JPH11238655A - Semiconductor process determination support device - Google Patents
Semiconductor process determination support deviceInfo
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- JPH11238655A JPH11238655A JP10038570A JP3857098A JPH11238655A JP H11238655 A JPH11238655 A JP H11238655A JP 10038570 A JP10038570 A JP 10038570A JP 3857098 A JP3857098 A JP 3857098A JP H11238655 A JPH11238655 A JP H11238655A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造プロセス(以下、単にプロセスという)の決定を支
援する半導体プロセス決定支援装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor process determination support device for supporting the determination of a semiconductor integrated circuit manufacturing process (hereinafter simply referred to as a process).
【0002】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】通常、
半導体集積回路の製造には、汎用プロセスが採用され
る。しかし、上記の汎用プロセスでは、例えばASIC
(application specific IC)のように特定用途に向け
て必要な機能を集積して構成されるLSIが要求する種
々のスペックを満足する製品を得ることができない場合
がある。BACKGROUND OF THE INVENTION Generally,
A general-purpose process is used for manufacturing a semiconductor integrated circuit. However, in the above general-purpose process, for example, ASIC
As in the case of (application specific IC), it may not be possible to obtain a product that satisfies various specifications required by an LSI configured by integrating functions required for a specific application.
【0003】上記汎用プロセスにより製造された製品の
回路特性を調べた結果、例えば消費電力を少し犠牲にし
ても回路のスピードを上げたいという要求があった場合
には、回路設計をやり直すか、又は、上記要求を満足す
る製品を得ることのできるように、上記汎用プロセスの
各パラメータを調節する必要があった。As a result of examining the circuit characteristics of a product manufactured by the above-mentioned general-purpose process, if there is a request to increase the speed of the circuit even if the power consumption is slightly sacrificed, redesign the circuit, or Therefore, it is necessary to adjust each parameter of the general-purpose process so that a product satisfying the above requirements can be obtained.
【0004】従来のプロセス開発では、エンジニアの裁
量による上記汎用プロセスの各パラメータの変更、変更
後のプロセスによる製品の試作、及び、試作された製品
に対する回路特性のチェックが、所望の回路特性を示す
製品が得られるまで繰り返される。このような方法で
は、コスト及び時間がかかり効率が悪い。[0004] In the conventional process development, the change of each parameter of the general-purpose process at the discretion of the engineer, the trial production of a product by the modified process, and the check of the circuit characteristics of the prototyped product show the desired circuit characteristics. Repeat until product is obtained. Such a method is costly, time consuming and inefficient.
【0005】そこで、本発明は、上記従来のプロセス開
発における問題点を解決し、所望の回路特性を示す装置
を製造することのできるプロセスを、より迅速に決定す
るための半導体プロセス決定支援装置を提供することを
目的とする。Accordingly, the present invention solves the above-mentioned problems in the conventional process development and provides a semiconductor process decision support device for more quickly determining a process capable of manufacturing a device having desired circuit characteristics. The purpose is to provide.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の第1の半導体プ
ロセス決定支援装置は、半導体集積回路のプロセスを決
定するための支援装置であって、所定の回路に対して汎
用プロセスの各プロセスパラメータの値を振った、即
ち、各プロセスパラメータの値を種々変化させたプロセ
スを採用した場合の回路特性のデータに基づいて得られ
る上記回路についての各プロセスパラメータ及び回路特
性の相関データのデータベースを取得するデータベース
取得手段と、製造対象の回路のネットリストを入力する
入力手段と、所望する回路特性を指定する指定手段と、
汎用プロセスの各プロセスパラメータの内、上記指定手
段により指定された回路特性を達成するため、該回路特
性と最も相関度の高いプロセスパラメータを調節した少
なくとも1のプロセスを上記データベース取得手段によ
り取得されたデータベースより選択するプロセス選択手
段と、上記プロセス選択手段により選択されたプロセス
のデータを用いてプロセスシミュレーション及びデバイ
スシミュレーションを実行して回路シミュレーションで
用いる各パラメータを抽出し、当該抽出した各パラメー
タ及び上記入力手段により入力された回路のネットリス
トに基づいて回路シミュレーションを実行して回路特性
のデータを取得する特性データ取得手段と、上記プロセ
ス選択手段により選択されたプロセス及び特性データ取
得手段により取得された回路特性のデータを表示する表
示手段とを備える。A first semiconductor process decision support device according to the present invention is a support device for determining a process of a semiconductor integrated circuit. In other words, a database of correlation data of each process parameter and circuit characteristics of the circuit obtained based on the data of the circuit characteristics when a process in which the value of each process parameter is variously changed is obtained. Database acquisition means, input means for inputting a netlist of a circuit to be manufactured, designation means for designating desired circuit characteristics,
Among the process parameters of the general-purpose process, in order to achieve the circuit characteristic specified by the specifying unit, at least one process in which the process parameter having the highest correlation with the circuit characteristic is adjusted is obtained by the database obtaining unit. A process simulation and a device simulation are executed by using a process selection means selected from a database and data of a process selected by the process selection means to extract parameters used in a circuit simulation, and the extracted parameters and the input Characteristic data acquisition means for executing circuit simulation based on the netlist of the circuit inputted by the means to acquire data of circuit characteristics, and acquisition by the process and characteristic data acquisition means selected by the process selection means. And display means for displaying the data of the circuit characteristics are.
【0007】本発明の第2の半導体プロセス決定支援装
置は、上記第1の半導体プロセス決定支援装置におい
て、上記プロセス選択手段は、上記指定手段により指定
された特性を満足するプロセスであって、上記特性デー
タ取得手段において実行するプロセスシミュレーション
の精度補償範囲内にあるプロセスパラメータよりなるプ
ロセスを選択することを特徴とする。In a second aspect of the present invention, the process selecting means is a process which satisfies the characteristics specified by the specifying means. It is characterized in that a process consisting of process parameters within the accuracy compensation range of the process simulation executed by the characteristic data acquisition means is selected.
