JPH11239964A - Back pad, its manufacture and waxless mounting type polishing device using it - Google Patents

Back pad, its manufacture and waxless mounting type polishing device using it

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JPH11239964A
JPH11239964A JP6206398A JP6206398A JPH11239964A JP H11239964 A JPH11239964 A JP H11239964A JP 6206398 A JP6206398 A JP 6206398A JP 6206398 A JP6206398 A JP 6206398A JP H11239964 A JPH11239964 A JP H11239964A
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JP
Japan
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back pad
polishing
outer peripheral
peripheral portion
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP6206398A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukio Kuroda
幸夫 黒田
Keiichi Tanaka
恵一 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP6206398A priority Critical patent/JPH11239964A/en
Publication of JPH11239964A publication Critical patent/JPH11239964A/en
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of an uneven thickness of a semiconductor wafer caused by a smashed peripheral part of a back pad when polishing its surface and to reduce a damage when polishing the semiconductor wafer. SOLUTION: In a back pad 31 to serve as a backing material of a silicon wafer 19, the hardness of its peripheral part is made to be higher than that of a center part 32. Therefore, an uneven thickness of a silicon wafer 19 caused by a smashed peripheral part of the back pad 31 when polishing its surface can be prevented. The center part 32 of the back pad 31 absorbs an impact force during surface polishing, and thus, when polishing the silicon wafer, a damage can be comparatively reduced. In addition, a damage in a circumferential shape is never produced on a back face of the wafer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はバックパッドおよ
びその製造方法ならびにバックパッドを用いたワックス
レスマウント式研磨装置、詳しくは半導体ウェーハを固
定側定盤にワックス接着せずに保持し、そのウェーハ表
面に機械的化学的研磨を施すことができるワックスレス
マウント式研磨装置におけるそのバックパッドの改良に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a back pad, a method for manufacturing the same, and a waxless mount type polishing apparatus using the back pad. The present invention relates to an improvement of a back pad in a waxless mount type polishing apparatus capable of performing mechanical chemical polishing on a back pad.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、シリコンウェーハの研磨装置
の一種として、ワックスレスマウント式研磨装置が知ら
れている。この装置は、図5に示すように、上面に研磨
布105が張設された下定盤(研磨側定盤)104と、
下面にウェーハ固定用のガイドリング102が設けられ
た上定盤(固定側定盤)101とを備え、ガイドリング
102の内側に、保水性を有する比較的柔らかい不織布
製のバックパッド103を収納したものである。シリコ
ンウェーハ100の表面研磨時には、バックパッド10
3に純水等を供給し、この表面張力により、シリコンウ
ェーハ100を裏面側から保持する。このとき、シリコ
ンウェーハ100は、研磨面がバックパッド103の下
縁より突出するようにガイドリング102に保持され
る。そして、砥粒を含む研磨剤を研磨面に供給しなが
ら、上定盤101を下定盤104上で自転および公転さ
せることにより、シリコンウェーハ100の研磨面を研
磨布105により鏡面研磨するものである。シリコンウ
ェーハ100はバックパッド103に固定された状態で
上定盤(研磨ヘッド)により駆動回転されるものであ
る。
2. Description of the Related Art A waxless mount type polishing apparatus has been known as a kind of polishing apparatus for a silicon wafer. As shown in FIG. 5, the apparatus comprises a lower surface plate (polishing side surface plate) 104 having an upper surface on which a polishing cloth 105 is stretched;
An upper surface plate (fixed side surface plate) 101 provided with a guide ring 102 for fixing a wafer on the lower surface is provided. A back pad 103 made of a relatively soft nonwoven fabric having water retention property is accommodated inside the guide ring 102. Things. When polishing the surface of the silicon wafer 100, the back pad 10
3 is supplied with pure water or the like, and the silicon wafer 100 is held from the back side by the surface tension. At this time, the silicon wafer 100 is held by the guide ring 102 such that the polishing surface protrudes from the lower edge of the back pad 103. Then, the polishing surface of the silicon wafer 100 is mirror-polished by the polishing cloth 105 by rotating and revolving the upper platen 101 on the lower platen 104 while supplying an abrasive containing abrasive grains to the polishing surface. . The silicon wafer 100 is driven and rotated by an upper surface plate (polishing head) while being fixed to the back pad 103.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のワックスレスマウント式研磨装置では、以下
の不都合があった。すなわち、バックパッドが比較的柔
らかい不織布により作製されていたので、バックパッド
外周部での保形性が悪かった。具体的には、表面研磨時
のシリコンウェーハには、上定盤側から面圧力がかか
る。しかも、遊星歯車の動きのような自転を伴う公転力
も加わる。なお、上定盤の面圧力は、ミクロ的には面全
域において均一ではない。
However, such a conventional waxless mount type polishing apparatus has the following inconveniences. That is, since the back pad was made of a relatively soft nonwoven fabric, the shape retention at the outer periphery of the back pad was poor. Specifically, surface pressure is applied to the silicon wafer during surface polishing from the upper surface plate side. In addition, a revolving force accompanying rotation such as the movement of a planetary gear is also applied. The surface pressure of the upper stool is not uniform microscopically over the entire surface.

