JPH11239963A - Waxless mounting type polishing device - Google Patents

Waxless mounting type polishing device

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Publication number
JPH11239963A
JPH11239963A JP6206298A JP6206298A JPH11239963A JP H11239963 A JPH11239963 A JP H11239963A JP 6206298 A JP6206298 A JP 6206298A JP 6206298 A JP6206298 A JP 6206298A JP H11239963 A JPH11239963 A JP H11239963A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
back pad
pad
guide ring
Prior art date
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Pending
Application number
JP6206298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Taira Sato
平 佐藤
Kei Komatsu
圭 小松
Yukio Kuroda
幸夫 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP6206298A priority Critical patent/JPH11239963A/en
Publication of JPH11239963A publication Critical patent/JPH11239963A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of an uneven thickness of a semiconductor wafer caused by a smashed peripheral part of a back pad when polishing its surface. SOLUTION: After storing a back pad 18 containing water in a water holding hole 18a in a guide ring 14 of a silicon wafer 19, a surface of the wafer 19 is polished by rotating an upper surface plate 15 on its axis and revolving it around on an lower surface plate 13 while supplying a polishing liquid. Since the pad 18 is made of a synthetic resin sheet with moderate hardness in comparison with conventional non woven fabric and ice frozen on the surface of the pad 18 becomes a cushion, the wafer 19 is by a moderate elastic holding force and a peripheral part of the pad 18 is kept in a good shape. Since the wafer 19 is held by the pad 18 so as to freely rotate, even if a composite force is concentrated on the peripheral part of the pad from the side of the upper surface plate 15, it is not easily smashed. As a result, the wafer 19 with a small uneven thickness can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はワックスレスマウ
ント式研磨装置、詳しくは半導体ウェーハを固定側定盤
にワックス接着せずに保持し、そのウェーハ表面に機械
的化学的研磨を施すことができるワックスレスマウント
式研磨装置、特にそのバックパッドの改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wax-less mount type polishing apparatus, and more particularly to a wax capable of holding a semiconductor wafer on a fixed-side surface plate without wax bonding and subjecting the wafer surface to mechanical and chemical polishing. The present invention relates to a less-mount type polishing apparatus, and more particularly to an improvement of a back pad thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハ、特にシリコンウェーハ
の研磨装置の一種として、従来より、ワックスレスマウ
ント式研磨装置が知られている。図4に示すように、こ
の装置は、上面に研磨布105が張設された下定盤(研
磨側定盤)104と、下面にウェーハ固定用のガイドリ
ング102が設けられた上定盤(固定側定盤)101と
を備え、ガイドリング102の内側に、保水性を有する
比較的柔らかい不織布製のバックパッド103を収納、
保持したものである。シリコンウェーハ100の表面研
磨時には、バックパッド103に純水等を供給し、この
表面張力により、シリコンウェーハ100を裏面側から
保持する。このとき、シリコンウェーハ100は、研磨
面(表面)がガイドリング102の下縁より突出するよ
うに保持される。そして、砥粒を含む研磨剤を研磨面に
供給しながら、上定盤101を下定盤104上で自転お
よび公転させることにより、シリコンウェーハ100の
研磨面を研磨布105により鏡面研磨するものである。
2. Description of the Related Art As a kind of polishing apparatus for a semiconductor wafer, particularly a silicon wafer, a waxless mount type polishing apparatus has been conventionally known. As shown in FIG. 4, this apparatus comprises a lower platen (polishing side platen) 104 having an upper surface on which a polishing cloth 105 is stretched, and an upper platen (fixed surface) having a lower surface provided with a guide ring 102 for fixing a wafer. A back pad 103 made of a relatively soft nonwoven fabric having a water retention property inside a guide ring 102.
It is what was held. At the time of polishing the surface of the silicon wafer 100, pure water or the like is supplied to the back pad 103, and the silicon wafer 100 is held from the back side by the surface tension. At this time, the silicon wafer 100 is held such that the polished surface (surface) protrudes from the lower edge of the guide ring 102. Then, the polishing surface of the silicon wafer 100 is mirror-polished by the polishing cloth 105 by rotating and revolving the upper platen 101 on the lower platen 104 while supplying an abrasive containing abrasive grains to the polishing surface. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のワックスレスマウント式研磨装置では、以下
の不都合があった。すなわち、バックパッドが、均一な
厚さでかつ不均一な硬さの比較的柔らかい不織布により
作製されていたので、バックパッド外周部での保形性が
悪かった。具体的には、表面研磨時のシリコンウェーハ
には、上定盤側から面圧力がかかる。しかも、遊星歯車
の動きのような自転を伴う公転力も加わる。なお、上定
盤の面圧力は、ミクロ的には面全域において均一ではな
い。
However, such a conventional waxless mount type polishing apparatus has the following inconveniences. That is, since the back pad was made of a relatively soft nonwoven fabric having a uniform thickness and a non-uniform hardness, the shape retention at the outer periphery of the back pad was poor. Specifically, surface pressure is applied to the silicon wafer during surface polishing from the upper surface plate side. In addition, a revolving force accompanying rotation such as the movement of a planetary gear is also applied. The surface pressure of the upper stool is not uniform microscopically over the entire surface.

