining ceramic green sheets 2a, 2b,... Are laminated so as to cover the heat generation pattern S, thereby producing a green sheet laminate 8.
【００３４】しかるのち、グリーンシート積層体８に切
削加工を施して平面形状を円形としたあと、このグリー
ンシート積層体８を脱脂し、次いで各種セラミック原料
を焼結させることができる温度にて焼成することにより
図４（ｆ）に示すように発熱パターンＳを埋設してなる
セラミック体２を形成する。Thereafter, the green sheet laminate 8 is subjected to a cutting process to make the planar shape circular, and then the green sheet laminate 8 is degreased and then fired at a temperature at which various ceramic materials can be sintered. This forms the ceramic body 2 in which the heat generation pattern S is embedded as shown in FIG.
【００３５】そして、上記セラミック体２の一方の主面
に研磨加工を施してその面粗さを中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で１μｍ以下とし、発熱面３を形成するとともに、
セラミック体２の他方の主面に抵抗発熱体４の電極取り
出し部４ｃと連通する穴を穿設し、この穴に給電端子５
をロウ材でもって接合し、抵抗発熱体４と給電端子５と
をそれぞれ電気的に接続することにより図１のセラミッ
クヒータ１を得ることができる。Then, one of the main surfaces of the ceramic body 2 is polished, and the surface roughness is adjusted to the center line average roughness (R
a) is set to 1 μm or less to form the heating surface 3 and
A hole is formed in the other main surface of the ceramic body 2 so as to communicate with the electrode take-out portion 4c of the resistance heating element 4, and a power supply terminal 5 is formed in this hole.
Are joined by a brazing material, and the resistance heating element 4 and the power supply terminal 5 are electrically connected to each other, whereby the ceramic heater 1 of FIG. 1 can be obtained.
【００３６】かくして、本発明のセラミックヒータ１に
よれば、発熱パターンＳを構成する抵抗発熱体４の厚み
ばらつきが非常に小さいことから、セラミックヒータ１
を発熱させれば、発熱面３の発熱ムラを生じることな
く、均一に発熱させることができ、このセラミックヒー
タ１を半導体装置の製造工程における成膜装置やエッチ
ング装置に使用される加熱用ヒータとして用いれば、発
熱面３に支持する半導体ウエハを均一に発熱させること
ができるため、均一な厚み幅を持った薄膜を形成した
り、所定の精度に微細加工を施すことができるととも
に、ハロゲン系腐食性ガス下でプラズマに曝されたとし
ても抵抗発熱体４は耐プラズマ性に優れたセラミックス
により覆ってあるため、長期間にわたり使用することが
できる。Thus, according to the ceramic heater 1 of the present invention, since the thickness variation of the resistance heating element 4 constituting the heating pattern S is very small, the ceramic heater 1
Can generate heat uniformly without causing heat generation unevenness of the heat generating surface 3. This ceramic heater 1 is used as a heater for heating used in a film forming apparatus and an etching apparatus in a semiconductor device manufacturing process. If it is used, the semiconductor wafer supported on the heating surface 3 can be uniformly heated, so that a thin film having a uniform thickness can be formed, fine processing can be performed with predetermined accuracy, and halogen-based corrosion can be performed. Even if the resistive heating element 4 is exposed to plasma under an inert gas, it can be used for a long time because the resistance heating element 4 is covered with ceramics having excellent plasma resistance.
【００３７】なお、本実施形態では、半導体装置の製造
工程における成膜装置やエッチング装置に使用される加
熱用ヒータの例をもって説明したが、本発明のセラミッ
クヒータは他に、燃焼機器の点火用ヒータや加熱機器、
測定機器等の加熱用ヒータなどさまざまな分野で使用さ
れるヒータとしても好適に用いることができることは言
うまでもない。Although the present embodiment has been described with reference to an example of a heater for heating used in a film forming apparatus and an etching apparatus in a process of manufacturing a semiconductor device, the ceramic heater of the present invention may be additionally used for ignition of a combustion device. Heaters and heating equipment,
Needless to say, it can be suitably used as a heater used in various fields such as a heater for heating a measuring instrument or the like.