【0008】本発明の第3の半導体プロセス決定支援装
置は、上記第1の半導体プロセス決定支援装置におい
て、上記プロセス選択手段は、上記指定手段により指定
された特性を満足するプロセスであって、製造上の制限
を満足するプロセスパラメータよりなるプロセスを選択
することを特徴とする。In a third aspect of the present invention, the process selecting means is a process which satisfies the characteristics specified by the specifying means. It is characterized in that a process consisting of process parameters satisfying the above restrictions is selected.
【0009】また、本発明の記録媒体は、コンピュータ
を、半導体集積回路のプロセスを決定するための支援装
置として機能させるためのプログラムを格納した記録媒
体であって、当該コンピュータを、所定の回路に対して
汎用プロセスの各プロセスパラメータの値を振ったプロ
セスを採用した場合の回路特性のデータに基づいて得ら
れる上記回路についての各プロセスパラメータ及び回路
特性の相関データのデータベースを取得するデータベー
ス取得手段、製造対象の回路のネットリストを入力する
入力手段、所望する回路特性を指定する指定手段、汎用
プロセスの各プロセスパラメータの内、上記指定手段に
より指定された回路特性を達成するため、該回路特性と
最も相関度の高いプロセスパラメータを調節した少なく
とも1のプロセスを上記データベース取得手段により取
得されたデータベースより選択するプロセス選択手段、
上記プロセス選択手段により選択されたプロセスのデー
タを用いてプロセスシミュレーション及びデバイスシミ
ュレーションを実行して回路シミュレーションで用いる
各パラメータを抽出し、当該抽出した各パラメータ及び
上記入力手段により入力された回路のネットリストに基
づいて回路シミュレーションを実行して回路特性のデー
タを取得する特性データ取得手段、上記プロセス選択手
段により選択されたプロセス及び特性データ取得手段に
より取得された回路特性のデータを表示する表示手段と
して機能させるプログラムを記録したことを特徴とす
る。Further, the recording medium of the present invention is a recording medium storing a program for causing a computer to function as a support device for determining a process of a semiconductor integrated circuit. A database acquisition unit for acquiring a database of correlation data of each process parameter and circuit characteristics of the circuit obtained based on data of circuit characteristics when a process in which the value of each process parameter of a general-purpose process is varied, Input means for inputting a netlist of a circuit to be manufactured, designating means for designating desired circuit characteristics, and among the process parameters of a general-purpose process, among the process parameters specified by the designating means, the circuit characteristics At least one process with the most correlated process parameters adjusted Process selection means for selecting from the database acquired by the database acquisition means,
A process simulation and a device simulation are executed using the data of the process selected by the process selecting means to extract each parameter used in the circuit simulation, and the extracted parameters and a netlist of the circuit input by the input means are extracted. Function data acquiring means for executing a circuit simulation based on the data to acquire circuit characteristic data, and functioning as a display means for displaying the process selected by the process selecting means and the circuit characteristic data acquired by the characteristic data acquiring means The program is characterized by recording a program to be executed.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明の半導体プロセス決定支援
装置は、予め、ある回路(以下、標準回路という)に対
して汎用プロセスの各プロセスパラメータの値を振っ
た、即ち、各プロセスパラメータの値を種々変化させた
プロセスを採用して得られる回路特性のデータに基づく
上記標準回路についての各プロセスパラメータと回路特
性との相関データのデータベースを構築し、これを記憶
しておく。そして、上記相関データのデータベースを利
用して、上記とは別の回路(以下、対象回路という)が
所望の回路特性を発揮するように汎用プロセスのプロセ
スパラメータの調整を行い、パラメータ調整後のプロセ
スにより得られる回路特性のデータをディスプレイなど
の表示手段に表示する。操作者は、この表示手段による
表示を参照することで、試作を行うことなく、対象回路
に最適なプロセスを低コストで高速に決定することがで
きる。以下、添付の図面を用いて上記特徴を具備する本
発明の実施の形態にかかる半導体プロセス決定支援装置
100について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor process decision support device of the present invention assigns the values of the process parameters of a general-purpose process to a certain circuit (hereinafter, referred to as a standard circuit), ie, the values of the process parameters. A database of correlation data between each process parameter and the circuit characteristics of the standard circuit based on the data of the circuit characteristics obtained by adopting the process obtained by changing variously is constructed and stored. Using the database of the correlation data, the process parameters of the general-purpose process are adjusted so that another circuit (hereinafter, referred to as a target circuit) exhibits desired circuit characteristics, and the process after the parameter adjustment is performed. Is displayed on display means such as a display. By referring to the display by the display means, the operator can determine the optimal process for the target circuit at a low cost and at a high speed without performing a trial production. Hereinafter, a semiconductor process determination support device 100 according to an embodiment of the present invention having the above features will be described with reference to the accompanying drawings.
【0011】(1)システム構成 図1は、半導体プロセス決定支援装置100の実行する
プロセス決定処理の機能ブロック図である。データ記憶
部7には、標準回路に対して汎用プロセスの各プロセス
パラメータを振ったプロセスを採用して得られる回路特
性のデータに基づく上記回路についての各プロセスパラ
メータと回路特性との相関データのデータベース8、汎
用プロセスのデータ9、プロセスシミュレーションを精
度良く実行することのできる各プロセスパラメータの取
り得る範囲についての情報10、及び、製造上の制限を
満足することのできる各プロセスパラメータの取りうる
範囲についての情報11が記憶されている。(1) System Configuration FIG. 1 is a functional block diagram of a process decision process executed by the semiconductor process decision support device 100. The data storage unit 7 stores a database of correlation data between each process parameter and circuit characteristics of the circuit based on data of circuit characteristics obtained by adopting a process in which each process parameter of a general-purpose process is assigned to a standard circuit. 8, general-purpose process data 9, information 10 on the range of each process parameter that can accurately execute a process simulation, and possible range of each process parameter that can satisfy manufacturing restrictions. Is stored.