【0004】したがって、図4に示すように、シリコン
ウェーハ100の表面研磨中には、これらの複合力が、
ガイドリング102によって水平移動が規制されたシリ
コンウェーハ100を介してバックパッド103の外周
部に偏在してしまう。その結果、バックパッド103の
外周部が押し潰されるという現象が起きていた。よっ
て、シリコンウェーハ100は、その外周部が、図4に
示すような反り上がり状態で仕上がる。すなわち、ウェ
ーハ中央部に比べてウェーハ外周部が厚いシリコンウェ
ーハ100が出来上がり、シリコンウェーハ100の厚
さにムラが生じるという問題点があった。
Accordingly, as shown in FIG. 4, during polishing of the surface of the silicon wafer 100, these combined forces are
The silicon wafer 100 whose horizontal movement is restricted by the guide ring 102 is unevenly distributed on the outer peripheral portion of the back pad 103. As a result, a phenomenon has occurred in which the outer peripheral portion of the back pad 103 is crushed. Therefore, the outer periphery of the silicon wafer 100 is finished in a warped state as shown in FIG. That is, there is a problem in that the silicon wafer 100 having a larger outer peripheral portion than the central portion of the wafer is completed, and the thickness of the silicon wafer 100 becomes uneven.

【0005】[0005]

【発明の目的】そこで、この発明は、表面研磨時におけ
るバックパッドの外周部の潰れを原因とした半導体ウェ
ーハの厚さムラを防止することができるワックスレスマ
ウント式研磨装置を提供することを、その目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a waxless mount type polishing apparatus capable of preventing unevenness in thickness of a semiconductor wafer due to collapse of an outer peripheral portion of a back pad during surface polishing. That is the purpose.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、表面に研磨布が展張される研磨側定盤と、この研磨
側定盤に対向して配設され、表面にウェーハ固定用のガ
イドリングが設けられた固定側定盤とを備え、このガイ
ドリングの内側に、保水性を有して半導体ウェーハを水
の表面張力により保持するバックパッドが収納されたワ
ックスレスマウント式研磨装置において、上記バックパ
ッドは合成樹脂製のシートで作製したワックスレスマウ
ント式研磨装置である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a polishing-side platen on which a polishing cloth is spread on a surface, and a polishing-side platen disposed opposite to the polishing-side platen for fixing a wafer on the surface. A fixed-side platen provided with a guide ring, and a waxless mount-type polishing apparatus in which a back pad that retains a semiconductor wafer by water surface tension with water retention is stored inside the guide ring. In the above, the back pad is a waxless mount type polishing apparatus made of a synthetic resin sheet.

【0007】請求項2に記載の発明は、上記バックパッ
ドは多数の保水孔を有する請求項1に記載のワックスレ
スマウント式研磨装置である。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the waxless mount type polishing apparatus according to the first aspect, wherein the back pad has a large number of water retention holes.