【0004】したがって、図5に示すように、シリコン
ウェーハ100の表面研磨中には、これらの複合力が、
ガイドリング102によって水平移動が規制されたシリ
コンウェーハ100を介してバックパッド103の外周
部に偏在してしまう。その結果、バックパッド103の
外周部が押し潰されるという現象が起きていた。よっ
て、シリコンウェーハ100は、その外周部が、図4に
示すような反り上がり状態(外周が立った状態)で仕上
がる。すなわち、ウェーハ中央部に比べてウェーハ外周
部が厚いシリコンウェーハ100が出来上がり、シリコ
ンウェーハ100の厚さにムラが生じるという問題点が
あった。
Therefore, as shown in FIG. 5, during polishing of the surface of the silicon wafer 100, these combined forces are
The silicon wafer 100 whose horizontal movement is restricted by the guide ring 102 is unevenly distributed on the outer peripheral portion of the back pad 103. As a result, a phenomenon has occurred in which the outer peripheral portion of the back pad 103 is crushed. Therefore, the outer periphery of the silicon wafer 100 is finished in a warped state (a state in which the outer periphery stands) as shown in FIG. That is, there is a problem in that the silicon wafer 100 having a larger outer peripheral portion than the central portion of the wafer is completed, and the thickness of the silicon wafer 100 becomes uneven.

【0005】[0005]

【発明の目的】そこで、この発明は、表面研磨時におけ
るバックパッドの外周部の潰れを原因とした半導体ウェ
ーハの厚さムラの発生を防止することができるワックス
レスマウント式研磨装置を提供することを、その目的と
している。また、この発明は、半導体ウェーハの研磨時
における損傷を低減することができるワックスレスマウ
ント式研磨装置を提供することを、その目的としてい
る。さらに、この発明は、半導体ウェーハの裏面に傷を
発生させることがないワックスレスマウント式研磨装置
を提供することを、その目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a waxless mount type polishing apparatus capable of preventing the occurrence of thickness unevenness of a semiconductor wafer due to the collapse of the outer periphery of a back pad during surface polishing. For that purpose. It is another object of the present invention to provide a waxless mount type polishing apparatus capable of reducing damage during polishing of a semiconductor wafer. Another object of the present invention is to provide a waxless mount type polishing apparatus that does not cause scratches on the back surface of a semiconductor wafer.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、ワックスレスマウント式研磨装置にあって、半導体
ウェーハを保持するために使用され、その外観形状が略
円形であるバックパッドにおいて、その外周部がその中
央部より高硬度としたバックパッドである。この外周部
の硬さは、例えばショアA硬度計で35〜55、好まし
くは40〜50である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a waxless mount type polishing apparatus, which is used for holding a semiconductor wafer and has a substantially circular outer shape. The outer peripheral portion is a back pad whose hardness is higher than that of the central portion. The hardness of the outer peripheral portion is, for example, 35 to 55, preferably 40 to 50 by a Shore A hardness meter.

【0007】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のバックパッドの製造方法であって、外観が略円形のバ
ックパッドの外周部をその中央部より高硬度に形成した
バックパッドの製造方法である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the back pad manufacturing method according to the first aspect, wherein the outer periphery of the back pad having a substantially circular appearance is formed to have a higher hardness than the center thereof. It is a manufacturing method.