【００３８】（実施例１）図１に示すような本発明のセ
ラミックヒータ１と従来のセラミックヒータとを用意
し、抵抗発熱体４の厚みばらつきと発熱面３の温度分布
を比較する実験を行った。Example 1 An experiment was conducted in which the ceramic heater 1 of the present invention as shown in FIG. 1 and a conventional ceramic heater were prepared, and the thickness variation of the resistance heating element 4 and the temperature distribution of the heating surface 3 were compared. Was.
【００３９】本実験ではセラミック体２を純度９９．９
％の窒化アルミニウム質セラミックスにより形成すると
ともに、抵抗発熱体４にタングステンを用いた。また、
発熱パターンＳを構成する抵抗発熱体４の目標寸法を厚
みｔ１５μｍ、幅５ｍｍとした。In this experiment, the purity of the ceramic body 2 was 99.9.
% Of aluminum nitride ceramics, and tungsten was used for the resistance heating element 4. Also,
The target dimensions of the resistance heating element 4 constituting the heating pattern S were set to a thickness t15 μm and a width 5 mm.
【００４０】具体的には、純度９９．９％のＡｌＮ粉末
に対して溶媒とバインダーを添加混練して泥漿を作製
し、ドクターブレード法にて複数枚のセラミックグリー
ンシートを複数枚形成した。Specifically, a solvent and a binder were added to and kneaded with AlN powder having a purity of 99.9% to prepare a slurry, and a plurality of ceramic green sheets were formed by a doctor blade method.
【００４１】そして、従来品ではタングステンの粉末に
対してテルピネオールの溶媒とアクリル系のバインダー
を添加混練して抵抗発熱体４用の導体ペーストを製作
し、この導体ペーストを図２に示す発熱パターンＳのよ
うにスクリーン印刷法にて前記セラミックグリーンシー
トの１枚に積層してグリーンシート積層体を形成し、本
発品はタングステンの粉末に対して溶媒にトルエンをバ
インダーにポリアクリル酸エチルをそれぞれ添加混練し
て泥漿を作製し、ドクターブレード法にて抵抗発熱体４
用のグリーンシートを形成したものをセラミックグリー
ンシートの１枚に積層したあと、図２に示す発熱パター
ンＳとなるように金型にて打ち抜いたものを残りのセラ
ミックグリーンシートで覆ってグリーンシート積層体を
形成した。In a conventional product, a terpineol solvent and an acrylic binder are added to and kneaded with tungsten powder to produce a conductor paste for the resistance heating element 4, and this conductor paste is formed into a heating pattern S shown in FIG. A green sheet laminate is formed by laminating one of the above ceramic green sheets by a screen printing method as described above, and in the present invention, polyethyl acrylate is added to a tungsten powder with a solvent of toluene and a binder. A slurry is prepared by kneading, and the resistance heating element 4 is formed by a doctor blade method.
After forming a green sheet for use, a ceramic green sheet is laminated on one of the ceramic green sheets, and then punched out with a mold so as to obtain a heat generation pattern S shown in FIG. Formed body.
【００４２】そして、これらのグリーンシート積層体を
窒素雰囲気中にて脱脂し、次いで２０１０℃程度の温度
で焼成することにより発熱パターンＳを埋設したセラミ
ック体２を形成し、このセラミック体２の一方の主面に
研磨加工を施して発熱面３を形成するとともに、他方の
主面にドリルにて抵抗発熱体３に連通する２つの穴を穿
設し、これらの穴に鉄−コバルト−ニッケル合金からな
る給電端子５をロウ付け固定することにより各セラミッ
クヒータ１を製作した。Then, these green sheet laminates are degreased in a nitrogen atmosphere, and then fired at a temperature of about 2010 ° C. to form a ceramic body 2 in which a heating pattern S is embedded. Is formed on the main surface of the base member by polishing, and two holes communicating with the resistance heating element 3 are formed by drilling on the other main surface, and an iron-cobalt-nickel alloy is formed in these holes. Each ceramic heater 1 was manufactured by brazing and fixing a power supply terminal 5 made of.