【0012】入力部1は、回路ネットリスト及び所望す
る回路特性を入力する。この所望する回路特性は、汎用
プロセスを用いた場合に得られる回路特性に対して改善
したい特性と、前記特性の改善のために犠牲にしても良
い特性とを指定して行う。An input unit 1 inputs a circuit net list and desired circuit characteristics. The desired circuit characteristics are specified by designating characteristics to be improved with respect to circuit characteristics obtained when a general-purpose process is used, and characteristics that can be sacrificed for improving the characteristics.
【0013】プロセス条件変更部2は、上記データ記憶
部7に記憶されている相関データのデータベース8よ
り、上記入力部1より入力された所望の回路特性を満足
するプロセスを特定する。なお、プロセスの特定を行う
際には、各プロセスパラメータの値がプロセスシミュレ
ーションの精度保証範囲10及び製造上の制限条件11
を満足するプロセスを選択する。プロセスシミュレーシ
ョン精度保証範囲10及び製造上の制限条件11につい
ては後に説明する。The process condition changing unit 2 specifies a process that satisfies the desired circuit characteristics input from the input unit 1 from the correlation data database 8 stored in the data storage unit 7. When the process is specified, the values of the process parameters are set to the accuracy assurance range 10 of the process simulation and the manufacturing
Choose a process that satisfies The process simulation accuracy guarantee range 10 and the manufacturing restriction condition 11 will be described later.
【0014】プロセスシミュレーション実行部3は、プ
ロセス条件変更部2において特定されたプロセスに従っ
てプロセスシミュレーションを実行して、当該プロセス
により製造されるデバイス構造のデータを出力する。The process simulation executing section 3 executes a process simulation according to the process specified by the process condition changing section 2 and outputs data of a device structure manufactured by the process.
【0015】デバイスシミュレーション実行部4は、上
記デバイス構造のデータに基づいてデバイスシミュレー
ションを実行し、所定のデバイスデータを出力する。The device simulation executing section 4 executes a device simulation based on the data of the device structure and outputs predetermined device data.
【0016】回路シミュレーション実行部5は、上記入
力部1より入力された対象回路のネットリスト、及び、
上記デバイスシミュレーション実行部4より出力された
デバイスデータに基づいて回路シミュレーションを実行
し、消費電力や回路スピード等の回路特性のデータを出
力する。The circuit simulation execution unit 5 includes a netlist of the target circuit input from the input unit 1 and
A circuit simulation is performed based on the device data output from the device simulation execution unit 4 to output data of circuit characteristics such as power consumption and circuit speed.
【0017】出力表示部6は、上記回路シミュレーショ
ン実行部5における回路シミュレーションにより得られ
る回路特性のデータを表示出力する。操作者は、この表
示出力を参照して最適なプロセスを決定する。The output display unit 6 displays and outputs circuit characteristic data obtained by the circuit simulation in the circuit simulation execution unit 5. The operator determines the optimum process by referring to the display output.
【0018】(2)データベースの構築 図2は、半導体プロセス決定支援装置100のハードウ
ェア構成を示す図である。半導体プロセス決定支援装置
100は、中央演算処理装置(以下、CPUという)1
01、半導体プロセスの決定処理プログラムを実行する
際に用いるメモリ102、キー入力部であるキーボード
103、ディスプレイ104及び外部記憶装置105に
より構成される。(2) Construction of Database FIG. 2 is a diagram showing a hardware configuration of the semiconductor process decision support device 100. The semiconductor process determination support device 100 includes a central processing unit (hereinafter, referred to as a CPU) 1
01, a memory 102 used when executing a semiconductor processing determination processing program, a keyboard 103 serving as a key input unit, a display 104, and an external storage device 105.
【0019】外部記憶装置105は、図1に示したデー
タ記憶部7に相当し、この外部記憶装置105には、標
準回路に対して汎用プロセスの各プロセスパラメータを
振ったプロセスを採用して得られる回路特性のデータに
基づく上記回路についての各プロセスパラメータと回路
特性との相関データのデータベース、汎用プロセスのデ
ータ、プロセスシミュレーションを精度良く実行するこ
とのできる各プロセスパラメータの取り得る範囲のデー
タ、及び、製造上の制限を満足することのできる各プロ
セスパラメータの取りうる範囲のデータが記憶されてい
る。The external storage device 105 corresponds to the data storage unit 7 shown in FIG. 1. The external storage device 105 is obtained by adopting a process in which each process parameter of a general-purpose process is assigned to a standard circuit. A database of correlation data between each process parameter and the circuit characteristics of the circuit based on the data of the circuit characteristics to be obtained, data of a general-purpose process, data in a range of each process parameter capable of accurately executing a process simulation, and The data in the range of each process parameter that can satisfy the manufacturing restrictions is stored.