【0008】請求項3に記載の発明は、略円形のシート
状の不織布を準備する工程と、この不織布の外周部のみ
を熱間プレスして硬度を高める工程と、その後、この不
織布をその厚さが均一となるように形成することによ
り、外周部が中央部より高硬度のバックパッドを作製す
る工程とを含む請求項2に記載のバックパッドの製造方
法である。
[0008] The invention according to claim 3 is a step of preparing a substantially circular sheet-like nonwoven fabric, a step of hot-pressing only the outer peripheral portion of the nonwoven fabric to increase the hardness, and thereafter, a step of reducing the thickness of the nonwoven fabric by its thickness 3. The method of manufacturing a back pad according to claim 2, further comprising the step of: forming a back pad having an outer peripheral portion having a higher hardness than a central portion by forming the back pad to be uniform.

【0009】請求項4に記載の発明は、表面に研磨布が
展張される研磨側定盤と、この研磨側定盤に対向して配
設され、表面にウェーハ固定用のガイドリングが設けら
れた固定側定盤とを備え、このガイドリングの内側に、
保水性を有して半導体ウェーハを保持するバックパッド
が収納されたワックスレスマウント式研磨装置におい
て、上記バックパッドは、外観形状が略円形で、その外
周部がその中央部より高硬度であるワックスレスマウン
ト式研磨装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a polishing-side platen on which a polishing cloth is spread on the surface, and a guide ring for fixing the wafer is provided on the surface, which is disposed to face the polishing-side platen. With a fixed side surface plate, and inside this guide ring,
In a waxless mount type polishing apparatus in which a back pad holding a semiconductor wafer with water retention is stored, the back pad has a substantially circular outer shape and a peripheral portion having a higher hardness than a central portion thereof. It is a less mount type polishing machine.

【0010】このバックパッドの素材には、例えばスウ
ェード布などの不織布が挙げられる。バックパッドの厚
さは、2mm以下が好ましく、2mmを超えるとバック
パッドの硬度ムラを生じやすい。バックパッドの表面積
に対するその高硬度な外周部の表面積の割合は、10〜
30%、特に15〜20%が好ましい。10%未満では
ウェーハ外周縁部のダレを引き起しやすく、30%を超
えるとウェーハ面内に段差が形成されやすい。
As a material of the back pad, for example, a non-woven fabric such as a suede cloth can be used. The thickness of the back pad is preferably 2 mm or less, and if it exceeds 2 mm, the hardness of the back pad is likely to be uneven. The ratio of the surface area of the high hardness outer peripheral portion to the surface area of the back pad is 10 to
30%, especially 15-20% is preferred. If it is less than 10%, sagging of the outer peripheral portion of the wafer is likely to occur, and if it exceeds 30%, a step is easily formed in the wafer surface.

【0011】このように、外周部の方が中央部より高硬
度であるバックパッドは、例えばその中央部に比較的低
硬度のパッドを配置する一方、その外周部に比較的高硬
度のパッドを配置して両者を接着してもよい。この場
合、パッド中央部の素材と、パッド外周部の素材とを異
ならせてもよい。また、その他、例えばバックパッドの
中央部より外周部を多段的に高硬度化したり、さらに、
バックパッドの外周部を中央部に比べて連続的に高硬度
化することもできる。この研磨装置では、研磨側定盤を
下定盤とし、固定側定盤を上定盤としたり、または、こ
れとは上下を反対に配置してもよい。
As described above, a back pad having an outer peripheral portion having a higher hardness than a central portion has, for example, a relatively low-hardness pad disposed at the central portion and a relatively high-hardness pad disposed at the outer peripheral portion. You may arrange | position and adhere | attach both. In this case, the material at the center of the pad may be different from the material at the outer periphery of the pad. In addition, for example, the outer peripheral portion is made higher in hardness from the central portion of the back pad in multiple stages, and further,
The outer peripheral portion of the back pad can be continuously hardened as compared with the central portion. In this polishing apparatus, the polishing-side platen may be a lower platen, and the fixed-side platen may be an upper platen, or may be arranged upside down.