【0008】このワックスレスマウント式研磨装置で
は、研磨側定盤を下定盤とし、固定側定盤を上定盤とし
たり、または、これとは上下を反対に配置してもよい。
また、合成樹脂シート製のバックパッドには保水孔を形
成しても良く、形成しなくても良い。要は、研磨時、合
成樹脂製バックパッドに半導体ウェーハを回転自在とな
るように保持させることができればよいのである。形成
する場合の保水孔の直径は、例えば1000μm以下と
する。1000μmを超えると保水孔の形状がウェーハ
に転写し、すなわち形状不良となる。また、保水孔を有
しない場合、このバックパッドの素材には、例えば水を
はじきやすいフッ素樹脂(商品名「テフロン」)などが
挙げられる。このうち、特にフッ素樹脂は、摩擦係数が
小さいことから好ましい。さらに、バックパッドの厚さ
は3mm以下が好ましい。3mmを超えても加工は可能
であるが、3mmを超えると素材価格が高価となり、実
現性が困難となる。
In this waxless mount type polishing apparatus, the polishing-side surface plate may be a lower surface plate and the fixed-side surface plate may be an upper surface plate, or may be arranged upside down.
The back pad made of a synthetic resin sheet may or may not have a water retention hole. In short, it is only necessary that the semiconductor wafer can be rotatably held on the synthetic resin back pad during polishing. The diameter of the water retention hole when formed is, for example, 1000 μm or less. If it exceeds 1000 μm, the shape of the water retention hole is transferred to the wafer, that is, the shape is poor. In the case where the back pad is not provided, a material of the back pad includes, for example, a fluororesin (trade name “Teflon”) which easily repels water. Of these, fluororesins are particularly preferred because of their low friction coefficient. Further, the thickness of the back pad is preferably 3 mm or less. Processing is possible even if it exceeds 3 mm, but if it exceeds 3 mm, the material price becomes expensive and the feasibility becomes difficult.

【0009】[0009]

【作用】請求項1,2に記載の発明によれば、ウェーハ
表面の研磨時には、あらかじめ合成樹脂製のシートから
なり、しかも周りがガイドリングによって囲まれたバッ
クパッドに純水等を供給すると、バックパッドの表面に
水が張られる。その後、ウェーハの研磨面がガイドリン
グの周縁より若干外方へ突出するように、半導体ウェー
ハをガイドリングに収容する。この結果、張られた水の
表面張力により、半導体ウェーハがバックパッドに吸
着、保持される。次いで、砥粒を含む研磨剤を供給しな
がら、固定側定盤を研磨側定盤上で自転および公転させ
て、半導体ウェーハの研磨面を研磨布により表面研磨す
る。
According to the first and second aspects of the present invention, when polishing the wafer surface, pure water or the like is supplied to a back pad which is made of a synthetic resin sheet in advance and is surrounded by a guide ring. Water is put on the surface of the back pad. Thereafter, the semiconductor wafer is housed in the guide ring such that the polished surface of the wafer projects slightly outward from the periphery of the guide ring. As a result, the semiconductor wafer is adsorbed and held on the back pad by the surface tension of the stretched water. Next, the fixed-side platen is rotated and revolved on the polishing-side platen while supplying an abrasive containing abrasive grains, and the polished surface of the semiconductor wafer is polished with a polishing cloth.

【0010】このとき、半導体ウェーハは、バックパッ
ドの表面に張られた水により、ガイドリング内でバック
パッドに支持されて研磨ヘッド(上定盤)の回転とは非
同期状態で独立して回転する。この結果、半導体ウェー
ハにはその外周部での面だれが発生しない。また、バッ
クパッドは、張られた水がクッションの役目を果たす影
響と、素材が合成樹脂製のシートであることとも相まっ
て、この半導体ウェーハの研磨時の変形量が比較的小さ
く、この半導体ウェーハに対して適度な弾性保持力を付
与することができる。とともに、バックパッドによるこ
のウェーハの裏面側からの保形性、殊にバックパッドの
外周部の保形性は良好となる。
At this time, the semiconductor wafer is supported by the back pad in the guide ring by the water stretched on the surface of the back pad, and rotates independently of the rotation of the polishing head (upper platen) independently. . As a result, the surface of the semiconductor wafer does not sag at the outer peripheral portion. In addition, the back pad has a relatively small amount of deformation during polishing of the semiconductor wafer, in combination with the effect that the stretched water serves as a cushion and the material is a synthetic resin sheet. On the other hand, an appropriate elastic holding force can be provided. At the same time, the shape retention from the back surface side of the wafer by the back pad, particularly the shape retention at the outer peripheral portion of the back pad is improved.