【0020】更に、外部記憶装置105には、上記半導
体プロセスの決定処理プログラムやプロセスの決定を行
う対象回路のネットリストのデータ、プロセスシミュレ
ーションの実行プログラム、デバイスシミュレーション
の実行プログラム、回路シミュレーションの実行プログ
ラム、及び、該回路シミュレーションで用いるパラメー
タの抽出処理の実行プログラムが記憶されている。本装
置100では、回路シミュレーションの実行プログラム
としては、例えばカリフォルニア大学バークレー校で開
発されたSPICE2を使用する。この場合において、プロセ
スパラメータとの混同を避けるため、該回路シミュレー
ションで用いるパラメータをスパイスパラメータとい
い、上記パラメータの抽出処理の実行プログラムをスパ
イスパラメータ抽出処理プログラムという。後に説明す
るプロセスの決定処理では、上記のデータベースを構成
する各相関データに基づいて、所望する回路特性を得る
ことのできるプロセスを選択する。Further, in the external storage device 105, there are stored the above-mentioned semiconductor process determination processing program, netlist data of a target circuit for which a process is determined, a process simulation execution program, a device simulation execution program, and a circuit simulation execution program. And an execution program of a parameter extraction process used in the circuit simulation. In the present apparatus 100, for example, SPICE2 developed at the University of California, Berkeley is used as an execution program for circuit simulation. In this case, in order to avoid confusion with the process parameters, the parameters used in the circuit simulation are called spice parameters, and the execution program of the parameter extraction processing is called a spice parameter extraction processing program. In the process determination process described later, a process that can obtain a desired circuit characteristic is selected based on each of the correlation data constituting the database.
【0021】次の図3は、標準回路のネットリストと、
該標準回路に採用される汎用プロセスに基づいて、一義
的に回路特性のデータを導出するまでの流れを示す図で
ある。FIG. 3 shows a standard circuit netlist,
FIG. 4 is a diagram showing a flow until a circuit characteristic data is uniquely derived based on a general-purpose process adopted in the standard circuit.
【0022】まず、外部記憶装置105に記憶している
プロセスシミュレーションの実行プログラムをメモリ1
02に読み出して起動すると共に、汎用プロセスのフロ
ーとパラメータのデータで構成されるプロセスデータ1
10を読み出してプロセスシミュレーション111を実
行する。このプロセスシミュレーション111により得
られるデバイス構造のデータは、外部記憶装置5に記憶
する。First, a process simulation execution program stored in the external storage device 105 is stored in the memory 1.
02, which is read and activated, and process data 1 which is composed of general process flow and parameter data.
10 is read and a process simulation 111 is executed. The device structure data obtained by the process simulation 111 is stored in the external storage device 5.
【0023】外部記憶装置105に記憶しているデバイ
スシミュレーションプログラムをメモリ102に読み出
して起動すると共に、デバイス構造のデータ112及び
予め記憶されているバイアス条件のデータ113を読み
出し、これらのデータに基づいてデバイスシミュレーシ
ョン114を実行する。このデバイスシミュレーション
114により、単体トランジスタの電流I−電圧V特
性,容量C−電圧V特性等がデバイスデータ115とし
て得られる。このデバイスデータ115は外部記憶装置
105に記憶する。The device simulation program stored in the external storage device 105 is read out to the memory 102 and started, and the device structure data 112 and the bias condition data 113 stored in advance are read out. The device simulation 114 is executed. By this device simulation 114, a current I-voltage V characteristic, a capacitance C-voltage V characteristic, and the like of a single transistor are obtained as device data 115. The device data 115 is stored in the external storage device 105.
【0024】外部記憶装置105に記憶しているスパイ
スパラメータ抽出処理ソフト116を起動して、外部記
憶装置105に記憶するデバイス構造のデータ112及
びデバイスデータ115から、回路シミュレーション
(SPICE2)で用いるパラメータを抽出し、このパラメー
タデータ117を外部記憶装置105に記憶する。The spice parameter extraction processing software 116 stored in the external storage device 105 is activated, and the parameters used in the circuit simulation (SPICE2) are extracted from the device structure data 112 and the device data 115 stored in the external storage device 105. The parameter data 117 is extracted and stored in the external storage device 105.
【0025】外部記憶装置105に記憶する回路シミュ
レーション(SPICE2)のプログラムをメモリ102に読
み出して起動し、外部記憶装置105よりスパイスパラ
メータ117及び予め記憶されている回路ネットリスト
のデータ118を読み出し、これらのデータに基づいて
回路シミュレーション119を実行する。この回路シミ
ュレーション119により、標準回路に対して汎用プロ
セスを採用した場合の消費電力及び回路スピードなどの
回路特性のデータ120を得ることができる。回路シミ
ュレーション119により得られた回路特性のデータ1
20は外部記憶装置105に記憶する。The program of the circuit simulation (SPICE2) stored in the external storage device 105 is read into the memory 102 and started, and the spice parameters 117 and the data 118 of the circuit net list stored in advance are read from the external storage device 105. A circuit simulation 119 is executed based on the data. By this circuit simulation 119, data 120 of circuit characteristics such as power consumption and circuit speed when a general-purpose process is used for a standard circuit can be obtained. Circuit characteristic data 1 obtained by circuit simulation 119
20 is stored in the external storage device 105.
【0026】以上に説明した手順により、標準回路につ
いて、汎用プロセスを採用した場合の回路特性を、実際
に回路を試作することなく得ることができる。上記処理
の後、汎用プロセスの各パラメータの値を振って、即ち
各パラメータの値を種々変化させて上記のプロセスシミ
ュレーション、デバイスシミュレーション及び回路シミ
ュレーションを繰り返し実行して外部記憶装置105に
回路特性のデータを蓄積することで、プロセスの各パラ
メータと回路特性との相関データ、例えば、図4に示す
回路スピードとひ素注入量との相関データ等のデータベ
ースを構築することができる。なお、本データベースに
関しては、実回路から得られた回路特性のデータに基づ
いて構築しても良い。According to the above-described procedure, circuit characteristics of a standard circuit when a general-purpose process is employed can be obtained without actually producing a circuit. After the above processing, the values of the parameters of the general-purpose process are assigned, that is, the values of the parameters are variously changed, and the above process simulation, device simulation and circuit simulation are repeatedly executed, and the data of the circuit characteristics are stored in the external storage device 105. By accumulating the data, it is possible to construct a database of correlation data between each parameter of the process and the circuit characteristics, for example, correlation data between the circuit speed and the arsenic implantation amount shown in FIG. The database may be constructed based on data of circuit characteristics obtained from an actual circuit.