【0012】[0012]

【作用】この発明によれば、半導体ウェーハ表面の研磨
時には、予めバックパッドに純水等を供給した後、半導
体ウェーハの研磨面がガイドリングより高くなるよう
に、半導体ウェーハをガイドリングに収容する。この結
果、半導体ウェーハがバックパッドに吸着、保持され
る。その後、砥粒を含む研磨剤を供給しながら、固定側
定盤を研磨側定盤上で自転および公転させて、半導体ウ
ェーハの研磨面を研磨布により表面研磨する。
According to the present invention, when polishing the surface of the semiconductor wafer, after supplying pure water or the like to the back pad in advance, the semiconductor wafer is housed in the guide ring so that the polished surface of the semiconductor wafer is higher than the guide ring. . As a result, the semiconductor wafer is sucked and held on the back pad. Then, the fixed-side platen is rotated and revolved on the polishing-side platen while supplying an abrasive containing abrasive grains, and the polished surface of the semiconductor wafer is polished with a polishing cloth.

【0013】このとき、バックパッドの外周部の方が中
央部より高硬度であるので、バックパッドによるこのウ
ェーハの裏面側からの保形性、殊にバックパッドの外周
部の保形性は良好となる。この外周部の硬さは、例えば
ショアA硬度計で35〜55、好ましくは40〜50で
ある。すなわち、この表面研磨中に、固定側定盤の押圧
力、自転力、公転力の複合力が、ガイドリングにより移
動を制約されたバックパッドの外周部に集中しても、こ
のバックパッドの外周部は押し潰されにくい。このよう
に、表面研磨時における半導体ウェーハの外周部は、バ
ックパッドにより裏面側から形状が維持されるので、研
磨後の半導体ウェーハとしては、その中央部と外周部の
厚さがほぼ等しい、厚さムラの小さな半導体ウェーハを
得ることができる。また、半導体ウェーハ表面の研磨
中、比較的大きな研磨衝撃が半導体ウェーハに作用した
としても、その力はバックパッドの比較的柔らかい中央
部により吸収される。よって、半導体ウェーハの研磨時
における損傷を低減することができる。
At this time, since the outer peripheral portion of the back pad has higher hardness than the central portion, the shape retention of the back pad from the back side of the wafer, particularly the shape retention of the outer peripheral portion of the back pad is good. Becomes The hardness of the outer peripheral portion is, for example, 35 to 55, preferably 40 to 50 by a Shore A hardness meter. That is, during the surface polishing, even if the combined force of the pressing force, the rotation force, and the revolving force of the fixed surface plate concentrates on the outer peripheral portion of the back pad whose movement is restricted by the guide ring, The part is not easily crushed. As described above, since the outer peripheral portion of the semiconductor wafer during surface polishing is maintained in shape from the back side by the back pad, the thickness of the central portion and the outer peripheral portion of the polished semiconductor wafer are substantially equal. A semiconductor wafer with small unevenness can be obtained. Also, even if a relatively large polishing impact acts on the semiconductor wafer during polishing of the semiconductor wafer surface, the force is absorbed by the relatively soft central portion of the back pad. Therefore, damage during polishing of the semiconductor wafer can be reduced.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。まず、図1〜図4に基づいて、この
発明の一実施例に係るバックパッドを使用したワックス
レスマウント式研磨装置を説明する。図1はこの発明の
一実施例に係るワックスレスマウント式研磨装置の正面
図である。図2は一実施例に係るバックパッドの斜視図
である。図3は一実施例のシリコンウェーハの表面研磨
中の状態を示すその正面図である。図4はこのバックパ
ッドの製造工程を示す模式図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, a waxless mount type polishing apparatus using a back pad according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a front view of a waxless mount type polishing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a back pad according to one embodiment. FIG. 3 is a front view showing a state during polishing of the surface of the silicon wafer of one embodiment. FIG. 4 is a schematic view showing a manufacturing process of the back pad.