【００４３】そして、得られた各セラミックヒータ１に
周波数６０Ｈｚ、１００Ｖの交流電圧を印加して５００
℃の設定温度に発熱させ、発熱面３の表面温度をサーモ
ビュアーにより測定した。温度測定ポイントは図５に示
すａ〜ｓの点とした。なお、温度測定ポイントはＸ線に
より発熱パターン領域を確認して行った。Then, an AC voltage having a frequency of 60 Hz and 100 V is applied to each of the obtained ceramic heaters 1 to 500.
Heat was generated to a set temperature of ° C., and the surface temperature of the heat generating surface 3 was measured by a thermoviewer. The temperature measurement points were points a to s shown in FIG. In addition, the temperature measurement point was performed by confirming the heat generation pattern region with X-rays.
【００４４】次に、温度を測定をしたあと発熱パターン
領域の中心を通る４本の線分（測定ポイントを通る）に
より各セラミックヒータを切断し、その切断面に現れる
各抵抗発熱体４の厚みｔを測定することにより抵抗発熱
体４の厚みばらつきを測定した。Next, after measuring the temperature, each ceramic heater is cut by four line segments passing through the center of the heating pattern area (passing the measurement points), and the thickness of each resistance heating element 4 appearing on the cut surface is cut. The thickness variation of the resistance heating element 4 was measured by measuring t.
【００４５】それぞれの結果は表１に示す通りである。The results are as shown in Table 1.
【００４６】[0046]
【表１】 [Table 1]
【００４７】この結果、従来品では切断面に現れる各抵
抗発熱体４の厚みｔの最大値と最小値の差が、全抵抗発
熱体４の厚みｔの平均値に対して３４％と抵抗発熱体４
の厚みｔにかなりばらつきがあることが判る。その為、
発熱面３における最大値と最小値との差が３７℃と発熱
ムラが大きかった。As a result, in the conventional product, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness t of each resistance heating element 4 appearing on the cut surface is 34% of the average value of the thickness t of all the resistance heating elements 4 and is 34%. Body 4
It can be seen that there is considerable variation in the thickness t. For that reason,
The difference between the maximum value and the minimum value on the heat generating surface 3 was 37 ° C., and the heat generation unevenness was large.
【００４８】これに対し、本発明品は切断面に現れる各
抵抗発熱体４の厚みｔの最大値と最小値の差が、全抵抗
発熱体３の厚みｔの平均値に対して１％と抵抗発熱体４
の厚みばらつきを大幅に低減できることが判る。その
為、発熱面３における最大値と最小値との差は７℃と比
較品の２０％以下にまで発熱ムラを抑え、発熱面３の温
度分布を大幅に高めることができた。On the other hand, in the product of the present invention, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness t of each resistance heating element 4 appearing on the cut surface is 1% of the average value of the thickness t of all the resistance heating elements 3. Resistance heating element 4
It can be seen that the thickness variation of the film can be greatly reduced. For this reason, the difference between the maximum value and the minimum value on the heat generating surface 3 was 7 ° C., which was 20% or less of that of the comparative product, thereby suppressing heat generation unevenness and significantly increasing the temperature distribution on the heat generating surface 3.
【００４９】（実施例２）そこで、本発明のセラミック
ヒータ１において、抵抗発熱体４の厚みばらつきを故意
に変更させ、実施例１と同様の条件にて抵抗発熱体４の
厚みばらつきと発熱面３の温度分布との関係について調
べる実験を行った。(Embodiment 2) Therefore, in the ceramic heater 1 of the present invention, the thickness variation of the resistance heating element 4 was intentionally changed, and the thickness variation of the resistance heating element 4 and the heating surface were changed under the same conditions as in the first embodiment. An experiment for examining the relationship with the temperature distribution of No. 3 was conducted.