【0027】(3)半導体プロセス決定支援処理 図5は、CPU103が外部記憶装置105に記憶する
相関データを利用しつつ実行するプロセス決定処理のフ
ローチャートである。まず、対象回路のネットリストを
外部記憶装置105より読み出す(ステップS10)。
標準回路に対して汎用プロセスを用いた場合に得られる
スパイスパラメータ、及び、上記ステップS10におい
て読み出した回路ネットリストを用いて回路シミュレー
ションを実行して対象回路の特性データを得る(ステッ
プS11)。ステップS11において得られた回路特性
をディスプレイ104に表示すると共に、当該回路特性
との比較において所望する回路特性の指定を行う(ステ
ップS12)。この所望する回路特性の指定方法には種
々の方式が考えられるが、例えば、選択変更できる回路
特性をディスプレイ4にメニュー形式で表示し、変更し
ようとする回路特性をキーボード3の操作により選択し
て指定する方法があげられる。(3) Semiconductor Process Determination Support Process FIG. 5 is a flowchart of a process determination process executed by the CPU 103 while utilizing the correlation data stored in the external storage device 105. First, the net list of the target circuit is read from the external storage device 105 (step S10).
The circuit simulation is performed using the spice parameters obtained when the general-purpose process is used for the standard circuit and the circuit netlist read out in step S10 to obtain the characteristic data of the target circuit (step S11). The circuit characteristics obtained in step S11 are displayed on the display 104, and a desired circuit characteristic is specified in comparison with the circuit characteristics (step S12). Various methods can be considered for specifying the desired circuit characteristics. For example, the circuit characteristics that can be selected and changed are displayed in a menu on the display 4 and the circuit characteristics to be changed are selected by operating the keyboard 3. There is a way to specify.
【0028】相関データベースより、上記ステップS1
2において指定された回路特性を満足するm個の改善プ
ロセスを特定する(ステップS13)。以下に改善プロ
セスの具体的な特定方法について説明する。例えば、上
記ステップS12において、汎用プロセスを採用した場
合に対象回路の示す特性に対して10%までの消費電力
の増加を許容するかわりに、回路スピードを上げるとい
った内容の項目が選択された場合について考察する。こ
の場合、まず、上記相関データのデータベースより回路
スピードに影響を与えるプロセスパラメータを選定す
る。選定したプロセスパラメータの値を、消費電力の増
加が10%以下に収まる範囲内において、回路スピード
を増加する値に変更したプロセスを、上記指定された回
路特性を満足する改善プロセスとして特定する。この
際、該当するプロセスパラメータが複数ある場合には、
これら各パラメータを変更した複数のプロセスを全て改
善プロセスとして特定する。なお、予め特定する改善プ
ロセスの数を決めておき、所望する回路特性への相関度
の高いパラメータの値が変更されている改善プロセスか
ら優先的に特定することとしても良い。From the correlation database, step S1
In step S13, m improvement processes that satisfy the circuit characteristics specified in step 2 are specified. The specific method of specifying the improvement process will be described below. For example, in step S12, when a general-purpose process is employed, instead of allowing an increase in power consumption of up to 10% with respect to the characteristics of the target circuit, a case where an item such as increasing the circuit speed is selected. Consider. In this case, first, a process parameter that affects the circuit speed is selected from the database of the correlation data. A process in which the value of the selected process parameter is changed to a value that increases the circuit speed within a range where the increase in power consumption falls within 10% or less is specified as an improved process that satisfies the specified circuit characteristics. At this time, if there are multiple applicable process parameters,
A plurality of processes in which these parameters are changed are all specified as an improvement process. Note that the number of improvement processes to be specified may be determined in advance, and the improvement process in which the value of a parameter having a high degree of correlation with desired circuit characteristics is changed may be specified preferentially.
【0029】以下に説明するステップS14〜S20に
おいて、上記ステップS13において特定したm個の改
善プロセスを、対象回路に適用した場合に得られる回路
特性を調べる。まず、変数nの値を1にセットする(ス
テップS14)。n番目の改善プロセスの各パラメータ
の値がシミュレーションの精度保証範囲内にあるか否か
について調べる(ステップS15)。ここで、シミュレ
ーションの精度保証範囲とは、プロセスシミュレーショ
ン内において用いる拡散方程式等のモデルの信頼性を所
定のレベル以上に維持する範囲をいう。n番目の改善プ
ロセスの全てのパラメータの値がシミュレーションの精
度保証範囲内にある場合には(ステップS15でYE
S)、次のステップS16の処理へと進む。一方、n番
目の改善プロセスの何れかのパラメータの値がシミュレ
ーションの精度保証範囲内にない場合には(ステップS
15でNO)、ステップS23に進み、回路特性のデー
タを求める処理をスキップする。このように、プロセス
シミュレーションの精度が補償できる範囲でプロセスパ
ラメータの変更を行えば、装置の信頼性が上がり、確認
のために試作を行う必要が無くなり、低コストで高速な
プロセスの決定を行うことができる。In steps S14 to S20 described below, circuit characteristics obtained when the m improvement processes specified in step S13 are applied to a target circuit are examined. First, the value of the variable n is set to 1 (step S14). It is checked whether or not the value of each parameter of the n-th improvement process is within the simulation accuracy guarantee range (step S15). Here, the accuracy guarantee range of the simulation refers to a range in which the reliability of a model such as a diffusion equation used in the process simulation is maintained at a predetermined level or more. If all the parameter values of the n-th improvement process are within the simulation accuracy guarantee range (YE in step S15)
S), the process proceeds to the next step S16. On the other hand, when the value of any parameter of the n-th improvement process is not within the simulation accuracy guarantee range (step S
(NO at 15), the process proceeds to step S23, and the process of obtaining the data of the circuit characteristics is skipped. As described above, if the process parameters are changed within a range in which the accuracy of the process simulation can be compensated, the reliability of the apparatus is increased, and there is no need to perform a prototype for confirmation, and a low-cost and high-speed process can be determined. Can be.