【0015】図1において、30は一実施例に係るワッ
クスレスマウント式研磨装置であり、このワックスレス
マウント式研磨装置30は、下定盤13と、これに対向
して上方に配設された上定盤15とを備えている。研磨
側定盤の一例である下定盤13は、その上面に厚地のス
ポンジゴム11を介して研磨布12が展張されている。
固定側定盤の一例である上定盤(研磨ヘッド)15は、
その下面にウェーハ固定用のガイドリング14が設けら
れている。下定盤13および上定盤15はともに円板形
をしており、対向する各表面は平坦面となっている。こ
れらの下定盤13、上定盤15は、それぞれ回転軸1
6、17を介して、図外の回転手段により軸線を中心に
回転可能に構成されている。なお、上定盤15は、回転
軸17の昇降により上下動可能に構成されている。
In FIG. 1, reference numeral 30 denotes a waxless mount type polishing apparatus according to an embodiment. The waxless mount type polishing apparatus 30 includes a lower platen 13 and an upper A platen 15 is provided. The lower surface plate 13 which is an example of the polishing-side surface plate has a polishing cloth 12 spread on the upper surface thereof via a thick sponge rubber 11.
An upper surface plate (polishing head) 15 which is an example of the fixed side surface plate,
A guide ring 14 for fixing the wafer is provided on the lower surface. The lower surface plate 13 and the upper surface plate 15 are both disk-shaped, and their opposing surfaces are flat. These lower platen 13 and upper platen 15
It is configured to be rotatable about an axis by rotating means (not shown) via the ports 6 and 17. The upper surface plate 15 is configured to be able to move up and down by moving the rotating shaft 17 up and down.

【0016】円形のリングであるガイドリング14の内
側には、バックパッド31が、その上面を上定盤15の
下面と接触させて収納、保持されている。図2、図3に
示すように、バックパッド31は、不織布の一例として
のスウェード製であって、その厚さはパッド全域で15
00μmであり、直径は6インチの半導体ウェーハの一
例であるシリコンウェーハ19より若干大きくなってい
る。また、このバックパッド31は、所定硬さの中央部
32とこれより硬い外周部33との2つの部分を有して
いる。バックパッド31は、外周部33を中央部32よ
り高硬度としながら、全体としては厚さ方向に所定の弾
性力(可撓性)を有するように、この外周部33の表面
積は、バックパッド表面積の15%程度となっている。
この外周部33の硬さは、例えばショアA硬度計で35
〜55、好ましくは40〜50である。なお、研磨する
シリコンウェーハ19はCZウェーハであって、その厚
さが625μmである。
Inside the guide ring 14 which is a circular ring, a back pad 31 is housed and held with its upper surface in contact with the lower surface of the upper platen 15. As shown in FIGS. 2 and 3, the back pad 31 is made of suede as an example of a nonwoven fabric, and has a thickness of 15
The thickness is slightly larger than that of a silicon wafer 19 which is an example of a 6-inch semiconductor wafer. The back pad 31 has two portions, a central portion 32 having a predetermined hardness and an outer peripheral portion 33 having a higher hardness. The surface area of the back pad 31 is such that the outer peripheral portion 33 has a predetermined elastic force (flexibility) in the thickness direction while the outer peripheral portion 33 has a higher hardness than the central portion 32. About 15%.
The hardness of the outer peripheral portion 33 is, for example, 35 by a Shore A hardness tester.
~ 55, preferably 40 ~ 50. The silicon wafer 19 to be polished is a CZ wafer and has a thickness of 625 μm.

【0017】次に、この一実施例に係るワックスレスマ
ウント式研磨装置30を用いたシリコンウェーハ19の
ワックスレス研磨方法を説明する。図1に示すように、
シリコンウェーハ19の表面研磨時には、ガイドリング
14を装着し、このガイドリング14に保持されたバッ
クパッド31に純水等を供給しておく。純水をバックパ
ッド31に保持させるものである。この後、シリコンウ
ェーハ19をガイドリング14に収容する。このとき、
ウェーハ研磨面がガイドリング14の下端面より下方に
位置するようにセットする。これにより、保水された水
の表面張力により、シリコンウェーハ19がバックパッ
ド31に吸着、保持される。その後、砥粒を含む研磨剤
を供給しながら、上定盤15を下定盤13上で自転およ
び公転させて、シリコンウェーハ19の研磨面を研磨布
12により表面研磨する。
Next, a description will be given of a waxless polishing method for the silicon wafer 19 using the waxless mount type polishing apparatus 30 according to this embodiment. As shown in FIG.
At the time of polishing the surface of the silicon wafer 19, the guide ring 14 is mounted, and pure water or the like is supplied to the back pad 31 held by the guide ring 14. The pure water is held by the back pad 31. After that, the silicon wafer 19 is accommodated in the guide ring 14. At this time,
It is set so that the wafer polishing surface is located below the lower end surface of the guide ring 14. Thereby, the silicon wafer 19 is adsorbed and held on the back pad 31 by the surface tension of the retained water. Thereafter, the upper platen 15 is rotated and revolved on the lower platen 13 while supplying an abrasive containing abrasive grains, and the polishing surface of the silicon wafer 19 is polished by the polishing cloth 12.