【0011】したがって、この表面研磨中に、固定側定
盤の押圧力、自転力、公転力の複合力が、ガイドリング
により移動を制約されたバックパッドの外周部に集中し
ても、上述した水の影響などにより、このバックパッド
の外周部は押し潰されにくい。バックパッドの外周部で
の沈み込みが発生しない。このように、表面研磨時にお
ける半導体ウェーハの外周部は、比較的変形量が小さな
バックパッドにより裏面側から形状が維持されるので、
研磨後の半導体ウェーハは、その中央部と外周部の厚さ
がほぼ等しい、厚さムラの小さな半導体ウェーハを得る
ことができる。
Therefore, even if the combined force of the pressing force, the rotation force, and the revolving force of the fixed surface plate concentrates on the outer peripheral portion of the back pad whose movement is restricted by the guide ring during this surface polishing, Due to the influence of water and the like, the outer peripheral portion of the back pad is not easily crushed. No sinking occurs at the outer periphery of the back pad. As described above, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer during surface polishing is maintained in shape from the back side by the back pad having a relatively small amount of deformation.
The semiconductor wafer after polishing can have a small thickness unevenness in which the thickness of the central part and the peripheral part thereof are substantially equal.

【0012】特に、請求項2に記載の発明によれば、あ
らかじめバックパッドに供給された純水等を保水孔に保
水し、その後、半導体ウェーハをガイドリングに収容す
るので、ウェーハ表面の研磨時、半導体ウェーハは、各
保水孔中の比較的多量の水により吸着、保持される。こ
れにより、研磨ヘッド(上定盤)の回転との非同期状態
が良好となって、独立した回転がしやすくなる。この結
果、半導体ウェーハの外周部の面だれが、さらに発生し
にくくなる。また、この表面研磨中、固定側定盤の押圧
力、自転力、公転力の複合力が、ガイドリングにより移
動規制されたバックパッドの外周部に集中しても、保水
された水がクッションの役割を果たすので、このバック
パッドの外周部は押し潰されにくい。
In particular, according to the second aspect of the present invention, the pure water or the like supplied to the back pad is retained in the water retaining hole in advance, and then the semiconductor wafer is accommodated in the guide ring. The semiconductor wafer is adsorbed and held by a relatively large amount of water in each water holding hole. Thereby, the asynchronous state with the rotation of the polishing head (upper platen) is improved, and independent rotation is facilitated. As a result, surface drooping of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is less likely to occur. Also, during this surface polishing, even if the combined force of the pressing force, the rotation force, and the revolving force of the fixed surface plate concentrates on the outer peripheral portion of the back pad whose movement is restricted by the guide ring, the water retained by the cushion does not affect the cushion. Since it plays a role, the outer peripheral portion of the back pad is not easily crushed.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。まず、図1〜図3に基づいて、この
発明の一実施例に係るワックスレスマウント式研磨装置
を説明する。図1は、この発明の一実施例に係るワック
スレスマウント式研磨装置の正面図である。図2は、こ
の発明の一実施例に係るバックパッドの斜視図である。
図3は、この発明の一実施例に係るシリコンウェーハの
表面研磨中の状態を示すその正面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, a waxless mount type polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a front view of a waxless mount type polishing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a back pad according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a front view showing a state in which the surface of the silicon wafer according to one embodiment of the present invention is being polished.

【0014】図1において、10は一実施例に係るワッ
クスレスマウント式研磨装置であり、このワックスレス
マウント式研磨装置10は、下定盤13と、これに対向
して配設された上定盤15とを備えている。研磨側定盤
の一例である下定盤13では、その上面に厚地のスポン
ジゴム11を介して研磨布12が展張されている。な
お、スポンジゴム11は必ずしも要らない。固定側定盤
の一例である上定盤15では、その下面にウェーハ固定
用のガイドリング14が設けられている。下定盤13お
よび上定盤15はともに円板形をしており、対向する各
表面は平坦面となっている。これらの下定盤13、上定
盤15は、回転軸16、17を介して、図外の駆動手段
により軸線を中心に回転可能に構成されている。なお、
上定盤15は、回転軸17の昇降により上下動可能に構
成されている。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a wax-less mount type polishing apparatus according to one embodiment. The wax-less mount type polishing apparatus 10 comprises a lower platen 13 and an upper platen arranged opposite thereto. 15 is provided. In a lower surface plate 13 which is an example of a polishing-side surface plate, a polishing cloth 12 is spread on an upper surface of the lower surface plate 13 via a sponge rubber 11 of a thick material. The sponge rubber 11 is not always required. An upper stool 15 which is an example of a fixed stool has a guide ring 14 for fixing a wafer on a lower surface thereof. The lower surface plate 13 and the upper surface plate 15 are both disk-shaped, and their opposing surfaces are flat. The lower platen 13 and the upper platen 15 are configured to be rotatable around an axis by driving means (not shown) via rotating shafts 16 and 17. In addition,
The upper surface plate 15 is configured to be able to move up and down by raising and lowering the rotating shaft 17.