【0030】次のステップS16では、n番目の改善プ
ロセスの各パラメータの値が、製造上の制限を満足する
か否かについて調べる。ここで、製造上の制限とは、例
えば、最小線幅の限界や酸化膜厚の限界といった製造装
置の性能に関わる制限と、レイアウト変更を伴うような
プロセスの変更(例えばポリ寸法の増大)といった制限
をいう。n番目の改善プロセスの全てのパラメータが製
造上の制限を満足する場合には(ステップS16でYE
S)、以下のステップS17〜S20の処理を実行す
る。一方、n番目の改善プロセスの何れかのパラメータ
が製造上の制限を満足しない場合には(ステップS16
でNO)、ステップS23へと進み、途中の回路特性の
データを求める処理をスキップする。このように、製造
上の制限内においてプロセスパラメータの変更を行うこ
とで、無駄なシミュレーションの実行を防ぐことがで
き、効率よく最適なプロセスの決定を行うことができ
る。In the next step S16, it is checked whether or not the value of each parameter of the n-th improvement process satisfies manufacturing restrictions. Here, the manufacturing restrictions include, for example, restrictions on the performance of the manufacturing apparatus such as a limit of a minimum line width and a limit of an oxide film thickness, and a change in a process involving a layout change (for example, an increase in poly size). Refers to restrictions. If all parameters of the n-th improvement process satisfy the manufacturing restrictions (YE in step S16)
S), the following steps S17 to S20 are executed. On the other hand, when any parameter of the n-th improvement process does not satisfy the manufacturing restriction (step S16).
NO), the process proceeds to step S23, and the process of obtaining data of circuit characteristics in the middle is skipped. As described above, by changing the process parameters within the restrictions on manufacturing, useless simulation can be prevented, and an optimal process can be efficiently determined.
【0031】n番目の改善プロセスの各パラメータの値
がシミュレーションの精度保証範囲内であり、かつ、製
造上の制限を満足する場合(上記ステップS15及びS
16においてともにYES)、処理対象の回路に対して
上記n番目の改善プロセスを採用した場合における回路
特性のデータを求める。ここでは、プロセスシミュレー
ション(ステップS17)、デバイスシミュレーション
(ステップS18)、回路シミュレーション(ステップ
S19)を実行する。なお、ステップS17〜S19に
おける処理内容については、図3を用いて既に説明した
回路特性の取得処理と同じ内容であり、ここでの重複し
た説明は省略する。When the value of each parameter of the n-th improvement process is within the simulation accuracy assurance range and satisfies manufacturing restrictions (the above-described steps S15 and S15).
16, YES), circuit characteristic data when the n-th improvement process is applied to the circuit to be processed is obtained. Here, a process simulation (step S17), a device simulation (step S18), and a circuit simulation (step S19) are executed. Note that the processing contents in steps S17 to S19 are the same as the circuit characteristic acquisition processing already described with reference to FIG. 3, and a repeated description thereof will be omitted.
【0032】回路シミュレーションの結果より得られる
回路特性のデータを外部記憶装置105に記憶する(ス
テップS20)。上記ステップS12において指定した
所望の回路特性に関する情報、上記の場合では、消費電
力及び回路スピードに関するデータを抽出する。ここ
で、プロセスの決定を行う対象回路が相関データベース
の作成に用いた標準回路に比べて大幅に異なっている等
の理由により、消費電力が所望する10%以上増加して
しまっている場合には、プロセスパラメータの調整が必
要であると判断し(ステップS21でYES)、該当す
るプロセスパラメータの値を調整し(ステップS2
2)、再び上記ステップS17〜S20の処理を行う。
なお、上記ステップS22におけるプロセスパラメータ
の値の調整は、例えば、消費電力を低減させる方向に、
プロセスパラメータの値を調整する。一方、消費電力の
増加が10%以下に収まっている場合には、プロセスパ
ラメータの調整は不要であると判断する(ステップS2
1でNO)。The circuit characteristic data obtained from the result of the circuit simulation is stored in the external storage device 105 (step S20). Information on the desired circuit characteristics designated in step S12, in this case, data on power consumption and circuit speed is extracted. Here, if the power consumption has increased by more than the desired 10% due to the reason that the target circuit for determining the process is significantly different from the standard circuit used for creating the correlation database, etc. It is determined that the adjustment of the process parameter is necessary (YES in step S21), and the value of the corresponding process parameter is adjusted (step S2).
2) The processes of steps S17 to S20 are performed again.
Note that the adjustment of the value of the process parameter in step S22 is performed, for example, in the direction of reducing power consumption.
Adjust process parameter values. On the other hand, if the increase in power consumption is within 10% or less, it is determined that adjustment of the process parameters is not necessary (step S2).
1 and NO).
【0033】nの値がmでない場合、即ち上記ステップ
S13において特定された全ての改善プロセスに対する
処理が未完了の場合には(ステップS23でNO)、n
の値に1を加算した後に(ステップS24)、上記ステ
ップS15に戻る。他方、nの値がmの場合には(ステ
ップS23でYES)、上記ステップS13において特
定された全ての改善プロセスに対する処理が終了したと
判断して、ディスプレイ104に複数の実行結果を回路
スピードの速い順に改善プロセスの条件(データ及びパ
ラメータ)と共に表示する(ステップS25)。If the value of n is not m, that is, if the processing for all the improvement processes specified in step S13 is not completed (NO in step S23), n
After adding 1 to the value of (Step S24), the process returns to Step S15. On the other hand, if the value of n is m (YES in step S23), it is determined that the processing for all the improvement processes specified in step S13 has been completed, and a plurality of execution results are displayed on the display 104 on the circuit speed. The improvement process conditions (data and parameters) are displayed in the order of speed (step S25).