【0018】このとき、バックパッド31は、パッド全
体として厚さ方向に所定の可撓性を有するため、表面研
磨時のシリコンウェーハ19の適度なクッション性は十
分に確保することができる。とともに、バックパッド3
1は外周部33が中心部32よりも高硬度であるため、
バックパッド31の保形性、殊にパッド外周部の保形性
は良好である。したがって、この表面研磨中に、上定盤
15の押圧力、自転力、公転力の複合力が、ガイドリン
グ14によって移動を制約されたバックパッド31の外
周部に集中しても、バックパッド31の外周部は押し潰
されにくい。
At this time, since the back pad 31 has a predetermined flexibility in the thickness direction as a whole pad, a suitable cushioning property of the silicon wafer 19 at the time of surface polishing can be sufficiently ensured. With back pad 3
1 is that the outer peripheral portion 33 is higher in hardness than the central portion 32,
The shape retention of the back pad 31, especially the shape retention of the outer peripheral portion of the pad, is good. Therefore, even if the combined force of the pressing force, the rotation force, and the revolving force of the upper platen 15 concentrates on the outer peripheral portion of the back pad 31 whose movement is restricted by the guide ring 14 during the surface polishing, Is hard to be crushed.

【0019】このように、表面研磨時のシリコンウェー
ハ19の外周部は、変形量が小さいバックパッド31に
より裏当てされるので、研磨後のシリコンウェーハ19
は、その中央部32と外周部33の厚さがほぼ等しい、
厚さムラの小さなシリコンウェーハとなる。このように
バックパッド31を、比較的軟らかい中央部32と、比
較的硬い外周部33とに分けて設けているので、ウェー
ハ表面の研磨中、仮に比較的大きな研磨衝撃力がシリコ
ンウェーハ19に作用しても、その衝撃力をバックパッ
ド31の比較的柔らかい中央部32で吸収することによ
り、この表面研磨時におけるシリコンウェーハ31の損
傷を、一実施例の場合より抑えることができる。また、
シリコンウェーハ19はバックパッド31に保持されて
研磨されるため、シリコンウェーハ19がバックパッド
31との間で相対移動することによる裏面傷の発生を防
止することができる。ガイドリング14に保持されたシ
リコンウェーハが研磨中にバックパッド31上で自由に
回転すると、この相対回転により円周方向に溝状の傷が
発生することがあるからである。
As described above, the outer peripheral portion of the silicon wafer 19 at the time of surface polishing is backed by the back pad 31 having a small amount of deformation.
Is that the thickness of the central portion 32 and the outer peripheral portion 33 are substantially equal,
A silicon wafer with small thickness unevenness is obtained. Since the back pad 31 is divided into the relatively soft central portion 32 and the relatively hard outer peripheral portion 33, a relatively large polishing impact acts on the silicon wafer 19 during polishing of the wafer surface. However, since the impact force is absorbed by the relatively soft central portion 32 of the back pad 31, damage to the silicon wafer 31 during the surface polishing can be suppressed as compared with the case of the embodiment. Also,
Since the silicon wafer 19 is held and polished by the back pad 31, it is possible to prevent the back surface scratch from being caused by the relative movement of the silicon wafer 19 with the back pad 31. If the silicon wafer held by the guide ring 14 rotates freely on the back pad 31 during polishing, groove-like scratches may be generated in the circumferential direction due to the relative rotation.