【００５０】そして、近年、発熱面３の温度ばらつきと
しては最大温度と最小温度との差を２０℃以下とするこ
とが望まれていることから、２０℃以下の場合を発熱良
好として評価した。In recent years, it has been desired that the difference between the maximum temperature and the minimum temperature be 20 ° C. or less as the temperature variation of the heat generating surface 3. Therefore, the case of 20 ° C. or less was evaluated as good heat generation.
【００５１】それぞれの結果は表２に示す通りである。The results are as shown in Table 2.
【００５２】[0052]
【表２】 [Table 2]
【００５３】この結果、切断面に現れる各抵抗発熱体４
の厚みｔの最大値と最小値の差が、全抵抗発熱体３の厚
みｔの平均値に対して１０％以下とすれば、発熱面３の
温度ばらつきを２０℃以下とできることが判る。As a result, each resistance heating element 4 appearing on the cut surface
It can be seen that if the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness t is 10% or less with respect to the average value of the thickness t of the entire resistance heating element 3, the temperature variation of the heating surface 3 can be 20 ° C. or less.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高融点
金属やそれらの合金あるいは導電性セラミックスの粉末
に溶媒とバインダーを添加混練してテープ成形法により
抵抗発熱体用のグリーンシートを製作し、金型により所
定の発熱パターンに打ち抜いたものをセラミック体を構
成するセラミックグリーンシート間に挟み込んでグリー
ンシート積層体を形成したあと脱脂し、次いで焼成する
ことにより、帯状の抵抗発熱体により構成される発熱パ
ターン領域のほぼ中心点を通る少なくとも２本の線分に
より切断した切断面における各抵抗発熱体４の厚みｔの
最大値と最小値の差が、全切断面における抵抗発熱体４
厚みの平均値の１０％以内である発熱パターンを平板状
のセラミック体２中に埋設してセラミックヒータを構成
したことから、発熱パターンを構成する抵抗発熱体の厚
みばらつきを極めて小さくすることができるため、発熱
面の温度分布を均一にすることができる。その為、例え
ば、本発明のセラミックヒータを成膜装置やエッチング
装置などで使用される加熱用ヒータとして用いれば、被
加熱物に対して均一な成膜や微細加工を施すことができ
るとともに、抵抗発熱体が耐食性に優れたセラミックス
により覆われていることから、フッ素系や塩素系などの
ハロゲン系腐食性ガス下でプラズマに曝されたとしても
大きく摩耗することがなく長期間にわたって用いること
ができる。As described above, according to the present invention, a green sheet for a resistance heating element is formed by adding and kneading a solvent and a binder to a powder of a high melting point metal, an alloy thereof, or a conductive ceramic, and kneading the mixture by tape molding. It is manufactured and punched out into a predetermined heat generation pattern by a mold, sandwiched between ceramic green sheets constituting a ceramic body to form a green sheet laminate, degreased, and then fired, by a belt-shaped resistance heating element The difference between the maximum value and the minimum value of the thickness t of each resistance heating element 4 in a cut surface cut by at least two line segments passing through substantially the center point of the formed heat generation pattern region is the resistance heating element 4 in all cut surfaces.
Since the ceramic heater is formed by embedding the heat generating pattern having an average thickness of 10% or less in the flat ceramic body 2, the thickness variation of the resistive heat generating elements constituting the heat generating pattern can be extremely reduced. Therefore, the temperature distribution on the heating surface can be made uniform. Therefore, for example, when the ceramic heater of the present invention is used as a heater for heating used in a film forming apparatus, an etching apparatus, or the like, uniform film formation and fine processing can be performed on an object to be heated, and resistance can be reduced. Since the heating element is covered with ceramics with excellent corrosion resistance, it can be used for a long time without significant wear even when exposed to plasma under halogen-based corrosive gases such as fluorine and chlorine. .
【図１】（ａ）は本発明のセラミックヒータを半導体装
置の製造工程で使用される加熱用ヒータとして用いた例
を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図
である。FIG. 1A is a perspective view showing an example in which a ceramic heater of the present invention is used as a heating heater used in a semiconductor device manufacturing process, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. FIG.