【0034】上記処理を完了することで、操作者により
指定された所望する回路特性を得ることのできる適切な
少なくとも1以上の改善プロセス及び当該改善プロセス
により得られる回路特性がディスプレイ104に表示さ
れる。操作者は、ディスプレイ104に表示されたこれ
らの情報に基づいて、最も適切なプロセスを決定すれば
よい。これにより、実際に回路の試作を行うことなく、
操作者の所望する回路特性を得ることのできる最適なプ
ロセスを、低コストかつ高速に導出することができる。By completing the above processing, at least one or more appropriate improvement processes capable of obtaining desired circuit characteristics specified by the operator and circuit characteristics obtained by the improvement processes are displayed on the display 104. . The operator may determine the most appropriate process based on the information displayed on the display 104. As a result, without actually making a prototype of the circuit,
An optimal process capable of obtaining a circuit characteristic desired by an operator can be derived at low cost and at high speed.
【0035】上記半導体プロセス決定装置100では、
回路シミュレーションのプログラムとしてSPICE2を使用
するが、これに限定されず、他の回路シミュレーション
を用いても同様の効果を奏することができる。In the semiconductor process determining apparatus 100,
Although SPICE2 is used as a circuit simulation program, the present invention is not limited to this, and similar effects can be obtained by using other circuit simulations.
【0036】[0036]
【発明の効果】本発明の第1の1の半導体プロセス決定
支援装置では、表示手段により表示されたプロセスと回
路の特性データとを参照して、操作者の所望する最適な
プロセスを決定することができる。これにより、低コス
トで高速なプロセス設計を行うことができる。According to a first aspect of the present invention, an optimum process desired by an operator is determined by referring to a process displayed by display means and circuit characteristic data. Can be. Thereby, low-cost and high-speed process design can be performed.
【0037】本発明の第2の半導体プロセス決定支援装
置では、シミュレーション精度の補償範囲を設定するこ
とにより本装置の信頼性を向上し、誤差を低減すること
ができる。In the second semiconductor process decision support device of the present invention, the reliability of the device can be improved and errors can be reduced by setting the compensation range of the simulation accuracy.
【0038】本発明の第3の半導体プロセス決定支援装
置では、製造上の制限を加えることにより、無駄なシミ
ュレーションの実行を防ぎ、効率よくプロセスの決定を
行うことができる。In the third semiconductor process decision support device of the present invention, by imposing restrictions on manufacturing, it is possible to prevent unnecessary simulations from being executed and to efficiently decide processes.
【0039】本発明の記録媒体は、内部に記録している
プログラムを実行することで、コンピュータを上記第1
の半導体プロセス決定支援装置として機能させ流ことが
できる。これにより、操作者は、表示手段により表示さ
れたプロセスと回路の特性データとを参照して、所望す
る最適なプロセスを決定することができる。これによ
り、低コストで高速なプロセス設計を行うことができ
る。The recording medium of the present invention executes a program recorded therein to execute the first computer.
Function as a semiconductor process decision support device. Thus, the operator can determine a desired optimum process by referring to the process displayed by the display unit and the characteristic data of the circuit. Thereby, low-cost and high-speed process design can be performed.
【図1】 プロセス決定支援装置の実行する処理の流れ
を示すシステム図である。FIG. 1 is a system diagram showing a flow of processing executed by a process determination support device.
【図2】 半導体プロセス決定支援装置の構成を示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a semiconductor process decision support device.
【図3】 プロセスと、当該プロセスにより製造される
回路の特性との相関データを導出するまでの流れを示し
たシステム流れ図である。FIG. 3 is a system flow chart showing a flow up to derivation of correlation data between a process and characteristics of a circuit manufactured by the process.
【図4】 回路スピードとひ素注入量との相関データを
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing correlation data between a circuit speed and an arsenic injection amount.
【図5】 プロセス決定支援処理のフローチャートであ
る。FIG. 5 is a flowchart of a process determination support process.
101 CPU、102 メモリ、103 キーボー
ド、104 ディスプレイ、105 外部記憶装置101 CPU, 102 memory, 103 keyboard, 104 display, 105 external storage device
Claims (4)
めの支援装置であって、 所定の回路に対して汎用プロセスの各プロセスパラメー
タの値を振ったプロセスを採用した場合の回路特性のデ
ータに基づいて得られる上記回路についての各プロセス
パラメータ及び回路特性の相関データのデータベースを
取得するデータベース取得手段と、 製造対象の回路のネットリストを入力する入力手段と、 所望する回路特性を指定する指定手段と、 汎用プロセスの各プロセスパラメータの内、上記指定手
段により指定された回路特性を達成するため、該回路特
性と最も相関度の高いプロセスパラメータを調節した少
なくとも1のプロセスを上記データベース取得手段によ
り取得されたデータベースより選択するプロセス選択手
段と、 上記プロセス選択手段により選択されたプロセスのデー
タを用いてプロセスシミュレーション及びデバイスシミ
ュレーションを実行して回路シミュレーションで用いる
各パラメータを抽出し、当該抽出した各パラメータ及び
上記入力手段により入力された回路のネットリストに基
づいて回路シミュレーションを実行して回路特性のデー
タを取得する特性データ取得手段と、 上記プロセス選択手段により選択されたプロセス及び特
性データ取得手段により取得された回路特性のデータを
表示する表示手段とを備えることを特徴とする半導体プ
ロセス決定支援装置。1. A supporting device for determining a process of a semiconductor integrated circuit, which is based on data of circuit characteristics when a process in which values of respective process parameters of a general-purpose process are assigned to a predetermined circuit is adopted. Acquisition means for acquiring a database of correlation data of each process parameter and circuit characteristics of the circuit obtained by the above, input means for inputting a netlist of a circuit to be manufactured, and designation means for designating desired circuit characteristics In order to achieve the circuit characteristic specified by the specifying means among the process parameters of the general-purpose process, at least one process in which the process parameter having the highest correlation with the circuit characteristic is adjusted is obtained by the database obtaining means. Process selection means for selecting from the database A process simulation and a device simulation are executed using the data of the process selected by the stage to extract each parameter used in the circuit simulation, based on the extracted parameters and the netlist of the circuit input by the input means. A characteristic data acquisition unit that acquires circuit characteristic data by executing a circuit simulation; and a display unit that displays the process selected by the process selection unit and the circuit characteristic data acquired by the characteristic data acquisition unit. A semiconductor process decision support device characterized by the following.