【0020】図4にはこのように半径方向において硬さ
の異なるバックパッドの作製方法を示している。この製
法では、まず、所定厚さ、所定大きさの円形の不織布4
8を準備する。不織布は熱硬化性の素材とする。したが
って、この状態の不織布48は全面において均一に所定
の硬さを有していることとなる。そして、熱間プレス4
9によりその円形不織布48の外周部50のみを押圧加
工する。この結果、断面形状で中央部が凸で厚い、その
外周部が薄い加工不織布が作製される。その後、この凸
状部分をカッティングする。この結果、均一の厚さでか
つ硬さが半径方向において相違するバックパッド51を
得ることができる。
FIG. 4 shows a method of manufacturing a back pad having different hardnesses in the radial direction. In this manufacturing method, first, a circular nonwoven fabric 4 having a predetermined thickness and a predetermined size is used.
Prepare 8 The nonwoven fabric is a thermosetting material. Therefore, the nonwoven fabric 48 in this state has a predetermined hardness uniformly over the entire surface. And hot press 4
9, only the outer peripheral portion 50 of the circular nonwoven fabric 48 is pressed. As a result, a processed nonwoven fabric having a cross-sectional shape that is convex and thick at the center and thin at the outer periphery thereof is produced. Then, this convex part is cut. As a result, a back pad 51 having a uniform thickness and a different hardness in the radial direction can be obtained.

【0021】なお、この熱間プレスの型の下端面をテー
パ状とすることもできる。バックパッドの放射内方が上
で放射外方が下に位置するように傾斜面でこのプレス型
下面を形成するものである。その結果、放射方向におい
て硬さが連続的に変化するバックパッドを簡単に形成す
ることができる。また、硬度の異なるバックパッドを2
枚準備してこれらを組み合わせることにより、所望のバ
ックパッドを形成することもできる。この場合、硬いバ
ックパッド布をドーナツ状に、軟らかいバックパッド布
をその孔に入るような円形に形成しておくものとする。
さらには、このバックパッドの作製において、厚さが均
一なバックパッドに代えて厚さが半径方向で異なるバッ
クパッドを形成することもできる。これは図4に示した
製造方法で熱間プレス後、そのまま使用するものであ
る。表面カッティングを工程から削除するものである。
このようなバックパッドを使用すれば、極端に薄いシリ
コンウェーハなどの鏡面研磨を容易に行うことができ
る。
It is to be noted that the lower end surface of the hot press mold may be tapered. The press die lower surface is formed with an inclined surface such that the inner side of the back pad is located on the upper side and the outer side of the back pad is located on the lower side. As a result, a back pad whose hardness continuously changes in the radial direction can be easily formed. In addition, two back pads of different hardness
A desired back pad can also be formed by preparing these and combining them. In this case, the hard back pad cloth is formed in a donut shape, and the soft back pad cloth is formed in a circular shape so as to enter the hole.
Further, in manufacturing this back pad, a back pad having a different thickness in the radial direction can be formed instead of the back pad having a uniform thickness. This is used directly after hot pressing by the manufacturing method shown in FIG. This is to remove surface cutting from the process.
If such a back pad is used, mirror polishing of an extremely thin silicon wafer or the like can be easily performed.

【0022】[0022]

【発明の効果】この発明に係るバックパッドおよびこれ
を使用したワックスレスマウント式研磨装置によれば、
半導体ウェーハの裏当て材となるバックパッドの外周部
を中心部に比較して硬く形成することで、表面研磨時に
おけるバックパッドの外周部潰れを原因とした半導体ウ
ェーハの厚さムラの発生を防止することができる。ま
た、表面研磨中の衝撃力をバックパッドの中央部が吸収
し、これにより半導体ウェーハの研磨時の損傷を比較的
低減することができる。また、この発明に係る研磨装置
によれば、半導体ウェーハの裏面に傷が形成されること
がない。半導体ウェーハが研磨に際してバックパッドに
固定的に支持されているからである。この発明に係るバ
ックパッドの製造方法によれば、半径方向において硬さ
の異なるバックパッドを容易に製造することができる。
According to the back pad and the waxless mount type polishing apparatus using the same according to the present invention,
By forming the outer periphery of the back pad, which is the backing material of the semiconductor wafer, harder than the center, it is possible to prevent uneven thickness of the semiconductor wafer due to the collapse of the outer periphery of the back pad during surface polishing can do. Further, the impact force during the surface polishing is absorbed by the central portion of the back pad, thereby making it possible to relatively reduce damage during polishing of the semiconductor wafer. Further, according to the polishing apparatus of the present invention, no scratch is formed on the back surface of the semiconductor wafer. This is because the semiconductor wafer is fixedly supported by the back pad during polishing. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the manufacturing method of the back pad which concerns on this invention, the back pad from which hardness differs in a radial direction can be manufactured easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例に係るワックスレスマウン
ト式研磨装置の縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a waxless mount type polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例に係るバックパッドの斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view of a back pad according to one embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施例に係るシリコンウェーハの
表面研磨状態を示す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a surface polishing state of a silicon wafer according to one embodiment of the present invention.