【図２】（ａ）は図１のセラミックヒータ内に埋設して
ある抵抗発熱体の発熱パターンを示す模式図であり、
（ｂ）は他の発熱パターンを示す模式図である。FIG. 2A is a schematic diagram showing a heating pattern of a resistance heating element embedded in the ceramic heater of FIG. 1,
(B) is a schematic diagram showing another heat generation pattern.
【図３】図１のセラミックヒータを切断した状態を示す
斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the ceramic heater of FIG. 1 is cut.
【図４】（ａ）〜（ｆ）は図１のセラミックヒータの製
造工程を示す図である。FIGS. 4 (a) to 4 (f) are views showing steps of manufacturing the ceramic heater of FIG.
【図５】発熱面における温度測定ポイントを示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing temperature measurement points on a heating surface.
【符号の説明】 １・・・セラミックヒータ ２・・・セラミック体 ３
・・・発熱面 ４・・・抵抗発熱体 ４ａ・・・円弧状の抵抗発熱体 ４ｂ・・・円弧状の抵抗発熱体 ５・・・給電端子 Ｓ
・・・発熱パターン Ｗ・・・半導体ウエハ[Description of Signs] 1 ・ ・ ・ Ceramic heater 2 ・ ・ ・ Ceramic body 3
... heating surface 4 ... resistance heating element 4a ... arc-shaped resistance heating element 4b ... arc-shaped resistance heating element 5 ... power supply terminal S
... Heat generation pattern W ... Semiconductor wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｂ 3/20 ３７７ Ｈ０５Ｂ 3/20 ３７７ ３９３ ３９３ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H05B 3/20 377 H05B 3/20 377 393 393
Claims (3)
ターン領域のほぼ中心点を通る少なくとも２本の線分に
より切断した切断面に現れる各抵抗発熱体の厚みの最大
値と最小値の差が、全切断面に現れる抵抗発熱体厚みの
平均値の１０％以内である発熱パターンを平板状のセラ
ミック体中に埋設してなるセラミックヒータ。1. A difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of each resistance heating element appearing on a cut surface cut by at least two line segments passing through a substantially center point of a heating pattern area constituted by a belt-shaped resistance heating element. Is a ceramic heater in which a heating pattern which is within 10% of an average value of a resistance heating element thickness appearing on all cut surfaces is embedded in a flat ceramic body.
ラミックスである請求項１に記載のセラミックヒータ。2. The ceramic heater according to claim 1, wherein said ceramic body is an aluminum nitride ceramic.
クグリーンシートを製作する工程と、高融点金属やそれ
らの合金あるいは導電性セラミックスの粉末に溶媒とバ
インダーを添加混練してテープ成形法により抵抗発熱体
用のグリーンシートを製作する工程と、該抵抗発熱体用
のグリーンシートを上記セラミックグリーンシートの少
なくとも１枚に積層し、金型により所定の発熱パターン
に打ち抜く工程と、該所定の発熱パターンに打ち抜いた
抵抗発熱体用のグリーンシートを覆うように残りのセラ
ミックグリーンシートを積層してグリーンシート積層体
を形成する工程と、該グリーンシート積層体を脱脂し、
しかるのち焼成する工程とからなるセラミックヒータの
製造方法。3. A step of manufacturing a plurality of ceramic green sheets constituting a ceramic body, and adding and kneading a solvent and a binder to a powder of a high melting point metal, an alloy thereof, or a conductive ceramic, and forming a resistive heat by a tape forming method. Producing a green sheet for the body, laminating the green sheet for the resistance heating element on at least one of the ceramic green sheets, and punching the green sheet for the predetermined heating pattern using a mold; A step of forming a green sheet laminate by laminating the remaining ceramic green sheets so as to cover the green sheet for the punched resistance heating element, and degreasing the green sheet laminate,
And a firing step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10048354A JPH11251040A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Ceramic heater and its manufacture |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10048354A JPH11251040A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Ceramic heater and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251040A true JPH11251040A (en) | 1999-09-17 |
Family
ID=12801040
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|---|---|---|---|
| JP10048354A Pending JPH11251040A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Ceramic heater and its manufacture |
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