援装置において、 上記プロセス選択手段は、上記指定手段により指定され
た特性を満足するプロセスであって、上記特性データ取
得手段において実行するプロセスシミュレーションの精
度補償範囲内にあるプロセスパラメータよりなるプロセ
スを選択することを特徴とする半導体プロセス決定支援
装置。2. The process simulation apparatus according to claim 1, wherein said process selecting means is a process that satisfies characteristics specified by said specifying means, and is executed by said characteristic data obtaining means. A semiconductor process decision support device for selecting a process consisting of process parameters within an accuracy compensation range of the semiconductor device.
援装置において、 上記プロセス選択手段は、上記指定手段により指定され
た特性を満足するプロセスであって、製造上の制限を満
足するプロセスパラメータよりなるプロセスを選択する
ことを特徴とする半導体プロセス決定支援装置。3. The semiconductor process decision support device according to claim 1, wherein said process selecting means is a process that satisfies the characteristics specified by said specifying means, and is a process parameter that satisfies manufacturing restrictions. A semiconductor process decision support device characterized by selecting a desired process.
セスを決定するための支援装置として機能させるための
プログラムを格納した記録媒体であって、 当該コンピュータを、 所定の回路に対して汎用プロセスの各プロセスパラメー
タの値を振ったプロセスを採用した場合の回路特性のデ
ータに基づいて得られる上記回路についての各プロセス
パラメータ及び回路特性の相関データのデータベースを
取得するデータベース取得手段、 製造対象の回路のネットリストを入力する入力手段、 所望する回路特性を指定する指定手段、 汎用プロセスの各プロセスパラメータの内、上記指定手
段により指定された回路特性を達成するため、該回路特
性と最も相関度の高いプロセスパラメータを調節した少
なくとも1のプロセスを上記データベース取得手段によ
り取得されたデータベースより選択するプロセス選択手
段、 上記プロセス選択手段により選択されたプロセスのデー
タを用いてプロセスシミュレーション及びデバイスシミ
ュレーションを実行して回路シミュレーションで用いる
各パラメータを抽出し、当該抽出した各パラメータ及び
上記入力手段により入力された回路のネットリストに基
づいて回路シミュレーションを実行して回路特性のデー
タを取得する特性データ取得手段、 上記プロセス選択手段により選択されたプロセス及び特
性データ取得手段により取得された回路特性のデータを
表示する表示手段として機能させるプログラムを記録し
たコンピュータ読み取り可能な記録媒体。4. A recording medium storing a program for causing a computer to function as a support device for determining a process of a semiconductor integrated circuit, the computer comprising: A database acquisition means for acquiring a database of correlation data of each process parameter and circuit characteristics of the circuit obtained based on the data of the circuit characteristics when a process in which parameter values are varied, a netlist of a circuit to be manufactured Input means for inputting the desired circuit characteristics; designating means for designating desired circuit characteristics; and among the process parameters of the general-purpose process, in order to achieve the circuit characteristics designated by the designating means, a process parameter having the highest degree of correlation with the circuit characteristics. Acquire at least one process with adjusted database A process selecting means for selecting from the database obtained by the step, a process simulation and a device simulation are performed by using the data of the process selected by the process selecting means, and each parameter used in the circuit simulation is extracted; A characteristic data acquisition unit that executes circuit simulation based on the parameters and the netlist of the circuit input by the input unit to acquire circuit characteristic data; and a process selected by the process selection unit and a characteristic data acquisition unit. A computer-readable recording medium in which a program for functioning as display means for displaying the data of the circuit characteristics is recorded.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10038570A JPH11238655A (en) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Semiconductor process determination support device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10038570A JPH11238655A (en) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Semiconductor process determination support device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11238655A true JPH11238655A (en) | 1999-08-31 |
Family
ID=12528963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10038570A Pending JPH11238655A (en) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | Semiconductor process determination support device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11238655A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6698000B2 (en) | 2001-04-16 | 2004-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor process parameter determining method, semiconductor process parameter determining system, and semiconductor process parameter determining program |
JP2007510287A (en) * | 2003-09-30 | 2007-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | System and method using first principle simulation to facilitate semiconductor manufacturing process |
US7272460B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for designing a manufacturing process, method for providing manufacturing process design and technology computer-aided design system |
US7709899B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10038570A patent/JPH11238655A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6698000B2 (en) | 2001-04-16 | 2004-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor process parameter determining method, semiconductor process parameter determining system, and semiconductor process parameter determining program |
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JP2007510287A (en) * | 2003-09-30 | 2007-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | System and method using first principle simulation to facilitate semiconductor manufacturing process |
US7709899B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus |
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