【図4】この発明の一実施例に係るバックパッドの製造
工程を示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic view showing a manufacturing process of a back pad according to one embodiment of the present invention.

【図5】従来のワックスレスマウント式研磨装置のウェ
ーハ表面研磨中の状態を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a vertical sectional view showing a state in which a conventional waxless mount type polishing apparatus is polishing a wafer surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 ワックスレスマウント式研磨装置、 12 研磨布、 13 下定盤(研磨側定盤)、 14 ガイドリング、 15 上定盤(固定側定盤)、 19 シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)、 31 バックパッド、 32 中心部(低硬度部分)、 33 外周部(高硬度部分) 49 熱間プレス。 Reference Signs List 30 waxless mount type polishing machine, 12 polishing cloth, 13 lower surface plate (polishing side surface plate), 14 guide ring, 15 upper surface plate (fixed side surface plate), 19 silicon wafer (semiconductor wafer), 31 back pad, 32 Center part (low hardness part) 33 Outer part (high hardness part) 49 Hot press.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ワックスレスマウント式研磨装置にあっ
て、半導体ウェーハを保持するために使用され、その外
観形状が略円形であるバックパッドにおいて、 その外周部がその中央部より高硬度としたバックパッ
ド。
1. A back pad which is used for holding a semiconductor wafer in a waxless mount type polishing apparatus and has a substantially circular outer shape, wherein an outer peripheral portion has a higher hardness than a central portion thereof. pad.
【請求項2】 請求項1に記載のバックパッドの製造方
法であって、 外観が略円形のバックパッドの外周部をその中央部より
高硬度に形成したバックパッドの製造方法。
2. The method for manufacturing a back pad according to claim 1, wherein an outer peripheral portion of the substantially circular back pad is formed to have a higher hardness than a central portion thereof.
【請求項3】 略円形のシート状の不織布を準備する工
程と、 この不織布の外周部のみを熱間プレスして硬度を高める
工程と、 その後、この不織布をその厚さが均一となるように形成
することにより、外周部が中央部より高硬度のバックパ
ッドを作製する工程とを含む請求項2に記載のバックパ
ッドの製造方法。
3. A step of preparing a substantially circular sheet-like non-woven fabric, a step of hot-pressing only the outer peripheral portion of the non-woven fabric to increase hardness, and thereafter, the non-woven fabric is made to have a uniform thickness. 3. The method of manufacturing a back pad according to claim 2, further comprising: forming a back pad having an outer peripheral portion having a higher hardness than a central portion by forming the back pad.
【請求項4】 表面に研磨布が展張される研磨側定盤
と、 この研磨側定盤に対向して配設され、表面にウェーハ固
定用のガイドリングが設けられた固定側定盤とを備え、 このガイドリングの内側に、保水性を有して半導体ウェ
ーハを保持するバックパッドが収納されたワックスレス
マウント式研磨装置において、 上記バックパッドは、外観形状が略円形で、その外周部
がその中央部より高硬度であるワックスレスマウント式
研磨装置。
4. A polishing-side platen on which a polishing cloth is spread on a surface, and a fixed-side platen disposed opposite to the polishing-side platen and provided with a guide ring for fixing a wafer on the surface. In a waxless mount type polishing apparatus in which a back pad having a water retention property and holding a semiconductor wafer is stored inside the guide ring, the back pad has a substantially circular outer shape and an outer peripheral portion thereof. Waxless mount type polishing machine with higher hardness than its central part.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005072071A (en) * 2003-08-28 2005-03-17 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp Method of regenerating releasable wafer and regenerated wafer

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