【0015】円形のリングであるガイドリング14の内
側には、バックパッド18が、その上面を上定盤15の
下面と接触させて収納、保持されている。図2、図3に
示すように、バックパッド18は、合成樹脂製シートの
一例としてのテフロンシート製であり、その厚さは80
0μm、また全体として厚さ方向に所定の弾性力(可撓
性)を有している。このバックパッド18には、その表
裏面を貫通して、それぞれ直径500μm程度の多数の
保水孔18aが分布して形成されている。なお、シリコ
ンウェーハ19は、CZウェーハであって、その厚さは
630μmである。
Inside the guide ring 14 which is a circular ring, a back pad 18 is housed and held with its upper surface in contact with the lower surface of the upper stool 15. As shown in FIGS. 2 and 3, the back pad 18 is made of a Teflon sheet as an example of a synthetic resin sheet, and has a thickness of 80%.
0 μm, and has a predetermined elastic force (flexibility) in the thickness direction as a whole. A large number of water retention holes 18a each having a diameter of about 500 μm are formed in the back pad 18 so as to penetrate the front and back surfaces. Note that the silicon wafer 19 is a CZ wafer and has a thickness of 630 μm.

【0016】次に、この一実施例に係るワックスレスマ
ウント式研磨装置10を用いたシリコンウェーハ19の
ワックスレス研磨方法を説明する。図1に示すように、
シリコンウェーハ19の表面研磨時には、ガイドリング
14を装着し、このガイドリング14に保持されたバッ
クパッド18に純水等を供給しておく。純水を多数の保
水孔18aに保持させるものである。この後、シリコン
ウェーハ19をガイドリング14内に収容する。このと
き、ウェーハ研磨面がガイドリング14の下端面より下
方に位置するようにセットする。これにより、保水孔1
8aに保水された水の表面張力により、シリコンウェー
ハ19がバックパッド18に吸着、保持される。その
後、通常粒径の砥粒を含む研磨剤を供給しながら、上定
盤15を下定盤13上で自転および公転させて、シリコ
ンウェーハ19の研磨面を研磨布12により表面研磨す
る。
Next, a description will be given of a waxless polishing method for the silicon wafer 19 using the waxless mount type polishing apparatus 10 according to this embodiment. As shown in FIG.
At the time of polishing the surface of the silicon wafer 19, the guide ring 14 is attached, and pure water or the like is supplied to the back pad 18 held by the guide ring 14. Pure water is held in a large number of water retention holes 18a. After that, the silicon wafer 19 is accommodated in the guide ring 14. At this time, the wafer is set so that the wafer polishing surface is located below the lower end surface of the guide ring 14. Thereby, the water retention hole 1
The silicon wafer 19 is adsorbed and held on the back pad 18 by the surface tension of the water held in 8a. Thereafter, the upper platen 15 is rotated and revolved on the lower platen 13 while supplying an abrasive containing abrasive particles having a normal particle size, and the polished surface of the silicon wafer 19 is polished with the polishing pad 12.

【0017】このとき、シリコンウェーハ19は研磨ヘ
ッド15とは無関係に独立して回転することとなる。ま
た、バックパッド18が、その表面の保水孔18aに十
分に保水してこの水がクッションの役目を果たしてお
り、しかもバックパッド18は適度な硬さの可撓性を有
するテフロンシートであるので、表面研磨時のシリコン
ウェーハ19の適度なクッション性を十分に確保するこ
とができる。とともに、バックパッド18の保形性、殊
にパッド外周部の保形性は良好である。これらの結果、
この表面研磨中に、上定盤15の押圧力、自転力、公転
力の複合力が、ガイドリング14によって移動を制約さ
れたバックパッド18の外周部に集中しても、バックパ
ッド18の外周部は押し潰されにくい。
At this time, the silicon wafer 19 rotates independently of the polishing head 15. Further, since the back pad 18 sufficiently retains water in the water retaining holes 18a on the surface thereof, this water serves as a cushion, and since the back pad 18 is a Teflon sheet having a moderate hardness and flexibility, An appropriate cushioning property of the silicon wafer 19 at the time of surface polishing can be sufficiently ensured. At the same time, the shape retention of the back pad 18, particularly the shape retention at the outer periphery of the pad, is good. As a result of these,
During this surface polishing, even if the combined force of the pressing force, the rotation force, and the revolving force of the upper platen 15 concentrates on the outer peripheral portion of the back pad 18 whose movement is restricted by the guide ring 14, The part is not easily crushed.

【0018】このように、表面研磨時のシリコンウェー
ハ19の外周部は、水を介して変形量を小さくできるバ
ックパッド18により裏当てされているので、研磨後の
シリコンウェーハ19は、その中央部と外周部の厚さが
ほぼ等しい、厚さムラの小さなシリコンウェーハとな
る。なお、上記実施例ではバックパッドとして多数の保
水孔を形成したものを使用しているが、保水孔を形成し
ていないバックパッドを使用することも可能である。し
かし、保水量が少ない場合に、上定盤との同期が起こり
やすくなる。
As described above, the outer peripheral portion of the silicon wafer 19 at the time of surface polishing is backed by the back pad 18 which can reduce the amount of deformation via water. And a silicon wafer having a small thickness unevenness, in which the thickness of the outer peripheral portion is substantially equal. In the above embodiment, a back pad having a large number of water retention holes is used, but a back pad having no water retention holes may be used. However, when the water holding amount is small, synchronization with the upper surface plate is likely to occur.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明してきたように、この発明に係
るワックスレスマウント式研磨装置によれば、バックパ
ッドを合成樹脂で作製し、研磨中の半導体ウェーハを回
転自在に保持したため、表面研磨時におけるバックパッ
ドの外周部潰れ、面だれを原因とした半導体ウェーハの
厚さムラの発生を防止することができる。
As described above, according to the waxless mount type polishing apparatus of the present invention, the back pad is made of synthetic resin, and the semiconductor wafer being polished is rotatably held. In this case, it is possible to prevent the occurrence of unevenness in the thickness of the semiconductor wafer caused by the collapse of the outer peripheral portion of the back pad and the sagging.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施例に係るワックスレスマウン
ト式研磨装置の正面図である。
FIG. 1 is a front view of a waxless mount type polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例に係るバックパッドの斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view of a back pad according to one embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施例に係るシリコンウェーハの
表面研磨状態を示す正面図である。
FIG. 3 is a front view showing a surface polishing state of the silicon wafer according to one embodiment of the present invention.

【図4】従来のワックスレスマウント式研磨装置のウェ
ーハ表面研磨中の状態を示す正面図である。
FIG. 4 is a front view showing a state during polishing of a wafer surface of a conventional waxless mount type polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ワックスレスマウント式研磨装置、 12 研磨布、 13 下定盤(研磨側定盤)、 14 ガイドリング、 15 上定盤(固定側定盤)、 18 バックパッド、 18a 保水孔、 19 シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)。 Reference Signs List 10 waxless mount type polishing machine, 12 polishing cloth, 13 lower surface plate (polishing side surface plate), 14 guide ring, 15 upper surface plate (fixed side surface plate), 18 back pad, 18a water retention hole, 19 silicon wafer (semiconductor) Wafer).

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に研磨布が展張される研磨側定盤
と、 この研磨側定盤に対向して配設され、表面にウェーハ固
定用のガイドリングが設けられた固定側定盤とを備え、 このガイドリングの内側に、保水性を有して半導体ウェ
ーハを水の表面張力により保持するバックパッドが収納
されたワックスレスマウント式研磨装置において、 上記バックパッドは合成樹脂製のシートで作製したワッ
クスレスマウント式研磨装置。
1. A polishing-side platen on which a polishing cloth is spread on a surface, and a fixed-side platen disposed opposite to the polishing-side platen and provided with a guide ring for fixing a wafer on the surface. In a waxless mount type polishing apparatus in which a back pad having water retention and holding a semiconductor wafer by surface tension of water is stored inside the guide ring, the back pad is made of a synthetic resin sheet. Waxless mount type polishing machine.
【請求項2】 上記バックパッドは多数の保水孔を有す
る請求項1に記載のワックスレスマウント式研磨装置。
2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the back pad has a plurality of water retention holes.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016196056A (en) * 2015-04-03 2016-11-24 富士紡ホールディングス株式会社 Holding pad and holding jig
CN112059884A (en) * 2020-09-19 2020-12-11 张承林 Vitrified tile and processing method and processing system thereof

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